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1ªExperiência: Transistor de Efeito de Campo de Junção JFET

Transistor de Efeito de Campo de Metal Oxido Semicondutor MOSFET

Parâmetros e Polarização

Objetivos: Polarizar transistor de efeito de campo de junção (JFET)


Comparar os vários métodos de polarização

Introdução teórica:

FET: A característica fundamental de um transistor de efeito de campo de junção (JFET), é


o fato de sua impedância de entrada ser extremamente elevada, com isto a corrente de
saída (dreno) dependerá exclusivamenteda tensão entre gate e source. Característica não
possível no TBJ já estudado.

Curvas de Dreno
Como no TBJ a curva de dreno é semelhante a de corrente de coletor. Há uma região de
saturação, uma região ativa (amplificação linear).

. Curva de transcondutância
Gráfico da corrente de saída versus a tensão de entrada, Id em função de V GS. A curva de
transcondutância da figura baixo é um trecho de parábola. A sua equação é dada por:

ID = IDSS [1 – VGS / VGSoff]2


Onde: Idss => corrente de saturação de dreno (VGS=0)
VGSoff => tensão entre porta e fonte para o corte (ID=0)

MOSFET: O nome MOSFET é a abreviação do termo Metal Oxido Semicondutor Field


Effect Transistor (Transistor de Efeito de Campo – Metal Óxido Semicondutor). Por possuir
uma porta isolada do substrato, a impedância de entrada deste componente se torna
altíssima (muito maior que a do JFET), fazendo com que a corrente de entrada da porta
seja praticamente nula.
Existem dois tipos de MOSFET, o MOSFET de Depleção e o MOSFET de Acumulação.

MOSFET Tipo Depleção

Para compreendermos o funcionamento, vamos tomar o modelo acima, que se trata de


um MOSFET de canal N. Ao aterrarmos o substrato P (SS), e VGS=0, temos uma corrente
circulando entre Dreno e Fonte (VDS), pois já existe um canal formado, mas se aplicarmos
uma tensão negativa na porta (VGS<0), surge um campo elétrico que atrai para uma
regiãouma certa quantidade de lacunas, mas lembrando que a corrente que circula no
canalNé formada por elétrons, cria-se uma camada de depleção, que aumenta a
resistênciadocanal. Se agora aplicarmos a tensão de porta positiva (VGS>0), ocorre o
efeito contrário,ocampo elétrico atrai para o canal uma certa quantidade de elétrons, o que
reduz a resistência do canal, aumentando a corrente elétrica que circulará pelo mesmo.

Simbologia
MOSFET Tipo Acumulação

Para esse tipo de MOSFET não existe um canal ligando dreno e fonte, é preciso aplicar
uma tensão positiva na porta de forma a criar o canal.

Funcionamento básico
Tomando como exemplo o MOSFET canal N acima, quando polarizado a Porta com uma
tensão positiva, cria-se um campo elétrico entre G e SS, que atrai os elétrons para as
proximidades da porta, criando um canal entre Dreno e Fonte. Em função desta tensão,
podemos controlar a largura deste canal, e consequentemente a corrente que por ele
circula.
Curvas Características de Dreno e Transferência

São curvas muito semelhantes às vistas para o transistor JFET, observando que ao
contrário do JFET, é possível inverter a tensão de porta sem que apareça corrente na
entrada.

Circuitos de Polarização e Amplificadores

Os circuitos para polarização do MOSFET são essencialmente os mesmos aos usados


para o JFET
Parte Prática

Componentes utilizados:
Resistores: (1) 470; 680; 1K; 1K5; 2K2; 4K7; 6K8; 8K2; 10K; 33K; 100K e 470K [Ω]
Capacitores: (2) 1µF
JFET: (1) BF245C
MOSFET: (1) FQP44N10
Medição de parâmetros em um JFET (Idss e VGSoff)
1- Consiste em medir Idss do JFET:
Montar o circuito da figura 1a. Medir a corrente do dreno anotando na tabela.
2- Consiste em medir VGSoff do JFET:
Aumente a tensão negativa na porta até que a corrente de dreno esteja próxima de
10µA(ajuste o multiteste para ler este valor). Anote o valor aproximado de V GSoff ou VGSdesll
na tabela 1.

