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UNIVERSIDADE FEDERAL RURAL DO SEMI-ÁRIDO

CENTRO MULTIDISCIPLINAR DE PAU DOS FERROS


ENGENHARIA DE COMPUTAÇÃO
PEX245 – ELETRÔNICA ANALÓGICA

JUAN CARLOS SOARES DE OLIVEIRA


JORGIANIA VANERICA ALVES DIAS
RAFAEL VIEIRA ABRANTES
SARA GUIMARAES NEGREIROS

LABORATÓRIO DE ELETRÔNICA ANALÓGICA: PROJETO II –


TRANSISTORES TJB

PAU DOS FERROS


Julho de 2018
LISTA DE FIGURAS

Figura 1: Estrutura do TJB a) pnp e b) npn .......................................................... 6


Figura 2: Polarização simultânea das junções. ..................................................... 6
Figura 3: a) TJB como fonte de corrente controlada por tensão e b) TJB como
fonte de corrente controlada por corrente. ........................................................................ 7
Figura 4: a) Representação com fonte de corrente controlada por tensão e b)
Representação com fonte de corrente controlada por corrente......................................... 8
Figura 5: Circuito operando em modo de saturação ............................................. 9
Figura 6: Esquema de simulação do circuito (a) ................................................ 16
Figura 7: Esquema de simulação do circuito (b) ................................................ 16
Figura 8: Esquema de simulação do circuito (c) ................................................ 17
Figura 9: Esquema de simulação do circuito (d) ................................................ 17
Figura 10: Esquema de simulação do circuito (e) .............................................. 18
Figura 11: Esquema de simulação do circuito (f) ............................................... 19
Figura 12: Esquema de simulação do circuito (g) .............................................. 19
Figura 13: Esquema de simulação do circuito (h) .............................................. 20
Figura 14: Esquema de simulação do circuito (i). .............................................. 20
Figura 15: Esquema de simulação do circuito (j) ............................................... 21
Figura 16: Esquema de simulação do circuito (k) .............................................. 21
Figura 17: (a) circuito A com 0V na entrada e (b) com 5mV. ............................ 22
Figura 18: (a) Circuito com tensão de entrada 0𝑉 e (b) 20𝑚𝑉. ......................... 23
Figura 19: Circuito C com tensão de entrada (a) 0𝑉 e (b) 20𝑚𝑉. ..................... 24
Figura 20: (a) circuito D com 0 𝑉 na entrada e (b) com 5 𝑚𝑉. .......................... 25
SUMÁRIO

1. INTRODUÇÃO .................................................................................... 4

2. REFERENCIAL TEÓRICO ................................................................. 5

2.1. Composição dos transistores ...........................................................................5

2.2. Modos de operação .........................................................................................6

2.3. Modelos de transistor ......................................................................................7

1.1.1. Modelo 𝜋-hibrido.............................................................................. 7

1.1.2. Modelo T .......................................................................................... 7

2.4. Operação no modo saturação ..........................................................................8

3. RESULTADOS E DISCUSSÕES ...................................................... 10

3.1. Análise analítica ............................................................................................10

3.2. Análise prática ...............................................................................................14

3.3. Análise numérica ...........................................................................................15

1.1.3. O transistor como amplificador ...................................................... 21

REFERÊNCIAS BIBLIOGRÁFICAS ........................................................................... 26


1. INTRODUÇÃO
A microeletrônica apresenta uma história longa em um curto período de tempo.
Como fatos históricos marcantes, pode-se mencionar a descoberta do efeito transistor
em 1947 e o desenvolvimento dos Circuitos Integrados (CI’s) em 1959 que resultou nos
primeiros CI’s comerciais em 1962 (MARTINO, 2006). Um dos elementos eletrônicos
que mais causou impacto após sua invenção foi o transistor, que também teve uma
evolução que criou uma infinidade de horizontes tecnológicos que eram impensáveis
pelo homem.
O objetivo deste relatório é apresentar uma análise teórica e prática de circuitos
utilizando Transistores de Junção Bipolar (TJB). Ele está organizado da seguinte forma:
No capitulo 2 é apresentado o referencial teórico que foi necessário para o
desenvolvimento das análises. No capítulo 3 será apresentado as análises analítica,
numérica e prática. Os circuitos utilizados para este relatório e o datasheet dos
transistores utilizados se encontram-se como anexo.

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2. REFERENCIAL TEÓRICO
Neste capitulo iremos falar sobre os fundamentos teóricos de um transistor,
dispositivo utilizado para a realização das análises deste trabalho, nele será apresentado
a composição, modos de operação, modelos e suas aplicações.

2.1. Composição dos transistores


O Transistor de Junção Bipolar (TJB) é um componente eletrônico de 3
terminais, formado por duas junções pn e constituído por materiais semicondutores. Ele
tem como função ser um controlador de corrente, podendo amplificar sinais AC, ou
também podendo ser uma chave eletrônica (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013).
Os terminais do transistor são:
 Emissor (E): fortemente dopado; emite portadores de carga para base.
 Base (B): dopagem média; a maioria dos portadores lançados do emissor,
conseguem atravessá-la, dirigindo-se ao coletor.
 Coletor (C): levemente dopado; possui uma maior área, pois dissipa a maior
parte da potência gerada e recolhe os portadores que vem da base.
Na Figura 1 a) e b) é possível observar as estruturas das duas junções do TJB,
base-emissor (BE) e coletor-base (CB). Devido as suas características de
funcionamento, foi atribuído o termo bipolar, onde aparece portadores de cargas com as
duas polaridades.

5
Figura 1: Estrutura do TJB a) pnp e b) npn.
Fonte: BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013

2.2. Modos de operação


O transistor como amplificador, opera na região ativa no tratamento de sinais de
forma linear, como chave opera na região de corte e de saturação no tratamento de
sinais digitais (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013).
É formado duas regiões de depleção em torno do JEB e JCB quando as junções
estão em temperatura ambiente e equilíbrio térmico do dispositivo, se não houver
polarizações externas, cada uma das regiões de depleção se comporta como nos diodos
(BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013).
A partir de uma polarização simultânea das duas junções, as operações do TJB
podem ser obtidas de acordo com as condições necessárias indicadas na Tabela 1.
Tabela 1: Condições para os modos de operação.

JEB JCB
Corte Reversa Reversa
Ativo Direta Reversa
Saturação Direta Direta

Na Figura 2, é apresentado uma aplicação de polarização simultânea das junções


em um transistor pnp. A partir da largura da região de depleção é possível identificar
qual região está polarizada diretamente e qual está aplicada reversamente
(BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013).

