Diseno de Fuente Conmutada Medio Puente PDF

UNIVERSIDAD TECNOLÓGICA NACIONAL
FACULTAD REGIONAL CÓRDOBA

INGENIERÍA ELECTRÓNICA
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Electrónica de Potencia
Trabajo Práctico N˚V - Fuente Conmutada Medio
Puente.
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Curso 5R1
Año 2014
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J.T.P.: ! Ing. Avramovich, Javier!
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Grupo:! Depiante, Mateo! ! 54822!
! ! Taler, Yamil!! ! 50722!
! ! Vecchio, Alex ! ! 51583!
! ! Vigliano, Facundo! 54338 
TP N˚5: FUENTE CONMUTADA
Tabla de contenidos
1‣ Consignas y circuitos a realizar 3
2‣ Introducción 4
2.1 - Fundamentos de Fuentes conmutadas por PWM 4
2.2 - El convertidor de modo “forward” 5
2.3 - Topología de convertidor Half-Bridge (medio puente) 8
2.4 - Análisis en DC del convertidor PWM Half-Bridge en modo CCM 9
2.4.1 - Descripción del circuito 9
2.4.2 - Suposiciones 11
2.4.2 - Intervalos de tiempo de funcionamiento 11
3‣ Desarrollo y cálculos 14
3.1 - Consideraciones de pre-diseño 14
3.2 - El circuito de entrada de línea 14
3.3 - Semiconductores de potencia 18
3.4 - Transformador de potencia 19
3.5 - Choke de salida 24
3.6 - Capacitor de filtrado de salida 26
3.7 - El capacitor de acoplamiento 27
3.8 - El circuito de arranque 28
3.9 - El circuito PWM 29
3.10 - Sensor de corriente 29
3.11 - Realimentación de tensión 31
4‣ Mediciones y resultados 32
4.1 - Capturas de osciloscopio 32
4.2 - Máxima potencia de salida 34
4.3 - Conclusiones 35
Bibliografía 36
UTN - FRC ELECTRÓNICA DE POTENCIA !2

1‣ Consignas y circuitos a realizar

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1. Diseñar y construir una fuente de alimentación conmutada medio puente aislada de
50W en lazo abierto, con las siguientes consideraciones:
a.- Convertidor medio puente bidireccional
b.- Linea de alimentación 200-240V RMS - 50Hz
c.- Frecuencia de conmutación 80KHz
d.- Salida: 36V @ 1,5A - límite de corriente 3A
e.- Ripple máximo de salida: 400mVpp, regulación en línea y carga ±1%
f.- Circuito de protección contra sobrecorriente.
2. Efectuar las siguientes mediciones:

a.- Tensión y corriente de salida disponibles,
b.- Ripple a la máxima carga de salida
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2‣ Introducción
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2.1 - Fundamentos de Fuentes conmutadas por PWM
El funcionamiento de las fuentes conmutadas puede ser relativamente simple de

comprender, un esquema funcional se muestra en la figura 2.0. A diferencia de los
reguladores lineales que operan al transistor de potencia en forma lineal, la fuente
conmutada PWM utiliza al transistor de potencia en los estados de corte y saturación. En
estos estados, el producto de volt-ampere a través del transistor se mantiene siempre
bajo (saturado: baja-V/ alta-I ; corte: alta-V/no-I). Este producto V•I del dispositivo de
potencia es la perdida en todos los semiconductores de potencia.
Esta operación mas eficiente de la fuente conmutada con PWM es realizada por
medio de una conmutación de la tensión de entrada continua (DC) en pulsos cuya
magnitud es del mismo valor que la tensión de entrada de linea (rectificado en DC) y cuyo
ciclo de trabajo es regulado por un circuito de control. Una vez que la tensión de entrada
es rectificada y convertida nuevamente en una forma de onda alterna (AC) ahora
Figura 2.0 - Esquema en bloques de una fuente conmutada PWM.

rectangular, la amplitud puede ser incrementada o reducida por medio de un

transformador. Se pueden obtener tensiones de salida adicionales mediante 2 o más
bobinados secundarios en el transformador. Finalmente estas tensiones de alterna son
rectificadas nuevamente y filtradas para obtener los valores de DC deseados.
El controlador, cuya función principal es mantener una salida de tensión regulada,
opera muy similarmente a un controlador de estilo lineal. Es decir, los bloques de función,
tensión de referencia, y amplificador de error se acomodan de forma idéntica al regulador
lineal. La diferencia radica en la salida del amplificador de error (la tensión de error) es
colocada en una etapa convertidora de tensión a ancho de pulso, previo al control de los
conmutadores de potencia.
Hay 2 grandes grupos de tipos de fuentes conmutadas basado en su modo de
operación: el convertidor de modo “forward” y el convertidor de modo “boost”. A pesar
que la disposición de componentes en ambos es bastante similar, el principio de
funcionamiento es muy diferente y cada uno presenta sus ventajas en ciertas areas de
aplicación. En el presente informa nos abocaremos al principio de funcionamiento que
nos compete, el modo “forward”.
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2.2 - El convertidor de modo forward
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Los convertidores de modo “forward” pueden ser reconocidos circuitalmente por el filtro
L-C colocado justo a continuación del interruptor de potencia, o a la salida del rectificador en el
secundario del transformador. Un esquema simple de un regulador de modo forward se observa
en la figura debajo, denominado regulador “buck” o reductor.
Figura 2.1 - Convertidor forward básico (modo “Buck”)

Su funcionamiento puede ser visto como análogo a una rueda volante mecánica y un
motor de un pistón. El filtro L-C, al igual que la rueda volante, almacena energía entre los pulsos
de la llave driver SW. La entrada del filtro L-C es la tensión de alimentación Vin “choppeada”1 o
troceada. El filtro L-C promedia en volts-tiempo esta forma de onda de entrada modulada por
ciclo de trabajo. La función de filtrado L-C puede ser aproximada como
!
La tensión de salida es mantenida por el circuito de control variando el ciclo de trabajo. El
convertidor buck es conocido también como “step-down converter”, ya que su salida debe ser
menor que la tensión de entrada.
El funcionamiento del regulador buck puede ser visto desmembrando su operación en dos
partes (Ver figura 2.2). Cuando el interruptor está encendido, se presenta la tensión Vin a la
entrada del filtro L-C. La corriente a través del inductor aumenta en forma de rampa y es
descripta como
!
La energía almacenada en el inductor durante este periodo es
Esta energía de entrada es almacenada por el flujo contenido en el material del nucleo del
inductor.
Figura 2.2 - Formas de onda de tensión y corriente para un conversor forward (buck).
1! Del inglés Chopped: troceado, recortado.

Cuando el interruptor de potencia se apaga o se abre, la tensión a la entrada del inductor

tiende a caer por debajo del nivel de masa (por condición de continuidad del inductor, la corriente
a través del mismo no puede invertirse ni ser discontinua, por lo que la polaridad del mismo se
invierte) y el diodo D (llamado diodo de corrida libre) se polariza en forma directa. Esto hace que
la corriente previa a la apertura de la llave siga circulando a través de la carga y parte de la
energía almacenada sea entregada hacia la carga. Esto forma un loop de corriente local que
incluye al diodo, el inductor y la carga. La corriente por el inductor durante dicho periodo es
descripta por
Ahora la forma de onda de la corriente es una rampa lineal negativa, cuya pendiente es -Vout/L.
Cuando se cierra nuevamente la llave, el diodo se polariza en forma inversa y la corriente fluye
desde la fuente de alimentación a través del interruptor de potencia. La corriente por el inductor
(imin) en el instante previo al cierre del interruptor, se convierte en la corriente inicial que luego la
llave de potencia debe conducir inicialmente.
El valor de la corriente DC de salida sobre la carga cae en un valor intermedio entre los
valores pico y mínimo. En aplicaciones típicas, la corriente pico por el inductor es alrededor de
150% del valor de la corriente por la carga y la corriente mínima es del 50%.
Las ventajas de los convertidores de modo forward son que presentan menor ripple pico a
pico de tensión a la salida que los convertidores de modo boost, y pueden suministrar niveles de
potencia de salida mucho mayores. Los convertidores de modo forward pueden proveer varios
Kilowatios de potencia.
Se puede colocar un transformador entre el interruptor de potencia y el filtro L-C a fin de
proveer aislación galvánica entre la entrada a la salida, ademas de la posibilidad de obtener
múltiples salidas con tensiones diferentes. Estas topologías de convertidores forman una familia
de convertidores llamadas Convertidores forward aislados por transformador (Transformer-
isolated forward converters).
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2.3 - Topología de convertidor Half-Bridge (medio puente)

