ELECTRONICA DE PONTENCIA II LABORATORIO 1

INVERSORES
ATALAYA GOICOCHEA, JUAN JOSE
CODIGO:1413220279
I. OBJETIVOS
 Conocer la configuración de inversores de toma media y de puente
monofásico, ventajas e inconvenientes.
 Implementar un inversor de puente monofásico empleando
transistores y dispositivos semiconductores.

II. MARCO TEÓRICO

a) Inversor en medio puente:

Ilustración 1

Durante los semiperiodos en que Q1 está excitado y saturado, la tensión en el extremo

derecho de la carga es +Vs/2 respecto de la toma media de la batería, salvo caídas de
tensión despreciables en el semiconductor. Durante los semiperiodos en que se excita
Q2, la tensión en dicho extremo de la carga es –Vs/2. La tensión resultante en la carga
es una onda cuadrada de amplitud Vs/2.
El ángulo o periodo de conducción de los diodos coincide con el argumento ɸ de la
impedancia de carga, siendo nulo para una carga con cos ɸ = 1, en cuyo caso podrían
eliminarse los diodos. El mayor periodo de conducción para los diodos y menor para los
transistores se da con carga reactiva pura, tanto capacitiva como inductivo cos ɸ = 0,
ambos periodos son de 90°.
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b) Puente Monofásico:

Ilustración 2

Consta de dos ramas semiconductoras conectadas como se especifica en las Figuras 2

y 3; en estas figuras se han materializado los circuitos mediante transistores, a los
cuales se han conectados diodos en antiparalelo para conducir la intensidad reactiva.

Manteniendo excitados Q1 y Q4 (instante t1), el extremo X de la carga queda conectado

al polo positivo de la batería y el extremo Y al polo negativo, quedando la carga sometida
a la tensión Vs de la batería. Bloqueando Q1 y Q4 y excitando Q2 y Q3 (instante t3), la
tensión en la carga se invierte. Haciendo esto de forma alternativa, la carga queda
sometida a una tensión alterna cuadrada de amplitud igual a la tensión de la batería Vs,
lo cual supone una ventaja con respecto al inversor con batería de toma media. En
contrapartida, aquí se necesitan el doble de semiconductores que en dicha
configuración.

Ilustración 3: Formas de Onda en la carga

En la Figura 3 se muestran los períodos de conducción, la forma de onda en la carga y

los elementos que atraviesa la corriente en cada intervalo de tiempo. Para el instante t2
la carga tendrá una tensión positiva en el extremo “Y” y negativa en el “X”, por tanto,
ésta se descargará a través de los diodos D2 y D3 cediendo potencia a la batería; en el
instante t4 la tensión en la carga es la contraria que en el instante t2 y por tanto conducen
los diodos

D1 y D4. En ambos intervalos de tiempo se libera la energía reactiva acumulada en la

carga durante los instantes t1 y t3 respectivamente.
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 Estudie la utilización del transistor como interruptor y su especificación

por pérdidas

El transistor puede actuar como interruptor, es decir tiene aplicación de conmutación en

control de relés, fuentes de alimentación conmutadas, control de lámparas, modulación
por ancho de pulso (PWM), etc. Este interruptor puede controlarse por corriente o por
tensión (Bipolar o de Efecto de Campo).

Para el caso de los transistores bipolares debemos mencionar que en modo interruptor
se identifican dos estados del transistor: en saturación y en corte. En el primero de ellos
el transistor deja pasar la corriente de Colector a Emisor (NPN); en corte no deja pasar
la corriente. Por esta razón los transistores constituyen el principio básico para realizar
operaciones lógicas y por ende compuertas lógicas.

Cuando el transistor actúa como interruptor las pérdidas son despreciables, sin
embargo, debemos tomar en cuenta los efectos de tiempos de conmutación:

