Laboratorio de Dispositivos Osornio González Eduardo

Grupo: 5CV1 Otero Gómez David

o Características y limitaciones del diodo de silicio.

Tensión umbral
En la región directa, la tensión a partir de la cual la corriente empieza a incrementarse rápidamente se denomina
tensión umbral del diodo, que es igual a la barrera de potencial, El análisis de circuitos con diodos se dirige
normalmente a determinar si la tensión del diodo es mayor o menor que la tensión umbral. Si es mayor, el
diodo conduce finalmente; si es menor, lo hace pobremente. Definimos la tensión umbral de un diodo de silicio
de la siguiente forma:
Vk ≅ 0.7 V
Aunque los diodos de germanio raramente se emplean en diseños nuevos, se pueden encontrar todavía en
circuitos especiales o en equipos antiguos. Por esta razón, conviene recordar que la tensión umbral de un diodo
germanio es, aproximadamente de 0,3V. Esta tensión umbral es una ventaja y obliga a considerar el uso del
diodo de germanio en ciertas aplicaciones.

Resistencia interna
Para tensiones mayores que la tensión umbral (o tensión de codo), la corriente del diodo crece rápidamente, lo
que quiere decir que aumentos pequeños en la tensión del diodo originaran grandes incrementos en su
corriente.

Corriente continua máxima con polarización directa

La corriente máxima en directa es uno de los valores que se especifican en una hoja de características. Esta
corriente puede aparecer como Imax, If(max), Io, etc. Este dato se significa que puede manejar con seguridad una
corriente continua con polarización directa igual a 135mA.

Disipación de potencia
Se puede calcular la disipación de potencia de un diodo de la misma forma que se hace para una resistencia. Es
igual al producto de la tensión por la corriente del diodo. Expresándolo matemáticamente:

Pd = Vd*Id

La limitación de potencia es la máxima potencia que el diodo puede disipar con seguridad sin acortar su tiempo
de vida o degradar sus características de operación. Su definición es:

Pmax = Vmax * Imax

En la zona directa tenemos dos características importantes:

1. Hay que vencer la barrera de potencial (superar la tensión umbral Vd) para que conduzca bien en
polarización directa (zona directa).
2. Aparece una resistencia interna (el diodo se comporta aproximadamente como una resistencia).

La zona inversa
En polarización inversa teníamos una corriente que estaba formada
por la suma de los valores de la corriente Is y la corriente de fugas If:

Hay que tener cuidado, no hay que llegar a V R porque el diodo se

rompe por avalancha (excepto si es un Zener).
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La forma de funcionamiento de un diodo común de silicio se puede apreciar observando la curva característica
que se crea cuando se polariza, bien de forma directa, o bien de forma inversa. En ambos casos la curva gráfica
(representada en color verde en el siguiente gráfico) muestra la relación existente entre la corriente y la tensión
o voltaje que se aplicada a los terminales del diodo.

En este gráfico correspondiente a la curva característica de un diodo

de silicio, se puede observar un eje horizontal “x” y otro vertical “y”
que se intersectan en el centro. En ese punto el valor del voltaje
y de la intensidad de la corriente es igual a “0” volt. El eje
vertical “y” muestra hacia arriba su parte
positiva (+y) correspondiente al valor que puede alcanzar
la intensidad de la corriente (Id) que atraviesa al diodo cuando se
polariza directamente, mientras que hacia abajo su parte negativa (-
y) muestra cuál será su comportamiento cuando se polariza de forma
inversa (Ii). El eje horizontal “x” muestra hacia la derecha, en su parte
positiva (+x), el incremento del valor de la tensión o voltaje que se
aplicada al diodo en polarización directa (Vd). Hacia la izquierda del
propio eje se encuentra la parte negativa (–x), correspondiente al
incremento también del valor de la tensión o voltaje, pero en
polarización inversa (Vi).

