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Circuitos Eletrónicos - LEET Exercícios Propostos

Licenciatura em Engenharia Eletrónica e Telecomunicações

Circuitos Eletrónicos

Exercícios Propostos

Faculdade de Ciências Exatas e Engenharias Página 1 Universidade da Madeira


Circuitos Eletrónicos - LEET Exercícios Propostos

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AMPLIFICADORES DE POTÊNCIA
1. Considere um circuito constituído por um único transístor a funcionar em classe A tendo

uma resistência de carga RL  48 no colector.


a) Qual o valor de Vcc necessário para garantir que a excursão do sinal é simétrica para o PFR,
considerando I CQ = 0.25A ?

b) Quais os valores mínimos de I C max e PD max a exigir do transístor ?


Resp: a) 24V, b) 3W, 0.5A

2. Considere um amplificador de potência a funcionar com uma eficiência de 30%, que


entrega à carga 5W de potência eficaz. Sabendo que Vcc  24V , determine a potência fornecida
pela fonte PS e a corrente média que percorre o circuito.
Resp: 16.67W, 0.694A

3. Considere um circuito de classe B em que o transístor dissipa 2W. A fonte de


polarização Vcc  30V fornece uma corrente média de 80mA. Qual a potência eficaz na carga?
Resp: 0.4W

4. Considere o amplificador de potência a funcionar em classe A, representado na figura 1


e responda às seguintes questões:
• • +V
cc

RB RL

ibP

vi ~

h fe  F  25 , RB  1k , RL  20 , ibP  10mA , Vcc  20V

a) Determine a potência fornecida pela fonte Vcc .


b) Determine a potência ac eficaz, fornecida à resistência de carga RL .
c) Determine o rendimento do amplificador nas condições de funcionamento indicadas.
d) Refira as vantagens e inconvenientes deste amplificador.
Resp: a) 9.65W, b)0.625W, c) 6.48%

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5. Pretende-se implementar um amplificador de potência a funcionar em classe A com a
configuração da montagem representada na figura 2. A tensão de alimentação é de 50 V e o
PFR deve ser fixado em VCEQ = 20V; I CQ = 1A, tendo a carga o valor de 20.

+ Vcc

RB RL

C1 •  vo


vs ~
RE CE

Com base nas especificações acabadas de descrever, determine:


a) O valor de RE .
b) A máxima potência eficaz na carga.
c) O rendimento do amplificador.
d) As características VCE max , I C max e PD max que o transístor deve possuir.
Resp: a) 10, b) 10W, c) 20%, d) 50V, 1.67A, 20W

6. Considere um circuito de simetria complementar a funcionar em classe B e alimentado


por  15V , alimentando uma carga de 15. Determine:
a) A máxima potência eficaz que o amplificador pode fornecer à carga.
b) A máxima potência fornecida ao amplificador pela fonte de alimentação.
c) O máximo rendimento do amplificador.
d) A máxima tensão que cada um dos transístores suporta entre o colector e o emissor ( VCE max
).
e) A máxima potência dissipada em cada um dos transístores.
f) As características VCE max , I C max e PD max a exigir dos transístores.
Resp: a) 7.5W, b) 9.549W, c) 78.5%, d) 30V, e) 1.5W, f) 30V, 1A, 1.5W

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7. Para um amplificador classe B com a configuração da figura seguinte, com Vcc  25V
e RL = 8, determine:
+ Vcc

C1
• •
vs ~
RL

- Vcc

a) A potência máxima fornecida ao amplificador.


b) A potência máxima entregue à carga RL .
c) A eficiência máxima do circuito.
Resp: a) 49.7W, b) 39.06W, c) 78.59%

8. Para o andar de saída classe B da figura 3 suponha Vcc  6V e RL  4 . Se a saída for


uma sinusóide com 4.5V de pico, calcule:
a) A potência entregue à carga.
b) A potência média fornecida por cada fonte de alimentação.
c) O rendimento da fonte.
d) As correntes de pico fornecidas por vs , supondo N  P  50 .
e) A potência máxima que cada transístor deve ser capaz de dissipar com segurança.
Resp: a) 2.53W, b) 2.15W, c) 58.97%, d) 22.5mA, e) 0.91W

9. Determine a eficiência máxima do circuito da figura.

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+ Vcc

R1

C1

• 
vs
~ R2 RL vo

 F  100 , R1  100k , R2  83k , RL  500, Vcc  10V , vs  1sin(. t ) V


Resp: 9.95%

10. Um transístor pode dissipar uma potência de 2W com a temperatura de 25 ºC e pode


atingir uma temperatura na junção de 150 ºC.
a) Qual é o valor da resistência térmica?
b) Que potência pode dissipar o transístor quando está a funcionar com uma temperatura
ambiente de 70 ºC?
c) Calcule a temperatura da junção quando um transístor está a dissipar 1W com a temperatura
ambiente de 50 ºC.
Resp: a) 62.5ºC/W; b) 1.28W; c) 112.5ºC

11. Um transístor de junção é especificado como tendo uma temperatura de junção máxima
igual a 130 ºC. Quando está a funcionar com esta temperatura, a temperatura no invólucro do
transístor é 90 ºC. O invólucro do transístor está ligado a um dissipador sendo a resistência
térmica de ligação θCS = 0.5 ºC/W e resistência térmica do dissipador igual a θSA = 0.1 ºC/W.
a) Se a temperatura ambiente for 30 ºC qual é a potência dissipada no dispositivo?
b) Qual é a resistência térmica do dispositivo, θJC, desde a junção até ao invólucro ou
encapsulamento?
Resp: a) 100W; b) 0.4ºC/W

12. Considere o andar de saída em classe B complementar, mas desprezando o efeito de


VBE e VCEsat. Para fontes de tensão com  10 V e resistência de carga de 100 .
a) Qual é máxima potência do sinal sinusoidal na saída?

