Podemos clasificar las resitencias en tres grandes grupos:

o Resistencias fijas: Son las que presentan

un valor óhmico que no podemos
modificar.
o Resistencias variables: Son las que
presentan un valor óhmico que nosotros
podemos variar modificando la posición
de un contacto deslizante.
o Resistencias especiales: Son las que
varían su valor óhmico en función de la
estimulación que reciben de un factor
externo (luz, temperatura...)

- Nomenclatura de las resistencias

En todas las resistencias nos podemos encontrartres

características, el valor nominal expresado en ómios (, la
tolerancia en % y la potencia en vatios (W).

 Valor nominal: Es el que indica el fabricante.

Este valor normalmente es diferente del valor
real, pues influyen diferentes factores de tipo
ambiental o de los mismos procesos de
fabricación, pues no son exactos. Suele venir
indicado, bien con un código de colores, bien
con caracteres alfanuméricos.
 Tolerancia: Debido a los factores indicados
anteriormente, y en función de la exactitud
que se le de al valor, se establece el concepto
de tolerancia como un % del valor nominal.
De esta forma, si nosotros sumamos el
resultado de aplicar el porcentaje al valor
nominal, obtenemos un valor límite superior.
Si por el contrario lo que hacemos es restarlo,
obtenemos un valor límite inferior. Con la
toelrancia, el fabricante nos garantiza que el
 valor real de la resistencia va a estar siempre
contenido entre estos valores, Si esto no es
así, el componente está defectuoso.
 Potencia nominal: Es el valor de la potencia
disipada por el resistor en condiciones
normales de presión y temperatura.

- Símbolos

Nos podemos encontrar con dos símbolos, uno regulado

por una norma americana y otro por una norma europea.

- Código de colores

Como ya se indicó con anterioridad, una dels formas de

indicar el valor nominal de una resistencia es mediante un
código de colores que consta, como norma general, de 3
bandas de valor y una de tolerancia.

El código empleado es el siguiente:

1ª y 2ª
Factor
banda Toleranci
Color multiplicado Figura
s de a
r
color
Negro 0 x1 -
Marrón 1 x 10 ±1%
Rojo 2 x 100 ±2%
Naranja 3 x 1000 -
Amarill
4 x 10000 -
o
Verde 5 x 100000 ± 0'5 %
Azul 6 x 1000000 -
Violeta 7 x 10000000 -
Gris 8 x 100000000 -
x
Blanco 9 -
1000000000
Oro - : 10 ±5%
Plata - : 100 ± 10 %

Cogiendo como ejemplo la resistencia de la figura,

colores rojo - amarillo - naranja - oro, tendremos:

2 4 x 1000 ± 5% () = 24000 ± 5% = 24 K ± 5%

- Clasificación de los resistores fijos

En principio, las resitencias fijas pueden ser divididas en

dos grandes grupos:

 Bobinados: Están fabricados con hilos metálicos

bobinados sobre núcleos cerámicos. Como regla general,
se suelen utilizar aleaciones del Níquel. Podemos
distinguir dos subgrupos:

1. Resistores bobinados de potencia: Son

robustos y se utilizan en circuitos de
alimentación, como divisores de tensión.
Están formados por un soporte de porcelana o
aluminio aglomerado, sobre el que se devana
el hilo resistivo. La protección la aporta el
proceso final de cementado o vitrificado
externo. Las tolerancias son inferiores al 10 %
 y su tensión de ruido es prácticamente
despreciable. Para garantizar su fiabilidad es
conveniente que el diámetro no sea excesivo
y que no se utilicen a más del 50 % de su
potencia nominal.
2. Resistores bobinados de precisión: La
precisión del valor óhmico de estos
componentes es superior a + 1 por 100. Su
estabilidad es muy elevada y presentan una
despreciable tensión de ruido. El soporte,
cerámico o de material plástico (baquelita),
presenta gargantas para alojar el hilo
resistivo. El conjunto se impregna al vacío con
un barniz especial. Son estabilizados
mediante un tratamiento térmico y se
obtienen tolerancias del + 0,25 %, + 0,1 % y
+ 0,05 %.

 No bobinados: En estas resistencias el material resistivo

se integra en el cuerpo del componente. Están previstos
para disipar potencias de hasta 2 vatios. Son más
pequeños y económicos que los bobinados, y el material
resistivo suele ser carbón o película metálica. Dentro de
este apartado caben resistores destinados a diversas
finalidades, los cuales ofrecen características básicas
muy dispares.