Figura 2: Polarização simultânea das junções.


Fonte: (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013).

6
2.3. Modelos de transistor
Existe alguns modelos de circuitos equivalentes para o TJB. Neste
tópico, iremos tratar de dois tipos deles.

1.1.1. Modelo 𝜋-hibrido


Neste modelo o TJB é representado por uma fonte de corrente controlada
por tensão e inclui uma resistência na entrada da base, 𝑟𝜋 (SEDRA, 2000). Esse modelo
produz:
𝑣𝑏𝑒
𝑖𝑐 = 𝑔𝑚 𝑣𝑏𝑒 e 𝑖𝑏 = 𝑟𝜋

Ele também produz equações para 𝑖𝑒 :


𝑣𝑏𝑒 𝑣𝑏𝑒
𝑖𝑒 = + 𝑔𝑚 𝑣𝑏𝑒 = (1 + 𝑔𝑚 𝑟𝜋 )
𝑟𝜋 𝑟𝜋
𝑣𝑏𝑒 𝑣𝑏𝑒 𝑣𝑏𝑒
= (1 + 𝛽) = =
𝑟𝜋 𝑟 𝑟𝜋
( 𝜋 )
1+𝛽
Na Figura 3, é apresentado duas versões diferente do modelo 𝜋-hibrido
simplificado para operação do TJB com pequenos sinais.

Figura 3: a) TJB como fonte de corrente controlada por tensão e b) TJB como fonte de corrente
controlada por corrente.
Fonte: SEDRA, 2000.

1.1.2. Modelo T
Para análise de pequenos sinais de transistores, existe outro modelo
alternativo, o modelo T. Neste modelo, o TJB é representado como uma fonte de
corrente controlado por tensão onde 𝑣𝑏𝑒 é a tensão de controle. Assim como no modelo
𝜋-hibrido, o modelo T produz algumas equações também.

7
𝑣𝑏𝑒 𝑣𝑏𝑒
𝑖𝑏 = − 𝑔𝑚 𝑣𝑏𝑒 = (1 − 𝑔𝑚 𝑟𝑒 )
𝑟𝑒 𝑟𝑒
𝑣𝑏𝑒 𝑣𝑏𝑒 𝛽
= (1 − 𝛼) = (1 − )
𝑟𝑒 𝑟𝑒 𝛽+1
𝑣𝑏𝑒 𝑣𝑏𝑒
= =
(𝛽 + 1)𝑟𝑒 𝑟𝜋
Na Figura 4, é a apresentado duas versões diferentes do modelo T para
operação com o TJB.

Figura 4: a) Representação com fonte de corrente controlada por tensão e b) Representação com fonte de
corrente controlada por corrente.
Fonte: SEDRA, 2000.

2.4. Operação no modo saturação


Designar que um transistor está em modo de saturação significa que ele atingiu
seus valores máximos. O nível mais alto de saturação é obtido pela corrente máxima
que percorre o coletor, mas evita-se esse estado, pois a junção base-coletor não é mais
polarizada reversamente e ocorrem distorções no sinal amplificado na saída
(BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013).
Um transistor opera modo de saturação quando a tensão entre o terminal do
coletor e o terminal do emissor, 𝑉𝐶𝐸 , é nula. Além disso, na condição de saturação a
corrente no coletor, 𝐼𝐶 = 𝐼𝐶𝑠𝑎𝑡 , deve ser alta. Para determinar a corrente máxima
permitida para o circuito da Figura, por exemplo, faz-se um curto circuito entre o
coletor e o emissor do transistor, 𝑉𝐶𝐸 = 0, de modo que 𝐼𝐶𝑠𝑎𝑡 = 𝑉𝐶𝐶 /𝑅𝐶 .

8
Figura 5: Circuito operando em modo de saturação
Fonte: (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013)

9
3. RESULTADOS E DISCUSSÕES

3.1. Análise analítica


Com o intuito de diminuir o erro da análise averiguamos a disponibilidade dos
resistores no laboratório. Na Tabela 2 encontram-se os valores dos resistores na prática
e os valores analíticos, ou seja, aqueles apresentados na lista do Anexo A (ANEXO A –
LISTAS DOS CIRCUITOS PARA ANÁLISE).
Tabela 2: Valores utilizados para os resistores dos circuitos

Circuito 𝑹𝑰 (Ω) 𝑹𝒂𝒏𝒂𝒍í𝒕𝒊𝒄𝒐 (Ω) 𝑹𝒑𝒓á𝒕𝒊𝒄𝒐 (Ω)


𝑅𝐶 3,3k 3,22𝑘
a) 𝑅𝐵 250k 246,68𝑘
𝑅𝐸 2k 2,2𝑘
𝑅𝐵1 80k 80,9𝑘
b) 𝑅𝐶 4,7k 4,7𝑘
𝑅𝐵2 20k 22𝑘
𝑅𝐸 1k 0,97𝑘
c) 𝑅𝐵 470k 470𝑘
𝑅𝐶 2,7k 2,57𝑘
d) 𝑅𝐶 1,9k 283𝑘
𝑅𝐵 283k 1,9𝑘
e) 𝑅𝐵 865k 867𝑘
𝑅𝐶 2,2k 2,66𝑘
𝑅𝐸 0,68k 0,63𝑘
f) 𝑅𝐶 2,7k 2,66𝑘
𝑅𝐵 723k 730𝑘
𝑅𝐸 0,68k 0,59𝑘
g) 𝑅𝐶 3,9k 3,7𝑘
𝑅𝐵1 62k 61𝑘
𝑅𝐵2 9,1k 9𝑘
𝑅𝐶 4,7k 4,7𝑘
h) 𝑅2 = 𝑅𝐵2 5,6k 5,6k
𝑅𝐸 1,2k 1,4𝑘

10
𝑅1 = 𝑅𝐵1 32,2 39,6𝑘
𝑅𝐶 3,6k 3,8𝑘
i) 𝑅𝐵 470k 470𝑘
𝑅𝐸 0,51k 0,6𝑘
j) 𝑅𝐵 510k 510𝑘
𝑅𝐶 3,3k 3,3𝑘
𝑅𝐵2 16k 16,5𝑘
k) 𝑅𝐸 0,75k 0,9𝑘
𝑅𝐶 2,2k 2,2𝑘
𝑅𝐵1 82k 81𝑘

