Você está na página 1de 6

Universidad Técnica Estatal de Quevedo.

Abad Carlos, Baren Rosa, Calle Leonel, Salinas Lin, Taquez Aura.

Aplicaciones de los transistores


Abad C.; Baren R.; Calle L.
Salina L.; Taquez A.
Universidad Técnica Estatal De Quevedo
Ingeniería en sistemas
{martin.abad2016, rosa.baren2016, Leonel.calle2016, lin.salinas2015,
aura.taquez2016}@uteq.edu.ec

el recubrimiento
Universidad Técnica metálico de la cápsula.
Estatal de Quevedo
Resumen – En este trabajo se pretende Actualmente se los encuentra prácticamente
realizar un resumen acerca algunos de los tipos en todos los enseres domésticos de uso diario:
de transistores existentes, en cuanto a sus radios, televisores, grabadoras, reproductores
características, su principio de funcionamiento, de audio y vídeo, hornos de microondas,
sus modos de conexión más comunes y las lavadoras, automóviles, equipos de
aplicaciones de los más usados en electrónica refrigeración, alarmas, relojes de cuarzo,
como el caso de los transistores bipolares, computadoras, calculadoras, impresoras,
Transistor de efecto campo (FET), el lámparas fluorescentes, equipos de rayos X,
fototransistor. tomógrafos, ecógrafos, reproductores mp3,
Los contenidos del presente trabajo incluyen celulares.
los conocimientos teóricos sobre
amplificadores de potencia necesarios para II. METODOLOGÍA
comprender, Por último se muestran unas El transistor es un componente
conclusiones basadas en los resultados semiconductor formado por un cristal que
experimentales obtenidos. contiene una región P entre dos regiones N
(transistor NPN), o una región N entre dos
Abstract— This paper aims to summarize regiones P (transistores PNP). [1]
some of the types of existing transistors, in
terms of their characteristics, their operating
principle, their most common modes of
connection and the applications of the most
used in electronics such as the case of bipolar
transistors, Field effect transistor (FET), the
phototransistor. The contents of this work Figura 1 Regiones de un transistor
include the theoretical knowledge about power Fuente: Gobierno de España Ministerio
amplifiers necessary to understand. Finally, de Educación
some conclusions based on the experimental
results obtained are shown. La diferencia que hay entre un transistor
PNP y otro NPN radica en la polaridad de
Índice de términos – aplicaciones de sus electrodos. [1]
transistores.

I. INTRODUCCIÓN

En el año 1942, los físicos norteamericanos


Bardeen, Brattain y Shockley investigando con Figura 2 Diferencia entre transistores
semiconductores, descubrieron el transistor. Fuente: Gobierno de España
Debido a la gran importancia de dicho Ministerio de Educación
descubrimiento, se les concedió en 1956 el
Premio Nóbel de Física. Exteriormente está La primera consecuencia del
formado por un caparazón o cápsula que puede descubrimiento del transistor, fue que los
tener diferentes formas, del que salen tres patillas aparatos electrónicos pudieron hacerse
metálicas, o más técnicamente dicho, tres mucho más pequeños, al ocupar el
electrodos o terminales y en algunos casos transistor un volumen mucho menor que las
solamente dos ya que el tercer terminal lo forman válvulas electrónicas

Aplicaciones de transistores
Universidad Técnica Estatal de Quevedo.
Abad Carlos, Baren Rosa, Calle Leonel, Salinas Lin, Taquez Aura.