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La configuración básica de un convertidor en medio puente se muestra en la figura 2.3.
Grandes ventajas se presentan en la utilización de esta configuración frente a otras similares
(push-pull por ejemplo). Una de ellas es la posibilidad de utilizar el mismo circuito con entradas
tanto de 110V como 220V AC (mediante la llave S1), sin la preocupación de tener que utilizar
transistores para muy alta tensión; otra es la posibilidad de corregir el desbalanceamiento de
flujo en el núcleo del transformador de potencia de una manera simple (con un capacitor) sin la
necesidad de implementar circuitos de corrección de simetría costosos y complejos. Esto elimina
la componente de corriente DC del núcleo minimizando la saturación del mismo. Además, al
utilizar el núcleo con flujo positivo y negativo se incrementa la eficiencia.
Cuando la llave S1 se encuentra en posición abierta, el circuito funciona a 220VAC como un
rectificador de puente completo, con los capacitores de filtrado C1 y C2 en serie, obteniendo una
tensión rectificada DC de aproximadamente (1,41 • 220V) 311V. Cuando la llave S1 está en posición
cerrada para funcionar a 120VAC, el circuito actúa como un doblador de tensión. En el semiciclo de
entrada cuando A es positivo con respecto a B, C1 está cargado positivamente a través de D1 a un
máximo de (1,41 • 120) 168V. En el semiciclo donde A es negativo con respecto a B, el capacitor C2
está cargado positivamente a 168V a través de D2. La tensión total a través de C1 y C2 en serie es
de 336V. Se observa de la figura 2.3 que en ambos casos, en cualquiera de los dos transistores Q1 o
Q2, estando uno en la posición de encendido, el que se encuentra apagado presenta una tensión
VDS (o VCE en caso de BJT) máxima igual a la tensión DC rectificada (320V).
Debido a que la topología somete al transistor en corte a VDC y no al doble, 2VDC, se
encuentra en el mercado una gran cantidad de dispositivos que soporten la tensión nominal de
336V mas el 15%, 386V.
Figura 2.3 - Esquema básico de un convertidor medio puente.

2.4 - Análisis en DC del convertidor PWM Half-Bridge en modo

CCM
2.4.1 - Descripción del circuito
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En la figura 2.4 se muestra el convertidor PWM Half-Bridge dc-dc a utilizar en el presente
práctico. El convertidor consiste en un inversor PWM y un rectificador PWM. El inversor esta
constituido por dos MOSFETs de potencia utilizados como llaves controladas S1 y S2, un
transformador, y dos capacitores de bloqueo Cb.
Figura 2.4 - Convertidor Half-Bridge con transformador de punto medio.
El transformador de aislación no tiene que almacenar energía. Su inductancia de magnetización

debe ser suficientemente grande para reducir la corriente a través de esta inductancia y las llaves.
Debido a los capacitores de bloqueo, la corriente dc a través del primario del transformador es
cero, dando como resultado una excelente utilización del núcleo. Además, el núcleo es utilizado
en un modo bipolar porque el bobinado primario conmuta en las dos direcciones de V1/2 a -V1/2;
por ello el núcleo trabaja de manera mas eficiente, dando como resultado un núcleo de la mitad
del tamaño que en fuentes similares con convertidores de un solo transistor operadas en modo
unipolar.
Los transistores son excitados por tensiones no solapadas, desfasadas 180˚ entre sí. El
ciclo de trabajo máximo de cada señal es ligeramente menor al 50%. Las formas de onda de las
tensiones de los Gates no deben solaparse para evitar situaciones en las que ambos transistores
conduzcan simultaneamente. En caso de que esto suceda, la tensión de entrada Vi quedaría
conectada a masa a través de la resistencia de dos MOSFETs en estado encendido (orden de los
miliOhm) generando un gran pico de corriente que destruiría los transistores. El fenómeno en el
cual ambos dispositivos conducen al mismo tiempo es llamado “Cross-conduction” o conducción
cruzada, y la corriente a través de los transistores se denomina corriente “shoot-through” . La red
de conmutación del inversor tiene una configuración totem pole, resultando en la dificultad del
manejo del transistor superior debido al Gate que no está referido a masa o tierra. Para ello se

utiliza un pequeño transformador de pulso para excitar el transistor superior, siendo opcional el
transformador para el dispositivo inferior cuando se desea aislar por completo la etapa de
manejo de la etapa de potencia. Los transformadores de pulso también proveen protección del
circuito de control contra rupturas de alto voltaje (gate conectado a drenador o surtidor); si el
circuito de control está directamente acoplado al Gate del transistor de potencia, se aplica un
gran voltaje a la salida del circuito de control, destruyéndolo por completo. Sin embargo, si se
acopla el circuito de control al MOSFET mediante un transformador de pulsos, un cortocircuito
en el Gate del transistor no daña la etapa de control.
Asumiendo que ambos capacitores de bloqueo son idénticos, la caída de tensión en cada
uno es de Vi/2. Generalmente estos son capacitores electrolíticos con tolerancias muy grandes
(±20% por ej.) por ello la caída de tensión en cada uno puede ser diferente de Vi/2. Para equilibrar
en cierta forma estos voltajes, se colocan resistores de balance Rb de gran valor en paralelo con
cada uno de estos capacitores del orden de los 100kΩ a 1MΩ. La corriente DC a través del
primario del transformador es cero debido a los capacitores de bloqueo Cb. Sin embargo, al
conectar estos resistores en paralelo con Cb se pierde dicha propiedad, es por esto que se conecta
en serie con el primario del transformador un tercer capacitor Cc de menor valor. La tensión en Cc
es la tensión promedio a través de la llave inferior S2, es decir Vi/2. Para la componente de
alterna, la fuente de entrada de DC Vi en el convertidor de la figura 2.4 se comporta como un
cortocircuito y los dos capacitores de bloqueo Cb quedan conectados en paralelo, resultando en
el circuito de la figura 2.5, donde Cc = 2Cb.
Figura 2.5 - Convertidor Half-Bridge con capacitor de acoplamiento Cc.
El convertidor half-bridge aquí implementado emplea un rectificador de onda completa

(con secundario de punto medio) lo que es mas acorde para el primario que oscila en ambas
direcciones, V1/2 y -V1/2. El rectificador con transformador de punto medio consiste de dos
diodos D1 y D2, un inductor L y un capacitor filtro C, y la resistencia de carga RL. Es mas acorde
para aplicaciones de bajo voltaje porque un solo diodo conduce a la vez que por el circula toda la
corriente del inductor. Se puede utilizar como dispositivo rectificador diodos Schottky o MOSFETs
de potencia con baja resistencia de conducción. El estrés de tensión de los diodos es alto (Vi/n), lo
que hace inutilizable la configuración de punto medio para aplicaciones de alta tensión.

