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Informações Úteis – Disciplina Eletrônica Básica 1 – ETR1 – Prof. Antonio Luiz

1) Ementa do Curso:

O conteúdo programático será dividido em unidades, a saber:

Física dos Semicondutores I, Diodos e Aplicações do Diodo Reversamente Polarizado

Aplicações do Diodo Diretamente Polarizado, Retificação e Filtragem

Física dos Semicondutores II, Transistores Bipolares e Sua Polarização

Aplicações do Transistor: Como Chave de Controle e como Amplificador

Esse programa será desenvolvido conforme a capacidade de absorção da Turma e de acordo com a duração do Módulo, podendo, eventualmente, não ser ministrado em sua totalidade.

Ao final de cada unidade será dada uma Lista de Exercícios, que poderá ser resolvida individualmente ou por grupos de até quatro alunos.

2) Provas Escritas: Serão realizadas 2 Provas Escritas, compostas das seguintes seções:

Laboratório: Essa seção vale 2 pontos e conterá de 1 a 3 questões referentes aos experimentos de Laboratório realizados até a data da Prova. Nessa seção não há possibilidade de escolha das questões a serem resolvidas nem de seu valor.

Parte Discursiva: Essa seção vale 3 pontos e conterá 5 questões, das quais o aluno deverá responder 3, escolhidas a seu critério. O aluno também poderá escolher o valor de cada questão, desde que, simultaneamente: a soma dos valores atribuídos às três questões escolhidas seja igual a 3 pontos, nenhuma delas receba valor maior do que 2 pontos e nenhuma delas receba valor inferior a 0,5 pontos.

Parte de Cálculos e Análise: Essa seção vale 5 pontos e conterá 4 questões, das quais o aluno deverá resolver 3, escolhidas a seu critério. O aluno também poderá escolher o valor de cada questão, desde que, simultaneamente: a soma dos valores atribuídos às três questões escolhidas seja igual a 5 pontos, nenhuma delas receba valor maior do que 2 pontos e nenhuma delas receba valor inferior a 1 ponto.

Qualquer situação diferente das acima descritas, seja no que se refere ao número de

questões respondidas em cada seção da prova, seja no que se refere aos valores atribuídos às

questões, será resolvida a critério exclusivo do professor.

O conteúdo das Provas Escritas será o

mesmo coberto pelas duas últimas Listas de Exercícios realizadas anteriormente. Após cada duas Listas de Exercícios será realizada uma Prova Escrita. Assim, as divulgação do gabarito da 2ª e da 4ª Lista de Exercícios serve, respectivamente, como aviso quanto à realização da 1ª e da 2ª Prova Escrita.

3)

qualquer das 2 Provas Escritas um processo paralelo de recuperação. Esse processo será realizado através da inclusão em cada Prova (com a óbvia exceção da primeira) de questões referentes à prova anterior. As questões de recuperação paralela terão seu valor medido em porcentagem. 20% serão referentes a duas questões discursivas, 20% serão referentes a uma ou duas questões de Laboratório e os 60% restantes serão referentes a uma questão de cálculo e/ou análise. O aluno que obtiver 100% nessas questões terá o valor da nota da prova anterior alterado para 6. Para porcentagens inferiores, a nota será alterada de modo proporcional. Note- se que esse processo de Recuperação Paralela é a solução prevista para os alunos que por qualquer motivo venham a perder alguma das Provas Escritas.

Será proporcionado ao aluno que tiver nota inferior a 6,0 em

Recuperação Paralela:

dos

experimentos devem ser redigidos em conformidade com os princípios estudados em Metodologia do Trabalho Científico, devendo conter: uma breve introdução teórica a respeito do assunto (não será aceita uma mera transcrição da apostila), os requisitos de projeto, o diagrama do circuito, a memória de cálculo, os valores efetivamente utilizados, explicação sobre o procedimento experimental, resultados obtidos (descrições, gráficos e tabelas, incluindo comparações com os valores teoricamente esperados), comentários (item mais relevante), conclusões e bibliografia

4)

Orientações

Sobre

os

Relatórios

de

Experimentos

Práticos:

Os

Relatórios

1

consultada. Obviamente, nem todos esses itens serão aplicáveis a todos os experimentos. Deve ser entregue um relatório por grupo de trabalho (bancada) e o prazo para a entrega é até a realização do próximo experimento, a menos que especificado em contrário pelo professor.

5)

, onde P1 é a Nota da 1ª metade do Módulo e onde P2 é a Nota da 2ª metade do

Módulo.

fórmula

, onde PV1 é a nota da 1ª Prova Escrita, MR1 é a média das

notas dos Relatórios das experiências de Laboratório realizadas até o dia da 1ª Prova Escrita e ML1 é a média das notas das Listas de Exercícios realizadas até o dia da 1ª Prova Escrita.

A nota da Nota da 2ª metade do Módulo será obtida através da fórmula

fórmula

Critério

de

Avaliação:

A

Média

Final

do

curso

será

obtida

através

da

(P1

+

P2)

2

A nota

×

PV

1

+

3

×

MF =

da

MR

Nota

1

+

2

×

da

ML

1

metade

do

Módulo

será

obtida

através

da

5

P 1 =

10

P

2

=

5

× PV

2

+

3

×

MR

2

+

2

×

ML

2

, onde PV2 é a nota da 1ª Prova Escrita, MR2 é a média das

 

10

notas dos Relatórios das experiências de Laboratório realizadas após o dia da 1ª Prova Escrita e ML2 é a média das notas das Listas de Exercícios realizadas após o dia da 1ª Prova Escrita. Eventual arredondamento de nota será realizado apenas após o cálculo da Média Final.

Como se pode notar pelo critério exposto acima, metade da Média Final se refere a atividades individuais (Provas Escritas) e a outra metade se refere a atividades em grupo (Relatórios de Experiências de Laboratório e Listas de Exercícios).

6) Terceira Prova Escrita (PV3): Os alunos que obtiverem Média Final inferior a 6 (seis) poderão realizar, na última semana do módulo, uma terceira Prova Escrita (PV3). Essa prova abrangerá toda a matéria do Módulo e será composta de 4 questões discursivas, cada uma valendo 0,5 (meio ponto), num total de 2,0 (dois pontos); por 4 questões de cálculo e/ou análise, cada uma valendo 1,0 (um ponto), num total de 4,0 (quatro pontos); e 2 questões de Laboratório, cada uma valendo 1,0 (um ponto), num total de 2,0 (dois pontos). Não haverá nessa prova escolha de questões a serem resolvidas nem de seus valores. Após a realização da PV3, o valor definitivo

da Média Final será obtido pela fórmula:

, sendo MF o valor anterior da Média

Final e PV3 a nota obtida na Terceira Prova Escrita. Após a aplicação dessa fórmula será aplicada a regra de arredondamento prevista na Norma Curricular do Curso.

7) Apostila: O curso é baseado numa apostila, cuja aquisição é fortemente recomendada. Os originais da apostila estão disponíveis na APM. Os alunos que desejarem receber o arquivo

contendo o texto da apostila devem solicitá-lo através de e-mail para antonio.luiz@advir.com, com

A

cópia para alusfilho@uol.com.br. O aluno deverá acompanhar as aulas munido da apostila.

princípio, as únicas anotações necessárias se referem à resolução dos Exemplos Numéricos que serão propostos durante as aulas.

(

MF

+

PV

3)

MF '

=

2

8) Devolução e Guarda dos Trabalhos: Todos os trabalhos realizados ao longo do Curso (Listas de Exercícios, Relatórios e Provas Escritas) serão devolvidos aos alunos após sua correção. Essa devolução será feita durante o horário oficial de aulas e, se o aluno não estiver presente, o trabalho será entregue ao Representante da Turma ou ao seu vice. Os trabalhos deverão ser cuidadosamente guardados até o encerramento do módulo. Reclamações em relação a notas não lançadas ou lançadas com erro serão aceitas apenas mediante a apresentação do trabalho correspondente, antes da data estipulada para a entrega dos resultados finais à Secretaria da Escola.

9) Resultado Final: Após realizadas todas as atividades previstas neste documento e calculada a Média Final de acordo com o exposto nos itens 4 e 5 deste documento, não caberá qualquer recurso junto ao professor para que a Média Final seja alterada (realização de prova-extra, trabalho-extra, etc.). Isso deve estar bem claro para o aluno, a fim de que sejam evitadas situações constrangedoras para si mesmo e para o professor.

2

ELETRÔNICA – UMA BREVE INTRODUÇÃO

De uma forma bastante simplista, podemos definir a Eletrônica como o ramo da Eletricidade que se ocupa do controle da corrente elétrica nos sólidos (semicondutores) e nos gases (válvulas a gás ou a “vácuo”). Dispositivos como os LCDs (Liquid Crystal Displays) estendem essa definição também aos “líquidos”, embora a estrutura molecular dos materiais constituintes de tais dispositivos apresente características semelhantes às dos sólidos.

Os dispositivos a gás (“válvulas”), que tiveram grande utilidade no passado, têm atualmente o seu uso restrito a aplicações de alta tensão ou alta potência, razão pela qual não serão abordados nesse Curso. Faremos breve referência a eles por ocasião do estudo dos transistores por efeito de campo. Desse modo, o foco estará voltado para os dispositivos de estado sólido (semicondutores).

Cada dispositivo eletrônico pode ser representado por um ou mais modelos constituídos por uma associação de componentes elétricos ideais (resistores, capacitores, indutores, geradores independentes e geradores controlados). Um modelo para um dispositivo é obtido através de medidas ou através do conhecimento dos mecanismos físicos internos a esse dispositivo. Como o comportamento de um determinado dispositivo eletrônico está necessariamente ligado a condições bem específicas (magnitude e polaridade da tensão aplicada, temperatura, etc.), é possível que, em situações diferentes, ele tenha que ser representado por meio de modelos totalmente. O objetivo é obter o modelo mais simples capaz de descrever satisfatoriamente um dispositivo numa determinada condição.

Para ilustrar esse princípio, tomemos o exemplo do dispositivo (componente) elétrico capacitor. Numa aplicação ordinária desse dispositivo, ele poderia ser modelado simplesmente através de sua principal característica, a capacitância. Contudo, se esse mesmo dispositivo for utilizado numa aplicação em que precise armazenar energia por longos períodos de tempo, torna- se necessário, para manter uma aderência ao comportamento real, acrescentar ao modelo mais simples uma resistência paralela com valor adequado para representar as correntes de fuga do dielétrico. Se o capacitor é utilizado numa aplicação em que é descarregado através de um curto- circuito entre os seus terminais, a corrente de descarga pode apresentar um comportamento oscilatório amortecido. Esse comportamento necessita de um modelo composto por uma associação série de uma capacitância, uma resistência e uma indutância para ser adequadamente representado. A Figura 1 mostra os três modelos propostos para o componente capacitor.

C

os três modelos propostos para o componente capacitor. C C R C R L Figura 1
C R
C
R
C R L
C
R
L

Figura 1 - Três Diferentes Modelos Para um Mesmo Dispositivo

Uma vez escolhido o modelo mais conveniente para o(s) dispositivo(s) eletrônico(s) presente(s) num circuito, o mesmo “deixa de ser” um circuito eletrônico e “passa a ser” um circuito elétrico. Assim, as ferramentas de análise desse circuito são as fornecidas pela teoria de circuitos elétricos: leis de Ohm e de Kirchoff, teoremas de Thévenin e Norton, o princípio de superposição, etc. Com o uso de tais ferramentas, podem ser obtidas as informações relevantes para o circuito em questão.

3

MATERIAIS SEMICONDUTORES

Os elétrons de valência (da última camada eletrônica) dos materiais sólidos se distribuem em níveis bem definidos de energia, aos quais se dá o nome de bandas de energia. Em ordem crescente de energia, essas bandas são:

a) Banda de Valência É aquela em que os elétrons da última camada se encontram em

condições normais (ou seja, sem a aplicação de energia externa). Nesse nível de energia, os elétrons de valência estão fortemente ligados ao núcleo, não estando disponíveis para se movimentarem e constituírem, dessa forma, uma corrente elétrica.

b) Banda Proibida é um nível de transição, que não abriga elétrons de forma permanente.

