Trabajo de: Transistores BJT

Manuel zorrilla calzado

Matricula: LR-08-10066

Profesor: RICHARD CEDEÑO

Fecha:14/06/2018
 Introducción:

En esto dos temas, abarcaremos todas las partes de un transistor BJT como
funcionamiento, estructura física, condición de material semi-conductor y punto de
operación.

El transistor juaga una papel importante desde 1951 donde la electrónica era análoga , por
su capacidad de responder aun voltaje aplicado y como respuesta da una salida en otro
terminar, en la actualidad existen varios tipos de transistores unos de ellos es el NPN y el
PNP , estos transistores tienen la capacidad de regular el voltaje de salida o de entrada ,
tan bien la zona de estrangulamiento juega un papel muy importante ya que por ella puede
lucir el transisitor como a pagado y eliminar el voltaje , el transistor cuenta tres regiones, r.
activa , r. de corte , y r. de saturación
 Índice

Tema: 1- Transistor BJT

1.1- Construcción de transistores

1.2- Operaciones de transistores
1.3- Acción amplificada de transistores
1.4- Configuración básica de transistores
1.4.1- Base común
1.4.2- Emisión común
1.4.3- Colectores común

Tema 2- Polarización de DC del BJT

1.1- Punto de operación

1.2- Circuitos de polarización
1.3- Polarización fija
1.4- Polarización estabilización del emisor
1.5- Polarización mediante divisor de voltaje y retroalimentación de voltaje
de colectores
1 - El transistor de unión bipolar (bipolar sus siglas BJT)

Es un dispositivo electrónico de solido consistente en dos uniones PN muy cercanas entre sí, que
permite aumentar la corriente y disminuir el voltaje, además de controlar el paso de la corriente a
través de sus terminales. La denominación de bipolar se debe a que la conducción tiene lugar
gracias al desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos positivos y electrones
negativos), y son de gran utilidad
en gran número de aplicaciones; pero tienen ciertos inconvenientes, entre ellos su impedancia
de entrada, bastante baja.
Los transistores bipolares son los transistores más conocidos y se usan generalmente en
electrónica análoga, aunque también en algunas aplicaciones de electrónica digital como la
TTLBICMOS.
Un transistor de unión bipolar está formado por dos uniones en un solo cristal semiconductor,
separados por una región muy estrecha. De esta manera quedan formadas tres regiones:

Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopado, comportándose como
un metal. Su nombre se debe a que esta terminal funciona como emisor de portadores de carga.

Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector.

Colector, de extensión mucho mayor. La técnica de fabricación más común es la deposición

expitanxial. En su funcionamiento normal, la unión base-emisor está polarizada en directa,
mientras que la base-colector en inversa. Los portadores de carga emitidos por el emisor
atraviesan la base, porque es muy angosta, hay poca recombinación de portadores, y la mayoría
pasa al colector. El transistor posee tres estados de operación: estado de corte, estado de
saturación

Describiremos la fabricación del BJT planar para circuitos monolíticos mediante los procesos
tratados. Para seguir la secuencia de fabricación nos concentraremos en la construcción de dos
transistores npn en la fuente de corriente. También analizaremos la fabricación de resistencias.

