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Ti350 - Électronique
Hyperfréquences. Circuits
et émetteurs de puissance
III
Cet ouvrage fait par tie de
Électronique
(Réf. Internet ti350)
composé de :
électroniques
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IV
Cet ouvrage fait par tie de
Électronique
(Réf. Internet ti350)
Guillaume BERNARD
Ingénieur architecte électronique et logiciel, Thales Electron Devices
Jean CHAZELAS
Directeur du Département technologies avancées de Thales Division
Aéronautique
Jean-Pierre GANNE
Ingénieur civil des mines de Paris, Docteur ès sciences - Thales Research and
Technology France
François GAUTIER
Ancien directeur technique adjoint Thales Systèmes aéroportés
Richard LEBOURGEOIS
Docteur de l'Institut national polytechnique de Grenoble, Responsable des
Études Ferrites au Laboratoire Central de Recherches (LCR) de Thomson-CSF,
Ingénieur de l'École Nationale Supérieure d'Électricité de Grenoble
Saverio LEROSE
Hardware Development Engineering, Thales Corporate Services SAS
Olivier MAURICE
Directeur de la recherche et du développement, ESIGELEC
André PACAUD
Ingénieur SUPELEC
André SCAVENNEC
Docteur-ingénieur
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V
Les auteurs ayant contribué à cet ouvrage sont :
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VI
Hyperfréquences. Circuits et émetteurs de puissance
(Réf. Internet 42281)
SOMMAIRE
Montage d'étiquettes RFID passives. Productivité accrue des solutions d'assemblage E1472 77
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VII
Tubes électroniques hyperfréquences. Tubes à onde progressive E1622 109
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Hyperfréquences. Circuits et émetteurs de puissance
(Réf. Internet 42281)
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1– Circuits hyperfréquences Réf. Internet page
Montage d'étiquettes RFID passives. Productivité accrue des solutions d'assemblage E1472 77
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© Techniques de l’Ingénieur E 1 000 − 1
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1. Aperçu historique jusqu’à 20 GHz, bien que ces produits restent majoritairement chers
et volumineux.
● Mais dès les années 1970, on commence sérieusement à envi-
Après une très lente progression tout au long des siècles dans les sager le développement des technologies de miniaturisation : cir-
découvertes de l’électricité et du magnétisme, l’histoire des ondes cuits micro-ruban, composants à l’état solide à la place de tubes, et
électromagnétiques s’accélère au XIXe siècle. Quelques dates en voire plus tard les circuits intégrés hyperfréquences (MMIC : micro-
constituent des repères majeurs [1] [2]. wave monolithic integrated circuit).
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● 1820 : Oersted pose les bases de l’électrodynamisme. À sa ● C’est la révolution technologique que verront les années 1980-
suite, Arago et surtout Ampère développent les modèles décrivant 2000 avec progressivement la généralisation de l’emploi des com-
les relations entre champs électrique et magnétique. posants à l’état solide sur circuit micro-ruban et du câblage automa-
● 1832 : Faraday met en évidence l’induction électromagnétique. tique, ce qui conduit à une baisse de coût importante et à une
● 1864 : Maxwell présente sa théorie des ondes électromagné- certaine démocratisation des micro-ondes : radars de navigation
tiques, calcule la vitesse des ondes électromagnétiques et montre pour bateaux, radars météo pour avions, radars de servitude pour
qu’elles se propagent à la même vitesse que la lumière. La lumière l’ouverture de portes par exemple, réception directe de télévision
est donc considérée comme une onde électromagnétique. depuis un satellite, autoroutes « hertziennes » pour les communica-
● 1885 : Hertz débute une série d’expérimentations mettant en
tions, téléphonie cellulaire de première génération... Durant cette
évidence la propagation des ondes électromagnétiques. À cette épo- période, la montée en puissance des moyens informatique, accom-
que, ces ondes ne pouvaient être produites que par des éclateurs et pagnée d’une réduction des coûts de fabrication, permet le dévelop-
ce sont bien des étincelles produites par des éclateurs qui ont per- pement de puissants outils de conception des dispositifs, circuits et
mis les premières transmissions télégraphiques et téléphoniques. antennes hyperfréquences. Il en résulte là aussi un accroissement
de performances et la maîtrise de la miniaturisation accompagnés
À partir du début du XXe siècle, l’histoire s’accélère, en particulier d’une baisse des coûts.
avec l’invention des tubes à vide détecteur (Fleming en 1902) et
● Vers la fin des années 1990, le MMIC devient un produit com-
amplificateur (de Forest en 1907) et la découverte du cristal détec-
teur (1906). La technologie peut alors se développer à partir de ces mercialement plus que compétitif puisqu’il permet une nouvelle
inventions et conduire rapidement à des applications des ondes diminution de coût drastique tout en autorisant plus de complexité
électromagnétiques, en télécommunications commerciales et mili- et en procurant des performances accrues : il ouvre la voie à la télé-
taires, depuis les ondes kilométriques jusqu’aux ondes décamé- phonie cellulaire de deuxième et troisième générations, à l’emploi
triques et métriques. de l’optique en hyperfréquences (cf. dossiers [E 3 330] [E 3 331]
[E 3 332] [E 3 333]), aux antennes actives (dossiers [E 3 294]
● La période 1920-1940 voit une montée en fréquence avec en
[E 3 295]), aux liaisons locales (WLAN : wireless local area network,
particulier l’invention du magnétron par Hull en 1920 et du klystron avec différents standards, Bluetooth, WiFi, ultralarge bande…), aux
par les frères Varian en 1937. On entre maintenant dans le domaine radars en ondes millimétriques pour l’automobile, au GPS (global
des hyperfréquences avec le développement des technologies de positioning system), aux badges et étiquettes sans contact (RFID :
lignes de propagation, de circuits passifs, de tubes à vides et radio frequency identification device).
d’antennes. Les théories du bruit, de la réception en présence de
bruit, du récepteur superhétérodyne aboutissent à des modélisa- La montée en fréquence des horloges des microprocesseurs
tions précises. Le nombre d’applications croît tant en télécommuni- contribue à banaliser le domaine des micro-ondes en le faisant
cations qu’en radio– et télédiffusion, même si le matériel reste très s’interpénétrer avec celui de l’électronique numérique et en ouvrant
encombrant du fait de la conception des circuits passifs et de l’usage la voie à la notion de récepteur hyperfréquence numérique. C’est un
de tubes nécessitant de très hautes tensions. nouveau domaine qui s’ouvre : l’électronique numérique hyperfré-
Bien que l’on sache depuis 1903 (Hull en Allemagne) que les quence.
ondes électromagnétiques se réfléchissent et diffractent sur des
obstacles, c’est seulement à partir de 1934 que se mettent en place
les premières expérimentations grandeur nature de radars. À
Sainte-Adresse, à côté du Havre, Ponte et Girardeau de la compa-
gnie de Télegraphie sans Fil (CSF) réalisent la détection de bateaux
2. Terminologie
à une dizaine de milles à des longueurs d’onde de 80 et 16 cm [3] [4].
De cette expérimentation naissent le radar équipant le paquebot Une onde électromagnétique est caractérisée par :
Normandie ainsi que les premiers radars équipant les bateaux de la
Marine nationale. — la description à tout instant de l’amplitude et de l’orientation
des champs électrique E et magnétique H la constituant. Le rapport
La Seconde Guerre mondiale révèle combien les transmissions des composantes transversales à la direction de propagation ET/HT
sans fil et la détection radar sont indispensables pour la mise en est l’impédance d’onde transverse ZT. L’orientation du champ élec-
sécurité des personnes et des biens lors d’attaques ennemies et trique définit la polarisation (le lecteur est invité à se reporter à l’arti-
pour la conduite des opérations militaires. Elle provoque donc le cle [E 1 020] pour des définitions rigoureuses et exhaustives) ;
développement accéléré, voire forcené, des technologies micro-
ondes, l’approfondissement des théories des circuits et des antennes — sa fréquence f exprimée en hertz (Hz) ou ses multiples ;
et la mise en place de moyens industriels. Le débarquement des for- — sa vitesse de propagation v. Dans le vide, elle est égale à celle
ces alliées en Normandie, le 6 juin 1944, a très largement utilisé les de la lumière, soit c = 2,997.108 m/s. Dans un milieu quelconque
ressources radioélectriques pour détecter, localiser et baliser. v = c/n où n est l’indice du milieu. n dépend généralement de la fré-
quence. La longueur d’onde est λ = v/f. Elle est exprimée en mètres,
Après la guerre, ceci se concrétise aussi bien par la publication ses multiples ou sous-multiples ;
d’une véritable encyclopédie des micro-ondes, la fameuse collection
de 27 volumes publiés sous la direction du Radiation Laboratory — sa direction, définie par les cosinus directeurs du vecteur
(Rad Lab) du Massachusetts Institute of Technology [5] et l’enseigne- d’onde, vecteur k de module égal à 2π/λ, perpendiculaire localement
ment de l’électromagnétisme et des technologies afférentes dans à la surface d’onde ;
les universités et les écoles d’ingénieurs que par la création de labo- — le trièdre direct E, H, k.
ratoires et d’industries dans le domaine. Une onde se propageant dans un « espace libre », c’est-à-dire
● De 1940 à 1980, les technologies deviennent matures, les outils suffisamment loin de tout obstacle ou discontinuité des caractéris-
conceptuels se développent et l’industrie maîtrise bien la production tiques du milieu de propagation, est assimilable localement à une
de dispositifs et de systèmes de télécommunications et de radars onde plane où les champs électrique et magnétique sont pure-
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Bruit en hyperfréquences
Origine et modélisation
Par Gérard CACHIER
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Ancien élève de l’École Polytechnique, Docteur ès sciences
Consultant (ancien de Thalès)
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Q sont les non-linéarités du circuit. Elle ne comprend pas non plus les phéno-
mènes lents par rapport aux signaux utiles (dérive de température,
vieillissement…) – on les mentionnera toutefois en décrivant certains pro-
blèmes rencontrés dans les matériels.
Ce document comprend la description des sources de bruit électromagné-
tique externes naturelles et celles liées aux activités humaines, ainsi que les
sources physiques de bruit propres des équipements et liées à leur fonc-
tionnement. L’analyse des bruits est ensuite faite pour les différents
composants et fonctions utilisés dans les matériels, ce qui révèle des situa-
tions très différentes et explique la complexité des architectures utilisées.
L’impact du bruit sur les performances des systèmes est abordé à travers
des exemples représentatifs (les lecteurs se reporteront aux références
bibliographiques pour avoir des informations plus complètes sur les sys-
tèmes hyperfréquences concernés). Le dernier paragraphe montre qu’il est
aussi possible d’utiliser le bruit comme un avantage pour réaliser des maté-
riels particuliers.
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en retour à 900 MHz. Une partie de ces bruits est piégée dans le
guide d’onde terre-ionosphère, et donne lieu à basse fréquence
(< 20 MHz) à des bruits atmosphériques dont la valeur est relative-
ment stable.
■ Bruit céleste
Par temps clair, le rayonnement céleste est lié à la diffusion par
l’oxygène et la vapeur d’eau du rayonnement thermique du sol
(inférieur au corps noir). Il augmente avec la fréquence (avec des
pics comme à 60 GHz), mais reste en dessous du bruit thermique à
290 K.
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La température de bruit augmente fortement par temps de pluie
pour des fréquences supérieures à 10 GHz, à cause de l’absorption
par l’eau. Ce phénomène concerne surtout les stations terriennes
des satellites. Pour des pluies moyennes, on considère que l’éten-
due de la zone pluviale est quasiment infinie. Pour des forts orages
par contre, le calcul doit être pondéré par la zone de pluie limitée
entrant dans le champ de l’antenne. Dans tous les cas elle est fonc-
tion de l’angle d’élévation du pointage de l’antenne (voir § 5.4.1).
Ce bruit lié aux conditions météorologiques est introduit dans
des statistiques de performances (performances atteintes pour
99,99 % du temps sur une base annuelle par exemple), établies
pour les différentes régions climatiques.
Figure 2 – Bruits électromagnétiques naturels, de 100 MHz
à 100 GHz
1.2 Interférences créées
par les équipements électroniques
Rayonnement du corps noir
1.2.1 Réglementation sur les équipements
électroniques
Le corps noir a été défini par Kirchhoff comme l’absorbant
parfait des ondes électromagnétiques. Il sert de modèle pour Tous les équipements électriques ou électroniques sont à des
évaluer un corps chaud qui perd son énergie interne en rayon- degrés divers des sources de perturbations électromagnétiques.
nant un spectre électromagnétique continu, comme par exem- Ces équipements sont classés en fonction de la nature des
ple un fer chauffé « au rouge ». Le spectre suit aux basses signaux radioélectriques qu’ils créent et des perturbations qu’ils
fréquences la loi en f 2 de Rayleigh, passe par un maximum engendrent :
qui se déplace avec la température (loi de Wien), puis décroît – émissions intentionnelles des émetteurs radioélectriques ;
selon la formule générale de Planck :
– rayonnement non essentiel de ces émetteurs ;
– signaux parasites de tous les équipements électroniques.
Ces rayonnements peuvent parasiter les récepteurs hyperfré-
quences, en particulier ceux installés en zone urbaine ou semi-
avec : c vitesse de la lumière. urbaine. C’est pourquoi les différentes autorités internationales et
h constante de Planck, nationales ont défini des normes à respecter, auxquelles sont
k constante de Boltzmann, associées des procédures de test (voir « Pour en savoir plus »).
T température du corps. Des règles spécifiques existent pour des environnements parti-
culiers (avions, hôpitaux, évènements sensibles). Par ailleurs, une
Historiquement, c’est pour rendre compte de cette décrois- réglementation existe également pour limiter les rayonnements
sance aux hautes fréquences que Max Planck a en 1900 posé la hyperfréquences qui pourraient éventuellement avoir des consé-
première pierre de la théorie quantique en introduisant la quan- quences sur la santé des personnes (téléphonie mobile, chauffage
tification d’un rayonnement électromagnétique de fréquence f par micro-ondes…) du fait de l’échauffement produit par la puis-
en quanta d’énergie individuelle hf, avec h = 6,626 × 10–34 J.s. sance de ces ondes.
Cela lui a valu le prix Nobel de physique en 1918, et les travaux
qui suivirent ont valu le prix Nobel à Einstein en 1921.
1.2.2 Bruits dans les zones urbaines
et suburbaines
■ Bruits de la lune et des planètes
La lune émet le rayonnement thermique d’un corps noir (voir Les bruits « standards » définis pour les différentes zones d’habi-
encadré), d’une température voisine de 220 K. Les planètes sont, tation ne concernent que les signaux parasites des équipements
de même, des sources radio principalement de type corps noir. électroniques (hors émetteurs hyperfréquences). Les lois retenues
(figure 3) sont approximativement (F en dB, f en MHz) :
– en zone urbaine d’activités : F ≈ 25 – 30 lg (f /100) ;
1.1.2 Bruits terrestres naturels
– en zone résidentielle : F ≈ 18 – 30 lg (f /100) ;
■ Activité orageuse – en zone semi-rurale : F ≈ 10 – 30 lg (f /100) ;
Les amplitudes rayonnées par les décharges orageuses sont – en campagne : F ≈ – 8 – 30 lg (f /100).
reçues par trains de 104 paquets par seconde, et ont des amplitu- En zone urbaine d’activités, le bruit créé par les interférences des
des inférieures à 1 mV/m à 10 km. Les rayonnements sont les plus équipements électroniques peut être supérieur au bruit thermique
denses autour de 50 MHz mais sont encore présents avec des arcs jusque vers quelques gigahertz.
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avec V densité spectrale de tension, soit par
2.1 Bruit thermique définition : .
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progresse à la vitesse moyenne du transport électronique) entraîne posant. Comme le bruit en 1/f (dont il est une variante à plus basse
un parcours aléatoire, et la source de courant associée a une den- fréquence), le bruit de génération-recombinaison est dimensionné
sité spectrale uniforme donnée par la formule (1) : par le nombre et la durée de vie des pièges. Cette variation aléa-
toire du nombre de porteurs est à l’origine de bruits dits burst
noise ou pop corn noise.
Ce type de bruit a une densité spectrale proportionnelle au carré
avec D coefficient de diffusion des porteurs à fort champ, du courant :
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n densité de porteurs,
4
fonction de Dirac, égale à 1/∆x en x’.
Par conséquent, à chaque position x dans un intervalle spatial avec τ constante de temps équivalente du piège
∆x, les courants microscopiques se produisent sous forme d’impul- considéré.
sions courtes, décorrélées dans le temps. Une impulsion de cou-
rant dans l’intervalle x-x’ crée un déplacement de charges de x Notons que l’on rencontre ce bruit en basse fréquence entre
vers x + ∆x, créant un champ électrique dipolaire associé à la zone 0,1 Hz et quelques MHz.
de charges en x, égal et opposé à la zone de charges en x + ∆x.
Le bruit de diffusion est un bruit blanc proportionnel au coeffi-
cient de diffusion à haut champ et au courant transporté. Il est pré-
2.4 Bruits de grenaille
sent dans les sources de bruit intrinsèque du transistor à effet de
champ (voir § 3.3.2). 2.4.1 Bruit Schottky
Le bruit Schottky, ou shot noise, existe dans les semi-conduc-
2.3 Bruits de scintillation teurs là où les porteurs doivent franchir une barrière de potentiel
comme une jonction Schottky. On suppose que les porteurs sont
transportés sans se recombiner ni subir de collisions.
2.3.1 Bruit en 1/f Le modèle est basé sur une densité uniforme de porteurs, la
Aux fréquences f proches de zéro, on observe dans tout compo- suite des évènements suivant une loi de Poisson. Le temps de
sant actif (et parfois passif) une composante de bruit dite flicker transit étant supposé très court, la densité spectrale est un bruit
noise présentant une tension de bruit suivant une loi dite en 1/f, la blanc donné par la formule :
tension variant de façon à peu près proportionnelle à l’inverse de
la fréquence. Ce bruit est généralement attribué aux phénomènes (6)
de création-recombinaison de paires électron-trou, les centres où I0 est le courant déterministe traversant la barrière de potentiel
recombinants étant liés aux défauts et à l’inhomogénéité des (figure 5).
matériaux et se situant en surface des semi-conducteurs et aux
interfaces entre les différentes couches.
2.4.2 Bruit d’avalanche
Il est toujours associé à un courant direct et est modélisé empiri-
quement par une densité spectrale : Ce bruit a pour origine des phénomènes d’avalanche dans les
jonctions pn polarisées en inverse où les porteurs peuvent acqué-
rir une énergie suffisante pour créer aléatoirement des paires élec-
(5)
tron-trou par collisions. Ce bruit, caractéristique de l’effet Zener,
est toujours associé à un courant de polarisation. Il est difficile-
avec I0 courant continu traversant le composant, ment prévisible et généralement modélisé par la même expression
α coefficient caractéristique du composant, que le bruit Schottky multiplié par un facteur multiplicatif M com-
pris entre 1 et 100 :
n=2 (loi quadratique), mais peut varier entre 0,5 et 2
suivant la technologie
p = 1, mais peut varier entre 0,8 et 1,3 suivant la
technologie.
La quantité de centres recombinants étant liée aux processus de 2.5 Limite quantique
fabrication, les progrès des technologies permettent de réduire la
valeur du bruit et sa dispersion liée à la fabrication. Le domaine de Pour connaître la limite inférieure infranchissable de la densité
fréquences où cet effet est prédominant par rapport à la compo- spectrale de bruit, si l’on se place dans les conditions où la tempé-
sante de bruit thermique est cependant encore très variable. Il est rature T est très proche du zéro absolu, il faut introduire la notion
plus élevé pour les composants AsGa que pour les composants de bruit quantique [1]. Une transition élémentaire ne peut se pro-
silicium, plus élevé également pour des composants sensibles à duire qu’avec une énergie minimale hf (h = constante de Planck,
l’état de la surface des semi-conducteurs (dans les transistors à voir encadré), qui correspond, pour f = 10 GHz, à une densité spec-
effet de champ en AsGa on peut avoir des effets jusqu’à 100 MHz). trale de bruit de – 202 dBm/Hz. Cette limite est vraiment contrai-
gnante vers les fréquences optiques, 10 000 fois plus élevées.
Cette source de bruit est critique pour les composants utilisés en
oscillateurs, car elle est la principale contribution au bruit d’ampli-
tude et au bruit de phase (voir § 4.1).
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INNOVATION
Mesures et modélisations
de composants électroniques Q
hyperfréquences
par Tony GASSELING*, Christophe CHARBONNIAUD** et Stéphane DELLIER***
Cette analyse non linéaire peut être effectuée pour contraintes vis-à-vis des mesures réalisées pour bâtir
deux niveaux d’intégration différents, à savoir sur les ce modèle.
composants élémentaires (par exemple les transis- La méthode classique au moyen de l’algorithme
tors), ou directement au niveau système tel que les itératif de Newton est celle permettant d’utiliser les
amplificateurs de puissance. éléments non linéaires les plus simplement définis, et
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INNOVATION
donc de mettre également en œuvre les techniques Par conséquent, en plus de la réponse du circuit
de mesures les plus simples. aux hyperfréquences, les mesures dédiées à la
modélisation doivent exciter les constantes de temps
Par exemple pour une analyse temporelle d’un
Q
thermiques et, s’il y a lieu, les fréquences de réso-
transistor à effet de champ (TEC), entre la grille et nance des circuits de polarisation et des circuits
le canal, la capacité est couramment définie en d’adaptation. L’extraction de modèles boîte noire de
fonction d’une simple charge de déplétion Qg. Le Volterra modifiés dits à « noyaux dynamiques » per-
courant au travers de cette charge est le courant de met désormais d’appréhender avec plus d’exactitude
grille Ig où : ces phénomènes.
∂Q g d V gs ∂Q g d V gd Au final, le challenge de la modélisation boîte noire
I g = ------------------------
- + ------------------------- (1)
∂V gs d t ∂V gd d t est, compte tenu des spécifications du concepteur de
système, de parvenir à adapter un compromis temps
avec Vgs tension entre la grille et la source, de calcul/finesse de description des phénomènes,
permettant d’effectuer la simulation de l’ensemble du
Vgd tension entre la grille et le drain. système ou sous-système dans des délais réalistes.
Cette approche est efficace pour une analyse faite Ce type de modèle est aujourd’hui intégré dans le
dans le domaine temporel où les dérivées des ten- logiciel de simulation circuit GoldenGate développé
sions sont d’ores et déjà disponibles. En revanche, par la société Xpedion en partenariat avec l’Institut
elle n’est pas pertinente pour une analyse en équili- de Recherche en Communications Optiques et Micro-
brage harmonique où la dérivée dans le domaine fré- ondes (Limoges, France). Celui-ci est intégré dans
quentiel s’obtient par une multiplication par le l’environnement Cadence.
nombre complexe jw avec w défini comme pulsation
du signal.
Par conséquent, l’expression des capacités du TEC 2. Principes de modélisation
pour une utilisation en équilibrage harmonique est
faite suivant deux charges distinctes, une charge La modélisation à un niveau d’intégration moindre,
définie entre la grille et la source, et une autre entre à savoir au niveau du composant, est une des phases
le drain et la source. les plus critiques. En effet, celle-ci repose sur trois
points clefs, à savoir le choix de la typologie du
modèle, l’extraction des paramètres du modèle par la
1.2 Analyse au niveau du système mesure, et la validation de ce modèle.
Contrairement à l’analyse précédente où une des- Bien que des modèles du type boîte noire puissent
cription de chaque élément non linéaire représentant être proposés au niveau du composant, la quasi-inté-
le composant est effectuée, l’analyse au niveau sys- gralité de ces modèles sont basés sur des architectu-
tème tend actuellement à utiliser des modèles de res de circuits équivalents, dérivés des lois physiques
type « boîte noire ». ou bien de manière empirique.
Cette technique de modélisation s’applique à un
circuit fermé de conception inconnue, d’où le nom de 2.1 Modélisation suivant
boîte noire. La modélisation s’applique directement les lois physiques
au circuit et non pas à chaque élément le constituant.
Ces techniques de modélisation sont encore en Tout composant peut théoriquement être modélisé
cours de développement [3]. L’un des objectifs visés suivant la physique des semi-conducteurs pour
par l’utilisation de tels modèles est de pouvoir con- représenter les équations de transport des porteurs
duire une analyse non linéaire d’un système complet de charges à travers le dispositif. À partir de ces
en utilisant directement un ensemble de mesures équations, les tensions et courants, ainsi que leurs
couramment disponibles effectuées en large signal dérivées peuvent être déterminés. Cette méthode de
sur les circuits constituant ce système. modélisation présente l’inconvénient d’être très
lourde et peut engendrer des temps de simulation
Les séries de Volterra introduites au début du siè- très longs, voire rédhibitoires pour le concepteur.
cle dernier par V. Volterra [4] est l’un des formalis-
mes les plus élégants et rigoureux pour la description Certaines approches tendent donc à simplifier ces
des phénomènes dynamiques non linéaires. Malheu- modèles tout en restant proche des équations physi-
reusement, sous sa forme classique, ses propriétés ques de base, soit en fractionnant la représentation
de convergence restent faibles, ce qui limite leur por- du composant en plusieurs parties plus facilement
tée à des systèmes faiblement non linéaires. modélisables individuellement, soit en simplifiant ces
modèles par des méthodes de réduction de modèle,
De récents travaux [5] montrent en effet les limites notamment pour les simulations électrothermiques
de cette technique, notamment pour modéliser les [6] [13] [14].
constantes de temps disparates (de la nano à la mil-
liseconde) présentes au sein du circuit. En effet, Il est couramment convenu que la lourdeur engen-
lorsqu’un signal modulé excite le circuit, des phéno- drée par la nature de ces modèles est le prix à payer
mènes de mémoires lentes et rapides doivent être pour produire une approche rigoureuse de la modéli-
pris en compte, car un signal modulé est simultané- sation. Ce constat n’est pas si simple car, dans la pra-
ment constitué de fréquences basses (fréquences tique, des approximations restent nécessaires pour
d’enveloppe), et de fréquences hautes (fréquences pouvoir rendre effective l’utilisation de cette
porteuses du signal). méthode.