tabela 1
JFET IDSS VGSoff
1

Tipos de polarização
a) Polarização da porta
Na polarização da porta é aplicado uma tensão negativa fixa no terminal G que polariza
reversamente a porta do JFET. Isto produz uma corrente Id menor do que Idss.
1-Utilizar o circuito da figura 1b acrescentando um voltímetro para VGS.
2-Ajustar VGG para -1.5V e medir VGS, ID e VDS anotando na tabela 2.

tabela 2

JFET VGS ID VD
1

b) Autopolarização
Consiste em acrescentar um resistor no terminal fonte do JFET, e assim a queda de
tensão sobre o mesmo provocará uma variação na largura do canal do JFET produzindo
um certa estabilidade do ponto Q.
1-Montar o circuito de autopolarização da figura 2.
2- Medir e anotar na tabela3: ID, VD e VS.
tabela 3
JFET ID VD VS
1

4-Compare os valores de corrente de dreno dos circuitos de polarização da porta e


autopolarizado. Anote no relatório o observado.

c) Polarização por divisor de tensão


Utiliza basicamente um divisor de tensão na porta do JFET como é feito na polarização do
TJB.
1- Montar o circuito da figura 3.
2-Medir e anotar na tabela 4 os dados obtidos.
3-Comparar os dados com os das tabelas 2 e 3. Qual a conclusão e anota-la em relatório.

tabela 4
JFET Id Vd Vs
1

d) Polarização por Fonte de Corrente


Utiliza basicamente um circuito com transistor bipolar fornecendo corrente constante de
dreno.
1- Montar o circuito da figura 4.
2-Medir e anotar na tabela 5 os dados obtidos.
3-Comparar os dados com as demais tabelas. Qual a conclusão e anota-la em relatório.

tabela 5
JFET Id Vd Vs
1
2ª Experiência: ANÁLISE DOS FET’s PARA PEQUENOS SINAIS

Introdução teoria:
Os dispositivos FET podem ser empregados para montagem de circuitos amplificadores,
proporcionando ganho de tensão com uma impedância de entrada muito alta. Tanto o
dispositivo JFET quanto o MOSFET de depleção podem ser utilizados como
amplificadores, com ganhos de tensão próximos entre si. O circuito com MOSFET de
depleção, entretanto, apresenta uma impedância de entrada muito mais alta do que o
circuito semelhante com JFET.
Enquanto o dispositivo TBJ controla uma alta corrente de saída Ic por meio de baixa
corrente de entrada IB, o dispositivo FET controla uma corrente de saída ID por meio de
baixa tensão de entrada VGS. O circuito equivalente AC do FET é basicamente mais
simples do que do TBJ onde se verifica um ganho de corrente β e para o FET uma
transcondutância gm.
Para desenvolver a análise AC de um circuito utilizando dispositivos FET, precisamos,
primeiro, obter um circuito equivalente AC para o dispositivo. O modelo do circuito a ser
utilizado é aplicável a vários tipos de dispositivos FET. A característica mais importante da
operação AC do FET é que uma tensão AC aplicada aos terminais porta-fonte do
dispositivo controla a corrente entre os terminais dreno-fonte.
Podemos considerar este controle como uma condutância (corrente dividida pela tensão)
de transferência (de um ponto do circuito para outro), ou parâmetro de transcondutância
gm normalmente definido por:
gm = _IDS . Eq.1
VGS

Para um dispositivo FET, o valor de gm pode ser obtido da equação de Shockley

Eq.2 gm = gmo ( 1 – VGS ) e gmo = 2IDSS Eq.3


VP |VP|

O valor fixo de gmo é a transcondutância do FETno ponto de polarização V GS = 0V, e


representa a máxima transcondutância do dispositivo. O valor de gmo não varia para um
mesmo dispositivo, e não é afetado pela escolha do ponto de polarização.