1.1 Construcción de un transitar BJT

Fabricación de Transistores Una vez preparada la oblea, el sustrato tipo p, se crece una capa epitaxial tipo n, tal
como se ve en la Figura 1. Esta capa forma las regiones de colector de los transistores. Seguidamente se deposita
una capa de oxido para cubrir la superficie. Ahora deben aislarse entre sí las regiones de ambos transistores. Para
ello se forman tres ventanas en el SiO2 mediante fotolitografía y corrosión. Se difunde una región pen la capa
epitaxial expuesta hasta que alcance el sustrato. Este proceso.
Aislamiento eléctrico se consigue conectando el sustrato a la tensión más negativa del circuito.
Con esto se garantiza que la unión pn entre los colectores y el sustrato permanezca con
dolarización inversa. Una vez completada la difusión de aislamiento se recubre nuevamente la
oblea con una capa de SiO2. Con una nueva mascara se forman las ventanas en las que se
difunden las bases de tipo p como se ve en la figura 3.1(d), quedando definidas las regiones de
las bases en la vista de la figura 3.1(e). Se recrece una capa de SiO2 para cubrir la oblea después
de la difusión de la base. Con una tercera mascara y un proceso de corrosión se elimina el SiO2
como preparación para la difusión superficial de emisor figura 3.1(f). Obsérvese que también se
difunde una región n+ en la región de colector de cada transistor. Aquí se hace el contacto en el
aluminio del colector, y la zona n+ contribuye a formar un buen contacto óhmico. Después de la
difusión de colector se crece otra capa de SiO2 sobre la superficie de la oblea. El último paso del
proceso es la mentalización. La capa de oxido se graba con una cuarta mascara para descubrir la
oblea allá donde se deseen los contactos. Para recubrir toda la superficie se vaporiza aluminio,
cuyos sobrantes se eliminan químicamente con una 6a mascara dejando los contactos y las
conexiones deseadas. En la sección transversal de y en (h) puede verse el resultado de esta
secuencia. La figura 3.1(g) es idéntica a la figura 3.1(a) para Q1 y Q2. Las dimensiones
señaladas en la figura 3.1 son las típicas empleadas en la fabricación comercial de BJT de
pequeña geometría. Al construirse ambos transistores simultáneamente y físicamente próximos,
sus características eléctricas son prácticamente idénticas. Para fabricar transistores con
propiedades eléctricas distintas, normalmente se modifica la geometría del dispositivo. En
particular para obtener BJT de mayor corriente por aumento de IES, se aumenta la superficie del
emisor, con lo que todo el dispositivo queda aumentado. Empíricamente se acostumbra a limitar
a 10:1 la relación entre las superficies de emisor de transistores muy próximos entre sí, y ello
debido a las limitaciones del proceso de difusión. En la fabricación de circuitos integrados
comerciales corrientemente se emplea la implantación de iones en las zonas de emisor y de base.
Estas regiones son muy tenues y puede regularse mejor su espesor mediante la implantación.
Además, como la implantación se realiza a menor temperatura que la difusión se minimiza el
inconveniente de la difusión lateral de base y emisor.
TIPOS DE TRANSITORES.

• Transistor de contacto puntual.

• Transistor de unión bipolar.
• Transistor de efecto de campo.
• Fototransistor.
• Material semiconductor.
• Emisor común.
• Base común.
• Colector común.
 FORMA FISICA Y NUMERO DE IDENTIFICACION

1.2 Operación de un transistor.

El transistor consta de tres partes dopadas artificialmente (contaminadas con materiales
específicos en cantidades específicas) que forman dos uniones bipolares: el emisor que emite
portadores, el colector que los recibe o recolecta y la tercera, que está intercalada entre las dos
primeras, modula el paso de dichos portadores 9 (base) A, diferencia de las válvulas el transistor
es un dispositivo controlado por corriente y del que se obtiene.
el emisor, pero el transistor solo gradúa la corriente que circula a través de sí mismo, si desde
una fuente de corriente continua se alimenta la base para que circule la carga por el colector,
según el tipo de circuito que se utilice. El factor de amplificación o ganancia logrado entre
corriente de colector y corriente de base, se denomina Beta del transistor. Otros parámetros a
tener en cuenta y que son particulares de cada tipo de transistor son: Tensiones de ruptura de
Colector Emisor, de Base Emisor, de Colector Base, Potencia Máxima, disipación de calor,
frecuencia de trabajo, y varias tablas donde se grafican los distintos parámetros tales como
corriente de base, tensión Colector Emisor, tensión Base Emisor, corriente de Emisor, etc. Los
tres tipos de esquemas(configuraciones) básicos para utilización analógica de los transistores son
emisor común, colector común y base común.
Modelos posteriores al transistor descrito, el transistor bipolar (transistores FET, MOSFET,
JFET, CMOS, VMOS, etc.) no utiliza la corriente que se inyecta en el terminal de base para
modular la corriente de emisor o colector, sino la tensión presente en el terminal de puerta y
gradúa la conductancia del canal entre los terminales de Fuente y Drenaje. Cuando la
conductancia es nula y el canal se encuentra estrangulado, por efecto de la tensión aplicada entre
Compuerta y Fuente, es el campo eléctrico presente en el canal el responsable de impulsar los
electrones desde la fuente al drenaje. De este modo, la corriente de salida en la carga conectada
al Drenaje (D) será función amplificada de la tensión presente entre la compuerta y la fuente, de
manera análoga al funcionamiento del triodo.
Los transistores de efecto de campo son los que han permitido la integración a gran escala
disponible hoy en día; para tener una idea aproximada pueden fabricarse varios cientos de miles
de transistores interconectados, por centímetro cuadrado y en varias capas superpuestas.