Elétrons que eventualmente se encontrem nesse nível ou receberam energia e estão passando da banda de valência para a de condução ou perderam energia e fazem o percurso contrário.

c) Banda de Condução é a faixa em que se encontram os elétrons que, tendo recebido

energia de uma fonte qualquer, estão relativamente afastados do núcleo e, dessa forma, fracamente ligados a ele e passíveis de deslocamento sob a influência de um campo elétrico. Esses elétrons, chamados de elétrons livres, são os responsáveis pelo transporte de corrente elétrica, ao se movimentarem sob a ação de um campo elétrico.

Uma vez que os níveis de energia associados às partículas atômicas têm valores muito reduzidos, eles costumam ser expressos por meio de uma unidade especial, o elétron-volt (eV). Lembrando que a energia W é dada pelo produto entre a carga Q e a tensão V, chegamos à relação:

W = Q ×××× V 1 eV = 1,6 ×××× 10 -19 C ×××× 1 V 1 eV = 1,6 ×××× 10 -19 J

De acordo com a constituição das bandas de energia, os sólidos se classificam, quanto à condutividade, em três classes:

1) Isolantes possuem uma banda proibida relativamente larga (intervalos superiores a 5 eV

entre os níveis de valência e condução), de modo que é necessária a aplicação de grandes quantidades de energia para levar um elétron a “saltá-la”. Por esse motivo, tais sólidos são maus condutores de corrente elétrica.

2) Metais neles, as bandas de valência e de condução se superpõem em parte, de modo que

não possuem banda proibida. Logo, esses sólidos possuem abundância de elétrons livres à temperatura ambiente, sendo ótimos condutores de corrente elétrica. Essa é a razão pela qual os metais são também conhecidos como condutores.

3) Semicondutores são aqueles cuja banda proibida tem largura relativamente estreita

(intervalo inferior a 5 eV entre os níveis de valência e condução), permitindo a passagem de elétrons para a banda de condução com relativa facilidade, se comparados aos isolantes. Como veremos, a energia necessária para levar os elétrons a "saltar" a banda proibida pode provir da temperatura (energia térmica) ou da luz incidente (energia luminosa).

Essas três categorias de materiais podem ser representadas graficamente da forma mostrada na Figura 2, na qual se apresentam os níveis energéticos relacionados com as bandas de valência e condução. A energia na parte superior da banda de valência é simbolizada por E V e a energia na parte inferior da banda de condução é simbolizada por E C . Entre elas está o “gap”

de energia ou banda proibida, simbolizado por E G .

É óbvio que:

E G = E C – E V .

4

Nível energético E C E G > 5 eV E E V E isolante
Nível
energético
E
C
E G > 5 eV
E
E
V
E
isolante

V

C

Nível

energético

E G ≤≤≤≤ 0

metal

E

E

Nível energético C E G < 5 eV V semicondutor
Nível
energético
C
E G < 5 eV
V
semicondutor

Figura 2 - Caracterização dos Sólidos de Acordo com os Níveis Energéticos

Os semicondutores constituem a base da Eletrônica moderna. Entre os principais elementos químicos com características de semicondutores temos o germânio (Ge) e o silício

(Si).

Alguns exemplos de substâncias compostas semicondutoras são o arseneto de gálio (GaAs), o fosfeto de índio (InP) e o seleneto de zinco (ZnSe).

Sob determinadas circunstâncias o carbono (C) também se comporta como semicondutor.

Demonstra-se experimentalmente que a largura da banda proibida, no caso do silício, varia em função da temperatura de acordo com a expressão: E G (T) = 1,21 – 3,6 ×××× 10 -4 ×××× T. De modo análogo, para o germânio, obtém-se a expressão: E G (T) = 0,785 – 2,23 ×××× 10 -4 ×××× T. Em ambas as fórmulas, as temperaturas são absolutas (kelvin).

Em nosso curso, trataremos exclusivamente do silício, mais amplamente utilizado. No entanto, os princípios que estudaremos aplicam-se todos os materiais semicondutores, que possuem as seguintes características em comum:

- Seus átomos possuem quatro elétrons na última camada, isto é, são tetravalentes.

- Suas moléculas são formadas através de ligações covalentes.

- Em suas moléculas, os átomos obedecem a uma disposição sistemática e ordenada, na forma de cristais tetraédricos, chamada de rede cristalina. Por essa razão, falamos em cristais semicondutores. A Figura 3 mostra a configuração tridimensional de um cristal de silício.

a configuração tridimensional de um cristal de silício. Figura 3 - Estrutura Cristalina do Silício e

Figura 3 - Estrutura Cristalina do Silício e do Germânio

5

Representação Bidimensional de um Cristal de Silício

A Figura 4 representa, agora de forma bidimensional, a estrutura molecular de um cristal semicondutor de silício.

Si Si Si +4 +4 +4 Si Si Si +4 +4 +4 Si Si Si
Si
Si
Si
+4
+4
+4
Si
Si
Si
+4
+4
+4
Si
Si
Si
+4
+4
+4

As

convenções

adotadas na figura são:

Átomo de silício sem os elétrons da última camada.As convenções adotadas na figura são: Elétron (última camada). de valência Ligação covalente entre os átomos

Átomo de silício sem os elétrons da última camada. Elétron (última camada). de valência Ligação covalente

Elétron

(última camada).

de

valência

Ligação covalente entre os átomosadotadas na figura são: Átomo de silício sem os elétrons da última camada. Elétron (última camada).

Figura 4 – Representação Bidimensional de um Cristal de Silício

Um cristal como o representado acima, que possui "apenas" átomos de silício, é chamado de cristal semicondutor intrínseco ou puro.

Com uma estrutura "perfeita" como a acima representada, o cristal comporta-se como um isolante, uma vez que todos os elétrons participam de ligações covalentes, estando dessa forma, fortemente ligados aos respectivos núcleos e indisponíveis para o transporte de corrente elétrica. No entanto, a estrutura só tem esse aspecto a 0 K (zero absoluto de temperatura -273 °C), quando não existe agitação térmica das moléculas. Em temperaturas superiores, a agitação das moléculas (que é devida à aplicação de energia térmica) leva à ruptura de ligações covalentes, e a rede fica com configuração mostrada na Figura 5.

Si Si Si +4 +4 +4 Si Si Si +4 +4 +4 Si Si Si
Si
Si
Si
+4
+4
+4
Si
Si
Si
+4
+4
+4
Si
Si
Si
+4
+4
+4

Convenções:

Átomo de silício sem os elétrons da última camada.Convenções : Elétron (última camada). de valência Ligação covalente entre os átomos “Falta” de elétron

: Átomo de silício sem os elétrons da última camada. Elétron (última camada). de valência Ligação

Elétron

(última camada).

de

valência

Ligação covalente entre os átomos

“Falta” de elétron (lacuna)camada). de valência Ligação covalente entre os átomos Ligação covalente rompida Energia térmica ou

covalente entre os átomos “Falta” de elétron (lacuna) Ligação covalente rompida Energia térmica ou

Ligação

covalente

rompida

Energia térmica ou luminosade valência Ligação covalente entre os átomos “Falta” de elétron (lacuna) Ligação covalente rompida

Figura 5 – Cristal de Silício Numa Temperatura Absoluta Não Nula

6

Com a ruptura de ligações covalentes, temos elétrons que, não estando fortemente ligados a um núcleo, estão disponíveis para se deslocarem sob a ação de um campo elétrico - são os elétrons livres. Isso aumenta a condutividade da rede. Além disso, a ausência dos elétrons das ligações rompidas deixa na rede "buracos" que a tornam suscetível a receber elétrons que restabeleçam a integridade dessas ligações, ou seja, a rede tem facilidade de atrair elétrons externos. É da mais alta importância compreender que, por essa razão, esses "buracos" também contribuem para o aumento da condutividade da rede. Assim, podemos interpretar esses "buracos" como se fossem cargas elétricas móveis positivas, com a mesma carga, em módulo, de um elétron (uma espécie de "elétron positivo"). Esses buracos são denominados lacunas.

As lacunas e os elétrons livres são os portadores de carga elétrica em um semicondutor, já que a condução de corrente depende dessas duas partículas. Num metal, como sabemos, a condução de corrente se dá apenas através de elétrons livres, razão pela qual dizemos que os metais são unipolares (apenas um tipo de portador de carga). Os semicondutores, cuja condutividade depende de elétrons livres e lacunas, são bipolares (dois tipos de portadores de carga). Essa é a principal diferença entre metais e semicondutores no que concerne à condução da corrente elétrica.

A geração de elétrons livres e lacunas devido à agitação térmica é chamada de geração

térmica (ou termogeração) de portadores. Nesse processo, a cada elétron livre gerado corresponde, necessariamente, uma lacuna, ou seja, os portadores aparecem aos pares.

É fácil concluir que quanto maior a temperatura, maior a agitação térmica, maior o número

de ligações covalentes rompidas, maior o número de portadores gerados e maior a condutividade da rede. Logo a condutividade de um semicondutor intrínseco é diretamente proporcional à temperatura.

Com a agitação de rede, eventualmente um elétron livre pode-se encontrar com uma lacuna, restabelecendo-se uma ligação covalente e "desaparecendo" ambos os portadores. A isso chamamos de recombinação. Os fenômenos de geração e recombinação de portadores ocorrem simultaneamente, ou seja, enquanto portadores estão sendo gerados termicamente outros estão desaparecendo por recombinação. Isso impede que todas as ligações covalentes de um cristal semicondutor estejam rompidas num dado instante. A geração e a recombinação ocorrem com maior freqüência em regiões do semicondutor em que a estrutura cristalina apresenta imperfeições.

Equilíbrio Térmico

Para cada valor de temperatura existe uma taxa de equilíbrio entre os fenômenos de geração e recombinação, de modo que o número total de portadores será uma função da temperatura a que se encontra o cristal. A esse número chamamos de concentração intrínseca

de portadores (n i ).

Seu valor depende não apenas

cúbico. Sua unidade é átomos por centímetro cúbico (cm -3 ).

Essa concentração é expressa em termos de portadores por centímetro

da temperatura, mas de outros fatores, entre quais o material e a iluminação. A concentração intrínseca pode ser calculada através da equação:

n

i

=

B

T

3

e

E

G
G

K

×

T

equação: n i = B T 3 e − E G K × T × ×

× × , sendo B um parâmetro dependente do material, T a temperatura

absoluta, E G a largura da banda proibida e K a constante de Boltzmann, que vale 1,38 × 10 -23 J/K (ou 8,62 × 10 -5 eV/K).

Visto como num semicondutor intrínseco o número p de lacunas é necessariamente igual ao número n de elétrons livres, podemos escrever: p = n = n i . À temperatura de 300 K, equivalente a 27 ºC e adotada por razões de facilidade de cálculo como padrão de temperatura ambiente, os valores aproximados para as concentrações intrínsecas do silício e do germânio são, respectivamente, 1,5 × 10 10 cm -3 e 2,5 × 10 13 cm -3 . Num semicondutor, o valor dado por n i 2 = p × n é uma constante, numa dada temperatura.

7

A Figura 6 apresenta de forma gráfica a dependência da concentração intrínseca de

portadores em relação à temperatura para três diferentes materiais semicondutores.

temperatura para três diferentes materiais semicondutores. Figura 6 - Concentração Intrínseca de Portadores em

Figura 6 - Concentração Intrínseca de Portadores em Função da Temperatura

Condução de Corrente Elétrica nos Cristais Semicondutores

A Figura 7 mostra uma barra semicondutora intrínseca de silício, onde representamos os

elétrons livres (+) e as lacunas (-):

I

Lacunas

os elétrons livres ( + ) e as lacunas ( - ): I Lacunas A ⊕
A ⊕ ⊕ ⊕ ⊕ ⊕ ⊕ ⊕ ⊕ B S I Elétrons livres +
A
⊕ ⊕ ⊕ ⊕ ⊕ ⊕ ⊕ ⊕
B
S
I Elétrons livres
+
V

I Total

Figura 7 - Mecanismo de Condução Num Semicondutor

8

Mesmo com a chave S aberta, os portadores estão em movimento contínuo, mas tendo a sua direção modificada após cada colisão com os íons. Estes, com massa muito superior à dos

elétrons livres, permanecem praticamente estáticos. Como o movimento das partículas é totalmente aleatório, o número de elétrons circulando em todas as direções é o mesmo. Ou seja,

o valor médio da corrente resultante é nulo.