En la figura se muestra el dibujo de una


Figura 4 Transistor como interruptor
válvula en su tamaño real y el Fuente: Electrónica Unicrom (Febrero
correspondiente tamaño de un transistor. [1] 2015)
El
transistor como amplificador. Los físicos
que descubrieron el transistor se dieron
cuenta que mediante la variación de una
corriente débil aplica a la base podían
gobernar otra mucho más intensa entre
colector y emisor. Esto significa que
pequeñas corrientes eléctricas pueden ser
amplificadas, o lo que es lo mismo, que
Figura 3 Válvula señales débiles pueden transformarse en
Fuente: Gobierno de España Ministerio otras suficientemente fuertes. La intensidad
de Educación
que atraviesa el emisor es igual a la
intensidad que pasa por el colector más la
Se redujo también mucho el consumo de intensidad que pasa por la base. [1]
corriente, porque las válvulas necesitaban
calentamiento y el transistor no. El transistor TIPOS DE TRANSISTORES.
puede emplearse como interruptor y como Simbología Existen varios tipos que
amplificador. [1] dependen de su proceso de construcción y
de las aplicaciones a las que se destinan.
El transistor como interruptor. El Aquí abajo mostramos una tabla con los
transistor funciona como interruptor cerrado tipos de uso más frecuente y su simbología:
cuando le aplicamos una corriente a la base y [3]
como interruptor abierto cuando no le
aplicamos corriente a ésta. [2]

Cuando un transistor se utiliza como


interruptor la corriente de base debe tener Figura 5 Transistor bipolar de unión (BJ)
Fuente: Gobierno de España Ministerio de
un valor para lograr que el transistor entre
Educación
en corte y otro para que entre en
saturación. [2]

Un transistor en corte.- Tiene una corriente


de colector mínima (prácticamente igual a Figura 7 Transistor de efecto de campo, de metal
cero) y un voltaje colector emisor máximo oxido semiconductor (MOSFET)
Fuente: Gobierno de España Ministerio de
(casi igual al voltaje de alimentación). [2] Ver Educación
zona en amarilla en la figura 2.

Un transistor en saturación.- Tiene una


corriente de colector máxima y un voltaje
colector emisor casi nulo (cero voltios). [2]
Ver zona en verde en el gráfico
Figura 6 Transistor de efecto de campo, de unión
(JFET)
Fuente: Gobierno de España Ministerio de
Educación

Figura 8 Fototransistor
Fuente: Gobierno de España Ministerio de
Educación

Aplicaciones de transistores
Universidad Técnica Estatal de Quevedo.
Abad Carlos, Baren Rosa, Calle Leonel, Salinas Lin, Taquez Aura.

CONSTRUCCIÓN DE UN TRANSISTOR OPERACIÓN DEL TRANSISTOR

El transistor es un dispositivo A continuación describiremos la


semiconductor de tres capas que consta de operación básica del transistor
dos capas de material tipo n y una de utilizando el transistor pnp de la figura
material tipo p o de dos capas de material 3.2a. La operación del transistor npn es
tipo p y una de material tipo n. El primero exactamente la misma con los roles de
se llama transistor npn y el segundo los electrones y huecos intercambiados.
transistor pnp. En la figura 3.3 se volvió a dibujar el
transistor pnp sin polarización
La capa del emisor está muy dopada, la base entre la base y el emisor. Observe las
ligeramente, y el colector sólo un poco semejanzas entre esta situación y la del
dopado. Los grosores de las capas externas diodo polarizado en directa en el
son mucho mayores que las del material capítulo 1. El ancho de la región de
tipo p o n emparedado. [2] empobrecimiento se redujo a causa de
la polarización aplicada y el resultado
Para los transistores mostrados en la figura fue un intenso flujo de portadores
3.2 la relación entre el grosor total y el de la mayoritarios del material tipo p al
capa central es de 0.150/0.001 =150:1. El material tipo n. Eliminemos ahora la
dopado de la capa emparedada también es polarización de la base al emisor del
considerablemente menor que el de las transistor pnp de la figura 3.2a como se
capas externas (por lo común de 10:1 o muestra en la figura 3.4. Considere las
menor). Este menor nivel de dopado reduce semejanzas entre esta situación y la del
la conductividad (incrementa la resistencia) diodo polarizado en inversa de la
de este material al limitar el número de sección 1.6. Recuerde que el flujo de
portadores “libres”. portadores mayoritarios es cero, y el
resultado es sólo un flujo de portadores
Con la polarización mostrada en la figura minoritarios, como se indica en la
3.2, las terminales se identificaron por figura 3.4. En suma, por consiguiente:
medio de las letras mayúsculas E para La unión p-n de un transistor se polariza
emisor, C para colector y B para base. La en inversa en tanto que la otra se polariza
conveniencia de esta notación en directa.
se pondrá de manifiesto cuando analicemos
la operación básica del transistor. La
abreviatura BJT (de bipolar junction
transistor) se suele aplicar a este dispositivo
de tres terminales. El término bipolar
refleja el hecho de que huecos y electrones
participan en el proceso de inyección hacia
el material opuestamente polarizado. Si se
emplea sólo un portador (electrón o hueco),
se considera que es un dispositivo unipolar.

