I.

OBJETIVO

Obtener experimentalmente el contenido armónico de la corriente de colector del transistor bipolar.

II. MARCO TEORICO

El transistor de unión bipolar (del inglés bipolar junction transistor, o sus siglas BJT) es un dispositivo
electrónico de estado sólido consistente en dos uniones PN muy cercanas entre sí, que permite controlar el
paso de la corriente a través de sus terminales. La denominación de bipolar se debe a que la conducción tiene
lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos positivos y electrones negativos), y
son de gran utilidad en gran número de aplicaciones; pero tienen ciertos inconvenientes, entre ellos
su impedancia de entrada bastante baja.
Los transistores bipolares son los transistores más conocidos y se usan generalmente en electrónica
analógica aunque también en algunas aplicaciones de electrónica digital, como la tecnología TTL o BICMOS.
Un transistor de unión bipolar está formado por dos Uniones PN en un solo cristal semiconductor, separados
por una región muy estrecha. De esta manera quedan formadas tres regiones:

 Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada, comportándose como un metal.
Su nombre se debe a que esta terminal funciona como emisor de portadores de carga.
 Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector.
 Colector, de extensión mucho mayor.
La técnica de fabricación más común es la deposición epitaxial. En su funcionamiento normal, la unión base-
emisor está polarizada en directa, mientras que la base-colector en inversa. Los portadores de carga emitidos
por el emisor atraviesan la base, porque es muy angosta, hay poca recombinación de portadores, y la mayoría
pasa al colector. El transistor posee tres estados de operación: estado de corte, estado de saturación y estado
de actividad.

Este modelo describe el funcionamiento en contínua del BJT. Nos centramos en el transistor npn ya que todas
las ecuaciones que vamos a presentar para éste son aplicables al pnp sin más que cambiar el signo de todas las
corrientes y tensiones. Aparentemente, el BJT no es más que dos uniones pn enfrentadas que comparten el
ánodo (la base del transistor). Por ello una primera aproximación al modelado podría consistir en la propuesta
de la figura 2; en ella aparecen dos diodos pn enfrentados y dispuestos de tal forma que los ánodos de ambos
coinciden en el terminal de base del transistor. El diodo de la izquierda representa a la unión de emisor y el de
la derecha a la de colector.
Sin embargo, este modelo ignora algo esencial en el dispositivo: la base es muy estrecha y, por ende, las
uniones pn están muy próximas; tan próximas que la corriente que fluye por una, afecta a la corriente que
atraviesa la otra. Este fenómeno se llama inyección de protadores y lo podemos modelar mediante sendas
fuentes dependientes conectadas según indicamos en la Figura 3

Las fuentes son fuentes de corriente controladas por la corriente que atraviesa la otra unión. Los parámetros
de control se llaman ganancia en corriente directa en base común (aF ) y ganancia en corriente inversa en base
común (aR ). La explicación del significado preciso de las palabras “ganancia”, “directa”, “inversa” y “base
común” se hará más adelante. El modelo de la Figura 3-5 constituye el modelo de Ebers-Moll en estática. Los
efectos dinámicos se introducirán mediante condensadores, tal como hicimos para el diodo. Las ecuaciones de
Ebers-Moll son las que obtenemos del análisis del circuito de la Figura 3.
 III. EQUIPOS Y MATERIALES

 Bobinas de FI de AM (Negra, Amarilla, Blanca)

 01 Transistor BF494

 01 Resistencia de 47 Ω / 0.5 W

 02 Resistencias de 1 KΩ / 0.5 W

 02 Resistencias de 10 KΩ / 0.5 W

 01 Potenciómetro de 22 KΩ / 0.5 W

 01 Potenciometro de 100 KΩ / 0.5 W

 03 Condensadores electrolíticos de 10 µF-25 V

 01 Condensador electrolítico de 1 µF-25 V

 01 Condensador cerámico de 47 pF - 50 V

 01 Condensador cerámico de 100 pF - 50 V

 01 Fuente de alimentación doble

 Osciloscopio

 Generador de funciones

 Multímetro digital

IV. CUESTIONARIO

1.- Calcule el punto de operación del transistor del amplificador de la figura #1.
Tomando en cuenta algunas aproximaciones:
IC  I E IB  0

Vcc R2
 VBE
R1  R2
IC  I E 
R3

Remplazando los valores sugeridos en el circuito de la fig.1, tenemos:

12 x 22 K
 0.7
I C  22 K  22 K
10 K

I C  0.53mA

Hallando el VCE.

VCE  VCC  IC ( R3  R4 )

Remplazando valores.

VCE  12  0.53m(10 K  1K )

VCE  6.17V

Por tanto el punto de operación del transistor es:

 I C  0.53mA
VCE  6.17V

2.- Determine una expresión general para Va, Vb y V0 en resonancia asumiendo los datos de la bobina y un Qt
alto.

Analizando el circuito en AC en resonancia, tenemos:

VA  g m RCVin

RC I CQ
VA  Vin
VT

Remplazando valores que sugiere el circuito de la fig.3.

(n2  n3 ) (n  n3 )
vT  v0 2
n1 n0
n3
v0  vT ( )
n1

Finalmente, si Vin  Vm cos( wt ) , introducimos el factor de corrección

n3 n  2I 
v0  g m ( ) RC vin  g m RC ( 3 )  1( x )  Vin
n1 n1  xI 0( x ) 

n3 V I CQ
v0  Gm ( x ) RC ( )Vin ; x  m , g m 
n1 VT VT

De la relación del número de vueltas en el inductor, obtenemos VA y VB.

vB  Gm ( x ) RCVin
2I
n1 , con Gm ( x )  g m 1( x )
v A  Gm ( x ) RC ( )Vin xI 0( x )
n2  n3

𝟐𝑰𝟐(𝒙)
3.- Calcule 𝑮𝒎(𝒙) , para los valores de Vin=20, 50,70, 100, 200, 300,350 mV.
𝑰𝟎(𝒙)

Del libro de Clark & Hess, tenemos las siguientes ecuaciones.

 VBE Vm cos( wt ) Vm
x
iC   I ES e VT
e VT
, si
VT

VBE

iC   I ES e VT
e x cos( wt )  I EQ e x cos( wt )

Desarrollando en series de Fourier.

  I 
iC  I EQ I 0( x ) 1  2 n ( x ) cos(nwt ) 
 n 1 I 0( x ) 

Hallando los coeficientes de la serie de Fourier, mediante la Función de Besel Modificada, detallada en el Apéndice del
libro de Clark & Hess.

1 
 e cos n d
x cos
I n( x) 
2 

Para calcular lo que nos piden:


 e cos 2 d
x cos
I 2( x )
2 2  

  e d … (1)
I 0( x )  x cos



2 I1( x ) 2 e x cos cos  d
Gm ( x )  g m  gm 

xI 0( x ) x  e x cos d
 … (2)

De las ecuaciones (1) y (2), se hacen los cálculos, cuyos resultados se muestran en la tabla 1, teniendo en cuenta que:

Vin Vin
x 
VT 26mV

VT 26mV
gm    49.05
ICQ 0.53mA

Vin (mV) X Gm(x) 2I2(x)/I0(x)

20 0.77 44.92 0.14
50 1.92 34.82 0.57
70 2.69 28.52 0.83
100 3.85 21.83 1.11
200 7.69 11.9 1.51
300 11.54 8.12 1.67
 350 13.46 7.01 1.71
4. Para 𝑽𝒊𝒏 = 𝟐𝟔𝟎𝒎𝑽 𝐜𝐨𝐬(𝒘𝒕⁄𝒏) encuentre una expresión general para V0.