1.3 Acción amplificador de transistores

El comportamiento del transistor se puede ver como dos diodos (modelo de Ebers-moll) uno
entre base y emisor, polarizado en directo y otro diodo entre base y colector, polarizado en
inverso. Esto quiere decir que entre base y emisor tendremos una tensión igual a la tensión
directa de un diodo, es decir 0,6 a 0,8 v para un transistor de silicio y unos 0,4 para el germanio.
Lo interesante del dispositivo es que en el colector tendremos una corriente proporcional a la
corriente de base: IC = β IB, es decir, ganancia de corriente cuando. Para transistores normales de
señal, β varía entre 100 y 300. Existen tres configuraciones para el amplificador transistorizado:
emisor común,
La señal se aplica al emisor del transistor y se extrae por el colector. La base se conecta a las
masas tanto de la señal de entrada como a la de salida. En esta configuración se tiene ganancia
solo de tensión. La impedancia de entrada es baja y la ganancia de corriente algo menor que uno,
debido a que parte de la corriente de emisor sale todos los transistores BJT, NPN, PNP pueden
polarizarse de manera que quede una terminal común en su circuito de polarización; es decir, un
elemento que forma parte tanto de lazo de entrada como del lazo de salida. Este puede ser
cualquiera de las tres terminales del dispositivo (Emisor, Base, Colector). Así entonces se tiene
tres configuraciones.
Emisor Común Base Común y Colector Común son las tres configuraciones básicas del
transistor y están presentes en las estructuras de los amplificadores.

1.4 CONFIGURACIÓN DE TRANSISTORES BJT COMO AMPLIFICADOR DE

SEÑALES

Un amplificador es un dispositivo que eleva o aumenta la magnitud de una señal de entrada sin
modificar su forma de onda.

el amplificador En las señales son medidas con respecto a un punto común y como el transistor
es un dispositivo de tres terminales, su uso en los amplificadores requiere que uno de sus
terminales sea común a los otros dos.
Dependiendo del terminal que se tome común a los otros dos, se tendrá una configuración
específica del transistor para su uso como amplificador.
Estas configuraciones son:

1.4.1 -Configuración Base Común.

1.4.2 -Configuración Emisor Común.
1.4.3 -Configuración Colector Común.
 se muestra el conjunto de características de salida para el amplificador de base común,
relacionara a la corriente de salida (IC) con el voltaje de salida (VCB) para varios niveles de
corriente de entrada (IE).

El conjunto de características de salida tiene tres regiones operativas del transistor bipolar, como
se indica en la figura
La región activa (Active región), la región de corte la región de saturación.
Regiones operativas del transistor:
Región de corte: Un transistor está en corte cuando corriente de colector = corriente de emisor =
0A, (Ic=Ie=0A) en este caso el voltaje entre el colector y el emisor del transistor es el voltaje de
alimentación del circuito.
Este caso normalmente se presenta cuando la corriente de base = 0A (Ib=0A).
región de Saturación: Un transistor está saturado cuando la corriente de colector = corriente de
emisor = corriente máxima, (Ic=Ie= I Máxima) en este caso la magnitud de la corriente depende
del voltaje de alimentación del circuito y de los resistores conectados en el colector o en el
emisor o en ambos. Este caso normalmente se presenta cuando la corriente de base es lo
suficientemente grande como para inducir una corriente de colector β veces más grande.
(Recordar que Ic/Ib= β).
En este caso el voltaje entre el colector y el emisor del transistor es 0V.
región activa: Cuando un transistor no está ni en su región de saturación ni en la región de corte
entonces está en una región intermedia, la región activa. En esta región la corriente de colector
(Ic) depende principalmente de la corriente de base (Ib), de β (ganancia de corriente de un
amplificador, es un dato del fabricante) y de las resistencias que hayan conectadas en el colector
y emisor). Esta región es la más importante si lo que se desea es utilizar el transistor como un
amplificador.
APLICACIONES:
Debido a que cuenta con una baja resistencia de entrada este amplificador es el
tipo más apropiado para ciertas aplicaciones de alta frecuencia en donde las fuentes tienden a
presentar muy bajas resistencias de salida.

