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UNISANTA –Universidade Santa Cecília –Santos SP

Disciplina: Dispositivos e Circuitos eletrônicos Próf: Inácio

Exercícios 1 – Materiais Semicondutores e Junção PN


Aluno:...........................................................Turma:...........N:.................

1- Em relação à teoria clássica que trata da estrutura da matéria (átomo- prótons e elétrons)
descreva o que faz um material ser mal ou bom condutor de eletricidade.

2- Qual é a característica de um átomo ionizado?

3- Descreva as diferenças entre os materiais considerados: condutores, isolantes e


semicondutores.

4- O que se entende por rede cristalina ? E por uma ligação covalente ?

5- O que é um material semicondutor puro, ou intrínseco?

6- Por que em um material semicondutor intrínseco somente são criados pares eletron-
lacunas ?

7- O que são impurezas doadoras? E o que são impurezas aceitadoras?

8- O que é um material semicondutor impuro ou extrínseco?

9- Qual é o portador majoritário em um material tipo P ?

10- O que é um material semicondutor tipo N ?

11- Como é formado um elétron livre em um material semicondutor tipo N ?

12- Como é formada uma lacuna num material semicondutor tipo P ?

13- O que é uma junção PN ?

14- Descreva como é formada a região de depleção ou barreira de potencial em uma


junção PN ?
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Exercícios 2 – Materiais Semicondutores e Junção PN


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1- Em relação a uma junção PN descreva o que é uma barreira de potencial.

2- Em uma Junção PN onde a região da barreira de potencial é maior, isto é, ocupa maior
área, significa que o material é fortemente dopado ou fracamente dopado? Descreva por
que ?

3- Explique o que ocorre na barreira de potencial quando uma junção PN é reversamente


polarizada.

4- Explique o que ocorre na barreira de potencial quando uma junção PN é diretamente


polarizada.

5- Faça o desenho da junção PN diretamente e inversamente polarizada utilizando uma


fonte de tensão DC.

N P N P

+ - + -

Vcc Vcc

6- Descreva o que é um diodo semicondutor de junção.

7- Qual material da junção PN é o ligado o terminal do diodo nomeado de Cátodo ?

8- Faça o desenho do símbolo do diodo e escreva as setas de tensão e corrente quando o


mesmo está polarizado diretamente e polarizado reversamente.

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Exercícios 3 – O diodo semicondutor de junção


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1- Dada a equação do diodo:


V
nVT
Id = Is ( e - 1 )
onde:
Id é a corrente direta do diodo em Ampéres
Is é a corrente de saturação em Ampéres
V é a tensão aplicada nos terminais do diodo em Volts
n é o ajuste de adequação da curva (1< n ≤ 2)
VT é a tensão térmica ou termodinâmica do diodo calculada por:

KT
VT =
q

Sendo: K = Constante de Boltzmann = 1,38 . 10-23 j/K


T = Temperatura em Kelvin T = (273 + T 0C)K
q = Carga do elétron q = 1,602 . 10-19C

Calcule a tensão térmica VT e a corrente direta Id de um diodo de junção semicondutor de


silício com os seguintes valores:
Is = 1,2 pA
V= 0,4V
Temperatura ambiente de T0C = 250C
Considere n =1

2- Considere um diodo de silício em uma temperatura ambiente de T0C = 250C com a


tensão V aplicada nos seus terminais conforme mostra a tabela abaixo. Com n=1, calcule
para cada valor de tensão da tabela a corrente direta Id correspondente e construa um
gráfico Id x V das características direta do diodo. Obs:Is = 1,0 pA

V (volts) 0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8

Id (mA)

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Exercícios 4 – Aplicações do diodo semicondutor de junção


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1- Dado o circuito mostrado na figura abaixo:

a) Calcule a tensão média contínua Vdc na carga RL.


b) A tensão de pico retificada Vpr.
c) A corrente direta Id no diodo D1
d) A tensão Reversa máxima VRm nos terminais do diodo.
e) Esboce a forma de onda da tensão (VRL) na carga RL.
D1

Vent 15Vca RL
60Hz 60Hz 4,7KΩ

2- Dado o circuito do retificador de ½ onda com Capacitor de Filtro mostrado na figura


abaixo:
a) Calcule a tensão média contínua Vdc na carga RL.
b) A tensão de pico retificada Vpr
c) A tensão de pico à pico da Ondulação Vpp.
d) Corrente direta Id no diodo D1
e) Sabendo que δ = Fator de ripple, onde: δ = Vrms da ondulação
determine o valor de δ. Vdc Tensão média contínua

D1

Vent 45Vca C RL
60Hz 60Hz 23KΩ
100uF

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Exercícios 5 – Aplicações do diodo semicondutor de junção
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1- Dado o circuito mostrado na figura abaixo:


a) Calcule a Tensão média contínua Vdc na carga RL.
b) A tensão de pico retificada Vpr.
c) A corrente direta Id nos diodos.
d) A tensão Reversa máxima Vrm nos terminais dos diodos.
e) Esboce a forma de onda da tensão (VRL) na carga RL.

D1 D2
Vent 16V
60Hz 60Hz

D3 D4 RL
23KΩ

2- Dado o circuito do retificador de ½ onda com Capacitor de Filtro mostrado na figura


abaixo:
a) Calcule a tensão média contínua Vdc na carga RL.
b) A tensão de pico retificada Vpr
c) A tensão de pico à pico da Ondulação Vpp.
d) Corrente direta Id nos diodos.
e) Sabendo que δ = Fator de ripple, onde: δ = Vrms da ondulação
determine o valor de δ. Vdc Tensão média contínua

D1 D2
Vent 24V
60Hz 60Hz

D3 D4 C RL
100 uF 12 KΩ

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Exercícios 5 – Capacitor em regime DC
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1- No circuito abaixo, a chave K é fechada K


rapidamente alimentando o circuito com 18 Volts
conforme é mostrado na figura abaixo: RL
a) Calcule o valor da intensidade máxima da 2,3KΩ
corrente Imax no instante do fechamento.
b) A equação da corrente em função do tempo.
c) A intensidade da corrente no instante t= 0,10s E
a partir do fechamento da chave K. 18V C
d) A constante de tempo do circuito RC. 38 uF
e) A carga do capacitor no instante t= 0,16 s a
partir do fechamento da chave K.
f) A tensão nos terminais do capacitor no
instante t= 0,16 s a partir do fechamento da
chave K.
2- No circuito da figura abaixo a chave S seleciona as ligações entre o ponto 3 e ponto 1
fechando K1 ou seleciona a ligação entre o ponto 3 e 2 fechando K2 :
1,4 KΩ S
K1 3

K2 C
1500 uF
E
24V 1KΩ

a) Determine a constante de tempo do circuito RC.


b) Calcule o valor da tensão nos terminais do capacitor no instante 2s após o
fechamento da chave K1.
c) Considere que a chave K1 foi fechada durante um tempo equivalente 5 vezes a
constante de tempo, ficando o capacitor completamente carregado, e logo após foi
fechada a chave K2. Calcule o valor da tensão nos terminais do capacitor no instante
decorrido de 2 segundos após o fechamento da chave K2.
d) Na condição exposta no item anterior, calcule o valor da tensão nos terminais do
capacitor no instante decorrido de 4 segundos após o fechamento da chave K2.