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Curso Tema
Número
23 de octubre del 30 de octubre
2014 del 2014
7
Grupo Profesor
Transistor C828:
Codigo Descripcion Caso Diag. Maxima Colector Colector Colector Disipaciion Frecuencia
de y Estilo N° corriente en el a emisor a Base a Base Hfe máxima (M Hz) ft
transistor aplicacion colector(Amp) (volts) (volts) (volts) β del
Ic BVceo BVcbo BVebo colector
(watts)
C828 NPN-Si TO92 0.4 70 70 4 120min 0.625 200
PROCEDIMIENTO:
a) Medir las corrientes que circulan por el colector (Ic) y la base (Ib).
Obtener el β (P1 = 0 Ω).
b) Medir los voltajes entre colector – emisor (Vce), entre base – emisor
(Vbe), y entre emisor – tierra (Ve).
c) Colocar los datos obtenidos en la Tabla 2
Tabla 2
Valores Ic (mA.) Ib (μA.) β Vce(v.) Vbe(v.) Ve(v.)
(R1= 56
KΩ)
Teoricos 7.636 64 120 2.684 0.7 1.694
Datos:
R1= 56 KΩ
R2= 22 KΩ
Re= 0.22 k Ω
Rc= 1 KΩ
VBE= 0.7 v (Por ser silicio) +12v
P1= 0 KΩ
β = 120
Formulas a usar:
Vcc (R2 )
V=R1 + R2 + P1
R2 ( R1 + P1 ))
Rb= R1 + R2 + P1
V−Vbe
Ib=Rb+(β+1)Re
Ve=Ie.Re
Ic=Ib. β
Ie=Ic+Ib
Resolviendo:
(22).(12)
V= 56 + 22 = 3.385 v
(22)(56)
Rb= 56 + 22 = 15.795 kΩ
3.385−(0.7)
Ib=15.795+(50)0.22=0.064mA
Ic=120(0.100)=7.636mA
Ie=7.69998mA
Vce=-(7.636)(1+0.22)+12=2.684v
Ve=(0.22)(7.69998)=1.694 v
d) Cambiar R1 a 68K Ω, repetir los pasos (a) y (b), anotar los datos
obtenidos en la Tabla 3 (por ajuste de P1).
Tabla 3
Valores Ic (mA.) Ib (μA.) β Vce(v.) Vbe(v.) Ve(v.)
(R1= 56
KΩ)
Teoricos 6.684 56 120 3.846 0.7 2.408
Resolviendo:
(22).(12)
V= 68 + 22 = 2.933 v
(22)(56)
Rb= 68 + 22 = 13.689 kΩ
2.933−(0.7)
Ib=13.689+(120)0.22=0.056mA
Ic=120(0.090)=6.684mA
Ie=10.943mA
Vce=-(6.684)(1+0.22)+12=3.846
Ve=(0.22)(10.943)=2.408 v
e) Aumentar la resistencia de P1 a 100K Ω, 250K Ω, 500K Ω y 1M Ω.
Observar lo que sucede con las corrientes Ic e Ib y con el voltaje Vce
(Usar Re=0). Llenar la Tabla 5.
- Para P1=100KΩ:
(22).(12)
V=56 + 22+100= 1.483 v
(22)(56+100)
Rb= 56 + 22+100 = 19.281 kΩ
1.483−(0.7)
Ib= =-0.041mA
19.281
Ic=120(0.061)=4.873mA
Ie=4.914mA
Vce=-(4.873)(1+0.22)+12=6.055
- Para P1=250KΩ:
(22).(12)
V=56 + 22+250= 0.805v
(22)(56+250)
Rb= = 20.524 kΩ
56 + 22+250
0.805−(0.7)
Ib= =5.116 µA
20.524
Ic=50(0.025)=0.614mA
Ie=0.614mA
Vce=-(0.614)(1+0.22)+12=11.251v
- Para P1=500KΩ:
(22).(12)
V=56 + 22+500= 0.457v
(22)(56+500)
Rb= 56 + 22+500 = 21.163 kΩ
0.457−(0.7)
Ib= =- 0.011 mA
21.163
Ic=120(-0.011)=- 1.378mA
Ie=-1.389mA
Vce=-(-1.378)(1+0.22)+12=13.681v
- Para P1=1000KΩ:
(22).(12)
V=56 + 22+1000= 0.245v
(22)(56+1000)
Rb= 56 + 22+1000 = 21.551kΩ
0.245−(0.7)
Ib= =- -0.021mA
21.551
Ic=120(-0.021)=- 2.534mA
Ie=-2.555mA
Vce=-(-2.534)(1+0.22)-12=15.091v