Polarización del FET

J.I, Huircán
Universidad de La Frontera
December 9, 2011

Abstract
Se muestran las redes de polarización …ja y autopolarización para el
JFET. En ambas se plantean la malla de entrada y salida, en conjunto
con la ecuación de Schockley, los datos requeridos son la corriente de
saluración IDSS y el voltaje de estrangulamiento Vp . Para el MOSFET
de enriquecimiento, se opera de la misma forma pero se usa la ecuación
de saturación, son requeridos como datos la constante de fabricación K y
el voltaje umbral VT .

1 Circuito de polarización …ja para JFET

Sea el circuito de la Fig. 1.

RD
iD
RD
RG VDD
RG
vDS
i
D
iG VDD iG vGS
VGG VGG

(a ) (b)

Figure 1: Circuito de Polarización …ja para el JFET.

Para la malla de entrada, dado que iG = 0 (la unión compuerta-fuente se

encuentra inversamente polarizada).

VGG = iG RG + vGS
vGS = VGG (1)

Para la malla de salida

1
 VDD = iD RD + vDS (2)
vDS VDD
iD = + (3)
RD RD
Donde (3) es la recta de carga de salida. Adicionalmente se tiene la ecuación
de Shockley
2
vGS
iD = IDSS 1 (4)
Vp
Donde Vp es la tensión de estrangulación del canal, también llamado VGS(OF F )
e IDSS la corriente de saturación, datos provistos por el fabricante.

i
D

VDD
RD

IDSS v GS = 0
1

IDQ vGS = - V GG
2

vGS
3

v -Vp VDD v
GS vGSQ VDSQ DS

Figure 2: Punto de trabajo del JFET.

Para un punto Q dado (IDSQ ; VDSQ ), se determina RD de (2), como

VDD VDSQ
RD = (5)
IDQ
De (4), se determina vGS , luego de (1) se obtiene VGG .

2 Circuito de autopolarización para JFET

Un JFET se autopolariza usando un resistor en la fuente, de acuerdo a la Fig.
3. Para la malla de entrada

iG RG + vGS + RS iD = 0 (6)
vGS
iD = (7)
RS

2
 RD iD

RG
vDS VDD

vGS
iG
RS

Figure 3: Circuito de autopolarización para el JFET.

Para la malla de salida

VDD = vDS + (RD + RS )iD (8)

Así la recta de carga de salida será
VDD vDS
iD = (9)
(RD + RS ) (RD + RS )
Para un punto Q, (IDQ ; VDSQ ) de (9), se obtiene RD +RS : Usando la relación
(7), se obtiene vGS y luego RS :
Se puede observar que la recta dada por (7) intersecta la curva de la ecuación
de Schockley y de…ne el punto de operación como se muestra la Fig. 4.

ID

IDSS

_ 1
RS
IDQ

Vp vGSQ vGS

Figure 4: Intersección ecuación de Schockley y la malla de entrada.

3 Polarización del MOSFET de enriquecimiento

El MOSFET canal n de enriquecimiento o incremental requiere un voltaje pos-
itivo en la compuerta, éste puede ser polarizado de acuerdo al circuito indicado
en la Fig.5a. Luego, planteando la malla de entrada y la malla de salida en la
Fig. 5b. se tiene

3
 RD RD iD
iD

RG VD D RG VD D
vD S
vG S
iG iG
VD D
RS RS iD

(a) (b)

Figure 5: Polarización del MOSFET Incremental.

VDD = iG RG + vGS + iD RS (10)

VDD = iD RD + vDS + iD RS (11)

Donde de (11) se obtiene la recta de carga de salida iD = RDvDS VDD

+RS + RD +RS :
Luego usando la ecuación de funcionamiento del MOSFET para zona activa
se completa el sistema de ecuaciones
2
iD = K (vGS VT ) (12)
Dado iG = 0, el sistema se simpli…ca.

VDD = vGS + iD RS (13)

i [mA] i [mA]
D D

VDD VDD
RS R D + RS

_ 1
RS vGS
3

I DQ I DQ vGS = V
2 GSQ

v GS
1

[V] v [V]
VT VGSQ VDD vG S VDSQ VDD DS

Figure 6: Punto de operación del MOSFET.

vGS VDD
Donde de ()13 se obtiene la recta de carga de entrada iD = RS + RS :

4
 Para un punto de operación (IDSQ ; VDSQ ), en conjunto con el voltaje umbral
VT y la constante de fabricación K, el sistema (12) y (13) se determina RS y
vGS . Finalmente usando (11) se determina RD .

4 Polarización alternativa de MOSFET de Acu-

mulación
El circuito de la Fig.7a usa un divisor de voltaje para alimentar la gate. La
fuente queda conectada a tierra.

R1 RD RD iD
iD

VD D R TH VD D
vD S
vG S
iG
R2 VTH

(a) (b)

Figure 7: Polarización alternativa.