Para o circuito (a) percebeu-se que a tensão em 𝑉𝐶 não teria como ser 20 𝑉, pois
está é a tensão da fonte e antes de chegar ao coletor do transistor essa tensão sofre uma
queda em seu valor devido o resistor 𝑅𝐶 = 3,3 𝑘Ω.
Para o circuito (b) notou-se o mesmo problema apresentado no circuito (a).
Novamente no coletor do transistor, mas agora 𝑅𝐶 = 4,7 𝑘Ω.
Para os circuitos a seguir os transistores operam no modo ativo cujas principais
características são 𝑉𝐵𝐸 = 0,7 𝑉, 𝐼𝐶 = 𝛽𝐼𝐵 , 𝐼𝐸 = (𝛽 + 1)𝐼𝐵 .
Analisando o circuito (c) percebe-se que 𝑉𝐸 = 0 𝑉, pois a tensão medida será
diretamente com o terra. Aplicando a lei de Kirchhoff das malhas para o terminal da
base do transistor tem-se 𝑉𝐶𝐶 − 𝑅𝐵 𝐼𝐵 − 𝑉𝐵𝐸 − 𝑉𝐸 = 0, por tratar-se do transistor no
modo ativo, 16 − 𝑅𝐵 𝐼𝐵 − 0,7 = 0. Isolando 𝐼𝐵 tem-se 𝐼𝐵 = 0,033𝑚𝐴 donde 𝐼𝐶 =
2,97 𝑚𝐴 e 𝐼𝐸 = 3 𝑚𝐴. Além disso, 𝑉𝐶 = 𝑅𝐶 𝐼𝐶 = 8𝑉, e 𝑉𝐵 = 𝑉𝐵 − 𝑉𝐸 = 0,7𝑉.
Portanto,
𝑉𝐵 = 0,7 V 𝐼𝐵 = 0,033 mA
{ 𝑉𝐶 = 8 𝑉 𝑒 { 𝐼𝐶 = 2,97 mA
𝑉𝐸 = 0 V 𝐼𝐸 = 3 mA
No circuito (d) percebe-se que 𝑉𝐶 = 𝑅𝐶 𝐼𝐶 onde 𝐼𝐶 = 80𝐼𝐵 e 𝐼𝐸 = (80 + 1)𝐼𝐵 ,
logo, 𝑉𝐶 = 6𝑉 e isolando 𝑅𝐶 tem-se 𝑅𝐶 = 1,9 kΩ . Além disso, 𝑉𝐸 = 0 𝑉, conforme
discutido, logo, 𝑉𝐵𝐸 = 𝑉𝐵 = 0,7 𝑉 = 𝑅𝐵 𝐼𝐵 . Isolando 𝑅𝐵 tem-se 𝑅𝐵 = 283 kΩ.
Desse modo,
𝑉𝐵 = 0,7 V 𝐼𝐵 = 40 µA
{𝑉𝐶 = 5,92 V 𝑒 {𝐼𝐶 = 3,2 mA
𝑉𝐸 = 0 V 𝐼𝐸 = 3,2 mA

11
No circuito (e), 𝑉𝑒 = 0, logo, 𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶 − 𝑉𝐸 = 𝑉𝐶 = 7,2𝑉. Além disso,
(𝛽 + 1)I𝐶 = 𝛽I𝐸 e 𝐼𝐸 𝛽 = I𝐶 , assim, isolando 𝛽 tem-se 𝛽 = 199, 𝐼𝐶 = 𝐼𝐵 𝛽 = 3,98 𝑚𝐴
e 𝑣𝑐𝑐 = 2,7𝑘𝐼𝐶 + 7,2 = 18 𝑉. Como estamos no modo ativo, 𝑉𝐵𝐸 = 0,7 e 𝑅𝐵 I𝐵 =
𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐸 , ou seja, 𝑅𝐵 = 865 𝑘Ω.
Portanto,
𝑉𝐵 = 0,7 V 𝐼𝐵 = 20 µA
{𝑉𝐶 = 7,2 V 𝑒 {𝐼𝐶 = 3,98 mA
𝑉𝐸 = 0V 𝐼𝐸 = 4 mA
Como no circuito (f) 𝑣𝐸 = 2,1 𝑉 = 𝑅𝐸 𝐼𝐸 , 𝐼𝐸 = 3,08 𝑚𝐴 e 𝑉𝐶 = 𝑉𝐶𝐸 + 𝑉𝐸 =
9,4 𝑉. Sendo 𝐼𝐸 𝛽 = 𝐼𝐶 (𝛽 + 1) tem-se 𝛽 = 151 e 𝐼𝐶 = 3,02 𝑚𝐴. Tendo 𝑣𝐶𝐶 − 𝑣𝐶 =
2,6𝑘𝐼𝐶 conclui-se que 𝑣𝐶𝐶 = 17,25𝑉. Para encontrar 𝑅𝐵 faz-se 𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐸 − 𝑉𝐸 −
𝑅𝐵 𝐼𝐵 = 0, isto é, 𝑅𝐵 = 723 𝑘Ω.
𝑉𝐵 = 2,8 V 𝐼𝐵 = 20 µA
{𝑉𝐶 = 9,4 𝑉 V 𝑒 {𝐼𝐶 = 3,02 mA
𝑉𝐸 = 2,1 V 𝐼𝐸 = 3,08 𝑚𝐴
Resolvendo o circuito (g) pelo teorema de Thévenin para descobrir o valor da
corrente na base do transistor tem-se 𝐼𝐵 = 𝑉𝑇𝐻 /𝑅𝑇𝐻 onde 𝑅𝑇𝐻 = 𝑅𝐵1 //𝑅𝐵2 = 7,94 𝑘Ω
e 𝑉𝐵 = 𝑉𝑇𝐻 = 𝑅𝐵2 𝑉𝐶𝐶 /(𝑅𝐵1 + 𝑅𝐵2 ) = 2,05 𝑉. Desse modo, 𝐼𝐵 = 21,42 µ𝐴 e como
𝛽 = 220, 𝑉𝐶 = 𝑅𝐶 𝛽𝐼𝐵 e 𝑉𝐸 = 𝑅𝐸 (𝛽 + 1)𝐼𝐵 .
Assim,
𝑉𝐵 = 2,05 V 𝐼𝐵 = 21,42 µ𝐴
{𝑉𝐶 = 14,8 V 𝑒 { 𝐼𝐶 = 1,71 mA
𝑉𝐸 = 1,2 V 𝐼𝐸 = 1,73 mA
Para o circuito (h) 𝐼𝐶 = (V𝐶𝐶 − V𝐶 )/R 𝐶 = (18 − 12)/R 𝐶 = 1,3 𝑚𝐴. Não há
como aplicar o método de Thévenin, pois o valor de 𝑅𝐸 é desconhecido, logo, supondo
𝐼𝐶 ≅ 𝐼𝐸 , 𝑣𝐸 = 𝐼𝐸 𝑅𝐸 = 1,6 𝑉, 𝑉𝑏 = 𝑉𝐵𝐸 + 𝑉𝐸 = 0,7 + 1,6 = 2,3 𝑉. Para descobrir o
valor de 𝑅1 faz-se 𝑅1 = 𝑉𝑅1 /𝐼𝑅1 = (𝑉𝑐𝑐 − 𝑉𝑏 )/ 𝐼𝑅1. Supondo 𝐼𝑅1 ≅ 𝐼𝑅2 , 𝑅1 = (𝑉𝑐𝑐 −
𝑉𝑏 )/(VB/5,6k) = 38,2 𝑘Ω , logo, I𝐵 = 2𝐼𝑅2 = 0,8 𝑚𝐴
𝑉𝐵 = 2,3 V 𝐼𝐵 = 0,8 𝑚𝐴
{ 𝑉𝐶 = 12 V 𝑒 {𝐼𝐶 = 1,3 𝑚𝐴
𝑉𝐸 = 1,6 V 𝐼𝐸 = 1,3 𝑚𝐴
No circuito (i) aplicando a lei de Kirchhoff das malhas tem-se 𝑉𝐶𝐶 −
𝑅𝐶 (𝐼𝐵 + 𝐼𝐶 ) − 𝑅𝐵 𝐼𝐵 − 𝑉𝐵𝐸 − 𝑅𝐸 𝐼𝐸 = 0, mas 𝐼𝐶 = 120𝐼𝐵 E 𝐼𝐸 = 121𝐼𝐵 , logo, 16 −
𝑅𝐶 (81𝐼𝐵 ) − 𝑅𝐵 𝐼𝐵 − 0,7 − 𝑅𝐸 (81𝐼𝐵 ) = 0. Substituindo os valores dos resistores e
isolando 𝐼𝐵 tem-se que 𝐼𝐵 = 15,81 µA, 𝐼𝐶 = 1,89 𝑚𝐴 e 𝐼𝐸 = 1,91 𝑚𝐴. Além disso,
𝑉𝐸 = 𝑅𝐸 𝐼𝐸 , 𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐸 − 𝑅𝐶 𝐼𝐶 = 𝑉𝐶 , 𝑉𝐵𝐸 = V𝐵 − V𝐸 = 0,7 V .