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b) A que potência da fonte corresponde?
c) Qual é a eficiência de conversão da potência?
d) Para sinais de saída com metade desta amplitude, calcule a potência de saída, a potência
fornecida pela fonte e a eficiência de conversão da potência.

Resp: a) 0.5W; b) 0.6366W; c) 78.5%; d) 39.3%


13. Um andar de saída em classe B vai ser usado para fornecer a uma carga de 64  uma
potência eficaz de 100 W. A fonte de tensão deve ser 4 V superior que o pico de tensão
sinusoidal na carga. Determine:
a) A tensão da fonte de alimentação
b) O pico de corrente em cada fonte
c) A potência total fornecida pela fonte
d) A eficiência de conversão de potência.
e) Determine a máxima dissipação de potência em cada transístor (uma entrada sinusoidal).

Resp: a) 117V; b) 1.766ª; c) 131.46W; d) 76%; e) 21.65W

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ANÁLISE EM FREQUENCIA
14. Determine a frequência inferior de corte (fl) do amplificador representado na figura,
utilizando os parâmetros indicados, e esboce a sua resposta em frequência quanto ao ganho por
intermédio do diagrama de Bode.
+Vcc

Rc
R1
Cc

Cs
T1

Rs
RL Vo
R2
RE
CE
Vs

Cs = 10 F; CE = 20 F; CC = 1 F; RS = 1 K; R1 = 40 K; R2 = 10 K; RE =2 K;


RC =4 K; RL= 2,2 K; F = 100; VCC = 20 V; T = 27ºC
Carga do electrão (q) = 1,60219 10-19 C; Constante de Boltzman (K) = 1,38054  10-23 J.ºK-1
. O transístor é de silício.
Resp: 318,8 Hz

15. Determine a frequência inferior de corte (fl) do circuito da figura e esboce a sua resposta
em frequência, quanto ao ganho, utilizando um diagrama de Bode.
+VDD

RD

Cc

Rs CG
T1

Vo
RG
Vs RS
Cs

Cs = 2 F; CC = 0,5 F; CG = 0,01 F; Rs = 10 K; RG = 1 M; RD = 4,7 K; RS = 1 K;
RL= 2,2 K; Vp = -4 V; VGSQ = -2 V; yOS = 0; IDSS = 8 mA
Resp: 300,49 Hz

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16. Considere o circuito representado na figura e determine os valores dos condensadores
C1, C2 e C3 de forma a impor ao amplificador uma frequência inferior de corte igual a 50 Hz.
+Vcc

Rc
R1
C2
Rs
C1
T1

R Vo
L
Vs C3
R2
R
E

RS = 600 ; R1 = 68 K; R2 = 10 K; RE =1,5 K; RC = 3,9 K; RL= 2 K; hoe = 0 S
hie = 3 K; hfe = 150; hre = 0;
Resp: C1 = 112,47 F; C2 = 53,9 F; C3 = 137,2 F

17. Determine a frequência inferior de corte (fl) do circuito representado na figura.


+Vcc

Rc
R1
Cc

Cs
T1

Rs
RL Vo
R2
R
E
CE
Vs

Cs = 5 F; CE = 10 F; CC = 0,5 F; RS = 1 K; R1 = 40 K; R2 = 10 K; RE = 1,6 K;


Rc =4 K; RL= 2 K; ICQ = 2 mA; VCC = 20 V; T = 27ºC; β=100. O transístor é de silício.
Resp: 875 Hz

18. Tendo em conta o circuito da figura:

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a) Determine a frequência inferior de corte (fl).
b) Determine a frequência superior de corte (fh).
c) Determine a frequência fT do transistor.
d) Com base nos valores que acabou de determinar, esboce o diagrama de Bode do
comportamento do ganho do amplificador.
+Vcc

Rc
R1
Cc

Rs Cs
T1

R Vo
L
Vs
R2 CE
RE

Cs = 10 F; CE = 20 F; CC = 1 F; RS = 1 K; R1 = 40 K; R2 = 10 K; RE =2 K;


RC = 4 K; RL= 2,2 K; F = 100; ro =  ; VCC = 20 V; T = 27º C; IEQ = 1,65 mA;
Cbe = 36 pF; Cbc = 4 pF; Cce = 1 pF; Cwi = 6 pF; Cwo = 8 pF

19. Conceba um amplificador a BJT de um andar com um ganho de tensão de 34dB, com
ganho estável entre 46Hz e 200KHz (a menos de 3dB).
RS=2KΩ; RL=10KΩ.
Use o transístor 2N3114 com hfe==50 (1KHz) e hie=1,5K=rb+rπ para Ic=1mA e VCE=5V.
C0b=Cfe=6pF e fT=54MHz, re=27Ω.

20. O fabricante do 2N3114 especifica hib= re=27Ω e hfe=β=50 a 1KHz e βf =2,7 a 20 MHz.
Determine fT, fβ e cπ.
Resp: 54MHz; 1,08MHz; 109pF.

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AMPLIFICADORES DIFERENCIAIS
21. Para o amplificador diferencial da figura, seja I = 1 mA, VCC = 5 V, vCM = -2 V, RC = 3
k e  = 100. Assuma que os TBJs têm vBE = 0.7 V com iC = 1 mA. Calcule a tensão nos
emissores e nas saídas.