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es circuits passifs hyperfréquences sont les lignes, les éléments et les dispo-
L sitifs passifs que l’on trouve dans les systèmes hyperfréquences, par exem-
ple, entre l’émetteur ou le récepteur et l’antenne ou le câble de transmission.
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l existe un très grand nombre de guides d’ondes, les uns métalliques, les
I autres diélectriques. Ce sont, dans tous les cas, des structures qui restent
invariantes quand on effectue une translation selon un axe qui constitue la direc-
tion de propagation de la puissance active (figure A).
Le milieu 1 où se propagent les ondes est toujours un milieu diélectrique. Dans
les guides d’ondes métalliques, ce milieu est limité par une interface diélec-
trique-conducteur (milieu 2, métallique) tandis que, dans les guides d’ondes dié-
lectriques, ce milieu est limité par une interface diélectrique-diélectrique
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(milieu 2, diélectrique).
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2 z
1
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1 milieu diélectrique
2 milieu conducteur ou diélectrique
Les guides diélectriques sont très peu utilisés dans les circuits passifs micro-
ondes. En effet :
— le guide diélectrique à section circulaire est surtout utilisé pour les télé-
communications aux fréquences optiques, d’où son nom de fibre optique (voir
Fibres optiques pour télécommunications [E 7 110] dans le traité Télécoms) ;
— les guides diélectriques à structure planaire sont utilisés pour les circuits
intégrés en ondes millimétriques où ils se prêtent bien à l’intégration des com-
posants actifs et passifs. Ils servent aussi à réaliser des circuits passifs, mais aux
fréquences optiques [1] [2].
Nous traiterons donc ici des guides d’ondes métalliques qui sont très
employés en tant que circuits passifs en ondes centimétriques et millimétriques.
Les structures les plus utilisées sont à section transversale rectangulaire ou cir-
culaire. Ils peuvent fonctionner soit en mode fondamental (guides standards),
soit en modes supérieurs (guides surdimensionnés). Nous parlerons aussi de
quelques autres types de guides métalliques, notamment les guides à nervure
centrale ainsi que les guides en U, en H et à rainure qui sont utilisables au-delà
de 100 GHz.
Cet article est la première partie d’un ensemble de quatre articles sur les circuits passifs
hyperfréquences [22], [23] et [24]. Par la suite, les auteurs présentent les filtres et cavités
[E 1 402], les éléments passifs réciproques [E 1 403] puis les éléments non réciproques et des
applications [E 1 404].
1. Fréquences mises en jeu ces que pour les mesurer. Une théorie des circuits à paramètres
répartis a vu le jour à cet effet. Quant aux mesures, elles portent le
plus souvent sur les puissances, incidente, transmise et réfléchie.
Les gammes de fréquences sont souvent classées par décades,
On appelle hyperfréquences ou micro-ondes les bandes de conformément au tableau 1.
(0)
Le fait que dimensions géométriques et longueur d’onde de tra- 3 GHz < f < 30 GHz Centimétriques SHF (super high
vail soient du même ordre de grandeur implique que l’on ne peut frequency)
plus utiliser la théorie de Kirchoff prenant pour base les éléments à
paramètres localisés. Des méthodes particulières d’analyse doivent 30 GHz < f < 300 GHz Millimétriques EHF (extremely high
frequency)
être développées, tant pour concevoir les dispositifs hyperfréquen-
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RT
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(0)
Q
40 GHz à 60 GHz 60 GHz à 80 GHz
Bande K Bande U
20 GHz à 40 GHz 40 GHz à 60 GHz
Bande J Bande Ka
10 GHz à 20 GHz 27 GHz à 40 GHz
Bande I Bande K Bande 10
8 GHz à 10 GHz 18 GHz à 27 GHz 3 GHz à 30 GHz
Bande H Bande Ku
6 GHz à 8 GHz 12 GHz à 18 GHz
Bande G Bande X
4 GHz à 6 GHz 8 GHz à 12 GHz
Bande F Bande C
3 GHz à 4 GHz 4 GHz à 8 GHz
Bande E Bande S Bande 9
2 GHz à 3 GHz 2 GHz à 4 GHz 300 MHz à 3 GHz
Bande D Bande L
1 GHz à 2 GHz 1 GHz à 2 GHz
Bande C Bande UHF
500 MHz à 1 000 MHz 300 MHz à 1 GHz
Bande B Bande VHF Bande 8
250 MHz à 500 MHz 30 MHz à 300 MHz 30 MHz à 300 MHz
Bande A Bande HF
0 MHz à 250 MHz 3 MHz à 30 MHz
(0)
Pour des fréquences situées entre 100 MHz et 100 GHz, les utilisa-
teurs ont pris l’habitude de définir un certain nombre de sous-ban-
des indiquées dans le tableau 2. Les trois colonnes représentent 2. Guides d’ondes
respectivement, les applications Contre-Mesure, les applications
Radar et les normes définies par l’Union technique internationale rectangulaires
(UTI) [5], déjà présentes dans le tableau 1. On remarquera que la
nomenclature des gammes de fréquences élevées n’est pas tou-
jours très explicite et dépend souvent du domaine particulier 2.1 Expressions des champs
concerné par les applications.
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RU
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Q
■ La fonction génératrice des modes TEmn est : (11)
a b
πx πy kc et γ sont liés par la relation fondamentale de la propagation
H z = H cos m ------- cos n ------- exp ( – γ z ) exp ( j ω t ) (1) guidée :
a b
Dans les relations (1) et (6) qui donnent les fonctions génératrices,
E⁄H = µ⁄ε
nous voyons que, pour les modes TEmn, m ou n peut être nul tandis
Leur valeur pourrait être calculée en connaissant la puissance transportée par le guide que, pour les modes TMmn, m et n doivent être non nuls. Deux cas
d’ondes. particulièrement intéressants sont ceux des modes TEm0 ou TE0n.
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RV
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dans de très nombreuses applications parmi lesquelles on peut citer les filtres,
les oscillateurs, les fréquencemètres, les amplificateurs accordés et les capteurs
micro-ondes. Le fonctionnement des résonateurs micro-ondes est à bien des
égards, semblable au fonctionnement des circuits accordés à éléments localisés
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RW
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de la théorie des circuits de Kirchhoff. C’est pourquoi il est utile d’avoir toujours
à l’esprit les propriétés fondamentales des circuits résonnants RLC série et
parallèle.
Nous allons décrire le fonctionnement des résonateurs aux hyperfréquences
réalisés à l’aide d’éléments distribués tels que les lignes de transmission, les
guides d’ondes rectangulaires et circulaires et les cavités diélectriques.
Q
1. Filtrage hyperfréquence C’est pour cette raison que beaucoup d’efforts en conception de
filtrage micro-onde prennent directement pour base les techniques
de synthèse de filtrage basse fréquence.
Un dispositif idéal de filtrage est un dispositif qui réalise une Les techniques de synthèse des filtres basse fréquence sont
transmission parfaite pour toutes les fréquences situées dans la essentiellement au nombre de deux : la méthode dite des para-
bande passante et une atténuation infinie dans les bandes cou- mètres image (filtres à k constant ou à dérivée en m ) et la méthode
pées. De telles caractéristiques idéales ne peuvent être obtenues des pertes d’insertion. La méthode des paramètres image conduit
en pratique et le but d’un concepteur de filtres est d’approcher au à une conception globale du filtre ayant les caractéristiques
mieux ces contraintes idéales en acceptant une certaine tolérance. souhaitées dans les bandes passante et coupée mais ne spécifie
Les fréquences de travail des filtres actuellement réalisés sont pas exactement les caractéristiques fréquentielles pour chaque
extrêmement étendues [E 3 100]. région particulière. La méthode des pertes d’insertion, quant à elle,
commence par une spécification très complète des caractéristiques
Les filtres peuvent être divisés en trois catégories : fréquentielles physiquement réalisables : le dispositif de filtrage
— les filtres passe-bas qui transmettent tous les signaux dont les particulier est alors construit à partir de ces contraintes.
fréquences sont comprises entre la fréquence nulle et une certaine Le principal désavantage de la méthode des paramètres image
fréquence limite fc , les fréquences supérieures à fc étant atténuées ; est que de nombreux essais sont souvent nécessaires afin d’obte-
— les filtres passe-haut qui laissent passer toutes les fréquences nir une caractéristique fréquentielle globale acceptable, le filtre réa-
supérieures à une fréquence fc et atténuent toutes les fréquences lisé étant souvent plus compliqué que celui obtenu par la méthode
inférieures ; des pertes d’insertion. C’est pour cette raison que l’on préfère, à
— les filtres passe-bande pour lesquels seules sont transmises l’heure actuelle, la méthode des pertes d’insertion.
les fréquences situées dans l’intervalle [f1 , f2] ; les fréquences à
Les filtres hyperfréquences peuvent être utilisés en association
l’extérieur de cet intervalle sont atténuées.
avec d’autres éléments ou d’autres dispositifs passifs, comme cela
Le dispositif « dual » du filtre passe-bande, c’est-à-dire le filtre est le cas dans les multiplexeurs ou les diplexeurs souvent
« coupe-bande » qui n’atténue que les fréquences situées dans employés en télécommunications. Ils sont aussi utilisés dans les
l’intervalle [f1 , f2], possède aussi certaines applications intéres- circuits actifs tels qu’amplificateurs, oscillateurs, mélangeurs, etc.
santes, en particulier en compatibilité électromagnétique pour éli- L’importance du sujet est telle que nous ne pouvons en donner
miner les fréquences parasites. ici qu’une introduction. Des développements plus complets pour-
Aux fréquences basses, les « briques élémentaires » de filtrage ront être trouvés ailleurs en ce qui concerne la théorie générale du
sont les bobines et les condensateurs. Ces éléments ont des carac- filtrage [1] et en ce qui concerne une vue générale des diverses
téristiques fréquentielles très simples et une procédure de syn- réalisations [2] [3].
thèse très générale et très complète a été développée par les
concepteurs utilisant ces éléments [E 3 120].
Il est possible de mener des développements analytiques très 1.1 Réalisation d’impédances
poussés pour une très grande variété de filtres ayant des caracté- et de circuits accordés
ristiques fréquentielles souvent très sophistiquées [E 3 110].
avec des lignes microbandes
Le problème de la conception de filtres aux hyperfréquences est
beaucoup plus compliqué, car les éléments que l’on utilise sont à
paramètres distribués ; il n’existe pas de procédure de synthèse 1.1.1 Équivalence entre un tronçon de ligne
totalement générale. En effet, le comportement fréquentiel des élé- et une inductance ou une capacité
ments de circuits hyperfréquences (lignes de transmission, cavités)
est complexe, ce qui rend impossible le développement d’une pro- Nous savons qu’un tronçon de ligne d’impédance caractéristique
cédure de synthèse générale et complète. Z c , fermé sur une impédance de charge Z L , présente, à une dis-
tance x de cette dernière, une impédance Z(x ) donnée par :
Cependant, en dépit de ces complications additionnelles dues
aux hyperfréquences, de nombreuses techniques ont été dévelop- Z L + j Z c tan β x
pées permettant de concevoir des filtres hyperfréquences. Z ( x ) = Z c ------------------------------------------- (1)
Z c + j Z L tan β x
Le cas des filtres à bande étroite est exemplaire car beaucoup Les tronçons utilisés ont une longueur x telle que :
d’éléments hyperfréquences ont, dans une bande de fréquence
étroite, des caractéristiques fréquentielles qui ressemblent à celles tan βx ≈ βx à 10 % près
des réactances idéales inductives ou capacitives. Dans ce cas, un
filtre passe-bas prototype peut être réalisé comme modèle. Le filtre soit : βx < π/6 ou x < λ /12
hyperfréquence sera ensuite réalisé en remplaçant les bobines et Dans ces conditions, (1) peut s’écrire :
les condensateurs par les éléments de circuit hyperfréquence
appropriés, ayant des caractéristiques fréquentielles semblables ZL + j Zc β x
Z (x ) = Z c --------------------------------- (2)
pour l’intervalle fréquentiel de travail. Zc + j ZL β x
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RX
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La réalisation technologique de ce cas peut se faire soit par une Figure 2 – Réalisation d’une inductance série en lignes microbandes
ligne en circuit ouvert, soit par une ligne dont l’impédance carac-
téristique Zc est très petite devant celle de la ligne qui la charge.
Nota : il serait possible d’arriver aux mêmes conclusions à partir de la représentation
quadripolaire classique d’un tronçon de ligne de longueur unité (figure 1).
Si nous nous plaçons dans l’approximation des lignes sans
pertes (R1 = G1 = 0, qui est utilisée dans le raisonnement précé-
Zc ᐉ Z c'
dent), le quadripôle se réduit à une inductance en série et à une B= 1
capacité en parallèle, ce qui nous permet de préciser que : Lω
Court-circuit
— un tronçon de ligne inductif modélise une inductance série ;
— un tronçon de ligne capacitif modélise une capacité parallèle.
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RY
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Q
sur la ligne principale (figure 7).
Zc >> Zc De même, un circuit résonnant série mis en dérivation entre
2 1
deux lignes quart d’onde est équivalent à un circuit résonnant
parallèle mis sur la ligne principale (figure 8).
Figure 5 – Réalisation d’un circuit résonnant mis en parallèle
Il serait également possible d’utiliser d’autres types de réseaux
en lignes microbandes
inverseurs d’impédance que la ligne λ /4, laquelle présente l’incon-
vénient d’avoir une largeur de bande réduite : réseaux quadri-
polaires ou longueurs de ligne, avec des éléments réactifs en série
ou en parallèle (figure 9).
ᐉ1
Zc ᐉ2 Zc
L C 2 1.2.1 Filtres passe-bas
■ Modélisation classique
Le schéma de la figure 10 représente le modèle d’un filtre
passe-bas. Aux fréquences basses, les inductances série présen-
Zc << Zc
1 2 tent des impédances faibles (→ 0) tandis que les capacités en
parallèle ont des impédances élevées (→ ∞) ; ce filtre est donc
transparent. Aux fréquences élevées, c’est le contraire : les induc-
Figure 6 – Réalisation d’un circuit antirésonnant mis en parallèle tances provoquent une réjection partielle des signaux appliqués
en lignes microbandes tandis que les capacités court-circuitent le reste.
λ/4 λ/4
A B
Z=∞
L' C' Z 2c
Z=0 Z=0 A B L' ω0 =
L ω0
L C
Z=0 Z=0 Z 2c
C ' ω0 =
C ω0
avec ω0 pulsation de résonance
Figure 7 – Équivalence entre un circuit antirésonnant mis en dérivation entre deux lignes quart d’onde et un circuit résonnant
λ/4 λ/4
A B L'
Z=0
L Z 2c
Z=∞ Z=∞ A B L ' ω0 =
L ω0
C Z=∞
C'
Z=∞ Z 2c
C ' ω0 =
C ω0
avec ω0 pulsation de résonance
Figure 8 – Équivalence entre un circuit résonnant mis en parallèle entre deux lignes quart d’onde et un circuit antirésonnant
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SP
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Zc Zc
L ou C 2 4
50 Ω Zc Zc Zc 50 Ω
L ou C 1 3 5
ᐉ1 ᐉ2 ᐉ3 ᐉ4 ᐉ5
Q
θ/2 θ/2 θ
a b Figure 12 – Réalisation d’un filtre passe-bas en lignes microbandes
2πᐉ
θ longueur angulaire de la ligne = 冢 λ 冣
Figure 9 – Réseaux inverseurs d’impédance
L1 L3 L5
L2 L4 L6
L2 L4
C2 C4 C6
C1 C3 C5
Zc Zc
0 2 ᐉ2 ᐉ6 6
–3
– 10 50 Ω Zc Zc Zc 50 Ω
1 3 5
ᐉ1 ᐉ3 ᐉ5
– 30 ᐉ4
Zc
4
Z c' ᐉ'4
4
0 f3 f10 f30 f (Hz)
Figure 11 – Courbe de réponse d’un filtre passe-bas Figure 14 – Réalisation d’un filtre de Cauer en lignes microbandes
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1. Dipôles
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ST
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Une autre solution est de terminer le guide par une bride et de fer-
mer l’ensemble par une plaque bien plane et très propre, perpendi- Contact à frottement doux
culaire à la direction de propagation, vissée sur la bride au moins en Tige
quatre points ; le moindre défaut de contact entraîne une dégrada- Vrai court-circuit de commande
tion rapide du ROS (≈ 5 à 10) ; si la puissance transportée est élevée,
des flashes de courant peuvent apparaître aux points de contact B
défectueux et entraîner une érosion rapide du métal. Cette techni- A
que est surtout utilisée en guides d’ondes rectangulaires et circulai- Entrée
Q
res. On notera sur la figure 1b la présence de deux ergots de du guide d'ondes
centrage.
B'
d
ᐉ1 = λg /4
Matériau Paroi
1.2 Court-circuit variable à pertes du guide d'ondes
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SU
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Plaque de court-circuit
Plaque de court-circuit
ᐉ2 b
Absorbant plein
ᐉ1 Vue de côté
λg /4
Absorbant biseauté
Vue de dessus
c forte puissance
Une des applications des charges adaptées est la mesure des
Figure 3 – Charges adaptées
réflexions d’un quadripôle.
Comme nous le verrons dans le paragraphe sur la caractérisation
des quadripôles (§ 3), la clef de la méthode est de placer une charge
recouverts par évaporation sous vide de conducteurs résistifs inalté- adaptée à la sortie du quadripôle puis de mesurer le coefficient de
rables comme le platine ou le vanadium. réflexion à l’entrée. Avec une charge idéale ne présentant aucune
réflexion, le ROS mesuré Sx est effectivement le ROS dû au quadri-
La charge représentée sur la figure 3a peut être utilisée à des pôle. Si la charge n’est pas parfaite, le coefficient de réflexion à
puissances élevées car la surface du matériau à pertes est en con- l’entrée du quadripôle est dû à l’action cumulée du quadripôle, Sx,
tact intime avec les parois métalliques du guide d’ondes, ce qui per- et de la charge S ᐉ . En faisant l’hypothèse que le quadripôle est sans
met d’évacuer la chaleur générée par la puissance micro-ondes pertes, on démontre que le coefficient de réflexion varie entre les
produite. Le guide peut alors être équipé d’un dispositif de refroidis- deux valeurs extrêmes suivantes S x ⁄ S ᐉ et S x S ᐉ , en supposant que
sement ressemblant à des ailettes de radiateur. Lorsque la charge Sx soit plus grand que S ᐉ . L’incertitude dans la mesure peut être éli-
doit pouvoir supporter des températures élevées, on utilise des minée en utilisant une charge glissante et en mesurant les valeurs
matériaux absorbants composites à base de céramique. On remar- maximales du ROS à l’entrée du quadripôle. Ces valeurs sont
quera que pour ce type de charge adaptée (figure 3a), la transition ensuite utilisées pour mesurer le ROS propre à la charge et le ROS
progressive commence sur le petit côté du guide, là où le champ du quadripôle terminé par une charge adaptée idéale.
électrique est négligeable, réduisant ainsi la possibilité de claquage
aux grandes puissances. La charge glissante est la solution la plus simple pour réaliser une
impédance variable. On utilise une charge adaptée dont le matériau
Enfin, pour les très grandes puissances, on utilisera la propriété
absorbant peut glisser à l’intérieur du guide. On dispose en amont
absorbante de l’eau aux hyperfréquences (les fours à micro-ondes
une tige à enfoncement variable qui peut être modélisée par une
ont banalisé cette propriété). La configuration est alors celle repré-
réactance pure mise en parallèle : le signe positif ou négatif de la
sentée sur la figure 3c où la charge est constituée d’un tube de verre
réactance est fonction de l’enfoncement de la tige. Celle-ci est capa-
ou de quartz parcouru par un courant d’eau qui évacue les joules.
citive pour des enfoncements faibles et devient inductive lorsqu’elle
On insère le tube de façon à minimiser les réflexions ; pour des lon-
traverse pratiquement tout le petit côté du guide.
gueurs de quelques longueurs d’ondes, le ROS est voisin de l’unité
si l’inclinaison du tube dans le guide est de quelques degrés. L’aug-
mentation de température de l’eau est proportionnelle à la puis-
sance micro-ondes absorbée. Si l’on mesure l’élévation de
température et le débit d’eau, on a une méthode très élégante pour
mesurer la puissance des magnétrons ou autres générateurs de très
2. Quadripôles de base
grande puissance dans le cas d’un guide d’ondes rectangulaire.
Un type complètement différent de charge adaptée est représenté Ce sont des quadripôles qui agissent sur chacune des caractéristi-
sur la figure 4. Une plaquette de matériau absorbant remplit entiè- ques de l’onde électromagnétique : l’amplitude, la phase ou la direc-
rement la section droite du guide ; la résistance carrée du matériau tion de polarisation.
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Couteau
Ps Pe
Q
Pe Ps
E
Figure 5 – Quadripôle d’atténuation sur une ligne
Q
L'atténuation est proportionnelle à l'enfoncement du couteau.
a à couteau
Lame
b à lame
ᐉ
Lame
b diminution locale du diamètre du conducteur extérieur
2.1 Atténuateurs E
E
E cos2 α
E⬜
α
Un atténuateur est un quadripôle Q inséré sur une ligne qui trans-
met une onde incidente avec une atténuation indépendante du sens
de propagation (figure 5). E⬜ = E cos α
Afin que l’atténuateur n’augmente pas le ROS propre à la ligne, il C guide circulaire
est souhaitable que la différence entre la puissance incidente et la R1 , R2 guides rectangulaires
puissance transmise se retrouve sous forme de puissance perdue
T1 , T2 transitions guide rectangulaire-guide circulaire
par effet Joule dans l’atténuateur lui-même.
Un atténuateur est caractérisé par le rapport, exprimé en décibels
et appelé atténuation, de la puissance incidente Pe à la puissance Figure 8 – Atténuateur de précision en guide d’ondes
transmise Ps :
10lgPe /Ps
Un autre procédé consiste à placer une lame L à l’intérieur du
La réalisation des atténuateurs est basée sur l’introduction sur guide d’ondes parallèlement aux petites faces et à la déplacer
une ligne ou dans un guide d’ondes d’un matériau à pertes. depuis le bord (atténuation minimale) jusqu’au centre (atténuation
maximale) (figure 7b).
■ En ligne coaxiale, une longueur ᐉ du conducteur central peut être
constituée ou recouverte d’un tel matériau (figure 6a). L’atténuation ■ Les atténuateurs de précision sont réalisés de la façon suivante :
est proportionnelle à ᐉ . Un atténuateur peut aussi être réalisé en un guide circulaire C est inséré entre deux tronçons R1 et R2 du
changeant localement les dimensions du coaxial (figure 6b). On guide rectangulaire et leur est relié par des transitions T1 et T2
sait, en effet, que l’atténuation d’un coaxial dépend du rapport d2/d1 (figure 8).
des diamètres de ses conducteurs ; l’atténuation minimale corres-
pond à d2/d1 = 3,6. En donnant à ce rapport une valeur Dans les guides rectangulaires, la polarisation du champ E est
différente d 2′ ⁄ d 1 sur une longueur ᐉ , on obtient une atténuation qui perpendiculaire aux grands côtés. Dans le guide circulaire est placée
dépend de ᐉ et de d 2′ . une lame métallique L qui peut tourner autour de l’axe longitudinal
du guide. Une telle lame ne laisse passer que la composante du
■ En guide d’ondes, des atténuateurs de tarage, non étalonnés, champ E qui lui est perpendiculaire. Le fonctionnement de l’ensem-
sont obtenus en insérant dans le guide, parallèlement au champ E , ble est résumé sur la figure 8.
un couteau C d’un matériau dissipatif. Ce couteau peut pénétrer Pour une position de la lame faisant un angle α avec le plan hori-
plus ou moins dans le guide à travers une fente usinée longitudina- zontal, cet atténuateur introduit une atténuation en cos2 α, soit en
lement au milieu de l’une de ses grandes faces. Il se trouve ainsi décibels :
dans un plan où le champ électrique est maximal et provoque une
atténuation proportionnelle à son enfoncement (figure 7a). 40lgcosα
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SY
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Q
1.2.1 Condition de la non-réciprocité
C’est à L. Thourel [1] que nous empruntons les phrases de
définition des matériaux à ferrite. La perméabilité magnétique d’un matériau de ferrite doué de per-
tes peut s’écrire :
« Les ferrites sont des oxydes métalliques complexes, dérivés de
la magnétite par remplacement de l’atome de fer divalent par un µ = µ′ – jµ″
atome d’un autre métal. La formule de la magnétite étant :
Cette formule est à rapprocher de la formule :
Fe++O, Fe 2+++ O 3
ε = ε′ – jε″
la formule générale d’un ferrite sera donc :
relative à la permittivité d’un isolant présentant des pertes.
M++O, Fe 2+++ O 3
µ ′ est la perméabilité magnétique au sens habituel du terme ;
« Les métaux de remplacement utilisables sont évidemment des µ ″ représente les pertes.
métaux divalents tels que le manganèse, le magnésium, le nickel, le Pour l’étude de la propagation d’une onde dans un tel milieu, µ ′
cuivre, le cobalt, le zinc et le cadmium. Cependant, les propriétés du affectera le paramètre de phase β, alors que µ ″ affectera le paramè-
matériau obtenu dépendent de la nature du métal de remplacement tre de pertes α.
et de ses proportions.