CONFIGURACIONES DE TRANSISTORES BJT Todos los transistores BJT, NPN, PNP

pueden polarizarse de manera que quede una terminal común en su circuito de polarización;
es decir, un elemento…

GRABADOR PICKIT 2 CLONE Bueno amigos en esta oportunidad vamos a

construir nuestro propio grabador de microcontroladores, el pickit2 clone, les estaré
mostrando paso.

ANTENAS Y LÍNEAS DE TRANSMISIÓN Las antenas son muy importantes

para el desempeño global del sistema y hay muchos tipos. Es c.

INTERFACE CON OPTOACOPLADOR Un optoacoplador o

acoplador óptico es un dispositivo que acopla señales de un circuito a otro por medio de luz
visible o invisible(infrarroja) pro…
 INTERRUPTOR POR SONIDO VERSIÓN 2.0 DIAGRAMA ESQUEMÁTICO
Cambios realizados: -Utilizamos el integrado LM358 el cual trae dos operacionales en su
interior, el primer operacional.

CONFIGURACIONES BASICA DE UN TRANSITOR.

EMISOR COMÚN.

La configuración de emisor común es la más usada. En él, el transistor actúa como un

amplificador de la corriente y de la tensión. Aparte de los efectos de amplificación, también
invierte la tensión de señal, es decir, si la tensión es tendente a positiva en la base pasa a ser
tendente a negativa en el colector; pero, como estos efectos se producen con la corriente alterna.

Para estudiar las propiedades de este tipo de configuración vamos a basarnos en un transistor tipo
P-N-P. Tenemos la unión base-emisor, JE, polarizada directamente y la unión emisor-colector,
JC, inversamente polarizada.

Aplicamos una tensión a la base y otra al colector y tenemos dos resistencias, RB conectada a la
base y RC conectada al colector.

El valor de la corriente de base va a depender del valor de la resistencia RB, la corriente que
circula por el colector, IC, depende de la corriente de base, IB, como hemos visto con la formula
IC = . IB; IC es mucho más grande que IB y ese aumento viene dado por , que es un
parámetro característico del transistor.

CONFIGURACIÓN BASE COMÚN:

Esta configuración es la menos usada de las tres configuraciones básicas de amplificadores,

proporciona alta ganancia de voltaje sin ganancia de corriente.
La base es común a la entrada (emisor-base) y a la salida (colector-base).

COMPORTAMIENTO:
Para describir el comportamiento, se requiere de dos conjuntos de características, uno para la
entrada y otro para la salida. En la figura 1, se muestra el conjunto de características de entrada
para el amplificador de base común, relacionando la corriente de entrada (IE) con el voltaje
entrada (VBE) para varios niveles de voltaje de salida (VCB)
Colector común.

La señal se aplica a la base del transistor y se extrae por el emisor. El colector se conecta a las
masas tanto de la señal de entrada como a la de salida. En esta configuración se tiene ganancia de
corriente, pero no de tensión que es ligeramente inferior a la unidad. La impedancia de entrada es
alta, aproximadamente β+1 veces la impedancia de carga. Además, la impedancia de salida es
baja, aproximadamente β veces menor que la de la fuente de señal.

El amplificador seguidor emisor, también llamado colector común, es muy útil pues tiene una
impedancia de entrada muy alta y una impedancia de salida baja.