Resp: vE = -2.7 V; vC1 = vC2 = 3.5 V

22. Para o amplificador diferencial com um sinal diferencial de entrada de 5 mV, qual é a
tensão equivalente aplicada ao semi-circuito em emissor comum? Se a corrente da fonte do
emissor é 50 A, quanto vale re do semi-circuito? Para uma resistência de carga de 20 k em
cada colector, qual é o ganho de tensão do semi-circuito? Qual é a amplitude do sinal de tensão
de saída em cada colector?
Resp: vd/2 = 2.5 mV, re = 1 k, Ad = -20, vc1 = -50 mV e vc2 = 50 mV

23. Calcule o ganho de tensão e a resistência de entrada do amplificador, com  = 100.

Resp: Ad = 39.60 e Ri = 50.5 k

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24. O circuito da figura mostra um inversor lógico baseado num par diferencial. Aqui, Q1 e
Q2 formam um par diferencial, enquanto Q3 é um seguidor de emissor que realiza duas funções:
Desloca o nível da tensão de saída para manter VOH e VOL centradas na tensão de referência VR,
possibilitando, assim, que a porta lógica polarize a porta seguinte, e também estabelece uma
baixa resistência de saída no inversor. Todos os transístores têm VBE = 0.7 V com IC = 1mA e
têm  = 100.
a) Para vI suficientemente baixo de maneira que Q1 esteja no corte, calcule o valor da tensão de
saída vO. Isto é VOH.
b) Para vI suficientemente elevado de maneira que Q1 conduza toda a corrente I, calcule a tensão
de saída vO. Isto é, VOL.
c) Determine o valor de vI para Q1 conduzir 1% da corrente I. Este valor pode ser visto como o
VIL.
d) Determine o valor de vI para Q1 conduzir 99% da corrente I. Este valor pode ser visto como
o VIH.

Resp: a) VOH = 4.2 V; b) VOL = 3.2 V; c) VIL = 3.5 V; d) VIH = 3.8 V

25. Um amplificador diferencial é polarizado com uma fonte de corrente de 6 mA ligada


aos emissores dos TBJs não adaptados. Um dos transístores tem uma área da junção de emissor
1.5 superior à do outro. Para uma tensão diferencial de entrada igual a zero volts, quanto vale
as correntes dos colectores? Que diferença tem de existir na tensão de entrada para igualar as
duas correntes dos colectores? Assuma  = 1.
Resp: IC1 = 3.6 mA, IC2 = 2.4 mA e VOS = -10.1 mV

26. O amplificador diferencial utiliza uma resistência ligada à fonte de tensão negativa para
estabelecer a corrente de polarização I.

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(a) Para vB1 = vd/2 e vB2 = -vd/2, onde vd é um sinal de tensão com valor médio igual a zero,
calcule o ganho diferencial, |vo/vd|.
(b) Para vB1 = vB2 = vCM, calcule o ganho em modo comum, |vo/vCM|
(c) Calcule o CMRR.
(d) Se vB1 = 0.1sen260t + 0.005sen21000t Volts e vB2 = 0.1sen260t - 0.005sen21000t
Volts, calcule vo.

Resp: a) |vo/vd|= 20; b) |vo/vCM|= 0.231; c) CMRR = 38.7 dB; d) vo = 0.2sen21000t - 0.023sen260t

27. Projecte o amplificador diferencial básico, com TBJ, para proporcionar uma resistência
de entrada de pelo menos 10 k e um ganho de tensão diferencial (com a saída obtida entre os
dois colectores) de 200. O  dos transístores tem pelo menos o valor 100. A fonte de tensão
disponível é de 10 V.

Resp: RC = 10 k e I = 1 mA

28. O amplificador diferencial com TBJs tem em cada emissor uma resistência de 100  e
é polarizado a partir de uma fonte de corrente constante com 2 mA. Os colectores estão ligados
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a VCC por uma resistência de 5 k. Uma diferença de tensão 0.1 V é aplicada entre as duas
bases de entrada.
a) Calcule a componente de sinal da corrente dos emissores (ie) e a componente de sinal vbe de
cada TBJ.
b) Qual é a corrente total de emissor em cada TBJ?
c) Qual é a componente de sinal de tensão em cada colector? Assuma  = 1.
d) Qual é o ganho de tensão alcançado quando a saída é obtida entre os dois colectores?
Resp: a) ie = 0.4 mA e vbe = 0.01 V; b) iE1 = 1.4 mA e iE2 = 0.6 mA; c) vc1 = -2 V e vc2 = 2; d) Ad = 40

29. Calcule o ganho de tensão e a resistência de entrada do amplificador, com  = 100.

Resp: Ad = 29.7 e Rid = 25.25 k

30. Para o amplificador diferencial, identifique e desenhe o semi-circuito em modo


diferencial e o semi-circuito em modo comum. Calcule o ganho diferencial, a resistência de
entrada diferencial, o ganho em modo comum e a resistência de entrada em modo comum. Para
estes transístores,  = 100 e VA = 100 V.

Resp: Ad = -26.4, Rid = 17.8 k, Acm = -0.033 e Ricm = 14.97 k

31. Determine a Razão de Rejeição em Modo Comum (CMRR) do amplificador diferencial


representado na figura.