Si a un diodo común de silicio le aplicamos una tensión o

voltaje (Vd) para polarizarlo directamente, partiendo de “0” volt (punto de intersección de los ejes de las
coordenadas), se puede observar en el gráfico que hasta tanto no se alcanzan los 0,7 volt sobre el eje “+x”, el
valor de la corriente (Id) no indica ninguna variación debido a la resistencia que, por debajo de ese voltaje, ofrece
la “barrera de potencial” al flujo de los electrones en el punto de unión "p-n". Sin embargo, a partir de los 0,7
volt un pequeño incremento en el valor de la tensión, originará un enorme flujo de intensidad de corriente, tal
como se puede apreciar en el gráfico, representado por la curva de color verde (paralela al eje “+y”), en la parte
correspondiente a la “región de polarización directa” del diodo.

Ahora bien, si el diodo se polariza de forma inversa aplicándole una tensión o voltaje inverso a partir de“0” volt y
siguiendo el eje –x, vemos que aunque incrementemos el valor de esa tensión, la corriente (Ii) no muestra
variación alguna, excepto en un punto donde se produce una pequeñísima “corriente de fuga” de unos pocos
microamperios. A partir de ese momento si continuamos incrementando el valor de la tensión se llega al punto
de “ruptura inversa”, (codo de la curva de color verde), donde el aislamiento de la unión "p-n" se rompe
originándose un flujo de corriente, de valor tan alto, que destruye el diodo y lo hace inservible.
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o Características y limitaciones del diodo emisor de luz.

Los Diodos Leds tienen dos patillas de conexión una larga y otra corta. Para que pase
la corriente y emita luz se debe conectar la patilla larga al polo positivo y la corta al
negativo. En caso contrario la corriente no pasará y no emitirá luz.

Este es el símbolo que se usa para los diodos led en los esquemas eléctricos, donde el
ánodo será la patilla larga.

Los led trabajan a tensiones más o menos de 2V (dos voltios). Si queremos conectarlos
a otra tensión diferente deberemos conectar una resistencia en serie con él para que
parte de la tensión se quede en la resistencia y al led solo le queden los 2V. El
funcionamiento es muy sencillo. Cuando conectamos con polarización directa el diodo
led el semiconductor de la parte de arriba permite el paso de la corriente que circulará por las patillas (cátodo
y ánodo) y al pasar por el semiconductor, este semiconductor emite luz.

a. LED rojo.

Formado por GaP consiste en una unión p-n obtenida por el método de crecimiento epitaxial del cristal en su
fase líquida, en un substrato.

La fuente luminosa está formada por una capa de cristal p junto con un complejo de ZnO, cuya máxima
concentración está limitada, por lo que su luminosidad se satura a altas densidades de corriente. Este tipo de
Led funciona con baja densidades de corriente ofreciendo una buena luminosidad, utilizándose como dispositivo
de visualización en equipos portátiles.

El constituido por GaAsP consiste en una capa p obtenida por

difusión de Zn durante el crecimiento de un cristal n de
GaAsP, formado en un substrato de GaAs, por el método de
crecimiento epitaxial en fase gaseosa.

Actualmente se emplea los Led de AlGaAs debido a su mayor

luminosidad.
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o Recta de carga y punto de operación (Q).

CONSIDERACIONES GENERALES:

• Corriente establecida de acuerdo a las manecillas del reloj.

• El diodo esta “encendido”.
• Polarización directa.
• Configuración en serie

“La zona operación en la gráfica será el

primer cuadrante (VD e ID positivos)”.

ANÁLISIS ELÉCTRICO:

Aplicando la ley de voltaje de Kirchhoff se tiene como resultado.

