CARACTERIZACIÓN DEL TRANSISTOR

BIPOLAR DE JUNTURA
Argoti Calderón Nelson Daniel
nelson.argoti@epn.edu.ec
Ingeniería Eléctrica y Electrónica, Escuela Politécnica Nacional
Quito, Ecuador

Abstract— This paper contains the trigger characteristics of
the MOSFETs and TBJ, where the characteristics of each of the
parts of these elements are shown, as well as the TBJ's switching
characteristics in power circuits. The design of a control circuit
for the activation of a power TBJ was also carried out.
Keywords— transistor, conmutaciones, activación, emisor,
base, colector.
BJT en estado de conducción, se determina I1 de la ecuación
9-2. 3. Se calcula R1 de la ecuación 9-3, suponiendo que VBB
vale unos 8 Volt. Un valor pequeño de VBB disminuye las
pérdidas (del orden de VBB.I1) en el circuito de base pero,
un valor excesivamente pequeño de VBB aumenta la
influencia de VBEon en el circuito de base (ecuación 9-3).[1]

I. INTRODUCCIÓN B. Consultar acerca de los Gate drivers comerciales para

el disparo de los TBJs.
En este documento, vamos a encontrar la explicación del
trabajo de cada una de las áreas o componentes de un transistor
de juntura bipolar analizando las condiciones y Dentro de un área comercial, podemos nombrar los siguientes
requerimientos básicos para que este se dispare, se ha Gte Drivers:
diseñado un circuito de control para comprobar el disparo de
este TBJ.
II. TRABAJO PREPARATORIO
A. Consultar las condiciones para el disparo de TBJs en
aplicaciones de electrónica de potencia, incluir el
dimensionmiento de las resitencia en la base y el disparo
mediante el uso de un opto-transistor.

Características:

Fig. 1 Circuito de Control con BJT. (b) Formas de Onda de

Tensión y Corriente durante el Corte

El dispositivo UCC27511A es un controlador de compuerta

1. Se parte de una velocidad de corte deseada, a partir de la
cual se estima el valor de la corriente negativa que debe
circular por la base durante el tiempo de almacenamiento
(corte del BJT de potencia, ecuación 9-1). 2. Conocido el
valor de la corriente de base y de tensión base-emisor con el
compacto que ofrece una sustitución superior de las
soluciones de controlador discreto NPN y PNP (circuito de
protección). El controlador de puerta de alta velocidad
UCC27511 de un solo lado y de baja velocidad, clasificado
para MOSFET, IGBT y dispositivos emergentes de potencia
de banda ancha como GaN. El dispositivo presenta tiempos
de subida, caídas y retrasos de propagación rápidos, por lo
que el dispositivo UCC27511A es adecuado para
aplicaciones de alta velocidad. Su fuente pico asimétrica 4-A
y 8-A[2] TH=100 us =0.639(R1+aP) *C1 Donde aP=0
TL=900 us =0.639(R1+bP) *C1
C. Realizar el diagrama de flujo e implementar el control
δ =0.9
necesario. El control debe permitir cambiar la frecuencia
a=100 us
a valores aproximados de 1[KHZ] y 10[KHZ], además
debe de poder variar la relación de trabajo entre 0,1 < δ
TH=900 us =0.639(R1+aP) *C1 Donde bP=0
< 0,9.
TL=100 us =0.639(R1+bP) *C1

Entonces:
R1=R2

F=1.44/(2∗𝑅+𝑃)∗𝐶1

Se asume el valor de C1= 68nF

10KHz=1.44/((2∗𝑅+𝑃)∗68𝑛)
Si el Potenciómetro es

P=10kΩ

R=588Ω
R=568Ω

Diagrama de Flujo:

Si f=1kHz

Asumimos un valor para el C2= 0.1uf

TH=0.639(R1+aP) *C1
TL=0.639(R1+bP) *C1

δ=0.1
a=100 us

TH=100 us =0.639(R1+aP) *C1 Entonces aP=0

TL=900 us =0.639(R1+bP) *C1

δ =0.9
a=100 us D. Diseñar y simular el circuito de la Figura2 si la fuente a
usarse es de aproximadamente 40 V y la resistencia de
TH=900 us =0.639(R1+aP) *C1 Donde bP=0 carga es un foco de 120V/100W
TL=100 us =0.639(R1+bP) *C1

Igualamos:
R1=R2

Se asume el valor de C1= 0.1 uF

1KHz=1.44/((2∗𝑅1+𝑃)∗0.1𝑢)
Si el Potenciómetro es P=10kΩ
R1=2.2kΩ
Si f=10kHz

Asumo un valor para C2= 68uF

δ =0.1
a=100 us
 [2] «UCC27511A Single-Channel High-Speed Low-Side Gate Driver
With 4-A Peak Source and 8-A Peak Sink | TI.com». [En línea].
Disponible en: http://www.ti.com/product/ucc27511a. [Accedido: 18-
may-2018].

Cálculos para la resistencia 1:

Tomo datos del datasheet:

𝐼𝑧𝑚á𝑥=60 [𝑚𝐴]
𝑅1=𝑉𝑐𝑐/𝐼𝑧𝑚á𝑥
𝑅1=12/(60∗10^-3)
𝑅1=200 [Ω]
Elijo una resistencia comercial 𝑹𝟏=𝟐𝟐𝟎 [𝛀]

Realizo los cálculos en RL:

Transistor a utilizar TIP122 como TBJ de potencia

Vce=2 [v] y B=1000

𝑃𝑓𝑜𝑐𝑜=100 [𝑊]=(𝑉𝐷𝐶−𝑉𝐶𝐸)∗𝐼𝑐

𝐼𝑐=100 𝑊/(40−2) 𝑉
𝐼𝑐=2.63 [𝐴]

𝑅𝐿=(𝑉𝐷𝐶−𝑉𝐶𝐸)/𝐼𝑐
𝑅𝐿=40−22.63
𝑅𝐿=14.5 [Ω]
Elijo una resistencia comercial 𝑹𝑳=𝟏𝟓 [𝛀]

Cálculos para R2 y R3:

𝐼𝑏=10∗(𝐼𝑐/𝛽)=10∗(2.63 [𝐴]/1000)=26.3 [𝑚𝐴]

𝐼𝑚á𝑥=30 [𝑚𝐴]
𝐼𝑚á𝑥=𝐼2+𝐼𝑏→𝐼2=30−26.3=3.7 [𝑚𝐴]
𝑉𝑐𝑐=𝑅2∗𝐼2+𝐼𝑏∗𝑅3

Asumiendo un valor para R2=1 [kΩ]:

𝑅3=(𝑉𝑐𝑐−𝑅2∗𝐼2)/𝐼𝑏
𝑅3=(12−(1∗103)∗(3.7∗10−3 )/(26.3∗10−3)

𝑅3=315.6 [Ω]
Elijo una resistencia comercial 𝑹𝟑=𝟑𝟑𝟎 [𝛀]

Gráficas ANEXO 1

REFERENCIAS
[1] «Primeros pasos con arduino», Arduino. [En línea]. Disponible en:
http://arduino.cl/primeros-pasos-con-arduino/.
ANEXO 1