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+Vcc

Rc1 Rc2

•   •
vo1 vo2

T1 T2

v1 v2
~ • ~
• T3

R1 Z R2

- VEE

R2 =1.5k, h fe1 = h fe2 = h fe3 =100, hoe1 = hoe2 = hoe3 =25S, hie1 = hie2 = hie3 =1.5k
Resp: 102.5dB

32. No circuito do problema anterior substitua a fonte de corrente por uma resistência RE ,

com um valor igual à resistência interna da fonte de corrente, isto é, RE =2M. Assumindo que
I1  I2  2mA, determine o valor de VEE , tendo em conta que o restante circuito se mantém

inalterado e que os transístores são de silício e se encontram na Z.A.D.


+Vcc

Rc1 Rc2

•   •
vo1 vo2

T1 T2

v1 v2
~ • ~

RE

- VEE
Resp: -8000V

ESPELHOS DE CORRENTE

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33. Considere os circuitos seguintes para gerar a corrente constante I0=10μA a partir de uma
tensão de 10V.

Determine os valores das resistências necessárias sabendo que VBE é 0.7V para uma corrente
de 1mA e desprezando o efeito do β ser finito.
Resp: R1=942KΩ; R2=9.3KΩ; R3=11.5KΩ

34. O amplificador diferencial está a funcionar com I = 100 A e os dispositivos são


caracterizados por VA = 160 V e  = 100. Quanto vale a resistência diferencial de entrada, a
resistência de saída, a transcondutância equivalente e o ganho de tensão em circuito aberto?
Qual é o ganho de tensão se a resistência de entrada no andar seguinte for 1 M?

Resp: Rid = 101 k, Ro = 1.6 M, Gm = 1.98 mS, Av_aberto = 3199.7 e Av_carga = 1223.1

35. Um amplificador diferencial com TBJs é polarizado por uma fonte de corrente de
emissor igual a 400 A. Os dois transístores estão adaptados mas as resistências de carga do

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colector tem uma desadaptação de 10%. Qual é a tensão de desvio na entrada para reduzir a
zero a tensão diferencial de saída?
Resp: VOS = 2.5 mV

36. Para o amplificador cascódigo, seja I = 100 A, RC = 100 k, VCC = 15 V, VBIAS = 5
V,  = 100 e VA = 80 V. Calcule gm e ro para cada um dos transístores, estime a resistência total
da saída e o ganho de tensão vo/vd.

Resp: gm1 = gm2 = 1.98 mS, gm3 = gm4 = 1.96 mS, ro1 = ro2 = 1.6 M, ro3 = ro4 = 1.6 M, Ro = 199.87 k e vo/vd
= 196

37. Projecte o amplificador diferencial MOS para funcionar com VGS – Vt = 0.2 V e para
proporcionar uma transcondutância gm de 1 mS. Especifique as razões W/L e a corrente de
polarização. Os transístores MOS caracterizam-se por Vt = 0.8 V e nCox = 90 A/V2.

Resp: I = 200 A e W/L = 55.6

38. Para o espelho de corrente MOS simples os dispositivos têm Vt = 1 V e k’n(W/L) = 200
A/V2. Medições feitas com VDS2 = VDS1 e IREF = 0.2 mA mostram que a corrente de saída é 5
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% mais baixa do que o esperado. Q1 e Q2 podem diferenciar-se um do outro mais do que duma
maneira. Se a diferença na corrente for devido a (W/L)2 ser diferente de (W/L)1, calcule quanto
vale essa diferença. Se, por outro lado, a diferença na corrente deve-se a Vt2 ser diferente de
Vt1, calcule a diferença entre eles.

Resp: W/L = 0.05W/L e Vt = 0.03(VGS - Vt)

39. Se no amplificador diferencial de carga activa todos os transístores forem caracterizados


por k’n(W/L) = 800 A/V2 e |VA| = 20 V. Calcule a corrente de polarização I para que o ganho
de tensão seja vo/vid = 80.

Resp: I = 50 A

40. Um amplificador diferencial usa uma fonte corrente de emissor de 400 A para polarizar
os transístores. Há uma diferença de 10% na corrente de escala IS dos dois transístores. Se as
duas resistências dos colectores estão bem adaptadas, calcule a tensão de desvio na entrada.
Resp: VOS = 2.5 mV
41. Projecte o circuito com um espelho de corrente simples para implementar a fonte de
corrente I. É exigido que a transcondutância equivalente seja 5 mS. Use fontes de alimentação
de  5 V e TBJs que tenham  = 150 e VA = 100 V. Esquematize o circuito completo com os
valores dos componentes e determine a resistência de entrada diferencial, Ri, a resistência de

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saída Ro, o ganho de tensão em circuito aberto, a corrente de polarização de entrada, a gama de
variação da tensão de entrada em modo comum e a resistência de entrada em modo comum.

Resp: R = 16.86 k, Rid = 60 k, Ro = 400 k, Av = 2000, iI = 833.3 nA,
-3.6 V < vCM < 4.3 V e Ricm = 36.14 M

42. Para o espelho de corrente MOS simples os dispositivos têm Vt = 1 V, k’n(W/L) = 200
A/V2 e VA = 20 V. A corrente de referência vale IREF = 100 A, a tensões de alimentação é
VSS = 5 V e a tensão de saída VO = 5 V. Com estas condições quanto vale a corrente IO?