Veamos ahora algunos tipos de resitencias no bobinadas:

o Resistencias aglomeradas o de precisión: son

pequeños, económicos y de calidad media.
Los valores de tensión de ruido y coeficientes
de temperatura y tensión son apreciables.
Bien utilizados, tienen buena estabilidad. Se
fabrican con una mezcla de carbón, aislante y
aglomerante. Dependiendo de la cantidad de
carbón, variará el valor óhmico de la
resistencia. Son sensibles a la humedad y
tienen una tolerancia entre el 5 y el 20 %. Se
deben usar en circuitos que no necesiten
mucha precisión y no usar más del 50 % de
su potencia nominal.
o Resistencias de capa de carbón por
depósitos: están fabricados en un soporte
vidrio sobre el que se deposita una capa de
carbón y resina líquida. El valor óhmico lo
determina el porcentaje de carbón de la
mezcla. El soporte se divide en partes, que
componen las resistencias. Después se
metalizan los extremos, para soldar los
terminales, se moldea con una resina
termoendurecible, se comprueba el valor del
componente y se litografían los valores.

o Resistores pirolíticos: Sobre un núcleo de

material cerámico se deposita carbón por
pirólisis. El núcleo se introduce en un horno al
que se inyecta un hidrocarburo (metano,
butano...). Este se descompone y el carbono
se deposita en el núcleo; tanto más cuanto
mayor cantidad de hidrocarburo se inyecte en
el horno. Después de un proceso de
esmaltado, se realiza el encasquillado de
terminales, quedando preparado el resistor
para el espiralado de la superficie resistiva.
Para que haya un buen encasquillado, la
metalización de los extremos se realiza con
oro, plata o estaño. El valor óhmico es función
del espesor de la capa espiralada. Dicho
espesor condiciona el coeficiente de
temperatura. De ahí que se tienda a
espesores más gruesos y a espiralados de
mayor longitud para incrementar la
estabilidad del componente. Finalmente se
sueldan los terminales, se aísla la superficie
mediante sucesivas capas de pintura y se
inscribe la codificación de sus valores
característicos.

o Resistencias de capa metálica: Están

fabricados con una capa muy fina de metal
(oro, plata, níquel, cromo u óxidos metálicos)
depósitados sobre un soporte aislante (de
vidrio, mica, ..). Estas resistencias tienen un
 valor óhmico muy bajo y una estabilidad muy
alta.

o Resistencias de película fotograbada: Puede

ser por depósito de metal sobre una placa de
vidrio o por fotograbado de hojas metálicas.
Este tipo de resistencias tiene un elevado
valor de precisión y estabilidad.

o Resistencias de película gruesa Vermet: El

soporte es una placa cerámica de reducido
espesor, sobre la que se deposita por
serigrafía un esmalte pastoso conductor. El
esmalte recubre los hilos de salida que ya se
encontraban fijados sobre la placa soporte. Al
introducir el conjunto en un horno, el esmalte
queda vitrificado.

- Clasificación de los resistores variables

Este tipo de resistores presentan la particularidad de

que su valor puede modificarse a voluntad. Para variar
el valor óhmico disponen de un cursor metálico que se
desliza sobre el cuerpo del componente, de tal forma
que la resistencia eléctrica entre el cursor y uno de los
extremos del resistor dependerá de la posición que
ocupe dicho cursor.En esta categoría cabe distinguir la
siguiente clasificación:

 Resistencias ajustables: Disponen de tres terminales,

dos extremos y uno común, pudiendo variarse la
resistencia (hasta su valor máximo), entre el común y
cualquiera de los dos extremos. Son de baja potencia
nominal.
 Foto obtenida de http://www.piher-nacesa.com/es/product.htm

 Resistencia variable (potenciómetro): Su estructura es

semejante a la de los resistores ajustables, aunque la
disipación de potencia es considerablemente superior. Se
utilizan básicamente para el control exterior de circuitos
complejos. Los potenciómetros pueden variar su
resistencia de forma lineal (potenciómetros lineales) o
exponencial (potenciómetros logarítmicos).

Foto obtenida de http://www.piher-nacesa.com/es/product.htm

- Clasificación de los resistores especiales

En el apartado de resistores especiales caben toda una

variedad de componentes resistivos no lineales que modifican
su valor óhmico en función de algún factor externo:
temperatura, tensión aplicada, luminosidad incidente.... Los
principales tipos son:

 Termistores: Son de mediana estabilidad y bajo precio.

Se suelen fabricar a partir de elemntos o mateirlae
semiconductores. Los termistores o resistores variables
con la temperatura se encuadran en dos categorías:
 NTC (Negative Thermistor Coeficient): Posee
un coeficiente de temperatura negativo. La
resistencia eléctrica del componente disminuye al
aumentar la temperatura.

 PTC (Positive Thermistor Coeficient): En este caso

el coeficiente de temperatura es positivo. La
resistencia eléctrica del componente aumenta al
hacerlo la temperatura.

o Características de los termistores:

a. Tolerancia sobre la resistencia
nominal: Es la desviación máxima
entre la resistencia nominal del
termistor y la resistencia real a la
temperatura de 25 ºC.
b. Coeficiente de temperatura
nominal: Valor del coeficiente de
temperatura a 25 ºC, expresado en
tanto por ciento por grado
centígrado, o en tanto por uno por
grado centígrado.
c. Temperatura de
conmutación: Temperatura para la
cual el valor de la resistencia
eléctrica es igual al doble de la que
corresponde a 25 ºC.
d. Factor de disipación térmica
(C): Se define como la potencia
necesaria para elevar la
temperatura del termistor en 1º C
en aire calmado.
e. Relación Tensión-
Intensidad: Cuando crece la
intensidad de corriente que
atraviesa a un termistor, la tensión
entre sus extremos se mantiene
proporcional hasta alcanzar un
cierto valor que corresponde al
comienzo del calentamiento del
termistor. La variación súbita en el
 valor máximo de la tensión se
denomina vuelco.
f. Potencia disipada: Coincide con el
producto de la tensión aplicada al
termistor por la intensidad de la
corriente eléctrica que lo atraviesa
en ese instante.