Esta configuración sólo tiene ganancia de corriente, siendo la tensión de salida apenas 0,6V inferior
a la de entrada

Nota: La impedancia de entrada alta es una característica deseable en un amplificador pues, el

dispositivo o circuito que lo alimenta no tiene que entregarle mucha corriente (y así cargarlo)
cuando le pasa la señal que se desea amplificar.

2.1Punto de operación.

La polarización del bjt se realiza mediante tensión continua y consiste en preparar el transistor para
que trabaje en la región activa dentro de un circuito en el cual se le quiere utilizar se busca que a
través del colector circule una cantidad de corriente IC, y a su vez se obtenga una tensión entre el
colector y el emisor VCE para esa cantidad de corriente IC, a esto se le llama obtener el punto de
operación o punto Q del transistor. La corriente IC va depender de la corriente en la base IB que
exista en la malla de entrada, esto porque IC=β*IB, la VCE dependerá de la malla de salida del
circuito, para ver esto será de utilidad uso de las curvas características y la ecuación de recta de
carga.
Para realizar los circuitos de polarización del bjt es importante tener en cuenta siempre las
siguientes características vistas anteriormente que son IC=β*IB, IE=IC+IB pero para los cálculos
se asume que IE≈IC esto porque IB es muy pequeña en comparación con IC, y ademas que la
tensión base emisor VBE=0,7V.

Cuando se tiene un circuito ya polarizado y se quiere conocer su punto Q, se hace lo sigue, a partir
de la malla de entrada se puede calcular la corriente de la base IBQ, de la malla de salida se obtiene
la ecuación de la recta de carga, esta recta de carga se traza sobre la curva característica de salida,
donde se intercepten la recta de carga con la curva correspondiente a IBQ será el punto de
operación del bjt, para conocer el valor de la corriente de colector en el punto Q se traza a partir
del punto de intercepción una paralela al eje de VCE donde corte esta al eje IC ese será el valor de
la ICQ, para conocer el valor de la tensión colector emisor en el punto Q se traza a partir del punto
de intercepción una paralela al eje de IC donde corte esta al eje VCE ese será el valor de la VCEQ.
Si lo que se quiere es realizar un circuito de polarización del bjt, entonces será necesario conocer
cuanta debe ser la corriente de colector en el punto de operación ICQ y también cuanto debe ser
el valor de la tensión colector emisor en el punto de operación VCEQ, la forma en que se procede
en estos casos se ve mas adelante.
El punto de operación se puede ubicar en cualquier lugar de la región activa, eso va depender de
lo que se quiera que haga el transistor, normalmente cuando se está estudiando se dice de
polarizarlo en la parte media de la recta de carga, esto es así porque cuando se utiliza el transistor
como amplificador de señales analógicas se desea que la señal amplificada no se obtenga
distorsionada, cuando se comente sobre amplificaciones se verá esto.
Se verán 3 tipos de polarización del bjt los cuales son:

• Polarización fija del bjt.

• polarización estabilizada en el emisor.
• polarización por divisor de tensión.

Para ver los diferentes tipos de polarización se utilizará un bjt de canal n, se buscará obtener una
ecuación en la malla de entrada y otra en la malla de salida. Para polarizar un bjt de canal p se
procede de manera similar, teniendo en cuanta que las tensiones de polarización tendrán que
invertirse, lo cual dará como resultado que los sentidos de la IB y la IC también se invertirán.
En resumen, lo que se busca al polarizar el bjt es un nivel fijo para la corriente del colector ICQ
así como también un nivel fijo para la tensión colector emisor VCEQ, en el cual opere el transistor.
.
FET en región de corte
En esta región la intensidad entre drenador y fuente es nula (ID=0). En este caso, la tensión entre
puerta y fuente es suficientemente negativa que las zonas de inversión bloquean y estrangulan el
canal cortando la corriente entre drenador y fuente. En las hojas técnicas se denomina a esta
tensión como de estrangulamiento o pinch-off y se representa por VGS (off) o Vp. Por ejemplo,
el BF245A tiene una VGS (off) = -2V.