2.4.2 - Suposiciones
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El análisis del convertidor PWM half-bridge con rectificador de transformador de punto
medio se basa en las siguientes suposiciones:
1. Los MOSFETs de potencia y los diodos son llaves ideales.
2. Las capacitancias e inductancias en los pines de los transistores y diodos son cero.
3. El transformador es modelado como un transformador ideal con su inductancia de
magnetización Lm. Las inductancias de pérdida y capacidades de dispersión son ignoradas.
4. Los componentes pasivos son lineales, invariantes en el tiempo e independientes de la
frecuencia.
5. La impedancia de salida de la fuente de alimentación de entrada Vi es cero tanto para la
componente AC como para la DC.
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2.4.2 - Intervalos de tiempo de funcionamiento2
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Durante el intervalo de tiempo 0 < t ≤ DT, la llave S1 y el diodo D1 se encuentran
conduciendo, y la llave S2 y el diodo D2 están en estado de corte. Se muestra un circuito
equivalente para este intervalo de tiempo en la figura 2.6 (a). La figura 2.6 (b) muestra el circuito
equivalente para el instante de tiempo DT < t ≤ T/2, durante el cual las 2 llaves están en estado
apagado y ambos diodos conducen. En el punto (c) se observa el circuito equivalente del
convertidor para el intervalo de tiempo T/2 < t ≤ T/2 + DT, durante el cual la llave S1 y el diodo D1
están en corte, y la llave S2 y diodo D2 están conduciendo. Para el caso de la figura (d) el
convertidor se encuentra en el estado T/2 + DT < t ≤T. Ambas llaves de potencia están en estado
de corte y ambos diodos están conduciendo. El circuito equivalente para este instante es el
mismo que en la figura (b).
El máximo valor de tensión en cada transistor es VSMmax = VImax, y el pico máximo de
corriente esta dado por
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2! Se omite el desarrollo matemático de esta sección. Para ello remitirse al capitulo 7 de [3]

HALF-BRIDGE CONVERTERS 293
iS1
i1 i2 = iD1 iL
n:1:1 L
VI VI
2 iLm + + vL − +
+ v2 VO
+ − C RL −
vS2 Lm v1
− − +
v3
− + vD2 −
(a)
+
vS1 i1 i2 = iD1 iL
− n:1:1 L
VI VI
2 iLm + + vL − +
+ v2 VO
+ − C RL −
vS2 Lm v1
− − +
v
−3
iD2
(b)
+
vS1
− i1 i2 + vD1 − iL
n:1:1 L
VI VI
2 iS2 iLm + + vL − +
v2 VO
+ − C RL −
Lm v1 +
− v3 i3
−
iD2
(c)
+
vS1
− i1 i2 = iD1 iL
n:1:1 L
VI VI
2 iLm + + vL − +
+ v2 VO
+ − C RL −
vS2 Lm v1
− − +
v3
−
iD2
(d)
Figure 7.32.6Equivalent
Figura - Circuito circuit of thepara
equivalente half-bridge converter
convertidor with a con
half-bridge transformer center-tapped
rectificador de rec-
tifier transformador
for CCM. (a) For 0 < t ≤ DT . (b) For DT < t ≤ T /2. (c) For T /2 < t ≤ T /2
de punto medio. (a) Para 0 < t ≤ DT. (b) Para DT < t ≤ DT. (c) Para T/2 + DT . (d) For
T /2 + DT < t ≤ T .
< t ≤ T/2 + DT. (d) Para T/2 + DT < t ≤ T.

Figura 2.7 - Formas de onda del convertidor Half-Bridge con transformador de punto
medio y rectificador, para CCM.
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El valor del pico máximo de tensión a través de cada diodo en el rectificador de punto medio es
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y la corriente promedio por el inductor es igual a la corriente de salida Io. Por lo que la corriente
pico que circulará por cada diodo será
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En la figura 2.7 se muestran las formas de onda típicas para los componentes del convertidor
PWM half-bridge con rectificador de transformador de punto medio.
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3‣ Desarrollo y cálculos
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3.1 - Consideraciones de pre-diseño3
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Especificaciones de diseño
Tensión de entrada 200 a 240 V
Tensión de salida +36 VDC
Ripple de tensión de salida máx, 400 mV
Regulación en la línea y carga ±1%
Eficiencia 75% mín.
Frecuencia de conmutación 80 KHz
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Consideraciones de pre-diseño
Potencia de salida nominal PO = 36V . 2A = 72W
Potencia de entrada estimada Pin(est) = 72W / 0,75 = 96W
Tensiones de entrada DC VINlow = √2 . 200 V
VINhi = √2 . 240 V
Corriente de entrada promedio (DC) IINmáx = 96W / 282,8 V
IINmin = 96W / 339,4 V
Corriente pico máxima estimada Ipk = 2,8 . (96W) / 282,8 V
!
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3.2 - El circuito de entrada de línea
El circuito de entrada tiene un supresor de RFI (Interferencia de Radiofrecuencia), ya que la
norma VDE 871, 872 exige un filtro de este tipo. La interferencia electromagnética o EMI por sus
siglas en inglés, es generada por un campo eléctrico o magnético variante en el tiempo y
transmitido por medio de la conductividad, o acoplamientos inductivos y capacitivos, a través del
espacio libre o entre componentes. Las fuentes conmutadas son unas de las peores fuentes de
EMI y RFI debido a las formas de onda inherentes de las corrientes y tensiones en ellas presentes.
3! Cálculos extraídos de [2]

Transistores de conmutación, MOSFETs, diodos, transformadores e inductores son las fuentes

principales de RFI.
El ruido conducido, es decir, corrientes de ruido que escapan del circuito final a través de las
lineas de alimentación y/o cualquier linea entrante o saliente del mismo, se pueden manifestar
de dos formas: modo común y modo diferencial. El ruido de modo común es aquel que sale del
circuito sólo por los cables de alimentación y no por el cable de tierra, y puede ser medido sobre
las lineas de alimentación. El ruido de modo diferencial es aquel que solo puede ser medido entre
el cable de tierra y una de las lineas de alimentación. Las corrientes de ruido están en realidad
saliendo por la linea de tierra (ver figura 3.1). Cada tipo de ruido puede ser controlado por una
topología de filtro específica y para cada diseño de fuente de alimentación puede requerir dos
tipos de filtrado de entrada. Estos filtros tienen inductores y capacitores denominados “X” e “Y”.
Los elementos tipo “X” se colocan entre las lineas de alimentación, filtrando el ruido de modo
común y los elementos tipo “Y” se colocan entre las lineas de entrada y el cable de tierra,
filtrando ruido de modo diferencial.
Para contener de forma eficaz el ruido conducido en fuentes de alimentación, se utilizan
capacitores cerámicos, los cuales ayudan a reducir el ruido de alta frecuencia, y deben colocarse
lo más cerca posible de los conectores (entrada/salida). La idea general es bloquear, o derivar el
ruido de interferencia. Esto se lleva a cabo colocando una alta impedancia en el camino de las
corrientes de interferencia, y una derivación para llevarlas a su ves a masa por un camino de baja
impedancia.
Figura 3.1 - Filtrado en modo común y en modo diferencial.
En las lineas de entrada de AC, un inductor acoplado con muy baja capacidad parasita, dos
capacitores aptos (tipo X) entre las lineas, y pequeños capacitores (tipo Y) entre cada linea y
tierra, deben ser suficientes para suprimir ruidos de conmutación a niveles aceptables.
Para el caso que nos compete, se implementa un filtro de segundo orden, el cual provee
una atenuación de 12dB por octava, y una atenuación mucho mayor a frecuencias por encima del
nivel de auto resonancia del inductor. La función de transferencia típica de un filtro de modo
común puede expresarse como: 4
VCM OUT (S ) 1
=
VCM IN (S ) 1+ L
RL s + LCs 2
4! Ver [5]

El factor de amortiguamiento zita (ζ) que corresponde a la ganancia del filtro en el punto de 3dB,
debe ser elegido en un valor entre 1 y 4. Para nuestro caso optamos por el valor de 3, de donde se
deduce que
Lω N
ζ = 3=
2RL
Si elegimos la frecuencia de corte de 10KHz y una resistencia de carga a la frecuencia de corte de
50Ω, podemos calcular la inductancia del filtro como
3 × 2 × RL 6 × 50Ω
L= = = 4, 77mH
2π × fN 2π × 10000Hz
El capacitor de filtrado tipo Y puede ser calculado como
1
C= = 53nF
( 2π × fN )2 L
Los capacitores Cx se encuentran generalmente en el rango de 100nF a 2μF, eligiendo para
nuestra aplicación de 220nF.
El resistor de descarga se calcula según la recomendación de la norma VDE 0806, donde CX es la
suma de todos los capacitores X
t(seg) 1
R= = ! 1M Ω
2,21× C X 2,21× 440nF
!
!
El arranque suave de la fuente se logra con un termistor NTC colocado en serie con el
circuito de entrada, lo que limita la corriente cuando se enciende la fuente. El fusible de entrada
se elige de 1 Amp. ya que se estima una corriente pico máxima de entrada de 0,96 A.
Los rectificadores de entrada se eligen diodos rectificadores estándar, capaces de soportar
la corriente nominal y las tensiones inversas en rectificación tipo puente completo las cuales son
del doble de la tensión pico, unos 677V. Por esto elegimos los diodos 1N4007.
!
Para los capacitores de filtro de entrada, realizamos el calculo de la siguiente manera
! I in(av) 0, 34A
! Cin = =
f ⋅Vripple( pp) 100Hz ⋅ 30V
= 113, 33µ F
!
Por lo que utilizamos 2 capacitores de 100μF, 200VDC. En paralelo colocamos 2 resistores de
descarga de 220KΩ/1W.

