O germânio (GE) e o silício (SI) são os mais usados para
diodos e transistores, pois possuem a ultima camada de seu átomo com 4 elétrons, o que o torna mais estável, mas para se tornar útil como componente eletrônico esses elementos são “dopados” com átomos para adquirirem propriedades positivas ou negativas. Se “dopado” com arsênio (AS), que possui 5 elétrons na ultima camada de seu átomo, tanto o germânio quanto o silício, resulta que a resistividade ou capacidade do material de conduzir a corrente se altera, e se tornam bons condutores de correntes elétricas. Como o transporte das cargas é feito neste material pelos elétrons que sobram ou elétrons livres que são cargas negativas, o material obtido desta forma, pela adição deste tipo de impureza, se torna um semicondutor do tipo N (negativo). Agora para obtermos um material semicondutor do tipo P (positivo), acrescentamos o índio (IN), que possui átomos com 3 elétrons na sua última camada, como os portadores de carga neste caso são lacunas, e a falta de elétrons corresponde ao predomínio de uma carga positiva, dizemos então que o material semicondutor obtido é do tipo P (positivo).