 Varistores, VDR (Voltage Depended Resitor): Son

resistencias cuyo valor óhmico depende con la tensión.
Mientras mayor es la tensión aplicada en sus extremos,
menor es el valor de la resistencia del componente.

 Magnetoresistores, MDR (Magnetic Depended

Resistor): El valor óhmico

Los condensadores (llamados también capacitores), son dispositivos

de amplio uso en los circuitos eléctricos, como los de sintonía de
frecuencias y los rectificadores de corriente. Lo constituyen dos
conductores próximos entre si, cargados con cargas eléctricas de igual
magnitud y de signos diferentes. Ambos conductores reciben el
nombre de armaduras o placas del condensador. Estos pueden
cargarse si se acoplan a los bornes de una batería.

Fundamental:
Se ha comprobado que existe una proporcionalidad directa entre
la carga q de una cualquiera de sus armaduras y la diferencia de
potencialentre ellas. Esta razón es constante y se
denomina capacidad eléctrica. Es característica para cada par de
conductores que forman el condensador.
 Donde C es la capacidad del condensador, q el valor positivo de
la carga de una de sus placas y ΔV = V1 – V2, es la diferencia de
potencial entre ellas.
La unidad de capacidad eléctrica en el SI es el coulomb/volt
(C/V), denominada farad (F), en honor a Michael Faraday. La
capacidad eléctrica de un condensador es de 1F, si al cargarse sus
respectivas placas con una carga eléctrica de 1C, la diferencia de
potencial entre ellas es de 1 volt.
En la práctica se utilizan valores que son submúltiplos de esta unidad,
como el microfarad (μF), o sea, 10-6 F y el picofarad (pF), igual a 10-
12
F. En los condensadores se ofrece información sobre el valor de su
capacidad eléctrica y del valor de diferencia de potencial a la que
deben conectarse.
La capacidad eléctrica de un condensador expresa la cantidad de
carga eléctrica que éste puede almacenar para una determinada
diferencia de potencial entre sus placas. Para una diferencia de
potencial dada, una capacidad mayor indicará que el condensador
puede almacenar una mayor carga eléctrica.
La capacidad eléctrica de los condensadores depende de su estructura
y dimensiones. Por esto es que se fabrican de distintas formas: planos,
cilíndricos, esféricos, etc., de acuerdo a los propósitos a los que se
destinan. Veamos varios ejemplos.

Navegación: |

Condensador plano
Está compuesto de dos láminas conductoras y paralelas muy próximas entre sí.
 La expresión para calcular el valor de la capacidad de este tipo de condensador, en
función de su geometría, es:

Siendo ε0 la permitividad en el vacío, S el área de una de sus placas y d la distancia

entre ellas.
Debido al comportamiento de los dieléctricos en un campo eléctrico si, manteniendo
la misma carga en las placas, se introduce entre ellas un dieléctrico de permitividad
ε, el campo electrostático, y por tanto el potencial eléctrico entre las placas, se
debilitan ε veces, por lo que la capacidad aumentará en igual valor.
C = εC0
Por lo que la capacidad para el condensador plano con dieléctrico será entonces,

Saber más:La permitividad eléctrica ε

La permitividad eléctrica ε de un medio indica cuántas veces es menor la
intensidad de campo electrostático E en el interior de un dieléctrico
homogéneo, respecto a la intensidad de campo electrostático en el vacío E0.

Esta magnitud es adimensional. Físicamente la permitividad (ε) caracteriza la

propiedad del dieléctrico de polarizarse en presencia de un campo
electrostático. Este fenómeno se aplica ampliamente en la construcción de
 dispositivos electrónicos. También contribuye a explicar las propiedades de la
membrana celular y su funcionamiento.

| ||

Condensador cilíndrico

La figura representa un
condensador cilíndrico de
longitud l, cuyas placas tienen
sendos radios ra y rb.

Este valor aumentará si entre las placas se coloca un dieléctrico.

Analizando las expresiones que nos permiten calcular la capacidad eléctrica de los
condensadores planos y cilíndricos se puede concluir que la capacidad depende de
la geometría del condensador, de las propiedades eléctricas del medio entre sus
placas, pero no del material que constituyen sus placas. Estas se construyen de
hierro, de cobre y otros materiales.

Saber más:La permitividad eléctrica ε

La permitividad eléctrica ε de un medio indica cuántas veces es menor la
intensidad de campo electrostático E en el interior de un dieléctrico
homogéneo, respecto a la intensidad de campo electrostático en el vacío E0.