El circuito propuesto de la etapa de entrada es el siguiente: 
Figura 3.2 - Etapa de entrada.

3.3 - Semiconductores de potencia

!
Los MOSFETs de potencia
El propósito principal de la etapa de llaves de potencia es convertir la entrada de continua
DC en una tensión alterna modulada en ancho de pulso (PWM). Las etapas siguientes pueden
usar un transformador para elevar o reducir la tensión (reducir en nuestro caso), y finalmente la
etapa de salida convierte la tensión alterna en un valor continuo.
Hay 3 grandes clasificaciones de llaves de potencia: los transistores de potencia BJT, los
MOSFETs y los IGBT. Estos últimos son usados en aplicaciones industriales de alta potencia tales
como fuentes de alimentación ≫1KW y control de motores. El IGBT tiene un tiempo de apagado
mayor que el MOSFET, por lo que es utilizado en frecuencias menores a los 20KHz.
El MOSFET de potencia es la opción mas obvia en este tipo de aplicaciones hoy en día. Son
de reducido costo, muy bajas perdidas en saturación, y su velocidad de conmutación es de 5 a 10
veces más rapida que un BJT. Sumado a esto, el diseño con MOSFETs se simplifica. El MOSFET
puede verse como una fuente de corriente controlada por tensión. Para saturar un MOSFET se
debe aplicar una tensión acorde entre los terminales Gate-Source (Puerta-Fuente) que permita
circular mas corriente de la esperada por el Drenador. Las capacitancias parásitas del MOSFET
causan delays en los tiempos de conmutación, por lo que el circuito de control debe ser capaz de
manejar cargas capacitivas.
Los criterios para la selección de los MOSFETs es
VDSS > Vin > 340VDC

! I D > I in( pk ) > 0,94A
!
Por disponibilidad en el mercado y costo optamos por 2 MOSFETs IRF830 (ver hoja de datos
adjunta), el cual posee una tensión VDSS de 500V y una corriente máxima ID de 4.5A, valores
suficientes para nuestra aplicación.
!
Los rectificadores de salida
La etapa de salida rectifica y filtra la forma de onda alterna de alta frecuencia que entrega
el secundario del transformador creada por las llaves de potencia (MOSFETs). El diseño de la
etapa de salida posee probablemente el mayor efecto sobre la eficiencia de la fuente conmutada
que cualquier otra etapa, debido a que la mayoría de las pérdidas en la fuente se encuentran en la
etapa de salida. En el caso de la presente fuente, el rectificador es de onda completa para un
transformado de punto medio, para lo que usamos rectificadores pasivos (diodos). Dada la
frecuencia de conmutación y para reducir a un mínimo las perdidas por tiempos de apagado

inverso, se opta por diodos ultra rápidos. Estos diodos tienen generalmente tensión directa de
0,8 a 1,1V y presentan tiempos de recuperación inversa de entre 35 y 85nS. Todos los diodos P-N
presentan un tiempo de recuperación inversa significativo, siendo los ultra rápidos los que mejor
se desempeñan. El tiempo de recuperación inversa de un diodo P-N (de juntura) como vimos en
prácticos anteriores, está dado por las cargas acumuladas en la juntura P-N en el instante que la
tensión del diodo es invertida. Estos portadores minoritarios deben invertir su dirección lo que
requiere un tiempo finito para llegar a la unión. Esto es visto por el circuito como una corriente
momentanea en sentido inverso una vez que la tensión ya llegó a su polarización inversa máxima.
Esto equivale a una gran pérdida instantánea de potencia. Los diodos ultra rápidos son utilizados
en la etapa de salida cuando la tensión inversa vista por el diodo es muy alta para un diodo
schottky. Estos últimos tienen una caída tensión directa de 0,3 a 0,6V y presentan un tiempo de
recuperación inversa menor a 10nS. El criterio para la selección de los diodos es el siguiente:
! VRRM > 2Vout > 72VDC
! VF( AV ) > I out (max) > 3A
!
Por esto elegimos diodos MUR460, con una VRRM de 600V y una IF(av) de 4A.
!
!
!
3.4 - Transformador de potencia
!
El diseño de los elementos magnéticos es el talón de Aquiles de un buen diseño de una
fuente conmutada. El correcto diseño eléctrico y magnético tiene un gran efecto sobre el
funcionamiento confiable de una fuente conmutada. Parte de la confusión que surge al calcular
los elementos magnéticos es debida a la inexactitud en torno a su diseño. En el mejor de los
casos, los resultados de los cálculos debe ser tomado como una aproximación estimada. Llevar
los resultados de cálculo hacia una dirección u otra seguirá proporcionando un resultado
funcional, pero puede ofrecer ventajas del diseño de la fuente conmutada tales como reducción
del tamaño del núcleo, rango dinámico de entrada de la fuente, etc.
El método general de diseño de un elemento magnético es como sigue:
1. Elegir el material del núcleo apropiado para la aplicación que debamos realizar y para la
frecuencia de operación.
2. Elegir el estilo de núcleo que se adecua a las necesidades de la aplicación y a las normas a las
cuales debe adecuarse.

3. Determinar el tamaño del núcleo para proveer la potencia de salida requerida para la fuente
conmutada.
4. Determinar si es necesario un entrehierro y calcular el número de vueltas para cada
bobinado. Luego determinar si la precisión de los voltajes de salida se corresponde con las
necesidades de la aplicación y corroborar que el bobinado efectivamente quepa en el tamaño
disponible en el carrete a bobinar.
5. Bobinar el transformador de acuerdo a las recomendaciones dadas por la bibliografía
utilizada.
6. En la etapa de prototipo, verificar su correcta operación con respecto a los niveles de picos de
tensión, regulación, tensiones y ripple de salida, ruidos y RFI, etc., y aplicar las correcciones
necesarias.
!
Debido a la dificultad de adquirir en el mercado local materiales de ferrite para la
elaboración del transformador de potencia, se opta por el “metodo inverso”. Recuperamos y
reutilizamos el transformador de una fuente conmutada en desuso, verificando que el tamaño
sea el adecuado para nuestra aplicación.
Dos son las funciones principales del transformador de potencia: la primera es proveer
una barrera de aislación eléctrica de la entrada hacia la salida de la fuente; y la segunda es la
reducción de la onda alterna cuadrada generada en el bobinado primario por los MOSFETs de
potencia. El flujo de diseño se traduce en un procedimiento paso por paso.
Para la fuente en cuestión (modo forward de medio puente) el transformador no necesita
almacenar energía mas que una pequeña cantidad en la magnetización del núcleo en sí. Hay 2
consideraciones importantes durante el grueso del diseño del transformador:
a. El pico de la densidad de flujo de operación (Bmáx) nunca debe acercarse o entrar en la
saturación en todo el rango de operación de la fuente conmutada, y
b. Verificar si el número de vueltas de secundario calculadas proveen una tensión de
salida que se ajuste a las especificaciones de diseño.
!
Debido a la falta de especificaciones del núcleo conseguido, se procede a relevar todas las
dimensiones del mismo tratando de buscar en las hojas de datos de los fabricantes mas comunes
el núcleo que mas se acerque al disponible. Se asume además el material mas común en el
mercado, N27 (Siemens) PC47 (TDK), etc.
!
El primer paso es determinar el número de vueltas necesarias para el bobinado primario.
Para esto relevamos los datos de la hoja de datos del núcleo asumido, este se muestra en la figura
3.3.