Aplicaciones de transistores
Universidad Técnica Estatal de Quevedo.
Abad Carlos, Baren Rosa, Calle Leonel, Salinas Lin, Taquez Aura.

En la figura 3.5 se aplicaron ambos mayoritarios y los minoritarios como se


potenciales de polarización a un transistor indica en la figura 3.5.
pnp, con los flujos de portadores El componente de corriente de
mayoritarios y minoritarios resultantes portadores minoritarios se llama
indicados. Observe en la figura 3.5 los corriente de fuga y se le da el símbolo
anchos de las regiones de empobrecimiento ICO [corriente IC con el emisor abierto
donde se ve con claridad cuál unión es Abierto (Open)].
polarizada en directa y cual lo está
polarizada en inversa. Como se indica en la La corriente del colector, por
figura 3.5, una gran cantidad de portadores consiguiente, está determinada en su
mayoritarios se difundirá a través de la totalidad por
unión p–n polarizada en directa hacia el
material tipo n. La pregunta es entonces si IC = IC mayoritarios + ICO minoritarios

estos portadores contribuirán directamente


con la corriente de base IB o si pasarán Para transistores de uso general, IC se
directamente al material tipo p. Como el mide en miliamperes e ICO en
material tipo n emparedado es muy delgado microamperes o nanoamperes.
y su conductividad es baja, un número muy
pequeño de estos portadores tomarán esta ICO, como la Is para un diodo
ruta de alta resistencia hacia la base. La polarizado en inversa, es sensible a la
magnitud de la corriente de base es por lo temperatura y hay que examinarla con
general del orden de microamperes, en cuidado cuando se consideren
comparación con los miliamperes de las aplicaciones de amplios intervalos de
corrientes del emisor y el colector. El mayor temperatura.
número de estos portadores mayoritarios se
difundirá a través de la unión polarizada en Puede afectar severamente la
inversa hacia el material tipo n conectado al estabilidad de un sistema a alta
colector como se indica en la figura 3.5. temperatura si no se considera como es
debido. Mejoras en las técnicas de
construcción han reducido
significativamente los niveles de ICO,
al grado en que su efecto a menudo
puede ser ignorado. [3]

CONFIGURACIONES DEL
TRANSISTOR

Configuración de Base Común.


El amplificador de base común tiene ese
nombre porque la base del transistor es
común tanto a la entrada como a la salida.
[3]

Aplicando la ley de las corrientes de


Kirchhoff al transistor de la figura 3.5 como
si fuera un nodo único obtenemos

IE = IC + IB
Figura 9 Configuración del transistor
Fuente: INACAP (2002)
Y hallamos que la corriente en el emisor es
la suma de las corrientes en el colector y la
base. La corriente del colector, sin embargo, El amplificador de base común es usado
consta de dos componentes, los portadores normalmente como un buffer de corriente o

Aplicaciones de transistores
Universidad Técnica Estatal de Quevedo.
Abad Carlos, Baren Rosa, Calle Leonel, Salinas Lin, Taquez Aura.