Or, il se trouve que lorsqu’une onde, dont le champ magnétique
« Ainsi, quand le fer divalent est entièrement remplacé par du zinc est polarisé circulairement, se propage dans un matériau de ferrite
ou du cadmium, le ferrite réalisé n’est pas magnétique ; quand il est soumis à un champ magnétique continu perpendiculaire au plan de
entièrement remplacé par l’un des autres matériaux mentionnés ci- polarisation, les valeurs de µ ′ et µ ″ dépendent du sens de propaga-
dessus, le matériau est magnétique, avec une perméabilité assez tion de cette onde. Cela est dû à des phénomènes de résonance
élevée, mais de fortes pertes par hystérésis. gyromagnétique affectant les électrons du matériau. L’étude
« Il est également possible d’obtenir des ferrites complexes, où détaillée de ces phénomènes serait trop longue et d’ailleurs inutile
les atomes de fer sont remplacés à la fois par des atomes de deux pour la compréhension de ce qui suit. Nous renvoyons le lecteur
métaux divalents ; on réalise ainsi des ferrites de manganèse- désireux de plus de détails aux ouvrages spécialisés [1].
magnésium, de nickel-zinc, de nickel-cobalt, etc. La formule chimi- Pour une propagation vers les z > 0 ou vers les z < 0, nous aurons :
que devient alors, dans le cas d’un ferrite de nickel-zinc, par
exemple : µ + = µ′+ – j µ +″
α NiO, β ZnO, Fe2O3 ou µ – = µ –′ – j µ –″
avec : α + β = 1. Donc, d’après ce qui a été dit précédemment, le déphasage et les
« Tous ces ferrites cristallisent dans le même système que la spi- pertes dus à la propagation (liés respectivement à µ ′ et µ ″ ) seront
nelle naturelle MgAl2O4. différents selon le sens de propagation. En fait, il faut prendre en
« En 1956, Bertaut et Forat découvrirent une nouvelle structure considération les sens respectifs de :
d’oxydes ferrimagnétiques correspondant à la formule : — la direction de propagation ;
— la rotation de polarisation par rapport à cette direction ;
3 M2O3, 5 Fe2O3 — la direction du champ magnétique continu.
où M est un métal trivalent de la série des terres rares (yttrium, Nous restons dans un cas où µ = µ+ en changeant le sens de deux
gadolinium, gallium, samarium, etc.) ; le plus utilisé est l’yttrium. de ces paramètres. Au contraire, on passe dans le cas où µ = µ− en
Ces nouveaux ferrites cristallisent dans le même système que le ne changeant le sens que de l’un de ces paramètres.
grenat naturel, d’où le nom de grenats qui leur est donné. Ainsi, la Le raisonnement est le même à partir de µ = µ−.
formule du grenat d’yttrium est :
3 Y2O3, 5 Fe2O3
1.2.2 Étude de la perméabilité magnétique
désigné dans les ouvrages par l’abréviation YIG (yttrium iron gar-
net). La figure 1 donne les variations des quatre coefficients µ +′ , µ –′ ,
« On peut aussi fabriquer des grenats mixtes tel le grenat µ +″ et µ –″ en fonction du champ magnétique continu appliqué au
d’yttrium-gadolinium : matériau de ferrite, pour une fréquence HF déterminée. L’examen de
cette figure appelle quelques remarques.
3[Y(2−a)GdaO3], 5 Fe2O3
■ Alors que µ –″ garde une valeur à peu près constante, µ +″ a la
Les caractéristiques générales électriques et magnétiques des fer- forme d’une courbe de résonance.
rites sont les suivantes :
● La valeur maximale de µ +″ (à laquelle correspondent des pertes
— une résistivité très élevée (de 106 à 1010 Ω · cm) ; maximales) est atteinte pour une valeur Hr du champ magnétique
— une permittivité relative en hyperfréquences de l’ordre de 10 à continu appliqué qui est liée à la fréquence f de l’onde à polarisation
12 ; circulaire par la relation définissant la résonance gyromagnétique
— des pertes diélectriques très faibles (tanδ = 10−2 à 10−3) ; du ferrite :
— une perméabilité relative magnétique de quelques dizaines
d’unités. f = 35 186 Hr (Hr exprimé en A/m)
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E 1 404 − 2 © Techniques de l’Ingénieur, traité Électronique
TP
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µ Ferrite
µ'+' y
E x
µ'+ z
1
µ''–
d’un guide d’ondes rectangulaire
Q
Hc Aimant
∆H
N S
N nord S sud
ou f = 2,8 × 106 Hr (Hr exprimé en œrsteds)
Figure 3 – Réalisation de la non-réciprocité en guide d'ondes
● Par analogie avec la largeur de bande d’une courbe de réso- rectangulaire à l’aide de deux aimants et de deux plaques de ferrite
nance, il est possible de définir la largeur de ligne ∆H du ferrite
comme la différence des champs correspondant aux valeurs de µ +″
égales à la moitié de sa valeur maximale. Ces deux composantes sont en quadrature et donnent lieu à un
champ H polarisé circulairement si :
■ Alors que µ –′ garde une valeur à peu près constante, µ +′ a la
forme d’une courbe de réponse d’un discriminateur : après avoir λ πx λ πx
atteint un maximum dans les valeurs négatives, µ +′ passe très rapi- ------ sin ------- = ± ----- cos -------
dement par un maximum dans les valeurs positives et décroît λg a λc a
ensuite. Cette brusque variation a lieu aux alentours de la valeur Hr πx λ ⁄ 2a
correspondant à la résonance gyromagnétique. Pour cette réso- d’où tan ------- = ± -----------------------------------------
a
nance, les valeurs de µ +′ et µ –′ sont à peu près égales. ( 1 – λ 2 ⁄ 4a 2 ) 1 / 2
Cette condition est réalisée pour les plans verticaux de cotes x1 et
■ Nous voyons qu’en choisissant Hc = Hr, nous obtiendrons une x2 telles que :
valeur élevée pour µ +″ tandis que µ –″ reste faible. Puisque µ ″ est lié
au paramètre d’affaiblissement α, il sera donc possible d’avoir une a λ ⁄ 2a
atténuation non réciproque. x 1 = --- arctan -----------------------------------------
π ( 1 – λ 2 ⁄ 4a 2 ) 1 / 2
En choisissant Hc ≠ Hr, nous obtiendrons deux valeurs différentes
de µ +′ et µ –′ ; en réglant Hc de façon que, simultanément, µ +″ soit et x2 = a − x 1
faible, nous pourrons avoir un déphasage non réciproque puisque
µ ′ est lié au paramètre de phase β. Il faudra donc disposer, dans l’un de ces plans, une plaque de fer-
rite soumise à un champ magnétique continu vertical.
Il est également possible de placer une plaque de ferrite dans cha-
cun des plans ainsi définis. Comme les polarisations y tournent en
1.3 Réalisation de la non-réciprocité sens inverses, il faut appliquer des champs magnétiques continus
en hyperfréquences en sens opposés afin que les effets non réciproques produits don-
nent lieu au même µ+ ou µ− pour un même sens de propagation ;
d’où l’utilisation de deux aimants en forme de U disposés de part et
d’autre du guide, comme cela est indiqué sur la figure 3.
1.3.1 En guides d’ondes
Nous notons que, dans ce montage, la plaque de ferrite est dispo-
sée à plat alors que dans d’autres montages (voir figures 2 et 6), elle
En propagation guidée, il est possible de réaliser les conditions est disposée verticalement. Le premier montage permet de trans-
nécessaires à l’apparition du phénomène de non-réciprocité, par porter de plus fortes puissances que les seconds ; mais dans ces
exemple, avec un guide d’ondes rectangulaire où se propage le derniers, les conditions de la non-réciprocité sont mieux réunies.
mode fondamental.
Pour un champ E polarisé verticalement, nous avons vu dans
l’étude de la propagation guidée [E 1 401] que le champ H a deux 1.3.2 En lignes TEM
composantes dans le plan horizontal xOz (figure 2) :
En lignes TEM, la réalisation des conditions de non-réciprocité est
λ πx plus compliquée. En effet, ces lignes (qu’il s’agisse de la ligne
H x = – H 0 ------ sin ------- exp ( – j2πz ⁄ λ g ) coaxiale, de la triplaque ou de la microbande) ne présentent pas de
λg a
plan où le champ magnétique HF est à polarisation circulaire.
λ πx Pour la faire apparaître, il est nécessaire de charger ces lignes par
H z = jH 0 ----- cos ------- exp ( – j2πz ⁄ λ g ) un diélectrique inhomogène, conformément à la figure 4a pour la
λc a ligne triplaque et à la figure 4b pour la ligne coaxiale.
Toute reproduction sans autorisation du Centre français d’exploitation du droit de copie est strictement interdite.
© Techniques de l’Ingénieur, traité Électronique E 1 404 − 3
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Note de l’éditeur
Cet article est la réédition actualisée de l’article E1425 intitulé « MMIC – Évolution et
technologie » paru en 2004, rédigé par Christian RYUMELHARD
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1. Présentation des MMICs concerne des technologies plus marginales (HBT III-V pour 10 %,
FET SiC pour 1 %). Une description plus en détail de ces filières
technologiques est donnée au paragraphe 2.
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50
Architecture – Cahier des charges
45 Fonctions Fonctions
Puissance de sortie (dBm)
Q
30 Synthèse logique Analyse / Optimisation
HBT SiGe
25 CMOS Placement et Routage Dessin du circuit (Layout)
Génération du GDSII
Portée souhaitée 0 m à quelques dizaines de mètres Valeur généralement considérée 30 m
Ouverture totale du faisceau > 50° Faisceau de 2 m de large à 2 m devant le véhicule
Résolution en distance radiale 5 cm Valeur conduisant aux 4 GHz de bande allouée
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Q
TV
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MMIC : composants
Transistors, technologies et modélisation
par Gilles DAMBRINE
Q
Professeur à l’Université de Lille, Institut d’Électronique de Microélectronique
et de Nanotechnologies, IEMN, France
Didier BELOT
Ingénieur (PhD, HDR), STMicroelectronics, Crolles, France
et Pascal CHEVALIER
Ingénieur (PhD), STMicroelectronics, Crolles, France
Note de l’éditeur
Cet article est la réédition actualisée de l’article E1426, paragraphe 1, intitulé « MMIC.
Composants » paru en 2004, rédigé par Christian RUMELHARD
TW
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1.1 Transistor à effet de champ Ces deux dernières filières seront choisies essentiellement pour
leur potentialité en termes de gain important et de faible bruit en
à hétérojonction HEMT – gammes millimétrique et submillimétrique. Des fréquences de
Filières GaAs et InP coupure records ont été obtenues pour ces filières avec fmax (la
définition sera donnée au paragraphe 2.1.2) de l’ordre de 1,4 THz
Les HEMT à canal Ga1-xInxAs constituent la majorité des filières et des amplificateurs fonctionnant jusque 850 GHz ont été réalisés.
technologiques à matériaux composés des colonnes III (alumi-
Il existe quelques autres filières technologiques III-V utilisées pour
nium, gallium et indium) et V (phosphore, arsenic, antimoine) du
la réalisation de MMIC ; par exemple celle où le taux d’indium atteint
tableau périodique. Ces transistors sont de type N ; un gaz bidi-
100 %, on parle alors de la filière InAs, ou bien l’hétérojonction peut
mensionnel d’électrons, dont la densité électronique est contrô-
être du type AlSb/InAs, on parle alors de ABCS-HEMT pour Antimo-
lée par le potentiel de grille, se forme dans le canal conducteur
nide – Based Compound Semiconductor – HEMT.
InxGa1-xAs non intentionnellement dopé (intrinsèque) et ceci grâce à
la présence d’une hétérojonction GaAlAs/InGaAs ou InAlAs/InGaAs.
La couche GaAlAs ou InAlAs dite « couche barrière » est dopée
N+. Le taux x d’indium conditionne la discontinuité de bandes de 1.2 Transistor à effet de champ
conduction (ΔEc) entre les deux couches ; plus x est élevé plus ΔEc à hétérojonctions HEMT – Filière GaN
est grand et plus grande est la densité d’électrons. De façon plus
pratique, un HEMT avec un taux d’indium élevé aura une grande Cette filière suscite une très grande activité de recherche et déve-
densité de courant et des performances fréquentielles accrues. loppement industriel, sans doute la plus importante dans le
TX
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eQTRV
domaine des composants à base de matériaux III-V. Le matériau depuis la fin des années 1970 une feuille de route (International
GaN et les matériaux composites associés formant la couche bar- Technology Roadmap for Semiconductors ou ITRS).
rière des hétérojonctions tels que AlxGa1-xN ou InxAl1-xN sont des Basé sur le même procédé technologique, nous pouvons égale-
semi-conducteurs dits « à grand gap ». Le gap est également le nom ment mentionner le transistor LDMOS (Lateraly Diffused MOS)
attribué à la bande interdite du semi-conducteur. Il est de 3,4 eV qui est un MOSFET utilisé pour les circuits de forte puissance opé-
pour le GaN ; pour comparaison le gap est de 1,12 eV pour le sili- rant dans la gamme de fréquence des GHz.
cium. Cette propriété confère à ces technologies la faculté d’accep-
ter des tensions de polarisation de drain très élevées avant La différence majeure des MOSFET réalisés sur substrat SOI est
Q
d’atteindre le niveau d’avalanche (on parle de tension de claquage), que le transistor est isolé électriquement du substrat de silicium par
de plusieurs dizaines voire centaines de volts tout en fournissant un dioxyde de silicium enterré appelé box réduisant les courants
des densités de courant importantes grâce aux bonnes propriétés parasites tant en régime statique DC que dynamique AC par la
de transport électronique et de densité d’états de ces matériaux. réduction des capacités parasites. Comparativement au MOSFET
bulk, la commande électrostatique du canal par le potentiel appliqué
La croissance cristallographique des hétérojonctions de type sur la grille est plus efficace, les effets de canaux courts en sont
AlGaN/GaN ou InAlN/GaN est effectuée non pas sur un substrat réduits. Selon l’épaisseur du canal de silicium entre l’oxyde de grille
de GaN, dont la dimension des wafers n’excède pas 2 pouces et la et l’oxyde enterré box par rapport à la longueur de la grille, ce canal
croissance entraîne un coût élevé, mais soit sur substrat de SiC peut être soit partiellement soit complètement déserté par les por-
(carbure de silicium) dont le paramètre de maille est le plus teurs de charge. On parle alors de MOSFET SOI Partially Depleted
proche de celui du GaN soit sur silicium de type 111 dont le ou Fully Depleted. Cette filière est particulièrement adaptée pour la
désaccord de maille est important, de l’ordre de 18 %. réalisation de MMIC à très faible consommation.
Pour la réalisation de MMIC destinés aux applications de puis- Pour faire un lien avec le paragraphe 1.4, des transistors de type
sance, les HEMT AlGaN/GaN et InAlN/GaN sur substrat de SiC bipolaire à hétérojonction Si/SiGeC peuvent être réalisés sur un
sont les plus performants en fréquence et en puissance grâce à la procédé CMOS bulk ou SOI, dans ce cas la filière technologique se
qualité des matériaux en termes de faible densité de défauts cris- nomme BiCMOS.
tallographiques et de conduction thermique. Les densités de
puissance, exprimées en watts par millimètre de grille (cette Pour la réalisation de MMIC jusqu’aux gammes millimétrique et
dimension correspond à la largeur totale de la grille) sont d’envi- submillimétrique voire d’ensemble de MMIC pour concevoir des
ron 40 W/mm à 4 GHz, 20 W/mm à 10 GHz, 10 W/mm à 40 GHz et systèmes complets, les filières technologiques sur silicium offrent
de l’ordre de 1 W/mm en bande W (75-110 GHz). un large panel aux concepteurs. La possibilité d’intégrer sur la
même puce, des fonctions analogiques hautes fréquences avec
Le nombre de travaux concernant la filière HEMT GaN sur subs- des fonctions numériques, telles que des processeurs ou circuits
trat de silicium ne cesse d’augmenter ; ils sont animés par les logiques dédiés, ou mixtes telles que les convertisseurs analo-
intérêts applicatifs (production de lumière blanche, électronique giques/numériques, et réciproquement, rend ces technologies
de puissance basse fréquence et haute fréquence). En effet la dis- incontournables pour la réalisation des systèmes électroniques
ponibilité et le faible coût des substrats de silicium et la possibilité grand public ou de ceux dédiés aux secteurs de l’aéronautique, du
de croissance de matériaux GaN sur des wafers jusque 200 mm spatial et de la défense.
(environ 8 pouces) entraîne une réelle réduction des coûts par
rapport au substrat SiC (4 à 6 pouces). Le GaN étant en désaccord
de maille avec le substrat de silicium, une couche « tampon » 1.4 Transistor bipolaire à hétérojonction
(couche de nucléation d’AlN et d’un super-réseau constitué d’un
empilement de couches AlN/GaN entre le substrat de silicium et le 1.4.1 Transistor bipolaire à hétérojonction Si/SiGe
GaN) est nécessaire. Pour les applications MMIC, les perfor-
mances de cette filière GaN sur silicium dépendent essentielle- 1.4.1.1 Caractéristiques de l’alliage SiGe pseudomorphique
ment de la qualité de ces matériaux. De travaux menés en 2014
ont montré la possibilité de réaliser des transistors AlInN/GaN sur Le transistor bipolaire à hétérojonction (TBH) Si/SiGe diffère du
silicium ayant une densité de puissance de 1,35 W/mm à 94 GHz. transistor bipolaire silicium à homojonction par l’introduction
de l’alliage silicium-germanium dans la base. L’alliage silicium-
Le choix de cette technologie pour la conception de MMIC sera germanium Si1-xGex permet d’améliorer très significativement les
naturellement orienté vers les applications de puissance en performances du transistor. Cela est dû d’une part aux propriétés
gammes de fréquences micro-onde et millimétrique. Les principes intrinsèques du germanium et d’autre part au fait que la couche de
de fonctionnement de ce type de transistors sont décrits dans SiGe est contrainte. Le substrat Si et l’alliage SiGe possèdent la
l’article [E2450]. même structure cristallographique (diamant) mais ont des énergies
de bande interdite (gap) différentes (0,66 eV pour le Ge contre 1,12
pour le Si à T = 300 K et des paramètres de maille différents
1.3 Transistor MOSFET (aSi = 5,431 Å et aGe = 5,657 Å). A titre d’exemple, le paramètre de
maille d’un alliage SiGe comportant 20 % de germanium est égal à
Bien que des travaux récents concernent des MOSFET utilisant 5,476 Å, le désaccord de maille par rapport au substrat Si est alors
des matériaux III-V tels que InGaAs comme canal conducteur, la de 0,83 %. Cela signifie que la croissance du SiGe sur le Si est pseu-
majorité des MOSFET sont réalisés sur silicium. Pour les applica- domorphique, c’est-à-dire que la couche de SiGe conserve le para-
tions HF, les MOSFET de type N sont majoritairement utilisés mètre de maille du substrat de Si, conduisant à une déformation
grâce à une meilleure mobilité des électrons dans le silicium par élastique dans la direction perpendiculaire au plan de l’interface. La
rapport à celle des trous. Généralement, les MOSFET sont polari- croissance pseudomorphique n’est possible que pour une épaisseur
sés en régime d’inversion. limitée de la couche de SiGe (fonction du pourcentage de Ge).
Il y a deux grandes filières technologiques où l’on dispose de L’énergie de bande interdite du SiGe dépend à la fois du pour-
MOSFET. Il s’agit d’une part de la technologie CMOS (Comple- centage de Ge et de la contrainte. Une valeur approximative de
mentary Metal Oxide Semi-conductor) sur substrat silicium massif l’énergie de bande interdite de l’alliage SiGe contraint peut être
(appelé bulk) et d’autre part de la technologie CMOS sur substrat déterminée par l’expression suivante :
SOI (Silicon On Insulator).
(1)
La filière CMOS bulk est la plus industrialisée et réalisée sur des
substrats de silicium (appelés wafers) de 300 mm de diamètre avec E0(T) énergie de bande interdite du Si pur,
voire 450 mm dans le futur. Les technologies CMOS suivent x taux de Ge dans l’alliage SiGe.
TY
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Énergie
SCR SCR SCR Space Charge Region :
BC E B C
ΔEC BC région de charges d’espace
ΔEG
ou zone de déplétion
Q ΔEV
BV ΔEV
Trous
BC
E Émetteur
BV ΔEV B Base
C Collecteur
XGe BV
Figure 1 – Schéma du raccordement des bandes entre un substrat Si
et un film de SiGe contraint XGeC
XGeE
Comme représenté sur la figure 1, le raccordement des bandes SiGe
d’énergie entre SiGe contraint et Si est de type (I) avec une varia-
tion pour la bande de conduction (BC) plus modérée que celle
pour la bande valence (BV). L’effet côté bande de conduction étant Figure 2 – Diagramme de bandes du TBH Si/SiGe : C par rapport au
transistor bipolaire à homojonction Si avec un profil de Ge graduel
plus limité, il est généralement négligé. Il est possible de calculer de Ge dans la base
simplement la différence d’énergie ΔEV en fonction de la concen-
tration en germanium x avec la relation suivante :
(2)
1.4.2 Transistor bipolaire à hétérojonction III-V
Dans le cas d’un TBH de type NPN, la différence de dopage Pour plus de détails, le lecteur consultera l’article [E2450].
entre l’émetteur et la base reporte la différence en énergie EG Nous trouvons majoritairement deux filières de TBH III-V :
apportée par l’hétérojonction au niveau de la bande de conduction – la filière sur substrat GaAs dont l’hétérojonction émetteur –
et diminue ainsi la barrière d’énergie visible par les électrons. base la plus utilisée actuellement est In0,49Ga0,51P/GaAs ;
D’autre part, la variation de la hauteur de la barrière d’énergie – la filière InP dont l’hétérojonction émetteur/base est soit
dans la bande de valence vue par les trous est négligeable. InP/Ga0,47In0,53As soit InP/ GaAsSb.
L’injection des trous est donc la même que pour un transistor
bipolaire à homojonction alors que le transport est amélioré pour Cette seconde filière InP donne lieu à des performances accrues
les électrons de la bande de conduction. en gammes millimétrique et submillimétrique par rapport à la
filière GaAs.
Un profil graduel de Ge dans la base, c’est-à-dire avec un pourcen-
tage croissant entre l’émetteur et le collecteur, permet de créer ainsi
Un recapitulatif des différents types de transistors et filières
une bande interdite de largeur variable dans la base. Ce gradient de
selon le substrat est donné dans le tableau 1.
Ge crée un pseudo-champ électrique qui accélère les électrons de
l’émetteur vers le collecteur, et le courant collecteur IC en résultant
est plus élevé que pour un transistor bipolaire Si. On parlera de pro-
Tableau 1 – Résumé des différents types
fil triangulaire si le pourcentage de Ge à l’entrée de la base est nul
de transistors et filières MMIC selon les types
alors que pour un pourcentage non nul, comme sur la figure 2, on
de substrat semi-conducteur
parlera d’un profil trapézoïdal. Un des avantages du profil trapézoï-
dal est, de par la réduction de la hauteur de bande interdite, d’obte- Transistors à effet Transistors
Substrat
nir un courant collecteur plus fort que pour un profil triangulaire. de champ bipolaires
Si MOSFET HBT
1.4.1.2 Influence de l’hétérojonction Si/SiGe:C (technologie (technologie
sur le fonctionnement du transistor bipolaire CMOS) BiCMOS)
L’introduction de germanium dans la base permet une augmenta- LDMOS Si/SiGeC
tion significative du gain en courant. Dans la mesure où cette intro- HEMT
duction modifie la barrière vue par les électrons, cette augmentation AlGaN/GaN
est essentiellement due à IC. Pour donner un ordre de grandeur, le HEMT InAlN/
gain β des transistors bipolaires à homojonction Si est de quelques GaN
dizaines, et il atteint quelques centaines à quelques milliers pour un SOI UTB FD HBTSi/SiGeC
TBH SiGe. Cependant, il est important de noter qu’un fort gain en
courant β, s’il est avantageux pour les performances fréquentielles du SiC HEMT
composant, dégrade considérablement sa tenue en tension VCE0 (ten- AlGaN/GaN
sion de claquage entre l’émetteur et le collecteur). HEMT InAlN/
GaN
Les performances dynamiques d’un TBH Si/SiGe sont significa-
tivement améliorées par rapport à un transistor à homojonction. GaAs PHEMT MHEMT HBT
Cela tient principalement à l’augmentation du courant collecteur GaAlAs/ InAlAs/ GaInP/GaAs
et à la réduction du temps de transit des électrons dans la base InGaAs InGaAs/
pour les profils triangulaires et trapézoïdaux de Ge. Cette forte InP LMHEMT HBT
augmentation du courant collecteur peut ainsi être utilisée pour InAlAs/ InP/InGaAs
réduire la résistance de base RB en augmentant le dopage de la InGaAs InP/GaAsSb
base. Cela permet donc d’améliorer simultanément f T et fmax.
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MMIC : composants
Composants passifs et circuits
de polarisation
Q
par Gilles DAMBRINE
Professeur à l’Université de Lille, Institut d’Électronique de Microélectronique
et de Nanotechnologies, IEMN, France
Didier BELOT
STMicroelectronics, Crolles, France
Pascal CHEVALIER
STMicroelectronics, Crolles, France
Note de l’éditeur
Cet article est la réédition actualisée de l’article E1426, paragraphes 2 et 3, intitulé « MMIC.
Composants » paru en 2004, rédigé par Christian RUMELHARD.
et article se situe dans la suite logique de l’article [E 1426], dédié aux tran-
C sistors et composants actifs constituants des MMIC ; il traite cette fois de
l’ensemble des composants passifs tels que les résistances, capacités, induc-
tances et structures de propagation.
Dans cet article, nous passons en revue la description des composants
passifs et leur modélisation ainsi que la description des architectures des cir-
cuits de polarisation.
Dans la première section, nous décrivons les principaux types de compo-
sants passifs utilisés pour la conception de MMIC ainsi que leur principe de
modélisations électriques. La seconde section traite des architectures relatives
aux circuits de polarisation des transistors qui sont des dispositifs communs
aux circuits MMIC.
p。イオエゥッョ@Z@ョッカ・ュ「イ・@RPQU
UQ
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1. Composants passifs
et leurs modèles
Les circuits intégrés monolithiques analogiques comportent de
nombreux éléments passifs tels que résistances, capacités, induc-
Q
tances ou lignes de configurations diverses. Ces composants
seront plus ou moins les mêmes, quel que soit le choix des com-
posants actifs et du substrat. Seules les inductances sur substrat
Si donnent lieu à des études récentes prenant en compte les
pertes dans le substrat ou permettant de s’en affranchir. Ce para-
graphe donne une idée de la structure, des limites physiques et
des modèles de ces composants. Bien que la modélisation d’un Figure 1 – Résistance variable
composant passif tel qu’une self semble acquise depuis de nom-
breuses années, il apparaîtra que c’est loin d’être le cas et ce sera
l’occasion de montrer dans quelles conditions des modèles
peuvent être établis à partir de formulations physiques ou bien à sachant que :
partir de mesures.