12
Conclui-se, portanto, que
𝑉𝐵 = 1,67 V 𝐼𝐵 = 15,81 µA
𝑉
{ 𝐶 = 8,22 V 𝑒 { 𝐼𝐶 = 1,89 𝑚𝐴
𝑉𝐸 = 0,97 V 𝐼𝐸 = 1,91 𝑚𝐴
No circuito (j) nota-se que 𝑉𝐸 = 0, ou seja, 𝑉𝐵𝐸 = 𝑉𝐵 − 𝑉𝐸 = 𝑉𝐵 = 0,7.
Aplicando a lei de Kirchhoff das malhas na malha que corresponde à fonte, ao terminal
da base e do emissor do transistor e ao terra, 𝑉𝐶𝐶 − 𝑅𝐵 𝐼𝐵 − 𝑉𝐵𝐸 = 0 donde insolando 𝐼𝐵
obtém-se 𝐼𝐵 = −0, 022 𝑚𝐴. Aplicando agora a lei de Kirchhoff das malhas na malha
que corresponde à fonte, ao terminal do coletor e do emissor, 𝑉𝐶𝐶 − 𝑅𝐶 𝐼𝐶 − 𝑉𝐶𝐸 = 0.
Supondo 𝛽 = 100,
𝑉𝐵 = −0,7 V 𝐼𝐵 = −0, 022 𝑚𝐴
{ 𝑉𝐶 = −7,3 V 𝑒 { 𝐼𝐶 = −2,21 𝑚𝐴
𝑉𝐸 = 0 V 𝐼𝐸 = −2,22 𝑚𝐴
No circuito (k), de modo simular ao circuito (g) aplicar-se-á o teorema de
Thévenin para descobrir o valor da corrente na base do transistor. Assim, 𝐼𝐵 =
𝑉𝑇𝐻 /𝑅𝑇𝐻 onde 𝑅𝑇𝐻 = 𝑅𝐵1 //𝑅𝐵2 = 13,4 𝑘Ω e 𝑉𝐵 = 𝑉𝑇𝐻 = 𝑅𝐵2 𝑉𝐶𝐶 /(𝑅𝐵1 + 𝑅𝐵2 ).
Desse modo, 𝐼𝐵 = 3,54 𝑚𝐴 e como 𝛽 = 220, 𝑉𝐶 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐸 − 𝑅𝐶 𝛽𝐼𝐵 e 𝑉𝐸 =
𝑅𝐸 (𝛽 + 1)𝐼𝐵 .
Assim,
𝑉𝐵 = −3,59 V 𝐼𝐵 = −0,016 𝑚𝐴
{𝑉𝐶 = −11,6 V 𝑒 { 𝐼𝐶 = −3,54 mA
𝑉𝐸 = −2,66 V 𝐼𝐸 = −3,55 mA
Analisando os circuitos em que o transistor atua como um amplificador sabe-se
que a corrente no coletor é dada por 𝐼𝐶 = 𝐼𝑆 𝑒𝑥𝑝𝑉𝐸𝐵 /𝑉𝑇 para transistores pnp e por
𝐼𝐶 = 𝐼𝑆 𝑒𝑥𝑝𝑉𝐵𝐸 /𝑉𝑇 para transistores npn onde 𝑉𝑇 = 26 𝑚𝑉 é a tensão térmica do
transistor, 𝑉𝐸𝐵 é a tensão entre os terminais do emissor e coletor do transistor e 𝐼𝑆 é a
corrente de saturação. Além disso, o ganho dos circuitos é dado por 𝑔𝑚 = 𝐼𝐶 /𝑉𝑇 =
𝑉𝑂𝑈𝑇 /𝑉𝑖𝑛 .
Para 𝑉𝑖𝑛 = 0 no circuito (a), 𝑉𝐸𝐵 = 𝑉𝐸 − 𝑉𝐵 = 0,8 𝑉. De acordo com os dados
apresentados na questão, 𝐼𝐶 = 3,6 𝑚𝐴, 𝑉𝐶 = 𝑉𝑂𝑈𝑇 = 𝑅𝐶 𝐼𝐶 = 1,08 𝑉 e 𝑔𝑚 = 0,14.
Sendo 𝑉′𝑖𝑛 = 5 mV, 𝑉′𝐸𝐵 = 0,795 𝑉 e 𝐼 ′ 𝐶 = 2,85 𝑚𝐴. Assim, 𝑉′𝐶 = 𝑉 ′ 𝑂𝑈𝑇 = 0,855 𝑉
e 𝑔′𝑚 = 0,11.
Como 𝑉𝑖𝑛 = 𝑉𝐵𝐸 = 0 no circuito (b), 𝐼𝐶 = 𝐼𝑆 = 6 ∗ 10−16 𝐴. Assim, 𝑉𝑂𝑈𝑇 =
𝑉𝐶𝐶 − 𝑅𝐶 𝐼𝐶 = 𝑉𝐶𝐶 − 1𝑘𝐼𝑆 , ou seja, 𝑉𝑂𝑈𝑇 ≅ 𝑉𝐶𝐶 . Sendo 𝑉′𝑖𝑛 = 20 mV,𝐼′𝐶 = 𝐼𝑆 𝑒𝑥𝑝20/26,
ou seja,𝑉′𝑂𝑈𝑇 ≅ 𝑉′𝐶𝐶 . Em ambos os casos o sinal não é amplificado.