Redibujando la malla de entrada, se tiene el circuito de la Fig. 7b. Plante-

ando la malla de entrada

VT H = iG RT H + vGS (14)
VDD = iD RD + vDS (15)

Donde

R2
VT H = VDD
R1 + R 2
RT H = R1 jjR2

Usando
2
iD = K (vGS VT ) (16)
El sistema queda completo.
Para el diseño es requerido un valor para RT H , el cual acostumbra a tomar
un valor alto por lo general en torno a 1 [M ]. Dado que iG = 0, el sistema
se simpli…ca, pues vGS = VT H . Al igual que en la con…guración anterior, son
requeridas las constante K y el voltaje umbral VT .

5
5 Circuito de polarización universal del MOS-
FET de emprobrecimiento
A modo de complemento se ha incorporado un circuito con un MOSFET de
empobrecimiento o de deplexión. Esta con…guración es de tipo polarización
universal. Sea el circuito de la Fig. 8, donde

R2
VT H = VDD (17)
R1 + R2
R 1 R2
RT H = (18)
R1 + R 2

VDD
+
R1 RD RD VDD
ID
RTH

+
VTH IG
R2 RS RS

Figure 8: Circuito de polarización universal para MOSFET canal n.

Para la malla de entrada, dado que iG = 0, se tiene

VT H = vGS + RS iD (19)

1 VT H
iD = vGS + (20)
RS RS
Para la malla de salida

vDS = VDD (RS + RD )iD (21)

Como este FET también usa la relación de Schockley para de…nir la corriente
iD , para un circuito dado se puede trazar una recta de carga para la malla de
entrada, que establece el punto Q, de acuerdo a la Fig. 9.
Por otro lado, para un punto Q dado, más VDD , VT H o RT H , se obtiene el
diseño.

6 Determinación del punto de trabajo de un

JFET
Sea el circuito de autopolarización del JFET de la Fig. 10. Considerando
Vp = 4 [V ], IDSS = 5 [mA], considerando VDD = 12 [V ], determinar iD , vDS

6
 ID

IDSS

Q1

Q2

Vp V TH1 V TH2

Figure 9: Rectas de carga para distintos puntos Q.

y vGS . De la ecuación en la malla de entrada se tiene

ID ID [mA]
RD 2.2K
5
RG
VDD =12[V] _ 1
470
IG IDQ
RS 470

-4 vGSQ vGS

Figure 10: Análisis de circuito autopolarizado.

vGS
iD = (22)
470 [ ]
Luego, usando la ecuación de de Schockley
2
vGS
iD = 5 [mA] 1 (23)
4 [V ]
Resolviendo el sistema de ecuaciones vGS = 1:17 [V ] e iD = 2:5 [mA], por lo
tanto de (8) se determina vDS = 12 2:5 [mA] (2:2 [K ] + 470 [ ]) = 5:33 [V ] :
De esta forma, la recta de carga de la salida y la entrada están indicadas en la
Fig. 10.

7 Calculo de punto de operación de un MOS-

FET
Sea el circuito de la Fig. 11. Considerando K = 0:125 mAV2 y VT = 2:24 [V ].
Planteando la malla de entrada y la malla de salida.

15 [V ] = iG 1 [M ] + vGS + iD 4:38 [K ]
15 [V ] = iD 620 [ ] + vDS + iD 4:38 [K ]

7
 RD 620Ω
iD iD
620 Ω
1M Ω
RG 15[V] 1MΩ 15[V]
vD S
vG S
iG iG
15[V]
RS 4.38KΩ iD
4.38KΩ

(a) (b)

Figure 11: MOSFET

La ecuación del MOSFET será

mA 2
iD = 0:125 (vGS 2:24[V ])
V2
Considerando iG = 0. Resolviendo se tiene

15 [V ] = iD (4:38 [K ]) + vGS
mA 2
0:125 (vGS 2:24[V ]) (4:38 [K ]) + vGS
V2

Se tiene vGS = 3:59 [V ] ; vGS = 6:24 [V ] ; se descarta el primer valor debido

a que es menor que VT . De esta forma ID = 2 [mA] ; vDS = 5 [V ] :

i [mA] i [mA]
D D

15V
= 3.4
4.38K

_ 1
4.38K
15V
= 3.0
620+4.38K

2 2 6.24V

vGS v
2.24V 6.24V 15V 5V 15V DS

Figure 12: Punto de operación del circuito.

8
8 Conclusiones
Los circuitos de polarización …ja y autopolarización del JFET pueden ser anal-
izados o diseñados mediante el planteamiento de la malla de entrada y salida, en
conjunto con la ecuación de Schockley, la cual requiere como datos la corriente
de saturación IDSS y el voltaje de estrangulamiento Vp . Para el MOSFET de
enriquecimiento, para las distintas con…guraciones también es requerida la malla
de entrada y salida. Esta vez se utiliza la ecuación del MOSFET que indica la
zona de saturación. Debido a que la corriente en la gate es cero, las ecuaciones
se ven simpli…cadas.