A Fig.31 nos demonstra que gm representa a inclinação da curva de transferência no ponto

de polarização dc (ponto Q). Lembre que gm representa o quanto ID varia devido a uma
variação da tensão VGS – por isso ele indica a inclinação da curva. Em qualquer ponto de
polarização na região de operação, o valor obtido de g m é menor do que o valor de gmo. O
maior valor de gm é definido pela Eq.3 como sendo igual a gmo, e ocorre no ponto de
polarização VGS = 0V.
Descrição gráfica de gm: o valor de gm pode ser obtido em um ponto de polarização
particular, por meio da Eq.2 ou graficamente, pela inclinação da curva de transferência em
um ponto de polarização dc.

Modelo ideal CA para JFET

A fig.33 mostra um circuito equivalente ca simples para um JFET, onde R GS é a resistência


entre porta e fonte de valor muito alto da ordem de dezena a centena de mega ohms. O
dreno funciona como uma fonte de corrente com um valor g mvgs e se conhecermos esses
valores poderemos calcular a corrente de dreno ca. Esse modelo é uma primeira
aproximação porque ele não inclui a resistência interna da fonte de corrente, a
capacitância etc., logo para baixas frequências , podemos usar esse modelo ca simples.
Rd VDD
Rg1 C2

Fig.32 -
C1
Rig
Amplificador
Q1
Rl Fonte Comum
Vg Rg2

Rs C3

Rig

gm Vgs
Vg
Rg2
Rg1
Rgs Rd
Fig.33 – Modelo
Rl Simplificado do
Amplificador FC

Dadas as curvas características de transferência e de saída do JFET BF256C, projetar um


amplificador fonte comum com a seguinte condição de trabalho: I D = 7,5mA
Resolução - pelo gráfico acima obtemos: ID = 7,5mA; VGS = -1,7V; VP = 7V; IDSS = 14,5mA,
e supondo RG2 = 10K e VG = 1V, obtemos:
RG1 = RG2 ( VDD – VG ) = 10K ( 30 – 1 )  RG1 = 290 K
VG 1
Valor comercial RG1 = 300K
VGS = VG - VS -1,7 = 1 – VS , logo VS = 2,7V
RS = VS / ID = 2,7 / 7,5m  RS = 360
VDS = VD – VS 15 = VD – 2,7  VS = 17,7V
VRD = VDD – VS = 30 – 17,7 = 12,3
RD = VRD / ID = 12,3 / 7,5m  RD = 1K6

Simulando com o Multisim 2000 obtive os seguintes valores:


VG = 0,97V ; VGS = -1,54V ; ID = 6,96mA e VDS = 14,96V
Recalculando os valores obtemos: VS = 2,54 RS = 2,54 / 6,96m = 360 ;
VD = 17,54V ; VRD = 12,46 ; RD = 12,46 / 6,96m = 1K8
Vdd

Rd
30V
Rg1 1.8kohm XMM1
300kohm

Q1

BF256C
XMM4 XMM3

XMM2
Rg2
10kohm Rs
360ohm

XSC1

G
T
A B

Vdd

Rd 30V
Rg1 1.8kohm
300kohm
C1

C2 Q1 1uF
BF256C

1uF Rl
1.0kohm
Rg2
10kohm Rs
C3
Vg 360ohm
100uF
10mV 1kHz 0Deg
Ze = 300K // 10K = 9K7
Zs = RD = 1K8 gm = ID / VGS = 6,96m / 1,54 = 4,52 mS
A = -gm x Zs = 4,52m x 1K8 = 8,14

VL = (AxVGS) x RL = ( 8,14 x 10m ) x 1K  VL = 29 Vp


RL + Zs 1K + 1K8

Com o osciloscópio virtual do software Multisim obtemos:


VL = 26,6Vp

Experiência: Amplificador com JFET

Objetivo:
1. Verificar experimentalmente o circuito de polarização por divisor de tensão e
autopolarização com JFET.
2. Verificar experimentalmente o circuito de autopolarização com JFET.
3. Medir o ganho de um amplificador fonte comum com JFET.
4.Verificar a influência do capacitor de desacoplamento de fonte no ganho de tensão.
5. Verificar a influência dos capacitores de acoplamento no ganho de tensão.