Esta magnitud es adimensional. Físicamente la permitividad (ε) caracteriza la

propiedad del dieléctrico de polarizarse en presencia de un campo
electrostático. Este fenómeno se aplica ampliamente en la construcción de
dispositivos electrónicos. También contribuye a explicar las propiedades de la
membrana celular y su funcionamiento.

Saber más:Otros tipos de condensadores

 Existen otros tipos de condensadores, representados en la figura.

El condensador técnico más común, está formado de dos tiras de papel de

aluminio, separadas y aisladas entre sí y de la cubierta metálica, gracias a una
tira de papel, impregnada de un dieléctrico, como la parafina (Fig.a). Este
conjunto se enrolla fuertemente, formando un cilindro de reducidas
dimensiones.
Otros condensadores, que trabajan con alto voltaje, consisten de varias placas
entretejidas, inmersas en una sustancia dieléctrica, (Fig.b). Frecuentemente
se utilizan los condensadores electrolíticos (Fig. c). Estos dispositivos tienen
una gran capacidad eléctrica, al acumular grandes valores de carga eléctrica a
relativamente bajas diferencias de potencial. Constituido por una lámina
metálica, en contacto con una solución electrolítica, en la que la capa de óxido
formada en la lámina actúa como dieléctrico. Al ser ésta tan fina, la separación
entre las placas es tan delgada que se obtienen los altos valores de capacidad
deseados, en dimensiones también relativamente pequeñas.

Un condensador utilizado en los circuitos de

sintonía de radiorreceptores es el
condensador de capacidad variable, formado
por un conjunto de placas fijas y otro de
placas móviles. Al desplazarse unas respecto
a la otra la capacidad varía al variar las
características geométricas del condensador.
De esta forma se varía la capacidad, una de
las magnitudes importantes en los circuitos
sintonizadores.

Conexión en serie y en paralelo

de condensadores
Conexión en paralelo
 Las distintas formas de conexión de los condensadores ofrece ventajas prácticas,
como la de sustituir con una de ellas un condensador de determinadas
especificidades que en ese momento no tengamos a mano.
Los condensadores pueden conectarse en un circuito en serie y en paralelo. El
símbolo de un condensador es el siguiente:

Acoplamiento en paralelo

Esta conexión se caracteriza porque la diferencia de potencial ∆V es la misma para

ambos, en este caso igual a la suministrada por la batería. La carga total acumulada
por ellos es igual a la suma de q1 y q2.

Partiendo de esta condición puede hallarse que la capacidad eléctrica equivalente

de este acoplamiento es igual a:
C=C1+C2
Para una conexión de n condensadores en paralelo se tendría:
C=C1+C2+C3+.......+Cn
El valor de la capacidad eléctrica equivalente significa que en el circuito puede
sustituirse la conexión en paralelo de los condensadores por un condensador de
capacidad eléctrica C con una carga q.
En una conexión de condensadores en paralelo, la capacidad equivalente es la suma
de la capacidad de cada uno de los condensadores.

Saber más:Capacidad eléctrica de dos condensadores

conectados en paralelo
Esta conexión en paralelo de condensadores se caracteriza porque la diferencia
de potencial ∆V es la misma para cada uno de los condensadores acoplados,
 en este caso igual a la suministrada por la batería. La carga total acumulada
por ellos es igual a la suma de q1 y q2.
q= q1+q2+...........+qn
Aplicando la definición de capacidad y sustituyendo los valores respectivos de
las cargas eléctricas en la suma anterior, se tiene que:
q= C1 ∆V+C2∆V+......+Cn(ΔV) = (C1+C2+........+Cn)∆V
De donde se obtiene q/∆V = C1+C2+.......+Cn, quedando:
C=C1+C2+.......+Cn
Expresión en la que C es la capacidad equivalente del acoplamiento de los
condensadores.

Acoplamiento en serie

En el acoplamiento en serie, los condensadores se conectan uno a continuación de

otro, como aparece en la figura. Si entre los puntos ac se aplica una diferencia de
potencial, los condensadores quedarán cargados con cargas iguales q, en virtud del
principio de conservación de la carga eléctrica.
A partir de esta propiedad, se puede determinar que esta conexión puede sustituirse
por un condensador de capacidad eléctrica equivalente, cuyo valor es:

Para el caso general de n condensadores conectados en serie se tiene:

Cuando se conectan varios condensadores en serie, el inverso de la capacidad

equivalente es igual a la suma de los inversos de la capacidad de cada uno de ellos.

Saber más:Capacidad eléctrica equivalente de la conexión en

serie de condensadores
Cuando n condensadores se acoplan en serie, la carga eléctrica entre sus
placas es la misma, en virtud del principio de conservación de la carga
eléctrica.
La diferencia de potencial entre los extremos del acoplamiento será igual a la
suma de las diferencias de potencial entre las placas de cada uno de los
condensadores acoplados, por la ley de conservación de la energía. Por lo que:
∆V = ∆V1 + ∆V2+..........+ΔVn , o lo que es igual:
 De donde:

como el miembro de la izquierda es el inverso de la capacidad entre los

extremos de la conexión, la ecuación final obtenida es:

Ejemplos resueltos
Ejemplo resuelto 1
Se aplica una diferencia de potencial de 300 V a dos capacitores asociados en serie.
La capacidad de ambos condensadores aparecen en la siguiente tabla:

a) ¿Cuál es la carga y la diferencia de potencial para cada condensador?

b) Si los condensadores electrizados se conectan uniendo las placas del mismo signo
entre sí. ¿Cuál es la carga y la diferencia de potencial en cada uno?