Fechando-se a chave S, os extremos da barra ficam sujeitos a uma tensão V, que submete o cristal a um campo elétrico εεεε. Esse campo elétrico acelera as partículas na direção oposta, estabelecendo o que se chama de corrente de deriva. A velocidade v de deslocamento é dada pela equação: v = µµµµ × εεεε, onde é a mobilidade do portador, cuja unidade é cm 2 /Vs (centímetro quadrado por volt-segundo). Os elétrons livres (cargas negativas) no são impelidos sentido indicado (de B para A). Como o sentido convencional da corrente corresponde a um deslocamento de cargas positivas, temos então uma corrente convencional de A para B. Por sua vez, as lacunas (cargas positivas) são impelidas de A para B, o que corresponde, como no caso anterior, a uma corrente convencional de A para B. Isso ilustra que os efeitos dos deslocamentos de elétrons livres e lacunas em um semicondutor se somam, ao contrário do que se poderia erroneamente pensar.

Devido aos diferentes mecanismos envolvidos, a mobilidade dos elétrons livres (simbolizada por µµµµn) possui valor superior ao da mobilidade das lacunas (simbolizada por µµµµp). A 300 K, a mobilidade dos elétrons livres no silício vale µµµµn = 1350 cm 2 /Vs e a mobilidade das lacunas vale µµµµp = 480 cm 2 /Vs. Para o germânio, à mesma temperatura, os valores de mobilidade são µµµµn = 3800 cm 2 /Vs e µµµµp = 1800 cm 2 /Vs.

A condutividade σσσσ (sigma) do semicondutor pode ser calculada através da equação:

σ

=

q e

×

 

n ×

µ

n

+

p

×

µ

  

p

, onde q e é o módulo da carga de um elétron (q e = 1,6 × 10 -19 C), n é

o

temos o mesmo número de elétrons livres e lacunas (n = p = n i ), a fórmula pode ser reescrita

como:

número de elétrons livres e p é o número de lacunas. Lembrando que nos cristais intrínsecos

(

)

σ =

n

i

× q µ µ

×

e

+

. Devemos lembrar que a resistividade ρρρρ é o inverso da

n

ρ

=

1

p

.

condutividade, ou seja:

σ

Cristais Semicondutores Extrínsecos - Dopagem

A dependência que a condutividade de um cristal semicondutor intrínseco apresenta em

relação à temperatura e à energia luminosa é bastante útil quando se trata de fabricação de

transdutores térmicos ou óticos. No que se refere a dispositivos eletrônicos de uso geral, porém,

Por esse motivo, a maior parte dos

semicondutores utilizados em aplicações práticas contém em sua estrutura cristalina elementos diferentes do elemento ou substância principal. Esses elementos adicionados chamam-se

impurezas e o processo de adição de impurezas chama-se dopagem. Um cristal semicondutor

que passou por esse processo é chamado de semicondutor extrínseco ou dopado.

pode alterar de maneira significativa o comportamento do semicondutor, sendo possível até mesmo conferir ao mesmo características metálicas de condução (coeficiente térmico positivo, ou seja, aumento da resistividade com o aumento da temperatura).

Se chamarmos de N a concentração de átomos de impurezas num cristal semicondutor (medida, como visto anteriormente, em cm -3 ), podemos afirmar que, se N << n i , (concentração de impurezas muito menor do que a concentração intrínseca), a dopagem é irrelevante e, mesmo com a presença de impurezas o cristal pode ser considerado intrínseco, ou seja, n p n i .

A dopagem

essa dependência é quase sempre inconveniente.

9

Por outro lado, se tivermos N >> n i , a dopagem é efetiva e a concentração de portadores será controlada, de fato, por intermédio das impurezas adicionadas.

Há dois tipos de impurezas: as impurezas doadoras, que são elementos pentavalentes (com cinco elétrons na última camada) e as impurezas aceitadoras, que são elementos trivalentes (com três elétrons na última camada).

Semicondutores Dopados com Impurezas Doadoras

Suponhamos que de algum modo sejam introduzidos em uma rede cristalina de silício

o antimônio (Sb), o arsênico (As) ou o fósforo

(P). A configuração da rede, numa temperatura diferente do zero absoluto, tomaria o aspecto mostrado na Figura 8:

átomos de um elemento pentavalente, como

Si Si Si +4 +4 +4 Si P Si +4 +5 +4 Elétron “a mais”
Si
Si
Si
+4
+4
+4
Si
P
Si
+4
+5
+4
Elétron “a
mais” do
fósforo
Si
Si
Si
+4
+4
+4

Figura 8 - Cristal de Silício Dopado Com Impureza Pentavalente

Notar que nessa rede existem de elétrons livres que não são decorrentes de rompimento de ligações covalentes. Em vez disso, tratam-se dos elétrons que “sobram” devido ao fato de a impureza (na figura acima, o fósforo) ser pentavalente. Logo, não existem lacunas correspondentes a esses elétrons livres e, portanto, esse tipo de cristal sempre terá mais elétrons livres do que lacunas. Por esse motivo, diz-se que nos cristais dopados com impurezas pentavalentes os elétrons livres são os portadores majoritários. Sendo os elétrons livres portadores de carga negativa, os cristais dopados com impurezas pentavalentes são conhecidos

como cristais extrínsecos do tipo N, ou simplesmente, cristais N.

tendência a "doar" os elétrons "em excesso", sendo essa a razão pela qual as impurezas

pentavalentes são chamadas de impurezas doadoras.

Esse tipo de cristais possui

Chamando de Nd (“d” de doadora) a concentração de átomos de impurezas doadoras no cristal, lembrando que essa concentração é, numa dopagem efetiva, muito superior à concentração intrínseca, e lembrando que cada átomo de impureza adicionado contribui com um elétron livre para a rede, o número total de elétrons livres será a soma dos elétrons livres gerados termicamente com os provenientes dos átomos de impureza. Logo: n = n i + Nd Nd.

10

Como visto acima, n i 2 é uma constante. Logo, podemos calcular o número p de lacunas presentes no cristal:

p

×

n

=

n

2

i

p

=

n

2

i

n

2

i

=

n

Nd

.

Conclui-se que os cristais N possuem um número de lacunas inferior ao de um cristal intrínseco à mesma temperatura. Isso pode ser explicado pelo fato de que, devido à maior quantidade de elétrons livres disponíveis, a taxa de recombinação de lacunas aumenta, reduzindo-se assim o seu número.

EXEMPLO NUMÉRICO: Calcular o número de lacunas presentes, à temperatura ambiente, num cristal de germânio dopado com impurezas pentavalentes numa concentração de 1 × 10 18 átomos por cm 3 .

Semicondutores Dopados com Impurezas Aceitadoras

Introduzindo-se numa rede cristalina de silício átomos de um elemento trivalente como o índio (In), o boro (B) ou o gálio (Ga), teremos a estrutura mostrada na Figura 9.

Si Si Si +4 +4 +4 Si B Si +4 +3 +4 Ligação covalente incompleta
Si
Si
Si
+4
+4
+4
Si
B
Si
+4
+3
+4
Ligação
covalente
incompleta
(“falta” um
elétron
no
boro
Si
Si
Si
+4
+4
+4

Figura 9 - Cristal de Silício Dopado Com Impureza Trivalente

Notamos que para cada átomo de impureza trivalente adicionado à rede teremos uma ligação covalente incompleta (com uma lacuna), "ávida" para receber um elétron que a complete. A rede fica assim com tendência a "aceitar" elétrons, razão pela qual as impurezas trivalentes são chamadas de aceitadoras. Nesse tipo de rede, as lacunas são os portadores majoritários, pois para as lacunas provenientes dos átomos de impureza não há elétrons livres correspondentes.

11

É importante notar a diferença entre uma ligação covalente incompleta e uma ligação covalente rompida. No primeiro caso, não houve a absorção de energia térmica ou luminosa, que dê ao elétron energia para passar da banda de valência para a banda de condução e assim se tornar um elétron livre. Portanto, o único elétron de valência que participa da ligação continua fortemente ligado ao núcleo, não estando disponível para o transporte de corrente elétrica (em outras palavras, não é um elétron livre). No caso de uma ligação covalente rompida, ocorre aplicação de energia, que rompe a ligação e “liberta” os dois elétrons de valência que dela participavam da influência do núcleo, gerando simultaneamente dois elétrons livres e duas lacunas.

Sendo as lacunas portadores de carga positiva, os cristais dopados com impurezas trivalentes são conhecidos como cristais extrínsecos do tipo P, ou simplesmente, cristais P. Esse tipo de cristal possui tendência a "aceitar" elétrons para suprir as lacunas "em excesso", sendo essa a razão pela qual as impurezas trivalentes são chamadas de impurezas aceitadoras.

Chamando de Na (“a” de doadora) a concentração de átomos de impurezas aceitadoras no cristal, lembrando que essa concentração é, numa dopagem efetiva, muito superior à concentração intrínseca, e lembrando que cada átomo de impureza adicionado contribui com um elétron livre para a rede, o número total de lacunas será a soma das lacunas geradas termicamente com as provenientes dos átomos de impureza. Logo: n = n i + Na Na.

Podemos calcular o número n de elétrons livres presentes no cristal:

p

×

n

=

n

2

i

n

=

n

2

i

n

2

i

=

p

Na

.

Analogamente ao observado em relação aos cristais N, os cristais P possuem um número de elétrons livres inferior ao de um cristal intrínseco à mesma temperatura. Isso pode ser explicado pelo fato de que, devido à maior quantidade de lacunas disponíveis, a taxa de recombinação de elétrons livres aumenta, reduzindo-se assim o seu número.

Corrente de Difusão em Semicondutores

Além da corrente de deriva analisada anteriormente, os semicondutores apresentam um outro mecanismo de deslocamento de cargas elétricas que não ocorre nos metais – é a chamada corrente de difusão. Diferentemente da corrente de deriva, que ocorre por influência de um campo elétrico, a corrente de difusão é devida ao deslocamento de partículas de regiões onde se encontram fortemente concentradas para regiões em que exista uma baixa concentração, num processo bastante semelhante ao que ocorre nos gases. Quando essas partículas possuem carga elétrica, como no caso dos elétrons livres ou das lacunas, esse deslocamento caracteriza uma corrente elétrica. A Figura 10 ilustra esse conceito.

região

com

alta

concentração

de

portadores

deslocamento de cargas

deslocamento

deslocamento de cargas

de cargas

deslocamento de cargas
deslocamento de cargas

região

com

baixa

concentração

de

portadores

Figura 10 – Mecanismo de Corrente Por Difusão de Portadores

Caso não seja interrompida por outro motivo, a corrente de difusão continua até que se alcance uma distribuição homogênea dos portadores ao longo do cristal.

12

A difusão é influenciada pelo chamado coeficiente de difusão (D), expresso em

Como ele possui valores diferentes para os

elétrons livres e para as lacunas, definem-se Dn (coeficiente de difusão para os elétrons livres) e

centímetros quadrados por segundo (cm 2 /s).

Dp (coeficiente de difusão para as lacunas), que valem, para o silício, Dn = 34 cm 2 /s e Dp = 13

cm 2 /s.

Para o germânio, os valores são: Dn = 99 cm 2 /s e Dp = 47 cm 2 /s.

Como se pode intuir, a difusão depende da mobilidade µ dos portadores. grandezas estão ligadas pela chamada relação de Einstein:

Essas duas

D

n

D

=

p

=

k

×

T

µ

n

 

µ

p

 

q

=

V

T

.

O termo k é a constante de Boltzmann, já mencionada

anteriormente. A grandeza V T , de grande importância para a compreensão do funcionamento dos semicondutores, é conhecida como o equivalente térmico da tensão ou tensão termodinâmica.

Em resumo, enquanto a corrente de deriva, que ocorre em metais e semicondutores, é conseqüência da ação de um campo elétrico (desequilíbrio de tensão ao longo do espaço), a corrente de difusão, mecanismo exclusivo dos semicondutores, é resultado de uma distribuição não-uniforme de portadores de carga (desequilíbrio de carga no espaço). Embora eventualmente um dos fenômenos (ou ambos) possa estar ausente, a corrente total num semicondutor será a soma algébrica das correntes de deriva e de difusão.

Detalhes Importantes em Relação aos Cristais N e P

Tanto os cristais P como os cristais N são eletricamente neutros. A carga elétrica das lacunas ou elétrons livres é anulada pela carga elétrica do "resto" dos átomos a que esses portadores pertencem.