(3)
1.1 Transistor à effet de champ
à VDS = 0 (FET froid) avec ε0 permittivité du vide,
ε permittivité relative,
Une partie des structures de transistors décrites dans l’article
[E 1426] peut donner lieu à des composants jouant un rôle très Vd potentiel de diffusion du contact Schottky
important dans les circuits. Pour le transistor à effet de champ, il (spécifique du métal et du semi-conducteur).
s’agit de la structure dans laquelle il n’y a pas de polarisation
■ Lorsque la tension appliquée correspond au pincement,
continue entre les électrodes de source et de drain, d’où le nom
c’est-à-dire que l’épaisseur de la zone déplétée est égale à l’épais-
de transistor froid. En fonction des connexions des électrodes,
seur de la zone active, on a :
cette configuration peut être utilisée comme résistance variable
ou comme capacité variable. Pour le transistor bipolaire, la jonc-
tion base-collecteur ou la jonction émetteur-base peuvent être uti- (4)
lisées comme capacité variable.
avec Vp tension de pincement.
1.1.1 Résistance variable Maintenant, la résistance R peut s’écrire :
La figure 1 représente deux contacts ohmiques (électrodes A et
B) et un contact Schottky (électrode G) au-dessus d’un canal cor-
(5)
respondant à une technologie MESFET. Une tension continue est
appliquée sur l’électrode G, provoquant la présence d’une zone
déplétée de profondeur w et une tension alternative petit signal Cette résistance devient évidemment très grande quand
est appliquée entre les électrodes A et B. Quand la tension VG (V d – V G) = Vp.
devient de plus en plus négative, la hauteur de canal (a – w)
devient de plus en plus petite et la résistance R correspondante En réalité, il faut ajouter à la résistance R les résistances RS cor-
devient de plus en plus grande.ì respondant à la résistance de contact des contacts ohmiques et au
tronçon de couche active compris entre chacune des électrodes A
■ Tant que le signal appliqué entre A et B est faible, la et B d’une part et l’électrode G d’autre part. Il faut aussi ajouter
conductivité électrique (en S/m) du matériau dopé s’écrit (en fai- une capacité en parallèle correspondant aux capacités entre les
sant l’hypothèse que le profil de dopage du canal est électrodes A et B.
rectangulaire) : Le dispositif ci-dessus fonctionne pour une technologie MESFET
(1) et il ne faut pas oublier que les formules ont été établies en sup-
posant un profil de dopage parfaitement rectangulaire.
avec q charge de l’électron, Pour une technologie de transistor à effet de champ à hétérojonc-
µ mobilité des électrons, tion (HEMT) ou une technologie MOSFET, le canal se comporte un
ND densité de donneurs (matériau dopé N). peu différemment puisqu’il est constitué par une charge à l’interface
entre les deux semi-conducteurs différents ou entre un semi-conduc-
La résistance R s’écrit alors, en négligeant les effets de bord : teur et un isolant, mais le principe reste le même et le schéma équiva-
lent est identique. Seule la relation entre R et VG est un peu changée.
(2)
1.1.2 Capacité variable
avec L longueur de l’électrode, Deux structures différentes de varactors peuvent être envisa-
Z largeur de l’électrode, gées. D’une part, une structure verticale à partir de la jonction
base-collecteur d’une technologie de transistor bipolaire. D’autre
a épaisseur de la couche active, part, une structure horizontale à partir d’une technologie MESFET
w épaisseur de la zone déplétée, (structure planaire).
UR
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Q
Figure 2 – Varactor vertical (technologie bipolaire)
En résumé
Toutes les technologies des transistors à effet de champ per-
mettent de réaliser des résistances variables et des capacités
variables grâce à une tension. Mais les capacités variables pré-
sentent une résistance série qui peut devenir très élevée dans
une partie de la plage de variation de la capacité.
Les technologies de transistors bipolaires ne permettent pas
Figure 3 – Varactor en technologie MESFET de réaliser une résistance variable. Quant à la capacité, sa résis-
tance série est très faible, ce qui correspond à des pertes aussi
très faibles. Cette particularité associée au faible bruit en 1/F
des transistors permet de faire des oscillateurs accordables par
■ Varactor vertical varactor ayant de très bonnes performances électriques en
technologie de transistor bipolaire.
La figure 2 représente un tel varactor. Cette configuration cor-
respond à la jonction base-collecteur d’un transistor bipolaire. La
capacité C ’ s’écrit, en reprenant la définition donnée plus haut
pour la profondeur w : 1.2 Résistances
La figure 5 schématise les deux moyens de réaliser une résistance :
(6) – le premier (figure 5a) consiste à utiliser un tronçon de
couche active. La résistance d’une telle couche dépend de la
structure de cette zone active qui est elle-même fonction du com-
Cette capacité diminue quand la tension VG appliquée sur l’élec- posant à réaliser (transistor à effet de champ simple ou à hétéro-
trode B devient de plus en plus négative. jonction ou transistor bipolaire). Le contact avec la couche active
doit être établi par un contact ohmique. Les connexions avec
Quant à la résistance R ’, elle est donnée par : d’autres composants sont ensuite assurées par un métal épais ;
– le second (figure 5b) consiste à réaliser un dépôt résistif spé-
cifique. L’établissement du contact électrique ne pose plus de pro-
(7) blème particulier. Les matériaux possibles sont le Cr, le Ti, le Ta, le
NiCr, le TaN et, pour les valeurs de résistances très élevées (par
exemple 100 kΩ), un composé WSiTiN. Habituellement, cette couche
Cette résistance décroît au fur et à mesure que VG devient plus résistive est déposée sur une couche isolante ce qui permet de l’uti-
négatif. liser même avec un substrat non parfaitement isolant comme le Si.
Cette configuration de varactor est très intéressante car la
décroissance de la résistance R ’ donne un dispositif ayant des
pertes très faibles.
■ Varactor planar
Cette fois, la configuration est donnée par la figure 3 qui corres-
pond à une technologie de transistor à effet de champ, donc pla-
naire. Si les électrodes A et A’ sont reliées entre elles, le schéma
équivalent entre l’électrode ‘Grille’ d’une part et les électrodes
A+A’ d’autre part est constitué d’une résistance et d’une capacité
en série. La capacité décroît quand VG devient plus négatif, mais,
dans le même temps, la résistance croît, ce qui rend le varactor
planaire inutilisable dans une partie de la plage de variation de C
(figure 4). Figure 5 – Réalisation de résistances
US
Q
UT
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MMIC
Déphaseurs et amplificateurs
par Didier BELOT
Q
Ingénieur
ST-Microelectronics, Crolles, France
et Gilles DAMBRINE
Professeur à l’Université de Lille, Institut d’Électronique de Microélectronique
et de Nanotechnologies, IEMN, France
UU
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courant. Pour être complet, il faut donc examiner les structures pas-
1. Coupleurs, commutateurs, sives localisées ou distribuées puis certaines structures actives, ce qui
atténuateur, déphaseurs donne lieu à une très grande variété de circuits. Certains aspects de la
conception des déphaseurs peuvent être trouvés dans les références
[2] [3].
Les circuits de déphasage sont un élément clé des circuits micro-
ondes et ils sont réalisés depuis longtemps en technologie hybride à
base d’éléments distribués associés à des diodes PIN ou même 1.1 Cellules de déphasage
des dispositifs à ferrite [1]. Les technologies de circuits mono-
lithiques ont ensuite donné lieu à des circuits particuliers compor- Déphasage d’un tronçon de ligne : entre l’entrée et la sortie
tant des éléments passifs localisés et un nouveau composant : le d’un tronçon de ligne, il existe un retard de phase tel que celui
transistor froid [E1426]. Pour des fréquences supérieures à 30 GHz, indiqué sur la figure 1. La matrice chaîne [ABCD] d’un tel qua-
des éléments distribués ont été réintroduits dans les MMIC et les dripôle, est donnée par :
structures correspondantes, qui semblaient définitivement rempla-
cées par des éléments localisés, redeviennent d’actualité. Certains des
circuits décrits dans cet article peuvent aussi être réalisés à l’aide de
composants actifs, ce qui a pour effet de compenser les pertes des (1)
déphaseurs, mais au prix d’une consommation supplémentaire de
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Q
–
Figure 1 – Déphasage dû à un tronçon de ligne sans perte
a cellule en T b cellule en ∏
Ces relations sont d’un emploi simple, mais correspondent aux Figure 3 – Cellules à retard de phase (θ de 0 à + 180°)
relations entre la sortie et l’entrée. Une indication plus correcte
peut être donnée par les paramètres S qui peuvent se déduire des
paramètres de chaîne. Toujours en supposant que la ligne est
sans perte, le paramètre donnant la fonction de transfert, entre Quelle que soit la valeur de θ positif (retard de phase), il est
l’entrée et la sortie, est le paramètre S21 qui est représenté par : donc possible de trouver des valeurs de L et C permettant de réa-
liser un tel déphasage (figure 3a).
(2)
Exemple
S21 définit un déphasage entre l’entrée et la sortie et le signe Un retard de phase de 90° (θ = + 90°) donne comme valeur
négatif associé à θ indique bien qu’il s’agit d’un retard de phase. d’éléments :
Cellule de déphasage en éléments localisés : la matrice chaîne Z1 = jZ0 et Z2 = –jZ0
d’éléments symétriques constitués d’éléments localisés réactifs
tels qu’ils sont représentés sur la figure 2 est :
Un gros avantage des éléments localisés est de pouvoir intro-
duire une avance de phase. En effet, rien n’empêche d’introduire
un θ négatif (avance de phase entre l’entrée et la sortie avec la
(3) matrice chaîne) dans les relations (4) et (5). L’impédance Z1 sera
alors représentée par une capacité et Z2 par une inductance
comme cela est montré sur la figure 4a.
a cellule en T b cellule en Π
Figure 2 – Cellule de déphasage constituée d’éléments localisés Figure 4 – Cellules à avance de phase (θ de 0 à – 180°)
UW
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(8)
(6)
Exemple
Si A = B = 1 et φ1 = φ2, et en puissance, . Mais si
(φ1 – φ2) = 180˚, .
UX
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(voie couplée). Les voies 3 et 4 sont en quadrature. Lorsqu’il y a La figure 8b montre la version localisée de ce coupleur. Dans
adaptation aux 4 portes, la voie 2 est isolée. Ce coupleur est très ces deux modèles, la différence de trajet entre les branches λ/4 et
utilisé dans les circuits hybrides à partir de 100 MHz et dans les 3 λ/4 implique une largeur de bande ne dépassant pas 10 à 15 %.
circuits monolithiques à partir de 10 GHz. La solution localisée, avec cellules à avance de phase, offre une
Pour le coupleur du type branch line (figure 7a), l’entrée se fait version à plus large bande consistant à combiner retard et avance
par la voie 1, la sortie 3 est en quadrature par rapport à la sortie 4 de phase comme indiqué sur la figure 8c, ce qui donne une bande
et pour les conditions d’adaptation, la sortie 2 est isolée. La plus large.
Q
matrice [S] de ce quadriporte est la suivante :
■ Coupleur actif
La figure 9a montre un exemple de diviseur de puissance actif
tandis que la figure 9b montre un combineur actif. De tels circuits
(9) doivent présenter un bon isolement entre les voies, ce qui est réa-
lisé par le fait qu’un transistor est un élément non réciproque
(|S21| >> |S12|). Ces circuits doivent aussi être adaptés à l’entrée et
où à la sortie. Les techniques correspondantes sont vues un peu plus
loin pour les amplificateurs.
■ Coupleur en anneau
Le principe de ce coupleur, utilisé dans les mélangeurs et repré-
senté sur la figure 8a, est qu’un signal entrant dans la voie 2 sort
en phase entre les voies 1 et 3 tandis qu’un signal appliqué à la
voie 4 sort en opposition de phase entre les voies 1 et 3. La
matrice [S] de ce « 4 portes » est :
(10)
UY
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ces deux valeurs. Il en est de même pour les capacités, mais cette
fois, la variation est proportionnelle à la largeur. Autrement dit, pour
une technologie donnée, les rapports Rp/Rb et Cp/Cb et aussi RpCp/
(RbCb) sont constants. Quant aux produits RpCp ou RbCb, ils
indiquent la limite en fréquence.
Le temps de commutation de cet interrupteur est donné par 1/RCd.
Il est de quelques microsecondes. Ce temps peut être diminué en
étudiant spécialement le circuit de polarisation.
Selon les valeurs d’isolation désirées, les interrupteurs peuvent
Figure 9 – Coupleurs actifs munis des cellules d’adaptation à être utilisés en série ou dans des montages série-parallèle comme
l’entrée et à la sortie des transistors indiqué plus loin pour les atténuateurs.
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(12)
1.4 Atténuateurs
Dans ces relations, Z0 représente l’impédance caractéristique
Une cellule d’atténuation doit introduire une variation de souhaitée pour la cellule pour amener un coefficient de réflexion
l’amplitude du signal sans effet sur la phase de celui-ci. De nul à l’entrée et à la sortie.
plus, cette cellule doit être adaptée à l’entrée et en sortie.
Il va sans dire que les cellules en Π peuvent aussi être utilisées
en fonction des performances désirées ou des circuits qui pré-
■ Atténuateur fixe cèdent ou suivent l’atténuateur.
Une première configuration d’atténuateur est donnée par la
figure 14a. D’après la relation (3) et en adoptant la même ■ Atténuateur variable à base de transistors froids
démarche que pour trouver le déphasage dû à une cellule d’élé- Il est possible de remplacer les éléments du schéma de la
ments localisés, la valeur des éléments R1 et R2 est donnée par les figure 14a par des résistances variables (figure 14b). Les relations
relations suivantes : données en [E 1 426] permettent de se faire une idée de la largeur
des transistors nécessaire pour une technologie et une atténua-
(11) tion données. La simulation complète de l’atténuateur doit évi-
demment prendre en compte les capacités parasites.
VQ
Q
VR
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MMIC
Oscillateurs, mélangeurs, convertisseurs
par Didier BELOT
Q
Ingénieur
ST-Microelectronics, Crolles, France
Note de l’éditeur
Cet article est la réédition actualisée de l’article E1428 intitulé «MMIC – Oscillateurs,
mélangeurs, convertisseurs » paru en 2004, rédigé par Christian RUMELHARD
ans les circuits amplificateurs ou déphaseurs, qui ont été présentés par
D ailleurs, la présence des non-linéarités est un inconvénient dont il faut
éventuellement tenir compte. Cet article présente plutôt les circuits pour les-
quels la présence d’une non-linéarité est essentielle pour la réalisation des
fonctions. Ces fonctions sont par exemple l’oscillation, le mélange, la multipli-
cation ou la division de fréquence. Mais ces circuits peuvent aussi présenter
p。イオエゥッョ@Z@。ッエ@RPQV
VS
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de fréquence ou d’amplitude (MAQ). Dans ces applications, pour des raisons
de coût et de performances, les sous-ensembles sont de plus en plus réalisés
en monolithique. Mais la réalisation monolithique des fonctions a des réper-
cussions sur les circuits eux-mêmes car il faut éliminer le plus possible les
parties qui doivent faire appel à des techniques hybrides. Ainsi pour les oscil-
lateurs, les boucles à verrouillage de phase remplacent dans certains cas des
résonateurs diélectriques, surtout depuis que sont apparus des résonateurs
piézoélectriques qui peuvent être réalisés en technologie MEMS. Mais l’uti-
lisation de ces boucles conduit à employer des circuits diviseurs ou
multiplicateurs de fréquence. De même, lors de réalisations monolithiques de
mélangeurs, les circuits de filtrage à bande étroite qui n’existent généralement
qu’en hybride, sont remplacés par des circuits à suppression d’oscillateur local
ou à suppression de fréquence image beaucoup plus faciles à réaliser en
monolithique.
Ce sont tous ces aspects qui sont évoqués dans les circuits qui sont pré-
sentés dans cet article. Il s’agit d’abord de tous les circuits oscillateurs puis les
circuits de modulation ou démodulation puis des multiplicateurs et enfin des
diviseurs de fréquence. Les circuits diviseurs de fréquence à régénération ont
conduit au développement de méthodes de traitement des non-linéarités
globales, c’est-à-dire comportant des bifurcations. Bien que n’étant pas entiè-
rement décantées, ces méthodes seront évoquées dans la mesure où elles sont
destinées à être utilisées dans d’autres circonstances, par exemple, dans les
circuits fonctionnant en impulsions où les temps de montée et de descente
peuvent comporter des instabilités importantes.
Les techniques de réalisation monolithiques gagnent peu à peu les sous-
ensembles et elles génèrent des règles de conception particulières. Le dernier
paragraphe effectue un survol de ce domaine et présente quelques
réalisations.
L’étude des circuits intégrés monolithiques micro-ondes se compose de
plusieurs articles :
– [E 1 425] MMIC-Évolution et technologie traitant de l’évolution et de la
technologie des MMIC ;
– [E 1 426] MMIC-Composants actifs et [E 1 427] MMIC- Composants passifs
qui passent en revue les composants passifs et actifs micro-ondes ;
– [E 1 428] qui décrit les MMIC déphaseurs et amplificateurs ;
– [E 1 429] MMIC – Oscillateurs, mélangeurs, convertisseurs qui traite de la
modulation, démodulation et conversion de fréquence.
VT
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il est possible de calculer l’impédance vue à la sortie du montage : Quant à la relation sur la partie imaginaire, si la partie imagi-
Zosc [2]. Cette impédance est donnée par la relation : naire de l’impédance de charge est nulle, elle s’exprime par :
(1) (6)
Si une charge ZL est présentée à cette impédance, les condi- La fréquence d’oscillation est la fréquence F0 qui annule Xosc ci-
tions de démarrage de l’oscillation s’écrivent : dessus :
(2)
(3)
(7)
Q
La première relation implique que Rosc doit être au moins une Cette expression montre que cette fréquence est un peu plus
résistance négative. La deuxième relation fixe la fréquence de faible que celle de l’expression (5) et est donc, pour ce schéma,
l’oscillation. toujours dans la zone de résistance négative.
Pour réaliser la première condition, Z1 est choisi inductif Partant du schéma de la figure 1b, le fait d’ajouter des éléments
de polarisation donne le schéma de la figure 2.
(Z1 = j L1 ω) et Z2 est choisi capacitif . Alors, en intro-
duisant les éléments du schéma équivalent simplifié du transis- 1.2 Comportement en grand signal
tor, la partie réelle de Zosc s’écrit :
et stabilité
(4) Une fois l’oscillation amorcée, l’amplitude A du signal aug-
mente et la résistance devient un peu moins négative (figure 3).
Cette partie réelle est négative tant que CG + C2 > L1 C2 CG ω2, Sa valeur peut être divisée par 3.
c’est-à-dire jusqu’à une fréquence : La plupart des travaux sur les oscillateurs se réfèrent à la même
publication [3]. Les conditions de stabilité d’un tel oscillateur
donnent des relations analytiques relativement complexes ([4]
(5) p. 399). Au-delà de ces formulations analytiques, cette condition
Figure 1 – Schéma de résistance négative Figure 3 – Variations de p osc en fonction de l’amplitude du signal
VU
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Q
tions, les conditions de stabilité [3] ont été rappelées dans [4]. Si
le courant dû à l’oscillateur et débitant dans la charge ZL est
et que p = α + j ω, il est possible de calculer les
variations de pulsation Δω et d’amplitude du signal Δα en fonction
d’une variation d’amplitude ΔA. Si ZT = RT + j XT, les expressions
sont données par :
(9)
(10)
VV
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Q
accordable avec varactor dans le circuit de grille.
Un exemple de tels oscillateurs fonctionnant autour de 10 GHz
donne une bande d’accord d’environ 2 GHz.
À titre indicatif, les valeurs des éléments de ces schémas sont :
C2 = 0,25 pF ; L1 = 1,2 nH ; Cs = 5 pF ; Lc = 2,5 nH ; R = 2 000 Ω.
(14)
(12)
(13)
Figure 7 – Exemple de circuit tampon
VW
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démodulateurs (19)
(15) (20)
■ Comparateur de phase
Dans cette relation, les quatre premiers termes génèrent du Si à l’entrée, X1 = A1 cos(ω 0 t + φ1) et X2 = A2 cos(ω 0 t + φ 2),
continu, des pulsations ω1 et ω2 et des harmoniques 2 qui ne sont c’est-à-dire si les pulsations sont identiques, alors le produit
devient :
pas utiles au mélange : ce sont des signaux parasites. Seul le
terme (2 X1 X2), qui représente un produit, sera conservé dans la (21)
suite. Pour effectuer un mélange, il suffira donc d’une non-linéa-
rité faible ou même d’une cellule effectuant un produit. En fonc- La cellule mélangeuse est devenue un comparateur de phase.
tion des fréquences des signaux qui sont appliqués à l’entrée, la Le signal continu correspondant au premier terme est nul quand
cellule de mélange aura différentes fonctions. Passons ces fonc- φ1 – φ2 = 90o. Le signal correspondant au deuxième terme est un
tions en revue. signal parasite.
(22)
ou bien en dB :
VX
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■ Compression
Une première performance à observer pour les démodulateurs
est celle obtenue en traçant la puissance de sortie (à la fréquence
FI) en fonction de la puissance d’entrée à la fréquence RF. Cette
courbe comporte une partie linéaire, puis il apparaît une satura-
tion qui se caractérise par une compression comme dans les
amplificateurs (figure 10). La puissance de sortie sera liée aux
adaptations qui auront été réalisées dans la voie RF et dans la
voie FI et aux polarisations des composants servant au mélange.
Ce gain sera aussi fonction de la puissance OL qui sera injectée
dans le mélangeur. En général, une première démarche consiste à
tracer la puissance de sortie en fonction de la puissance OL ce qui
conduit à une courbe comportant une saturation. La puissance
d’OL choisie sera celle correspondant à cette saturation. Elle
pourra ainsi varier sans changer les performances du modulateur.
Figure 10 – Compression dans un démodulateur
■ Facteur de bruit
Comme pour les amplificateurs, un facteur de bruit, plutôt
utilisé pour les démodulateurs, sera défini comme étant :
cuits qui seront capables d’éliminer tout ce qui vient de RFB qui
sera considéré comme une fréquence image par rapport à RFH.
(24) ■ Produits d’intermodulation
Comme pour les amplificateurs, si deux fréquences RF proches
l’une de l’autre sont présentes à l’entrée d’un démodulateur, il
avec Pe et Be puissance du signal et du bruit à l’entrée sur la existera des termes d’intermodulation. Comme pour les amplifica-
fréquence RF, teurs, les termes d’ordre 3 permettront de définir un point d’inter-
ception d’ordre 3, IP3.
Ps et Bs puissance du signal et du bruit à la sortie sur la
fréquence FI. ■ Suppression des fréquences parasites
Il ne faut pas oublier qu’un démodulateur détectera le bruit dans Dans chacune des voies, les fréquences parasites ou les fré-
la bande RFH où se trouve en général le signal, mais aussi le bruit quences indésirables telles que la fréquence OL dans la voie RF
dans la bande RFB (voir les relations (18) et (19)). Même si aucun ou dans la voie FI seront éliminées au maximum par des circuits
signal ne se trouve dans cette deuxième bande, le bruit en sortie de filtrage ou de découplage. La puissance résultante sera compa-
sera doublé, ce qui n’est pas souhaité. D’où l’importance des cir- rée à la puissance du signal utile dans la voie en question et il
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nsérer une clé pour démarrer un véhicule, badger pour accéder à un bâti-
I ment ou une salle, utiliser les remontées mécaniques lors d’un séjour au ski,
valider un titre de transport dans le bus ou le métro sont des gestes entrés
dans le quotidien de bon nombre d’entre nous. Nous utilisons, sans en être
toujours conscients, des technologies de capture automatique de données
basées sur les ondes et rayonnements radiofréquence. Cette technologie est
connue sous le nom de RFID pour Identification RadioFréquence. De même
que chaque individu peut être identifié grâce à un passeport biométrique ou
p。イオエゥッョ@Z@ョッカ・ュ「イ・@RPQU
encore un badge d’accès personnel, les objets sont aujourd’hui de plus en plus
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Données ou
données + énergie
Antenne(s)
interrogateur Antenne
Liaison câble
ou sans fil
Interrogateur Support
Système hôte
fixe ou portable
Puce
Étiquette/tag
Émission RF ou
rétromodulation
WR
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WS
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que l’on peut écrire (une fois ou plusieurs fois) de nouvelles infor-
mations via des commandes transmises par l’interrogateur.
Antenne Tag
Enfin, une quatrième classification peut se faire suivant le pro-
tocole de communication entre l’étiquette et l’interrogateur. Dans
une première famille, l’étiquette, une fois présente dans le champ
de l’interrogateur, attend une commande de la station de base Téléalimentation
pour transmettre des informations. On parle de protocole ITF AC/DC
Q
(Interrogator Talk First). Dans d’autres cas, l’étiquette transmet Récupération
des informations dès son activation dans le champ de l’interroga- d’énergie
teur. On parle alors de protocole TTF (Tag Talk First). Bien sûr, on
trouvera des variantes de ces protocoles dans diverses normes
ISO ou propriétaires.
Démodulateur Data IN
Logique et
mémoire
2.1 RFID active ou passive Commutation
Data OUT
de charge
Dans les systèmes RFID actifs, l’étiquette possède une puce
électronique ayant un émetteur RF. La communication entre
l’interrogateur et l’étiquette peut donc se faire comme dans
n’importe quel système pair à pair, en utilisant des protocoles
full duplex par exemple. Généralement, l’énergie rayonnée par a tag passif
l’interrogateur et captée par l’étiquette n’est pas suffisante pour
alimenter correctement la puce électronique. Les systèmes actifs
doivent donc prévoir l’embarquement d’une source d’énergie Antenne Tag
propre à l’étiquette. Ajouté au fait que la puce possède son Assistée par batterie
propre circuit d’émission, cela peut augmenter fortement le coût
de l’étiquette RFID. La norme ISO/IEC 18000-7 prévoit le fonction-
nement de systèmes actifs à 433 MHz. Avec de tels systèmes, la Alimentation DC
portée de communication entre un interrogateur et une étiquette
peut atteindre sans difficulté la centaine de mètres. Le mode 3
de la norme ISO/IEC 18000-4 propose également un protocole
basé sur l’utilisation de tags actifs dans la bande de fréquence
2,405 – 2,483 GHz. Ce protocole est d’ailleurs lui-même basé sur
la couche physique (NPL : Network Physical Layer) de la norme Démodulateur Data IN
Logique et
IEEE 802.15.4 également utilisée dans les protocoles ZigBee et mémoire
6LoWPAN. Émetteur RF Data OUT
Le principe de fonctionnement des systèmes RFID passifs
repose quant à lui sur la rétromodulation de l’onde provenant
de l’interrogateur. Cette onde (ou ce champ) est alors partielle-
ment réfléchie par l’étiquette. Quels que soient les fréquences
ou les modes de couplage, le moyen utilisé pour réaliser cette
rétromodulation, consiste à commuter une charge (impédance) b tag actif
placée en parallèle entre la puce électronique et l’antenne de
l’étiquette.
