VICERRECTORADO DOCENTE Código: GUIA-PRL-001

CONSEJO ACADÉMICO Aprobación: 2016/04/06

Formato: Guía de Práctica de Laboratorio / Talleres / Centros de Simulación

FORMATO DE INFORME DE PRÁCTICA DE LABORATORIO /

TALLERES / CENTROS DE SIMULACIÓN – PARA
ESTUDIANTES

CARRERA: Ingeniería Electrónica. ASIGNATURA: Electrónica Analógica I.

NRO. PRÁCTICA: 10 TÍTULO PRÁCTICA: Análisis de característica de un transistor.

OBJETIVOS:

GENERALES
a. Consultar los manuales y transcribir las características más importantes del transistor 2N2222.
(DataSheet Philips).Diseñar y calcular los componentes para un funcionamiento en zona lineal.
b. Conocer y utilizar correctamente el funcionamiento de cada uno de los instrumentos y equipos:
multímetro y fuente de alimentación.
ESPECIFICOS:
a. Armar los circuitos en el Protoboard correspondientes a los circuitos en AC y DC.
b. Utilizando el multímetro digital identifique los terminales de cada tipo de transistor disponible y de paso
compruebe que están en buen estado, determinando el voltaje umbral y condición para cada caso
c. .Para cada circuito, controlar su verificación por medio de simulaciones correspondientes.

ACTIVIDADES DESARROLLADAS
1. Marco Teórico
TRANSISTOR
El transistor bipolar fue el primer dispositivo activo de estado sólido. Fue inventado en 1949 en los Laboratorios
Bell por W. Schockley, J. Bardeen y W. Brattain (que recibieron el premio Nobel en 1956). También se suele
denominar por sus siglas inglesas BJT (bipolar junction transistor).
Se trata de un dispositivo formado por dos uniones y que tiene tres terminales (llamados emisor, base y colector).
Hay dos tipos, npn y pnp:

Figura 1. Tipos de transistores

Resolución CS N° 076-04-2016-04-20
 VICERRECTORADO DOCENTE Código: GUIA-PRL-001

CONSEJO ACADÉMICO Aprobación: 2016/04/06

Formato: Guía de Práctica de Laboratorio / Talleres / Centros de Simulación

El BJT como fuente de corriente controlada por voltaje

En este apartado vamos a introducir el BJT como una fuente de corriente controlada por tensión. Supongamos
una unión PN polarizada en inverso. Se puede considerar que es una fuente de corriente casi ideal porque la
corriente que la atraviesa es independiente de la tensión entre sus extremos, como se ilustra en la Figura 2.
Sin embargo, presenta un inconveniente: la corriente es muy pequeña
(IS) y está limitada por la generación térmica de minoritarios en las cercanías de la unión. Esta corriente podría,
no obstante, incrementarse generando minoritarios, por ejemplo, mediante luz. Además, con la intensidad de la
luz podemos controlar la intensidad de la fuente de corriente. Sería bueno poder hacer esto eléctricamente. Para
ello, podríamos añadir una unión más al sistema, puesto que en una unión P+N se inyectan huecos desde la
zona P+ en la zona N y el número de huecos inyectados depende de la tensión aplicada en esta unión. Por
tanto, se tiene entonces una fuente de corriente controlada por tensión (que determina el número de huecos
inyectados en el semiconductor N).

Figura 2. Grafica de como trabaja la corriente

Dicen características del BJT las curvas tensión corriente de los distintos terminales del BJT.
Se dice característica de entrada la curva que expresa la tendencia de la corriente de base IB en función de la
tensión de base VBE, tales como la siguiente, que se refiere al transistor NPN BCW82.

Resolución CS N° 076-04-2016-04-20
 VICERRECTORADO DOCENTE Código: GUIA-PRL-001

CONSEJO ACADÉMICO Aprobación: 2016/04/06

Formato: Guía de Práctica de Laboratorio / Talleres / Centros de Simulación

Figura 3. Grafica de la curva de transistor

2. Materiales
- Equipos electrónicos

 Fuente de voltaje Ac y Dc.

 Generador de Funciones.
 Osciloscopio.
 Multímetro.
 Multisim.

- Componentes

 Protoboard.
 Transistores.
 Resistencias.
 Diodos.

3) DESARROLLO
1.- Consultar los manuales y transcribir las características más importantes del transistor 2N2222.
(DataSheet Philips).

