Manual de Prácticas

Secretaría/División: Área/Departamento:

Manual de prácticas del

Laboratorio de Dispositivos de
Almacenamiento y de
Entrada/Salida

División de Ingeniería Eléctrica

Departamento de Computación

Memorias de sólo lectura semiconductoras

(ROMs).
Práctica 2.
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División de Ingeniería Eléctrica. Departamento de Computación.

Laboratorio de Dispositivos de Almacenamiento y

de Entrada Salida.

Memorias de sólo lectura semiconductoras

(ROMs).

N° de práctica: 2

Nombre completo del alumno Firma

_______________________________________________________________________ _____________

Número de brigada: Fecha de elaboración: Grupo:

Elaborado por: Revisado por: Autorizado por: Vigente desde:

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Seguridad en la ejecución

Peligro o Fuente de
Riesgo asociado
energía
1 Tensión alterna Electrocución
2 Tensión continua Daño a equipo

Objetivos de la práctica.

- Conocer el principio de funcionamiento de las memorias de sólo lectura, las

partes integrales de las mismas, así como los diferentes tipos de memorias ROM
que existen.

- Que el alumno conozca e identifique una memoria comercial EPROM y/o

EEPROM, así como la configuración de sus pines y las aplicaciones que puede
tener en el campo de la ingeniería computacional.

- Que el alumno conozca el funcionamiento y operación del programador universal

TOPMAX, a través de la grabación de una memoria comercial EPROM o
EEPROM.

Introducción.

Las memorias de sólo lectura ROMs (Read Only Memories), son aquellas
memorias que únicamente permiten la operación de lectura en uso normal, sin
embargo cabe señalar que existen algunos tipos de ROMs en las cuales se puede
llevar a cabo la operación de escritura, pero el tiempo que requiere para realizarla
es mucho mayor que el tiempo necesario para la operación de lectura, por
consiguiente no son consideradas como memorias de lectura y escritura.

Una característica de las memorias ROMs es que son del tipo de memorias no
volátiles por lo que son muy importantes en los sistemas computacionales, esto es
debido a que son utilizadas para almacenar información que solamente queremos
leer, como por ejemplo para guardar el conjunto de instrucciones que tienen que
ser ejecutadas para arrancar un sistema computacional cuando éste es
encendido. Otras aplicaciones serían: guardar el sistema operativo,
macroinstrucciones, códigos, funciones trigonométricas, logarítmicas, generadores
de caracteres, microprogramas, etc. De esta forma las ROMs son integradas como
componentes de una computadora, a esto se le conoce con el nombre de firmware
(software contenido en hardware).
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Existen varios tipos de memorias de sólo lectura (ROMs):

 Memoria ROM de máscara (MROM)

 Memoria ROM programable (PROM)
 Memoria ROM programable y borrable con luz ultravioleta (EPROM)
 Memoria ROM programable y borrable eléctricamente (EEPROM)

Y dos tipos de tecnologías de fabricación básicas en las ROMs, la bipolar y la

MOS (figura 1). Como puede observarse, en la bipolar sólo hay ROMs de máscara
y PROMs, mientras que en la MOS existen además de las anteriores las EPROMs
y las EEPROMs.

Figura 1. Clasificación de las memorias ROMs.

La principal diferencia entre estas dos tecnologías es el tiempo de acceso. Las

ROMs bipolares tienen un tiempo de acceso menor que las ROMs de tecnología
MOS. Por consiguiente, las bipolares tienen una disipación de potencia mayor que
las MOS. Por otro lado, las bipolares se fabrican principalmente con una
capacidad menor que las MOS.
Como ya dijimos las memorias ROM son no volátiles y de lectura no destructiva,
esto último quiere decir que la información no se pierde cuando se lee una
localidad o registro de la memoria.

Los dispositivos de almacenamiento tienen como propósito guardar información y

proporcionarla cuando ésta se necesite, por tal motivo estos dispositivos requieren
de una estructura para poder realizar sus operaciones de lectura o escritura, a
continuación se muestra el diagrama de bloques de la estructura básica de estos
dispositivos.

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Figura 2. Estructura básica de las memorias ROMs.

