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Departamento de Engenharia Electrotécnica (DEE)

• Dispositivo de dois terminais


• Componente elementar não-linear utilizado em
O díodo circuitos muito variados
• Aplicações: conversores de potência AC/DC –
rectificadores, processamento de sinais,
circuitos digitais, etc..
Ânodo Cátodo
• Tipos: díodos de “galena” ( primitivos
receptores de rádio); díodos de vácuo (válvulas
de vácuo); díodos de junção (materiais
semicondutores: silício, germânio, etc..)

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O díodo iD

Ânodo Cátodo vD

(A) (K) Símbolo

Díodo de utilização
iD
corrente

Característica
P N
(A) (K)

vD
Junção pn

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iR
Resistência – dispositivo linear

iR R
vR
iR = vR

vR R

iD
Díodo – dispositivo não linear
iD vD

iD = I S .( e nVT
−1)
vD

vD

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iD
Característica do díodo
• relação entre a corrente e a
tensão no díodo, iD(vD)

• se vD>0 – díodo polarizado directamente vD


• se vD<0 – díodo polarizado inversamente
Polarização Polarização
inversa directa

• IS – corrente de saturação inversa (10-9 @ 10-15) vD

• VT – tensão térmica i D = I S .( e nV T
− 1)
• K – constante de Boltzmann (1,38.10 -23 J/ºK)
• T – temperatura absoluta (0ºC ≈ 273ºK) k .T
VT =
• q – carga do electrão (1,6.10-19 Coulomb) q

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O díodo ideal
iD

• Se aos terminais do díodo for aplicada


uma tensão negativa não flui corrente no
díodo; o díodo comporta-se como um
circuito em aberto
vD

• Se for “injectada” uma corrente positiva iD iD


no díodo, do ânodo para o cátodo, A K A vD K
vD
obtém-se uma queda de tensão nula aos
terminais do díodo; o díodo comporta-se iD>0 => vD=0
vD<0 => iD=0
como um curto-circuito.

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Exemplo de operação dos dois modos de


funcionamento do díodo ideal

+10V +10V +10V +10V

1kΩ 1kΩ 1kΩ 1kΩ

iD iD iD iD

vD vD vD vD
+ 10V
iD =
1kΩ

• Díodo polarizado • Díodo polarizado


directamente, equivalente inversamente, equivalente
a um curto-circuito a um circuito em aberto.

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O rectificador de iD D
vi > 0 , D' ON '
meia-onda vi>0 vD=0 iD > 0 ==> vD = 0
v0 R vo = vi
iD D
v
iD = i
vi vD
R
v0 R
iD=0 D
vi<0 vD vi < 0 , D ' OFF'
v0 R vD < 0 ==> iD = 0
vo = R.iD = 0

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iD D
O rectificador de
meia-onda vi vD
v0 R

vi
V máx

t • Nos meios ciclos positivos o díodo está


polarizado directamente, comporta-se como
um curto-circuito, e a corrente flui sem
restrições no díodo.
v0
V máx • Nos meios ciclos negativos, o díodo está
polarizado inversamente, comporta-se como
um circuito aberto, e por isso a corrente no
t
díodo é nula.

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Estrutura física do
díodo de silício O díodo de junção pn
consiste na junção de dois
Silício Silício
materiais, um
tipo tipo semicondutor tipo p em
P N
contacto com um
semicondutor tipo n

Os semicondutores tipo p e n consistem num substracto


(silício puro, p.ex.) ao qual foram adicionadas impurezas tipo
p (elementos com três electrões na última órbita) ou tipo n
(elementos com cinco electrões na última órbita)

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Junção pn não polarizada • Junção pn sem qualquer


tensão aplicada
• Formação de uma zona na
Buracos Electrões junção dos materiais p e n,
livres designada por região de
deplexão ou região de carga
espacial
• Formação de uma barreira
potencial
Região de deplexão
• Correntes de difusão de
buracos da região p para a
região n e de electrões da
região n para a região p