El 2N2222, también identificado como PN2222, es un transistor bipolar NPN de baja potencia de uso general.
Es un transistor de silicio de mediana potencia con una polaridad npn, construido mediante el proceso de base
epitaxial y designado para aplicaciones de amplificación lineal y conmutación. Puede amplificar pequeñas
corrientes a tensiones pequeñas o medias y trabajar a frecuencias medianamente altas. Es fabricado en
diferentes formatos, los más comunes son los TO-92,TO-18,SOT-23, y SOT-223.

Resolución CS N° 076-04-2016-04-20
 VICERRECTORADO DOCENTE Código: GUIA-PRL-001

CONSEJO ACADÉMICO Aprobación: 2016/04/06

Formato: Guía de Práctica de Laboratorio / Talleres / Centros de Simulación

Fig 1. Transistor 2N2222.

Atajo 2N2222 (147) recomendad result.

Coincide 2N2222(17) 2N2222A(29) P2N2222(3)

Empieza 2N2222*(110) 2N2222A*(79) 2N2222C*(1) 2N2222D*(1)

Termina *2N2222(5) *-2N2222(1) *T2N2222(1)

Incluye *2N2222*(15) *2N2222A*(2)

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.5

Tensión colector-base (Ucb): 60

Tensión colector-emisor (Uce): 30

Tensión emisor-base (Ueb): 5

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.8

Temperatura operativa máxima (Tj), °C: 175

Resolución CS N° 076-04-2016-04-20
 VICERRECTORADO DOCENTE Código: GUIA-PRL-001

CONSEJO ACADÉMICO Aprobación: 2016/04/06

Formato: Guía de Práctica de Laboratorio / Talleres / Centros de Simulación

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Producto de corriente -- ganancia — ancho de banda (ft): 250

Capacitancia de salida (Cc), pF: 8

Ganancia de corriente continua (hFE): 100

Empaquetado / Estuche: TO18

2.-Utilizando el multímetro digital identifique los terminales de cada tipo de transistor disponible y de
paso compruebe que están en buen estado, determinando el voltaje umbral y condición para cada caso.

2N2222 BC547 2N3906

DIRECTA BE = BC = BE = BC = BE = OL BC = OL
0.672 0.670 0.714 0.711
INVERSA BE = OL BC = OL BE = OL BC = OL BE = BC = 0.717
0.724
CE = OL CE = OL CE = OL CE = OL CE = OL CE = OL

TIPO NPN NPN PNP

Tabla 1. Calculo de las terminales de los tipos de transistor.

3.- Realizar el circuito de la figura, llenar la tabla de valores mediante el multímetro digital, para el 2N2222.