Figure 3 – Schémas de principe des étiquettes (a) passive
et (b) active
Nota : il est clair que ce système de commutation de charge fait partie intégrante de la
puce RFID.
Le signal réfléchi par l’étiquette vient alors se superposer au source d’énergie peut également servir à alimenter d’autres sys-
signal provenant de l’interrogateur. Dans le cas, très majoritaire- tèmes électroniques associés à l’étiquette RFID comme des cap-
ment rencontré, des étiquettes passives ne possédant pas de teurs. L’étiquette RFID peut alors récupérer de l’information issue
source d’énergie embarquée, le rapport entre la puissance du de ces capteurs, la stocker dans une zone mémoire particulière de
signal émis par l’interrogateur (pour alimenter la puce) et la puis- la puce électronique sans pour autant être dans le champ rayonné
sance du signal rétromodulé par l’étiquette peut atteindre 60 dB. par un interrogateur. Ces systèmes, appelés BAP (Battery Assisted
L’interrogateur doit donc présenter une bonne sensibilité pour Passive), se comportent comme des systèmes passifs sans source
détecter et décoder l’information issue de l’étiquette. La difficulté d’énergie une fois cette source épuisée.
de ces systèmes consiste donc à trouver la meilleure charge per-
mettant de créer de fortes variations de signal réfléchi sans pour
autant pénaliser l’alimentation du circuit lui-même. 2.2 Champ proche ou champ lointain
La figure 3 schématise les grandes différences entre tags actifs
et passifs, séparant ces notions de la présence ou non de source Les systèmes RFID passifs peuvent fonctionner à différentes fré-
d’énergie embarquée par l’étiquette. quences. Dans un premier temps, l’interrogateur doit émettre un
Dans la majorité des cas, la distance de communication entre signal permettant la téléalimentation de la ou des étiquettes pré-
une étiquette passive et son interrogateur est limitée par la dis- sentes à proximité. Pour rayonner et de la même manière recevoir
tance de téléalimentation (sauf dans les cas, de plus en plus rares, un signal radio, il faut se poser la question de l’antenne la mieux
où l’interrogateur n’a pas la sensibilité nécessaire). Une manière adaptée. Le concepteur a le choix entre deux grandes familles
d’augmenter cette distance est d’ajouter à l’étiquette une source d’antennes : les antennes fermées (boucles) ou ouvertes (dipôles).
d’énergie propre. Cette source d’énergie va permettre d’alimenter Les premières vont plutôt créer un champ magnétique dans leur
le circuit de la puce électronique sans pour autant devoir capter entourage proche alors que les secondes créeront plutôt un
l’énergie issue du signal RF transmis par l’interrogateur. Cette champ électrique. Au fur et à mesure que l’on s’éloigne de la
WT
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Q
zones de champ proche et de champ lointain. Les limites
dépendent de D, la plus grande dimension de l’antenne rayonnant
le champ électromagnétique et de λ la longueur d’onde du signal.
Il n’est pas dans l’objectif de cet article de détailler plus en avant
ces notions et le lecteur pourra se référer aux ouvrages [1] et [2]. Région de Rayleigh Région de Fresnel Région de Fraunhofer
Fréquence
Spectre radio
WU
Q
WV
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eQTWR
WW
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eQTWR
• Système antivol performant intégré très tôt dans la chaîne de valeur, ver-
sus système antivol installé chez le distributeur final et non valorisé sur la
totalité de la chaîne de distribution ;
• Système d’authentification pour lutter contre la contrefaçon…
le tout pouvant être réalisé par un seul et même élément : une étiquette RFID.
Pourtant de nombreuses applications requièrent aujourd’hui l’usage de cette
Q technologie RFID : le transport aérien par exemple, traitant environ 1,5 milliard
de bagages par an, souffre d’un taux de lecture incomplet qui entraîne la perte
annuelle de 25 millions de bagages et un coût d’environ 2 milliards de dollars
par an pour les compagnies aériennes. Mais comment produire 1,5 milliard d’éti-
quettes demain quand le marché total en 2010 représentait environ 4 à
5 milliards d’unités ? Le marché peut-il absorber une croissance de près de 35 %
sur une seule application, qui plus est, sur une application pour laquelle l’un des
critères dominant est le prix ?
Le coût de l’étiquette RFID semble actuellement trop élevé pour que certaines
applications fassent le pas, mais est-ce vraiment la seule raison de ce retard ?
L’inadéquation entre les capacités de production et la taille annoncée des
marchés n’est-elle pas elle aussi un élément qui perturbe l’adoption des tech-
nologies RFID ?
La baisse du prix des étiquettes RFID est un élément indispensable pour que
cette technologie s’impose, mais est-ce suffisant ?
Les volumes de production sont-ils adaptés aux tailles des marchés existants
et à venir (représentés par les nouvelles applications) ?
Cet article se propose de présenter les techniques de montage actuellement
employées et leur adéquation aux demandes du marché. De même nous
ferons le point sur les axes de recherches permettant de favoriser le déploie-
ment de la RFID.
1. Fabrication d’étiquettes Avant de devenir un ticket, un jeton, une carte, etc., le support
isolant est traité en rouleau de grande longueur, voire parfois en
RFID. Définitions feuille. Ensuite, une étape de découpe sera nécessaire pour sépa-
rer les différents éléments les uns des autres.
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Hyperfréquences. Circuits et émetteurs de puissance
(Réf. Internet 42281)
1– Circuits hyperfréquences R
2– Émetteurs de puissance en hyperfréquences Réf. Internet page
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e
l’approche du XXI siècle, la radiodiffusion sonore par voie hertzienne reste
À un mode de communication toujours très employé dans les gammes ondes
longues et ondes moyennes :
— ondes longues ou kilométriques (OL en français et LW en anglais) : 153 à
281 kHz ;
— ondes moyennes ou hectométriques (OM en français et MW en anglais) :
531 à 1 705 kHz.
La modulation d’amplitude (AM ou A3 E) est la seule technique de modulation
utilisée dans ces bandes de fréquence. Elle souffre pourtant d’imperfections mul-
tiples, telle qu’une bande passante limitée à 9 ou 10 kHz, une forte sensibilité aux
R
parasites, aux brouillages et aux bruits radioélectriques. Malgré tout, elle est
encore considérée par les radiodiffuseurs comme le seul moyen opérationnel
pour atteindre le plus grand nombre d’auditeurs à l’échelon d’une région ou d’un
pays.
Cet intérêt s’explique simplement par l’existence de plus de deux milliards de
récepteurs AM de par le monde. Ces récepteurs sont aujourd’hui d’un prix rela-
tivement modique. Basés sur une détection d’enveloppe, ils sont très simples
techniquement, ils sont faciles et pratiques à utiliser. Ils ne nécessitent pas d’ins-
tallations d’antennes particulières et permettent une bonne réception dans de
multiples conditions, même à l’intérieur des bâtiments.
Du côté émission, c’est un parc mondial de plus de 175 000 émetteurs qui
assurent la transmission des programmes. Bien que leur durée de vie moyenne
dépasse souvent 25 ans, les équipements d’émission existants doivent être
renouvelés pour continuer à assurer le service dans de bonnes conditions.
Un changement de technologie important gagne les équipements d’émission
de forte puissance. Les tubes sous-vide (triode, tétrode) modulés par la tension
d’anode sont désormais délaissés au profit d’émetteurs entièrement transistori-
sés utilisant des stratégies de modulation à base de traitement numérique du
signal.
1. Principaux objectifs matériel par réduction des contraintes thermiques (moins de pertes
donc moins d’échauffements, vieillissement ralenti).
techniques ■ Par des modes de modulation spécifiques permettant de réduire
la consommation
En plus de la modulation d’amplitude normale (A3E) incluant une
1.1 Réalisation des économies d’énergie porteuse d’amplitude complète et deux bandes latérales, les modu-
lateurs numériques offrent différentes possibilités de réduire de
■ Par l’amélioration du rendement façon dynamique l’amplitude de la porteuse. Ces modes de modula-
tion sont encore appelés DCC (Dynamic Carrier Control ).
Au premier rang, cette très importante caractéristique concrétise
le rapport de la puissance délivrée à l’antenne (Pa) et de la puissance Il faut se rappeler que la porteuse ne contient pas d’information,
totale consommée au réseau (Ptr). Le rendement global hg incorpore mais reste un support nécessaire pour le bon fonctionnement du
l’ensemble des consommations, les ventilateurs, les pompes détecteur de crête à la réception. Il est cependant possible sur les
hydrauliques et toutes les pertes, y compris les pertes des transfor- blancs de modulation et pour des indices de modulation faibles de
mateurs d’alimentation en énergie : réduire l’amplitude de la porteuse sans introduire de gêne à
l’écoute.
P Le signal en sortie de l’émetteur e (t ) pour un signal modulant
h g = ------a-
P tr a cos(W t ) (figure 1) est de la forme suivante :
a
Les émetteurs état solide permettent des rendements très élevés, e (t ) = A0 1 + ------- cos ( Wt ) cos(wt )
A0
de 88 % mesurés en onde moyenne, jusqu’à 90 % en onde longue.
Ces chiffres sont à comparer avec les rendements moyens effectifs, a
avec m = -------
de 65 à 70 % obtenus sur des émetteurs à tube de même puissance A0
d’anciennes générations. Suivant la nature du programme diffusé et suivant l’importance
Une différence de rendement de plus de 20 % représente non seu- de la réduction de porteuse A0 en fonction de l’indice de modulation
lement une économie substantielle sur le budget énergie d’exploita- m, ces modes permettent une réduction moyenne de 25 à 30 % de la
tion mais également une assurance de longévité et de fiabilité du puissance consommée.
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Historique
Tableau 1 – Puissance de sortie en fonction
du nombre de blocs R
Puissance de sortie Nombre de blocs
Démarrée en 1974 sur les émetteurs de très petite puissance,
de l’ordre de 2 kW sur des applications marines (radiophares), il (kW) RF
faudra attendre le début des années 1990, l’avènement de nou-
250 à 400 1
veaux transistors à effet de champs MOSFET (Metal Oxide
Semiconductor Field Effect Transistor) pour que la technologie 600 à 800 2
du « tout état solide » commence son ascension vers les puis-
900 à 1 200 3
sances plus élevées (5 à 50 kW). Le passage au « tout état
solide » a gagné d’années en années les émetteurs de forte 1 300 à 1 600 4
puissance. Les premières réalisations ont très vite permis de
1 700 à 2 000 5
faire la preuve que cette nouvelle technologie était capable de
soutenir les plus sévères conditions d’exploitation et présentait
des avantages importants par rapport aux tubes. Chacune des versions à plusieurs blocs utilise une stratégie
C’est en 1988 que sont apparues les premières réalisations combinatoire de fonctionnement par commutation jusqu’à N – 1
d’émetteurs entièrement transistorisés avec un niveau de puis- blocs actifs sur le couplage de sortie.
sance significatif de 100 kW. Ces équipements ont été spéciale-
Lorsqu’un bloc amplificateur est non opérationnel ou pendant les
ment étudiés pour transmettre des données stratégiques à bas
phases de maintenance, il est automatiquement commuté sur une
débit dans les gammes de fréquence VLF (Very Low
charge de test. Les autres blocs d’amplification restent en fonction-
Frenquency ) et LF (14 à 60 kHz).
nement, connectés au bloc de couplage et de filtrage (figure 2).
1994 a vu le début de mise en service d’émetteurs de radiodif-
fusion entièrement transistorisée sur la gamme de moyenne
puissance (100 à 300 kW). Spécialement bien placé par rapport
aux anciens émetteurs à tube, pour réduire des coûts d’exploita-
1.3 Réduction des contraintes
tion, de nombreux émetteurs de ce type sont actuellement en de maintenance du système
opération à la grande satisfaction des opérateurs et des radio- de refroidissement
diffuseurs.
Désormais, le « tout état solide » s’impose au niveau interna- Le refroidissement des blocs d’amplification est principalement
tional jusqu’à des niveaux de puissance de 1 000 à 2 000 kW. À assuré par de l’eau sur un circuit fermé, l’air étant seulement utilisé
ce jour, dans cette technologie, seules deux sociétés Harris et à faible débit en moyen complémentaire pour les parties autres que
Thomcast sont à la pointe de ce domaine des fortes puissances. les amplificateurs (systèmes de couplage, transformateurs).
Thomcast a depuis développé une famille d’émetteurs de
seconde génération couvrant en ondes longues et moyennes la
gamme de puissance de 250 à 2 000 kW. Cette nouvelle généra-
tion d’émetteurs, plus compacte et plus performante est prise
en exemple dans cet article pour décrire l’état de l’art du Sortie
50 à 120 Ω
domaine des émetteurs de radiodiffusion tout état solide de Bloc d’amplification 1
forte puissance.
Ce matériel, de conception modulaire, est basé sur un bloc
d’amplification standard pouvant délivrer jusqu’à 400 kW de Bloc d’amplification 2
puissance de sortie. Chaque bloc comprend des modules
d’amplification RF, un modulateur numérique, une alimentation
Couplage
principale en courant continu à partir du réseau moyenne ten- Bloc amplificateur
et
sion et un circuit de couplage et d’adaptation. Chaque bloc pos- en maintenance
sède son propre système de commande et de supervision. Filtrage
En jouant sur le nombre de modules d’amplification installés,
il est possible de faire varier la puissance du bloc d’amplification Bloc d’amplification
entre 250 et 400 kW.
Chaque bloc d’amplification est autonome. Pour constituer un
émetteur de 250 à 400 kW il suffit de rajouter un bloc de filtrage. Bloc d’amplification N
Toutes les versions multiblocs s’obtiennent au travers d’un cou-
plage direct incorporant un filtrage complémentaire. Dans ce Charge
cas, un système de gestion d’un niveau supérieur assure la de test
supervision d’ensemble des amplificateurs et du couplage fil-
trage.
Figure 2 – Structure d’amplification de type N – 1
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une transformation d’impédance vers le feeder de sortie. Les circuits
Chaque bloc d’amplification dispose de son propre circuit d’eau du bloc d’adaptation remplissent les conditions indispensables pour
qui peut être isolé en cas de maintenance sur les pompes. un couplage direct pour les versions à plusieurs blocs.
Dans les régions présentant un risque de gel, du glycol est Afin de réduire la connectique, les signaux à destination des
mélangé à l’eau du circuit. modules transitent via des cartes de répartition. Toutes les informa-
tions de commande sont transmises en série et font l’objet d’une
Le circuit de refroidissement à eau des émetteurs est semblable à conversion parallèle. Une carte de répartition assure le contrôle de
celui utilisé sur les voitures sans plus de contraintes. 32 modules.
Défauts
Commande et contrôle des
modules
1 N 128
Modules d’amplification
Exciteur + + +
RF α Ligne 1
Séparateur RF Sortie RF
250 400 kW
Codeur
Défauts ADAPTATION Réflectomètre
modulateur
numérique Commande et contrôle des
RF β modules
1 N 128
Ligne 2
Sondes UV
+ + +
Séparateur RF Courant
lignes
1 et 2
Blocage rapide
Panneau de
Entrée pilote externe contrôle LCD
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Amplification de puissance
radiofréquence à l’état solide
Classes, systèmes et technologies
R
par Michel TURIN
Ingénieur de l’Institut national des sciences appliquées (INSA)
Expert en puissance hyperfréquences
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Si ces critères sont une constante, nous verrons que les solutions proposées
peuvent différer, essentiellement pour des raisons technologiques, selon les
puissances en valeurs absolues et les gammes de fréquence des systèmes.
Les particularités mentionnées induisent deux conséquences fondamentales
sur la conception des amplificateurs de puissance : d’une part, l’optimisation
du rendement de conversion de la source d’alimentation vers le signal
radiofréquence, d’autre part, la prise en compte des distorsions non linéaires.
Un troisième aspect, sous-jacent de la mise en œuvre de puissance, concerne
la compréhension des phénomènes thermiques et le traitement de la dissipa-
tion de puissance.
R
Par rapport à l’amplification de petits signaux, pour laquelle les dissipations
restent faibles et les distorsions négligeables, l’amplification de puissance sera
caractérisée par la mise en œuvre de la plus grande dynamique possible du
signal de sortie de l’étage amplificateur, c’est-à-dire qu’on cherchera à appro-
cher les limites de la saturation et du blocage lors de l’excursion du signal.
S’agissant d’état solide, les tensions d’alimentation sont limitées, engendrant
des courants importants et par conséquent les impédances d’accès relative-
ment faibles.
Cet article constitue une première partie sur l’amplification de puissance
radiofréquence. Après un rappel des définitions des quelques grandeurs utili-
sées spécifiquement dans le domaine de la puissance, cette partie décrira les
principes et les structures de base des amplificateurs de puissance RF (classes
d’amplification). Nous présenterons ensuite leurs évolutions, ainsi que des
montages plus complexes, proposés pour optimiser certaines performances.
Enfin, l’évolution des systèmes allant vers une globalisation de leur conception
en vue d’optimiser leurs performances et leurs coûts par une approche pluri-
disciplinaire, nous aborderons la présentation de procédés d’amplification plus
originaux associant d’autres parties du système (traitement de signal). Pour
chaque sujet, quelques éléments de décision seront donnés grâce à des indica-
tions quantitatives des principales performances. L’amplification état solide
faisant appel à des composants dont les puissances unitaires sont limitées (par
rapport aux tubes), un paragraphe sera consacré à une présentation succincte
des procédés de couplage mis en œuvre pour multiplier cette puissance.
Les paramètres à considérer pour la conception d’amplificateurs de puis-
sance radiofréquence sont : le rendement en puissance, les adaptations
d’impédance, la linéarité, les problèmes thermiques et la fiabilité. Nous défini-
rons ces paramètres et un paragraphe sera consacré aux différentes
technologies de semi-conducteurs assorties d’une comparaison de leurs carac-
téristiques respectives.
Un deuxième article traitera plus en détail de la mise en œuvre des amplifi-
cateurs à partir des composants disponibles, des caractéristiques de linéarité
et des systèmes de correction indispensables aux applications modernes.
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Ps (dBm)
Abréviation Définition
Idéale
IM3 intermodulation d’ordre 3
IMD inter modulation distorsion Réelle
Phase sortie/entrée
OFDM orthogonal frequency division multiplexing
Idéale
PAE power added efficiency
PDM pulse duration modulation Réelle
1. Définitions
Raies
Rapport d’IM3 (dB)
utiles
1.1 Grandeurs caractéristiques
Nous rappelons les définitions des principales grandeurs néces-
saires à la compréhension des paragraphes suivants. Raies d’intermodulation
d’ordre 3
1.1.1 Rendement électrique et PAE
Le rendement collecteur η (électrique) d’un étage amplificateur Fréquence (Hz)
est par définition le rapport de la puissance RF délivrée à la charge
à la puissance consommée sur la source d’alimentation continue : Figure 2 – Évaluation de la non-linéarité par mesure du rapport d’IM3
η = Ps / Pa (1)
où P s est la puissance délivrée par le dispositif et P a la puissance La linéarité AM/PM (amplitude/phase) (figure 1b ) exprime la
délivrée par la source d’énergie. variation de la phase du signal de sortie en fonction de la puis-
Le rendement en puissance ajoutée, PAE, est le rapport de la puis- sance du signal d’entrée. Idéalement cette phase est invariable.
sance RF délivrée à la puissance absorbée totale, exprimé en % : Dans la pratique, ces deux grandeurs dévient de leur réponse
idéale, et cette déviation exprime le taux de non-linéarité (figure 1).
PAE = Ps / (Pa + Pe ) (2)
Plusieurs méthodes sont utilisées pour mesurer les non-linéari-
où P e est la puissance du signal d’entrée. tés d’un amplificateur : elles seront décrites dans la deuxième
partie [E 1 611], mais la plus courante est l’IMD, et plus particu-
Cette notion est plus pertinente en puissance dans la mesure où
lièrement l’IM3, rapport de la puissance des raies d’intermodula-
le gain d’un étage de puissance peut être modeste, et donc la puis-
tion d’ordre 3 à la puissance du signal utile (figure 2).
sance d’entrée non négligeable.
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β 2nd claquage
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Vbe Droite de charge Droite de charge
a bipolaire b MOSFET
■ Il peut s’agir d’amplifier un seul signal modulé, auquel cas Rappelons enfin que les transistors MOSFET peuvent être à
l’amplificateur devra maintenir ses caractéristiques sur une largeur déplétion (la tension de grille est négative par rapport à la tension
de bande correspondant au spectre du signal modulé. Il sera dans de source), ou à enrichissement (la tension de grille est positive).
ce cas relativement sélectif (1 à 10 % de bande suivant le type de
modulation utilisée). Les principes exposés dans ce document sont valables pour
Exemple : a a
mplificteur de c
a l GSM.
na les deux technologies, mais, sauf cas particuliers, les schémas
présentés font référence à des transistors MOSFET à déplétion.
■L’amplificateur peut être standardisé pour amplifier des signaux
à des fréquences différentes, à raison d’un seul signal modulé à la
fois. La bande passante pourra alors approcher une octave, et les
caractéristiques devront être garanties quelle que soit la fréquence
d’utilisation à l’intérieur de cette bande.
2. Classes d’amplification
Exemple : amplificateur d’émetteur de télévision hertzienne. Considérant un étage simple d’amplification RF, différents types
de circuits sont utilisés, et leurs définitions ont été répertoriées en
■Enfin, l’amplificateur sera conçu pour amplifier simultanément « classes ». Certains montages plus complexes ont été inventés,
plusieurs porteuses modulées, auquel cas il devra non seulement ont fait et font constamment l’objet d’études particulières. Nous
maintenir ses caractéristiques sur toute la bande, mais il devra allons passer en revue les classes de fonctionnement analogique A
avoir des caractéristiques de linéarité telles qu’elles évitent les à C, les classes à haut rendement D à F, puis quelques montages
interactions entre les différents signaux (cross-modulations et destinés à améliorer le rendement, la linéarité ou le compromis
intermodulations). linéarité-puissance.
Exemple : amplificateur de télédistribution par câble.
2.1 Classes d’amplification analogique
1.2 Technologies bipolaire et MOSFET
Le fonctionnement des classes analogiques d’amplification
Le propos se rapportant à l’état solide, il est utile de rappeler quel- radiofréquence est déterminé par l’angle de conduction du
ques particularités des transistors et quelques différences entre les signal sinusoïdal appliqué à l’entrée de l’étage amplificateur.
technologies bipolaire et MOSFET, pour appréhender correctement
le fonctionnement des amplificateurs de puissance RF. Ces classes concernent les procédés analogiques d’amplification,
Une similitude entre les technologies concerne la présence où le signal de sortie est censé être proportionnel au signal d’entrée.
d’une tension de sortie minimum (de saturation ou de pincement) Le schéma de base de référence d’un étage amplificateur RF est
et d’une tension d’avalanche. La première limite la tension du côté représenté sur la figure 4. Le transistor Q1 représenté ici est un
des faibles niveaux par la technologie, alors que l’autre la limite du FET, mais les descriptions qui vont suivre ne préjugent pas de la
côté des niveaux élevés par volonté d’éviter les destructions. Ces technologie de semi-conducteur utilisée. La tension continue d’ali-
aspects sont illustrés sur la figure 3. mentation V d est appliquée au drain (D) par l’intermédiaire de la
Aux faibles niveaux, le comportement diffère entre les self de choc L c , et le signal RF est transmis à la charge RL au tra-
technologies : zone de tension de saturation pour les bipolaires, et vers de la capacité C D . Un circuit oscillant centré sur la fréquence
zone à résistance variable pour les MOSFET. Du côté des niveaux fondamentale f 0 du signal symbolise le filtrage de sortie. Le cou-
élevés, le bipolaire possède une caractéristique dite de « second rant de repos est déterminé par la tension continue appliquée
claquage », dont le MOSFET est exempt. La zone de fonction- entre grille (G) et source (S). v e , vL et is sont respectivement la
nement de sécurité des bipolaires doit donc satisfaire un para- tension du signal RF d’entrée, la tension RF aux bornes de la
mètre supplémentaire. Enfin, les deux types présentent des charge RL et le courant RF dans le transistor.
comportements différents en température : alors que le bipolaire
est sujet à un effet d’emballement thermique lors de l’échauffe- 2.1.1 Classe A
ment (dû à la diminution de la tension de base et l’augmentation
du gain en courant β avec la température), la technologie MOSFET, Utilisée universellement en petite puissance, la classe A est
a contrario, bénéficie d’un effet régulateur. Ce sont ces différences caractérisée par une polarisation correspondant à un courant
qui font largement préférer la technologie MOSFET à la technolo- continu moyen dans le transistor, la tension d’alimentation V d
gie bipolaire pour les transistors au silicium. étant inférieure à la moitié de la tension d’avalanche (figure 5). La
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Vd Ids
polarisation
Lc Is
Vd
Vd
Point de
CD
vL
Q1 D
is
ve f0 RL Vgs Vds t
G S
ve vs
Ids Ids
Point de
polarisation
Vgs Is
V
Vdd
Vgs Vds t
ve vs
Figure 6 – Classe B
droite de charge traverse tout le domaine des caractéristiques I (V) la demi-sinusoïde de conduction. La tension de sortie est rendue
de sortie du dispositif. L’angle de conduction du signal (référence sinusoïdale par la présence du circuit de filtrage qui élimine les
au temps de conduction ramené à la période du signal) est de harmoniques en sortie. La consommation est directement propor-
2π rad (zone grisée sur la figure 5). Cette classe présente les tionnelle à l’amplitude du signal.
meilleures caractéristiques de linéarité, mais un faible rendement
Le rendement est donné par l’expression :
électrique : le point de polarisation étant placé au centre de la
droite de charge, la consommation reste constante et le rendement
dépend de l’amplitude du signal. Le rendement maximum théo- η = π ⋅v s / 4 ⋅VD (3)
rique, lorsque l’amplitude du signal décrit la totalité de la droite de
charge, est limité à 50 % en RF, mais en fait reste dans une gamme Il est proportionnel à la tension de sortie avec un maximum
de 10 à 25 % pour des applications pratiques en radiofréquences, théorique de 78,5 % (= π/4) en négligeant la tension de départ et
compte tenu de la tension de déchet et des non-linéarités engen- toutes les pertes, mais le rendement maximum pratique se situe
drées par l’approche de la saturation et du blocage. vers 60 à 70 %.