La arquitectura (estructura) de un circuito integrado (CI) ROM es muy compleja, y

no necesitamos conocer todos sus detalles. Sin embargo, es ilustrativo observar
un diagrama simplificado de la estructura interna, como el que se muestra en la
figura 3 para una ROM de 16 x 8. Los cuatro bloques básicos mostrados,
funcionan de la siguiente manera:

Almacenamiento. Este bloque está integrado por una matriz de registros que
almacena los datos que han sido programados en la ROM. Cada registro contiene
un número de celdas de memoria que es igual al tamaño de la palabra. En el caso
de la figura, cada registro almacena una palabra de 8 bits. Los registros se
disponen en un arreglo de matriz cuadrada que es común a muchos circuitos.
Podemos especificar la posición de cada registro como una ubicada en un renglón
y una columna específicos. Por ejemplo, el registro 0 se encuentra en el renglón 0
/ columna 0, el registro 9 se encuentra en el renglón 1 / columna 2 y el registro 15
se encuentra en el renglón 3 / columna 3.

Las ocho salidas de datos de cada registro se conectan a un canal de datos

interno que corre a través de todo el circuito (bus de datos). Cada registro tiene
dos entradas de habilitación (E); en este caso, ambas tienen que ser altas a fin de
que los datos del registro sean colocados en el canal y sean almacenados en el
buffer de entrada/salida.

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Las características de las celdas definen el tipo de memoria, es decir si esta es de

sólo lectura o de lectura escritura.

Direccionamiento. Este bloque tiene la finalidad de seleccionar una y sólo una

localidad o palabra de memoria a la vez, para poder realizar a continuación una
operación de escritura o lectura sobre ella. En la figura 3, el código de dirección
aplicado A3A2A1A0 determina qué registro será habilitado para colocar su palabra
de datos de 8 bits en el canal. Los bits de dirección A1A0 se alimentan a un
decodificador 2 a 4 que activa una línea de selección de renglón, y los bits de
dirección A3A2 se alimentan a un segundo decodificador que activa una línea de
selección de columna. Solamente un registro estará en el renglón y la columna
seleccionados por las entradas de dirección, y éste estará habilitado. También
existen unidades de direccionamiento que utilizan solamente un decodificador.

Control. Este bloque realiza todo lo necesario para coordinar y controlar el buen
funcionamiento. Aquí podemos encontrar las señales de la operación que se
realizará al registro seleccionado por el bloque de direccionamiento, además
regula el flujo de datos hacia el exterior o interior del dispositivo.

Entrada/Salida. Está integrado por un conjunto de amplificadores que actúan

como un registro intermedio (buffer de entrada/salida) para los datos. Este bloque
puede estar controlado por un habilitador de salida de datos CS en la figura, o
entrada/salida si el bus es bidireccional como regularmente pasa.

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Figura 3. Arquitectura de una memoria de sólo lectura de 16 x 8.

En la actualidad existen comercialmente una gran variedad de memorias seriales y

paralelas con características muy particulares por lo que es casi imposible
conocerlas todas, así mismo una diversidad de aplicaciones. Por lo que a
continuación se verán primeramente a las memorias EPROM y posteriormente a
las EEPROM, dándose algunas de sus características y diferencias entre ambas
memorias.

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MEMORIAS EPROM y EEPROM

Las EPROM, son memorias de sólo lectura, programables y borrables, se

programan mediante pulsos eléctricos y su contenido se borra exponiéndolas a la
luz ultravioleta, por lo que éstas también son conocidas como UVEPROM (por sus
siglas en Inglés Ultra Violet Erasable Read Only Memory). Una característica que
presentan estas memorias es que el circuito integrado presenta una ventanita,
véase la figura 4.

Para guardar la información en la memoria se requiere de un dispositivo

programador y para su borrado se requiere introducir el circuito integrado en un
dispositivo borrador, el cual en su interior contiene una lámpara de luz ultravioleta,
la cual debe ser aplicada por aproximadamente 20 minutos, borrando la totalidad
de las celdas.

Figura 4. Memoria UVEPROM

La celda de almacenamiento de una memoria EPROM consiste de un solo

transistor MOSFET que contiene una compuerta flotante de silicio llamada FAMOS
(Floating Gate Avalanche-Inyection MOS).

La programación de una celda consistiría en introducir electrones en forma de

avalancha a la compuerta flotante del transistor seleccionado, quedando éstos
atrapados en la misma, dicha carga aumenta la conductividad entre las terminales
del gate y el source del transistor, haciéndolo conductor (el transistor enciende),
en ese caso podríamos decir que la celda tiene almacenado un uno. Si la
compuerta flotante del transistor seleccionado está vacía, este transistor no
enciende, por lo que podríamos decir que la celda tiene guardado un cero.

