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LISTA DE EXERCÍCIOS MOSFET

1) Um transistor NMOS tipo enriquecimento com VT = 0.7 V tem o seu terminal de fonte aterrado e
uma tensão CC de 1.5 V na porta. Em qual região de operação o dispositivo opera para (a) VD = +0.5
V? (b) VD = 0.9 V? (c) VD = 3 V? (Suponha λ = 0).
Resposta: (a) Triodo; (b) Saturação; (c) Saturação

2) Se o dispositivo da questão 1 tem µnCOX = 100 µA/V2, W = 10 µm e L = 1 µm, obtenha a corrente de


dreno que resulta em cada um dos três casos (a), (b) e (c) especificados na questão 1. (Suponha λ =
0). Resposta: (a) 275 µA; (b) 320 µA; (c) 320 µA.

3) Um transistor NMOS tipo enriquecimento com VT = 0.7 V conduz uma corrente iD = 100 µA quando
VGS = VDS = 1.2 V. Obtenha o valor de iD para VGS = 1.5 V e VDS = 3 V. Também calcula o valor da
resistência dreno-fonte rDS para VDS pequeno (200 mV) e VGS = 3.2 V. (Suponha λ = 0).
Resposta: 256 µA; 500Ω.

4) Um transistor NMOS é fabricado em um processo de 0.4 µm, tendo µnCOX = 200 µA/V2 e V´A = 50
V/µm de comprimento de canal. Se L = 0.8 µm e W = 16 µm, obtenha VA e λ. Encontre o valor de ID
resultante quando o dispositivo opera com uma sobretensão de condução VOV = 0.5 V e VDS = 1 V.
Obtenha também o valor de rO nesse ponto de operação. Se VDS for aumentado de 2 V, qual será a
mudança correspondente em ID?
Resposta: 40 V; 0.025 V-1; 0.51 mA; 80 KΩ; 0.025 mA.

5) Considere um transistor NMOS que é idêntico, exceto por ter metade da largura, ao transistor cujas
características iD-VDS são observadas na Figura 1. Como o eixo vertical deveria ser remarcado, tal
que as características correspondam ao dispositivo mais estreito? Se o dispositivo mais estreito
operar na saturação com uma sobretensão de condução de 1.5 V, qual o valor de iD resultante?
(Suponha λ = 0). Resposta:

Figura 1
6) Um transistor NMOS que tem VT = 1 V opera na região de triodo com VDS pequeno (200 mV). Para
VGS 1.5 V, foi encontrada uma resistência rDS = 1 KΩ. Qual o valor de VGS necessário para obter rDS
= 200 Ω?

7) Um MOSFET qualquer tipo enriquecimento para o qual VT = 1 V e Kn = 0.1 100 µA/V2 tem de
operar na região de saturação. Se iD for de 0.2 mA, encontre o VGS e o mínimo VDS necessário. Repita
para iD = 0.8 mA. (Suponha λ = 0).

8) Um MOSFET particular tipo enriquecimento canal n teve um corrente de dreno medida de 4 mA


para VGS = VDS = 5 V e 1 mA para VGS = VDS = 3 V. Qual o valor de Kn e VT para esse dispositivo?
(Suponha λ = 0).

9) Um transistor NMOS, operando na região de resistência linear com VDS = 0.1 V, conduz 60 µA para
VGS = 2 V e 160 µA para VGS = 4 V. Qual é o valor aparente da tensão de limiar VT? Se K´n = 50
µA/V2, qual é a razão W/L do dispositivo? Qual corrente circularia com VGS = 3 V e VDS = 0.15 V?
Se o dispositivo operar em VGS = 3 V, em que valor de VDS o canal junto ao dreno do MOSFET vai
alcançar o estrangulamento e qual será a correspondente corrente de dreno?

10) Um transistor NMOS fabricado com W = 100 µm e L = 5 µm em uma tecnologia com K´n = 50
µA/V2 e VT = 1 V opera com pequenos valores de VDS, dessa forma assemelhando-se a um resistor
linear. Para VGS variando de 1.1 V a 11 V, qual a faixa de resistências que pode ser obtidas nesse
dispositivo? Qual é a faixa disponível se:
a) o dispositivo tem sua largura dividida pela metade?
b) o dispositivo tem seu comprimento dividido pela metade?
c) o dispositivo tem seu comprimento e sua largura divididos pela metade?