Uma concentração relativamente baixa de átomos de impureza (da ordem de partes por milhão ou mesmo partes por bilhão) altera drasticamente as propriedades elétricas de um cristal semicondutor.

À temperatura ambiente, podemos considerar que cada átomo de impureza adicionado a um cristal semicondutor contribui com um portador de carga.

Em temperaturas elevadas, o número de portadores termicamente gerados pode se tornar maior do que os introduzidos por meio de dopagem. Nesse caso, o semicondutor volta a se comportar como um cristal intrínseco.

É possível também modificar o tipo de um cristal semicondutor (tornar um cristal P em N ou intrínseco ou tornar um cristal N em P ou intrínseco) através da injeção de portadores opostos nesse cristal (impurezas doadoras num cristal P ou impurezas aceitadoras num cristal N).

13

FORMAÇÃO DE UMA JUNÇÃO PN

Considere uma barra semicondutora pura (intrínseca), que é submetida simultaneamente a dois processos diferentes de dopagem: uma de suas extremidades recebe a injeção de impurezas aceitadoras e a outra recebe impurezas doadoras, como mostra a Figura 11.

Barra de Cristal Semicondutor Intrínseco (puro)
Barra de Cristal Semicondutor
Intrínseco (puro)

Injeção de

impurezas

aceitadoras

Intrínseco (puro) Injeção de impurezas aceitadoras Injeção de impurezas doadoras FIGURA 11 – Cristal Puro

Injeção de

impurezas

doadoras

FIGURA 11 – Cristal Puro Submetido a Dois Diferentes Tipos de Dopagem

Devido à injeção de impurezas aceitadoras, existe uma grande concentração de lacunas no lado esquerdo da barra, enquanto que no restante da barra a concentração de lacunas é muito baixa. Logo, ocorre uma corrente de difusão das lacunas em direção à extremidade direita da barra. Analogamente, os elétrons livres abundantes no lado direito da barra se deslocam para a extremidade esquerda.

Assim sendo, haverá um ponto intermediário em que os elétrons livres provenientes da direita encontram-se com as lacunas que vêm da esquerda, ocorrendo a recombinação desses portadores, isto é, "desaparecem" um elétron livre e uma lacuna. O átomo que "perdeu" um elétron livre devido à recombinação torna-se um íon positivo (que não é um portador de carga, uma vez que um íon não é uma carga móvel). O átomo que "perdeu uma lacuna" torna-se, por sua vez, um íon negativo. Com a continuidade desse processo, vai-se formando na região central do semicondutor uma "barreira" composta por íons imóveis e carregados, que são conhecidos como cargas fixas (porque não se movem) ou cargas não-neutralizadas (porque possuem carga elétrica diferente de zero).

Essa barreira de íons, chamada barreira de potencial, dá origem a uma ddp que repele os portadores que continuam chegando devido à corrente de difusão, reduzindo gradativamente a intensidade dessa corrente. Quando a ddp da barreira de potencial alcança o valor suficiente para levar a corrente de difusão a zero, chega-se a uma situação de equilíbrio, mostrada na Figura 12, onde um dos lados do cristal será do tipo P e o outro será do tipo N.

ÍONS NEGATIVOS ÍONS POSITIVOS ⊕⊕⊕⊕ REGIÃO P REGIÃO N + + + + + ⊕⊕⊕⊕
ÍONS NEGATIVOS
ÍONS POSITIVOS
⊕⊕⊕⊕
REGIÃO P
REGIÃO N
+
+ + + +
⊕⊕⊕⊕
- - - - -
-
-
+
+
+ + + +
- - - - -
⊕⊕⊕⊕ ⊕⊕⊕⊕
-
+
-
+ + + +
⊕⊕⊕⊕
- - - - -
⊕⊕⊕⊕ - + - + + + + ⊕⊕⊕⊕ - - - - - REGIÃO DE

REGIÃO DE DEPLEÇÃO

Convenções:

Íon PositivoConvenções : Íon Negativo + Lacuna Elétron livre

Íon NegativoConvenções : Íon Positivo + Lacuna Elétron livre

+ Lacuna Elétron livre
+ Lacuna
Elétron livre

Figura 12 - Aspecto do Cristal No Final do Processo

Como se pode notar, existem alguns elétrons livres na região P e algumas lacunas na região N – são os portadores minoritários de cada lado da junção. Esses portadores minoritários se originam do rompimento de ligações covalentes, que, como vimos, ocorre sempre que a temperatura é superior a 0 K. Os portadores majoritários (lacunas na região P e elétrons livres na região N), por sua vez, se originam da injeção de impurezas e também do rompimento de ligações covalentes.

14

Com a interrupção da corrente de difusão, temos à esquerda da barra uma região P com uma concentração uniforme Na de lacunas e, à direita, uma região N com concentração uniforme Nd de elétrons livres. Em ambos os casos, estamos desprezando a concentração de portadores termicamente gerados. A região central, em que não existem portadores (tendo, portanto, características de isolante) é chamada de região de carga espacial, região de transição ou região de depleção (que é a denominação que adotaremos).

Essa estrutura é denominada de junção PN. Junções PN como a esquematizada acima, em que ocorre uma drástica variação na concentração de portadores de ambos os lados são

denominadas junções em degrau ou junções abruptas. O potencial interno Vo entre as duas

regiões é denominado potencial de contato ou potencial de barreira.

Seu valor pode ser

calculado pela expressão:

V

O

=

V

T

× ln

Na

×

Nd

2

n i

.

existe um desequilíbrio

na concentração de portadores dos dois lados da junção. Logo, deveria haver uma corrente de

difusão. O fato de que essa corrente é nula só pode ser explicado pela presença de um campo elétrico oposto, representado pelo potencial de contato.

Na prática, a concentração de lacunas no lado P não precisa ser igual à concentração de elétrons livres no lado N. Assim, para manter o equilíbrio de cargas, a região de depleção “avança” mais profundamente no lado menos dopado da junção. Chamando de x n a porção da região de depleção que fica dentro da região N e de x p a porção que fica dentro da região P,

Podemos entender a origem desse potencial da seguinte forma:

temos a relação:

W

=

x

n

+

x

p

=

x Nd n = . A largura total W da região de depleção vale: x
x
Nd
n =
.
A largura total W da região de depleção vale:
x
p Na
2
×
ε
1
1
×
V
×
+
, onde é o valor da permissividade (constante
q
O
Nd
Na
e

Para o silício, temos εεεε = 1,04 × 10 -12 F/cm e, para

o germânio, temos εεεε = 1,42 × 10 -12 F/cm.

Para se ter uma idéia da ordem de grandeza, a largura da região é da ordem de micra, enquanto que o comprimento total da barra é da ordem de cm (dez mil vezes maior). Logo, a largura da região de depleção é desprezível em relação ao comprimento total do dispositivo. Como o campo elétrico é igual à diferença de potencial dividida pela distância, conclui-se que a sua intensidade no interior da região de depleção é bastante elevada.

dielétrica) absoluta do material semicondutor.

EXEMPLO NUMÉRICO: Numa junção PN de germânio, a concentração de lacunas no lado P é

de 10 18 cm -3 e a concentração de elétrons livres no lado N é de 10 16 cm -3 . de contato e a largura da região de depleção, a 300 K.

Calcular o potencial

15

Diodo Semicondutor

Para que se obtenha acesso externo à junção PN é necessário o acoplamento de terminais metálicos. A conexão elétrica entre um metal e um semicondutor P ou N constitui o que se chama junção metal-semicondutor. Essas junções podem ser realizadas de modo a conduzirem igualmente em ambos os sentidos, quando são chamados de contatos ôhmicos (ou não-retificadores), ou de modo a apresentarem condução predominantemente em um dos sentidos, quando são chamados de contatos não-ôhmicos (ou retificadores).

Fazendo-se contatos ôhmicos para colocação de terminais em cada uma das extremidades de uma junção PN, temos o componente eletrônico que se chama diodo semicondutor ou, simplesmente, diodo.

A presença das duas junções metal-semicondutor presentes num diodo explica o fato de

que, mesmo existindo um potencial de contato Vo entre os dois lados da junção PN, a medição da tensão entre os terminais de um diodo em circuito aberto resulte numa leitura nula. Quando se utiliza um multímetro para medir esse potencial, as junções metal-semicondutor dão origem a dois novos potenciais de contato, que equilibram o potencial interno. Assim, a leitura obtida será zero.

A simbologia e o aspecto físico de um diodo são mostrados na Figura 13. O terminal

ligado à região P é chamado de anodo (A) e o terminal ligado à região N é chamado catodo (K).

O catodo é representado por um traço transversal e o anodo por uma seta, que indica, como

veremos a seguir, o sentido preferencial de condução de corrente em um diodo semicondutor. Até observação em contrário, os termos diodo e junção PN serão utilizados como sinônimos.

Símbolo

ANODO (A)

utilizados como sinônimos. S í m b o l o ANODO (A) CATODO (K) Aspecto Físico

CATODO (K)

Aspecto Físico

S í m b o l o ANODO (A) CATODO (K) Aspecto Físico marca no corpo
S í m b o l o ANODO (A) CATODO (K) Aspecto Físico marca no corpo

marca no corpo do componente indicando o catodo.

Figura 13 - Simbologia e Aspecto Físico de um Diodo Semicondutor

Polarização de uma Junção PN

Chamamos de polarização de um dispositivo eletrônico a aplicação de tensões de modo a

fazê-lo operar de modo conveniente. Diferentemente do que ocorre com os dispositivos elétricos,

o comportamento de um dispositivo eletrônico pode sofrer alterações significativas com a

mudança de sua polarização. Essa é, em última análise, a razão para a grande versatilidade desses dispositivos.

Existem duas maneiras de polarizar uma junção PN: a polarização reversa, que provoca a circulação de corrente pelo sentido não preferencial de condução, e a polarização direta, que leva à circulação de corrente pelo sentido preferencial de condução. Estudaremos a seguir o comportamento, as características e as aplicações de uma junção PN polarizada de cada uma das duas formas possíveis.

16

Junção PN Reversamente Polarizada - Características e Aplicações

Dizemos que uma junção PN está reversamente (ou inversamente) polarizada quando o

potencial do anodo é menor de que o potencial do catodo, ou seja, o anodo é negativo em relação

ao catodo.

A Figura 14 ilustra algumas situações de polarização reversa de uma junção PN.

VR
VR
5 V 4 V
5 V
4 V
8 V 2 V
8 V
2 V

Figura 14 – Três Diferentes Situações de Polarização Reversa de Uma Junção PN

A polarização reversa altera o equilíbrio da junção PN de duas maneiras. Em primeiro

lugar, os portadores majoritários de cada lado da junção são afastados da mesma pelo potencial

VR aplicado. Logo, a polarização reversa provoca o aumento da largura da região de depleção e impossibilita qualquer corrente de portadores majoritários. Em segundo lugar, a polarização reversa causa um aumento na altura da barreira de potencial.

A corrente de portadores majoritários é nula, mas, como sabemos, existem elétrons livres

no lado P e lacunas no lado N - são os portadores minoritários termicamente gerados. A tensão

reversa VR tem a polaridade adequada para dar a esses portadores a energia necessária para "saltar" a barreira de potencial. Desse modo, estabelece-se uma corrente, de pequena intensidade (já que os portadores minoritários existem em pequeno número), chamada de corrente de saturação reversa do diodo (Is).

À temperatura ambiente, para a maior parte das aplicações práticas, o valor de Is é

desprezível (da ordem de nA para o silício e de

zero.

altíssimo valor.

Logo, uma junção PN reversamente polarizada se comporta como uma resistência de

µA para o germânio), e pode ser considerado

Em condições ideais, como veremos adiante, consideraremos uma junção PN

reversamente polarizada como um circuito aberto.

O valor da corrente de saturação reversa pode ser calculado pela equação:

Is

s

=

A

×

q

×

e

D

p

×

p

n

L

p

,

onde A é a área da seção reta da junção, p n é a concentração de

lacunas na região N e L p é o chamado o chamado comprimento de difusão das lacunas injetadas no região N da junção, ou seja, a distância exponencial média que as lacunas, que são os portadores majoritários na região P, percorrem antes de se recombinarem na região N, onde são minoritárias. Essa equação parte da premissa de que a concentração de impurezas na região P é muito maior do que na região N.