a) Tiempo de retardo (delay time) td. - Intervalo de tiempo entre el punto

correspondiente al instante de aplicación de la señal de entrada y el punto en que
la señal de salida toma el 10% de su valor final. Este tiempo de retraso se debe
principalmente a dos factores:
b) Cuando un transistor actúa como conmutador, se lo polariza para llevarlo al corte,
con lo cual la capacidad de la juntura base-emisor se carga a ese valor de tensión
negativa; por tal razón para pasarlo a la conducción (saturación) se necesita de
cierto tiempo para descargar y cargar ese condensador.
c) Tiempo de subida o crecimiento (rise time) tr. - Intervalo de tiempo entre los puntos
correspondientes al 10 y 90% de la forma de onda ascendente de la corriente de
colector. El tiempo de crecimiento es una función de la frecuencia de corte alfa, fα;
y también depende inversamente de la cantidad de corriente de apertura; mientras
mayor sea la corriente de apertura, menor será el tiempo de crecimiento.
d) Tiempo de almacenamiento (storage time) ts: Intervalo de tiempo entre el instante
en que la tensión de entrada comienza el descenso y el punto
correspondiente al 90% de la forma de onda descendente de la corriente de
colector. El tiempo de almacenamiento es una función de hfe, y de las corrientes
de apertura y cierre. La no respuesta del transistor durante el tiempo ts a la
anulación de la excitación, se debe a que el transistor en saturación tiene una carga
en exceso de portadores minoritarios almacenados en la base. El transistor no
puede responder hasta que ese exceso de carga de saturación se haya eliminado.
En el caso extremo este tiempo ts puede ser de dos a tres veces el tiempo de subida
o de bajada a través de la región activa
e) Tiempo de caída (fall time) tf.- Intervalo de tiempo entre los puntos correspondientes
al 90 y 10% de la forma de onda descendente de la corriente de colector.
f) Tiempo de conexión o encendido TON = td + tr. - Resulta de la suma de los tiempos
de retardo td y de subida tr. Es el tiempo total para pasar del corte a la saturación.
g) Tiempo de desconexión o apagado TOFF = ts + tf. - Es la suma de los tiempos de
almacenamiento ts más el de caída tf. Es el tiempo total para pasar de la saturación
al corte.
h) Tiempo total de conmutación TT = (td + tr) + (ts + tf) = TON + TOFF
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Ilustración 4: Tiempos de conmutación del Transistor

explique el impacto de la variación del índice de modulación de amplitud y frecuencia en

el control de inversores desde el punto de vista de: valor efectivo de la fundamental de
tensión y espectro armónico de tensión.
Una de las principales desventajas de los inversores de onda cuadrada es el elevado
valor del 3er armónico de la tensión de salida. Para mejorar la calidad de la onda de
salida, y por tanto que haya un THD (Distorsión Armónica Total) menor, se puede
modificar la forma de onda variando el esquema de conmutación de los transistores. El
nuevo orden de conmutación es el siguiente.

Ilustración 5: Control de armónicos y amplitud

La modulación por anchura de pulsos (PWM) permite reducir el THD de la corriente de

salida, por lo que se reduce el tamaño del filtro de salida. Con esta modulación se
permite un control de la amplitud del armónico fundamental de la tensión de salida.
Existen dos esquemas básicos de conmutación: PWM Bipolar y PWM Unipolar. En
ambos esquemas se requieren las siguientes señales:
1. Señal de referencia, control o moduladora (sinusoide)
2. Señal portadora (triangular)

Índice de modulación de frecuencia (mf). - la serie de Fourier de la tensión de salida

PWM tiene una frecuencia fundamental que es la misma que la señal de referencia. Las
frecuencias armónicas existen en y alrededor de los múltiplos de la frecuencia de
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conmutación. Los valores de algunos armónicos son bastante grandes, a veces mayores
que la componente fundamental. Como estos armónicos se encuentran en frecuencias
altas, para eliminarles puede bastar un simple filtro pasa bajo. El índice de modulación
se define como la relación entre las frecuencias de las señales portadora y de referencia.
𝑓𝑝𝑜𝑟𝑡𝑎𝑑𝑜𝑟𝑎
𝑚𝑓 =
𝑓𝑟𝑒𝑓𝑒𝑟𝑒𝑛𝑐𝑖𝑎

Índice de amplitud (ma).- se define como la relación entre las amplitudes de las señales
de referencia y modulada
𝑉𝑝𝑜𝑟𝑡𝑎𝑑𝑜𝑟𝑎
𝑚𝑎 =
𝑉𝑟𝑒𝑓𝑒𝑟𝑒𝑛𝑐𝑖𝑎

explique el funcionamiento del inversor tipo puente h:

El circuito a sujeto a experimento en este laboratorio es el siguiente. Debemos aclarar
que se están empleando transistores equivalentes con fines de simulación: ECG123
(2N3904) y ECG159 (2N3906).