Resp: IO = 140 A

43. Um par diferencial NMOS é usado num amplificador com resistências de dreno iguais
a 100 k  1%. Para o par, k’nW/L = 200 A/V2 e Vt = 1 V. A decisão a ser tomada é qual a
corrente de polarização a escolher, se é 100 A ou 200 A. Para saída diferencial compare o
ganho diferencial e o desvio de tensão de entrada nas duas possibilidades.
Resp: Ad100 = 14, Ad200 = 20, VOS100 = 7.1 mV e VOS200 = 10 mV

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44. Considere o circuito do amplificador diferencial com os dois terminais de entrada
ligados em conjunto e aplicando na entrada um sinal de tensão em modo comum vCM. R é a
resistência da fonte de corrente de polarização e P o ganho dos transístores pnp. Assumindo
que  dos transístores npn é elevado, verifique que há uma corrente de saída igual a vCM/(PR).
Portanto, mostre que a transcondutância em modo comum é 1/(PR). Use este resultado em
conjunto com a transcondutância diferencial Gm para encontrar o factor de rejeição em modo
comum (CMRR). Calcule o CMRR para o caso de I = 0.2 mA, R = 1 M e P = 25.

Resp: CMRR = 100 dB

45. No amplificador com carga activa MOS todos os transístores têm k’(W/L) = 200 A/V2
e |VA| = 50 V. Para VDD = 5 V, com as entradas ligadas à terra, e (a) I = 10 A ou (b) I = 100
A, calcule na gama linear de vo, o gm de Q1 e Q2, a resistência de saída de Q2 e Q4, a
resistência total de saída e o ganho de tensão.

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Resp: a) gm1 = gm2 = 44.7S, Ro2 = Ro4 = 10 M, Ro = 5 M e Av = 223.6 ;


(b) gm1 = gm2 = 141.4S, Ro2 = Ro4 = 1 M, Ro = 0.5 M e Av = 70.7

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AMPLIFICADORES REALIMENTADOS

46. O amplificador operacional na configuração não inversora a funcionar como circuito


tampão é uma implementação directa de um amplificador com realimentação. Assumindo que
o Amp Op tem uma resistência de entrada infinita e resistência de saída igual a zero, quanto
vale o ? Se A = 100, qual é o ganho do amplificador com realimentação Af? Para Vs = 1 V
calcule Vo e Vi. Se A diminuir 10% qual é a diminuição correspondente em Af?

Resp:  = 1, Af = 0.99, Vo = 0.99 V, Vi = 9.9 mV e Diminuição(Af) = 0.11%

47. Considere um amplificador com realimentação que tem um ganho em malha aberta A(s)
dado por

As  
1000
1  s 10 1  s 10 
4 5 2

Se o factor de realimentação  for independente da frequência, calcule a frequência que origina


um desvio de fase de 180º e o valor crítico de  que provoca oscilações.
Resp: 180 = 105 rad/s e  = 0.01

48. Considere o circuito representado na figura e responda às seguintes questões:


a) Identifique a topologia de realimentação
b) Determine Avf c) Determine Rif
d) Determine Rof considerando uma resistência de carga ligada entre o ponto C e a massa.
+Vcc

Rc

C2 C
A

C1
T1
R1

B
C3
Vs
R2

Rc = 5 K; R1 = 47 K; R2 = 3 K; hie = 2 K; hfe = 80


Resultado: b) -15,26; c) 23,8k; d) 381,64 

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Circuitos Eletrónicos - LEET Exercícios Propostos
49. Considere o circuito representado na figura e responda às questões seguintes:
a) Identifique o circuito
b) Identifique a topologia de realimentação do circuito
c) Determine o ganho de tensão Avf
d) Determine a resistência de saída Rof, vista pelos os terminais A e B
+VD

R1

T1
C1
C2
A

Vs R2
Rs
Vo

Rs = 2,7 K; rds = 50 K; gm = 4 mS


Resultados : c) 0,911; d) 227,76 

50. Considere o circuito da figura e responda às questões seguintes:


a) Identifique a topologia de realimentação
b) Determine o ganho Avf
c) Determine o valor de Gmf
d) Determine o valor da realimentação, 
e) Deduza a expressão para Gm e determine o seu valor
+Vcc

Rc
RB
C2

C1
T1
Vo
Vs
RE

RB = 470 ; RC = 2,2 K; RE = 510 ; hfe = 120; hie = 900 


Resultados : b) -4,3; c) -1,91mS; d) -510; e) -0,0851S

51. Tendo em conta o circuito representado na figura, responda às questões seguintes:

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Circuitos Eletrónicos - LEET Exercícios Propostos
a) Identifique a topologia de realimentação
Vo
b) Determine o ganho Avf = do circuito
Vs
c) Determine a resistência de entrada Rif
d) Determine a resistência de saída Rof aos terminais A-B
+Vcc

Rc
Rf
C2
A
Rs C1
T1
Vo
Vs
RE
CE

Rs = 2,5 K; Rf = 50 K; RC = 5 K; hfe = 80; hie = 1,5 K


Resultados: b) -15; c) 2665,9 ; d) 832 

52. Tendo em conta o circuito amplificador da figura, determine:


a) A topologia de realimentação do amplificador
b) O ganho de tensão Avf
c) O ganho de corrente Aif
d) A resistência de entrada do amplificador realimentado (Rif)
e) A resistência de saída do amplificador realimentado (Rof)
+VD

RD
Rf
C2

T1
C1

R
L Vo
Vs RG
Rs
Cs

RD = 10 K; Rf = 150 K; RG = 1 M; RS = 2 K; RL = 5 K; gm = 5 mS; rds = 100 K


Resultados: b) -16; c) -28,8; d) 9 k; e) 8,57 k

53. Considere o circuito da figura e determine:

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Circuitos Eletrónicos - LEET Exercícios Propostos
a) A topologia do amplificador;
io Vo Vo
b) ; c) Aif = ; d) Rif ; e) Avf = ; f) Avf = ;
is Vi Vs
g) Rof aos terminais A-B
+Vcc