JFET en región lineal

En esta región, el JFET se comporta como una resistencia no lineal que es utilizada en muchas
aplicaciones donde se precise una resistencia variable controlada por tensión. El fabricante
proporciona curvas de resistencia drenador-fuente (rds(on)) para diferentes valores de VGS tal
como se muestra en la figura 1.12. En esta región el transistor JFET verifica las siguientes
relaciones:

JFET en región de saturación

En esta región, de similares características que un BJT en la región lineal, el JFET tiene unas
características lineales que son utilizadas en amplificación. Se comporta como una fuente de
intensidad controlado por la tensión VGS cuya ID es prácticamente independiente de la tensión
VDS. La ecuación que relaciona la ID con la VGS se conoce como ecuación cuadrática o
ecuación de Schockley que viene dada por
donde Vp es la tensión de estrangulamiento y la IDSS es la corriente de saturación. Esta
corriente se define como el valor de ID cuando VGS=0, y esta característica es utilizada con
frecuencia para obtener una fuente de corriente de valor constante (IDSS). La ecuación 1.22 en el
plano ID y VGS representa una parábola desplazada en Vp.

Esta relación junto a las características del JFET de la figura 1.11 permiten obtener gráficamente
el punto de trabajo Q del transistor en la región de saturación. La figura 1.13 muestra la
representación gráfica de este punto Q y la relación existente en ambas curvas las cuales
permiten determinar el punto de polarización de un transistor utilizando métodos gráficos.

JFET en región de ruptura

Una tensión alta en los terminales del JFET puede producir ruptura por avalancha a través de la
unión de puerta. Las especificaciones de los fabricantes indican la tensión de ruptura entre
drenaje y fuente con la puerta cortocircuitada con la fuente; esta tensión se designa por BVDSS y
su valor está comprendido entra 20 y 50 V.
Las tensiones de polarización nunca deben superar estos valores para evitar que el dispositivo se
deteriore. Por último, comentar las diferencias existentes entre un NJFET y PJFET. Las
ecuaciones desarrolladas anteriormente para el JFET son válidas para el PJFET considerando el
convenio de signos indicados en la tabla 1.2.
El circuito de polarización fija para un transistor bjt es como se muestra en la siguiente figura.
La polarización fija:

es la más sencilla y rápida para realizar, pero también la más inestable ante las variaciones de beta,
por tanto, también la menos usada. La polarización fija solo se usa en la configuración emisor
común, ya que en la configuración base común cortocircuita la entrada, y en la configuración
colector común cortocircuita la salida.

Las ecuaciones básicas son las siguientes:

Ecuaciones para cuando se da el valor de las resistencias y se pide hallar el valor del punto Q (IBQ,
ICQ, VCEQ). La ecuación para IBQ es la siguiente:

La ecuación para ICQ es la siguiente:

Y la ecuación de VCEQ:
2.4 Polarización estabilización del emisor.

El circuito de polarización estabilizado en emisor para un transistor bjt es como se muestra en la

siguiente figura.

La polarización estabilizado en emisor presenta una mejor estabilidad que la polarización fija, pero
no mejor que la polarización por divisor de voltaje y que la polarización por realimentación de
colector. Además, se puede usar en todas las configuraciones del transistor bjt, emisor común, base
comun y colector comun.

Las ecuaciones básicas son las siguientes:

Ecuaciones para cuando se da el valor de las resistencias, y se pide hallar el valor del punto Q
(IBQ, ICQ, VCEQ). La ecuación para hallar IBQ es la siguiente:

La ecuación para hallar ICQ es la siguiente:

Y finalmente la ecuación para VCEQ:

En el siguiente circuito hallar el valor del punto Q (IBQ, ICQ, VCEQ). El valor de hfe es 100.

2.5 ESTABILIZACIÓN DE LA POLARIZACION

La estabilidad de un sistema es una medida de la sensibilidad de un circuito hacia las variaciones

de sus parámetros. En cualquier amplificador que utiliza un transistor, la corriente del colector IC
es sensible a cada uno de los siguientes parámetros:
b: se incrementa con el aumento de temperatura.

VBE: decrece aproximadamente 7.5mV por incremento en grados Celsius en la temperatura.

ICO (corriente de saturación inversa): duplica su valor por cada 10°C de incremento en la
temperatura.

