Universidad Mayor de San Andrés

Facultad de Ingenierita

Ingeniería Electrónica

TRIACS
Integrantes:

- Flores Soria Mauricio

- Higueras Cardozo Alejandro
-

Docente:

- Ing.

Materia: Tecnologia de Componentes ETN 406

FECHA: 16 de Septiembre del 2015

1. INTRODUCCIÓN

El triac es un dispositivo semiconductor de tres terminales que se usa para

controlar el flujo de corriente promedio a una carga, con la particularidad de que
conduce en ambos sentidos y puede ser bloqueado por inversión de la tensión o al
disminuir la corriente por debajo del valor de mantenimiento. El triac puede ser
disparado independientemente de la polarización de puerta, es decir, mediante
una corriente de puerta positiva o negativa.

2. ESTRUCTURA FÍSICA:

CONSTRUCCIÓN BÁSICA, SIMBOL O ,DIAGRAMA EQUIVALENTE

FIG 1 FIG 2.

La estructura contiene seis capas como se indica en la FIG. 1, aunque funciona

siempre como un tiristor de cuatro capas. En sentido MT2-MT1 conduce a través
de P1N1P2N2 y en sentido MT1-MT2 a través de P2N1P1N4. La capa N3 facilita
el disparo con intensidad de puerta negativa. La complicación de su estructura lo
hace mas delicado que un tiristor en cuanto a di/dt y dv/dt y capacidad para
soportar sobre intensidades.

3. TECNOLOGÍA DE SU PROCESO DE FABRICACIÓN

Se fabrican para intensidades de algunos amperios hasta unos 200 A eficaces y
desde 400 a 1000 V de tensión de pico repetitivo. Los triac son fabricados para
funcionar a frecuencias bajas, los fabricados para trabajar a frecuencias medias
son denominados alternistores En la FIG. 2 se muestra el símbolo esquemático e
identificación de las terminales de un triac, la nomenclatura Ánodo 2 (A2) y Ánodo
1 (A1) pueden ser reemplazados por Terminal Principal 2 (MT2) y Terminal
Principal 1 (MT1) respectivamente.

El Triac actúa como dos rectificadores controlados de silicio (SCR) en paralelo

Fig.3 , este dispositivo es equivalente a dos latchs

FIG. 3

El tamaño de un SCR o de un TRIAC puede ser relativamente pequeño o grande,

ya que como en el caso de los transistores y los circuitos integrados en general, el
encapsulado (que es lo que vemos desde fuera) varía según la potencia que
deban disipar y la corriente máxima de trabajo que deban tolerar. Hay algunos
enormes, para más de 1500 A, de diámetros entre 5 y 10 cm y con cátodos y
ánodos del grosor de un dedo. Estos pueden costar unos USD 1000 o más! Otros,
en cambio, son pequeños (menos de 1 cm 3), muy económicos (menos de USD 2),
y operan con corrientes menores que 5A o disipando menos de 5W.
El triac BT 136-600 en encapsulado TO220 que se muestra en la Figura siguiente,
cuesta unos USD 2, tiene una masa de 2g, mide menos de 3 cm de largo, y
conduce hasta 4 A, en circuitos AC con voltaje de red V RMS = 380V.

Fig. 2: Triac BT 136-600

 Como los diodos semiconductores de silicio, los SCRs y los TRIACs se construyen
con diferentes estructuras demateriales semiconductores tipo-p, de silicio (Si)
dopado con elementos del Grupo III-A como el aluminio (Al), galio (Ga) o indio (In),
y tipo-n, de Si dopado con elementos del Grupo V-A como fósforo (P), arsénico
(As) o antimonio (Sb).

Un diodo rectificador de unión n-p está formado por una unión de 2 capas,
una tipo-n (el K) y otra tipo-p (el A). La física del diodo está en la unión y en la
distribución de portadores en cada material. Pero el SCR es más complejo, y está
hecho con 4 capas pnpn de semiconductores: tipo-p (el A), tipo-n, tipo-p (la G)
y tipo-n (el K). En el centro de la siguiente Figura se puede ver un diagrama
esquemático de su estructura. Tres capas forman un sandwich:tipo-p (el A), tipo-
n y tipo-p. Finalmente, el K se construye difundiendo material tipo-n sobre la última
capa tipo-p, y G se conecta muy cerca de K, sobre la misma capa de material tipo-
p.
El TRIAC está hecho de forma análoga a dos tiristores puestos en antiparalelo,
como si fuese un dispositivo de 5 capas npnpn de semiconductores. Su
estructura central es un sandwich: tipo-p, tipo-n y tipo-p, como el tiristor. Pero el
material tipo-n se difunde sobre ambas capas tipo-p, para que funcionen como
cátodos K en cada uno de los sentidos de conducción. El MT2 se conecta a una
capa tipo-p y a la tipo-n difundida sobre ella. En el otro extremo, se hace lo mismo
con el MT1. Y el G también está en contacto con la capa tipo-p y una porción
de tipo-ndifundida sobre ella.