Rc Rc
1 2
C2 C2
A
i b1 i b2
T1 T2
C1
is

Rs

Vo
RE
RE 2
1 CE
Vs

Rf

Rs = 1 K; Rc1 = 10 K; Rc2 = 470 ; RE2 = 100 ; Rf = 1,5 K; hfe1 = hfe2 = 80;
hie1 = hie2 = 2 K
Resultados : b) 0,0625; c) 16; d) 14,67 ; e) 767,34; f) 7,37; g) 470 

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Circuitos Eletrónicos - LEET Exercícios Propostos
OSCILADORES

54. Designando as tensões dos díodos zener Z1 e Z2 por VZ1 e VZ2, respectivamente e
assumindo que na condução directa a queda de tensão é 0.7 V represente a função de
transferência vO–vI do circuito e identifique as tensões importantes. Assuma que o Amp Op é
ideal.

 0.7  VZ 2 v I  VR
Resultados: vO 
 0.7  VZ 1  v I  VR

55. Calcule para o circuito da figura: L(s), L(j), a frequência com deslocamento de fase
igual a zero e a relação R2/R1 para haver oscilações.

1  R2 R1 1  R2 R1
Resultados: Ls   , L  j   , 0 = 1/RC e R2/R1 = 2
3  sRC  1 sRC 3  j RC  1 RC 

56. Para o circuito da figura desenhe a característica de transferência vO-vI e assinale os


pontos importantes. Assuma que os díodos têm uma queda de tensão de 0.7 V quando estão
conduzindo e o Amp Op satura com as tensões 12 V. Qual é a máxima corrente no díodo?

Resultados: VTL = -0.1 V, VTH = 0.1 V, L+ = 0.7 V, L- = -0.7 V e ID = 1.12 mA

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Circuitos Eletrónicos - LEET Exercícios Propostos
57. No circuito da figura quebre o anel de realimentação no ponto X e calcule o ganho do
anel. Para R = 10 k, calcule C e Rf do modo a obter oscilações na frequência de 10 kHz.

 Rf R
Resultados: Ls   , C = 5 nF e Rf = 560 k
4  s10RC  s 2 6 R 2C 2  s 3 R 3C 3

58. No circuito da figura está esquematizado um oscilador de Colpitts com os detalhes de


polarização. Deduza a equação que caracteriza o funcionamento do circuito, calcule a
frequência de oscilação e a condição de ganho para haver oscilações.

 sC1  C2   s 2
1 LC 2
Resultados: g m1   s 3 LC1C2  0
R R
1
R = ro1/ro2//RL,  0 
CC
L 1 2
C1  C2

g m1 ro1 // ro 2 // RL   2
C
C1

59. Calcule a frequência de oscilação do circuito da figura no caso de R1 = 10 k, R2 = 16


k, C = 10 nF e R = 62 k.

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Circuitos Eletrónicos - LEET Exercícios Propostos

Resultados: f0 = 994.5 Hz

60. O circuito da figura mostra um multivibrador monoestável. No estado estacionário, vO


= L+, vA = 0 e vB = -Vref. O circuito pode ser activado pela aplicação de um impulso positivo
com amplitude superior a Vref. No funcionamento normal, R1C1 << RC. Represente a forma de
onda resultante de vO e vA. Também mostre que a duração T do impulso de saída é dado por:
 L  L 
T  RC ln  
 V 
 ref 
Note que este circuito tem uma propriedade interessante é que a duração do impulso pode ser
controlada por Vref.

61. Represente a característica de transferência vO1-vI e vO2-vI do circuito da figura.

 v vI  0  0 vI  0
vO1   I
Resultados: e vO 2  
 0 vI  0  v I v I  0
62. No circuito do temporizador 555 a funcionar como multivibrador astável use um
condensador de 680 pF e projecte os outros componentes para obter uma forma de onda
rectangular com frequência igual a 50 kHz e ciclo activo de 75%. Especifique os valores de RA
e RB.
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Circuitos Eletrónicos - LEET Exercícios Propostos

Resultados: RA = 21.3 k e RB = 10.7 k

63. Designando as tensões dos díodos zener Z1 e Z2 por VZ1 e VZ2, respectivamente e
assumindo que na condução directa a queda de tensão é 0.7 V represente a função de
transferência vO–vI do circuito e identifique as tensões importantes. Assuma que o Amp Op é
ideal.


vI   1 0.7  VZ 2 
R
 0.7  VZ 2
 R2

 1 0.7  VZ 2   vI  1 0.7  VZ 1 
R R R
Resultados: vO    2 vI
 R1 R2 R2
 0.7  V  vI  1 0.7  VZ 1 
R
 Z1
 R2

64. Represente a característica de transferência do circuito da figura.

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Circuitos Eletrónicos - LEET Exercícios Propostos

 v  10V vI  5V
Resultados: vO   I
  5V vI  5V

65. Calcule para o circuito da figura: L(s), L(j), a frequência com deslocamento de fase
igual a zero e a relação R2/R1 para haver oscilações.

1  R2 R1 1  R2 R1
Resultados: Ls   , L  j  
3  sRC  1 sRC 3  j RC  1 RC 
0 = 1/RC e R2/R1 = 2

66. Considere o circuito biestável com o terminal negativo do Amp Op desligado da terra e
ligado à tensão de referência VR.
(a) Deduza a expressão da tensão limiar VTL e VTH em função das tensões de saturação do Amp
Op L+ e L-, R1, R2 e VR.
(b) Seja L+ = -L- = V e R1 = 10 k. Calcule R2 e VR que resulta em tensões limiares de 0 e
V/10.