+Vcc

RC
3.9K

Rb Q1
2N2222

E1 1M
DC = 5Vcc VBE VCE

Resolución CS N° 076-04-2016-04-20
 VICERRECTORADO DOCENTE Código: GUIA-PRL-001

CONSEJO ACADÉMICO Aprobación: 2016/04/06

Formato: Guía de Práctica de Laboratorio / Talleres / Centros de Simulación

Rb VBE Cálculo Vcc VRC VCE Cálculo Calculo Rc

Ib (uA) Ic (mA) β

1 MΩ 0.6 4.7 3Vcc 2.2 0.9 0.954 202.97 2.2 K

5Vcc 2.2 3.8 0.545 115.95 2.2 K

10Vcc 7.9 1.9 0.987 210 8.2 K

15Vcc 8.1 6.6 1.024 217.87 8.2 K

470KΩ 0.7 9.14 3Vcc 2.1 1 2 218.81 1K

5Vcc 2.1 2.9 2.1 229.76 1K

10Vcc 4.7 5.3 2.136 233.69 2.2 K

15Vcc 4.8 10.1 2.227 243.65 2.2K

220KΩ 0.7 19.54 3Vcc 2.1 0.9 4.468 228.65 470Ω

5Vcc 2.2 2.9 4.468 228.65 470Ω

10Vcc 4.6 5.4 4.6 235.41 1K

15Vcc 4.9 10.1 4.9 250.76 1K

100KΩ 0.7 43 3Vcc 2.7 0.4 9.629 223.93 270Ω

5Vcc 2.8 2.3 10 232.55 270Ω

10Vcc 8.1 1.9 9.878 229.72 820Ω

15Vcc 8.5 6.4 10.487 243.88 820Ω

82KΩ 0.7 52.44 3Vcc 1.2 1.8 12 228.83 100Ω

5Vcc 1.3 3.8 12 228.83 100Ω

10Vcc 4.2 5.8 12.727 242.69 330Ω

15Vcc 4.5 10.5 13.636 260.03 330Ω

Tabla 2. Curva característica BJT 2N2222

Resolución CS N° 076-04-2016-04-20
 VICERRECTORADO DOCENTE Código: GUIA-PRL-001

CONSEJO ACADÉMICO Aprobación: 2016/04/06

Formato: Guía de Práctica de Laboratorio / Talleres / Centros de Simulación

 Fórmulas Utilizadas

𝑉𝑅𝐶
𝐼𝑐 =
𝑅𝐶
𝑉𝐵𝐸 − 0.7
𝐼𝑏 =
𝐼𝑏
𝐼𝑐 = 𝛽 × 𝐼𝑏
𝐼𝑐
𝛽=
𝐼𝑏

4.- Con los valores obtenidos en la tabla, trace la respectiva característica de ingreso Ib = f(V BE) y salida
Ic = f(VCE) saque sus conclusiones.

Ib=f(VBE)
60

40
Ib(mA)

20

0
0 0.2 0.4 0.6 0.8
VBE(v)

Fig. 2 Característica de ingreso Ib = f(VBE)

Ic=f(VCE)
10000
8000
6000
4000
2000
0
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20

Series1 Series2

Fig. 3 Característica de ingreso Ic = f(VCE)

Resolución CS N° 076-04-2016-04-20
 VICERRECTORADO DOCENTE Código: GUIA-PRL-001

CONSEJO ACADÉMICO Aprobación: 2016/04/06

Formato: Guía de Práctica de Laboratorio / Talleres / Centros de Simulación

5.- Realizar el circuito de la fig1, aplicar al circuito de ingreso Vi = 10Vcc, con el multímetro medir el
VBESAT y VCESAT, verificar si está dentro de los parámetros establecidos en la características eléctricas.

VALORES MEDIDOS:

𝑉𝐵𝐸𝑆𝐴𝑇 = 0.7 𝑉

𝑉𝐶𝐸𝑆𝐴𝑇 = 0𝑉

Fig 4. Caracteristicas electricas.

6.- Medida de los tiempos de conmutación: Realizar el circuito de la fig1, aplicar mediante el Generador
de Funciones una tensión Vi =10Vp, onda cuadrada solo positiva, f = 100Khz, (Utilizar el offset del
generador de funciones), visualizar y graficar las formas de onda por separado de Vi y Vo, determinar el
valor de ton (turn-on-time) y toff(turn-off-time) para el 2N2222, verifique si está dentro de los parámetros
establecidos en las características eléctricas.

Resolución CS N° 076-04-2016-04-20
 VICERRECTORADO DOCENTE Código: GUIA-PRL-001

CONSEJO ACADÉMICO Aprobación: 2016/04/06

Formato: Guía de Práctica de Laboratorio / Talleres / Centros de Simulación

+Vcc= 15Vcc.

RC
1K
Ch2 Vo
Ch1
Rb Q1
2N2222

Vi= +10Vp. 4.7K

Onda cuadrada VBE
Gen. Funciones

Fig.1

Fig 5. Circuito en Conmutacion.

Fig 6. Forma de onda de salida.

Resolución CS N° 076-04-2016-04-20
 VICERRECTORADO DOCENTE Código: GUIA-PRL-001

CONSEJO ACADÉMICO Aprobación: 2016/04/06

Formato: Guía de Práctica de Laboratorio / Talleres / Centros de Simulación

7.- Aumente la frecuencia del Generador de Funciones hasta cuando el transistor NO RESPONDE. Anote
dicho valor límite de frecuencia.

A una frecuencia de 180kHz el transistor ya no responde.

Fig 7. Forma de Onda del Transistor a una frecuencia que no responde Simulada.

Fig 8. Forma de Onda del Transistor a una frecuencia que no responde vista en el Osciloscopio.

Resolución CS N° 076-04-2016-04-20
 VICERRECTORADO DOCENTE Código: GUIA-PRL-001

CONSEJO ACADÉMICO Aprobación: 2016/04/06

Formato: Guía de Práctica de Laboratorio / Talleres / Centros de Simulación

8.- Realizar los puntos 6 y 7 para el transistor BC547 y emita sus comentarios.