Material utilizado:
Gerador de Sinais
Osciloscópio
Pront board

Procedimento Experimental
1. Monte o circuito da figura 5 (amplificador fonte comum com polarização por divisor de
tensão) usando três valores diferentes de resistência de dreno (RD), e para cada valor
meça atensão na saída e o ganho, anotando na tabela I.
2.Alimente o circuito com +12V e para isso use a fonte positiva da fonte simétrica. Faça as
conexões conforme o layout indicado na fig.5. Selecione no gerador de funções para onda
senoidal. Use inicialmente os capacitores de acoplamento C1 e C2=10µF e RD=4k7Ω.
3. Com auxilio do osciloscópio ajuste o gerador de funções na frequência de 1kHz e a
amplitude em 0,2Vpp.
4. Desenhe a forma de onda de saída no dreno V D(pico a pico), para isso coloque a chave
de entrada em CC e Volts/div em um valor que permita ver a forma de onda. Anote o valor
de pico a pico.
5. Desenhe a forma de onda da tensão na carga de 47kΩ, anotando o seu valor de pico a
pico. Qual a diferença entre as formas de onda no dreno e na carga?
6.Repita as medidas efetuadas nos itens 4 e 5 utilizando RD=2K2Ω e RD=8K2Ω.

7. Coloque em paralelo com o resistor de fonte de 1k5 o capacitor de desacoplamento de


10μF (C9) e repita os itens anteriores (medida da tensão quiescente de saída e ganho)
paraos mesmos valores de RD. Anote as medidas na tabela II

8.Considerando a resistência de dreno para a qual o ganho é máximo, troque o capacitor


de acoplamento C1=10μF por C1=100nF e o capacitor de acoplamento C2=10μF por
C2=100nF e repita o item relativo a medida do ganho preenchendo a tabela 2.

9. Monte o circuito da figura 7 e repita os procedimentos de 1 a 6


10. Monte o circuito da figura 8 e repita o item 7 e preencha a tabela 2

11.Repita o item 8
Experiência: Amplificador com MOSJFET

Objetivos
1. Verificar experimentalmente os circuitos de polarização por divisor de tensão com
MOSFET.
2. Medir o ganho de um amplificador fonte comum.
3. Verificar a influência do capacitor de desacoplamento de fonte no ganho de tensão
4. Verificar a influência dos capacitores de acoplamento no ganho de tensão

Material utilizado:
Gerador de Sinais
Osciloscópio
Pront board

Procedimento Experimental
1. Monte o circuito da fig.9 alimente o circuito com +12V, selecione no gerador de funções
para onda senoidal com uma frequência inicial de 1KHz e amplitude de 0,2 V pp. Use o
potenciômetro de 100k para buscar o melhor ponto de polarização, isto é, uma saída sem
distorção.

.
2. Desenhe a forma de onda de saída no dreno, para isso coloque a chave de entrada em
CCe Volts/Div em um valor que permita ver a forma de onda. Anote o valor de pico a pico.
Sugestão: inicialmente com a chave de entrada em GND estabeleça o zero na primeira
linha da tela do osciloscópio, na parte inferior, pois essa forma de onda tem uma
componente contínua.
3. Desenhe a forma de onda da tensão na carga de 100KΩ, anotando o seu valor e pico a
pico.
4. Com o valor medido calcule o ganho Av = Vspp/Vg
5. Coloque em paralelo com o resistor de fonte 680Ω o capacitor de desacoplamento de
10μFe repita os itens 2, 3 e 4.