A denominação “corrente de saturação” deve-se ao fato de que essa corrente alcança

rapidamente o seu valor máximo, a partir do que se torna praticamente independe do potencial

Isso pode ser entendido lembrando que a tensão reversa produz dois

efeitos conflitantes: tende a aumentar a circulação de portadores minoritários (o que aumentaria o

valor da corrente) e tende a aumentar a largura da região de depleção (o que reduziria o valor da corrente).

O valor da corrente de saturação reversa, no entanto, é altamente dependente da temperatura da junção, já que essa influencia diretamente o número de portadores minoritários disponíveis. O valor dobra, aproximadamente, a cada 10 °C de aumento na temperatura da junção, tanto para os diodos silício, como para os de germânio. Assim, conhecido o valor de Is a uma temperatura θθθθ1, pode-se calcular de forma aproximada o valor Is’ a uma temperatura θθθθ2 através da fórmula:

reverso VR aplicado.

Is'

=

Is

×

17

θ2 θ1

2

10

.

Essa equação mostra uma das formas como os diodos semicondutores podem ser utilizados como sensores de temperatura. Nesse tipo de aplicação, os diodos de germânio são

dos diodos de silício, apresentam

preferíveis, pois embora possuam a mesma sensibilidade

Is

θ

um valor de corrente reversa muito mais elevado e, portanto, mais fácil de ser medido com precisão.

Nos diodos reais, à corrente de saturação reversa se soma uma corrente de fuga superficial, cujo valor independe da temperatura. A equação acima já leva em conta essa corrente de fuga.

EXEMPLO NUMÉRICO: No circuito abaixo, utiliza-se um diodo de silício que possui corrente de saturação reversa igual a 100 nA, a 20 ºC. a) Sabendo que o valor da temperatura é de 35 ºC, calcular a tensão sobre o diodo. b) Calcular a temperatura em que a tensão sobre o resistor iguala a tensão sobre o diodo.

R 800 KΩΩΩΩ 4 V
R
800
KΩΩΩΩ
4 V

Capacitância de Transição do Diodo Reversamente Polarizado

A Figura 15 mostra a situação de uma junção PN reversamente polarizada. Percebe-se uma perfeita analogia com um capacitor operando em corrente contínua: uma carga acumulada (na forma de íons) num meio isolante que serve como dielétrico (a região de depleção) submetido a uma tensão (a tensão reversa VR). A corrente de saturação reversa do diodo, de muito baixa intensidade, equivale à corrente de fuga do “dielétrico” do “capacitor”.

VR Is ≈≈≈≈ 0 REGIÃO DE DEPLEÇÃO ALARGADA PELA TENSÃO REVERSA VR ⊕⊕⊕⊕ ⊕⊕⊕⊕ REGIÃO
VR
Is ≈≈≈≈ 0
REGIÃO DE DEPLEÇÃO ALARGADA
PELA TENSÃO REVERSA VR
⊕⊕⊕⊕
⊕⊕⊕⊕
REGIÃO P
REGIÃO N
+ + +
⊕⊕⊕⊕
- - - -
-
⊕⊕⊕⊕ ⊕⊕⊕⊕
+
⊕⊕⊕⊕
+ + +
- - - -
⊕⊕⊕⊕
⊕⊕⊕⊕
-
+
+ + +
⊕⊕⊕⊕
⊕⊕⊕⊕
- - - -
LARGURA ORIGINAL DA REGIÃO DE DEPLEÇÃO

Figura 15 – Aspectos Geométricos de Uma Junção PN Reversamente Polarizada

Assim, constatamos a existência de um efeito capacitivo em uma junção PN reversamente polarizada - é a chamada capacitância de barreira ou capacitância de transição do diodo

(CT).

Seu valor é da ordem de pF (10 -12 F).

18

Como sabemos, a capacitância de um capacitor plano é inversamente proporcional à espessura do dielétrico. Como a largura da região de depleção (que faz as vezes de dielétrico) é proporcional ao módulo da tensão de polarização reversa VR, conclui-se que um diodo reversamente polarizado pode ser usado como capacitor com capacitância dependente da tensão. O valor máximo da capacitância de transição será obtido, portanto, sem tensão aplicada (ou seja, com VR = 0), pois nessa condição a largura da região de depleção será mínima. Chamando esse valor máximo de capacitância de transição de Co, podemos calculá-lo por meio da equação:

Co

=

CT

máx

=

A

×

ε

×

q

e

×

Na

×

Nd

 

2

×

V

O

×

(

Na

+

Nd

)

  2 × V O × ( Na + Nd ) . Conhecido o valor de

.

Conhecido o valor de Co, o valor da capacitância de transição para valores de tensão reversa diferentes de zero pode ser calculado através da equação:

CT

(

VR

) =

Co

1 +

VR

Vo

m

. O expoente m vale 0,5 para junções abruptas e cerca de 0,33 para

junções graduais. O valor da tensão reversa VR deve ser tomado em módulo.

Os diodos fabricados especialmente com a finalidade de servir como capacitores de capacitância controlada por tensão são conhecidos como varicaps ou varactores (que, na verdade, são nomes comerciais). O símbolo desses dispositivos é mostrado na Figura 16.

O símbolo desses dispositivos é mostrado na Figura 16. Figura 16 – Simbologia de um Capacitor

Figura 16 – Simbologia de um Capacitor Variável Por Tensão

O símbolo deixa bastante claro que o efeito capacitivo é obtido a partir de um diodo e que a capacitância do dispositivo é variável. A particularidade é que no caso dos varicaps a variação da capacitância é conseguida através da variação da tensão reversa aplicada, e não da rotação de um cursor, como ocorre nos capacitores variáveis comuns. Assim, os varicaps possuem sobre os capacitores variáveis comuns a vantagem de não terem partes móveis, além das dimensões muito menores. Tais características têm levado os varicaps a substituir os capacitores variáveis convencionais em circuitos de sintonia de receptores de rádio e televisão.

EXEMPLO NUMÉRICO: Um diodo de silício com concentração Na igual a 5 × 10 16 cm -3 e

concentração Nd igual a 8 × 10 13 cm -3 apresenta capacitância de transição igual a 20 pF quando

submetido a uma tensão reversa de 5 V.

Calcular a área da seção reta do corpo desse diodo.

19

Diodos Zener - Estabilização

O valor da corrente de saturação reversa de uma junção PN, como vimos, é muito pequeno. Entretanto, aumentando-se o módulo da tensão reversa aplicada, chega-se a um ponto em que a corrente reversa aumenta consideravelmente, atingindo intensidades comparáveis às das correntes diretas. Ao mesmo tempo, a variação da tensão sobre a junção é muito pequena. Essa região de operação do diodo, chamada de região de avalanche ou região de breakdown, é mostrada na Figura 17.

i Pequena variação de tensão (∆∆∆∆v) Região de avalanche
i
Pequena variação
de tensão (∆∆∆∆v)
Região de
avalanche

v

Grande variação de corrente (∆∆∆∆i)

Figura 17 – Característica Volt-Ampère de Uma Junção PN Reversamente Polarizada

Existem dois mecanismos físicos que explicam o comportamento da junção na região de avalanche:

Ruptura por efeito Zener Ocorre quando o campo elétrico na região de depleção se torna suficientemente intenso para levar elétrons da banda de valência para a banda de condução, gerando dessa forma novos portadores minoritários que elevarão o valor da corrente reversa.

Ruptura por avalanche Ocorre quando os portadores minoritários que atravessam a junção ganham energia cinética suficiente para, através de choques com a estrutura cristalina, romper outras ligações covalentes, gerar novos portadores que por sua vez também se chocam com a estrutura, num efeito cumulativo.

O valor da tensão de avalanche de um diodo é estabelecido através do controle do nível de dopagem durante o processo de fabricação. Altos níveis de dopagem favorecem o efeito de Zener, que dá origem a tensões de avalanche abaixo de 5 V. Menores níveis de dopagem favorecem o efeito de avalanche, que dá origem a tensões de avalanche superiores a 5 V. Embora os mecanismos físicos dos efeitos de Zener e avalanche sejam diferentes, sua manifestação externa é exatamente a mesma, ou seja, dão origem a uma região na polarização reversa em que uma grande variação no valor da corrente corresponde a uma pequena variação no valor da tensão.

Os diodos comuns de silício entram na região de avalanche com uma polarização reversa

da ordem de centenas de volts. O diodo 1N4007, por exemplo, suporta até 1000 V de polarização reversa antes de entrar em avalanche. Logo, um diodo comum na região de avalanche é percorrido por uma corrente relativamente alta ao mesmo tempo em que está submetido a uma tensão elevada, resultando numa alta potência dissipada. Por esse motivo, a avalanche é um

Os

processo que normalmente leva à destruição de um diodo comum, devendo ser evitada.

fabricantes informam a máxima tensão reversa a que um diodo pode ser submetido com segurança, ou seja, sem entrar na região de avalanche. Essa tensão é chamada de tensão de

breakdown (V BR ).

20

Existem diodos fabricados de tal maneira que entram na região de avalanche com valores relativamente pequenos de tensão reversa (alguns volts a algumas dezenas de volts), a chamada avalanche controlada. Desse modo, limitando-se a corrente que os percorre, podem operar na

região de avalanche sem que sejam danificados.

Zener, independente de qual seja o mecanismo físico (efeito Zener ou avalanche) que explique o comportamento do dispositivo.

Uma das principais aplicações dos diodos Zener é na estabilização de tensão, já que, uma vez dentro da região de avalanche (que no caso desses diodos é chamada de região de Zener ou região de regulação), a tensão os terminais do Zener praticamente não varia, independentemente do valor da corrente (pequena variação de tensão v para uma grande variação de corrente i). A Figura 18 mostra a simbologia de um diodo Zener.

Esse tipo de diodo é conhecido como diodo

um diodo Zener. Esse tipo de diodo é conhecido como diodo Figura 18 – Símbolo de

Figura 18 – Símbolo de um Diodo Zener

A tensão reversa necessária para levar o diodo Zener à região de regulação é chamada de

tensão de regulação ou tensão de Zener (VZ).

regulação na faixa de poucos volts a dezenas de volts. Para um melhor ajuste da tensão que se deseja regular, é possível utilizar diodos Zener associados em série. Pode-se fazer também uma associação paralela de diodos Zener, para aumentar a capacidade de corrente. A associação paralela, no entanto, não é muito freqüente e só será válida caso os diodos Zener associados possuam o mesmo valor de tensão de regulação.

Como o efeito Zener (que predomina para VZ < 5 V) possui coeficiente térmico negativo (a tensão de avalanche diminui com o aumento da temperatura) e o efeito avalanche (que predomina para VZ > 5 V) possui coeficiente térmico positivo (a tensão de avalanche aumenta com o aumento da temperatura), os diodos Zener com maior estabilidade térmica são os que possuem tensão de regulação por volta de 6 V, em que os dois efeitos se compensam.

São fabricados diodos Zener com tensões de

Considerações de Ordem Prática no Uso de Diodos Zener

Em projetos envolvendo diodos Zener, é importante conhecer a mínima corrente reversa para a qual o diodo se mantém na região de regulação (IZmín) e sua potência nominal (PZ), que é a máxima potência que o diodo consegue suportar sem dano além, obviamente, da tensão de regulação (VZ). Esses dados são normalmente fornecidos pelo fabricante do diodo. Vale a relação:

PZ = VZ × IZmáx, onde IZmáx é a máxima corrente reversa que o diodo Zener pode suportar.

Quando não é possível determinar o valor de IZmín, pode-se utilizar a aproximação prática

IZ

mín =

IZ

máx

10

.

Trata-se apenas de uma estimativa prática que costuma funcionar com boa

margem de segurança - não é uma lei da Eletrônica.

Os fabricantes costumam adotar como valor nominal da tensão de regulação de um diodo Zener aquele que é obtido em 25% da potência máxima, ou seja, quando a corrente que percorre o diodo é igual a um quarto do valor máximo permitido. Assim, um diodo Zener com especificação de 5,6 V / 1 W apresentará a tensão de regulação nominal a uma corrente igual a:

I

=

PZ

4

×

VZ

=

1

4

×

5,6

44,6

mA.

21

Circuito Básico de Estabilizador de Tensão Utilizando Diodo Zener

Quase sempre é necessário que o valor da tensão contínua que alimenta um dispositivo qualquer seja mantido praticamente constante. No entanto, existem alguns fatores que concorrem para a variação desse valor, como a alteração do valor da tensão AC a partir da qual se obtém a tensão contínua ou a alteração do valor da corrente consumida pelo dispositivo. Para minimizar essa variação, utilizam-se circuitos chamados de estabilizadores de tensão, cuja versão básica, empregando o diodo Zener, está esquematizado na Figura 19.