Es un transistor amplificador de audio y VHF Freq. Driver con una corriente máxima de colector de 0.6 ampere,
en su composición posee una placa de semiconductor con tres regiones consecutivas de diferente
conductibilidad eléctrica los cuales forman dos uniones n-p-n, las dos regiones extremas tienen un mismo tipo
de conductibilidad, la intermedia, conductibilidad de otro tipo, estas son llamadas emisor, colector y base.
Características

 Polaridad (N-P-N)
 Amplificador, audio to VHF Freq. Driver
 Corriente máxima de colector (Ic) 0.6 Ampere
 De colector a base (CBO) 75 Voltios
 De colector a emisor (CEO) 40 Voltios
 De emisor a base (EBO) 6 Voltios
 Ganancia típica de la corriente directa (hFE) 200 Min
 Máxima disipación de potencia en colector (Pd) 0.625 (Watts)
 Frecuencia en (MHz) 300 Min

Medida de los tiempos de conmutación: Realizar el circuito de la fig1, aplicar mediante el Generador de
Funciones una tensión Vi =10Vp, onda cuadrada solo positiva, f = 100Khz, (Utilizar el offset del generador
de funciones), visualizar y graficar las formas de onda por separado de Vi y Vo, determinar el valor de ton
(turn-on-time) y toff(turn-off-time) para el BC547, verifique si está dentro de los parámetros establecidos
en las características eléctricas.

+Vcc= 15Vcc.

RC
1K
Ch2 Vo
Ch1
Rb Q1
2N2222

Vi= +10Vp. 4.7K

Onda cuadrada VBE
Gen. Funciones

Resolución CS N° 076-04-2016-04-20
 VICERRECTORADO DOCENTE Código: GUIA-PRL-001

CONSEJO ACADÉMICO Aprobación: 2016/04/06

Formato: Guía de Práctica de Laboratorio / Talleres / Centros de Simulación

Fig 9. Circuito en Conmutacion.

Fig 10. Simulacion de Onda cuadrada.

Resolución CS N° 076-04-2016-04-20
 VICERRECTORADO DOCENTE Código: GUIA-PRL-001

CONSEJO ACADÉMICO Aprobación: 2016/04/06

Formato: Guía de Práctica de Laboratorio / Talleres / Centros de Simulación

Aumente la frecuencia del Generador de Funciones hasta cuando el transistor NO RESPONDE. Anote
dicho valor límite de frecuencia.

Ahora comenzamos a aumentar la Frecuencia hasta que el Transistor no responda.

Con 2MHz obtenemos:

Fig 11. Forma de Onda del Transistor BC547 a una frecuencia que no responde Simulada

Fig 12. Forma de Onda del Transistor BC547 a una frecuencia que no responde vista en el Osciloscopio.

Resolución CS N° 076-04-2016-04-20
 VICERRECTORADO DOCENTE Código: GUIA-PRL-001

CONSEJO ACADÉMICO Aprobación: 2016/04/06

Formato: Guía de Práctica de Laboratorio / Talleres / Centros de Simulación

RESULTADO(S) OBTENIDO(S):
Los cálculos obtenidos de los circuitos correspondientes fueron ideales para obtener los diseños adecuados.
Los voltajes y corrientes calculados fueron similares, con cierta cantidad de diferencia. Los circuitos con
transistores fueron primordiales para el estudio correspondiente de los transistores.
CONCLUSIONES:
Al término de esta práctica se concluye que se comprendió la importancia de análisis de un Transistor, su
comportamiento en un Circuito. Se identificó su respectiva polarización y su forma de onda respectiva en cada
circuito propuesto. Se vio las zonas de trabajo del transistor, formas de onda y las características de diferentes
transistores y sus reacciones si son iguales o diferentes.

En el presente informe se da a conocer como se realizó la práctica, las características y funcionamiento del
transistor ver sus como es su conexión y cálculos.

RECOMENDACIONES:
Es recomendable utilizar los equipos que están en el laboratorio de una manera adecuada caso contrario
podemos echarlos a perder, es indispensable tener conocimientos previos en la materia y en el uso de los
equipos que tendremos que utilizar en la práctica.

Nombre de estudiante: Rolando Marca Byron Viscaino

Firma de estudiante:

Resolución CS N° 076-04-2016-04-20