Le signal de sortie, en première approximation symétrique par La classe B ne s’utilise quasiment qu’en montage push-pull (cha-
rapport au point de polarisation, contient peu d’harmoniques que transistor conduit pendant le bocage de l’autre) de façon à
pairs. Ce type d’amplificateur ne nécessite donc que peu de fil- réduire la génération d’harmoniques pairs et faciliter le filtrage de
trage en sortie. Lorsque l’amplitude croît, la distorsion intervient sortie (figure 7).
par aplatissement des sommets de sinusoïde, générant des pro- Cependant, quelle que soit la technologie de transistor utilisée
duits d’ordres impairs. L’utilisation d’amplificateurs classe A est (matériau semi-conducteur, topologie de transistor), l’allure de la
réservée à des étages intermédiaires, dont la consommation ne fonction de transfert au voisinage du blocage est fortement non
grève pas trop le budget de l’ensemble, ou à des applications très linéaire (figure 6). Ceci engendre d’une part une grande impréci-
linéaires : quelques dizaines de watts dans le bas du spectre RF à sion sur la tension de polarisation correspondant au blocage, et
quelques centaines de milliwatts en hyperfréquences. d’autre part une variation importante du gain en fonction de
l’amplitude du signal pour les faibles amplitudes provoquant une
2.1.2 Classe B distorsion de croisement (figure 8). Cette imprécision est d’autant
plus sensible que la fréquence de fonctionnement du semi-conduc-
En amplification classe B, le point de polarisation est choisi juste teur est élevée, ce qui fait que l’utilisation du push-pull classe B
au seuil de conduction, de telle sorte que la consommation soit reste marginale et réservée aux fréquences basses, dans la pra-
nulle sans signal (figure 6). L’angle de conduction est alors de tique inférieures à 100 MHz. Pour les fréquences plus élevées, on
π rad (en grisé sur la figure 6) et le courant de sortie correspond à privilégie la classe AB.
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Amplification de puissance
radiofréquence à l’état solide
Paramètres de mise en œuvre
près une première partie ayant présenté les classes, systèmes et technolo-
A gies des amplificateurs de puissance radiofréquence état solide [E 1 610],
ce document en constitue la deuxième partie et traite de leur mise en œuvre.
Le champ d’applications concerne tous les systèmes qui doivent délivrer une
puissance RF en sortie, dont le niveau est significatif par rapport à la puissance
consommée par le produit considéré.
Si l’on considère les évolutions technologiques actuelles, on constate une
pénétration croissante de l’état solide dans les systèmes industriels de puis-
sance grâce à la généralisation du traitement numérique de signal, qui apporte
une gestion fine et rapide des circuits de commande et d’autoprotection, apte
à les rendre de plus en plus robustes. L’explosion des télécommunications
hertziennes, avec le développement des procédés de transmission de signaux
complexes conduit, en particulier, à l’intégration de plus en plus importante
des fonctions électroniques sur les substrats semi-conducteurs, sous forme de
circuits intégrés RF (RFIC) et de composants de puissance complexes, si bien
que la fonction d’amplification de puissance implique toute la chaîne de déve-
loppement, du composant au système complet.
La conception des amplificateurs RF doit satisfaire les spécifications de besoins
de chaque application spécifique et donc répondre à des critères de définition qui
p。イオエゥッョ@Z@。ッエ@RPPX
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composants à utiliser et pour cela, on dispose des outils suivants :
– les spécifications constructeur : certaines grandeurs sont établies par le
constructeur pour l’usage auquel il destine le composant et n’ont en général pas
besoin d’être recaractérisées : domaine d’utilisation (gamme de fréquence, puis-
sance, spécifications mécaniques), limites d’utilisation « maximum ratings » et
thermique. D’autres données ne sont qu’indicatives : exemples de performances
(courbes), paramètres S, impédances en puissance ;
– les moyens d’investigation complémentaires dont un laboratoire peut
disposer : outils et méthodes de caractérisation. En effet, les données indicatives
mentionnées ci-avant ne correspondent pas toujours exactement à l’utilisation
envisagée, et elles ressortent de toute façon de montages de tests propres au
constructeur, élaborés pour illustrer une utilisation exemplaire, standard ou
moyenne.
La q ualité des signaux restitués par l’amplificateur de puissance fait partie
de la méthodologie de conception et doit être traitée pour satisfaire les
contraintes de l’application. Dans le domaine industriel, les soucis seront
d’ordre essentiellement écologique et de fiabilité : pollution hertzienne, rayon-
nements parasites, robustesse et échauffement. Dans le domaine des
télécommunications, les systèmes actuels, de plus en plus gourmands en
débits de données, évoluent vers une optimisation de l’efficacité spectrale
définie en bits par hertz de bande passante qui suppose des modulations de
plus en plus complexes (QAM, OFDM, CDMA...). Dans les domaines de l’inves-
tigation, les outils fonctionnant en radiofréquence (radar et applications
médicales ou scientifiques) demandent des résolutions de plus en plus éle-
vées, supposant de maîtriser la forme des impulsions. Le respect de ces
impératifs passe nécessairement par un traitement de plus en plus précis de la
linéarité des systèmes. La linéarité propre des amplificateurs étant tributaire
des contraintes de rendement électrique, il faut donc en général en corriger les
défauts par des circuits extérieurs et complémentaires.
L’approche de cette présentation se veut pragmatique et est articulée selon
les trois volets suivants :
– quels sont les éléments qui permettent de choisir les composants et les
caractérisations complémentaires éventuellement nécessaires pour pouvoir les
utiliser efficacement ;
– quelles sont les règles de conception proprement dites pour la mise en
œuvre des composants actifs et les points particuliers à surveiller pour garantir
un fonctionnement prévisible en fonction des signaux à traiter ;
– puisque la plupart des applications d’amplification de puissance RF exigent
le respect, ou du moins une bonne connaissance, de la linéarité, un paragraphe
est dédié aux distorsions non linéaires : leurs différentes définitions, les
comportements des étages de puissance et la description de quelques procédés
d’amélioration proches de l’amplification ou impliquant une approche système.
Le domaine abordé etant très vaste et fortement diversifié en termes d’appli-
cations, nous avons fait le choix d’approfondir les aspects analogiques de la
mise en œuvre par opposition à des aspects plus proches de la génération de
puissance RF, tels les besoins purement industriels fonctionnant dans les plus
basses fréquences du spectre RF, et pour lesquels les développements se
concentrent sur les circuits annexes de surveillance et de sécurité de
fonctionnement.
YR
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eQVQQ
CALLUM combined analog locked-loop universal Le lecteur est invité à se reporter à l’article précédent [E 1 610]
modulator dans lequel sont définies les grandeurs caractéristiques.
R
La conception d’un amplificateur débute par le choix du transis-
CEM compatibilité électromagnétique
tor de puissance et est suivie de l’analyse de ses caractéristiques.
CW continuous wave Les paramètres de ce choix seront illustrés avec des éléments
réels de fiches de spécifications constructeurs de transistor de
DSP digital signal processing puissance RF, choisies arbitrairement mais représentatives des
informations qui sont, en général, données par les fabricants.
DST dispositif sous test
IP3 point d’interception d’ordre 3 ■ Les puces nues sont destinées à une utilisation en technologie
hybride (figure 1a). Cette technologie associe, par des moyens de
JFET junction field effect transistor fabrication de microélectronique, les composants actifs à des
circuits passifs imprimés sur substrat hyperfréquence, soit circuits
LDMOS laterally-diffused metal oxide silicon imprimés à faibles pertes (Duroïd, Teflon...), soit alumine métallisée.
LINC linear amplification using nonlinear ■ Le développement des circuits intégrés monolithiques (RFIC) se
components rapproche de la technologie précédente, même si dans ce cas une
compétence spéciale de conception, alliant connaissances en élec-
MESFET metal semiconductor field effect transistor tronique et en physique des semi-conducteurs, est requise.
MOSFET metal oxide semiconductor field effect Ces deux techniques sont utilisées pour les plus hautes
transistor fréquences, en tout cas au-delà de quelques gigahertz et pour des
puissances limitées (gamme de 1 à 10 W). Dans les deux cas, la
MTTF mean time to failure flexibilité qu’apporte cette intégration dans la conception a une
contrepartie en ce sens qu’elle nécessite une phase supplémen-
NPR noise power ratio taire dans le développement du produit : il s’agit de l’encapsula-
tion du circuit complet, dont la qualité de réalisation peut avoir
OBO output back-off une influence non négligeable sur la fiabilité.
OFDM orthogonal frequency division multiplexing ■ Les boîtiers préadaptés (figure 1b) fonctionnent dans la gamme
de 100 MHz à 10 GHz (voire plus), les transistors disponibles en
PAR peak to average ratio boîtier sont pour la plupart « préadaptés ». Ces boîtiers présentent
plusieurs spécificités : l’encapsulation étant réalisée, les problèmes
PN pseudo noise de fiabilité qui y sont liés sont traités par le fabricant. L’interface
thermique de la puce avec le boîtier a été optimisée par le fabri-
QAM quadratic amplitude modulation cant, au détriment, cependant, d’une interface supplémentaire
constituée par le report du boîtier sur le dissipateur.
QPSK quadrature phase shift keying
■ Pour les boîtiers plastique à trois accès (figure 1c), aucune préa-
RF radiofréquences daptation en boîtier n’est réalisée pour les plus basses fréquences
(en dessous de 100 MHz environ) et leurs spécificités sont iden-
RFIC radio frequency integrated circuit tiques à celles des boîtiers précédents.
ROS rapport d’ondes stationnaires ■ Enfin, il y a les boîtiers adaptés (figure 1d) : certains transistors
en technologie AsGa, pour les gammes de fréquences allant de la
SCS signal components separator bande L à la bande Ku (1 à 15 GHz) sont proposés en boîtiers adap-
tés directement à 50 Ω en entrée et en sortie. Ce sont en fait des
SOA Safe operating area amplificateurs en technologie hybride (voir plus haut, alinéa Les
puces nues). La conception se limite alors à la mise en œuvre des
VNA vector network analyser circuits de polarisation et au traitement de la thermique.
YS
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eQVQQ
50 50
Parameter Symbol Rating Units
75
Drain-Source Voltage 120 VDC
72 Gate-Source Voltage – 20, + 3 VDC
R
60 % typical PAE at 12 GHz
0.3 × 900 Micron Refractory Metal/Gold Gate Soldering Temperature 225 ˚C
Sorted into 15 mA Idss Bin Ranges
Absolute maximum rating (not simultaneous) at 25 ˚C Case Temperature
a puce nue pour montage hybride :
MwT- PH16 : 28 GHz Medium Power AlGaAs/InGaAs PHEMT a valeurs maximales admissibles d’un MESFET SiC
(d’après Cree : CRF-24060-101 - 60 W SiC RF Power MESFET)
D 1
Output Power = 300 W (40,68 MHz) 2 20 200
Gain = 16 dB Typ AB class VDS (V)
75 % Drain Efficiency C class
Low Vth thermal coefficient G S b zone de fonctionnement de sécurité à 25 ˚ C
Low Thermal Resistance (d’après M/A-Com, MOSFET MRF157/D - 600 W, 30 MHz)
Optimized SOA
Pulse Test : width < 380µS, Duty Cycle < 2 %
Figure 2 – Spécifications de base : exemples de données
constructeur
c transistor de puissance plastique : ARF 466A et B :
300 W, 200V, 45 MHz Power MOSFET
d transistor incluant l’adaptation à 50 Ω : ■ Tension grille-source : dans cet exemple d’un MESFET, l’espace
X,Ku-Band Internally Matched FETFLM1414-15F grille-source est une diode Shottky. La tension de grille est donc
limitée en valeur négative par sa tension d’avalanche (tension de
Zener), et en valeur positive par son courant direct maximum
Figure 1 – Exemples de composants de puissance
admissible. L’impédance d’entrée étant très faible, l’excursion du
signal d’entrée ne pose en général pas de problème, mais, dans cer-
tains cas, la puissance maximale admissible en entrée est spécifiée.
1.2 Spécifications de base
■ Température de jonction (ou température de canal) : aucun
Une première sélection d’un transistor de puissance se fait au vu point de la surface de la ou des puces du transistor ne doit dépas-
de l’en-tête de la fiche technique qui précise la gamme de fré- ser cette limite, sous peine de destruction.
quence pour laquelle le transistor a été développé et la puissance
qu’il peut délivrer. Viennent ensuite, après une brève description ■ Résistance thermique : c’est la résistance thermique jonc-
du produit, les spécifications techniques qui vont permettre de tion-boîtier. Elle permet de calculer la température maximale du
confirmer le choix et d’appréhender les premières grandeurs de boîtier pour garantir celle de la jonction, pour une puissance dissi-
mise en œuvre. Elles concernent les valeurs maximales à ne pas pée donnée.
dépasser (maximum ratings). Passons-les en revue, avec leurs inci-
dences, à partir d’un extrait de la fiche technique d’un transistor ■ Dissipation totale : elle n’est pas indiquée dans l’exemple de la
SiC pris comme illustration (figure 2a). figure 2a, mais se déduit par calcul à partir de la température
YT
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40
Gain (dB)
ICQ = 200 mA –5
4 Pout = 50 W – 15
2 – 25
Return Loss (dB)
0 – 35
1900 1925 1950 1975 2000
Frequency (MHz)
YU
R
YV
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R
THALES Microwave & Imaging Subsystems, Vélizy, FRANCE
Note de l’éditeur
Cet article est la réédition actualisée de l’article E1620 intitulé « Tubes électroniques hyper-
fréquences – Technologies, tubes à grille et klystrons » paru en 2008, rédigé par Thierry
LEMOINE
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Enveloppe
à vide
Faisceau d’électrons
Entrée RF Sortie RF
(optionnelle)
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R
Cathodes à oxydes 1,5 800 0,3 (40 sur 2 μs) triodes planes, anciennes
générations de klystrons
et de magnétrons
Cathodes imprégnées : 2,1 – 1,8 1 000 – 1 200 1 à 10 TWT, klystrons, IOT, gyrotrons,
type B ou S (W-Ba) et magnétrons
type M et MM (W-Ba-Os)
2.1.2 Cathodes à oxyde ture de fonctionnement est environ 150 °C inférieure à celle de la
cathode S, pour un même courant de fonctionnement. L’impact
Les cathodes à oxyde sont constituées d’oxyde de baryum sur la durée de vie est considérable. Depuis les années 2000, les
(BaO). Cet oxyde possède une affinité très faible (écart entre cathodes au scandium font l’objet de nombreuses recherches, car
l’énergie du vide et le bas de la bande de conduction) de 0,6 eV. elles permettent de réduire encore davantage le travail de sortie.
Malheureusement, le gap est élevé (4,4 eV), de sorte qu’à D’autres matériaux sont également à l’étude, comme l’oxyde de
l’état intrinsèque, le travail de sortie reste important strontium et de vanadium (structures pérovskites), qui permet-
(2,2 eV + 0,6 eV = 2,8 eV). Mais, si l’oxyde est mis en contact avec traient d’atteindre 1 eV.
des particules de nickel chargées par des métaux réducteurs
Rappelons que les électrons émis par le métal convertissent une
(magnésium, tungstène, zirconium), on constate une réaction
partie appréciable de leur énergie cinétique sous forme d’énergie
entre ces métaux et l’oxygène présent dans le BaO : les métaux
potentielle φ. La température du métal baisse donc légèrement,
réducteurs chassent l’oxygène, créant des lacunes dans l’oxyde
mais sensiblement si le courant extrait est très élevé. L’énergie
qui se comportent alors comme des impuretés donneuses d’élec-
cinétique moyenne résiduelle des électrons dans le vide est de
trons. Le niveau de Fermi s’approche alors de la bande de con-
2 kBT, dont l’écart-type constitue le principal contributeur au bruit
duction (à 0,9 eV), et le travail de sortie est réduit à
électronique d’un tube.
0,9 eV + 0,6 eV = 1,5 eV. Ces cathodes ont été découvertes par le
physicien allemand Arthur Wehnelt en 1904 et fortement utilisées
dans les années 1940-1950, et plus récemment dans les tubes 2.1.4 Durée de vie d’une cathode
cathodiques des téléviseurs. Elles autorisent des courants extrê-
mement élevés, mais sur des périodes très brèves. De nos jours, Le choix d’un matériau pour une cathode répond à plusieurs cri-
elles sont souvent remplacées par des cathodes imprégnées. tères : le travail de sortie, mais aussi sa stabilité au cours du
temps. Dans le cas d’une cathode S (ou M), les additifs comme le
baryum présentent un inconvénient : sous vide et à très haute
2.1.3 Cathodes imprégnées température, ils s’évaporent, ce qui se traduit par l’apparition
d’îlots de plus en plus gros dépourvus de baryum, mettant à nu la
Bien qu’utilisant également l’oxyde de baryum, les cathodes
matrice de tungstène. Cette usure induit un abaissement de Jc au
imprégnées relèvent d’un autre principe. On utilise une matrice de
fil du temps, qui finit par descendre en dessous de la densité de
tungstène dont on cherche à abaisser le travail de sortie. Pour ce
courant requise, entraînant ainsi la dégradation des performances
faire, une couche mono-moléculaire de petits dipôles O- Ba+ est
et la fin de vie du tube. Cette dégradation a été modélisée par plu-
disposée à sa surface, l’oxygène étant en contact avec le métal, le
sieurs auteurs (lois de Longo et de Vaugham) et peut être synthé-
baryum pointant vers l’extérieur. Chaque petit dipôle crée locale-
tisée en écrivant que la baisse de Jc (δJc) est proportionnelle à la
ment un champ électrique confiné en surface du tungstène, qui
racine carrée de la durée pendant laquelle elle a fonctionné. Pour
fait chuter le travail de sortie de 4,6 à 2,1 eV. Tel est le principe de
limiter cet effet, dans la plupart des tubes, J (le courant extrait) est
la cathode imprégnée, inventée par R. Levi de Philips en 1955.
inférieur à Jc : ces tubes fonctionnement en régime de charge
L’imprégnation de la poudre de tungstène se fait à l’aide d’un
d’espace (§ 2.2), les seules exceptions notables étant les gyrotrons
mélange d’aluminates de baryum et de calcium, dont il existe
et les magnétrons. Ce régime présente deux avantages : un
deux formulations : 5BaO:3CaO:3Al2O3 (cathode B) et
contrôle simple en courant (grâce à une tension), et un impact
4BaO:1CaO:1Al2O3 (cathode S, la plus utilisée car deux fois plus
plus faible d’une dégradation de Jc, donc une augmentation de la
efficace).
durée de vie. La figure 3 montre, pour différentes technologies, la
Les aluminates remplissent les interstices de la matrice en durée de vie en regard du courant extrait J.
tungstène poreux et l’ensemble est porté à haute température
Concluons sur les points suivants :
sous vide, ce qui tend à décomposer les aluminates, libérant le
baryum qui migre des interstices vers la surface de la cathode : • la moindre pollution de surface peut « empoisonner » la
c’est le procédé d’activation de la cathode. cathode, d’où une contrainte d’absolue propreté dans sa
On peut abaisser le travail de sortie de 0,25 eV supplémentaires manipulation ;
en ajoutant une fine couche d’osmium. On obtient ainsi une • le chauffage de la cathode peut être assuré par un courant
cathode M (en général à partir d’une cathode S), dont la tempéra- électrique qui circule dans la cathode (chauffage direct) : c’est
QPP
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eQVRP
R
Oxydes
TOP Soulignons que l’émission électronique froide est aussi (et
avant tout) un phénomène parasite qui peut être activé involontai-
GYROTRONS TOP
W-Th TÉTRODES SPATIAUX rement sur n’importe quelle surface métallique du tube où le
1 champ électrique est élevé, et dont il convient de se prémunir
1 000 10 000 100 000 (§ 3.2).
Durée de vie (h)
Figure 3 – Diagramme d’estimation « courant extrait – durée de vie 2.2 Optiques électroniques
maximale » pour différentes technologies de cathodes
En régime de charge d’espace, la densité de courant électro-
nique J < Jc n’est fonction que du champ électrostatique Ek en
le cas de la plupart des tubes à grille. Pour les cathodes à surface de la cathode (à ne pas confondre avec l’effet Schottky
oxyde et les cathodes imprégnées, le chauffage s’effectue (§ 2.1.5) qui concerne Jc). La zone d’extraction et de mise en
grâce à un filament en tungstène-rhénium placé immédiate- forme du faisceau s’appelle l’optique électronique du tube. Après
ment derrière le matériau émissif (chauffage indirect). L’isola- l’avoir traversée, les électrons arrachés à la cathode forment un
tion électrique de ce filament, le champ magnétique qu’il crée faisceau caractérisé, entre autres, par un courant électrique Ik
au voisinage du faisceau, sa capacité à chauffer plus ou (produit de la densité d’électrons par leur vitesse moyenne ve et
moins vite la cathode, sont autant de problèmes technolo- par la section du faisceau), et une tension d’accélération Vk. La loi
giques à prendre en compte lors de la conception. de Child-Langmuir relie ces deux grandeurs :
QPQ
R
QPR
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Cet article est la réédition actualisée de l’article [E 1 620] intitulé « Tubes électroniques
R
hyperfréquences – Technologies, tubes à grille et klystrons » paru en 2008, rédigé par
Thierry LEMOINE.
1. Klystrons........................................................................................... E 1 621v2 –2
1.1 Guides d’Onde .................................................................................... — 2
1.2 Cavités hyperfréquences .................................................................... — 5
1.3 Excitation d’une cavité dans le cas d’un klystron ............................. — 7
1.4 Bunching du faisceau (théorie balistique) ......................................... — 7
1.5 Coefficient d’interaction ..................................................................... — 9
1.6 Bunching du faisceau (prise en compte de la charge d’espace) ...... — 9
1.7 Klystrons multi-cavités ....................................................................... — 10
1.8 Efficacité de l’interaction ................................................................... — 11
1.9 Klystrons à interaction étendue (EIK) ................................................ — 11
1.10 Relation entre efficacité d’interaction, pervéance et rendement ...... — 12
1.11 Gammes d’utilisation et limitations en puissance ............................ — 13
1.11.1 Puissance maximale du faisceau ............................................ — 13
1.11.2 Impact du rendement d’interaction et des pertes ohmiques . — 14
1.11.3 Limites thermiques liées au collecteur ................................... — 14
1.11.4 Limites thermiques liées au champ RF dans la cavité de sortie — 15
1.12 Klystrons multifaisceaux (MBK) et klystrons à faisceau plat (SBK) . — 15
1.13 Fonctionnement sur charge désadaptée ........................................... — 15
1.14 Bande passante d’un klystron ........................................................... — 16
1.15 Durée de vie d’un klystron ................................................................. — 16
1.16 Utilisation des klystrons .................................................................... — 16
2. Magnétrons ...................................................................................... — 17
2.1 Principe de fonctionnement ............................................................... — 17
2.2 Gammes d’utilisation et limitations des magnétrons ....................... — 19
2.3 Durée de vie d’un magnétron ............................................................ — 19
2.4 Utilisation des magnétrons ................................................................ — 19
3. Gyrotrons.......................................................................................... — 20
3.1 Principe de fonctionnement du gyrotron .......................................... — 20
3.2 Fonctionnement sur un mode élevé .................................................. — 21
3.3 Rendement électrique et puissance maximale d’un gyrotron .......... — 22
3.4 Gyrotrons fonctionnant sur harmonique supérieur .......................... — 22
3.5 Gammes d’utilisation et limitations .................................................. — 22
4. Autres familles de tubes électroniques...................................... — 22
5. Conclusion........................................................................................ — 23
6. Glossaire ........................................................................................... — 23
7. Notations et symboles ................................................................... — 23
Pour en savoir plus.................................................................................. Doc. E 1 621v2
QPS
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Les klystrons souffrent d’un problème analogue (les premiers klystrons dispo-
saient de grilles en entrée/sortie des tunnels de glissement), mais leur principe
de fonctionnement très différent (modulation de vitesse plutôt que modulation
de densité) engendre des performances en fréquence supérieures.
Toutefois, la plupart des tubes hyperfréquences exploitent une idée totalement
différente, basée sur le synchronisme entre un faisceau d’électrons et une onde
électromagnétique suivant le même chemin. L’idée est la suivante : si un électron
est placé dans un champ électromagnétique RF de telle façon qu’il subisse pen-
dant une durée « relativement longue » ce qui signifie sur une durée supérieure à
1/f, l’influence d’un champ décélérateur (E>0), alors il rayonnera son énergie.
Mais, comment un électron accéléré dans le vide peut-il aller à une vitesse proche
de la vitesse de la lumière dans le vide ? C’est l’objet de cet article et de l’arti-
R cle [E 1 622] portant sur les TWT. Si l’électron est animé d’un mouvement parfai-
tement rectiligne à la vitesse ve, cette condition de synchronisme implique que ve
est égal à vf la vitesse de phase de l’onde, sachant que vf est égal à w / b où b le
vecteur d’onde et w la pulsation. Si au mouvement rectiligne de l’électron se
superpose un mouvement oscillant transversal (à la pulsation W), la conservation
de la quantité de mouvement impose de remplacer ve par ve + W / b dans la condi-
tion de synchronisme. La première condition s’applique aux magnétrons, TWT ou
EIK ; la seconde aux gyrotrons, mais aussi aux lasers à électrons libres (FEL).