= i Z + I RS I L RS ++++ ++++ ++++ v i RS
=
i Z
+
I RS
I L
RS
++++
++++
++++
v
i
RS
Z
I
R
vi
vo = v L = VZ
L

L

Figura 19 – Circuito Básico de Estabilizador de Tensão Com Diodo Zener

Respeitadas certas condições básicas, esse circuito permite obter na saída uma tensão de cuja variação seja significativamente menor do que as variações no valor da tensão de entrada ou na resistência de carga. Obviamente, nesse tipo de circuito estabilizador, o valor da tensão de saída será sempre inferior ao valor mínimo assumido pela tensão de entrada.

Análise Para Tensão de Entrada Variável e Resistência de Carga Fixa

Temos, nesse caso, uma corrente de carga I L de valor fixo. O ponto crítico para o adequado funcionamento do circuito é o correto dimensionamento do resistor limitador RS. Se for superdimensionado, RS fará com que, nos valores mínimos da tensão de entrada, a corrente no diodo Zener seja inferior a IZmín, saindo dessa forma da região de regulação. Se RS for subdimensionado, quando a tensão de entrada atingir seus valores máximos a corrente no diodo Zener será maior que IZmáx e ele será danificado.

Para calcular os valores limite para RS, devemos conhecer:

- os limites de variação da tensão de entrada (vi mín e vi máx )

- a corrente na carga I L

- a máxima corrente permissível para o diodo Zener IZ máx

- a mínima corrente de regulação IZ mín

- a tensão de regulação VZ

O limite superior de RS (RS máx ) deve ser calculado de modo a garantir que mesmo no valor mínimo da tensão de entrada a corrente no diodo Zener seja superior (no limite, igual) a IZ mín . O circuito equivalente nessa situação é o mostrado na Figura 20.

22

= I RS i Zmín + I L
=
I RS
i Zmín +
I L

L= I RS i Zmín + I L Figura 20 – Circuito Estabilizador na Condição de

Figura 20 – Circuito Estabilizador na Condição de Mínima Tensão de Entrada

Aplicando-se as leis de Kirchoff e de Ohm:

I RS = IZ mín + I L , V RS = vi mín - VZ,

RS máx = V RS / I RS

RS máx =

vimin

VZ

IZmin

+

IL

O limite inferior (RS mín ) deve garantir que a corrente no Zener não ultrapasse IZ máx ,

mesmo quando a tensão na entrada atingir seu valor máximo. Aplicando as leis de Kirchoff e de Ohm ao circuito equivalente nessa situação:

= + I RS i Zmáx I L RS mín i ++++ Zmáx ++++ ++++
=
+
I RS
i Zmáx
I L
RS mín
i
++++
Zmáx
++++
++++
v
RS
I
R
vi
vo = v L = VZ
L
máx

L

Figura 21 – Circuito Estabilizador na Condição de Máxima Tensão de Entrada

I RS = IZ máx + I L , V RS = vi máx - VZ,

RS mín = V RS / I RS

RS min =

vimax

VZ

IZmax

+

IL

O valor efetivo de RS deve ser escolhido entre os dois limites acima, isto é, de tal forma que: RS mín < RS < RS máx . Uma boa escolha é a média aritmética entre os dois limites. Isso garante uma boa margem de segurança, para o caso dos valores reais não serem exatamente iguais aos considerados no momento do projeto.

É possível que em alguns projetos os cálculos acima conduzam a um valor de RS mín

superior ao de RS máx (uma impossibilidade física). Quando isso ocorre, significa que a potência

insuficiente para atender aos requisitos do projeto, devendo ser

Ao se atingir o limite de potência do Zener, temos

substituído por outro de maior potência.

do diodo Zener empregado é

RS máx = RS mín .

23

Outras situações em que esse circuito pode ser usado são:

Tensão na entrada constante, mas corrente de carga variável.

Tensão de entrada constante combinada com corrente de carga também variável.

Embora não abordemos diretamente essas situações nesta apostila, os princípios vistos acima se aplicam a elas de forma análoga.

Uma carga de resistência igual a 100 e que necessita de uma

Projetar um

circuito estabilizador com diodo Zener para fornecer a alimentação adequada para a carga a partir

corrente de 200 mA é alimentada a partir da tensão cujo gráfico é mostrado abaixo.

Exemplo Numérico:

da tensão disponível.

O diodo Zener deve ser o de menor potência possível.

35

25

vi (V) t
vi (V)
t

b) Supondo que o verdadeiro valor da corrente mínima de regulação seja de 2 mA, recalcular o valor mínimo de potência do diodo.

24

JUNÇÃO PN DIRETAMENTE POLARIZADA CARACTERÍSTICAS E APLICAÇÕES

Uma junção PN está diretamente polarizada quando o potencial do anodo é superior ao do catodo, como mostra a Figura 22.

Vd
Vd
anodo é superior ao do catodo, como mostra a Figura 22. Vd 1000 V 999 V

1000 V

999 V

ao do catodo, como mostra a Figura 22. Vd 1000 V 999 V 8 V 8,7
8 V 8,7 V
8 V
8,7 V

Figura 22 – Três Diferentes Situações de Polarização Direta de Uma Junção PN

Uma vez que a queda de tensão ao longo do semicondutor é desprezível, a tensão de polarização estará quase que inteiramente concentrada na região de depleção. Como a tensão tem polaridade oposta à do potencial interno de contato Vo, a polarização direta atua no sentido de reduzir a barreira de potencial que, nas condições de equilíbrio (sem tensão externa aplicada), impede a difusão dos portadores majoritários localizados em cada lado da junção.

Com a virtual eliminação da barreira de potencial, retoma-se o processo de difusão e as lacunas abundantes na região P cruzam a junção, sendo injetadas na região N. Analogamente, os elétrons livres em excesso na região N são injetados na região P. Ao cruzar a junção, os portadores majoritários provenientes de ambos os lados entram numa região em que eles são minoritários. Logo, os portadores injetados rapidamente se recombinam com os portadores opostos que existem em grande quantidade do outro lado da junção. Isso provoca uma redução exponencial na corrente de difusão à medida em que os portadores penetram na região oposta. Como a corrente é a mesma ao longo de todo o dispositivo, conclui-se que, nas proximidades da junção, antes de cruzá-la, as correntes de portadores majoritários também sofrem uma redução.

A Figura 23 mostra as componentes da corrente numa junção PN diretamente polarizada, em que a região P é mais dopada do que a região N. Embora o valor da corrente seja constante ao longo do dispositivo, a proporção devida às lacunas (setas mais claras) e aos elétrons livres (setas mais escuras) varia em função da distância. A figura permite visualizar claramente o caráter bipolar da corrente no semicondutor.

CORRENTE TOTAL NA JUNÇÃO (LACUNAS + ELÉTRONS LIVRES) corrente de lacunas majoritárias corrente de elétrons
CORRENTE TOTAL NA JUNÇÃO
(LACUNAS + ELÉTRONS LIVRES)
corrente de lacunas majoritárias
corrente de elétrons livres
majoritários
REGIÃO P
REGIÃO N
decréscimo exponencial da corrente
de elétrons livres injetados,
devido à recombinação
decréscimo exponencial da corrente de lacunas
injetadas, devido à recombinação
corrente de elétrons livres
minoritários
corrente de lacunas minoritárias

Figura 23 – Composição da Corrente Numa Junção PN Diretamente Polarizada

25

Como na polarização direta a corrente é composta basicamente de portadores majoritários, conclui-se que sua intensidade terá valor muito superior ao que se verifica na polarização reversa. Na prática, valores significativos de corrente (acima de 1% da corrente máxima suportada pela junção) só se verificam quando a tensão de polarização direta ultrapassa um determinado valor, que é denominado de tensão de limiar (Vγγγγ). O valor aproximado de Vγγγγ é de 0,5 V para junções de silício e de 0,2 V para junções de germânio. Essa é, aliás, uma das vantagens que os diodos de germânio apresentam sobre os de silício (necessitam de menor tensão direta para o início efetivo da condução de corrente).

A relação entre a tensão de polarização direta vd aplicada a uma junção PN e a corrente

id que a percorre é expressa através da chamada equação característica direta do diodo:

id

=

Is

×

 

v

d

η ×

V

T

e

1

. O fator ηηηη é chamado de parâmetro de emissão e tem valor

situado entre 1 e 2. Esse fator varia em função do método de fabricação do diodo. Para diodos discretos, o valor do parâmetro de emissão está mais próximo de 2, enquanto diodos integrados em pastilhas possuem valores mais próximos de 1. Experimentos realizados com o diodo de silício 1N4004 apresentam um valor de parâmetro de emissão igual a 1,984. A ordem de grandeza da corrente também influi sobre o valor do parâmetro de emissão. Quanto maior o valor da corrente, mais o valor desse parâmetro se aproxima de 1. Salvo indicação em contrário, utilizaremos o valor 2 para esse fator.

Representando-se a equação característica do diodo na forma de um gráfico ele terá o aspecto mostrado na Figura 24.

i D v v γγγγ
i D
v
v γγγγ

D

Figura 24 – Característica Volt-Ampère de uma Junção PN Diretamente Polarizada

É fácil constatar na curva que a corrente é praticamente zero até que o valor da tensão

direta ultrapassa a tensão de limiar. A partir de então, pequenos incrementos no valor da tensão

aplicada dão origem a grandes incrementos no valor da corrente que percorre o diodo, sendo bastante fácil atingir valores danosos para o dispositivo, caso não sejam tomadas as devidas medidas de proteção. O exemplo numérico a seguir demonstrará claramente essa afirmação.

EXEMPLO NUMÉRICO: Calcular o valor da corrente que percorre os diodos de silício em cada um dos casos abaixo. A corrente de saturação reversa em todos os casos vale 50 nA e a temperatura vale 27 ºC.

a)

saturação reversa em todos os casos vale 50 nA e a temperatura vale 27 ºC. a)

Vd = 0,8 V

b)

saturação reversa em todos os casos vale 50 nA e a temperatura vale 27 ºC. a)

Vd = 0,6 V

26

c)

saturação reversa em todos os casos vale 50 nA e a temperatura vale 27 ºC. a)

Vd = 1,2 V

Resistência Dinâmica do Diodo

Observando a equação característica direta do diodo, notamos que, se a tensão aplicada for suficientemente superior a VT, pode-se fazer a aproximação:

id

Is

v

d

×

e

η

×

V

T

v

d

η

×

V

T

×

ln

id

Is

.

Lembrando

que

a

resistência

dinâmica (ou resistência incremental) rd é definida como a derivada da tensão em função da

corrente, podemos calcular:

r

d

=

d

v

d

d

i

d

=

η

×

V

T

×

Is

id

×

1

Is

r

d

=

η ×

V

T

id

. No entanto, ao se

utilizar essa equação não se deve esquecer que, além da resistência dinâmica, o diodo apresenta também a resistência ôhmica, que pode ter valor superior.

EXEMPLO NUMÉRICO:

exemplo anterior.

Calcular o valor da resistência dinâmica do diodo nas três situações do

Capacitância de Difusão de uma Junção PN Diretamente Polarizada

Assim como ocorre na polarização reversa, a junção PN diretamente polarizada também apresenta um efeito capacitivo. Esse efeito tem origem na variação de carga que ocorre quando os portadores majoritários cruzam a junção, tornando-se minoritários do lado oposto e sendo “destruídos” pela recombinação. Como a capacitância é a derivada da carga em relação à tensão, conclui-se que a essa variação de carga corresponde um efeito capacitivo, ao qual se dá o nome de capacitância de difusão (CD). É importante notar que a capacitância de difusão é mais um efeito capacitivo do que uma capacitância propriamente dita, visto que neste caso, ao contrário do que ocorre com a capacitância de transição CT, não se verifica a característica essencial de uma capacitância física, que é a presença de um campo elétrico entre cargas fisicamente separadas e de sinais contrários.

O valor da capacitância de difusão pode ser calculado pela equação:

CD =

τ

×

id

η

×

V

T

, sendo ττττ o chamado tempo médio de vida dos portadores, ou seja, o tempo

médio decorrido até a recombinação dos portadores majoritários que cruzam a junção.

