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Guı́a de ejercicios N◦ 2

Dispositivos de Semiconductores
Profesor: Héctor Young C.
Departamento de Ingenierı́a Eléctrica, Universidad de La Frontera

1. En una barra semiconductora de 1 cm de largo, la velocidad de desplazamiento promedio


de huecos es 103 cm/s cuando se aplica una tensión de 2 V en los extremos de la barra.
Determine la movilidad de los portadores en el material.

2. En un material semiconductor altamente dopado ¿la movilidad de los portadores será


más alta, más baja o igual que en la forma intrı́nseca del mismo material?

3. Se dispone de dos muestras de GaAs, una tipo p y la otra de tipo n, dopadas uni-
formemente con NA = ND ≫ ni . ¿Cuál de las dos muestras tendrá mayor resistividad?
Explique.

4. En una muestra de silicio la movilidad de los portadores es de 1300 cm2 /(Vs) a tem-
peratura ambiente. ¿Se trata de un material tipo p o tipo n? Calcule el coeficiente de
difusión.

5. Se planea fabricar una resistencia a partir de una barra de silicio dopada con
ND = 9 × 1014 /cm3 . A partir de datos experimentales se sabe que la movilidad de
portadores para esa temperatura y concentración de impurezas es µn = 1350 cm2 /(Vs).
Determine el área de sección transversal que debe tener el semiconductor para que la
resistencia sea de 500 Ω.

6. Una juntura de silicio a temperatura ambiente se encuentra en condiciones de equilibrio.


Está dopada con NA = 2 × 1015 /cm3 en el lado p y ND = 1015 /cm3 en el lado n. Calcule
el potencial de barrera.

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7. La figura muestra las concentraciones de portadores en una juntura p − n a temperatura
ambiente. Concentraciones n ó p
(escala logarı́tmica)

nn
pp 1015
1014

106
105
103
102
x
−xp xn

(a) ¿El diodo está polarizado de manera inversa o directa?


(b) ¿Cuáles son las concentraciones de impurezas en los lados n y p?
(c) Determine el voltaje aplicado a la juntura.

Respuestas
1. µp = 500 cm2 /(V · s)

2. Será más baja. En un material intrı́nseco la dispersión de los portadores por interac-
ciones con otras partı́culas se debe sólo a colisiones con átomos de la estructura cristalina.
Cuando el material está dopado se agrega la interacción con impurezas ionizadas. Mien-
tras más alta sea la dispersión por colisiones, más baja será la movilidad.

3. En la mayorı́a de los semiconductores µn > µp para una determinada concentración de


dopaje y temperatura. Por esto, ρ(material P) > ρ(material N) .

4. DN = 33.8 cm2 /s.

5. Área = 10.28 × 10−3 cm2 .

6. Vbi = 0.617 V.

7. (a) Inversa. Existe un déficit de portadores minoritarios en la región adyacente a la


zona de agotamiento.
(b) NA = 1014 /cm3 (lado p), ND = 1015 /cm3 (lado n).
(c) VA = −0.18 V.

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