Debes recordar que es recomendable hacer siempre el esquema de la situación

planteada.

Solución:
Inciso a): En la conexión en serie de condensadores debe tenerse en cuenta que la
carga eléctrica es la misma para cada uno y la diferencia de potencial es diferente.
Esta es la condición física del problema en este inciso, que se plantea así:
q1=q2=q
y

La diferencia de potencial de cada condensador se determina a partir de:

R/: La carga eléctrica en las placas de cada condensador es de 4,8x10-4 coulomb

y las diferencias de potencial son 240volt y 60volt, respectivamente.
Inciso b): De la condición planteada en el inciso se deduce que los condensadores
estarán ahora conectados en paralelo, por tanto se cumple que:
R/: La diferencia de potencial entre sus placas es de 300 volt y la carga eléctrica es
de 6,0 x 10-4 coulomb y 24 x 10-4 coulomb, respectivamente.

Ejercicio 2
Halle la capacidad de un condensador C, si el área de sus placas es S y la distancia
entre ellas es l. Entre las placas del condensador se sitúa una lámina metálica de
espesor d, paralela a ellas.

Solución
El condensador con la lámina intercalada se puede considerar como dos
condensadores conectados en serie. La capacidad del primero de ellos es igual a:

donde X es la distancia de una de sus placas a la lámina.

La capacidad del segundo es:
 La capacidad de una asociación de condensadores en serie se determina por la
ecuación:

Sustituyendo en la ecuación anterior se obtiene la siguiente respuesta.

La capacidad no depende de la posición de la lámina.

Para una lámina muy fina (d → 0) la capacidad el condensador permanece
invariable.

El transistor es un dispositivo electrónico semiconductor utilizado para entregar una señal

de salida en respuesta a una señal de entrada.1 Cumple funciones
de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. El término «transistor» es la
contracción eninglés de transfer resistor («resistor de transferencia»). Actualmente se
encuentran prácticamente en todos los aparatos electrónicos de uso
diario: radios, televisores, reproductores de audio y video, relojes de
cuarzo, computadoras, lámparas fluorescentes, tomógrafos, teléfonos celulares, entre
otros.

Índice

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 1 Historia
 2 Tipos de transistor
o 2.1 Transistor de contacto puntual
o 2.2 Transistor de unión bipolar
o 2.3 Transistor de efecto de campo
o 2.4 Fototransistor
 3 Transistores y electrónica de potencia
 4 El transistor bipolar como amplificador
o 4.1 Emisor común
o 4.2 Base común
o 4.3 Colector común
 5 El transistor bipolar frente a la válvula termoiónica
 6 Véase también
 7 Referencias
 8 Enlaces externos

Historia[editar]
Artículo principal: Historia del transistor

El transistor bipolar fue inventado en los Laboratorios Bell de Estados Unidos en diciembre
de 1947 por John Bardeen, Walter Houser Brattain y William Bradford Shockley, quienes
fueron galardonados con el Premio Nobel de Física en 1956. Fue el sustituto de la válvula
termoiónica de tres electrodos, o triodo.

El transistor de efecto campo fue patentado antes que el transistor BJT (en 1930), pero no
se disponía de la tecnología necesaria para fabricarlos masivamente.

Es por ello que al principio se usaron transistores bipolares y luego los denominados
transistores de efecto de campo (FET). En los últimos, la corriente entre el surtidor o fuente
(source) y el drenaje (drain) se controla mediante el campo eléctrico establecido en el
canal. Por último, apareció el MOSFET (transistor FET de tipo Metal-Óxido-
Semiconductor). Los MOSFET permitieron un diseño extremadamente compacto,
necesario para los circuitos altamente integrados (CI).

Hoy la mayoría de los circuitos se construyen con tecnología CMOS. La tecnología CMOS
(Complementary MOS ó MOS Complementario) es un diseño con dos diferentes MOSFET
(MOSFET de canal n y p), que se complementan mutuamente y consumen muy poca
corriente en un funcionamiento sin carga.

El transistor consta de un sustrato (usualmente silicio) y tres partes dopadas artificialmente

(contaminadas con materiales específicos en cantidades específicas) que forman dos
uniones bipolares, el emisor que emite portadores, el colector que los recibe o recolecta y
la tercera, que está intercalada entre las dos primeras, modula el paso de dichos
portadores (base). A diferencia de las válvulas, el transistor es un dispositivo controlado
por corriente y del que se obtiene corriente amplificada. En el diseño de circuitos a los
transistores se les considera un elemento activo, a diferencia de
los resistores, condensadores e inductores que son elementos pasivos. Su funcionamiento
sólo puede explicarse mediante mecánica cuántica.