Dependendo do diodo, a ordem de grandeza de ττττ varia entre nanossegundos e centenas de microssegundos.

Ao contrário do que ocorre com a capacitância de transição (na polarização reversa), não existe uma aplicação prática para a capacitância de difusão, que é sempre considerada indesejável, de forma que a junção deve ser projetada de tal forma a apresentar um valor mínimo para essa característica, especialmente quando se objetivam aplicações em alta freqüência.

As capacitâncias de transição (CT) e de difusão (CD) se manifestam tanto na polarização direta como na polarização reversa. No entanto, na polarização reversa predomina a capacitância de transição, e podemos desprezar a de difusão. Na polarização direta ocorre justamente o contrário, e desprezamos a capacitância de transição, considerando apenas a de difusão.

EXEMPLO NUMÉRICO:

Supondo que a capacitância do diodo na situação b) do exemplo

anterior seja de 0,1 µF, calcular o tempo médio de vida dos portadores.

27

Tempo de Recuperação Reversa de um Diodo

Imaginemos que o circuito esquematizado na Figura 25 seja submetido a uma tensão com o comportamento temporal mostrado no gráfico superior.

vi(t) RL vi +V t1 t -V i V + RL -Is t i V
vi(t)
RL
vi
+V
t1
t
-V
i
V
+
RL
-Is
t
i
V
+
RL
t
rr
= t s + t t
-Is
t
V
RL
t
s
t
t

Figura 25 – Circuito Com Diodo e Respectivos Gráficos de Tensão e Corrente

O gráfico do meio mostra o comportamento esperado: assim que se inverte a polaridade da tensão de entrada, a corrente deveria passar do valor aproximado de para o valor aproximado de 0 (na verdade, -Is). No entanto, o comportamento real é o mostrado no gráfico inferior: logo após a inversão da polaridade da tensão de entrada, a corrente, ao invés de cair imediatamente a zero, simplesmente inverte o seu sentido, mas mantém, durante um certo intervalo, o seu valor anterior. Depois de um tempo, o valor da corrente começa a diminuir exponencialmente, até que se atinge o valor esperado, ou seja, a corrente de saturação reversa.

Tal comportamento se explica pelo fato de que imediatamente antes do instante t1 (inversão da polaridade) havia uma grande quantidade de portadores majoritários se deslocando

Quando a polaridade se inverte, durante um intervalo de tempo t s o número

de portadores acumulados praticamente mantém o módulo da corrente anterior, havendo apenas

uma inversão de sentido. Esse intervalo t s é chamado de tempo de acumulação.

através da junção.

28

Logo após o tempo de acumulação, o número de portadores decai exponencialmente

devido à recombinação. Depois de um intervalo de tempo t t , chamado de tempo de transição,

O intervalo compreendido entre o

instante da inversão de polaridade e o instante em que a corrente chega ao valor de saturação reversa é conhecido como tempo de recuperação reversa (t rr ), e é uma característica de grande importância para os diodos, especialmente quando utilizados em aplicações de chaveamento, nas quais podem ocorrer inversões de polaridade num intervalo muito pequeno.

a corrente finalmente atinge o valor de saturação reversa.

Nos diodos comerciais, a ordem de grandeza do tempo de recuperação reversa varia entre centenas de milissegundos e centenas de picossegundos.

Limitando a Corrente Direta com uma Resistência em Série

Como pudemos notar através do exemplo numérico da Página 24, o valor da corrente que percorre uma junção PN diretamente polarizada aumenta bruscamente com pequenos aumentos na tensão aplicada. Desse modo, é necessário limitar o valor dessa tensão, para impedir que a junção seja danificada pelo excesso de potência dissipada. Essa limitação pode ser facilmente obtida colocando-se uma resistência em série com a junção, como na Figura 26, que mostra um circuito dado, com propósito apenas ilustrativo, com valores numéricos.

++++ v R R = 100 ΩΩΩΩ V = 100 V i
++++
v R
R = 100 ΩΩΩΩ
V = 100 V
i

++++

v D

++++ v R R = 100 ΩΩΩΩ V = 100 V i ++++ v D Figura

Figura 26 – Circuito de Polarização Direta de um Diodo

A resistência R limita o valor máximo possível para a corrente no circuito, protegendo assim o diodo. Calculando o valor máximo teórico para a corrente (que ocorreria se a tensão v D sobre o diodo fosse considerada igual a zero):

V

v

D

V

100

Supondo que o valor da corrente de saturação reversa do

diodo seja igual a 50 nA (mesmo valor utilizado no exemplo numérico), podemos calcular a tensão sobre o diodo correspondente a uma corrente direta de 1 A:

i

D

i

= =

R

i

=

R

R

100

=

= 1

A.

i

D

=

Is

v

D

×

=

v

D

e

0,052

1

0,052

×

ln

i

D

Is

i

D

Is

+ 1

=

e

v

D

0,052

v

D

=

1

i

D

Is

+

1

0,052

×

ln

=

v

D

e

0,052

1

50 ×

10

9

v

D

0,052

+ 1

=

ln

i

D

Is

+ 1

0,874V

Esse exemplo mostra claramente o efeito protetor da resistência limitadora. Quando não existirem os dados necessários para a realização dos cálculos, consideraremos que, existindo alguma resistência em série com uma junção PN diretamente polarizada, o valor aproximado da tensão sobre ela será igual a 0,7 V.

Uma vez que a tensão sobre uma junção PN reversamente polarizada é relativamente baixa (centésimos de volts) mesmo para uma corrente relativamente alta (centenas de miliampères ou até alguns ampères), podemos concluir que, em condições de polarização direta, uma junção PN se comporta como uma resistência de baixo valor.

29

EXEMPLO: As lâmpadas no circuito abaixo necessitam de uma tensão mínima de 5 V para apresentar uma luminosidade perceptível, sendo nessa condição percorridas por uma corrente de 10 mA. Determinar quais delas estão acesas e quais estão apagadas e explicar o porquê.

L1 L3 D1 D3 L4 D5 D2 L2 L5 D4 6 V
L1
L3
D1
D3
L4
D5
D2
L2
L5
D4
6 V

Conceito de Reta de Carga

Apliquemos as leis de Kirchoff e de Ohm ao circuito anterior, desconsiderando dessa vez os valores numéricos.

Obtêm-se as seguintes equações:

+V - v D - Vr = 0 (LKT) Vr = i D ×××× R (Lei de Ohm)

v D = V - Vr v D = V - i D ×××× R

Essa última equação representa uma reta, chamada reta de carga, que relaciona a tensão e a corrente no diodo. Esse conceito não é exclusivo para o diodo, mas se estende a qualquer tipo de dispositivo eletrônico, como teremos oportunidade de constatar futuramente.

Como vimos anteriormente, a relação entre a tensão e a corrente num diodo diretamente polarizado também é representada através da equação característica do diodo. Logo, com essas duas equações (equação característica diodo e equação da reta de carga), obtém-se um sistema que permite calcular com exatidão os valores de i D e v D .

Infelizmente, a solução desse sistema não pode ser obtida através de operações “normais”, sendo necessário o uso de métodos iterativos (tentativa e erro). No entanto, pode-se obter uma solução gráfica para o problema: basta traçar no mesmo sistema de eixos a reta de carga e a curva característica do diodo, obtendo-se os valores de i D e v D através da interseção de ambas.

Para traçar uma reta, basta obter dois quaisquer de seus pontos. Para tanto, vamos tomar a equação da reta de carga e fazer primeiramente i D = 0 e calcular o valor correspondente de v D (obtendo assim o 1º ponto) e depois fazer v D = 0 e calcular o valor correspondente de i D (obtendo assim o 1º ponto):

v D = V - i D ×××× R,

1º ponto): v D = V - i D × × × × R, ⇒ para

para i D = 0, tenho v D = V (primeiro ponto)

para v D = 0, tenho i D = V / R (segundo ponto)

Assim, a reta de carga tem o aspecto mostrado no primeiro gráfico da Figura 27. No gráfico da direita, vemos a reta de carga e a curva característica do diodo traçadas

simultaneamente.

tensão e da corrente no diodo. operação do diodo.

Isso é o que chamamos de determinação gráfica do ponto de

O ponto de interseção entre ambas determina os valores efetivos i D e v D da

30

i V R Reta de carga v V
i
V
R
Reta de carga
v
V
i Curva característica V R Ponto de interseção i D Reta de carga v V
i
Curva característica
V
R
Ponto de interseção
i D
Reta de carga
v
V
v D

Figura 27 – Traçado da Reta de Carga e Determinação do Ponto de Operação de um Diodo

Curva Característica Completa de uma Junção PN

Havendo estudado o comportamento de uma junção PN tanto em polarização reversa como em polarização direta, estamos em condições de compreender o aspecto completo da curva característica de uma junção PN, representada fora de escala na Figura 28.

i D V BR v D v γγγγ Figura 28 – Característica Volt-Ampère Completa de
i D
V BR
v D
v γγγγ
Figura 28 – Característica Volt-Ampère Completa de uma Junção PN

Analisando essa curva, concluímos que uma junção PN diretamente polarizada (com tensão direta superior a Vγγγγ) apresenta baixíssima resistência, enquanto reversamente polarizada (com tensão reversa inferior a Vbr) apresenta altíssima resistência. É justamente essa característica que lhe permite ser utilizada como retificadora de tensão.

31

Conceito de Diodo Ideal

Várias das características da junção PN que estudamos até aqui são indesejáveis para boa parte das aplicações. Embora, obviamente, elas estejam presentes, os procedimentos envolvidos em um projeto utilizando diodos seriam grandemente facilitados caso tais características pudesse ser desprezadas. Por esse motivo, introduziu-se um modelo com as seguintes características para o diodo semicondutor:

corrente de saturação reversa nula

resistência reversa infinita

tensão de avalanche infinita

capacitâncias de transição e de difusão nulas

resistência direta nula

tensão de limiar nula

comportamento independente da temperatura

Esse modelo, conhecido como diodo ideal, se comportará como uma chave perfeita:

quando diretamente polarizado, equivale a um curto-circuito (chave fechada) e quando reversamente polarizado, equivale a um circuito aberto (chave aberta), como mostra a Figura 28.

diodo diretamente polarizado

+
+
como mostra a Figura 28. diodo diretamente polarizado + chave fechada diodo reversamente polarizado + chave

chave fechada

diodo reversamente polarizado

+
+
polarizado + chave fechada diodo reversamente polarizado + chave aberta Figura 28 – Modelo Diodo Ideal

chave aberta

Figura 28 – Modelo Diodo Ideal

Desde que se obedeçam determinadas condições, esse modelo pode ser utilizado sem

que se incorra em erro significativo.

Isso é possível quando:

As resistências no circuito estão bem acima da resistência direta do diodo e bem abaixo de

sua resistência reversa (500 < R < 10 K).

A tensão direta aplicada ao circuito é bem superior à tensão de limiar (Vd >> Vγγγγ).

A tensão reversa aplicada ao circuito é inferior à tensão de limiar do diodo (Vr < Vbr).

A freqüência de operação do circuito é inferior a 10 KHz.

A temperatura na junção permanece aproximadamente constante.

A alternância na polaridade da tensão de alimentação é feita de forma “suave”.

Vários são os circuitos em as condições acima são satisfeitas, permitindo considerar o(s) diodo(s) neles utilizado(s) como ideal(ais). Deste ponto em diante, consideraremos todos os diodos utilizados em nossos circuitos como ideais, a menos que sejam expressamente declarados como reais.

32

RETIFICAÇÃO

A forma mais comum em que se obtém energia elétrica é a alternada senoidal na forma

v(t) = Vmáx sen(ωωωωt + ). Apesar disto, boa parte dos aparelhos e dispositivos eletrônicos requer tensão contínua para o seu correto funcionamento. Por esse motivo, muitas vezes é necessário que se obtenha tensão (e/ou corrente) contínua a partir de tensão (e/ou corrente) alternada. A este processo chamamos retificação. Os circuitos que realizam esse processo chamam-se

retificadores.

(RMO) e os retificadores de onda completa (ROC).

Há, basicamente, dois tipos de retificadores: os retificadores de meia-onda

Nas análises de circuitos que faremos a seguir usaremos o modelo ideal para os diodos.

Retificadores de Meia-Onda

São aqueles que realizam

a retificação bloqueando a circulação da corrente pela

O circuito básico de um RMO utilizando diodo

resistência de carga durante um dos semiciclos. semicondutor é apresentado na Figura 29.