VR  L  e VTH  VR  1 VR  L  ; (b) R2 = 200 k e VR = V/21


R1 R
Resultados: (a) VTL  VR 
R2 R2

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Circuitos Eletrónicos - LEET Exercícios Propostos
67. No circuito da figura está esquematizado um oscilador de Colpitts com os detalhes de
polarização. Deduza a equação que caracteriza o funcionamento do circuito, calcule a
frequência de oscilação e a condição de ganho para haver oscilações.

 sC1  C2   s 2
1 LC 2
Resultados: g m   s 3 LC1C2  0 ,
ro // RL ro // RL

e g m ro // RL   2
1 C
0 
CC C1
L 1 2
C1  C2

68. O circuito da figura consiste num multivibrador biestável inversor com um limitador de
saída e um integrador não inversor. Usando valores iguais para todas as resistências excepto
para R7 e um condensador de 0.5 nF, projecte o circuito para obter uma forma de onda
rectangular na saída do multivibrador biestável com amplitude de 15 V de pico a pico e
frequência de 10 kHz. Desenhe a forma de onda na saída do integrador e identifique as tensões
mais importantes. Assuma que os níveis de saturação do Amp Op são 13 V e projecte o circuito
para uma corrente nos díodos zener de 1 mA. Especifique a tensão de zener necessária e dê
valores a todas as resistências.

Resultados: R1 = R2 = R3 = R4 = R5 = R6 = 10 k, R7 = 5.5 k, VZ1 = VZ2 = 6.8 V

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Circuitos Eletrónicos - LEET Exercícios Propostos
69. Projecte o circuito da figura para que a característica de transferência tenha níveis de
tensão de saída iguais a  7.5 V e valores limiares de 7.5 V. Projecte o circuito para que flua
uma corrente de 0.1 mA na resistência de realimentação quando v I = 0 e 1 mA através dos
díodos zener. Assuma que as tensões de saturação do Amp Op são 12 V. Especifique as
tensões dos díodos zener e dê valor a todas as resistências.

Resultados: VZ1 = 6.8 V, VZ2 = 6.8 V, R1 = 75 k, R2 = 75 k e R = 4.5 k

70. (a) No circuito da figura use um condensador C de 1 nF e calcule o valor da resistência


R para a duração do impulso de saída ser 10 s.
(b) Se o temporizador 555 usado em (a) for alimentado com VCC = 15 V e assumindo que VTH
pode ser controlado externamente (isto é, não necessita ser igual a 2/3VCC), calcule o valor
necessário da tensão VTH para aumentar a duração do impulso para 20 s com todas as outras
condições iguais às da alínea (a).

Resultados: (a) R = 9.1 k ; (b) VTH = 13.3 V

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Circuitos Eletrónicos - LEET Exercícios Propostos
71. Verifique que o circuito da figura implementa a característica de transferência v O = -
v1v0 para v1, v2 > 0. Este circuito é conhecido por multiplicador analógico. Confirme o
comportamento do circuito para várias tensões de entrada, digamos, 0.5 V, 1 V, 2 V e 3 V.
Assuma que todos os díodos são idênticos, com uma queda de tensão de 700 mV para uma
corrente de 1 mA e n = 2. Note que a raiz quadrada pode ser facilmente implementado usando
só uma entrada (por exemplo, v1) ligada através de uma resistência de 0.5 k (em vez de uma
resistência de 1 k como mostra no circuito).

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Circuitos Eletrónicos - LEET Exercícios Propostos
CONVERSORES A/D e D/A
72. Explique quais as desvantagens de um conversor de digital para analógico baseado na
soma de corrente.

73. Explique quais as vantagens de um conversor


de digital para analógico em escada R-2R em comparação com um conversor baseado na soma
de corrente.

73A Por que valores intermédios passam as saídas dos conversores de quatro bits em rampa
e por aproximações sucessivas ao converter um valor de entrada de 7,5 Volts numa gama de
zero a quinze Volts?

74. Explique qual a vantagem do ADC por aproximações sucessivas em relação ao ADC
em rampa.

75. Qual é a resolução de um conversor de oito bits?


Resultados: 1/28=1/256 ou 0,39%

76. Explique qual a importância da escolha da tensão analógica de entrada para o


funcionamento de um ADC.

76A. Indique qual o número mínimo de bits que deverá utilizar numa aplicação com a gama
de entrada de 50V a 0V com precisão de 0.04%GS.
Resultados: Erro máximo 20mV. 9 bits50mV; 10 bits  25mV;11 bits  12,5mV;->11 bits

77. Explique como poderia alterar o princípio de funcionamento dos conversores de


analógico para digital em rampa e por aproximações sucessivas de forma a que passem a
apresentar na saída o valor mais próximo da entrada em vez de apresentarem o valor
imediatamente acima e abaixo respectivamente.

78. Qual é a razão máxima entre os valores das resistências necessário para implementar
um conversor D/A de soma de corrente de 12 bits? Justifique.
Resultados: 2048

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Circuitos Eletrónicos - LEET Exercícios Propostos
79. Explique como funciona ADC em topologia paralela e indique quantos amplificadores
operacionais necessita um conversor deste tipo com N bits.
Resultados: 2N-1

80. Comente a seguinte afirmação: “O ADC de dupla rampa apesar de obter uma alta
precisão e elevada velocidade de conversão é demasiado dependente do valor do condensador
utilizado”.