El borrado consistiría en colocar el circuito integrado con la ventanita descubierta

en un dispositivo borrador, aplicándose los rayos de luz ultravioleta al mismo, con

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lo cual se eliminarían por efecto fotoeléctrico los electrones que estuvieran

atrapados en las compuertas flotantes correspondientes, con lo cual se volvería al
estado inicial, es decir ningún transistor podría encender, (el borrado sería en
todas las celdas de la memoria), por lo que podríamos decir que la memoria
tendría almacenados puros ceros. Las memorias EPROM solamente se pueden
borrar un número limitado de veces (entre 6 y 10).

Las memorias EEPROMs son memorias de sólo lectura, programables y

borrables eléctricamente (su nombre proviene de las siglas en inglés Electrically
Erasable Programmable Read Only Memory).

Las celdas de memorias EEPROM son similares a las celdas EPROM algunas
diferencias se encuentran en la capa aislante alrededor de cada compuerta
flotante, la cual es más delgada y no es fotosensible, además cada celda de las
memorias EEPROM está integrada por dos transistores, uno de direccionamiento
y el otro de almacenamiento, éste último es el que posee la compuerta flotante.

Las memorias EEPROM son programables y borrables a través de pulsos

eléctricos, se puede borrar totalmente una memoria en un solo instante, o
localidades individuales de almacenamiento pueden ser borradas y
reprogramadas por medio de pulsos eléctricos, sin necesidad de retirar el circuito
integrado de su lugar, con lo cual se logra una gran flexibilidad. Las memorias
EEPROM son más caras que las EPROM, además se pueden borrar y
reprogramar miles de veces y la información almacenada puede perdurar
aproximadamente 100 años. La programación de una memoria EEPROM es muy
similar a la EPROM.

El significado de las matrículas, por medio de la cual conoceremos algunas

características específicas de estas memorias, es el siguiente. Los dos primeros
dígitos corresponden al tipo de memoria, por ejemplo en el caso de las EPROM el
código es el 27, en el caso de las memorias EEPROM podría ser el 28, 29, 37,
varía según sea el fabricante, los siguientes números especifican la capacidad de
la memoria en bits, dada en Kbits (1 K = 1x1024 bits). Por ejemplo, una memoria
2764 ó 2864, en el primer caso corresponde a una memoria EPROM y en el
segundo corresponde a una memoria EEPROM, el 64, en ambos casos, nos
indica que la capacidad de la memoria es de 64 Kbits, es decir 65536 bits o
celdas. Por lo tanto podemos decir que la organización interna de la memoria sería
de 8 K x 8 bits, o en otras palabras contiene 8 K registros, cada registro de 8 bits.
La organización de una memoria, está definida como el número de palabras por el
número de bits por palabra, por ejemplo 8K x 8 bits o también se podría decir 8K
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Bytes. En algunos casos aparece o se omite la letra C entre el identificador (27 ó

28) y la referencia de capacidad, esto se refiere al tipo de tecnología utilizada en la
fabricación de la memoria, así pues si tiene una C la memoria es CMOS y si
carece de ella es solamente MOS.

Observando la tabla 1, la memoria 27C512 sería una memoria EPROM de tipo

CMOS y su capacidad es de 512K bits, la siguiente 27C010 corresponde a una
memoria EPROM con capacidad de 1024K ó 1 M, la 27C020 y la 27C040 serían
de 2M y de 4M respectivamente, todas con un tamaño de palabra de 8 bits.
Originalmente se había especificado que las memorias de las series 27 y 28
tendrían un tamaño de palabra fijo de 8 bits, sin embargo posteriormente esto
cambio, por ejemplo véase el circuito integrado 27C210, en este caso el 2 indica
que el tamaño de la palabra es el doble es decir 16 bits y una capacidad de 1 M.

EPROM o EEPROM Capacidad Organización

(bits) (# palabras x # bits por palabra)
27C08 ó 28C08 8K 1K x 8
27C16 ó 28C16 16 K 2K x 8
27C32 ó 28C32 32 K 4K x 8
27C64 ó 28C64 64 K 8K x 8
27C128 ó 28C128 128 K 16K x 8
27C256 ó 28C256 256 K 32K x 8
27C512 ó 28C512 512 K 64K x 8
27C010 ó 28C010 1024 K = 1 M 128K x 8
27C020 ó 28C020 2M 256K x 8
27C040 ó 28C040 4M 512K x 8
27C210 ó 28C210 1M 64K x 16

Tabla 1. Ejemplos de diferentes capacidades y organizaciones de

EPROMs y EEPROMs.