13
No circuito (c) o sinal também não é amplificado, pois o microfone é curto-
circuitado. Logo, o ganho é nulo, pois a tensão da saída é igual a entrada.

3.2. Análise prática


Após a montagem dos circuitos em laboratório e realização das medidas de
corrente e tensão montou-se a Tabela 3.

Tabela 3: Medidas de corrente e tensão dos circuitos


Circuito Corrente (mA)| Tensão (V)
𝐼𝐶 = 3,65 𝑉𝐶 = 8,3
a) 𝐼𝐵 = 0,043 𝑉𝐵 = 8,9
𝐼𝐸 = 3,7 𝑉𝐸 = 8,2
𝐼𝐶 = 3,45 𝑉𝐶 = 3,8
b) 𝐼𝐵 = 0,013 𝑉𝐵 = 4
𝐼𝐸 = 3,4 𝑉𝐸 = 3,4
𝐼𝐶 = 6 𝑉𝐶 = 0,13
c) 𝐼𝐵 = 0,03 𝑉𝐵 = 0,66
𝐼𝐸 = 6 𝑉𝐸 = 0
𝐼𝐶 = 6,25 𝑉𝐶 = 0,11
d) 𝐼𝐵 = 0,04 𝑉𝐵 = 0,66
𝐼𝐸 = 0,22 𝑉𝐸 = 0
𝐼𝐶 =4,85 𝑉𝐶 =5,07
e) 𝐼𝐵 =0,018 𝑉𝐵 =0,65
𝐼𝐸 =-0,020 𝑉𝐸 =0
𝐼𝐶 = 4,4 𝑉𝐶 = 5,4
f) 𝐼𝐵 = 0,02 𝑉𝐵 = 3,45
𝐼𝐸 = 4,4 𝑉𝐸 = 2,84
𝐼𝐶 = 2,1 𝑉𝐶 = 2,00
g) 𝐼𝐵 = 0,007 𝑉𝐵 = 7,95
𝐼𝐸 = 2,1 𝑉𝐸 = 1,40
𝐼𝐶 = 3,9 𝑉𝐶 = 0,03
h) 𝐼𝐵 = 0,3 𝑉𝐵 = 0,7
𝐼𝐸 = 4,2 𝑉𝐸 = 0,005

14
𝐼𝐶 = 3,6 𝑉𝐶 = 2,4
i) 𝐼𝐵 = 0,03 𝑉𝐵 = 2,9
𝐼𝐸 = 3,6 𝑉𝐸 = 2,3
𝐼𝐶 = −3,6 𝑉𝐶 = − 0,2
j) 𝐼𝐵 = −0,02 𝑉𝐵 = − 0,7
𝐼𝐸 = −3,7 𝑉𝐸 = 0
𝐼𝐶 = −3,3 𝑉𝐶 = −14,7
k) 𝐼𝐵 = −0,3 𝑉𝐵 = −3,9
𝐼𝐸 = −3,3 𝑉𝐸 = −3,1

Apesar da maioria dos valores não terem apresentado, no terminal de coletor do


transistor, valores de corrente e tensão próximos aos valores analíticos, é possível notar
pela Figura 3 do datasheet no ANEXO B que para valores de ℎ𝐹𝐸 = β < 100 é preciso
que a corrente no coletor seja da ordem de microampère, porém, a corrente é da ordem
de miliampére. Desse modo, o circuito força um ajuste no valor de β para que este se
adeque ao modelo do transistor utilizado.

3.3. Análise numérica


Os resultados apresentados a seguir serão as simulações de todos os circuitos
utilizando o software PSIM.
Na Figura 6 apresentado o circuito (a), sendo utilizados três resistores diferentes,
uma fonte de tensão e um transistor do tipo npn. De acordo com a lista de circuitos a
saída VC seria de 20V, no entanto, ao simular nota-se que a saída foi de
aproximadamente 8,45V.
Com isso foram analisadas as tensões na base e no emissor para descobrir como
o circuito estava operando, obtemos o 𝑉𝐵 = 8,95𝑉 e 𝑉𝐸 = 8,24𝑉, podemos concluir
que a tensão do coletor é maior que a do emissor e a tensão do emissor é menor que a da
base, então, a JBE (junção base-emissor) está polarizada diretamente e a JCB (junção
coletor-base) está polarizada diretamente, sendo assim, o circuito está em saturação.

15
Figura 6: Esquema de simulação do circuito (a)

Fonte: Os autores.

Na Figura 7, o circuito apresentado contém 4 resistores, uma fonte de tensão e


um transistor npn. Na lista de circuitos na própria questão mostra as tensões da base,
emissor e coletor com, 3,3𝑉 e 20𝑉 respectivamente. Com a simulação feita a tensão foi
de 3,74𝑉 na base, muito próxima da questão, a tensão no emissor foi de 3,04𝑉 quase
igual da questão e no coletor foi de 5,41𝑉 muito diferente.
O circuito da Figura 7 está no modo ativo, pois, a tensão VCE é maior que 0,2V e
a tensão no coletor é maior que na base.

Figura 7: Esquema de simulação do circuito (b)

Fonte: Os autores.

16
Na Figura 8 o circuito apresenta dois resistores, uma fonte de tensão e um
transistor npn. Na questão não apresentava os valores das correntes, então na simulação
obtemos, para 𝑉𝐶 = 8,5 𝑉, 𝑉𝐵 = 0,7 𝑉 e 𝑉𝐸 = 2,96 ⋅ 10 −9 𝑉, com isso, podemos dizer
que o transistor está no modo ativo, pois, a tensão de coletor é maior que a da base e a
tensão 𝑉𝐶𝐸 é menor que 0,2𝑉.