De manera simplificada, la corriente que circula por el colector es función amplificada de la

que se inyecta en el emisor, pero el transistor sólo gradúa la corriente que circula a través
de sí mismo, si desde una fuente de corriente continua se alimenta la base para que
circule la carga por el colector, según el tipo de circuito que se utilice. El factor de
amplificación o ganancia logrado entre corriente de colector y corriente de base, se
denomina Beta del transistor. Otros parámetros a tener en cuenta y que son particulares
de cada tipo de transistor son: Tensiones de ruptura de Colector Emisor, de Base Emisor,
de Colector Base, Potencia Máxima, disipación de calor, frecuencia de trabajo, y varias
tablas donde se grafican los distintos parámetros tales como corriente de base, tensión
Colector Emisor, tensión Base Emisor, corriente de Emisor, etc. Los tres tipos de
esquemas(configuraciones) básicos para utilización analógica de los transistores son
emisor común, colector común y base común.

Modelos posteriores al transistor descrito, el transistor bipolar (transistores FET, MOSFET,

JFET, CMOS, VMOS, etc.) no utilizan la corriente que se inyecta en el terminal
debase para modular la corriente de emisor o colector, sino la tensión presente en el
terminal de puerta o reja de control (graduador) y gradúa la conductancia del canal entre
los terminales de Fuente y Drenaje. Cuando la conductancia es nula y el canal se
encuentra estrangulado, por efecto de la tensión aplicada entre Compuerta y Fuente, es el
campo eléctrico presente en el canal el responsable de impulsar los electrones desde la
fuente al drenaje. De este modo, la corriente de salida en la carga conectada al Drenaje
(D) será función amplificada de la Tensión presente entre la Compuerta (Gate) y Fuente
(Source). Su funcionamiento es análogo al del triodo, con la salvedad que en el triodo los
equivalentes a Compuerta, Drenador y Fuente son Reja (o Grilla Control), Placa y Cátodo.

Los transistores de efecto de campo son los que han permitido la integración a gran escala
disponible hoy en día; para tener una idea aproximada pueden fabricarse varios cientos de
miles de transistores interconectados, por centímetro cuadrado y en varias capas
superpuestas.

Tipos de transistor[editar]

Distintos encapsulados de transistores.

Transistor de contacto puntual[editar]

Llamado también «transistor de punta de contacto», fue el primer transistor capaz de
obtener ganancia, inventado en 1947 por John Bardeen y Walter Brattain. Consta de una
base de germanio, semiconductor para entonces mejor conocido que la combinacióncobre-
óxido de cobre, sobre la que se apoyan, muy juntas, dos puntas metálicas que constituyen
el emisor y el colector. La corriente de base es capaz de modular la resistencia que se
«ve» en el colector, de ahí el nombre de transfer resistor. Se basa en efectos de superficie,
poco conocidos en su día. Es difícil de fabricar (las puntas se ajustaban a mano), frágil (un
golpe podía desplazar las puntas) y ruidoso. Sin embargo convivió con el transistor de
unión (W. Shockley, 1948) debido a su mayor ancho de banda. En la actualidad ha
desaparecido.
Transistor de unión bipolar[editar]
Artículo principal: Transistor de unión bipolar

Diagrama de Transistor NPN

El transistor de unión bipolar (o BJT, por sus siglas del inglés bipolar junction transistor) se
fabrica básicamente sobre un monocristal de Germanio, Silicio o Arseniuro de galio, que
tienen cualidades de semiconductores, estado intermedio entre conductores como
los metalesy los aislantes como el diamante. Sobre el sustrato de cristal, se contaminan en
forma muy controlada tres zonas, dos de las cuales son del mismo tipo, NPN o PNP,
quedando formadas dos uniones NP.

La zona N con elementos donantes de electrones (cargas negativas) y la zona P de

aceptadores o «huecos» (cargas positivas). Normalmente se utilizan como elementos
aceptadores P al Indio (In), Aluminio (Al) o Galio (Ga) y donantes N al Arsénico (As)
o Fósforo(P).

La configuración de uniones PN, dan como resultado transistores PNP o NPN, donde la
letra intermedia siempre corresponde a la característica de la base, y las otras dos al
emisor y al colector que, si bien son del mismo tipo y de signo contrario a la base, tienen
diferente contaminación entre ellas (por lo general, el emisor está mucho más contaminado
que el colector).

El mecanismo que representa el comportamiento semiconductor dependerá de dichas

contaminaciones, de la geometría asociada y del tipo de tecnología de contaminación
(difusión gaseosa, epitaxial, etc.) y del comportamiento cuántico de la unión.
Transistor de efecto de campo[editar]
El transistor de efecto de campo de unión (JFET), fue el primer transistor de efecto de
campo en la práctica. Lo forma una barra de material semiconductor de silicio de tipo N o
P. En los terminales de la barra se establece un contacto óhmico, tenemos así un
transistor de efecto de campo tipo N de la forma más básica. Si se difunden dos regiones
P en una barra de material N y se conectan externamente entre sí, se producirá una
puerta. A uno de estos contactos le llamaremos surtidor y al otro drenador.
Aplicando tensiónpositiva entre el drenador y el surtidor y conectando la puerta al surtidor,
estableceremos una corriente, a la que llamaremos corriente de drenador con polarización
cero. Con un potencial negativo de puerta al que llamamos tensión de estrangulamiento,
cesa la conducción en el canal.