4. FILOSOFÍA DEL FUNCIONAMIENTO

CÓMO FUNCIONA
Se considera separadamente:
(a) Cómo conmuta
(b) Causas más importantes de disparo
(c) Principales componentes de disparo
(a) Cómo conmuta
El funcionamiento del tiristor se puede entender como un circuito implementado por
dos transistores bipolares de unión (BJTs) (ver Fig. anterior), en los que hay que
tener en cuenta las siguientes 2 características:
(I) Cuando a un BJT pnp de Si se le aplica un voltaje VBE (entre base B y emisor E)
suficientemente negativo (superando el umbral de -0.6 V),
o cuando a un BJT npn de Si se le aplica un voltaje VBE suficientemente positivo
(superando el umbral de +0.6 V),
el transistor "se dispara", i.e. conmuta de off a on en saturación (conduce toda la
corriente que el circuito y él mismo permitan), desde el emisor E hacia el colector C en
el pnp, o desde C hacia E en el npn.
(II) Un BJT amplifica la corriente de base IB en un factor dado aproximadamente por el
parámetro denominado "β (beta) del transistor" (o "ganancia de corriente"). Es decir
que la corriente de colector es IC ≈ β IB, donde β depende de la misma corriente IC.
Ahora bien, supóngase que se tiene un TIRISTOR al que inicialmente solo se le aplica
un voltaje VAK > 0 V.
Si se considera al tiristor como un transistor Tr1 npn de ganancia β1 conectado con un
transistor Tr2 pnp de ganancia β2 como se esquematiza a la derecha de la Figura
anterior, se observa que:
(i) Inicialmente no hay conducción (IA = 0 A; tiristor abierto, off).
(ii) Cuando se aplica un voltaje VGK de G a K suficientemente positivo (VBE1 > 0.6V),
una corriente de puerta IG (≈ IB1) dispara al tiristor, comenzando la conducción desde A
hacia K (conmuta de off a on; tiristor cerrado).
(iii) Entonces, después del disparo, cuando IG = 0 A, es IB1 = IC2 ≈ β2IB2. Pero
como IB2 ≡ IC1 ≈ β1IB1, se ve que las corrientes del dispositivo se ajustan para
que β1 β2 ≈ 1, y por lo tanto la corriente de ánodo IA del tiristor visto como 2
transistores, resulta aproximadamente igual a IA ≡ IE2 = IC2+IB2 ≈ (β1+1) IB1.
(iv) Mientras haya voltaje VAK desde A hacia K suficientemente positivo, seguirá
existiendo corriente IA (aunque IG = 0 A), ya que la corriente de colector del Tr2
mantiene alimentada la base del Tr1; y ésta es la clave de su funcionamiento:
El SCR comienza a conducir desde A hacia K por la señal que hubo en G
El funcionamiento del TRIAC en cada semiciclo AC, está basado en el funcionamiento
del tiristor en DC. El triac puede estudiarse como dos tiristores conectados en anti-
paralelo, pero con un solo electrodo de control G. De hecho, en circuitos de potencia
para corrientes AC superiores a 700 A, suelen implementarse dos tiristores (ya que no
existen triacs de tanta capacidad).
En la Figura siguiente se muestran las correspondientes curvas características que
resumen el comportamiento de estos elementos de conmutación:
SCR: Curva IA vs. VAK (corriente de ánodo versus voltaje ánodo-
cátodo) TRIAC: Curva I2 vs. V21 (corriente en el MT2 versus voltaje entre MT2 y MT1)

Fig. 4: Curvas características de un thyristor y de un triac.