11) Projete o circuito da Figura 2 de modo que o transistor opera com iD = 0,4 mA e VD = +5 V. O
transistor NMOS tem VT = 0.7 V, µnCOX = 100 µA/V2, L = 1 µm e W = 32 µm..(a) Encontre o valor
de VGS; (b) Calcule o valor de RS e RD; (c) Informe a região de operação. (Suponha λ = 0)
Resposta: (a) 1.2 V; (b) 3.25 KΩ e 5 KΩ; (c) Saturação

Figura 2

12) Reprojete o circuito da Figura 2 para o seguinte caso: VDD = -VSS = 2.5 V, VT = 1 V, µnCOX = 60
µA/V2, W = 120 µm, L = 3 µm, ID = 0.3 mA e VD = +0.4 V.
Resposta: RS = 3.3 KΩ; RD = 7 KΩ
13) Projete o circuito da Figura 3 para obter uma corrente iD de 80 µA. Encontre o valor necessário para
R e calcule a tensão CC, VD. Suponha que o transistor NMOS tenha VT = 0.6 V, µnCOX = 200 µA/V2,
L = 0.8 µm e W = 4 µm. (Suponha λ = 0).

Figura 3

14) Reprojete o circuito da questão 13 (Figura 3) de forma a duplicar o valor de ID sem mudar VD.
Obtenha os valores de W/L e R.
Resposta: W/L = 10, por exemplo, 8 µm/0.8 µm; R = 12.5 KΩ

15) Considere o circuito da questão 13 (Figura 3). A tensão VD está aplicada na porta de outro transistor
Q2, como mostrado na Figura 4. Suponha que Q2 seja idêntico a Q1. (a) determine a corrente e a
tensão no dreno de Q2 dado R2 = 20 KΩ. (b) informe o limite para R2 de maneira que Q2 permaneça
na região de saturação.
Resposta: (a) 80 µA; +1.4 V; (b) 32.5 KΩ

Figura 4

16) Projete o circuito da Figura 5 para estabelecer uma tensão de dreno de 0.1 V. Identifique qual é a
resistência efetiva entre o dreno e a fonte nesse ponto de operação. Suponha VT = 1 V e Kn = 1
mA/V2.
Resposta: ID = 0,395 mA (equação geral) e 0,4 mA (linear); RD = 12.4 KΩ; rDS = 253 Ω.
Figura 5

17) Se no circuito da questão 16 (Figura 5) o valor de RD for duplicado, obtenha os valores aproximados
para ID e VD.
Resposta: 0.2 mA; 0.05 V

18) Analise o circuito mostrado na Figura 6(a) a fim de determinar todas as tensões dos nós e as
correntes nos ramos. Suponha VT = 1 V e Kn = 1 mA/V2. (Suponha λ = 0).
Resposta: VG = 5 V; ID = 0.5 mA; VS = +3 V; VGS = 2 V; VD = +7 V

Figura 6

19) Para o circuito da Figura 6, qual é o maior valor que RD pode assumir de maneira que o transistor
permaneça no modo saturação?
Resposta: 6 KΩ

20) Reprojete o circuito da Figura 6 para que os seguintes requisitos sejam atendidos: VDD = 5 V, ID =
0.32 mA, VS = 1.6 V, VD = 3.4 V, com uma corrente de 1 µA através do divisor de tensão RG1 e RG2.
Utilize o mesmo MOSFET empregado na questão 18.
Resposta: RG1 = 1.6 MΩ; RG2 = 3.4 MΩ, RS = RD = 5 KΩ.

21) Considere o circuito da Figura 4. Q1 e Q2 apresentam VT = 0.6 V, µnCOX = 200 µA/V2, L1 = L2 = 0.8
µm, W1 = 0.8 µm. (Suponha λ = 0).

a) Encontre o valor de R necessário para estabelecer uma corrente de 0.2 mA em Q1.


b) Encontre W2 e um novo valor para R2 tal qual Q2 opere na região de saturação com uma corrente
de 0.5 mA e uma tensão de dreno de 1 V.
22) Os transistores NMOS no circuito da Figura 7 têm VT = 1 V, µnCOX = 200 µA/V2, L1 = L2 = 1 µm.
Encontre os valores necessários para a largura da porta para Q1 e Q2 e o valor de R para obter os
valores de tensão e de correntes indicados. (Suponha λ = 0).

Figura 7

23) Para cada um dos circuitos mostrados na Figura 8, encontre as tensões nodais indicadas. Os
transistores NMOS têm VT = 0.9 V e Kn = 1.5 mA/V2. (Suponha λ = 0).

Figura 8
24) Para os dispositivos nos circuitos da Figura 9, |VT| = 1V, µnCOX = 50 µA/V2, L = 1 µm e W = 10 µm.
Encontre V2 e I2. Como esses valores podem mudar se Q3 e Q4 forem fabricados com W = 100 µm?

Figura 9

25) Para cada um dos circuitos mostrados na Figura 10, encontre as tensões nodais indicadas. Os
transistores NMOS têm VT = 0.8 V e Kn = 0.5 mA/V2. (Suponha λ = 0).

Figura 10