El transistor de efecto de campo, o FET por sus siglas en inglés, que controla la corriente
en función de una tensión; tienen alta impedancia de entrada.

 Transistor de efecto de campo de unión, JFET, construido mediante una unión PN.
 Transistor de efecto de campo de compuerta aislada, IGFET, en el que la compuerta
se aísla del canal mediante un dieléctrico.
 Transistor de efecto de campo MOS, MOSFET, donde MOS significa Metal-Óxido-
Semiconductor, en este caso la compuerta es metálica y está separada del canal
semiconductor por una capa de óxido.
Fototransistor[editar]
Artículo principal: Fototransistor

Los fototransistores son sensibles a la radiación electromagnética en frecuencias cercanas

a la de la luz visible; debido a esto su flujo de corriente puede ser regulado por medio de la
luz incidente. Un fototransistor es, en esencia, lo mismo que un transistor normal, sólo que
puede trabajar de 2 maneras diferentes:

 Como un transistor normal con la corriente de base (IB) (modo común);

 Como fototransistor, cuando la luz que incide en este elemento hace las veces de
corriente de base. (IP) (modo de iluminación).

Transistores y electrónica de potencia[editar]

Con el desarrollo tecnológico y evolución de la electrónica, la capacidad de los dispositivos
semiconductores para soportar cada vez mayores niveles de tensión y corriente ha
permitido su uso en aplicaciones de potencia. Es así como actualmente los transistores
son empleados en conversores estáticos de potencia, controles para motores y llaves de
alta potencia (principalmente inversores), aunque su principal uso está basado en la
amplificación de corriente dentro de un circuito cerrado.

El transistor bipolar como amplificador[editar]

El comportamiento del transistor se puede ver como dos diodos (Modelo de Ebers-Moll),
uno entre base y emisor, polarizado en directo y otro diodo entre base y colector,
polarizado en inverso. Esto quiere decir que entre base y emisor tendremos una tensión
igual a la tensión directa de un diodo, es decir 0,6 a 0,8 V para un transistor de silicio y
unos 0,4 para el germanio.
Lo interesante del dispositivo es que en el colector tendremos una corriente proporcional a
la corriente de base: IC = β IB, es decir, ganancia de corriente cuando β>1. Para
transistores normales de señal, β varía entre 100 y 300.

Entonces, existen tres configuraciones para el amplificador:

Emisor común[editar]

Emisor común.

La señal se aplica a la base del transistor y se extrae por el colector. El emisor se conecta
a las masas tanto de la señal de entrada como a la de salida. En esta configuración se
tiene ganancia tanto de tensión como de corriente. En caso de tener resistencia de emisor,
RE > 50 Ω, y para frecuencias bajas, la ganancia en tensión se aproxima bastante bien por

la siguiente expresión: ; y la impedancia de salida, por RC

Como la base está conectada al emisor por un diodo en directo, entre ellos podemos
suponer una tensión constante, Vg. También supondremos que β es constante. Entonces
tenemos que la tensión de emisor es:

Y la corriente de emisor: .

La corriente de emisor es igual a la de colector más la de

base: . Despejando

La tensión de salida, que es la de colector se calcula

como:

Como β >> 1, se puede aproximar: y,

entonces,

Que podemos escribir como

Vemos que la parte es constante (no depende de la señal de

entrada), y la parte nos da la señal de salida. El signo negativo indica que la

señal de salida está desfasada 180º respecto a la de entrada.

Finalmente, la ganancia queda:

La corriente de entrada, , que aproximamos

por .

Suponiendo que VB>>Vg, podemos escribir:

y la impedancia de entrada:

Para tener en cuenta la influencia de frecuencia se deben utilizar modelos de transistor

más elaborados. Es muy frecuente usar el modelo en pi.
Base común[editar]

Base común.

La señal se aplica al emisor del transistor y se extrae por el colector. La base se conecta a
las masas tanto de la señal de entrada como a la de salida. En esta configuración se tiene
ganancia sólo de tensión. La impedancia de entrada es baja y la ganancia de corriente
algo menor que uno, debido a que parte de la corriente de emisor sale por la base. Si
añadimos una resistencia de emisor, que puede ser la propia impedancia de salida de la
fuente de señal, un análisis similar al realizado en el caso de emisor común, nos da la

ganancia aproximada siguiente: .

La base común se suele utilizar para adaptar fuentes de señal de baja impedancia de
salida como, por ejemplo, micrófonos dinámicos.
Colector común[editar]
Colector común.

La señal se aplica a la base del transistor y se extrae por el emisor. El colector se conecta
a las masas tanto de la señal de entrada como a la de salida. En esta configuración se
tiene ganancia de corriente, pero no de tensión que es ligeramente inferior a la unidad. La
impedancia de entrada es alta, aproximadamente β+1 veces la impedancia de carga.
Además, la impedancia de salida es baja, aproximadamente β veces menor que la de la
fuente de señal.

