BENEMÉRITA UNIVERSIDAD

AUTÓNOMA DE PUEBLA

FACULTAD DE CIENCIAS DE LA ELECTRONICA

Materia:

Dispositivos Analógicos y sus Aplicaciones.

Practica # 1:

Polarización Por Divisor de Voltaje

Estabilizado en Q.

Profesor:

M.C. José Mauro Huerta Rivera

Integrantes:

Yehuala Rojas Eduardo

Leal Ruiz David
Delfín Montalvo Giancarlo

Fecha de entrega: lunes 1 de junio del 2015.

INTRODUCCION:
El presente reporte fue elaborado con el propósito de mostrar lo realizado durante
la práctica, tanto todos los valores calculados, teóricos y simulados.
Posteriormente aplicando lo que el profesor nos proporcionó inicialmente, así mismo
con los conocimientos adquiridos en las diferentes materias.
Para poder dar inicio con la practica tuvimos que tener presente algunos
conceptos para saber exactamente lo que hibamos a hacer asi mismo tener el
Datasheet de nuestro transistor que ibamos a ocupar.

OBJETIVO:
* Diseñar un circuito polarizado por divisor de voltaje estabilizado en Q

* Definir Vcc, BJT y Q (VCE, IC, IB)

MARCO TEORICO

Polariacion por divisor de voltaje

El circuito se analiza mas facilmente mediante la formacion de un circuito
equivalente de thevenin para el circuito de base. El capacitor de acoplamiento actua
como circuito aierto para CD. El voltaje de thevenin equivalente es:
RTH = (R1*R2)/(R1+R2)
Con la aplicación de de la ley de KIRCHHOFF alrededor de la malla B-E,
obtenemos
VTH = (IBQ* RTH) + VBE +IEQ*RE
Si el transistor esta polarizado en el modo activo directo, entonces
IEQ = (1+β)*IBQ
Y la corriente de base es:
IBQ= (VTH –VBE)/RTH +(1+β)*RE
La coriente de colector es:
ICQ= β*IBQ
ICQ= β*(VTH –VBE)/RTH +(1+β)*RE
El circuito divisor de voltaje de R1 Y R2 polariza el transistor en su region activa
con valores de los resistores en el intervalo bajo de los kilohmios. En contraste, la
polarizacion de resistro simple requiere un resistor en el rango de los megaohmios.
Ademas, el cambio en ICQ y VCEQ con un cambio en β se reduce sustancialmente
en comparacion con la polarizacion simple.
La inclusion de un resistor de emisor RE tiende a estabilizar el punto Q respecto a
las variaciones en β. Incluir el resistor RE introduce una realimentacion negativa .
La realimentacin negativa tiende a estabilizar los circuitos.

Si tenemos en cuenta la ecuacion de la ICQ

ICQ= β*(VTH –VBE)/RTH +(1+β)*RE
El requerimiento de diseño para la estabilidad de la polarizacion es RTH
<<(1+β)*RE. En consecuencia, la corriente de colector es aproximadamente
ICQ =~ β*(VTH –VBE)/(1+β)*RE
Por lo general β >> 1; por lo tanto, β / (β+1) ~= 1 , entonces
ICQ =~ (VTH –VBE)/RE
Ahora la corriente del colector en reposo es esencialmente una funcion de solo los
voltajes de CD y la resistencia de emisor, y el punto Q se estabiliza contra las
variaciones de β. Sin embargo, si RTH es demasiado pequeño, entonces R1 y R2
son pequeñas, y se disipa una potencia excesiva en estos resistores. La regla
general es que un circuito se considera estable en polarizacion cuando
RTH =~ 0.1(1+ β)*RE

Transistor BC547
es un transistor compues por silicio, con una corriente maxima de colector 0.6
Ampere en su composicion posee una placa de semiconductor con tres regiones
consecutivas de diferente conductibilidad electrica los cuales forman dos uniones
n-p-n, las dos regiones extremas tienen un mismo tipo de conductibilidad, la
intermedia de otro tipo, estan son llamadas emisor colector y base. La intensidad
entra en el transistor por el colector (C) y sale por el emisor (E), la intensidad que
entra por la base (B) del transistor es la encargada de controlar el funcionamiento
del transistor, que puede funcionar como un Interruptor o como un amplificador.
Hay que analizar cada transistor dentro del circuito que se encuentra, de modo
que, dependiendo de la intensidad que entra por su base (IB) se comportara como
un interruptor (que se abre o se cierra entre colector y emisor) o como un
amplificador (que deja pasar mas o menos intensidad de colector a emisor
dependiendo del valor de la IB).

Y como sabes una RESISTENCIA es un elemento que causa oposicion al paso de

la corriente, causando que en sus terminales aparesca una apariencia de tension
(un Voltaje). Las resistencias se representan con la letra R y el valor de estas se
mide en Ohmios (Ω). Son fabricadas principalmente de carbón y se presentan en
en una amplia variedad de valores.
El simbolo de la resistencia es:
DESARROLLO

Vcc = 19.99v VCEQ = 7.85

IBQ = 3 µA ICQ = 1.12 mA

VceQ = 7.657V I CQ= 1.123mA

IBQ= 3.378µA IE = 1.125mA
CONCLUSION
Para poder finalizar con la practica y nos quedara mucho mas claro los resultados
optamos por realizar una tabla comparativa en la cual se muestra el valor teorico,
practico y simulado. Y concluimos que lo practico y simulado varia con respecto a
lo teorico y que uno de los puntos que podria afectar eso es el valor de las
resistencias puesto que su valor de fabrica varia a la hora de realizarlo en la practica.
Teórico Practico Simulación
IBQ 2.37 µA 3.2 µA 3.378 µA
I CQ 1 mA 1.127 mA 1.123 mA
VceQ 9V 7.7 V 7.657 V

BIBLIOGRAFIA
Dispositivos y circuitos electrónicos / 4 ed.Neamen, donald.