UNIVERSIDAD NACIONAL MAYOR DE SAN

MARCOS
Universidad del Perú, Decana de América

FACULTAD DE INGENIERÍA ELECTRICA Y

ELECTRÓNICA

PROFESOR: PAREDES PEÑAFIEL RENATO

ALUMNO: CÓDIGO:

Flores Salsavilca Carlos Raul 16190230

Fernandez Muñoz Ever 15190049

Galvez Vasquez Cesar Andres 16190037

FACULTAD: INGENIERÍA ELECTRICA

CURSO: CIRCUITOS ELECTRONICOS I

TEMA: Polarizacion del Transistor Bipolar

TIPO DE INFORME: FINAL

AÑO: 2018
 INFORME FINAL DE CIRCUITOS ELECTRONICOS I

Polarización del Transistor BJT

I. OBJETIVOS

Conocer la polarización por corriente de base de base y tipo H, calcular el punto Q y ver la
respuesta en Ac de dicho transistor NPN.

II. MATERIALES E INSTRUMENTOS

 Transistor BC548

 Resistencias (1K, 3K,10K, 100K)

 Capacitores (10 uF, 100 uF)

 Generador de señales

III. FUNDAMENTO TEÓRICO

El transistor BJT (Bilpolar Junction Transistor en inglés) o transistor de juntura bilateral,

es un dispositivo electrónicos de tres capas, de las cuales derivan sus dos tipos: PNP o NPN.
Actúa básicamente como una fuente de voltaje o corriente controlada por corriente de base,
ello debido a la juntura PN base – emisor, que se polariza en directa, lo cual permite controlar
el flujo de corriente a través de la juntura de colector – emisor mediante el ensanchamiento o
alargamiento del campo eléctrico entre las juntura PN.

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 INFORME FINAL DE CIRCUITOS ELECTRONICOS I

Transistor tipo NPN

Transistor tipo PNP

Su curva característica se hace en función de todas las corrientes de base posibles para
el transistor sin que este sufra daños. Dicha curva presenta tres zonas, la zona de corte,
saturación y la zona activa o de amplificación.

Curvas características del transistor BJT y las zonas de corte y saturación indicadas

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IV. PRIMERA PARTE: POLARIZACIÓN POR CORRIENTE DE BASE

Implementar el siguiente circuito:

RB RC
Fig 1
100k 3k

VCC Llenar la siguiente tabla

12v
Q1
BC548

IC (mA) 3.94

IE (mA) 4.05

IB (mA) 0.11

IRC (mA) 3.94

IRB (mA) 0.11

VCC 12

VRC 11.8

VRB 11.3

VCE 0.2

VBE 0.7

VCB -0.52

VC 0.19

VB 0.72

VE 0.00

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Invertir la fuente y llenar tabla nuevamente.

IC (uA) -0.24

IE (uA) -0.24

IB (uA) -0.24

IRC (mA) -0.24

IRB (mA) -0.24

VCC -12

VRC (uV) -720

VRB -0.01

VCE -12

VBE -12

VCB -0.01

VC -12

VB -12

VE 0.00

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Cambiar Rb=1M, llenar tabla.

IC (mA) 2.84

IE (mA) 2.85

IB (mA) 0.01

IRC (mA) 2.84

IRB (mA) 0.01

VCC 12

VRC 8.85

VRB 11.3

VCE 3.42

VBE 0.7

VCB 2.74

VC 3.50

VB 0.7

VE 0.00

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V. SEGUNDA PARTE: POLARIZACIÓN POR DIVISOR DE VOLTAJE O TIPO H Implementar

el siguiente circuito:

R1 RC
Fig 2

Llenar la siguiente tabla.

Q1 VCC
IC (mA) 0.43

IE (mA) 0.43
R2 RE

IB (uA) 1.41

IR1 (mA) 0.11

IR2 (mA) 0.11

IRE (mA) 0.43

VCC 12

VR1 10.9

VR2 1.08

VRE 0.43

VRC 1.29

VE 0.43

VC 10.7

VB 1.08

VCE 10.3

VBE 0.65

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VCB 9.63

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Cambiar R1 por R2 y llenar tabla.

IC (mA) 2.79

IE (mA) 3.52

IB (mA) 0.73

IR1 (mA) 0.77

IR2 (mA) 0.04

IRE (mA) 3.52

VCC 12

VR1 7.7

VR2 4.2

VRE 3.52

VRC 8.37

VE 3.52

VC 3.63

VB 4.3

VCE 0.78

VBE 0.11

VCB -0.67

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 INFORME FINAL DE CIRCUITOS ELECTRONICOS I

Ubicar el punto Q en la recta de Carga para cada figura

Para la figura 1:

Para la malla 1:

Para la malla 2:

Pero sabemos que:

Y que:

En 1:

Luego, como ICQ=4.05 mA

Lo cual concuerda con la hoja de datos.