El transistor bipolar frente a la válvula termoiónica[editar]

Antes de la aparición del transistor los ingenieros utilizaban elementos activos llamados
válvulas termoiónicas. Las válvulas tienen características eléctricas similares a la de
los transistores de efecto campo (FET): la corriente que los atraviesa depende de la
tensión en el borne de comando, llamado rejilla. Las razones por las que el transistor
reemplazó a la válvula termoiónica son varias:

 Las válvulas necesitan tensiones muy altas, del orden de las centenas de voltios, que
son peligrosas para el ser humano.
 Las válvulas consumen mucha energía, lo que las vuelve particularmente poco útiles
para el uso con baterías.
 Probablemente, uno de los problemas más importantes haya sido el peso.
El chasis necesario para alojar las válvulas y los transformadores requeridos para su
funcionamiento sumaban un peso importante, que iba desde algunos kilos a decenas
de kilos.
 El tiempo medio entre fallas de las válvulas termoiónicas es muy corto comparado con
el de los transistores, sobre todo a causa del calor generado.
 Las válvulas presentan una cierta demora en comenzar a funcionar, ya que necesitan
estar calientes para establecer la conducción.
 El transistor es intrínsecamente insensible al efecto microfónico, muy frecuente en las
válvulas.
 Los transistores son más pequeños que las válvulas, incluso que los nuvistores.
Aunque existe unanimidad sobre este punto, conviene hacer una salvedad: en el caso
de dispositivos de potencia, estos deben llevar un disipador, de modo que el tamaño
que se ha de considerar es el del dispositivo (válvula o transistor) más el del disipador.
Como las válvulas pueden funcionar a temperaturas más elevadas, la eficiencia del
disipador es mayor en ellas que en los transistores, con lo que basta un disipador
mucho más pequeño.
 Los transistores trabajan con impedancias bajas, o sea con tensiones reducidas y
corrientes altas; mientras que las válvulas presentan impedancias elevadas y por lo
tanto trabajan con altas tensiones y pequeñas corrientes.
 Finalmente, el costo de los transistores no solamente era muy inferior, sino que
contaba con la promesa de que continuaría bajando (como de hecho ocurrió) con
suficiente investigación y desarrollo.

Como ejemplo de todos estos inconvenientes se puede citar a la primera computadora

digital, llamada ENIAC. Era un equipo que pesaba más de treinta toneladas y consumía
200 kilovatios, suficientes para alimentar una pequeña ciudad. Tenía alrededor de 18 000
válvulas, de las cuales algunas se quemaban cada día, necesitando una logística y una
organización importantes.

Cuando el transistor bipolar fue inventado en 1947, fue considerado una revolución.
Pequeño, rápido, fiable, poco costoso, sobrio en sus necesidades de energía, reemplazó
progresivamente a la válvula termoiónica durante la década de 1950, pero no del todo. En
efecto, durante los años 1960, algunos fabricantes siguieron utilizando válvulas
termoiónicas en equipos de radio de gama alta, como Collins y Drake; luego el transistor
desplazó a la válvula de los transmisores pero no del todo de los amplificadores de
radiofrecuencia. Otros fabricantes, de equipo de audio esta vez, como Fender, siguieron
utilizando válvulas en amplificadores de audio para guitarras. Las razones de la
supervivencia de las válvulas termoiónicas son varias:

 El transistor no tiene las características de linealidad a alta potencia de la válvula

termoiónica, por lo que no pudo reemplazarla en los amplificadores de transmisión de
radio profesionales y de radioaficionados sino hasta varios años después.[cita requerida]
 Los armónicos introducidos por la no linealidad de las válvulas resultan agradables al
oído humano (véase psicoacústica), por lo que son preferidos por los audiófilos.
 El transistor es muy sensible a los efectos electromagnéticos de las explosiones
nucleares, por lo que se siguieron utilizando válvulas termoiónicas en algunos
sistemas de control-comando de aviones caza de fabricación soviética.[cita requerida]
 Las válvulas son capaces de manejar potencias muy grandes, impensables para los
transistores en sus comienzos; sin embargo a través de los años se desarrollaron
etapas de potencia con múltiples transistores en paralelo capaces de conseguirlo.
 Véanse también: Válvula termoiónica y Transistor bipolar.

Véase también[editar]

 Semiconductor
 Transistor de aleación
 Transistor de unión bipolar
 Transistor IGBT
 Thin-film transistor
 Transistor uniunión

Referencias[editar]

1. Volver arriba↑ Transistor en Google Libros.

Enlaces externos[editar]

 Wikimedia Commons alberga contenido multimedia sobre Transistor.

 Wikcionario tiene definiciones y otra información sobre transistor.
 Transistores Vs. Válvulas para aplicaciones en audio de alta fidelidad, Oscar Bonello,
fundador de la compañía Solidyne y miembro de Audio Engineering Society (AES),
propone una interpretación posible sobre la rivalidad entre entusiastas de una u otra
tecnología.
 Como funcionan realmente los transistores Versión original en Inglés
 Símbolos de transistores
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