Figura 8: Esquema de simulação do circuito (c)

Fonte: Os autores.

Na Figura 9 o circuito apresenta dois resistores, uma fonte de tensão e um


transistor npn. A questão pedia para calcular os valores das duas resistências, então,
𝑅𝐵 = 283 𝑘Ω e 𝑅𝐶 = 1,9 𝑘Ω, com isso podemos realizar as simulações. A tensão no
coletor deu muito próximo a da questão, a tensão na base foi igual a 0,7, com isso,
podemos concluir que o circuito está no modo de saturação, pois, a tensão do coletor é
menor que da base.

Figura 9: Esquema de simulação do circuito (d)

Fonte: Os autores.

17
Na Figura 10 o circuito contém dois resistores, uma fonte de tensão e um
transistor npn. na questão não foi mencionado o 𝑅𝐵 , Logo após, foi calculado e
realizado a simulação do circuito, então obtemos as tensões no coletor, base e emissor
de 8,53 𝑉, 0,7 𝑉 e 0 𝑉, com isso, sabemos que o circuito está no modo ativo, pois, a
tensão no coletor e maior que na base e a base é maior que no emissor.

Figura 10: Esquema de simulação do circuito (e)

Fonte: Os autores.

Na Figura 11 o circuito contém três resistores, uma fonte de tensão e um


transistor npn, na questão não foram informados a resistência na base e o valor da fonte.
Logo após, foi calculado e simulado. As tensões no coletor, base e emissor foram de
4,8 𝑉, 3,58 𝑉 e 2,96 𝑉 respectivamente, então podemos concluir que o circuito está no
modo ativo, tensão de coletor maior que da base e tensão da base maior que do emissor.

18
Figura 11: Esquema de simulação do circuito (f)

Fonte: Os autores.

Na Figura 12 o circuito apresenta 4 resistores, uma fonte de tensão e um


transistor npn, todos os valores foram mostrados na lista. Na simulação observamos que
a tensão no coletor é maior que na base e a tensão da base é maior no emissor, então,
podemos concluir que o circuito está no modo ativo.

Figura 12: Esquema de simulação do circuito (g)

Fonte: Os autores.

Na Figura 13 o circuito contém 4 resistores, uma fonte de tensão e um transistor


npn, os dados apresentados foram dados na questão, menos a tensão de 38,2K que foi
calculada. Ao simular o circuito observamos que a tensão no coletor é menor que a da
base, polarizando assim diretamente e a base com tenção maior que o coletor,
polarizando diretamente, com isso, o circuito se encontra no modo de saturação.

19
Figura 13: Esquema de simulação do circuito (h)

Fonte: Os autores.

Na Figura 14 o circuito apresenta 3 resistores, uma fonte de tensão e um


transistor npn, todos os dados foram apresentados na questão para realizar a simulação,
menos as correntes na base, coletor e emissor. A tensão encontrada na simulação foi
maior que na base e a tensão na base foi maior que no emissor, sendo assim, o circuito
está no modo ativo.

Figura 14: Esquema de simulação do circuito (i).

Fonte: Os autores.

Na Figura 15 o circuito contém dois resistores, uma fonte de tensão polarizada


negativamente e um transistor pnp. Na simulação a tensão foi maior no emissor que foi

20
0 𝑉, na base foi −0,7𝑉 e no coletor foi de −4,69𝑉 aproximadamente, com isso,
podemos concluir que o circuito está no modo ativo.

Figura 15: Esquema de simulação do circuito (j)

Fonte: Os autores.

Na Figura 16 o circuito apresenta 4 resistores, uma fonte de tensão polarizada


negativamente e um transistor pnp. Todos os dados foram apresentados na questão,
então, ao simular encontramos a tensão no coletor muito menor que na base e a tensão
da base menor que no emissor, sendo assim, o circuito se encontra no modo ativo.

Figura 16: Esquema de simulação do circuito (k)

Fonte: Os autores.

1.1.3. O transistor como amplificador

21
Na Figura 17 (a) e (b) encontra-se o mesmo circuito, porém com a tensão de
entrada diferente, sendo, uma com 0 𝑉 e outra com 5 𝑚𝑉. Ao simular notamos que com
o aumento na tensão de entrada a corrente da base, coletor e emissor diminui, mas a
tensão aumenta, sendo assim, o circuito se encontra no modo ativo.

Figura 17: (a) circuito A com 0V na entrada e (b) com 5mV.

Fonte: Os autores.

Na Figura 18 (a) e (b) o circuito apresenta um resistor, um transistor npn e um


microfone. No caso do microfone foi substituído por um resistor de 1𝐾Ω e uma fonte de
tensão, e ao simular observamos que ao aumentar a tensão na base aumentou, porém, a
tensão no coletor diminuiu, com isso podemos observar que no circuito com 𝑉𝑖𝑛 = 0𝑉
se encontra no modo ativo e no circuito com 𝑉𝑖𝑛 = 5𝑚𝑉 se encontra no modo ativo
também.

22
Figura 18: (a) Circuito com tensão de entrada 0𝑉 e (b) 20𝑚𝑉.
Fonte: Os autores.
Na Figura 19 (a) e (b) o circuito encontra com um resistor, uma fonte de tensão,
um transistor pnp e um microfone, analogamente a Figura 18 (a) e (b) no lugar do
microfone, foram adicionados um resistor e uma fonte de tensão. Ao adicionar uma
tensão de 0V e logo após uma de 20mV, a tensão no coletor permanece igual, somente a
corrente 𝐼1 ≠ 𝐼8 .

23
Figura 19: Circuito C com tensão de entrada (a) 0𝑉 e (b) 20𝑚𝑉.
Fonte: Os autores.
Na Figura 20 (a) e (b) foram utilizados 2 resistores, três fontes de tensão e um
transistor npn, todos os dados foram apresentados na questão. Ao simular encontramos
logo que o circuito está no modo ativo, comprovando que está trabalhando como um
amplificador, com isso, observamos que ao aumenta a tensão de entrada o circuito não
amplifica a tensão no coletor, base ou no emissor e sim o circuito amplifica a corrente.

24
Figura 20: (a) circuito D com 0 𝑉 na entrada e (b) com 5 𝑚𝑉.

Fonte: Os autores.

25
REFERÊNCIAS BIBLIOGRÁFICAS

BOYLESTAD, Robert L.; NASHELSKY, Louis. Dispositivos eletrônicos e


teoria de circuitos. 11. ed. São Paulo: Pearson Education do Brasil, 2013.