H
D
E
A
A
(5/52)
F E R R I T E S
H
F C C I
B
Mn-Zn EI Cores
SHAPES
PC47 AND DIMENSIONS
EI40 - Z
H
AL-value
Material Size of E core
(Z: without air gap)
D
E
A
A
Dimensions
(mm)
Part No. JIS
A B C D E min. F H I
H
+0.8
F
PC47EI33/29/13-Z C C
33.0 –0.5 I
23.75±0.25 12.7±0.3 9.7±0.3 23.4 19.25±0.25 4.45 5.0±0.3
B
JIS
PC47EI35-Z 35.0±0.5 24.35±0.15 10.0±0.3 10.0±0.3 24.5 18.25±0.15 5.0 4.6±0.3
FEI 35
JIS
PC47EI40-Z 40.0±0.5 27.25±0.25 11.65±0.35 11.65±0.35 27.2 20.25±0.25 6.2 7.5±0.3
FEI 40
PC47
PC47EI50-Z
JIS EI40 -50.0 +1.2
–0.7
Z 33.35±0.35 14.6±0.4 14.6±0.4 33.5 24.75±0.25 7.7 9.0±0.3
FEI 50
JIS +1.4 AL-value
PC47EI60-Z
Material Size of E core 60.0 –0.8 35.85±0.35 15.6±0.4 15.6±0.4 43.6 27.85±0.35 7.7 8.5±0.3
FEI 60 (Z: without air gap)
Dimensions
(mm)
Part No. JIS
A B C D E min. F H I
+0.8
PC47EI33/29/13-Z 33.0 –0.5 23.75±0.25 12.7±0.3 9.7±0.3 23.4 19.25±0.25 4.45 5.0±0.3
JIS
Effective parameter35.0±0.5 Electrical characteristics
PC47EI35-Z 24.35±0.15 10.0±0.3 10.0±0.3 24.5 18.25±0.15 5.0 4.6±0.3
FEI 35
Core Effective Effective Effective Weigh AL-value Core loss
JIS
factor cross-sectional magnetic path core volume
PC47EI40-Z 40.0±0.5 27.25±0.25 11.65±0.35 11.65±0.35 27.2 20.25±0.25 6.2 7.5±0.3
FEI 40 area length
Part No. C1(mm–1)
JIS 2)
Ae(mm+1.2 ℓe(mm) Ve(mm3) (g) (nH/N2) (W) max.
PC47EI50-Z 50.0 –0.7 33.35±0.35 14.6±0.4 14.6±0.4
1kHz 33.5 24.75±0.25 7.7
100kHz 9.0±0.3
FEI 50
0.5mA 200mT
JIS +1.4 100Ts 43.6
PC47EI60-Z 60.0 –0.8 35.85±0.35 15.6±0.4 15.6±0.4 27.85±0.35 7.7 8.5±0.3
FEI 60 Without air gap With air gap 100°C
200±5%
PC47EI33/29/13-Z 0.567 119 67.5 8030 41 4400±25% 2.7
400±7%
200±5%
PC47EI35-Z 0.664 101Figura 3.3 - Datos del
67.1 núcleo a
6780 utilizar.
36 3800±25% 2.3
400±7%
! PC47EI40-Z
PC47EI50-Z
0.520
0.409
148
230
77.0
94.0
11400
21620
60
115
4860±25%
6110±25%
200±5%
400±7%
250±5%
3.7
8.6
500±7%
La ecuación para Effective
determinarparameter
las vueltas del bobinado primario es Electrical 250±5%
characteristics
PC47EI60-Z 0.441 247 109 26900 139 5670±25% 9.2
! Core
factor
Effective
cross-sectional 9
Vin(nom)⋅10
area
Effective
magnetic path
160V ⋅10 9
length
Effective
core volume
Weigh AL-value
500±7%
Core loss
! Part No. (mm=)

NC pri
1 –1 Ae(mm2) = ℓe(mm)
Ve(mm ) (g)
4 ⋅ f ⋅ Bmax ⋅ Ac 4 ⋅ 80KHz ⋅150mT ⋅119mm
(nH/N=
2
1kHz
0.5mA
) 28,01(vueltas) (W) max.
3
100kHz
200mT
2
! 100Ts
Without air gap
200±5%
With air gap 100°C
PC47EI33/29/13-Z 0.567 119 67.5 8030 41 4400±25% 2.7

Donde Vin(nom)
• All specifications are eschange
subject to la tensión de trabajo nominal del transformador (Vin/2) [V]
without notice. 400±7%
200±5%
PC47EI35-Z 0.664 101 67.1 6780 36 3800±25% 2.3
400±7%
Ac es el area efectiva del nucleo [mm2] 001-01 / 20140317 / ferrite_mz_sw_e_en.fm
200±5%
PC47EI40-Z 0.520 148 77.0 11400 60 4860±25% 3.7
400±7%
PC47EI50-Z f es0.409
la frecuencia
230 de trabajo
94.0 de la21620
fuente 115 6110±25%
250±5%
8.6
500±7%
250±5%
PC47EI60-Z Bmáx es la máxima
0.441 247 densidad
109 de flujo
26900 de operación
139 [mT] 5670±25%
500±7%
9.2
!
De acuerdo a la bibliografía utilizada y para el caso de fuente conmutada de medio puente, el
∆Bmáx no debe superar un 40% del flujo de saturación del núcleo (Bsat). Por seguridad se toma
• All specifications are subject to change without notice.
UTN - FRC ELECTRÓNICA DE POTENCIA 001-01 / 20140317 / ferrite_mz_sw_e_en.fm

!21
un nivel bajo, de 150mT. Por recomendación de diversos profesores y dada su experiencia en el

tema bobinado de transformadores para fuentes conmutadas, se opta por incrementar este
resultado en un factor de 2, llevando el número de vueltas del primario a 56.
!
Se procede luego al cálculo del número de vueltas del bobinado secundario de mayor
potencia. La caída de tensión en los diodos rectificadores no puede ser ignorada. La ecuación para
el calculo de vueltas es
! ( )
1,1⋅ Vout + V fwd ⋅ N pri 1,1⋅ ( 36V + 1,25V ) ⋅ 56
! N sec1 =
(V ) ⋅ DC
=
141V ⋅ 0,8
= 20, 36(vueltas) ! 20
!
in(min) max
Redondeando el número de vueltas a 20 se obtiene una tensión de salida de 35,4V al nivel de línea
mas bajo, valor aceptable.
Calculamos luego el numero de vueltas para el bobinado secundario 2, para la
alimentación del circuito PWM y limite de corriente:
! ( )
1,1⋅ Vout + V fwd ⋅ N pri 1,1⋅ (15V + 0,8V ) ⋅ 56
! N sec 2 =
(V ) ⋅ DC
=
141V ⋅ 0,8
= 8,6(vueltas) ! 8
! in(min) max
Redondeando el número de vueltas a 8 se obtiene una tensión de salida de 13,8V al nivel de línea
mas bajo, valor aceptable.
!
Procedemos luego a calcular el diámetro del cobre para los bobinados. El efecto de alta
frecuencia (efecto skin) es el aparente incremento en la resistencia del cable cuando corrientes
AC de alta frecuencia circulan por el mismo. La resistencia real de un cable cuando se toman en
cuenta las pérdidas en una fuente conmutada está dada por
! Rtotal = RDC + RAC
La ecuación debajo es el porcentaje de incremento de la resistencia de ac sobre la resistencia dc
para una espira de cobre en núcleo de aire
! RAC
≈ 0, 47 ⋅ π ⋅ d ⋅ f
! RDC
Como podemos observar, un cable de mayor diámetro sufre una degradación mucho mayor con
el incremento de la frecuencia que un cable de menor diámetro. Por lo que será ventajoso utilizar
múltiples hilos de cobre bobinados en paralelo para poder en cierto grado omitir o disminuir los
efectos de la frecuencia sobre la resistencia.