Básicamente el funcionamiento de este tipo de inversor se realizó en la primera

pregunta, sin embargo haremos un pequeño resumen:
El circuito consta de dos ramas semiconductoras conectadas como se indica en la figura
anterior. Existe una señal de generación que conmutará cada 1kHz permitiendo que
actúen de manera alternada los transistores Q4 y Q8 (las bases de ambos están siendo
negadas con una compuerta 7404) de manera tal que en un intervalo los transistores
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Q3 y Q7 se saturen y polaricen de manera positiva a la carga (Vs = 48 V provenientes

de la batería), en el otro intervalo Q3 y Q7 pasan a corte y Q5 y Q6 pasan a la saturación
polarizando de manera inversa a la carga (Vs = -48 V provenientes de la batería).
Realizando este proceso de manera alternativa, la carga que sometida a una tensión
alterna cuadrada (dependiendo de la carga) de amplitud igual a la tensión de la batería
Vs.
Con respecto a este punto de la carga, debemos entender que si contamos con una
puramente resistiva no será necesario colocar los diodos por los cuales circulan
corriente reactiva. Los diodos precisamente permiten descargar corriente cediendo
potencia a la batería, también actúan de manera alterna como se observó en la figura
3.
Empleando el Simulador Proteus ISIS observaremos las señales de salida obtenidas de
acuerdo a la carga resistiva de 10kΩ

Las figuras anteriores muestran las señales obtenidas en el simulador: La figura 7

muestra en primer lugar la señal proveniente del generador a 5 voltios, con Duty cicle =
50% y con f=1kHz, esta señal permitirá alternar los transistores que habilitarán el puente
H para obtener la señal de salida alterna. Además, en esta figura observamos las
señales de cada extremo de la carga, ambas de 48 voltios (Vs) aunque desfasadas
180°. La figura 8 muestra la señal de salida Vo en la carga producto de la diferencia de
VA – VB, con lo cual obtenemos una señal alterna de ±48 voltios.
Por otro lado, para explicar este punto mencionaremos algunas de las fórmulas
empleadas en el análisis de inversores del tipo puente H.
El valor medio de la intensidad conducida por cada transistor es:

 evalúe las perdidas eléctricas sobre los transistores principales del circuito y
verifique sus especificaciones de potencia.
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En el apartado anterior empleamos una carga puramente resistiva para obtener la

tensión de salida cuadrada alterna. Ahora para realizar el análisis de las
especificaciones de potencia y valores eléctricos acorde a las fórmulas mencionadas
también en el punto anterior, emplearemos una carga RLC de: R=10Ω, L=31.5mH,
C=112uF, con una batería de 220 voltios.

De acuerdo a la figura anterior podemos inferir que la carga RLC colocada permite el
comportamiento de manera cuasi sinusoidal de la señal de salida. Esta señal de
acuerdo a nuestros cálculos antes mostrados posee una tensión de 220 Voltios y una
frecuencia de 1kHz. Aclaramos también que para lograr una señal senoidal pura
podemos emplear filtros que permitirán anular el efecto de algunos armónicos; así
mismo podemos realizar diseños para frecuencias variables.

 Plantee las modificaciones del circuito para sustituir la compuerta negadora por un
transistor en esta misma configuración y el generador de señales por un reloj lm
555 ajustado a 1khz y un ciclo de trabajo del 50%.
Para este punto emplearemos el primer circuito diseñado, sin embargo, tal como indica
el enunciado en lugar de usar una compuerta negadora para la conmutación,
emplearemos un transistor con la configuración adecuada para obtener los mismos
fines. Además, debemos aclarar que la variación mínima que se produce por esta
modificación es en cuanto a la conmutación en sí con efectos como tiempos de retardo,
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etc., que dependen de la hoja técnica de los dispositivos a emplear. Por otro lado, la
inclusión del timer 555 se realizará de manera práctica en el laboratorio.

III. PROCEDIMIENTO
MATERIAL:
• Computadora Personal
• Transistores: ECG 123 y ECG 159
• Diodo 1N4004 / 1N4007
• Compuerta TTL LS7404
• Resistencia de 1kΩ y 2kΩ
• CI LM 555

IV. CONCLUSIONES
 Existen diversas configuraciones para realizar inversores, depende de cada
diseñador emplear una u otro de acuerdo a sus necesidades. Algunos puntos
que podrían ser de interés son que por ejemplo que en la de toma media se
necesitan emplear dos fuentes, aunque solo dos transistores; mientras que
en la de puente H si bien es cierto se necesita solo una fuente de
alimentación, en cuanto a dispositivos tenemos que emplear el doble al caso
anterior.
 Los diodos poseen una función determinada en los circuitos inversores,
básicamente se encargan del retorno de la corriente reactiva a la fuente, de
no ser colocados en el circuito se podrían obtener dificultades y pese a
realizar un buen diseño, la simulación mostraría errores.
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 En cuanto al empleo de transistores en modo de conmutación debemos tener

en cuenta las especificaciones por pérdidas que se presenten para garantizar
el óptimo diseño de nuestro inversor.
 Muchas veces la velocidad de conmutación de transistores es un problema,
en tales casos se puede emplear un condensador en paralelo a base.
 Tal y como se experimentó en el último punto depende de las frecuencias a
las que se trabajen para saber si emplear transistores o circuitos integrados.