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Tipo Semiconductor
Símbolo electrónico
El transistor de unión bipolar (del inglés bipolar junction transistor, o sus siglas BJT) es
un dispositivo electrónico de estado sólido consistente en dos uniones PN muy cercanas
entre sí, que permite aumentar la corriente y disminuir el voltaje, además de controlar el
paso de la corriente a través de sus terminales. La denominación de bipolar se debe a que
la conducción tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos polaridades
(huecos positivos y electrones negativos), y son de gran utilidad en gran número de
aplicaciones; pero tienen ciertos inconvenientes, entre ellos su impedancia de entrada
bastante baja.
Los transistores bipolares son los transistores más conocidos y se usan generalmente
en electrónica analógica aunque también en algunas aplicaciones de electrónica digital,
como la tecnología TTL o BICMOS.
Un transistor de unión bipolar está formado por dos Uniones PN en un solo cristal
semiconductor, separados por una región muy estrecha. De esta manera quedan formadas
tres regiones:
Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada,
comportándose como un metal. Su nombre se debe a que esta terminal funciona
como emisor de portadores de carga.
Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector.
Colector, de extensión mucho mayor.
La técnica de fabricación más común es la deposición epitaxial. En su funcionamiento
normal, la unión base-emisor está polarizada en directa, mientras que la base-colector en
inversa. Los portadores de carga emitidos por el emisor atraviesan la base, porque es muy
angosta, hay poca recombinación de portadores, y la mayoría pasa al colector. El
transistor posee tres estados de operación: estado de corte, estado de saturación y estado
de actividad.
Índice
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1Historia
2Estructura
3Principio de Funcionamiento
o 3.1Control de tensión, carga y corriente
o 3.2Parámetros Alfa y Beta del transistor de unión bipolar
4Tipos de Transistor de Unión Bipolar
o 4.1Transistores NPN
o 4.2Ejemplo práctico de uso de un transistor bipolar NPN
o 4.3PNP
5Regiones operativas del transistor
6Teoría y Modelos Matemáticos
o 6.1Análisis en continua
6.1.1El modelo Ebers-Moll
o 6.2Modelo en pequeña señal
6.2.1Parámetros h
7Véase también
8Referencias
9Enlaces externos
Historia[editar]
Replica del primer transistor de punto de contacto, hoy en un museo de la actual Lucent
Technologies
El transistor bipolar de contacto de punto, antecesor directo del transistor de unión, fue
inventado en diciembre de 1947 en la Bell Telephone Company por John Bardeen y Walter
Houser Brattain bajo la dirección de William Shockley, cuya primera patente solicitaron los
dos primeros nombrados, el 17 de junio de 1948,1a la cual siguieron otras patentes acerca
de aplicaciones de este dispositivo.234 El transistor bipolar de unión, inventado por
Shockley en 1948,5fue durante tres décadas el dispositivo favorito en el diseño de circuitos
discretos e integrados. Hoy en día, el uso de los BJTs ha declinado en favor de la
tecnología CMOS para el diseño de circuitos digitales integrados¡¡
Estructura[editar]
Estructura de un transistor de unión bipolar del tipo PNP.
Corte transversal simplificado de un transistor de unión bipolar NPN en el cual se aprecia como la
unión base-colector es mucho más amplia que la base-emisor.
Principio de Funcionamiento[editar]
La ganancia de corriente emisor común está representada por o por hfe. Esto es
aproximadamente la tasa de corriente continua de colector a la corriente continua de la
base en la región activa directa y es típicamente mayor a 100. Otro parámetro importante
PNP[editar]
El otro tipo de transistor de unión bipolar es el PNP con las letras "P" y "N"
refiriéndose a las cargas mayoritarias dentro de las diferentes regiones del
transistor. Pocos transistores usados hoy en día son PNP, debido a que el
NPN brinda mucho mejor desempeño en la mayoría de las circunstancias.
Los transistores PNP consisten en una capa de material
semiconductor dopado N entre dos capas de material dopado P. Los
transistores PNP son comúnmente operados con el colector a masa y el
emisor conectado al terminal positivo de la fuente de alimentación a través de
una carga eléctrica externa. Una pequeña corriente circulando desde la base
permite que una corriente mucho mayor circule desde el emisor hacia el
colector.
La flecha en el transistor PNP está en el terminal del emisor y apunta en la
dirección en la que la corriente convencional circula cuando el dispositivo está
en funcionamiento activo.
Teoría y Modelos
Matemáticos[editar]
Análisis en continua[editar]
El modelo Ebers-Moll[editar]
Las corrientes continuas en el emisor y el colector en
operación normal son determinadas por:
Dónde:
es la corriente de emisor.
es la corriente de colector.
es la ganancia de corriente
directa en configuración base común.
(de 0.98 a 0.998)
es la corriente de saturación
inversa del diodo base-emisor (en el
orden de 10−15 a 10−12 amperios)
es el voltaje
térmico (aproximadamente 26
mV a temperatura ambiente ≈ 300 K).
Dónde:
es la corriente de
colector.
es la corriente de
base.
es la corriente de
emisor.
es la ganancia
activa en emisor común
(de 20 a 500)
es la ganancia
inversa en emisor común
(de 0 a 20)
es la corriente de
saturación inversa (en el
orden de 10−15 a
10−12 amperios)
es el voltaje
térmico (aproximad
amente 26 mV a
temperatura ambiente ≈
300 K).
es la tensión base-
emisor.
es la tensión base-
colector.
Modelo en pequeña
señal[editar]
Parámetros h[editar]
Modelo de parámetro h
generalizado para un BJT
NPN.
Reemplazar x con e, b o c p
ara las topologías EC, BC y
CC respectivamente.
hix = hie - La
impedancia de
entrada del transistor
(correspondiente a la
resistencia del
emisor re).
Véase
también[editar]
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sobre Electróni
ca.
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r de unión
bipolar.
Transistor
Transistor
Uniunión (UJT)
Transistor
bipolar de puerta
aislada (IGBT)