D R vi vo L (alternado)
D
R
vi
vo
L
(alternado)

Figura 29 – Diagrama Básico de um Retificador de Meia-Onda

Nos semiciclos positivos do sinal de entrada vi, o diodo se encontra diretamente polarizado, uma vez que o anodo está positivo em relação ao catodo. Supondo o diodo ideal, ele se comportará como um curto-circuito e o circuito equivalente será o mostrado na Figura 30.

++++

e o circuito equivalente será o mostrado na Figura 30. ++++ D ++++ v D =
D ++++ v D = 0 R vo = vi vi L
D
++++
v D = 0
R
vo = vi
vi
L

Figura 30 – Circuito Equivalente do RMO nos Semiciclos Positivos

Nos semiciclos negativos do sinal de entrada, o diodo estará reversamente polarizado, comportando-se como um circuito aberto. O circuito equivalente será o mostrado na Figura 31.

D v D = vi R vo = 0 vi i = 0 L ++++
D
v D = vi
R
vo = 0
vi
i = 0
L
++++
++++

Figura 31 – Circuito Equivalente do RMO nos Semiciclos Negativos

33

Supondo de o sinal de entrada vi seja senoidal , ou seja, teremos no circuito as formas de onda mostradas na Figura 32.

vi

vi(t) = V máx sen(ωωωωt + ),

+Vimáx t 0 -Vimáx
+Vimáx
t
0
-Vimáx
v D t 0 -Vimáx
v
D
t
0
-Vimáx
vo -Vimáx t
vo
-Vimáx
t

Figura 32 – Formas de Onda das Várias Tensões num RMO

Como podemos notar através do gráfico de vo, a tensão na saída possui uma única

Como a tensão de entrada é alternada,

polaridade, sendo, portanto, uma tensão contínua. ocorreu, de fato, uma retificação.

O valor médio DC (vo DC )

e o valor eficaz da tensão de saída podem ser calculados

através das fórmulas abaixo (válidas apenas para entradas senoidais):

vo DC =

Vimax

π

vo ef =

Vimax

2

Dimensionamento do Diodo

Em aplicações práticas é muito importante dimensionar corretamente os componentes a

A primeira consideração refere-se à corrente a ser suportada

serem utilizados no circuito real.

pelo diodo. No caso do circuito em questão, temos:

IDC

=

Vdc

Vimax

=

RL

π

×

RL

, logo, deve ser escolhido um diodo que suporte

continuamente esse valor de corrente.

O valor de pico da corrente será:

Vimax

Imax = , e o diodo escolhido deverá ser capaz de suportar

RL

periodicamente picos de corrente com esse valor. O último dado de importância para a escolha do diodo adequado ao projeto é a tensão de pico inverso (TPI), que é o máximo valor de tensão reversa a que ele ficará submetido. Através dos gráficos acima podemos constatar que para o retificador em questão teremos:

TPI = Vimáx , e devemos escolher um diodo com tensão de avalanche com valor superior (V BR > Vimáx).

34

Retificadores de Onda Completa

São aqueles que realizam a retificação invertendo o sentido da corrente na resistência de

carga em um dos semiciclos.

toda a energia fornecida à sua entrada, com a desvantagem de necessitarem de circuitos mais

complexos. Existem dois circuitos básicos para o ROC: o que utiliza transformador com tomada central (ROCT) e o retificador em ponte (ROCP).

Possuem sobre os RMOs a grande vantagem de aproveitar quase

Retificador Utilizando Transformador com Tomada Central

Esse circuito necessita de um transformador cujo secundário possua uma tomada central (“center tap”) que divida a tensão AC na entrada do retificador em duas partes iguais. Seu diagrama está esquematizado na Figura 33.

D1 RL vi' (tensão vo efetiva de vi entrada) (alternado) vi' D2 TRAFO Figura 33
D1
RL
vi' (tensão
vo
efetiva de
vi
entrada)
(alternado)
vi'
D2
TRAFO
Figura 33 – Diagrama de um Retificador de Onda Completa com Transformador

Nos semiciclos positivos, o diodo D1 está diretamente polarizado e se comporta como um curto-circuito, enquanto o diodo D2 está reversamente polarizado e se comporta como um circuito aberto. Logo, o circuito equivalente nesses semiciclos será o mostrado na Figura 34. Notar o sentido de percurso da corrente de carga I L .

+ D1 (diretamente polarizado) + + + + vi' RL vo = vi’ I vi
+
D1 (diretamente polarizado)
+
+
+
+
vi'
RL
vo = vi’
I
vi
L
+
vi'
v D2 = 2 ×××× vi’
+
D2 (reversamente polarizado)

Figura 34 – Circuito Equivalente do ROCT nos Semiciclos Positivos

Percorrendo-se a malha formada pelo secundário do transformador e pelos diodos, chega- se à seguinte equação (LKT):

+ vi’ - v D1 - v D2 + vi’ = 0

v D1 + v D2 = 2 . vi’.

Como v D1 = 0, temos v D2 = 2 vi’.

Logo, o diodo cortado fica submetido ao dobro da tensão efetiva de entrada vi’ e o valor

Isso deve ser levado em conta no dimensionamento

máximo da tensão sobre ele será 2 vi’ máx . dos diodos.

35

Nos semiciclos negativos, invertem-se as polarizações dos diodos e o novo circuito equivalente será o mostrado na Figura 35.

D1 (reversamente polarizado) + + v D1 = 2 ×××× vi’ vi' RL vo =
D1 (reversamente polarizado)
+
+
v D1 = 2 ×××× vi’
vi'
RL
vo = vi’
+
vi
I
L
vi'
+
+
+
+
D2 (diretamente polarizado)

Figura 35 – Circuito Equivalente do ROCT nos Semiciclos Negativos

Como se pode notar, apesar da inversão da polaridade da tensão de entrada, a corrente percorre a resistência de carga no mesmo sentido. Assim, em ambos os semiciclos a polaridade da tensão sobre a resistência de carga é a mesma, isto é, a tensão de saída é contínua. Supondo uma tensão de entrada senoidal, teremos no circuito as formas de onda da Figura 36.

vi +Vi’máx t 0 -Vi’máx
vi
+Vi’máx
t
0
-Vi’máx

-Vi’máx

v D1 t
v
D1
t
v D2 +Vi’máx t
v
D2
+Vi’máx
t
v RL +Vi’máx t
v
RL
+Vi’máx
t

Figura 36 – Formas de Onda das Várias Tensões num ROCT

36

Como a tensão efetiva de entrada é senoidal, valem as relações:

vo DC

=

2

×

Vi' max

π

vo ef =

Vi' max

. 2
.
2

Escrevendo a equação LKT para o secundário do transformador (semiciclo positivo):

+vi’ – v D1 – v D2 + vi’ = 0. Como v D1 = 0 (diodo diretamente polarizado nesse semiciclo), temos:

v D2 = 2 × vi’. Conclui-se que o diodo reversamente polarizado fica submetido a uma tensão igual ao dobro da tensão efetiva de entrada. Esse fato deve ser levado em conta ao se dimensionar os diodos de um ROCT.

Retificador em Ponte

O ROCT possui a desvantagem de necessitar de um tipo especial de transformador. Isso impossibilita, por exemplo, que tensões alternadas não senoidais sejam retificadas sem sofrer significativa distorção. Por essa razão, é muito utilizado na prática o retificador de onda completa em ponte (ROCP), que dispensa o uso de transformador (*) . Seu diagrama é apresentado na Figura 37, em duas representações diferentes. O nome do circuito deve-se ao fato de que os diodos estão conectados de modo a formar uma Ponte de Wheatstone.

D1 D4 vi D3 D2 R vo L
D1
D4
vi
D3
D2
R
vo
L
D4 D1 vi RL vo D3 D2
D4
D1
vi
RL
vo
D3
D2

Figura 37 – Dois Possíveis Diagramas Para um Retificador em Ponte

Nos semiciclos positivos da tensão de entrada, os diodos D1 e D3 estarão diretamente polarizados e se comportando como curto-circuitos. Os diodos D2 e D4, por sua vez, estarão reversamente polarizados, comportando-se como circuitos abertos. O circuito equivalente é mostrado na Figura 38.

++++ D1 D4 vi ++++ I L D3 D2 R L
++++
D1
D4
vi
++++
I L
D3
D2
R
L

vo = vi

++++ D4 D1 vi RL ++++ vo = vi D3 D2 I L
++++
D4
D1
vi
RL
++++
vo = vi
D3
D2
I L

Figura 38 – Circuito Equivalente do ROCP nos Semiciclos Positivos

37

Nos semiciclos negativos, invertem-se as polarizações dos diodos e o novo circuito equivalente será o da Figura 39.

I L D4 D1 vi RL ++++ vo = vi D3 D2 ++++
I L
D4
D1
vi
RL
++++
vo = vi
D3
D2
++++
D1 I L D4 vi ++++ D3 D2 ++++ R L
D1
I L
D4
vi
++++
D3
D2
++++
R
L

vo = vi

Figura 39 – Circuito Equivalente do ROCP nos Semiciclos Negativos

Como podemos ver, em ambos os semiciclos a tensão na saída tem a mesma polaridade, mostrando que o circuito é realmente um retificador. Para o caso de uma entrada senoidal, as formas de onda são semelhantes às observadas no ROCT. A diferença é que os diodos reversamente polarizados ficam submetidos a uma tensão igual a vi (em vez de 2 vi’). Logo, para um mesmo valor de tensão de saída, o ROCP utiliza diodos menos robustos (e portanto mais baratos) do que os exigidos por um ROCT com mesmo valor de tensão de saída. Em compensação, necessita de quatro diodos, ao invés dos dois requeridos pelo ROCT.

Para o caso de tensão de entrada senoidal vi(t) = vi máx sen(ωωωωt + ), temos as relações:

vo DC

=

2

×

Vimax

π

vo ef =

Vimax

2
2

Observações Finais Sobre os Circuitos Retificadores

O fato de o ROCP dispensar a utilização de transformador para o seu funcionamento trata-se de uma vantagem apenas relativa sobre o ROCT, já que na maioria das vezes o transformador

da tensão alternada disponível.

Em alguns casos, essa redução pode ser feita utilizando-se um capacitor. Somente nesses casos a vantagem do ROCP é efetiva.

É possível encontrar no mercado o conjunto de 4 diodos que forma o retificador em ponte encapsulado como um componente único. Esse componente, que tem o aspecto apresentado na figura 40, é conhecido como ponte retificadora e facilita a montagem e reduz as dimensões dos circuitos de fontes de alimentação.

é necessário para a redução (ou, algumas vezes, elevação)

necessário para a redução (ou, algumas vezes, elevação) Figura 40 – Aspecto de uma Ponte Retificadora

Figura 40 – Aspecto de uma Ponte Retificadora Monolítica

Os circuitos retificadores que estudamos até aqui são os tipos “clássicos”. Existem outros

circuitos utilizando diodos que realizam a retificação. O método para a análise desses circuitos

é o mesmo: verifica-se a polarização do(s) diodo(s) nos semiciclos positivo e negativo do sinal alternado de entrada, determina-se o circuito equivalente em cada caso e se obtém o sinal de saída. Caso o sinal de saída seja contínuo (uma única polaridade), o circuito é retificador. Caso o sinal de saída seja alternado ou zero, o circuito não é retificador.

38

Dados os circuitos abaixo, cujos diodos são ideais, analisar o seu funcionamento

determinando o circuito equivalente para cada polaridade do sinal de entrada, que é o mesmo para ambos os circuitos. Esboçar o gráfico do sinal de saída para cada um deles. Determinar se os circuitos são ou não retificadores. Cada divisão vertical dos gráficos equivale a 3 V.

EXEMPLO:

R1 15 ΩΩΩΩ R2 10 ΩΩΩΩ vi vo1 R3 5 ΩΩΩΩ
R1 15 ΩΩΩΩ
R2
10
ΩΩΩΩ
vi
vo1
R3
5
ΩΩΩΩ
R1 15 ΩΩΩΩ R2 10 ΩΩΩΩ vi vo2 R3 5 ΩΩΩΩ
R1 15 ΩΩΩΩ
R2
10
ΩΩΩΩ
vi
vo2
R3
5
ΩΩΩΩ

39

vi
vi
vo1
vo1
vo2
vo2

t

t

t