La profundidad de penetración ∂ en un conductor de cobre a 100˚C, en función de la

frecuencia es
75 75
δ= [ mm ] y para 80KHz δ= = 0,265mm
f 80000
!
Por lo tanto mientras nos mantengamos en un diámetro inferior a 1,6∂ = 0,424mm los efectos
skin y de proximidad podrán ser obviados.
!
Adoptando una densidad de corriente J = 4,2A/mm2, los diámetros de los conductores
serán:
! φ pri =
4 ⋅ I pri
=
4 ⋅ 0,96A
= 0,55mm
! π ⋅J π ⋅ 4,2
A
mm 2
!
La sección de este alambre será
! S pri =
π ⋅ D 2 π ⋅ ( 0,55mm )
=
2
= 0,238mm 2
! 4 4
Utilizamos un alambre de diámetro 0,30mm el cual posee una sección de 0,071mm2, por lo que
para cubrir la misma superficie bobinamos el primario con 4 alambres en paralelo, lo cual
proporciona una superficie de 0,283mm2.
Realizamos ahora los cálculos para los bobinados secundarios. Notamos que en secundario con
punto medio, la corriente circulando por cada medio bobinado, es la mitad de la corriente RMS
de salida, por lo tanto necesitamos la mitad de la superficie de cobre
!
I RMS = 3A ⋅
DMAX
2
= 1,879A !
!
4 ⋅ I SEC1 4 ⋅1,897A
! 4 ⋅ I sec 2 4 ⋅ 0,5A
φsec1 =
π ⋅J
=
π ⋅ 4,2
A
= 0, 758mm ! φsec 2 =
π ⋅J
=
π ⋅ 4,2
A
= 0, 389mm
mm 2 ! mm 2
π ⋅ D 2 π ⋅ ( 0, 758mm )
2
!
Ssec1 = = = 0, 456mm !
2
4 4
!
Usando alambre de 0,45mm2 con una sección de 0,159mm2 bobinamos con 3 alambres en
paralelo para cubrir la sección requerida para el primer secundario, y un alambre para el
secundario auxiliar. El método de bobinado se muestra en la figura 3.4.

Figura 3.4 - Técnica de bobinado utilizada.
!
!
!
3.5 - Choke de salida
!
El choke de salida de una fuente de modo forward es el filtro de toda fuente de este tipo.
Su propósito es almacenar energía para la carga en los tiempos en que los mosfet de potencia
están apagados (tiempos muertos). Su función eléctrica es integrar los pulsos rectangulares en
una continua dc. Como el inductor es operado en modo continuo, nunca debe ser
completamente vaciado de su energía.
Su diseño es relativamente simple. Primero se elige el núcleo a utilizar, generalmente un
toroide de mopermalloy. También pueden utilizarse núcleos de ferrite con entrehierro. En nuestro
caso utilizamos un toroide de mopermalloy (reciclado nuevamente de una fuente conmutada en
desuso) y lo calculamos como
! ⎡Vin(max) − Vout ⎤⎦ ⋅Toff (est ) [ 58V − 36V ] ⋅ 3, 75 µ s
! Lmín = ⎣ = = 29, 46 µ H
1, 4 ⋅ I out (min) 1, 4 ⋅ 2A
!
donde Vin(max): es la máxima tensión pico a la salida del rectificador esperada cuando la
tensión de entrada de la fuente es máxima (y el ciclo de trabajo mínimo).
Vout: es la tensión de salida de la fuente deseada.
Toff(est): es el tiempo estimado de encendido de los MOSFETs a la mayor tensión de
entrada de línea (30% de 1/fop es una buena estimación).
Iout: es la corriente de salida de la fuente.
!

Este es el valor mínimo de inductancia por debajo del cual el toroide vaciaría su energía
por completo en las peores condiciones de trabajo, hasta que el circuito PWM logre estabilizar el
ciclo de trabajo.
Basandonos en la nota de aplicación de Micrometals, relevando las medidas del toroide
disponible y realizando varias mediciones sobre la inductancia del mismo deducimos que se trata
de un material mix-26 con las siguientes características:
Figura 3.5 - Especificaciones del toroide para choke de salida.
!
!
El calculo del alambre para el bobinado del toroide será
!
! N tor =
inductancia L (nH)
⎛ nH ⎞
=
29460nH
nH
= 17, 79 ≈ 18vueltas
! AL ⎜ 2 ⎟
⎝N ⎠
93
N2
!
φtor =
4 ⋅ I OUT
=
4 ⋅ 3A
= 0,954mm π ⋅ D 2 π ⋅ ( 0,954mm )
2 !
π ⋅J π ⋅ 4,2
A
mm 2
Stor =
4
=
4
= 0, 715mm 2
!
!
Para el cual utilizamos 2 alambres en paralelo de 0,8mm por disponibilidad. Corroboramos luego
que el bobinado quepa en la ventana disponible. Para ello utilizamos la siguiente fórmula:
! N ⋅ Acable 40 ⋅ 0,00715cm 2
! %vent =
Avent
⋅100 =
0,659cm 2
= 42%
!
Mientras el porcentaje de ventana se mantenga por debajo de un 40 o 50% se podrá bobinar el
toroide sin problemas. En nuestro caso estaríamos en el limite, por lo que la prolijidad al
momento de bobinar será de suma importancia.
!
!
!
3.6 - Capacitor de filtrado de salida
!
El calculo del capacitor de salida se determina solamente decidiendo cual es el valor de
ripple pico a pico deseado en el voltaje de salida de la fuente. El voltaje de ripple de salida es una
onda de alterna triangular montada en la tensión dc a la salida. Para convertidores de modo
forward el ripple tipico de salida ronda los 30 mVp-p. Para calcular el valor del capacitor de filtrado
de salida utilizamos la siguiente ecuación
! Cout (min) =
I out (max) ⋅(1− ∂(min) )
! f ⋅Vripple( pk− pk )
!
Donde Iout(max): Máxima corriente de salida esperada para la salida correspondiente.
∂(mín): Es el menor ciclo de trabajo esperado, a la mayor tensión de entrada
y mayor carga esperadas (un estimado de 0,3 es apropiado).
Vripple(pk-pk): Es el ripple pico a pico deseado para la salida considerada.
!
Reemplazando los valores obtenemos
! Cout (min) =
3A ⋅(1− 0, 3)
= 65,62 µ F
! 80KHz ⋅ 400mVpp
La resistencia serie equivalente ESR presente en los capacitores causa que el mismo se caliente,
acorta su vida útil y agrega ripple de tensión adicional al valor teórico utilizado en la ecuación
arriba expuesta. La inductancia serie equivalente ESL del capacitor agrega picos y funciones de
pulsos agudos a la forma de onda teórica de ripple. Para reducir estos efectos colocamos a la

salida 2 capacitores en paralelo de 47μF. Un factor a tener también en cuenta es la disposición

física del capacitor sobre el PCB. Los capacitores de salida deben colorarse radialmente
simétricos al rectificador de salida, y las pistas del circuito impreso para la tensión rectificada
deben tener un ancho y un largo similar entre sí. Cualquier diferencia significante entre estas
pistas causa más resistencia en serie e inductancia para el capacitor. Además se coloca un
capacitor en paralelo un capacitor de alta frecuencia ya que los capacitores de aluminio y tantalio
no son capaces de absorber las componentes de corriente de muy alta frecuencia que puedan
presentarse. Un capacitor cerámico de 0,1μF o 0,01μF es suficiente para esta aplicación.
!
!
!
3.7 - El capacitor de acoplamiento
!
Como discutimos anteriormente, la topología de medio puente es muy utilizada en
convertidores off-line debido a que la tensión de bloqueo de los transistores de potencia no es el
doble de la alimentación como en el caso de los convertidores forward de simple switch, y la
topología push-pull. Otra ventaja de esta topología es que permite balancear los Volts/segundo
de cada transistor de conmutación automaticamente para prevenir la saturación utilizando un
método sencillo de balanceo del intervalo de cada transistor sin emplear núcleos con entrehierro,
y sin correctores de simetría. El capacitor de acoplamiento para esta tarea es normalmente sin
polaridad, conectado en serie con el bobinado primario, y debe ser capaz de manejar la corriente
del primario. Deberá, además, tener un valor bajo de ESR para evitar el calentamiento.
Un aspecto importante relacionado con el valor del capacitor de acoplamiento es la
tensión de carga de éste. Debido a que el capacitor se carga y descarga en todos los semiciclos de
conmutación de los transistores, la componente de continua se adicionará a Vin/2. La tensiónde
carga en el capacitor será
I donde: I = corriente en el primario
VC = ⋅ Δt
C
C = valor del capacitor
∆t = intervalor de tiempo de
carga del capacitor
y Δt = T ⋅ DMAX = tON T = 1 / fSW
!
Para un convertidor de 80 KHz y un ciclo de trabajo máximo de 0,8 el ∆t = 12,5μS * 0,8 = 10μS.
La tensión de carga deberá tener un valor máximo razonable, del 10 al 20% de Vin/2. Es decir, si
Vin = 160V nominal, entonces 16V ≤ ∆Vc ≤ 32V para una bueba regulación.