MARTINO, João António. Por Dentro do Circuito Integrado. Universidade


de São Paulo, 2006.

SEDRA, Adel S. Microeletrônica. Ed. -São Paulo: Pearson Prentice Hall, 2007.

26
ANEXO A – LISTAS DOS CIRCUITOS PARA ANÁLISE

27
Universidade Federal Rural do Semi-Árido
Campus Pau dos Ferros

PEX0245 Eletrônica Analógica


Projeto II: Transistor TJB
Prof.: Ernano Arrais Junior Data: 15/06/2018

Alun@: _______________________________________________ Mat.: ___________________

Obs.: Todas as questões devem apresentar solução analítica, numérica e os resultados práticos.

c)
Modos de Operação
Implemente/Projete os circuitos abaixo e analise o
comportamento dos mesmos. Verifique qual o
modo de operação. Apresente os valores das
correntes e tensões. Os valores dos componentes
devem ser utilizados conforme disponibilidade
laboratorial.
a)

d)

b)

e)

Boa Sorte!
Universidade Federal Rural do Semi-Árido
Campus Pau dos Ferros

PEX0245 Eletrônica Analógica


Projeto II: Transistor TJB
Prof.: Ernano Arrais Junior Data: 15/06/2018

Alun@: _______________________________________________ Mat.: ___________________

Obs.: Todas as questões devem apresentar solução analítica, numérica e os resultados práticos.

f) i)

j)
g)

k)

h)

Boa Sorte!
Universidade Federal Rural do Semi-Árido
Campus Pau dos Ferros

PEX0245 Eletrônica Analógica


Projeto II: Transistor TJB
Prof.: Ernano Arrais Junior Data: 15/06/2018

Alun@: _______________________________________________ Mat.: ___________________

Obs.: Todas as questões devem apresentar solução analítica, numérica e os resultados práticos.

O Transistor como Amplificador c)


Implemente/Projete os circuito abaixo. Discuta o
comportamento dos circuitos. Caso os mesmo
apresentem algum problema de funcionamento,
solucione-os. Apresente os valores de ganho e
impedâncias. Os valores dos componentes devem
ser utilizados conforme disponibilidade laboratorial.

a)

d)

b)

Obs.: β = 100
e)

Boa Sorte!
ANEXO B – DATASHEET DO TRANSISTOR BC337
BC327, BC327-16,
BC327-25, BC327-40

Amplifier Transistors
PNP Silicon

Features http://onsemi.com

• These are Pb−Free Devices* COLLECTOR


1

MAXIMUM RATINGS 2
Rating Symbol Value Unit BASE

Collector −Emitter Voltage VCEO −45 Vdc


3
Collector −Emitter Voltage VCES −50 Vdc
EMITTER
Emitter−Base Voltage VEBO −5.0 Vdc
Collector Current − Continuous IC −800 mAdc
Total Power Dissipation @ TA = 25°C PD 625 mW
Derate above TA = 25°C 5.0 mW/°C

Total Power Dissipation @ TA = 25°C PD 1.5 W TO−92


Derate above TA = 25°C 12 mW/°C CASE 29
STYLE 17
Operating and Storage Junction TJ, Tstg −55 to +150 °C
Temperature Range
12 1
2
THERMAL CHARACTERISTICS 3 3
Characteristic Symbol Max Unit STRAIGHT LEAD BENT LEAD
BULK PACK TAPE & REEL
Thermal Resistance, Junction−to−Ambient RqJA 200 °C/W AMMO PACK
Thermal Resistance, Junction−to−Case RqJC 83.3 °C/W
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended MARKING DIAGRAM
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.
BC
xxx
AYWW G
G

BCxxx = Device Code


A = Assembly Location
Y = Year
WW = Work Week
G = Pb−Free Package
(Note: Microdot may be in either location)

ORDERING INFORMATION
See detailed ordering, marking, and shipping information in
the package dimensions section on page 4 of this data sheet.

*For additional information on our Pb−Free strategy and soldering details, please
download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques
Reference Manual, SOLDERRM/D.

© Semiconductor Components Industries, LLC, 2011 1 Publication Order Number:


September, 2011 − Rev. 6 BC327/D
BC327, BC327−16, BC327−25, BC327−40

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise noted)


Characteristic Symbol Min Typ Max Unit
OFF CHARACTERISTICS
Collector −Emitter Breakdown Voltage V(BR)CEO Vdc
(IC = −10 mA, IB = 0) −45 − −

Collector −Emitter Breakdown Voltage V(BR)CES Vdc


(IC = −100 mA, IE = 0) −50 − −

Emitter −Base Breakdown Voltage V(BR)EBO −5.0 − − Vdc


(IE = −10 mA, IC = 0)
Collector Cutoff Current ICBO nAdc
(VCB = −30 V, IE = 0) − − −100

Collector Cutoff Current ICES nAdc


(VCE = −45 V, VBE = 0) − − −100

Emitter Cutoff Current IEBO − − −100 nAdc


(VEB = −4.0 V, IC = 0)

ON CHARACTERISTICS
DC Current Gain hFE −
(IC = −100 mA, VCE = −1.0 V) BC327 100 − 630
BC327−16 100 − 250
BC327−25 160 − 400
BC327−40 250 − 630
(IC = −300 mA, VCE = −1.0 V) 40 − −

Base−Emitter On Voltage VBE(on) − − −1.2 Vdc


(IC = −300 mA, VCE = −1.0 V)

Collector −Emitter Saturation Voltage VCE(sat) − − −0.7 Vdc


(IC = −500 mA, IB = −50 mA)

SMALL−SIGNAL CHARACTERISTICS
Output Capacitance Cob − 11 − pF
(VCB = −10 V, IE = 0, f = 1.0 MHz)

Current −Gain − Bandwidth Product fT − 260 − MHz


(IC = −10 mA, VCE = −5.0 V, f = 100 MHz)

1.0
r(t), NORMALIZED EFFECTIVE TRANSIENT

0.7 D = 0.5
0.5
0.3
THERMAL RESISTANCE

0.2
0.2 0.1
qJC(t) = (t) qJC
0.1 0.05 qJC = 100°C/W MAX
P(pk) qJA(t) = r(t) qJA
0.07 0.02
SINGLE PULSE qJA = 375°C/W MAX
0.05 t1 D CURVES APPLY FOR
0.01 POWER
0.03 SINGLE PULSE t2
PULSE TRAIN SHOWN
0.02 DUTY CYCLE, D = t1/t2 READ TIME AT t1
TJ(pk) − TC = P(pk) qJC(t)
0.01
0.001 0.002 0.005 0.01 0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10 20 50 100
t, TIME (SECONDS)