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Circuitos Eletrónicos - LEET Exercícios Propostos

FILTROS

81. É necessário projectar um filtro passa baixo para deixar passar todos os sinais na banda
de passagem, que se estende de 0 até 4 kHz, com uma variação máxima de transmissão de 10%
(isto é, a relação entre amplitude máxima e a amplitude mínima na banda de transmissão não
deve exceder 1.1). A transmissão na banda de rejeição, que se estende desde 5 kHz até , não
pode exceder 0.1% do valor máximo de transmissão na banda de passagem. Quais são os
valores de Amax, Amin e o factor de selectividade deste filtro?
Resultados: Amax = 0.9 dB, Amin = 60 dB e FS = 1.25

82. Projecte o circuito ressonante RLC para obter pólos naturais que proporcione 0 = 104
rad/s e Q = 2. Use R = 10 k.

Resultados: C = 20 nF e L = 500 mH

83. Use a informação da figura para obter a função de transferência do filtro passa baixo de
segunda ordem com 0 = 103 rad/s, Q = 1 e ganho dc unitário. A que frequência |T| tem um
pico? Qual é o pico de transmissão?

106
Resultados: T s   2 , max = 0.71103 rad/s e Tmax = 1.15
s  s103  106

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Circuitos Eletrónicos - LEET Exercícios Propostos

84. Projecte o filtro Amp Op – RC passa baixo de primeira ordem tendo uma frequência de
10 kHz a 3-dB, um ganho dc com amplitude igual a 10 e resistência de entrada igual a 10 k.

Resultados: R1 = 10 k, R2 = 100 k e C = 159 pF

85. Projecte o circuito da figura para implementar um filtro passa banda com a frequência
central de 1 kHz e uma largura de banda a -3dB de 50 Hz. Use condensadores de 10 nF.
Esquematize o circuito completo e especifique os valores de todos os componentes. Qual é o
valor do ganho na frequência central?

86. Deduza a função de transferência do circuito da figura assumindo que o Amp Op é ideal.
Portanto, mostre que o circuito implementa a função do filtro passa alto. Qual é o ganho em
alta frequência do circuito? Projecte o circuito para ter a resposta mais suave na banda de
passagem com a frequência em -3dB igual a 103 rad/s. Use C1 = C2 = 10 nF. (Sugestão: Para ter
a resposta mais suave na banda de passagem escolha Q = 0.707 e 3dB = 0).

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Circuitos Eletrónicos - LEET Exercícios Propostos

87. No circuito da figura use C1 = C2 = 20 pF e projecte os restantes componentes do circuito


para implementar uma função passa banda com f0 = 10 kHz, Q = 20 e ganho unitário na
frequência central. A frequência do relógio é 400 kHz. Calcule os valores das capacidades dos
condensadores C3, C4, C5 e C6.

88. Um filtro passa baixo é especificado como tendo Amax = 1 dB e Amin = 10 dB. A
implementação deste filtro pode ser conseguida por um filtro com uma única constante de
tempo RC de 1 s e transmissão unitária em dc. Qual é o valor de p e s deste filtro? Qual é o
factor de selectividade?
Resultados: p = 0.51 rad/s, s = 3 rad/s e FS = 5.9

89. Analise o circuito RLC da figura para determinar a função de transferência Vo(s)/Vi(s)
e os respectivos pólos e zeros. (Sugestão: Comece a analisar o circuito a partir da saída e vá
simplificando até chegar à entrada.)

Vo 0.25
Resultados:  2 , p1 = - 0.63 – j0.60, p2 = - 0.63 + j0.60, z1 =  e z2 = 
Vi s  s1.25  0.75

90. Projecte o filtro passa alto com Amp Op – RC tendo uma frequência de 100 Hz a -3dB,
uma resistência de entrada igual a 100 k e um ganho unitário em alta frequência.

Resultados: R1 = 100 k, R2 = 100 k e C = 16 nF

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Circuitos Eletrónicos - LEET Exercícios Propostos
91. Use a informação da figura para encontrar a função de transferência do filtro passa alto
de segunda ordem com pólos localizados em –0.5  j0.866 e um ganho unitário em alta
frequência.

s2
Resultados: T s  
s2  s 1

92. Deduza a expressão de Vo(s)/Vi(s) para o circuito passa alto da figura.

Vo s  s2
Resultados: 
Vi s  s 2  s  1
RC LC

93. Projecte o circuito da figura para implementar a função passa baixo notch (LPN) com
f0 = 4 kHz, fn = 5 kHz, Q = 10 e ganho dc unitário. Escolha C4 = 10 nF.

94. Projecte o circuito da figura para implementar a função passa baixo notch (LPN) com
0 = 104 rad/s, Q = 10, ganho dc unitário e n = 1.2  104 rad/s. Considere C = 10 nF e r = 20
k.
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Circuitos Eletrónicos - LEET Exercícios Propostos

95. Projecte um filtro passa baixo Butterworth de quinta ordem com uma largura de banda
a 3-dB de 5 kHz e um ganho dc unitário usando uma ligação em cascata de dois circuitos Sallen-
e-Key (representado na figura (a)) e um circuito de primeira ordem (figura (b)). Use todas as
resistências com valor igual a 10 k.

Nota: Este conjunto de exercícios propostos contém, para além dos exercícios preparados por Morgado Dias,
outros preparados pelos docentes Dionísio Barros (Universidade da Madeira) , Ana Antunes, Pedro Moisés e
Páscoa Dias (da Escola Superior de Tecnologia de Setúbal)

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