De la primer ecuación, despejando el valor de C obtenemos

! dt I DMAX ⋅ DMAX ⋅ Δt 0,96A ⋅ 0,8 ⋅10 ⋅10 −6
! C=I⋅
dVC
=
ΔVC
=
20
= 384nF
!
Elejimos 330nF 630V.
!
!
3.8 - El circuito de arranque
!
Un circuito de arranque es un regulador lineal que solo es requerido durante el arranque
inicial de la fuente y cuando la fuente cae fuera de regulación (baja momentanea de tensión de
linea). Luego de que las salidas de la fuente llegan a su valor nominal de tensión, el regulador
lineal no se necesita y es cortado o apagado por un diodo en serie. Esto elimina un método
ineficiente o impráctico (como lo sería una fuente auxiliar o un elemento disipativo) para generar
la tensión de alimentación de los CI de control. El circuito implementado se muestra en el
esquemático de la fuente, figura . Los pasos para su diseño son
!
1. El resistor de base debe tener un valor lo mas alto posible debido a que este representa
una perdida de estado permanente:
! Vin(low ) 282,2V (339, 4V )2
! Rb =
Ib
=
0.5 mA
= 564, 4ΩK PRb = Vin(max)2 ⋅ Rb =
540KΩ
= 0,213W
!
Elegimos dos resistores de 270KΩ en serie 1/2W.
!
2. El resistor de colector será
!
! Rc =
Vin(low) (282,2V − 10V )
Ic
=
0,005A
= 54, 44 KΩ ! 56 KΩ PRc =
(329, 4V )2
56KΩ
= 1,94W
!
!
A pesar de que este resistor es usado solo momentaneamente durante funcionamiento
normal, este regulador puede ser reactivado si ocurre una condición de sobre corriente , asique
debe ser de potencia mínima de 2W.

3. El transistor puede ser de baja potencia, pero debe ser capaz de soportar la tensión de
entrada, 311V. Elegimos en este caso el transistor TIP50, el cual posee una VCE de 400V y corriente
de colector Ic de 1A.
4. El zener se utiliza para tener una tensión de emisor de 10V, por lo que el valor del diodo
zener deberá ser de 11V ( Vbe≃ 0,7V ). Se escoje el zener 1N5240 de 11V - 0,5W.
!
!
3.9 - El circuito PWM
!
Para realizar el driver PWM de los transistores en conmutación que controlan la tensión
sobre el bobinado primario del transformador se elige el integrado SG3525 (ver hoja de datos
adjunta). La frecuencia de conmutación de 80KHz se obtiene de la formula siguiente, donde se ha
elegido el capacitor de 1nF y la resistencia de tiempo muerto RD de 220Ω, y se despeja el valor de
la resistencia RT.
! 1 1
f= = = 80 KHz
! CT ⋅ ( 0, 7RT + 0, 3RD ) 1⋅10 ( 0, 7 ⋅ RT + 0, 3⋅ 220Ω )
−9
! RT = 17763Ω
!
Para efectuar un ajuste y calibración posterior de la frecuencia de oscilación colocamos un
potenciometro de 20KΩ.
Para asegurar que los valores de salida del PWM quedan sujetos a un valor máximo y
mínimo, colocamos diodos a la salida de cada canal PWM del integrado conectados a VCC y a
GND.
!
!
3.10 - Sensor de corriente
!
Se decidió utilizar un transformador de corriente para sensar la señal de corriente del
primario, debido a que los métodos resistivos son imprácticos en la topología de medio puente.
Para esto utilizamos un núcleo toroidal de ferrite. La tensión del secundario del transformador de
corriente debe ser determinada para poder obtener una forma de corriente representativa de lo
que sucede en el primario.

El esquemático del sensor se muestra en la figura de esquematico general. El resistor en el

secundario del transformador de corriente genera la caída de tensión necesaria para que luego
sea rectificada por el puente de diodos Schottky y filtrada por los capacitores de salida. Se
colocan luego 2 diodos en serie para generar una caída adicional de 1,2V. Bajo funcionamiento
normal, el transistor Q4 se encuentra apagado y la tensión en el pin de trigger del 555 se
mantiene en alto, lo que mantiene su salida en bajo. Cuando se produce una condición de
sobrecorriente por el primario de T3, se ve reflejado en el secundario como una caída de tensión
proporcional, la cual se ajusta con el potenciometro R19. Cuando esta tensión es suficiente para
encender el transistor Q4, el LM555 configurado como mono-estable pone su salida en alto, lo
que activa el led de sobrecorriente y envía un pulso al pin de apagado del generador de PWM
SG3525, apagando la fuente efectivamente hasta que sea reseteado el 555, lo cual puede ser
realizado por el pulsador S1.
La tensión necesaria en la salida del transformador de corriente es
VCT (sec) ≈ Vsc + 4 ⋅V fwd = 0, 7V + 4 ⋅(0,6V ) = 3,1V
Eligiendo un transformador de 1 a 10, podemos determinar la corriente que circulará por el

secundario cuando tengamos en el primario la corriente máxima a la cual deseamos activar el
apagado de la fuente mediante la formula
NP IS
=
NS IP
!
!
!
!
!
!
!
!
!
!
!
!

3.11 - Realimentación de tensión

!
La función de la realimentación de tensión es mantener la tensión de salida en un valor
constante. El corazón del loop de realimentación de tensión es un amplificador operacional de
gran ganancia llamando amplificador de error, el cual no es mas que un amplificador de alta
ganancia que amplifica la diferencia entre 2 muestras de tensión y crea un voltaje de error. En las
fuentes de alimentación, una de estas tensiones es una tensión de referencia y la otra representa
el nivel de la tensión de salida, el cual es generalmente dividido por una red resistiva hasta ser
llevado al valor de referencia antes de entrar al amplificador de error. Esto crea un punto de
“error cero” para el amplificador de error. Si la salida se desvía del “valor ideal”, la tensión de error
de salida del amplificador cambia significativamente. Esta tensión de error es luego utilizada por
la fuente para proveer una corrección al ancho de pulso del PWM para llevar la tensión de salida
nuevamente a su valor normal. Los mayores desafíos de diseño alrededor del amplificado de error
se deben a la alta ganancia en DC que promueve una buena regulación de carga a la salida, y a
una buena respuesta en alta frecuencia lo que da buena respuesta transitoria de carga. La
regulación de salida en la carga es que tan cerca del valor ideal se mantiene el voltaje de salida
frente a una variación en la carga. La respuesta transitoria se refiere a que tan rápido la tensión
de salida vuelve a su valor nominal luego de que una respuesta en escalón se aplica a la carga de
salida.
Para el caso de la fuente implementada utilizamos una realimentación opto-acoplada ya
que la salida debe estar aislada del circuito de entrada y de control. La razón de transferencia de
corriente del optoaislador Ctrr (Current Transfer Ratio) o Iout/Iin, varía con la temperatura, puede
degradarse ligeramente con el tiempo, y tiene típicamente una gran tolerancia entre parte y
parte. Ctrr es la ganancia de corriente de un optoacoplador medida en porcentaje. Para
compensar por las variaciones posibles en el optoacoplador y para eliminar la necesidad de un
potenciometro, el amplificador de error debe ser colocado del lado secundario del
optoacoplador. El amplificador de error sensará la desviación en la salida causada por la deriva
del optoacoplador y ajustará su corriente de acuerdo a esto. El esquemático de una configuración
típica se muestra en la figura 3.6.
Figura 3.6 - Ejemplo de realimentación de tensión optoacoplada.