La condition de synchronisme comporte une petite subtilité : pour que l’élec-
tron cède un maximum d’énergie à l’onde, elle doit être légèrement violée
(l’électron doit être à peine plus rapide que l’onde) : c’est un principe très géné-
ral en physique, connu en optique sous le nom d’effet Tcherenkov.
Dans tous les tubes hyperfréquences, un faisceau d’électrons est émis par une
cathode et pénètre une structure d’interaction constituée de conducteurs métalli-
ques (cavités pour un klystron, hélice pour un TWT, guide d’onde pour un gyro-
tron ou un magnétron). Un électron étant une particule chargée, des lignes de
champ partent de la particule pour rejoindre les conducteurs placés à un autre
potentiel. Lorsqu’il entre dans la zone d’interaction, la forme des conducteurs se
modifie, et il en va de même des lignes de champ. Ces modifications ne peuvent
pas être instantanées : elles se propagent à la vitesse de la lumière ; en d’autres
termes, la particule rayonne de l’énergie (§ 1.3). Chaque électron du faisceau émet
un rayonnement incohérent, de sorte que le faisceau émet spontanément du bruit,
qui est blanc en l’absence de contrainte sur la fréquence du rayonnement émis, et
qui peut accrocher sur les fréquences de résonance de la structure d’interaction.
Intimement lié au caractère corpusculaire du faisceau électronique, ce phénomène
explique comment des oscillations prennent naissance : oscillations parasites
dans un amplificateur comme un klystron (on parle d’oscillation monotron) ou à
la base du fonctionnement du tube dans un magnétron ou un gyrotron.
Cet article se focalise sur les tubes de très forte puissance et à bande étroite,
utilisés notamment pour alimenter des accélérateurs de particules et des réac-
teurs de fusion nucléaire. Il est suivi de l’article [E 1 623] sur les tubes à onde
progressive, large bande, destinés à l’amplification de signaux à forme d’onde
complexe pour les radars et les systèmes de télécommunication.
Le lecteur trouvera en fin d’article un glossaire des termes importants de
l’article, ainsi qu’un tableau des notations et symboles utilisés.
QPT
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caractérisée par un champ électrique E (x,y,z,t) et un champ magné- Tout d’abord, rappelons qu’une onde électromagnétique se pro-
tique H (x,y,z,t) (les lettres grasses désignent des vecteurs) qui pageant dans le vide à l’intérieur du guide est par essence une
s’écrivent sous la forme : onde plane (dont les champs seront notés ( E et H ) qui se propage
à la vitesse c de la lumière dans le vide (300 000km/s) et se réfléchit
E ( x, y, z, t ) = E 0 ( x, y ) .exp ( j βz) .exp ( j ω t) sur les murs métalliques, et le mode guidé (champs E et H) qui se
H ( x, y, z, t ) = H 0 ( x, y ) .exp ( j βz) .exp ( j ω t ) propage selon z est une figure d’interférence résultat de ces
réflexions multiples. Nous noterons k le vecteur d’onde de cette
onde plane (que nous supposons pour simplifier dans le plan xOz,
avec E0 et H0 vecteurs perpendiculaires ayant des compo- faisant un angle q avec l’axe Oz (figure 1) et l sa longueur d’onde.
santes selon les trois axes de l’espace, Comme pour toute onde plane, les relations suivantes sont
j courant électrique, vérifiées :
R
lèle à l’axe z), dont le module est relié à la lon-
gueur d’onde de l’onde guidée lg par la for- Établir une relation entre b et w revient à trouver une relation
mule classique : entre b et k.
Les équations de Maxwell imposent des conditions aux limites
β = 2π / λg sur les champs au contact des parois. Supposer que la conductivité
électrique s du matériau est excellente, en théorie infinie (ce que
La relation fondamentale qui relie b (ou lg) à w (ou f) est connue nous ferons dans un premier temps), revient à dire que la compo-
comme l’équation de dispersion du milieu où l’onde se propage (ici sante tangentielle du champ électrique total (incident + réfléchi)
le guide d’onde). Si elle ne se réduit à une simple relation de pro- est nulle au contact de la paroi (sinon le courant électrique j = s.E
portionnalité, on dit que le milieu est dispersif. Pour la calculer, les serait lui-même infini). Donc l’onde plane réfléchie a un champ
manuels modernes procèdent souvent de manière mathématique électrique tangentiel Ez réfl. en opposition de phase avec celui de
en injectant les expressions ci-dessus dans les équations de Max- l’onde incidence Ez inc. à l’endroit de la réflexion. Par déduction,
well. Pour un guide d’onde rectangulaire, le calcul est aisé. Nous le champ électrique longitudinal total (celui de l’onde guidée)
préférons ici une méthode plus intuitive qui permettra de mieux Ez = E z inc.+ E z réfl. est nul sur la paroi et, par conséquent, le champ
« sentir » la physique. longitudinal total présente des ventres et des nœuds dans l’axe Ox
x
Sens de propagation de l’onde
Plan équi-phase
paroi
Plan équi-amplitude
t = t2
a
vg = c.cos θ
c
t = t1
vg vφ = c.cos θ
θ vφ
vφ ⋅ vg = c2
paroi
z
Onde plane
kx
Vecteurs d’onde à t = t1
π/a
k2 = β2 + kc2
θ kc = ω/c
0
β
kz
QPU
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perpendiculaire à la paroi Ez(x) (figure 2). La seconde paroi en fréquence de coupure la plus basse (si on fait l’hypothèse que
vis-à-vis de la première doit être placée sur un autre nœud pour a > b, c’est le mode n = 1, m = 0 (onde dans le plan xOz), kc = p/a) :
que l’onde puisse se propager (le champ longitudinal total doit aucune onde ne peut se propager dans le guide à une pulsation infé-
aussi être nul sur cette paroi). Un raisonnement identique doit être rieure à cp/a.
tenu pour les deux autres parois.
Conséquence de ce qui vient d’être dit, la composante longitudi-
En termes mathématiques, les contraintes aux limites sur les nale des champs guidés satisfait l’équation d’onde suivante (dite de
parois imposent une condition de quantification sur la propagation Helmholtz) :
transversale (perpendiculaire à Oz) de l’onde. Pour l’écrire, expri-
mons k sous la forme vectorielle suivante (figure 1) : ∂2E z / ∂x2 + ∂2E z / ∂y 2 + k c2E z = 0 et
∂2H z / ∂x2 + ∂2H z / ∂y 2 + k c2H z = 0
k = β + kc
Les composantes transverses s’en déduisent par simple dériva-
b est le vecteur d’onde longitudinal (parallèle à l’axe z), kc le vec- tion (gradient) du champ longitudinal (équations de Maxwell).
R
teur d’onde transversal (perpendiculaire à l’axe z : kc = 2p/lc), et k le On distingue deux cas : celui où l’onde plane se propage avec un
vecteur d’onde de l’onde plane (qui fait un angle q par rapport à
vecteur E orthogonal à Oz (pas de composante longitudinale Ez),
l’axe z : k = w/c). b et kc étant orthogonaux, on peut donc écrire :
et celui où c’est H qui est orthogonal à Oz (dans une onde plane,
k 2 = β2 + k c2 ou 2π / λ2 = 2π / λg2 + 2π / λc2 comme E et H sont orthogonaux entre eux et orthogonaux à l’axe
de propagation, l’hypothèse sur l’un suffit pour définir la direction
La condition de quantification ci-dessus se reporte sur kc qui ne de l’autre). Tous les autres cas s’en déduisent comme combinai-
peut prendre que des valeurs quantifiées : kc = n.p/a, où n est un sons linéaires de ces deux cas. Dans le premier cas, le champ
nombre entier (figure 2). Rappelons que a désigne la hauteur du guidé E a une composante nulle selon Oz : il est entièrement trans-
guide selon l’axe x, et qu’on a fait l’hypothèse que l’onde plane se verse, d’où le nom de mode TE donné à ces modes. L’autre cas
propage dans le plan xOz. Plus généralement, le vecteur kc s’écrira donne naturellement naissance aux modes TM (H a une compo-
comme la somme de deux vecteurs perpendiculaires kcx et kcy, cha- sante nulle selon Oz). On parle de modes TEnm et TMnm.
cun étant quantifié, de sorte que : Si ET et HT sont les composantes transversales des champs gui-
dés, quel que soit le mode ils sont orthogonaux entre eux et leur
k c = (n π / a ) + (m π / b ) , n et m étant deux entiers naturels,
2 2 2
rapport est constant. Le rapport ET /HT est l’impédance de l’onde Z.
Ce paramètre permet de définir les conditions d’adaptation en
avec k relié à w, la relation k2 = b2 + kc2 est bien la relation de extrémité d’un guide (calcul du taux d’ondes stationnaires). La
dispersion w (b) recherchée. valeur de l’impédance dépend du type de mode TE ou TM. Sa
valeur asymptotique (w >> wc) est égale à 377W, soit l’impédance
& Résumons-nous : dans un guide de section rectangulaire, une de l’onde dans le vide.
onde guidée ne peut se propager que selon certains modes caracté-
risés par deux entiers n et m. Pour un couple (n, m), il existe une
valeur de kc qui permet de définir une pulsation de coupure wc. En (
Z TM = 377. 1 − (ωc / ω )
2
) et Z TE = 377 / (1− (ω / ω ) )
c
2
(en Ω)
effet, la relation de dispersion peut s’écrire (w/c)2 = b2 + kc2, fonction
croissante de b. Pour b = 0, w = c.kc = wc. Une onde de pulsation infé- & Toutes les valeurs possibles de n et de m sont-elles possibles ?
rieure à c.kc ne peut donc pas se propager sur le mode ayant cette A priori oui, à une exception : le couple (0, 0) est interdit. Imagi-
valeur de kc. Le mode fondamental est celui qui présente la nons un mode TE00 (qui par nature serait identique au mode TM00,
Ezr Ezi
Première paroi
n=1
x λ
Onde plane
réfléchie Emplacements
n=2
possibles pour
la seconde paroi
(distance a) :
n=3 a = n λc/2 ou
Onde plane λc kc = 2π/λc = nπ/a
incidente
θ n=4
Ez = Ezi + Ezr
λc = λ.sinθ
(onde guidée, stationnaire selon x)
Le cas n = 0 n’est pas représentable, il ne signifie pas que les deux parois sont confondues,
mais que l’onde plane est perpendiculaire à l’axe Ox (donc dans le plan yOz).
Figure 2 – Réflexion d’une onde plane sur une paroi métallique et condition de propagation entre deux plans métalliques
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et que l’on appelle mode TEM). Pour ce mode, kc = 0, donc k (qui 1.2 Cavités hyperfréquences
décrit l’onde plane) est parallèle à l’axe z : l’onde guidée se propage
comme l’onde plane qui lui a donné naissance, le mode n’est pas Les cavités hyperfréquences sont des cavités résonantes sur une
dispersif et les champs électrique et magnétique n’ont pas de com- ou plusieurs fréquences discrètes. Leur fonctionnement s’explique
posante longitudinale (selon z). Par conséquent, et considérant aisément en considérant un guide d’onde (selon l’axe z) fermé
qu’au voisinage de la paroi le champ magnétique est partout paral- (court-circuité) à ses deux extrémités par un plan métallique. Une
lèle à la paroi (condition de continuité sur une paroi métallique), les onde plane se propageant à l’intérieur (par réflexions sur les parois
lignes de champ magnétique forment des boucles fermées dans le du guide d’onde) sera réfléchie sur une extrémité, et l’onde résul-
plan xOy. tante (la somme de l’onde incidente et de l’onde réfléchie) consti-
tuera une onde stationnaire selon l’axe z avec un premier nœud
Selon la première équation de Maxwell (rotH = j + e0 m0 ∂E/∂t) sur le champ électrique transverse (parallèle au plan de court-
(avec e0 la permittivité du vide et m0 la perméabilité magnétique du circuit) à l’emplacement de cette extrémité. L’autre extrémité consti-
vide), ces boucles de champ doivent être traversées par un courant tuant également un court-circuit, l’onde stationnaire ne pourra
perpendiculaire, parallèle à l’axe Oz. L’intérieur du guide étant vide,
R
exister que si la deuxième extrémité se situe sur un autre nœud,
j = 0, et il en va de même du courant de déplacement ∂E/∂t car le ce qui s’exprime par une condition de quantification sur le vecteur
champ électrique n’a pas de composante longitudinale. On arrive d’onde b (ou sur la longueur d’onde lg). L’onde est donc station-
donc à une contradiction. On peut faire un raisonnement similaire naire selon les trois axes, et décrite dans une cavité hyperfréquence
sur le champ électrique. Il ne peut pas y avoir de mode TEM qui se parallélépipédique par trois entiers n, m et p, qui, comme
propage dans un guide d’onde, il faut pour qu’un tel mode existe précédemment, peuvent éventuellement être nuls (mais pas les
au moins deux conducteurs isolés l’un de l’autre comme dans une trois à la fois).
ligne bifilaire, coaxiale, stripline (triplaque) ou microstrip.
Dorénavant, nous réserverons l’axe z pour l’axe du faisceau dans
& Il reste à dire un mot des vitesses de propagation qui caractéri- un klystron. Les modes peuvent être désignés de façon analogue à
un guide d’onde, TEnmp et TMnmp, n et m décrivant la quantification
sent les modes guidés. Nous écrivons vitesses au pluriel, car on
selon les axes perpendiculaires au faisceau, et p la quantification
peut en définir deux (vitesse de phase et vitesse de groupe), repré-
selon z. Si la cavité est cylindrique, ce que nous supposerons doré-
sentées visuellement sur la figure 1. Si on mesure la vitesse à
navant (c’est en général le cas dans un klystron ou une cavité accélé-
laquelle se propage le plan équiphase de l’onde plane sur l’axe z,
ratrice), on conservera la même notation : n pour la coordonnée
il s’agit de la vitesse de phase vf. Si, par contre, on imagine un
radiale, m pour la coordonnée angulaire, p pour la coordonnée lon-
« photon » attaché à l’onde plane et on mesure la vitesse à laquelle
gitudinale (z, l’axe du faisceau). Si le mode a une symétrie de révolu-
celui-ci se propage, projetée sur l’axe z (plan équi-amplitude), on
tion, ce que nous supposerons également, l’indice m est nul et nous
définit la vitesse de groupe vg. Notons que phase et amplitude se
l’omettrons, de sorte que nous parlerons de modes TEnp et TMnp.
déplacent l’une et l’autre à la même vitesse c, si on fait cette
mesure sur l’axe de propagation de l’onde plane plutôt que sur Dans un accélérateur comme dans un klystron, il faut freiner ou
l’axe Oz. On dit souvent que la vitesse de groupe est la vitesse de accélérer un faisceau de particules chargées parallèle à l’axe z. Il
propagation de l’énergie électromagnétique (hf, où h est la cons- faut donc que le champ électrique soit non nul selon cet axe, ce
tante de Planck) et que, pour cette raison, elle ne saurait être supé- qui impose des modes de type TMnp. Le plus simple, et aussi le
rieure à c, en accord avec le principe de la relativité restreinte. Les plus utilisé, est le mode TM10 (figure 3) : l’onde stationnaire est
relations suivantes (et très générales) se déduisent aisément : alors radiale. En pratique, les cavités ont une forme plus complexe
qu’une simple section de cylindre, mais la symétrie de révolution
vφ = ω / β et v g = ∂ω / ∂β est respectée. La notation TM10 devient malgré tout un abus de
langage. Dans une cavité cylindrique TM10, le champ H est trans-
Remarquons la relation suivante (qui n’est pas universelle) : verse par définition, et sa composante radiale est nulle. Quant au
champ E, il n’a qu’une composante longitudinale. Dans une cavité
v φ .v g = c 2 de klystron, les becs renforcent localement l’intensité du champ
électrique par effet de pointe. Sur le mode fondamental, les
Au voisinage de la fréquence de coupure, b est voisin de 0 et k propriétés du champ H sont inchangées, mais le champ E acquiert
est presque perpendiculaire à l’axe Oz. On peut donc représenter (sauf sur l’axe) une composante transverse « parasite ».
cette situation en imaginant l’onde plane faisant des réflexions suc-
Une cavité parfaite n’est pas très utile : comment exciter le
cessives sans progresser selon l’axe Oz. La vitesse de groupe est
champ à l’intérieur d’une boı̂te fermée, et en supposant que ce
pratiquement nulle, mais comme le plan équi-phase est presque
champ existe, en quoi serait-il utile ? Il faut donc pratiquer dans
parallèle à l’axe Oz, la vitesse de phase est presque infinie, ce qui les parois des ouvertures suffisamment petites pour ne pas (trop)
se déduit immédiatement des deux formules ci-dessus. perturber les modes tout en permettant d’injecter ou de soustraire
& Quelques mots pour conclure sur le rapport b/a dans un guide de de l’énergie électromagnétique. Dans une cavité de klystron, ces
section rectangulaire. En général, les guides sont utilisés sur le ouvertures sont soit un iris ou une petite antenne qui relie la cavité
mode fondamental, souvent le mode TE10 pour que l’atténuation à un guide externe (couplage inductif là où le champ H est
soit minimale. La condition de résonance concerne l’axe x (kc = p/a), maximum), soit deux trous alignés selon l’axe z à l’emplacement
la fréquence de coupure fixe a, mais rien n’est dit de la dimension du des becs permettant à un faisceau d’électrons de traverser la cavité
guide selon l’axe y (valeur de b). Comme les fréquences d’utilisation en son centre (figure 3) (couplage capacitif là où le champ E est
sont significativement au-delà de la fréquence de coupure pour que maximum).
le guide ne soit pas trop dispersif, il faut qu’à ces fréquences les À tout instant, une cavité stocke une quantité d’énergie électro-
modes supérieurs (dont le mode TE01) ne soient pas excités, ce qui magnétique W donnée par la formule classique :
impose b << a. Cependant, le rapport a/b ne peut pas être trop élevé,
car les pertes linéiques du mode fondamental tendent vers l’infini ( )
W = ∫∫∫ µ0 H 2 / 2 + ε0 E 2 / 2 .dv (intégrale sur le volume de la cavité)
lorsque la fréquence s’approche de la fréquence de coupure ou
lorsqu’elle tend vers l’infini, avec entre les deux une plage de Dans une cavité cylindrique TM10, énergies électrique et magné-
fréquence où les pertes sont minimales. La valeur des pertes à ce tique sont réparties dans toute la cavité. Par contre, dans une cavité
minimum est d’autant plus élevée que a/b est élevé. Par conséquent, de klystron, du fait de sa forme, l’énergie électrique est concentrée
a/b est de l’ordre de 2 (les dimensions des guides commerciaux sont entre les deux becs et l’énergie magnétique est principalement
normalisées). dans le reste de la cavité.
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R
représentés les champs de révolution) : déformée facilement sur les valeurs de C et de L. La résistance shunt s’en
de symétrie de révolution, (avec des becs) pour former déduit par une formule très simple :
magnétique (circulaire) et une cavité de klystron ;
électrique (longitudinal). le champ électrique
est concentré entre les deux R /Q = (L /C )
becs à cause de leur profil effilé,
la symétrie de révolution Les valeurs exactes de L et C ne sont pas directement accessibles
est respectée. à la mesure ni au calcul, mais il en va autrement de R/Q et de wc, et
L et C s’en déduisent.
Figure 3 – Représentation d’une cavité TM10 Avant de conclure sur les cavités hyperfréquences et le cas parti-
culier des cavités de klystron, il reste à dire un mot sur le problème
Le facteur de qualité d’une cavité de klystron est sa capacité à des « pertes » (nous englobons dans ce terme tout ce qui contribue
interagir avec le faisceau. Ce paramètre est quantifié au travers de à une baisse de l’énergie stockée W au travers d’une puissance dis-
l’impédance shunt de la cavité R (en W), définie de la façon suivante : sipée Pdiss). À la résonance, ces pertes sont résumées dans un fac-
teur unique appelé facteur de surtension, universellement noté par
R = VRF2 / 2Pdiss la lettre Q, et défini par la formule suivante :
Q = ω.W / Pdiss
avec VRF tension crête entre les becs (le champ élec-
trique multiplié par la distance entre becs), qui
Q peut avoir plusieurs origines, chacune apportant sa contribu-
agit sur le faisceau,
tion Qi. Le QT (Q total, aussi noté QL pour Q « chargé ») s’écrit
Pdiss puissance RF dissipée dans la cavité (dans alors sous la forme suivante :
cette définition, on ne retient que les pertes
ohmiques dans les parois). 1/QT = Σ1/Q i
R traduit la capacité du champ RF à moduler le faisceau. Cette défi- En pratique, trois facteurs produisent une dissipation de l’éner-
nition de l’impédance shunt est souvent retenue par les concepteurs gie stockée : les pertes intrinsèques à la cavité (par effet Joule sur
de cavités accélératrices. Les concepteurs de klystrons en préfèrent les parois), les pertes par couplage à un guide extérieur, et les per-
une autre où la résistance shunt est normalisée, c’est-à-dire divisée tes par couplage au faisceau. Les pertes par effet Joule supposent
par le facteur de surtension de la cavité à vide (sans autres pertes une conductivité finie des parois, généralement en cuivre dans un
que les pertes ohmiques), qui s’écrit Q = wW/Pdiss (cf. ci-dessous). klystron (jusqu’à présent, nous avions supposé cette conductivité
Dans ces conditions, l’impédance shunt (en W) devient : infinie). La contribution à Q des pertes par effet Joule est souvent
notée Q0 (surtension de la cavité à vide). Si on retient l’analogie des
R /Q = VRF2 / 2ωW constantes localisée, elle peut s’écrire sous la forme :
QPX
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QPY
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R
conditions, il n’existe aucun échange d’énergie entre l’onde et le
1. TWT à hélice faisceau, puisqu’il y a autant d’électrons ralentis que d’électrons
accélérés. Pour que le faisceau cède de l’énergie, il faut davantage
d’électrons ralentis qu’accélérés, et que l’onde soit plus lente que le
faisceau de quelques pourcents : les paquets quittent alors les
Les TWT ont été imaginés quatre ans après l’invention du klys- zones de champ nul pour s’approcher des zones où le champ Ez
tron (1942) par l’Autrichien Rudolph Kompfner, chercheur pendant est élevé (et positif). Le champ freine ces paquets, qui cèdent leur
la seconde guerre mondiale aux Clarendon Laboratories (Oxford). énergie à l’onde.
Mais c’est John R. Pierce, autre chercheur de grand talent aux Bell
Labs, qui le premier a compris le fonctionnement de ces dispositifs
et en a établi la théorie entre 1944 et 1947 : le faisceau se couple à 1.1 Fonctionnement d’un TWT
une onde électromagnétique dont la vitesse de phase est voisine,
mais très légèrement inférieure à celle des électrons. Intervient Les quelques lignes ci-dessus donnent une idée des TWT, mais
alors un principe physique connu sous le nom d’effet Tcherenkov : ne permettent pas vraiment de saisir leur fonctionnement. Il faut
une particule chargée, animée d’une vitesse à peine supérieure à faire un peu de théorie pour sentir comment une onde électroma-
celle de la lumière dans ce milieu, rayonne de l’énergie. gnétique et un plasma d’électrons interagissent. La théorie de
Ce phénomène est d’ailleurs général en physique ondulatoire : Pierce, qui fournit ces explications, date de la fin des années 1940.
chacun sait qu’un avion volant légèrement au-dessus de la vitesse On n’en reproduira pas ici les détails qui figurent dans plusieurs
du son cède une partie de son énergie cinétique sous forme d’une traités [1] [2] [3] [4], mais on peut tracer les grandes lignes du rai-
onde de choc acoustique (le « double bang »). L’originalité du TWT sonnement et en déduire les principaux résultats.
à hélice (pour prendre cet exemple) tient à la façon dont l’onde est
ralentie pour assurer ce « quasi » synchronisme. Au lieu de se pro- 1.1.1 Notations
pager dans un milieu matériel d’indice supérieur à 1, qui ferait obs- Fixons au préalable quelques notations. La théorie de Pierce
tacle au faisceau, l’onde suit une trajectoire hélicoı̈dale dans le décrit l’interaction entre deux systèmes couplés : un faisceau élec-
vide, qui la ralentit d’un facteur 1,5 à 8 ; la physique ne s’oppose tronique de section cylindrique S, qui se propage selon l’axe Oz, et
donc pas à ce que les électrons qui circulent sur l’axe de l’hélice une onde électromagnétique de pulsation w et de symétrie égale-
soient plus rapides que la lumière. ment cylindrique, qui suit le même chemin : par exemple, en
À très grosses mailles, un TWT à hélice fonctionne de la manière s’enroulant le long d’une hélice. L’onde est caractérisée par un
suivante : délivré par un canon et caractérisé par une tension champ électrique E et un champ magnétique H. L’axe Oz étant
d’accélération Vk et un courant Ik, un faisceau continu d’électrons l’axe du faisceau et celui de l’hélice, pour des raisons de symétrie,
ces champs, lorsqu’ils sont mesurés sur l’axe où circule le faisceau,
suit l’axe Oz de l’hélice à la vitesse v 0 fixée par 1 mv 2
2 0 = eVk dans
n’ont qu’une composante parallèle à cet axe (Ez et Hz). Comme ce
l’approximation non relativiste valable pour un TWT dans la plu- sont les échanges d’énergie entre le faisceau et l’onde que nous
part des cas (avec m et e respectivement masse et charge de cherchons à décrire, seule Ez nous intéresse.
l’électron) :
Nous noterons v 0 et r0 la vitesse des électrons et la densité électro-
c /v 0 ≈ 16 / Vk (Vk en kV ) nique dans le faisceau (supposée uniforme sur la section S) en
l’absence d’interaction avec le champ (donc en entrée de la ligne).