Cualquiera de estos factores puede causar que el punto de polarización cambie de punto de
operación diseñada. La tabla 1 describe la forma en que ICO y VBE cambiaron con el incremento
de la temperatura para un transistor en particular.

T(°C) ICO(nA) b VBE

-65 0.2x10-3 20 0.85

25 0.1 50 0.65

100 20 80 0.48

175 3.3x103 120 0.3

El efecto de los cambios en la corriente de fuga y la ganancia de corriente sobre el punto de

polarización en DC se demuestra por las características de colector para emisor común de las
figuras 1a y 1b. La figura 1 muestra cómo cambian las características del colector del transistor
desde una temperatura de 25°C a una de 100°C. Obsérvese que el incremento significativo en la
corriente de fuga no solamente causa que las curvas se eleven, sino que también existe un
incremento en la beta, según se observa a través del mayor espaciamiento entre las curvas.

Se puede especificar un punto de operación mediante el dibujo de la recta de carga de DC del

circuito sobre la gráfica de las características de colector, y notando la intersección de la recta de
carga y la corriente de base de DC establecida por el circuito de entrada, se marca un punto en la
figura 1a en IB =30 A. Debido a que el circuito de polarización fija
proporciona una corriente de base cuyo valor depende aproximadamente del voltaje de la fuente
de alimentación y la resistencia de la base, ninguno se ve afectado por la temperatura o el cambio
de la corriente de fuga o en la beta, pero existirá la misma magnitud de la corriente de base a altas
temperaturas, según se indica en la gráfica de la figura 1b.

Como la muestra la figura dará resultado el cambio del punto de polarización de DC a una mayor
corriente de colector y a un menor voltaje colector-emisor en el punto de operación. En el extremo,
el transistor no podría llevarse a saturación. En cualquier caso, el nuevo punto de operación puede
no ser satisfactorio y ocasionar una distorsión considerable debido al cambio del punto de
polarización.
Polarización del bjt: Estabilizado en el emisor

Este tipo de polarización se diferencia del

anterior en que en el emisor se coloca una resistencia RE, con esta resistencia se logra que el
circuito sea mas estable en comparación con el de la polarización fija.
Se asume que VCC y el β son valores que se conocen, luego dee la malla de entrada se tiene:
VCC=IB*RB+VBE+IE*RE pero IE≈IC, entonces
VCC=IB*RB+VBE+IC*RE pero IC=β*IB, luego
VCC=IB*RB+0,7+β*IB,*RE, despejando IB
IB=(VCC-0,7)/(RB+β*RE)
a β*RE se le conoce como resistencia de entrada de la base, es un valor muy importante, se usará
mucho en amplificaciones, esto lo que indica es que la base ve a la resistencia del emisor
aumentada en β veces.
De la malla de salida se tiene
VCC=IC*RC+VCE+IE*RE pero IE≈IC, entonces
VCC=IC*RC+VCE+IC*RE de aquí
VCE=VCC-IC*(RC+RE) que viene a ser la ecuación de la recta de carga para este circuito.
Es con las ecuaciones obtenidas y con la curva característica de salida con las que se pueden
resolver y diseñar este tipo de circuitos para la polarización del bjt en la región activa.
En el siguiente vídeo se diseña un circuito de polarización estabilizado en el emisor, se supone que
se necesita un circuito en el cual la ICQ y la VCEQ son conocidos, por lo que se busca cuáles son
las resistencias adecuadas a utilizar para lograr el circuito adecuado, luego los resultados se
comprueban en un circuito real.

Conclusión

Los transistores BJT, son uno de los dispositivos electrónicos mas importantes , ya que se pueden
usar en múltiples funciones electrónicas y equipos , tan bien se puede utilizar como amplificación
de potencia , la misión de ellos es aumentar la potencia sin distorsionar la señal , al principio eran
grande y emitían mucho calor y costoso los transistores están dotado de 4 terminales , un terminal
común con la base y tan bien existen de 3 terminales , lo cuales son llamados , emisor, colector y
base.
FUENTES PARA EL TRABAJO:
Libro análisis básico en circuito e ingeniería
Libro de electrónica Robert L. Boylestad
https://es.slideshare.net
https://es.wikipedia.org/wiki/Portada
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