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JFETS
ELECTRONICA DE POTENCIA
NOMBRE:
YEORGETTE SANCHEZ TREJO
TSUA19
MATRICULA:
4881
PROFESOR:
RICARDO LANDIN MARTINEZ
FECHA:
02 DE JULIO DE 2018
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RESUMEN
Se llevarán a cabo las practicas mediante circuitos implementados con JFET para familiarizar el
funcionamiento y conocer algunas aplicaciones y señales que se obtienen del mismo con ayuda
corriente que circula en la entrada es generalmente despreciable. La corriente que tiene el JFET
MARCO TEORICO
El transistor de efecto de campo (FET) es un dispositivo de tres terminales que se utiliza para
aplicaciones diversas que se asemejan en una gran proporción a los del BJT.
La diferencia básica entre los 2 tipos de transistores es el hecho de que el transistor BJT es un
dispositivo controlado por corriente, mientras que el transistor FET es un dispositivo controlado
La corriente Ic está en función directa del nivel de IB. Para el FET la corriente ID está en función
De la misma manera que existen transistores bipolares npn y pnp, hay transistores de efecto de
campo de canal-n y capal-p. sin embargo el transistor BJT es un dispositivo bipolar; el prefijo bi
indica que el nivel de conducción es una función de 2 portadores de carga, los electrones y los
huecos.(Continental, 1985)
El término “efecto de campo” se debe a que para el FET un campo eléctrico se establece
mediante las cargas presentes que controlaran la trayectoria de conducción del circuito de salida,
sin la necesidad de un contacto directo entre las cantidades controladoras (VGS) y controladas
JFET canal-n. Es un dispositivo de 3 terminales, con una terminal capaz de controlar la corriente
(G) de las otras 3 terminales (D y S). La mayor parte de la estructura es de material tipo n que
forma el canal entre las capas interiores del material tipo p. (E.I ,1985)
La parte superior (Drenaje) e inferior (Source) del canal tipo n se encuentra conectada por medio
también a una terminal de compuerta (Gate). Por tanto, el drenaje y la fuente se hallan
conectadas a los extremos del canal tipo n y la entrada a las 2 capas de material tipo p.
Cuando no hay aplicación de voltaje en las terminales el JFET tiene 2 uniones p-n bajo
condiciones sin polarización. El resultado es una región de agotamiento en cada unión la cual se
El voltaje de la compuerta VGS es el voltaje que controla al JFET. Así como se establecieron
varias curvas para IC en función de VCE para diferentes niveles de IB para el transistor BJT, se
pueden desarrollar curvas de ID en función de VDS para varios niveles de VGS para el JFET.
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Para el dispositivo de canal-n el voltaje de control VGS se hace más y más negativo a partir de
su nivel VGS=0
similares a las que se obtuvieron con VGS=0, pero a niveles menores de VDS.
Símbolo
Objetivo:
Que el estudiante se familiarice con el funcionamiento del JFET, así como conocer algunas de
las aplicaciones y las señales que se obtienen de este, con ayuda del osciloscopio.
Materiales:
Multímetro
JFET K373
Protoboard
Switch
Fuente de CA
Desarrollo:
Conectar la puerta y el surtidor del JFET a masa (0V) y el drenador, en serie con un
Polarizar la puerta del JFET con una tensión negativa VGS usando el otro canal de la
puerta hasta que la lectura del amperímetro en el drenador sea prácticamente nula. Leer
funciones.
Con la fuente calibrada a 10 V medir las tensiones de VG,VS y VD. Aplicando la ley de
obtener un voltaje que reduzca a la mitad el voltaje de salida del paso anterior, y anotar el
osciloscopio.
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DESARROLLO EXPERIMENTAL
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INTERRUPTOR ANALOGO
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JUSTIFICACION
La Electrónica es la ciencia que estudia el control del flujo de electrones en circuitos que van a
desempeñar muchas funciones por medio de componentes como diodos, transistores, resistores,
circuitos. Los JFETS pueden ser empleados en los circuitos en una disposición similar a la de los
bipolares, es decir, en fuente común, aunque la primera y la última son las más utilizadas en la
transistores MOS que reciben el nombre de VMOS a causa de la estructura geométrica de sus
RESULTADOS
INTERRUPTOR ANALOGO
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CONCLUSIONES
Los circuitos realizados con el JFET que es controlado por el voltaje y no por la corriente, donde
el IDS se efectúa por medio de la aplicación del voltaje inverso aplicado entre la compuerta y el
VGS, forma un campo eléctrico que limita el paso de la corriente a tras vez del drenador y sours.
Cuando aumenta el voltaje inverso, aumenta el campo eléctrico y la corriente del souse al
drenador disminuye. El jFET es un dispositivo activo que funciona como una fuente de corriente
Schockley, en la cual al corriente IDSS, permite establecer el rango del voltaje VGS y delimita el
corte del transistor. Se pudo comprobar que la corriente de drain que depende del voltaje gate y
REFERENCIAS
Microelectrónica Circuitos Y Dispositivos. Horenstein Mark N. 2a. Ed. Prentice Hall, 1997.
Continental, 1985. Analog Mos Integrated Circuits, Gray, Hodges, Brodersen, Ieee Press,
1980. Analog Integrated Circuits For Signal Processing, Gregorian Y Temes, John Wiley &
Sons, 1991.
http://www.viasatelital.com/proyectos_electronicos/jfet_aplicaciones.htm
https://joelbg1114.wordpress.com/2015/05/22/practica-11-imple