La zona de corte y saturación (on-off), se encuentra en el cuadrante I para el

dispositivo unidireccional (SCR) y en los cuadrantes I y III para el bidireccional (triac).
Se observa que el voltaje principal debe llegar a un cierto valor para producir el
disparo. Este valor cambia según las condiciones en la puerta (intensidad y forma
de IG y de VGK o VG1). Una vez disparado, el voltaje entre A y K (o entre MT2 y MT1)
disminuye al valor de conducciónVON, que es de unos pocos volt (Sería "0 V" en un
interruptor ideal o perfecto). Despreciando la disipación en la puerta, este voltaje
residual multiplicado por la corriente principal determina la potencia que el
encapsulado del componente debe disipar:
PD ≈ VAKIA para el tiristor, y PD ≈ V21I2 para el triac
En la curva característica del SCR también se ve (en el cuadrante III) una corriente
inversa de fuga, y para un valor alto de voltaje inverso, la zona de ruptura donde se
destruiría el dispositivo.
(b) Causas más importantes de disparo
Es importante conocer que hay diferentes mecanismos o formas o causas de disparo.
El disparo por corriente en G, se denomina cebado por puerta. Pero este disparo
puede producirse por corrientes inyectadas accidentalmente o intencionalmente. Los
casos más importantes son:
(i) Disparo por magnitud del voltaje VAK inverso: Cuando una unión
semiconductora está polarizada inversamente, hay una fuga de corriente inversa, que
depende del material, de la temperatura y de la iluminación. Si el voltaje inverso VAK es
muy grande cuando el tiristor está en off, la corriente inversa es mayor, y también
podría dispararse accidentalmente el tiristor.
(ii) Disparo por magnitud de la rapidez ΔVAK/Δt de cambio del voltaje
inverso: Cuando el thyristor está en off y el voltaje entre A y K cambia con un ritmo
ΔVAK/Δt, se produce una corriente iT debida a la capacidad de transición CT, entre
las cargas Δq a un lado y al otro de la unión:
iT = Δq/Δt = (Δq/ΔVAK) x (ΔVAK/Δt) = CT (ΔVAK/Δt)
O sea, se manifiesta el equivalente a una capacidad eléctrica dada por
CT ≡ Δq/ΔVAK
Por lo tanto, un valor muy grande de ΔVAK/Δt produce un valor también grande de iT,
que puede producir accidentalmente el disparo.
(iii) Disparo por elevación de temperatura: La corriente inversa aumenta al doble
aproximadamente cada 14°C. Por lo tanto, un aumento en la temperatura, también
podría producir un disparo accidental.
Estos casos deben tenerse en cuenta en el diseño de circuitos con conmutadores de
estado sólido.
(iv) Disparo por iluminación: Los tiristores diseñados con ventanas transparentes
permiten la creación electrón-agujero a partir de los fotones absorbidos por la unión
semiconductora polarizada inversamente. Por lo tanto, mediante la luz también
pueden dispararse tiristores. Este es el fundamento de los fototiristores (photo-
thyristors o LASCRs, Light Activated SCRs).
Por último, hay que enfatizar que tanto los tiristores como los triacs típicos, mientras
haya voltaje y esté circulando corriente, una vez disparados siguen conduciendo ("no
cortan solos"). Pero cuando el voltaje entre los electrodos principales cruza por cero
y/o desaparece la corriente, conmutan a off y hay que volver a dispararlos. Por eso
los elementos de disparo suelen sincronizarse con el voltaje de la red o de la fuente de
alimentación.
(c) Principales componentes de disparo
Finalmente hay que mencionar que así como el tiristor y el triac son componentes DC
y AC de conmutación (switching devices), existen componentes DC y AC de
disparo ( triggering devices), utilizados para disparar a los tiristores y a los triacs.
Dependiendo del circuito y de la aplicación, un tiristor se puede disparar con
un conmutador unilateral de silicio, SUS (silicon unilateral switch), que dispara a un
voltaje fijo entre 6 a 10 V. Otra opción es dispararlos con un transistor uniunión,
UJT (unijunction transistor), que dispara a diferentes voltajes, o un transistor
uniunión programmable, PUT (programmable unijunction transistor).
También pueden dispararse con otro tiristor, o una ampolleta de neón, o usando
transistores, o relays, o un dispositivo optoacoplado, o a través de un transformador.
Un componente importante utilizado para disparo de SCRs es el diodo de 4
capas o diodo Shockley, un dispositivo precursor del SCR, también de 4 capas
(npnp). Tiene un estado off como un SCR abierto, pero cuando el voltaje directo
supera cierto umbral, conmuta bruscamente a un estado on como el de un diodo
rectificador (pero con una caída de voltaje superior). Su curva característica es similar
a la curva de un varistor asimétrico.
En un circuito AC, el dispositivo de disparo de un conmutador bidireccional, debe ser
también bidireccional. El DIAC (DIode for AC) es la versión bidireccional del Shockley,
que se utiliza como elemento de disparo del triac. Posee un voltaje de disparo de
aproximadamente -32 V y +32 V (En algunos casos se utiliza un disparador
asimétrico). Un triac también puede dispararse con otro triac, relay, dispositivo
optoacoplado, o a través de un transformador.

5. APLICACIÓN

Además de la función de rectificación controlada del tiristor, éste y el triac sirven

como dispositivos de conmutación de estado sólido en DC y en AC respectivamente.
Es decir, son como interruptores (switches) pero compactos y pequeños, sin calefactor
y de bajo consumo, rápidos y silenciosos, sin partes móviles ni contactos
electromecánicos, sin chispas ni necesidad de mantención, y que además pueden
controlarse electrónica y ópticamente.

Estos componentes se utilizan en circuitos muy diferentes, como por ejemplo controles
de velocidad de motores, regulador de intensidad de iluminación
de ampolletas (dimmersy luces "psicodélicas"), para activar sistemas de protección, o
en convertidores de voltaje para viajes, cargadores de baterías, magnetizadores
de imanes, relays de estado sólido (SSRs), controles de temperatura de hornos y de
potencia de calefactores.

6. BIBLIOGRAFÍA
- http://www.profisica.cl/comofuncionan/como.php?id=31
- https://www.serina.es/empresas/cede_muestra/212/TEMA%20MUESTRA.pdf
- https://es.wikipedia.org/wiki/Triac