La tabla 2 muestra el patigrama de varios circuitos integrados de la familia 27, en

éstos se puede apreciar el número de pines que contienen, así como la ubicación
y la definición de cada una de ellas. La muesca que presentan los circuitos nos
indican la orientación y el orden que siguen los pines, el cual tiene un seguimiento
en “U”, como se podrá observar en el circuito integrado.

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Tabla 2. Patigramas de algunas memorias de la familia 27

Si tomamos como ejemplo, el circuito integrado 27C256 al centro de la tabla

anterior, podemos observar la siguiente configuración de los pines:

- Los pines A14, A13, A12…A0 son las entradas de las líneas de direccionamiento
por medio de las cuales se podrá seleccionar una localidad de la memoria en
donde se quiera realizar una operación, ya sea de lectura o escritura. La cantidad
de líneas de direccionamiento nos define el número de palabras o localidades que
tiene la memoria. Lo anterior se puede obtener mediante la expresión 2n, donde n
es el número de terminales de direccionamiento, en este caso se tienen 15 líneas,
por lo tanto se tendrán 215, dándonos un total de 32 K localidades de memoria.

Los pines O7, O6, O5…O0 son las correspondientes líneas de salida de datos,
las cuales en el proceso de grabación de la memoria sirven a su vez como líneas
de entrada de datos. El número de líneas dependerá del tamaño de la palabra de
la memoria (en este caso 8), sin embargo en el mercado existen memorias de
diferentes tamaños de palabras como pudiera ser de: 1, 4, 8 y 16 bits.

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El pin CE (Chip Enable) se utiliza como habilitador del circuito integrado, por lo
regular la memoria esta seleccionada cuando en esta entrada se presenta un
voltaje bajo

El pin OE (Output Enable) es el habilitador de salida de datos, la salida de datos

se encuentra habilitada cuando éste se encuentra a un voltaje bajo, entonces la
memoria presenta en sus salidas los datos que tiene guardado, en caso contrario,
las líneas de salida de datos presentan una alta impedancia o actúan como
entrada de datos en el caso de la programación de la memoria.

Los pines VCC y GND corresponden a la línea de voltaje de alimentación y a la

línea de voltaje de referencia.

El pin VPP es la línea de entrada para aplicar el voltaje para programación cuando
se está en el modo de programación.

En la tabla 3 se observan los modos de operación que tienen las memorias

EPROM, así como los voltajes de entrada y de salida respectivos. Los diferentes
modos de operación son: modo lectura (read), modo espera (standby), modo
salidas deshabilitadas (output disable), modo programación (program), modo
verificación de programación (program verify) y por último modo programación
inhibida (program inhibit).

MODE CE OE VPP VCC OUTPUTS

READ VIL VIL 5V 5V DOUT
STANDBY VIH X 5V 5V HI-Z
OUTPUT X VIH 5V 5V HI-Z
DISABLE
PROGRAM VIL VIH 12.75V 6.25V DIN
PROGRAM VIH VIL 12.75V 6.25V DOUT
VERIFY
PROGRAM VIH VIH 12.75V 6.25V HI-Z
INHIBIT
X = no importa, HI-Z = alta impedancia, VIL = Voltaje de entrada bajo,
VIH= Voltaje de entrada alto, DOUT= salida dato, DIN entrada dato.

Tabla 3. Modos de operación

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En la figura 5 se muestran los circuitos integrados 27C64 y 28C64 que

corresponden a las memorias EPROM y EEPROM respectivamente, ambas con
una capacidad de 64 Kbits, en ellos podemos apreciar que casi son idénticos, las
diferencias serían que en el pin número 1 de la EPROM aparece el voltaje para
programación (VPP), mientras que en la EEPROM no hay conexión (NC), en el pin
27 en la primera está el pulso de programación (PGM), mientras que en la
segunda está el habilitador de escritura (WE). Como se puede observar son casi
idénticos.

Figura 5. Circuito Integrado de Memorias EPROM y EEPROM con capacidad

de 64 Kbits.

Las memorias EPROM, son memorias de sólo lectura, programables y borrables,

se programan mediante pulsos eléctricos y su contenido se borra exponiéndolas a
la luz ultravioleta, por lo que éstas también son conocidas como UVEPROM (por
sus siglas en Inglés Ultra Violet Erasable Read Only Memory). Una característica
que presentan estas memorias es que el circuito integrado presenta una ventanita.