Figure 1. Thermal Response

http://onsemi.com
2
BC327, BC327−16, BC327−25, BC327−40

-1000 1000
1.0 s 1.0 ms TJ = 135°C VCE = -1.0 V
TA = 25°C
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)

100 ms

hFE, DC CURRENT GAIN


dc
TC = 25°C

dc
-100 TA = 25°C 100

CURRENT LIMIT
THERMAL LIMIT
SECOND BREAKDOWN LIMIT
(APPLIES BELOW RATED VCEO)
-10 10
-1.0 -3.0 -10 -30 -100 -0.1 -1.0 -10 -100 -1000
VCE, COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE IC, COLLECTOR CURRENT (mA)

Figure 2. Active Region − Safe Operating Area Figure 3. DC Current Gain


VCE , COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)

-1.0 -1.0
TJ = 25°C TA = 25°C
-0.8 VBE(sat) @ IC/IB = 10
-0.8
V, VOLTAGE (VOLTS) VBE(on) @ VCE = -1.0 V
-0.6 IC = -0.6
-500 mA

-0.4 -0.4
IC = -300 mA
-0.2 IC = -100 mA -0.2
VCE(sat) @ IC/IB = 10
IC = -10 mA
0 0
-0.01 -0.1 -1.0 -10 -100 -1.0 -10 -100 -1000
IB, BASE CURRENT (mA) IC, COLLECTOR CURRENT (mA)

Figure 4. Saturation Region Figure 5. “On” Voltages

100
θV, TEMPERATURE COEFFICIENTS (mV/°C)

+1.0

qVC for VCE(sat)


C, CAPACITANCE (pF)

0
Cib

10
-1.0

Cob
qVB for VBE
-2.0

1.0
-1.0 -10 -100 -1000 -0.1 -1.0 -10 -100
IC, COLLECTOR CURRENT VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)

Figure 6. Temperature Coefficients Figure 7. Capacitances

http://onsemi.com
3
BC327, BC327−16, BC327−25, BC327−40

ORDERING INFORMATION
Device Order Number Specific Device Marking Package Type Shipping†
BC327G 7 TO−92 Straight Lead 5000 Units / Bulk
(Pb−Free)

BC327RL1G 327 TO−92 Bent Lead 2000 / Tape & Reel


(Pb−Free)

BC327−025G 327 TO−92 Straight Lead 5000 Units / Bulk


(Pb−Free)
BC327−25RL1G 7−25 TO−92 Bent Lead 2000 / Tape & Reel
(Pb−Free)

BC327−25ZL1G 32725 TO−92 Bent Lead 2000 / Tape & Ammo Box
(Pb−Free)

BC327−40ZL1G 7−40 TO−92 Bent Lead 2000 / Tape & Ammo Box
(Pb−Free)
†For information on tape and reel specifications, including part orientation and tape sizes, please refer to our Tape and Reel Packaging
Specifications Brochure, BRD8011/D.

http://onsemi.com
4
BC327, BC327−16, BC327−25, BC327−40

PACKAGE DIMENSIONS

TO−92 (TO−226)
CASE 29−11
ISSUE AM

NOTES:
A B STRAIGHT LEAD 1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
BULK PACK Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
3. CONTOUR OF PACKAGE BEYOND DIMENSION R
R IS UNCONTROLLED.
4. LEAD DIMENSION IS UNCONTROLLED IN P AND
P BEYOND DIMENSION K MINIMUM.
L
SEATING INCHES MILLIMETERS
PLANE K DIM MIN MAX MIN MAX
A 0.175 0.205 4.45 5.20
B 0.170 0.210 4.32 5.33
C 0.125 0.165 3.18 4.19
D 0.016 0.021 0.407 0.533
X X D G 0.045 0.055 1.15 1.39
H 0.095 0.105 2.42 2.66
G J 0.015 0.020 0.39 0.50
H J K 0.500 --- 12.70 ---
L 0.250 --- 6.35 ---
V C N 0.080 0.105 2.04 2.66
P --- 0.100 --- 2.54
SECTION X−X R 0.115 --- 2.93 ---
1 N V 0.135 --- 3.43 ---

NOTES:
A B BENT LEAD
R 1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER
TAPE & REEL ASME Y14.5M, 1994.
2. CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETERS.
AMMO PACK 3. CONTOUR OF PACKAGE BEYOND
DIMENSION R IS UNCONTROLLED.
4. LEAD DIMENSION IS UNCONTROLLED IN P
P AND BEYOND DIMENSION K MINIMUM.
T
MILLIMETERS
SEATING
PLANE K DIM MIN MAX
A 4.45 5.20
B 4.32 5.33
C 3.18 4.19
D 0.40 0.54
X X D G 2.40 2.80
J 0.39 0.50
G K 12.70 ---
J N 2.04 2.66
V P 1.50 4.00
C R 2.93 ---
V 3.43 ---
SECTION X−X
1 N
STYLE 17:
PIN 1. COLLECTOR
2. BASE
3. EMITTER

ON Semiconductor and are registered trademarks of Semiconductor Components Industries, LLC (SCILLC). SCILLC reserves the right to make changes without further notice
to any products herein. SCILLC makes no warranty, representation or guarantee regarding the suitability of its products for any particular purpose, nor does SCILLC assume any liability
arising out of the application or use of any product or circuit, and specifically disclaims any and all liability, including without limitation special, consequential or incidental damages.
“Typical” parameters which may be provided in SCILLC data sheets and/or specifications can and do vary in different applications and actual performance may vary over time. All
operating parameters, including “Typicals” must be validated for each customer application by customer’s technical experts. SCILLC does not convey any license under its patent rights
nor the rights of others. SCILLC products are not designed, intended, or authorized for use as components in systems intended for surgical implant into the body, or other applications
intended to support or sustain life, or for any other application in which the failure of the SCILLC product could create a situation where personal injury or death may occur. Should
Buyer purchase or use SCILLC products for any such unintended or unauthorized application, Buyer shall indemnify and hold SCILLC and its officers, employees, subsidiaries, affiliates,
and distributors harmless against all claims, costs, damages, and expenses, and reasonable attorney fees arising out of, directly or indirectly, any claim of personal injury or death
associated with such unintended or unauthorized use, even if such claim alleges that SCILLC was negligent regarding the design or manufacture of the part. SCILLC is an Equal
Opportunity/Affirmative Action Employer. This literature is subject to all applicable copyright laws and is not for resale in any manner.

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http://onsemi.com BC327/D
5