amplificador de voltaje. En esta configuración pequeña, por lo tanto, estos circuitos tienen
la entrada se aplica al terminal emisor una impedancia de entrada muy baja.
del transistor bipolar o BJT y la salida se
obtiene del terminal colector. [3] Sin embargo, la resistencia del colector es
Como podemos observar en la figura 11 lo que alta. Como las intensidades de emisor y
se tiene es la curva equivalente a la zona directa colector son prácticamente iguales,
de un diodo, especialmente cuando la salida aplicando la ley de Ohm:
esta polarizada muy inversamente, (VCB >
10V). V = R.I

CONFIGURACIÓN EN EMISOR
COMÚN
Se llama configuración en emisor común
porque el emisor es común o sirve de
referencia para las terminales de entrada y
salida (en este caso es común para las
Figura 10 Circuito base común terminales base y colector). [5]
Fuente: Electrónica Unicrom (Febrero 2016)

El conjunto de salida relacionara una corriente


de salida con un voltaje de salida para diversos
niveles de corriente de entrada. Corresponde a
la zona inversa del diodo y por lo tanto
corresponde a una corriente básicamente Figura 12 Configuración en emisor común
Fuente: INACAP (2002)

De nuevo se necesitan dos conjuntos de


características para describir en forma
completa el comportamiento de la
configuración de emisor común: una para
la entrada o circuito de la base y una para
Figura 11 Curva característica de entrada la salida o circuito del colector. [4] Ambas
Fuente: INACAP (2002)
se muestran en la figura 13
constante sin importar el valor del voltaje
inverso. [4]

La corriente de emisor, que es la corriente de


entrada, está formada por la suma de la
corriente de base y la de colector:

IE = IC + IB
Figura 13 Característica de un transistor de
Esto implica que la corriente de colector, es silicio
Fuente: Electrónica: Teoría de Circuitos
decir, la corriente de salida, sea más pequeña Y Dispositivos Electrónicos (2009)
que la corriente de entrada. Por lo tanto, la
ganancia de corriente que es el cociente entre la
corriente de salida y la de entrada, va a ser
menor que la unidad y no vamos a obtener
ganancia.
La característica principal de estos circuitos es
que tienen mucha ganancia de tensión, es decir,
hay una resistencia de emisor, Re, que suele ser

Aplicaciones de transistores
Universidad Técnica Estatal de Quevedo.
Abad Carlos, Baren Rosa, Calle Leonel, Salinas Lin, Taquez Aura.

III. CONCLUSIONES

 Los transistores son unos elementos que


han facilitado, en gran medida, el diseño
de circuitos electrónicos de reducido
tamaño, gran versatilidad y facilidad de
control.

 Con el desarrollo de este trabajo


además de consolidar el trabajo en
equipo, y consolidar nuestras
capacidades investigativas nos aportó
importantes conocimientos en algunos
casos en forma de cultura general, y
otras ocasiones conocimientos
específicos acerca de los diodos y cada
uno de los tipos más conocidos.

 Podemos decir que el surgimiento de


los Diodos ha proporcionado un gran
avance a la ciencia no solo a la
electrónica sino a la ciencia de forma
general porque casi todos equipos que
tenemos en la actualidad funcionan con
componentes eléctricos y con presencia
de transistores.

IV. Bibliografía

[1] Sofy Orozco, Manual Básico de


Transistores, 2018.

[2] S. Hermosilla, El transitor como


interruptor.

[3] Electrónica Unicrom, Amplificador


de base común, 2016.

[4] INACAP, Configuraciones del


transitor, pp. 1-2.

[5] R. L. L. Nashelsky, Electrónica:


teoría de circuitos y dispositivos
electrònicos, DÉCIMA EDICIÓN
ed., Vols. %1 de %2978-607-442-
292-4, L. M. C. Castillo, Ed.,
Mexico, 2009, p. 138.

Aplicaciones de transistores