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Para guardar la información en la memoria se requiere de un dispositivo

programador y para su borrado se requiere introducir el circuito integrado en un
dispositivo borrador, el cual en su interior contiene una lámpara de luz ultravioleta,
la cual debe ser aplicada por aproximadamente 20 minutos, borrando la totalidad
de las celdas.

La celda de almacenamiento de una memoria EPROM consiste de un solo

transistor MOSFET que contiene una compuerta flotante de silicio llamada FAMOS
(Floating Gate Avalanche-Inyection MOS).

La programación de una celda consistiría en introducir electrones en forma de

avalancha a la compuerta flotante del transistor seleccionado, quedando éstos
atrapados en la misma, dicha carga aumenta la conductividad entre las terminales
del gate y el source del transistor, haciéndolo conductor (el transistor enciende),
en ese caso podríamos decir que la celda tiene almacenado un uno. Si la
compuerta flotante del transistor seleccionado está vacía, este transistor no
enciende, por lo que podríamos decir que la celda tiene guardado un cero.

El borrado consistiría en colocar el circuito integrado con la ventanita descubierta

en un dispositivo borrador, aplicándose los rayos de luz ultravioleta al mismo, con
lo cual se eliminarían por efecto fotoeléctrico los electrones que estuvieran
atrapados en las compuertas flotantes correspondientes, con lo cual se volvería al
estado inicial, es decir ningún transistor podría encender, (el borrado sería en
todas las celdas de la memoria), por lo que podríamos decir que la memoria
tendría almacenados puros ceros. Las memorias EPROM solamente se pueden
borrar un número limitado de veces (entre 6 y 10).

Las memorias EEPROMs son memorias de sólo lectura, programables y

borrables eléctricamente (su nombre proviene de las siglas en inglés Electrically
Erasable Programmable Read Only Memory).

Las celdas de memorias EEPROM son similares a las celdas EPROM algunas
diferencias se encuentran en la capa aislante alrededor de cada compuerta
flotante, la cual es más delgada y no es fotosensible, además cada celda de las
memorias EEPROM está integrada por dos transistores, uno de direccionamiento
y el otro de almacenamiento, éste último es el que posee la compuerta flotante.

Las memorias EEPROM son programables y borrables a través de pulsos

eléctricos, se puede borrar totalmente una memoria en un solo instante, o
localidades individuales de almacenamiento pueden ser borradas y
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reprogramadas por medio de pulsos eléctricos, sin necesidad de retirar el circuito

integrado de su lugar, con lo cual se logra una gran flexibilidad. Las memorias
EEPROM son más caras que las EPROM, además se pueden borrar y
reprogramar miles de veces y la información almacenada puede perdurar
aproximadamente 100 años. La programación de una memoria EEPROM es muy
similar a la EPROM.

Ahora procederemos a ver como grabarla. Lo que debemos tomar en cuenta es lo

siguiente:

Al comprar la memoria debe de estar cubierta con papel estaño, aluminio o estar
contenida en una mica plástica (como estuche transparente), evite tocar los pines
de la memoria.

Para encontrar el software del programador en la computadora personal (PC),

únicamente se busca en el escritorio el icono que dice Acceso directo a ML (Max
Loader) figura 6.

Figura 6. Acceso Directo a ML

Antes de que se proceda a manipularlo se debe asegurar de que el programador

esté conectado al puerto paralelo de la computadora, posteriormente enciéndalo
en modo operación; no coloque la memoria antes de encenderlo o antes de
ejecutar el programa porque se puede dañar el programador o incurrir en un error
de software. Ahora ejecute el programa.

Aparecerá una ventana como la mostrada en la figura 7, entonces proceda a

colocar la memoria; para esto sólo tómela con el dedo índice y el pulgar de los
lados extremos de la memoria donde no toque los pines de la memoria. Observe
que en el programador el socket o base donde se va a colocar la memoria indicará
el sentido y orientación de la memoria, si no lo ubica pregunte a su profesor para
que lo asesore, para ésta u otras dudas, NO experimente si no ha entendido .

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Figura 7. Ventana principal. Max Loader (Top Max)

Enseguida seleccione DEVICE y posteriormente dar un click en SELECT, figura 8.

Figura 8. Menú Device.