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Junção pn polarizada
inversamente
A tensão inversa aplicada
(VR) vai reforçar o campo
eléctrico na zona de carga
espacial, a largura desta
vai aumentar e constitui-se
VR
como uma barreira forte à
passagem de corrente.
As correntes de difusão
são nulas

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Junção pn polarizada
directamente A tensão directa aplicada
(VD) vai reduzir, ou mesmo
eliminar, o campo eléctrico
na zona de carga espacial,
a largura desta vai diminuir
e a barreira de potencial
desaparece facilitando a
VD
passagem de corrente.
As correntes de difusão
são importantes

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Modelo do díodo aproximado com


iD
fonte de tensão e resistência

ideal Vγ Rf

• Polarização directa – díodo


equivalente a uma fonte de tensão Vγγ
em série com uma resistência Rf
• Polarização inversa – díodo
Vγ vD
equivalente a uma resistência elevada,
Rr ≈∞

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Modelo do díodo aproximado


com fonte de tensão constante
iD

ideal Vγ

• Polarização directa – díodo equivalente


a uma fonte de tensão constante Vγγ
• Polarização inversa – díodo equivalente
a uma resistência elevada, Rr ≈∞
Vγ vD

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iD
O díodo de zener
Característica do
díodo de zener

-VZ0

iZ Vγ vD

vD vZ
iD

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Modelo linear do díodo de zener com


fonte de tensão constante e resistência
iD

ONzener OFF ONdirecta

ideal
ideal

V Z0 Vγ
RZ RF -V Z0
Vγ vD

v D < −VZ 0 − VZ 0 ≥ v D ≤ Vγ v D ≥ Vγ
iD < 0 iD = 0 iD > 0

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Modelo linear do díodo de zener com


fonte de tensão constante
iD

ONzener OFF ONdirecta

ideal ideal

VZ0 Vγ -VZ0
Vγ vD

v D < −VZ 0 − VZ 0 ≥ v D ≤ Vγ v D ≥ Vγ
iD < 0 iD = 0 iD > 0

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Vi A
Circuitos limitadores D Vo
K

Vo
V
Vi

Vo Vγ

Vi
t

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Circuitos limitadores Vi D
K
Vo

VL

V Vo
Vi
Vo
VL+V γ VL+Vγ

t Vi

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Vi
Circuitos limitadores K Vo
D
A

Vo
V

Vo

-V γ t Vγ Vi
Vi

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K
Vi D
Circuitos limitadores A
Vo

VL

V Vo

Vo

t
- Vi
(VL+Vγ) Vi -(V L+V γ)

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A K
Vi D1 D2
K A
Circuitos limitadores Vo

VL1 VL2

V
Vi
Vo

VL1 +Vγ
Vo VL1+Vγ

t
Vi
-(VL2 +Vγ)
-
(V L2+Vγ)

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Circuitos limitadores Vi D1
Vo

DZ

V Vo
Vi
Vo
VL+V γ V Z+V γ

t
Vi

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Vi D1
Circuitos limitadores Vo

DZ

Vo
V

Vo

t Vi
-(VZ+Vγ) -(VZ+Vγ)
Vi

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Vi DZ1
Circuitos limitadores Vo

DZ2

V
Vo
Vi

Vo VZ1+Vγ
V Z1+Vγ

t
Vi
-(V Z2+Vγ)

-(V Z2+Vγ)

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Vi Vc
K Vo
Circuito fixador D
A

Vi Vo
4V 10V

-6V 0
t

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Vi Vc
A Vo
Circuito fixador D
K

Vi
Vimax

Vi

t
t

-2.Vimax

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Vi Vc
K Vo
D Circuito fixador
A

Vi
2.Vi max

Vi
V imax

t
t

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Circuito duplicador de tensão


Vi
2.Vimax
C1 D2

Vi V c1

D1 C2 Vo

Vo
Vi 2.Vimax
V imax

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