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TRANSISTORES BIPOLARES

DE JUNÇÃO (TBJ)
AULA 1 – INTRODUÇÃO
PROF. Victor Fernandes
TRANSISTORES BIPOLARES DE JUNÇÃO(TBJ)
Introdução
 Dispositivo de três terminais, díodos tem dois
 Princípio de funcionamento: a tensão entre dois terminais controla a corrente
de um terceiro terminal
 Podem ser usados para amplificar/chavear sinais
TRANSISTORES BIPOLARES DE JUNÇÃO(TBJ)
Estrutura
 Possuem duas estruturas básicas: npn ou pnp
 O transistor npn possui três regiões semicondutoras: emissor (tipo n), base
(tipo p) e coletor (tipo n)
 Cada terminal é conectado a uma dessas regiões sendo denominados por suas
respectivas regiões de contato: emissor (E), base (B) e coletor (C)
 Também, possui duas junções pn: junção emissor-base (JEB) e junção coletor-
base (JCB)
TRANSISTORES BIPOLARES DE JUNÇÃO(TBJ)
Modos de Operação
 Dependendo da forma como as junções são polarizadas (direta ou reversa),
são obtidos diferentes modos de operação do TBJ
 Modo ativo: TBJ atua como amplificador
 Modos de corte e saturação: TBJ atua como chave
 Modo ativo reverso: pouco utilizado
TRANSISTORES BIPOLARES DE JUNÇÃO(TBJ)
Simbologia
O símbolo do TBJ em circuitos
usa uma seta no terminal E e
esta seta aponta o sentido de
corrente neste terminal.

No NPN a corrente
convencional sai pelo
Emissor e no caso do PNP a
corrente entra pelo Emissor.
TRANSISTORES BIPOLARES DE JUNÇÃO(TBJ)
Modo Ativo - npn
TRANSISTORES BIPOLARES DE JUNÇÃO(TBJ)
Modo Ativo - npn
 Se VBE = 0,7V, a junção emissor-base conduz através da injeção de elétrons
do Emissor para a Base.

 Sendo a Base estreita e pouco dopada uma pequena parte destes elétrons se
recombinam com as lacunas majoritárias na Base.

 A maior parte do elétrons vindo do Emissor são acelerados pelo potencial


positivo na junção reversa no coletor e pelo potencial positivo externo da
bateria VCB. Assim, grande parte dos elétrons atravessam a base e a junção
JCB e são “acelerados para o” ou “coletados no” Coletor.
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Modo Ativo - npn
 A corrente de Emissor IE é portanto a porção de elétrons injetados mais a
porção de lacunas da Base para o Emissor.

 A corrente de Base IB é a porção de lacunas que deixam a base em direção do


Emissor e a porção de lacunas que se recombinam com elétrons.

 A corrente de Coletor IC se constitui dos elétrons que atravessam a base e a


junção reversa JCB.
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Modo Ativo - pnp
No tipo pnp, elétrons trocam de função com as lacunas em relação ao npn
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Modo Ativo
𝑖𝐶 = 𝐼𝑆 𝑒 𝑣𝐵𝐸 𝑉𝑇
, onde 𝐼𝑆 = 𝐴𝐸 𝑞𝐷𝑛 𝑛𝑝0 /𝑊 é a corrente de saturação

𝐴𝐸 : área da seção de corte da junção emissor-base


𝑞: carga do elétron
Parâmetros
𝐷𝑛 : constante de difusão dos elétrons na base do
𝑛𝑝0 : concentração de portadores minoritários em equilíbrio térmico transistor
𝑊: largura efetiva da base

𝑣𝐵𝐸 : tensão emissor-base (tipicamente 0,7 V)


𝑉𝑇 : constante de tensão térmica (25 mV)
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Modo Ativo
𝑖𝐶
𝑖𝐵 =
𝛽
β+1
𝑖𝐸 = 𝑖𝐶 + 𝑖𝐵 = 𝑖
β 𝐶
ou
𝛽 𝛼
𝑖𝐶 = 𝛼𝑖𝐸 , onde 𝛼= ↔𝛽=
𝛽+1 1−𝛼

𝛽 ≫ 1: ganho de corrente em emissor comum


𝛼 ~ 1: ganho de corrente em base comum
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EXEMPLO
EXEMPLO: Medições de um TBJ npn mostram que a corrente de base é 14,46 uA,
a corrente do emissor é de 1,460 mA e a tensão emissor-base é de 0,7 V. Calcule
𝛼, 𝛽, 𝐼𝑆 e discuta os resultados obtidos.

RESPOSTA (aproximada): 0,99; 100; 10−15 A


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Encapsulamento
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