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Se abrirá una ventana para identificar la memoria. Primero seleccione el fabricante

y posteriormente la matrícula, figura 9.

Figura 9. Menú para seleccionar el circuito integrado a utilizar.

Ahora se debe regresar al mismo menú DEVICE , aquí se procederá a seleccionar

si se programa, lee o borra la memoria, como se muestra en la figura 10,
seleccionándose la opción con un click.

Figura 10. Menú para seleccionar la opción que se quiera realizar.

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Para comenzar a vaciar los datos se debe entrar a la pantalla anterior y buscar
donde diga Buffer y dé un click en Edit Buffer o con F6, dentro de esta herramienta
se podrá ver el mapeo de la memoria, o sea los registros asociados de los datos
conjuntamente con sus respectivas direcciones. Los datos se podrán ingresar en
hexadecimal o en ASCII como se muestra en la figura 11.

Figura 11. Ventana de edición

Para salir del modo programador o salvar el archivo recurra nuevamente al

recuadro superior de herramientas y seleccione FILE, dentro del menú procederá
a seleccionar la opción ya sea salir, guardarlo o cargar el archivo de datos.

En la figura 12 se muestra que se puede utilizar también la barra de herramientas

con las mismas acciones, anteriormente explicadas.

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Figura 12. Menú Barra de Herramientas

Desarrollo.

i) Implemente la memoria ROM de la figura 13. Nota: Encuentre la forma de utilizar

el circuito integrado 74LS139 para poder obtener un decodificador 3 x 8 que se
necesita para la implementación.
- Verifique su funcionamiento y escriba la tabla de información que tiene guardada,
llame al instructor para la verificación.

- ¿En qué momento se guardó la información?

- ¿A qué tipo de memoria ROM pertenece?

- ¿Qué pasará con la información guardada en la memoria si se quita

inesperadamente la alimentación?

- ¿Por qué sucede esto?

- ¿Qué implica que haya un diodo o no? Explique ¿cuál es el principio de

funcionamiento de esta memoria?

- Identifique en la figura 13, los bloques básicos que integran una memoria.

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Figura 13. Memoria de sólo lectura con una organización 8 x 2.

ii) En una memoria comercial UVEPROM o EEPROM, grabe los siguientes datos:
 Nombre de la asignatura y semestre.
 Nombre de los integrantes del equipo.
 Número de cuenta, grupo de laboratorio y grupo de teoría.
 ¿Cómo se borra una memoria UVEPROM y una EEPROM?
 Texto libre 100 palabras sobre el tema.

iii) Muestre al instructor la información anterior en un display de siete segmentos.

iv) ¿Qué organización tiene la memoria utilizada y su capacidad total?

v) Borre la memoria utilizada y ahora grabe los siguientes datos:

 Nombre de los integrantes del equipo.
 ¿Qué aprendió en la práctica?

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Material.

1 CI. 74LS139 (dual decoder 2 x 4).

1 CI. 7404.
Suficientes diodos IN4001 ó equivalentes, para armar la memoria ROM.
Resistencias de 330 Ω y de 1 kΩ.
2 diodos leds.
1 Memoria UVEPROM o EEPROM (según su elección).
 Hojas de especificaciones de la memoria seleccionada (patigrama).
1 Display de siete segmentos.
1 Contador binario.

Previo.

1- Existen 5 tipos de memoria ROM, mencione ¿cuáles son, sus características

y su definición principal? (1 punto)

2- Realice el diseño y simulación en computadora del inciso (i) de la práctica a

partir del uso del circuito integrado 74LS139. (2 puntos)

3- Si una memoria tiene una organización de 32 K x 8 bits, calcular: (4 puntos)

a) La capacidad de la memoria en celdas o bits.

b) El tamaño de la matriz de almacenamiento suponiendo que la memoria
tenga dos decodificadores, de qué tamaño serían éstos.
c) El número de líneas de dirección
d) El número de líneas de datos.
e) Mencione el número de líneas de habilitación y de control que deberá tener.

4- Describir las características de la EPROM que utilizará en el inciso (ii) de la

práctica, para implementar un decodificador BCD de 7 segmentos. Dibujar el
circuito eléctrico completo con las entradas y las salidas que deberá alambrar
y presentar la tabla de datos y direcciones a grabar en su EPROM de acuerdo
a las características que se piden en el mismo. (3 puntos)

NOTA: Se deja al alumno hacer uso del programador del laboratorio, para
aprender a utilizarlo.

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