Un champ électromagnétique externe de faible puissance et de
pulsation w est couplé à une extrémité de l’hélice (celle qui est pro-
Vk ( 12 (m/e).v 02 ) et lk (S .v 0 .ρ0 ) représentent respectivement la tension
che du canon) et se propage le long de celle-ci dans la même direc- d’accélération du faisceau et le courant non modulé en entrée de
tion que les électrons. Mesuré sur l’axe, le champ électrique de la ligne. Et nous noterons be et le deux grandeurs caractéristiques du
cette onde est, pour des raisons de symétrie, parallèle à l’axe Oz, faisceau, homogènes (par construction) à des vecteurs et à des
et si Vk et les caractéristiques géométriques de l’hélice sont conve- longueurs d’onde :
nablement choisies, il se propage à la même vitesse que les élec- βe = ω /v0 = 2π / λe
trons. Il y a alors interaction entre l’onde et le faisceau qui, dans
un premier temps, « bunche » le faisceau (le scinde en paquets). L’onde se propage dans une structure de guidage dispersive
Cela se conçoit aisément si on se place dans le référentiel des élec- comme une hélice, choisie telle que sa vitesse de phase vf
trons. Ceux-ci, grâce au synchronisme, voient un champ RF Ez cons- (en l’absence d’interaction avec le faisceau) soit inférieure à
tant et les zones du faisceau où Ez est maximal se dépeuplent au la vitesse de la lumière dans le vide c (ce qui exclut par exemple
profit des zones où le champ est nul ; peu à peu, des paquets se que cette structure guidée soit un simple guide d’onde). Cette
forment là où le champ est voisin de zéro. Sauf que, dans ces structure dispersive est de plus choisie de sorte qu’à la
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pulsation w, v φ ≈ v 0 : c’est la condition de synchronisme sur du mouvement d’ensemble du faisceau (dv/dt = ∂v/∂t + v0.∂v/∂z), et
la charge d’espace ajoute une composante Ece au champ RF :
laquelle nous reviendrons. Pour garder un caractère général aux Ez = EzRF + Ece. Cependant, la charge d’espace satisfait l’équation
propos qui vont suivre, nous n’en dirons pas davantage sur la de Poisson : divEce + r/e0 = -jb.Ece + r/e0 = 0. En combinant ces
structure de guidage, sauf qu’elle est homogène sur toute la lon- équations, on obtient l’équation électronique :
gueur d’interaction entre le faisceau et l’onde. Nous l’appelle-
δi / E z = j.βe .Ik / 2Vk × 1/ ⎡⎢ωq2 /v 02 − ( β − βe ) ⎤⎥
rons ligne à retard parce qu’elle retarde l’onde. Il pourra s’agir 2
d’une hélice métallique, de cavités couplées, d’un guide d’onde ⎣ ⎦
replié, ou d’un guide d’onde chargé périodiquement.
Avant de poursuivre, il importe de saisir la physique que résume
Nous adopterons les notations suivantes concernant l’onde cette équation. Si nous calculons le rapport entre dv (modulation de
électromagnétique : vitesse) et dr (modulation de densité), nous trouvons :
– k(w) pour le vecteur d’onde de l’onde électromagnétique dans
la structure guidée, en l’absence de faisceau : vf (w) = w /k(w) ; δv /v 0 = δρ / ρ0 . ( βe − β ) / β
R
– b (w) pour le vecteur d’onde de l’onde électromagnétique dans
la structure guidée en présence de faisceau (l’onde en présence du La condition de synchronisme implique que b soit proche de be.
faisceau est une onde couplée qui n’existe qu’au voisinage du Imaginons un instant que ces deux valeurs soient égales. Alors, il
synchronisme). n’y a pas de modulation de vitesse, et di se réduit à une modulation
de densité. Dans ces conditions, b n’a pas de composante imagi-
k et b sont deux vecteurs parallèles à l’axe Oz. naire et l’onde n’est ni atténuée, ni amplifiée. Pour qu’il y ait ampli-
La courbe de dispersion b(w) au voisinage du synchronisme est fication, il faut que l’onde, qui au premier ordre « ressemble » à
celle que nous cherchons à établir. Comme l’objectif est de décrire une onde de densité, possède une modulation de vitesse qui, bien
un mécanisme d’échange d’énergie entre le faisceau et l’onde, que moins prononcée, explique le phénomène d’amplification.
conduisant à une amplification de cette dernière, b(w) doit possé- Il existe une différence fondamentale entre le faisceau d’électron
der une composante réelle et une composante imaginaire, la com- dans un klystron et celui dans un TWT. Un klystron exploite essen-
posante imaginaire reflétant l’amplification de l’onde couplée – ou tiellement la modulation de vitesse, qui induit ponctuellement des
son atténuation, selon son signe, au fur et à mesure qu’elle se pro- pics de densité. Un TWT, par contre, fonctionne avant tout sur une
page le long de Oz. onde de densité, même si la modulation de vitesse est sous-jacente
Concernant le faisceau électronique, nous ferons les hypothèses et nécessaire pour en expliquer le fonctionnement.
suivantes : suite à l’interaction avec le champ électrique Ez, la & L’équation du circuit décrit comment le faisceau modulé rayonne
vitesse électronique est modulée, ainsi que la densité électronique,
son énergie. Pour l’établir, il faut connaı̂tre les conditions aux limi-
et par conséquent le courant électrique ; c’est une onde « plasma »
tes, donc la géométrie de la ligne à retard. Procédant de manière
car la charge d’espace s’oppose à cette modulation et introduit une
plus générale, Pierce pose qu’en tout point de la ligne de coordon-
fréquence propre de résonance (la fréquence plasma). La modula-
née z0, le champ électromagnétique est la somme de deux contri-
tion du courant électrique est à la même pulsation w que l’onde
butions : le champ RF injecté en entrée de la ligne et qui se propage
électromagnétique en entrée. Pour des raisons de continuité,
en l’absence d’interaction avec le faisceau (facteur multiplicatif
l’onde plasma et l’onde électromagnétique en présence du faisceau
exp(-jkz0)), et le champ électromagnétique correspondant à l’éner-
(l’onde couplée) possèdent la même loi de dispersion b(w).
gie cédée par le faisceau. Celle-ci est générée en tout point z de la
ligne (contribution dE(z)), et la contribution totale en z0 est la
1.1.2 Théorie de Pierce somme de toutes les micro-contributions dE(z π z0) en prenant en
Même si elle fait intervenir la charge d’espace, la théorie de compte l’impact de la propagation entre z et z0 (facteur multiplicatif
Pierce que nous allons décrire reste une théorie « petits signaux ». exp(-jb(z - z0)). Comme l’onde peut se propager dans les deux
En présence d’interaction avec l’onde RF, vitesse v, densité r et cou- sens, la contribution totale en z0 intègre les contributions pour
rant i à tout instant et en tout point du faisceau modulé prennent la z < z0 (onde progressive) et les contributions pour z > z0 (ondes
forme suivante : régressives).
v (z, t ) = v 0 + δv .expj (ω t − βz) Reste à estimer la contribution élémentaire dE(z). Pierce procède
par analogie en introduisant l’impédance de couplage Z, qui quan-
ρ (z, t ) = ρ0 + δρ expj (ω t − βz)
tifie le transfert d’énergie du faisceau vers l’onde :
i (z, t ) = Ik + δi .expj (ω t − βz) = S .ρ (z, t ) .v (z, t )
p Z = E z2 / 2β2P
Par hypothèse, dv<<v0 et dr<<r0. Nous notons wp = (er/me0) la
fréquence plasma dans le faisceau et wq = F.wp, la fréquence de avec P puissance RF véhiculée par le faisceau (P = vg.W,
plasma réduite ; F est le « facteur de réduction » de la fréquence où vg est la vitesse de groupe de l’onde et W
plasma, de l’ordre de 0,35 pour un TWT [E 1 621]. (en J/m), l’énergie stockée par unité de longueur
Pour établir la relation de dispersion b(w), il nous faut écrire deux du faisceau),
équations qui l’une et l’autre relient le champ Ez à la modulation de Ez champ électrique crête (parallèle à Oz)
courant di. La première indique comment un champ Ez induit une moyenné sur la section du faisceau.
modulation de courant di, c’est l’équation électronique. La seconde
précise comment une modulation de courant di modifie le champ Ez En utilisant la représentation symbolique de Pierce (où la ligne à
par rayonnement du faisceau, c’est l’équation du circuit. retard est assimilée à une succession de cellules LC – la ligne
p
& L’équation électronique se déduit en écrivant l’équation de du télégraphiste classique), Z = (L/C), mais faute d’une représen-
Lorentz pour chaque électron (m.dv/dt=-eEz), complétée par l’équa- tation physique de L et C, cette formule ne nous apprend pas
tion de conservation de la charge électrique (ou équation de conti- grand-chose – si ce n’est que l’impédance de couplage est un para-
nuité : ∂i/∂z=-S∂r/∂t). Comme les termes quadratiques dr.dv sont mètre géométrique présentant une certaine analogie avec l’impé-
négligeables, la conservation de la charge électrique s’écrit : dance shunt introduite à propos des cavités électromagnétiques.
L’expérience montre qu’elle est comprise entre 10 et 150W. Sans
δi = ω.δρ.S / β autre hypothèse sur la ligne à retard, on déduit du raisonnement
ci-dessus que l’équation de circuit doit avoir la forme suivante :
Le traitement de l’équation de Lorentz est plus compliqué. Il faut
prendre en compte dans le calcul de l’accélération (dv/dt) l’impact (
δi / E z = k β2Z / β2 − k 2 )
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Cette équation n’est d’aucune aide pour évaluer l’impédance de Notons que b1 peut s’écrire sous la forme :
couplage. Pour la calculer, il faudrait exprimer le fait que le courant
d’influence IRF dans la structure de la ligne à retard est égal à la β1 ≈ βe . (1 + C / 2) .expj ( 3C / 2 )
modulation de courant dans le faisceau dI (théorème de Ramo).
De ce courant d’influence, on déduirait le champ magnétique RF, l1 associé à b1, est plus petit que le et l dans un rapport 1 + C/2,
donc le champ électrique Ez. Mais ce calcul exige de savoir com- et l’onde couplée est légèrement
ment la ligne à retard est constituée physiquement (§1.2.5 pour p déphasée par rapport à l’onde
non couplée, d’un angle égal à 3C/2 : 0,86.C << p/2.
une hélice).
La vitesse de phase de l’onde couplée vfc = w /b est donc diffé-
L’équation de dispersion b(w) se calcule en éliminant le quo- rente de la vitesse de l’onde en l’absence de faisceau vf = w /k intro-
tient di/Ez des deux équations (électronique et circuit), soit : duite précédemment. Cette théorie donne une estimation du gain
du tube G dans le cas de l’onde lente b1, déduite de la composante
2 βe .k .β2.C 3 = ⎡⎣ β2 − k 2 ⎤⎦ . ⎡⎢ βq2 − ( β − βe ) ⎤⎥
2
⎣ ⎦ imaginaire de b1 :
(( ) )
R
Nous avons introduit dans cette équation le vecteur d’onde G = (1/ 3) .exp 3 / 2 .C .βe .L ou G (dB) = − 9,45 + 47,3.C .N
plasma bq = wq /v0 et le premier coefficient de Pierce C (sans dimen-
sion), défini par la formule suivante : L représente la longueur de la ligne et N = L/le. Il s’agit d’une
estimation du gain en petits signaux, qui néglige l’impact de la
C 3 = Ik .Z / 4Vk = Z / 4Z f charge d’espace.
avec Zf impédance du faisceau = Vk /Ik. Si les calculs avaient été faits à une pulsation w telle que k π be,
ils auraient donné un gain plus faible, et plus l’écart entre k et be
aurait été important, plus le gain aurait été faible, jusqu’à atteindre 0
Rappelons que βe (ω / v 0 ) caractérise le faisceau non modulé, avec (§1.2.6). En l’absence de charge d’espace, la condition k = be est
k = w/vf l’onde en l’absence de faisceau, b(w) l’onde couplée, et donc la condition de synchronisme pour une interaction maximale.
La bande de fréquence dans laquelle le gain est non nul est la
βq = βq / v 0 l’oscillation plasma. bande d’amplification du TWT, en général supérieure à la bande
passante du dispositif, limitée par d’autres facteurs comme des
1.1.3 Interaction faisceau – Champ RF en l’absence désadaptations en entrée ou en sortie.
de charge d’espace
1.1.4 Interaction faisceau – Champ RF en présence
Supposons dans un premier temps que l’effet de la charge
de charge d’espace
d’espace soit négligeable (bq = 0), et plaçons-nous à la pulsation w
telle que k = be (nous supposons que la courbe k(w) et la Aurions-nous tenu compte de la charge d’espace, nous aurions
droite be (w) présentent un point d’intersection). Faisons de plus trouvé deux conditions de synchronisme plutôt qu’une :
l’hypothèse que b (qui décrit l’interaction, donc l’onde couplée)
est peu différent de k, donc de be, ce qu’on peut écrire sous la
forme :
(
v φ = ω / k = v 0 / 1 + ωq / ω ) (
ou k = βe + βq βq = ωq /v 0 ) et
(
v φ = ω / k = v 0 / 1 − ωq / ω ) ou k = βe − βq
β = βe + ζ
Plus remarquable, nous aurions retrouvé associées à la condi-
avec z grandeur (inconnue) petite devant be. tion k = be + bq les deux solutions à ondes lentes, et à la condi-
tion k = be - bq la solution à ondes rapides (§ 1.2.6). Du fait de la
L’équation de dispersion se simplifie alors considérablement : charge d’espace, ondes lentes et ondes rapides ne coexistent pas
à la même fréquence.
ζ 3 = − βe3C 3 Pour les ondes lentes, on pose souvent wq /w = C.g, g étant com-
pris entre 1 et 1,5. L’écart entre vf et v 0 est de l’ordre de 8 à 12%
Cette équation a trois racines (correspondantes aux trois racines jusque vers 15GHz et ensuite décroı̂t jusqu’à des valeurs de l’ordre
cubiques de (-1) : expjp/3, exp-jp/3 et -1), qui donnent trois valeurs de 3 à 4% au-delà de 30GHz. Ces équations fournissent une
possibles pour b : description assez exacte de la réalité.
β1 = βe + βeC / 2 + j ( )
3 / 2 .βeC
Revenons sur la physique du phénomène en portant notre atten-
tion sur l’onde amplifiée : au fur et à mesure que l’onde lente pro-
β2 = βe + βeC / 2 − j ( 3 / 2 ) .βeC gresse de concert avec le faisceau, son intensité augmente alors
β3 = βe − βeC que les paquets d’électrons se creusent. Cependant, le front
d’onde et le front des ondulations de courant possèdent une
Trois ondes couplées se propagent. La seconde b2 va en s’atté- vitesse (la vitesse de phase) plus faible que la vitesse moyenne
nuant et disparaı̂t rapidement ; elle ne présente aucun intérêt pra- des électrons, elle-même à peu près égale à la vitesse initiale du
tique. La première b1 va en s’amplifiant (c’est l’objectif recherché), faisceau. Cela tient au fait que le courant di est la somme d’une
et la dernière b3 n’est ni amplifiée, ni atténuée (absence de compo- onde de densité dr et d’une onde de vitesse dv, déphasées l’une
sante imaginaire). Les deux premières ondes sont des ondes lentes par rapport à l’autre d’environ 60 ; l’écart de phase entre di et dr
(parties réelles de b1 et b2 >be : elles se déplacent moins vite que le est lui-même très faible (0,86.C), compris entre p/40 (4,5 ) et p/180
faisceau), et la dernière est une onde rapide (b3 < be ; le faisceau, (1 ) selon la valeur de C.
plus lent, ne cède pas d’énergie à l’onde).
Dans un tube à hélice, C vaut entre 0,02 et 0,07 et dépend du rap-
(
δv /v 0 = δρ / ρ0 . ( βe − β ) / β ≈ δρ / ρ0 .C .expj π / 3 − 3C / 2 )
port entre le diamètre du faisceau et celui de l’hélice. La compo-
sante réelle de b donne la vitesse de phase de l’onde couplée, qui De la même façon, Ez est déphasé par rapport à di de 150 . En
peut s’écrire : effet, l’équation électronique s’écrit, en négligeant la charge
d’espace :
v φc = ω / β ≈ v 0 . (1 − C / 2) (ondes lentes, ≈ v 0 − 1 à 3 %)
v φc = ω / β ≈ v 0 . (1 + C ) (onde rapide, ≈ v 0 + 2 à 7 %)
( )
δi / E z = − j .βe .Ik / 2Vk × 1/ ( β − βe ) ≈ Ik / 2C 2 βeVk × expj 5π / 6
2
QQR
r←ヲ←イ・ョ」・@iョエ・イョ・エ
eQVRR
Que ce déphasage soit inférieur à 180 explique que les électrons L’explication théorique de ces formules n’est pas évidente, et il
sont davantage ralentis qu’accélérés (figure 1). est remarquable de constater que le premier coefficient de
Pierce, introduit dans une théorie « petits signaux », décrit très
Une limite du raisonnement saute aux yeux : pour que l’onde bien le comportement à saturation des TWT. Attention, il s’agit
gagne en énergie, il faut que le faisceau en moyenne ralentisse, ce du rendement d’interaction (PRF /Ik.Vk), et non pas le rendement
qui contredit le fait que la vitesse des électrons est en moyenne total (PRF /PDC), en général très supérieur (§ 1.4).
égale à v 0 . Que la présence d’harmoniques (générant une distor-
sion de l’onde plasma) ait été négligée va dans le même sens :
cette théorie permet de comprendre ce qui se passe à bas niveau, 1.2 TWT à hélice
mais elle est impuissante à quantifier le fonctionnement à
saturation. 1.2.1 Description d’un TWT à hélice
1.1.5 Fonctionnement à saturation Imaginée par Kompfner dès 1942, la structure la plus classique de
ligne à retard d’un TWT est une hélice. À quoi ressemble-t-elle ?
À bas niveau, le gain d’un amplificateur TWT est proportionnel à Imaginons un câble coaxial dont on déforme l’âme pour la rendre
la longueur L de la ligne : au fur et à mesure que l’on progresse le hélicoı̈dale, tout en conservant la masse électrique inchangée. Si la
long de celle-ci, les paquets d’électrons se forment tout en cédant déformation est faible, la propagation de l’onde dans ce milieu
un peu de leur énergie cinétique (sinon il n’y aurait pas d’amplifica- « pseudo-coaxial » reste proche d’un mode TEM, c’est-à-dire
tion). Peu à peu, leur ralentissement devient sensible et le faisceau, absence de coupure aux basses fréquences et vitesse de phase
en moyenne ralenti, s’écarte de la condition de synchronisme. Très peu dépendante de la fréquence. Mais, par rapport au mode TEM,
souvent, on compense cette perte de synchronisme en introduisant certaines lignes de champ électrique quittent l’âme hélicoı̈dale
en bout de ligne un taper, c’est-à-dire une modification du pas de pour se refermer sur l’âme (et non plus sur la masse), un peu plus
l’hélice (pour un TWT à hélice) qui maintient le synchronisme en loin : le champ électrique acquiert une composante longitudinale Ez.
ralentissant un peu plus l’onde. Si la déformation est importante, la composante Ez est renforcée, la
courbe de dispersion reste peu dispersive, mais les lignes de champ
Enfin, au fur et à mesure de l’amplification, la modulation se partant de l’hélice se referment essentiellement sur l’hélice. Le cylin-
creuse et les électrons se regroupent, mais passé un certain point dre métallique (le fourreau) conserve pour principale fonction de
leur étalement se stabilise aux alentours de 100 (sur 360 ). Incapa- blinder l’hélice et de fournir un pont thermique entre celle-ci et le
bles de se regrouper davantage, les électrons cèdent de moins en monde extérieur ; il doit de plus être transparent au champ magné-
moins d’énergie, tout en réabsorbant une partie croissante, jusqu’à tique pour permettre une focalisation du faisceau grâce à un focali-
ce qu’ils en absorbent autant qu’ils en cèdent : parvenu à satura- sateur situé à l’extérieur de l’enveloppe à vide.
tion, le tube cesse d’amplifier. C’est ici que la sortie RF du TWT
doit être située ; le processus de bunching est donc moins efficace La réalisation physique d’une hélice est compliquée, car pour
que dans un klystron, puisqu’à saturation les électrons les plus que le faisceau d’électrons puisse circuler sur son axe, elle doit
lents sont loin d’avoir une vitesse presque nulle ; de plus, la pro- être suspendue dans le vide. On l’obtient en bobinant sur un man-
fondeur de modulation est d’environ 1,4 contre 1,6 - 1,7 pour un drin un fil de métal réfractaire (tungstène ou molybdène). L’hélice
klystron, le maximum théorique étant de 2. Dernière différence par est maintenue en position par trois barreaux en céramique de
rapport aux klystrons, les électrons en sortie de ligne se divisent en faible permittivité (les « montants », en BeO ou en BN) qui s’inter-
deux populations : ceux qui ont été freinés (ils ont perdu entre 40 et calent, espacés de 120 , entre l’hélice et la paroi interne du fourreau
50% de leur vitesse initiale), et ceux qui n’ont pratiquement pas été cylindrique. L’ensemble hélice + montants + fourreau constitue la
freinés. ligne à retard du TWT (figure 2).
Dans les années 1950 à 1960, les chercheurs ont consacré beau- 1.2.2 Propagation de l’onde en l’absence
coup d’énergie pour décrire les TWT à saturation. Pierce a introduit
de faisceau
( )
un second coefficient QC QC = ωp2 / 4C 2ω 2 , lié à la charge
d’espace, et il a suggéré que le rendement
p d’interaction à satura- En théorie, en l’absence de faisceau, la bande passante d’un TWT
tion serait de l’ordre de h
pint = 8C. QC (d’autres ont proposé la for- à hélice est infinie. En pratique, bien sûr, il n’en est rien, même si
mule suivante : hint = 4C. QC (Cutler)). Influencés sans doute par le elle peut atteindre plusieurs octaves. Pour comprendre les lois qui
fonctionnement du klystron, Pierce et Cutler attribuaient la satura- gouvernent la propagation de l’onde le long de l’hélice (en
tion à la charge d’espace. Cependant si l’étalement du faisceau se l’absence de faisceau : vecteur d’onde k), mieux vaut procéder par
stabilise autour de 100 , c’est peut-être aussi parce que les étapes. L’outil le plus pédagogique est le diagramme de Brillouin
QQS
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© Techniques de l’Ingénieur E 3 420 − 1
QQU
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eSTRP
1. Principaux matériaux
à assembler 5 000
R
Les principaux matériaux à assembler sont les aciers inoxydables 500
austénitiques et ferritiques ; le cuivre à haute conductivité 400 Nickel
électrique ; les alliages cupronickel (comprenant les monels) ; le fer 300 Tantale
non allié ; les alliages fer-nickel, fer-nickel-cobalt, fer-nickel-chrome ;
200 Niobium
le graphite conventionnel, les alliages Inconels, le molybdène non
allié, les alliages molybdène-rhénium, le nickel non allié, les nickels Fe-Ni-Co (Kovar)
150
alliés, le niobium, le tantale, le titane, le tungstène non allié, les allia- Titane
ges tungstène-rhénium, le zirconium. Cette liste n’est pas complète 100 Zirconium
et ne contient pas, entre autres, des métaux et alliages d’apport 80 Cuivre
pour brasages qui font l’objet du paragraphe 2.1.7. 60 Graphite polycristallin
50
■ Matériaux isolants 40
Les principaux sont les alumines frittées à teneur en Al2O3 de 93 30
à 98 % ou supérieure à 99 %, la forstérite, la glucine (oxyde de
béryllium), la magnésie, le saphir, la stéatite, les verres durs et ten- 20
dres, le nitrure de bore, le diamant. 15
0
0 500 1 000 1 500 2 000 2 500
Température (°C)
10
Allongement relatif ∆L /L (en 10– 3)
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E 3 420 − 2 © Techniques de l’Ingénieur
QQV
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eSTRP
Charge de rupture
à la compression (MPa)
2 500
Lors de la description des différentes méthodes d’assemblage, il
sera fait appel à certaines propriétés comme la température de 2 000 A l um
fusion, l’allongement thermique et la charge de rupture ; ces pro- in e à
99 %
priétés sont rappelées par les courbes des figures 1, 2, 3 et 4 et les 1 500
Alum
tableaux 1 et 2. ine à
1 000 95 %
(0)
Oxyd
Stéatite, e de b
é r y ll i u m
500 forstérite
Tableau 2 – Températures limites d’utilisation et de fusion
R
de quelques matériaux isolants 0
0 500 1000 1500
Te m pé rature Température (°C)
Charge de rupture
à la traction (MPa)
(1) (oC)
400
Alum ine fritté e (te ne ur e n Al 2O 3 : 93 à 98 % ) .. 1 650 à 1 700
S a p h ir
Alum ine fritté e (te ne ur e n Al 2O 3 >99 % ) ......... 1 725 2 000 à 2 050 300
Alumine à 99 %
Forsté rite ............................................................... 1 400 1 890
200
Gluc ine (te ne ur e n B e O : 93 à 98 % ) ................. 1 700 Alumine à 95 %
Gluc ine (te ne ur e n B e O >99 % ) ........................ 1 850 2 570 100
Forstérite, oxyde de bé
Saphir .................................................................... 1 800 2 050 ryllium, st
éatite
0
(1) En atm osphè re non ré duc tric e , e n l’abse nc e de toute c ontrainte . 0 500 1000 1500
Température (°C)
b à la traction
10
Allongement relatif ∆L /L (en 10– 3)
8
2. Méthodes d’assemblage
7
de pièces métalliques
%
0
,5
6 2.1 Brasage
99
et
e
96
rit
à
té
5
um
lli
3
it e
at
2 mouillage est petit entre ces éléments ; cela implique que ceux-ci
98
à
93
se combinent partiellement pour former une solution solide ou
e s bien un composé intermétallique. Un métal d’apport doit donc être
1 in sélectionné soigneusement, parmi les matériaux possibles, d’après
um
Al sa température de fusion et son aptitude à former des alliages avec
les éléments à braser, et cela indépendamment d’autres caractéris-
0
tiques nécessaires pour l’utilisation particulière qui est envisagée :
0 100 200 300 400 500 600 700 800 900 1 000
qualités mécaniques, électriques, chimiques, résistance à la corro-
Température (°C) sion, etc. Les métaux d’apport sont dits pour brasage tendre (ou
soldering en anglais) ou pour brasage fort (ou brazing en anglais)
Figure 3 – Allongement thermique des céramiques suivant que leur température de fusion est inférieure ou supérieure
en fonction de la température à 450 oC. Les points importants à prendre en considération pour un
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