𝐸 – 𝑉𝐷 – 𝑉𝑅 = 0
𝐸 = 𝑉𝐷 + 𝑉𝑅
𝑬 = 𝑽𝑫 + 𝑰𝑫 𝑹 Las intersecciones de la recta de
carga sobre las características
pueden determinarse con facilidad si
se considera que:
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Una línea recta dibujada entre los

puntos cuando VD = 0v e ID = 0V,
definirá una recta de carga.

o RESISTENCIA ESTATICA Y DINAMICA:

Si el diodo está trabajando en DC, en un punto de trabajo determinado y constante (V, I) de la

característica, el diodo presentará una resistencia también constante llamada resistencia estática. El
valor de esta resistencia será:
𝑉𝐷
𝑅=
𝐼𝐷
Resistencia dinámica.

Si el diodo trabajo con voltajes variables, es decir que el punto de trabajo (V. I) se va a mover con el
tiempo por la curva característica, la resistencia que va a presentar el diodo, también va a variar,
dependiendo esta del punto de trabajo en cada instante. A esta resistencia se le denomina resistencia
dinámica y tiene un valor dado por:
∆𝑉𝐷
𝑅=
∆𝐼𝐷
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○Simulación:

Armar el circuito como se muestra en la fig. 1; realizar y registrar las

mediciones, como se indica en la tabla. Realizar el circuito con el Diodo
de Si y posteriormente con el LED rojo o bien con el diodo de
conmutación.

El circuito propuesto (para el diodo de Silicio) es el siguiente:

Mediciones:

Mediciones #1 Mediciones #2
D(Si) LED D(Si) LED

Vs [Volts] VD [Volts] ID[Amp] VLED[Volts] ILED[Amp] Vs[Volts] VD[Volts] ILED[Amp] VLED[Volts] ILED[Amp]

0 0 0 0 0 -1 -999m -32.996n -1 -988p

0.2 199.51m 1.48u 200m 197p -2 -2 -33.995n -2 -2.021n

0.4 382.756m 52.25u 400m 394.12p -3 -3 -34.95n -3 -2.975n

0.6 482.158m 357.1u 600m 599.52p -4 -4 -36.016n -4 -3.952n

0.8 525.85m 830.753u 800m 854.872p -5 -5 -37.126n -5 -4.974n

1 551.353m 1.36m 999m 3.431n

2 609.97m 4.212m 1.67 998u

3 637.53m 7.159m 1.74 3.818m

4 655.64m 10.134m 1.77 6.759m

5 669.139m 13.124m 1.78 9.732m

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Grafica(s):

Tabla #1:

0.014
LED
0.012
1N4001
0.01
Corriene[Amp]

0.008

0.006

0.004

0.002

0
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 1.6 1.8 2
Voltaje [Volts]

Tabla #2:

-3.25E-08 0
0 1 2 3 4 5 6
-3.3E-08
-1E-09
-3.35E-08

-3.4E-08
-2E-09
Corriente[Amp]

-3.45E-08

-3.5E-08 -3E-09 1N4001

LED
-3.55E-08
-4E-09
-3.6E-08

-3.65E-08
-5E-09
-3.7E-08

-3.75E-08 -6E-09
Voltaje[Volts]
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o Potencia en CD.

Cuando se trata de corriente continua (CC) la potencia eléctrica desarrollada en un cierto

instante por un dispositivo de dos terminales, es el producto de la diferencia de potencial entre
dichos terminales y la intensidad de corriente que pasa a través del dispositivo. Por esta razón
la potencia es proporcional a la corriente y a la tensión. Esto es

𝑃 = 𝑊/𝑡
Donde W es la energía.

𝑊 = 𝑉∗𝐼∗𝑡
Entonces

𝑃 = 𝑉 ∗ 𝐼 ∗ 𝑡/𝑡
Simplificando el tiempo queda.

𝑃 =𝑉∗𝐼
Donde I es el valor instantáneo de la corriente y V es el valor instantáneo del voltaje. Si I se
expresa en amperios y V en voltios, P estará expresada en watts (vatios). Igual definición se
aplica cuando se consideran valores promedio para I, V y P.