4‣ Mediciones y resultados
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4.1 - Capturas de osciloscopio
Figura 4.1 - VGS Transistor lado alto.
Figura 4.2 - VGS Transistor lado bajo.
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Figura 4.3 - Tensión sobre el primario del transformador de potencia.
Figura 4.4 - Tensión de ripple sobre la carga.
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4.2 - Máxima potencia de salida

!
Los máximos valores de tensión y corrientes obtenidos se muestran en la fotografía
debajo. Se logró mantener la fuente funcionando en este estado por no menos de 20 minutos. La
tensión de salida fue de 19,8V y la corriente de 3,14A, lo que nos dió una potencia de salida de
aproximadamente 62W.
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!
Fotografía 4.5 - Tensión y corriente de salida.

4.3 - Conclusiones
!
Los resultados obtenidos al realizar el presente trabajo fueron mayormente los esperados,
con algún que otro percance encontrados en el camino. El principal problema que nos
encontramos fue la falta de disponibilidad de núcleos de ferrite en el mercado, lo cual nos
imposibilitaba realizar un calculo preciso y nos obligó a realizar cálculos estimativos y
aproximados sobre un núcleo reciclado de una fuente conmutada de PC. Se relevaron las medidas
del mismo y se lo comparó con una hoja de datos de un fabricante conocido (TDK) donde se
encontró una coincidencia casi perfecta en dimensiones, y se relevaron de allí los valores
necesarios para el cálculo de las vueltas del transformador, asumiendo el material más común
(peor caso). Los resultados obtenidos en el transformador fueron bastante buenos en cuanto a su
operación contínua ya que la sobreelevación de temperatura no fue mayor a 25˚C , pero los
valores de tensión de salida no fueron los calculados (20V cuando el cálculo era para 36V). Se
decidió rebobinar el mismo sobre otra cazoleta aumentando el número de vueltas del primario y
secundario empíricamente; los resultados no han sido aún probados.
Para el arranque de la fuente se optó por un circuito no disipativo con un transistor, el cual
es cortado o apagado una vez que la fuente entra en régimen de funcionamiento. No logramos
hacer funcionar el mismo y la causa no fue aún encontrada, por lo que era necesario hacer el
arranque inicial de la fuente con un circuito externo auxiliar. Una vez encendida, la fuente
funcionaba autónomamente, siendo alimentado el circuito de control por un segundo bobinado
secundario en el transformador de potencia.
En cuanto a los transistores drivers del bobinado primario, no fue necesario colocar una
red snubber, y los mismos no presentaron sobreelevación de temperatura mayor a 20˚C.
El límite encontrado para obtener mayor potencia sobre la carga lo dispusieron los
rectificadores de salida, 2 diodos MUR460, ya que según hoja de datos los mismos eran capaces
de entregar 4A @ 40˚C, y al no estar montados sobre un disipador su elevación de temperatura
fue considerable.
El circuito límite de corriente funcionó según lo esperado, presentando eventualmente
falsos disparos frente al pico de corriente en el momento de encender la fuente lo cual deberá ser
solucionado con algún filtrado RC. El circuito de realimentación de tensión no fue puesto en
práctica por cuestiones de tiempo, pero se implementó de todas formas sobre la plaqueta para
un ensayo posterior.
El esquemático y Layout se adjuntan en el presente informe.
!
!
!
!
Bibliografía
!
[1] - Practical Switching Power Supply Design - Marty Brown (Motorola).
[2] - Power Supply Cookbook _ 2nd Edition- Marty Brown (Newnes).
[3] - Pulse-width Modulated DC-DC Power Converters- Marian K. Kazimierczuk (Wiley)
[4] - Switchmode Power Supply Handbook - Keith Billings.
[5] - Application note 42007 - Safety, EMI and RFI considerations - Fairchild.
[6] - Diseño simplificado de un transformador de potencia - Hugo C. Longoni.
[7] - Fuentes conmutadas, inversores, UPS y regulación de motores - Ramón Oros.
[8] - Switching Power Supplies A-Z - Sanjaya Maniktala.
[9] - Switching Power Supply Design - Keith Billings, Taylor Morey.
[10] - Switching Power Converters, Medium and High Power - Dorin O. Neacsu.

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UNIVERSIDAD TECNOLÓGICA NACIONAL

FACULTAD REGIONAL CÓRDOBA

UTN - FRC ELECTRÓNICA DE POTENCIA !2

1‣ Consignas y circuitos a realizar

2. Efectuar las siguientes mediciones:

UTN - FRC ELECTRÓNICA DE POTENCIA !3

El funcionamiento de las fuentes conmutadas puede ser relativamente simple de

Figura 2.0 - Esquema en bloques de una fuente conmutada PWM.

UTN - FRC ELECTRÓNICA DE POTENCIA !4

rectangular, la amplitud puede ser incrementada o reducida por medio de un

Figura 2.1 - Convertidor forward básico (modo “Buck”)

UTN - FRC ELECTRÓNICA DE POTENCIA !5

UTN - FRC ELECTRÓNICA DE POTENCIA !6

Cuando el interruptor de potencia se apaga o se abre, la tensión a la entrada del inductor

UTN - FRC ELECTRÓNICA DE POTENCIA !7

2.3 - Topología de convertidor Half-Bridge (medio puente)

Figura 2.3 - Esquema básico de un convertidor medio puente.

UTN - FRC ELECTRÓNICA DE POTENCIA !8

2.4 - Análisis en DC del convertidor PWM Half-Bridge en modo

Figura 2.4 - Convertidor Half-Bridge con transformador de punto medio.

El transformador de aislación no tiene que almacenar energía. Su inductancia de magnetización

UTN - FRC ELECTRÓNICA DE POTENCIA !9

Figura 2.5 - Convertidor Half-Bridge con capacitor de acoplamiento Cc.

El convertidor half-bridge aquí implementado emplea un rectificador de onda completa

UTN - FRC ELECTRÓNICA DE POTENCIA !10

UTN - FRC ELECTRÓNICA DE POTENCIA !11

UTN - FRC ELECTRÓNICA DE POTENCIA !12

UTN - FRC ELECTRÓNICA DE POTENCIA !13

Tensión de entrada 200 a 240 V

Tensión de salida +36 VDC

Ripple de tensión de salida máx, 400 mV

Regulación en la línea y carga ±1%

Eficiencia 75% mín.

Frecuencia de conmutación 80 KHz

Potencia de salida nominal PO = 36V . 2A = 72W

Potencia de entrada estimada Pin(est) = 72W / 0,75 = 96W

Tensiones de entrada DC VINlow = √2 . 200 V

Corriente de entrada promedio (DC) IINmáx = 96W / 282,8 V

IINmin = 96W / 339,4 V

Corriente pico máxima estimada Ipk = 2,8 . (96W) / 282,8 V

3! Cálculos extraídos de [2]

UTN - FRC ELECTRÓNICA DE POTENCIA !14

Transistores de conmutación, MOSFETs, diodos, transformadores e inductores son las fuentes

Figura 3.1 - Filtrado en modo común y en modo diferencial.

UTN - FRC ELECTRÓNICA DE POTENCIA !15

UTN - FRC ELECTRÓNICA DE POTENCIA !16

El circuito propuesto de la etapa de entrada es el siguiente:

Figura 3.2 - Etapa de entrada.

UTN - FRC ELECTRÓNICA DE POTENCIA !17

3.3 - Semiconductores de potencia

VDSS > Vin > 340VDC

UTN - FRC ELECTRÓNICA DE POTENCIA !18

UTN - FRC ELECTRÓNICA DE POTENCIA !19

UTN - FRC ELECTRÓNICA DE POTENCIA !20

! Part No. (mm=)

PC47EI33/29/13-Z 0.567 119 67.5 8030 41 4400±25% 2.7

UTN - FRC ELECTRÓNICA DE POTENCIA 001-01 / 20140317 / ferrite_mz_sw_e_en.fm

un nivel bajo, de 150mT. Por recomendación de diversos profesores y dada su experiencia en el

UTN - FRC ELECTRÓNICA DE POTENCIA !22

La profundidad de penetración ∂ en un conductor de cobre a 100˚C, en función de la

UTN - FRC ELECTRÓNICA DE POTENCIA !23

Figura 3.4 - Técnica de bobinado utilizada.

UTN - FRC ELECTRÓNICA DE POTENCIA !24

El circuito propuesto de la etapa de entrada es el siguiente: 