Así, solo nos falta obtener Vce en el punto de trabajo.

De 2:

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 INFORME FINAL DE CIRCUITOS ELECTRONICOS I

Así, ya tenemos nuestro punto Q = (0.2V,4.05mA)

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Ahora, hallamos la IE MÁX, de 2:

Ubicando el punto en la recta de carga:

El transistor está en la zona de saturación.

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Para el voltaje negativo, las junturas Base – Emisor y Colector-Emisor se polariza en inversa, por
lo que solo tenemos allí la corriente de fuga de 0.24 uA. El transistor está en la zona de
saturación, por lo que el voltaje VCE es igual al voltaje de la fuente.

Luego, el punto de trabajo Q sería: Q(12,-0.24)

El transistor está en corte.

Para RB=1M, el tipo de configración varía el hfe, por lo que esta debe reemplazarse por el
descrito en el manual. Al reemplazar los datos se obtiene:

Reemplazando los datos en las ecuaciones dadas tenemos:

ICQ=2.84mA

VCEQ=3.4 V

Entonces, nuestro nuevo punto Q de trabajo es Q=(3.4V, 2.84mA)

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 INFORME FINAL DE CIRCUITOS ELECTRONICOS I

El transistor está en la zona activa.

Para la figura 2:

Primero, hallemos el equivalente de Thevenin del

divisor de voltaje:
R1 RC

Q1 VCC

Luego, el VCAB, por divisor de voltaje:

R2 RE

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Reemplazando estos datos en el circuito original:

En 1:

Para este caso VBE=0.7V,

De esta ecuación obtenemos el hfe

del transistor:

De 2:

Pero IC=IE para este caso:

De donde obtenemos IC máx:

Por último, calculemos los valores de Ic y Vce en el punto de trabajo:

De 1:

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Para calcular VCEQ, de 2:

( )

Por lo tanto, el punto Q será: Q= (10.32v; 0.42mA)

Vemos que el punto Q de trabajo está cercano a la zona de corte, aunque básicamente está en
la zona de amplificación o activa.

Cambiemos ahora R1 por R2, y reemplacemos estos valores en las ecuaciones descritas
anteriormente:

Ahora tenemos VBB=10.91v

Reemplazando en las ecuaciones 1 y 2 obtenemos nuestro nuevo punto Q de trabajo.

ICQ=2.7mA

VCEQ=0.1v

Ubicando este punto en la característica del transistor tenemos:

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 INFORME FINAL DE CIRCUITOS ELECTRONICOS I

Ahora vemos que el transistor no trabaja, pues su punto Q está fuera de su recta de carga.

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 INFORME FINAL DE CIRCUITOS ELECTRONICOS I

Implementar el siguiente circuito.

Fig 3

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 INFORME FINAL DE CIRCUITOS ELECTRONICOS I

Llenar la siguiente tabla:

IC (mA) 0.42

IE (mA) 0.43

IB (uA) 1.45

IR1 (mA) 0.10

IR2 (mA) 0.11

IRE (mA) 0.42

VCC 12

VR1 10.8

VR2 1.07

VRE 0.43

VRC 1.29

VE 0.43

VC 10.6

VB 1.08

VCE 10.3

VBE 0.65

VCB 9.62

Vemos que los datos son idénticos a los obtenidos con el circuito sin las fuentes sinodales, lo
cual nos dice que la recta de carga de DC del transistor BJT es la misma.

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 INFORME FINAL DE CIRCUITOS ELECTRONICOS I

VI. CONCLUSIONES

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 INFORME FINAL DE CIRCUITOS ELECTRONICOS I

 El transistor BJT sirve como amplificador electrónico, pues presenta una ganancia de voltaje
en el emisor.

 Existen diversos circuitos de polarización para los BJT, en función de la manera en que se
quiere que trabaje.

 La recta de carga ubica todos los puntos de trabajo posibles del transistor para diferentes
corrientes de base. Un transistor trabajando en algún punto fuera de esta recta está
siendo utilizado de manera incorrecta.

 Al invertir el voltaje de alimentación en el primer circuito, llevamos al transistor a la zona

de corte, pues la juntura base – emisor se polarizó en inversa, provocando un campo muy
fuerte entre colector y emisor, dejándolo abierto.

 Al cambiar la resistencia por una de 1M, se llevó finalmente al transistor a la zona activa.

 En el segundo caso, al invertir las resistencias de base, solo se alteró la corriente de la base,
llevando el punto de trabajo fuera de la recta de carga.

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