Universidad Técnica Estatal de Quevedo.

Abad Carlos, Baren Rosa, Calle Leonel, Salinas Lin, Taquez Aura.

Aplicaciones de los transistores

Abad C.; Baren R.; Calle L.
Salina L.; Taquez A.
Universidad Técnica Estatal De Quevedo
Ingeniería en sistemas
{martin.abad2016, rosa.baren2016, Leonel.calle2016, lin.salinas2015,
aura.taquez2016}@uteq.edu.ec

Universidad Técnica
Resumen – En este trabajo se pretende
realizar un resumen acerca algunos de los tipos
de transistores existentes, en cuanto a sus
características, su principio de funcionamiento,
sus modos de conexión más comunes y las
aplicaciones de los más usados en electrónica
como el caso de los transistores bipolares,
Transistor de efecto campo (FET), el
fototransistor.
Los contenidos del presente trabajo incluyen
los conocimientos teóricos sobre
amplificadores de potencia necesarios para
comprender, Por último se muestran unas
conclusiones basadas en los resultados
experimentales obtenidos.
Abstract— This paper aims to summarize
some of the types of existing transistors, in
terms of their characteristics, their operating
principle, their most common modes of
connection and the applications of the most
used in electronics such as the case of bipolar
transistors, Field effect transistor (FET), the
phototransistor. The contents of this work
include the theoretical knowledge about power
amplifiers necessary to understand. Finally,
some conclusions based on the experimental
results obtained are shown.
Índice de términos – aplicaciones de
transistores.
el recubrimiento
metálico de la cápsula.
Estatal de Quevedo
Actualmente se los encuentra prácticamente
en todos los enseres domésticos de uso diario:
radios, televisores, grabadoras, reproductores
de audio y vídeo, hornos de microondas,
lavadoras, automóviles, equipos de
refrigeración, alarmas, relojes de cuarzo,
computadoras, calculadoras, impresoras,
lámparas fluorescentes, equipos de rayos X,
tomógrafos, ecógrafos, reproductores mp3,
celulares.
II. METODOLOGÍA
El transistor es un componente
semiconductor formado por un cristal que
contiene una región P entre dos regiones N
(transistor NPN), o una región N entre dos
regiones P (transistores PNP). [1]
Figura 1 Regiones de un transistor
Fuente: Gobierno de España Ministerio
de Educación
La diferencia que hay entre un transistor
PNP y otro NPN radica en la polaridad de
sus electrodos. [1]

I. INTRODUCCIÓN

En el año 1942, los físicos norteamericanos

Bardeen, Brattain y Shockley investigando con Figura 2 Diferencia entre transistores
semiconductores, descubrieron el transistor. Fuente: Gobierno de España
Debido a la gran importancia de dicho Ministerio de Educación
descubrimiento, se les concedió en 1956 el
Premio Nóbel de Física. Exteriormente está La primera consecuencia del
formado por un caparazón o cápsula que puede descubrimiento del transistor, fue que los
tener diferentes formas, del que salen tres patillas aparatos electrónicos pudieron hacerse
metálicas, o más técnicamente dicho, tres mucho más pequeños, al ocupar el
electrodos o terminales y en algunos casos transistor un volumen mucho menor que las
solamente dos ya que el tercer terminal lo forman válvulas electrónicas

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En la figura se muestra el dibujo de una
válvula en su tamaño real y el
correspondiente tamaño de un transistor. [1]
Figura 3 Válvula
Fuente: Gobierno de España Ministerio
de Educación
Se redujo también mucho el consumo de
corriente, porque las válvulas necesitaban
calentamiento y el transistor no. El transistor
puede emplearse como interruptor y como
amplificador. [1]
El transistor como interruptor. El
transistor funciona como interruptor cerrado
cuando le aplicamos una corriente a la base y
como interruptor abierto cuando no le
aplicamos corriente a ésta. [2]
Cuando un transistor se utiliza como
interruptor la corriente de base debe tener
un valor para lograr que el transistor entre
en corte y otro para que entre en
saturación. [2]
Un transistor en corte.- Tiene una corriente
de colector mínima (prácticamente igual a
cero) y un voltaje colector emisor máximo
(casi igual al voltaje de alimentación). [2] Ver
zona en amarilla en la figura 2.
Un transistor en saturación.- Tiene una
corriente de colector máxima y un voltaje
colector emisor casi nulo (cero voltios). [2]
Ver zona en verde en el gráfico
Aplicaciones de transistores
Figura 4 Transistor como interruptor
Fuente: Electrónica Unicrom (Febrero
2015)
El
transistor como amplificador. Los físicos
que descubrieron el transistor se dieron
cuenta que mediante la variación de una
corriente débil aplica a la base podían
gobernar otra mucho más intensa entre
colector y emisor. Esto significa que
pequeñas corrientes eléctricas pueden ser
amplificadas, o lo que es lo mismo, que
señales débiles pueden transformarse en
otras suficientemente fuertes. La intensidad
que atraviesa el emisor es igual a la
intensidad que pasa por el colector más la
intensidad que pasa por la base. [1]
TIPOS DE TRANSISTORES.
Simbología Existen varios tipos que
dependen de su proceso de construcción y
de las aplicaciones a las que se destinan.
Aquí abajo mostramos una tabla con los
tipos de uso más frecuente y su simbología:
[3]
Figura 5 Transistor bipolar de unión (BJ)
Fuente: Gobierno de España Ministerio de
Educación
Figura 7 Transistor de efecto de campo, de metal
oxido semiconductor (MOSFET)
Fuente: Gobierno de España Ministerio de
Educación
Figura 6 Transistor de efecto de campo, de unión
(JFET)
Fuente: Gobierno de España Ministerio de
Educación
Figura 8 Fototransistor
Fuente: Gobierno de España Ministerio de
Educación
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CONSTRUCCIÓN DE UN TRANSISTOR
El transistor es un dispositivo
semiconductor de tres capas que consta de
dos capas de material tipo n y una de
material tipo p o de dos capas de material
tipo p y una de material tipo n. El primero
se llama transistor npn y el segundo
transistor pnp.
La capa del emisor está muy dopada, la base
ligeramente, y el colector sólo un poco
dopado. Los grosores de las capas externas
son mucho mayores que las del material
tipo p o n emparedado. [2]
Para los transistores mostrados en la figura
3.2 la relación entre el grosor total y el de la
capa central es de 0.150/0.001 =150:1. El
dopado de la capa emparedada también es
considerablemente menor que el de las
capas externas (por lo común de 10:1 o
menor). Este menor nivel de dopado reduce
la conductividad (incrementa la resistencia)
de este material al limitar el número de
portadores “libres”.
Con la polarización mostrada en la figura
3.2, las terminales se identificaron por
medio de las letras mayúsculas E para
emisor, C para colector y B para base. La
conveniencia de esta notación
se pondrá de manifiesto cuando analicemos
la operación básica del transistor. La
abreviatura BJT (de bipolar junction
transistor) se suele aplicar a este dispositivo
de tres terminales. El término bipolar
refleja el hecho de que huecos y electrones
participan en el proceso de inyección hacia
el material opuestamente polarizado. Si se
emplea sólo un portador (electrón o hueco),
se considera que es un dispositivo unipolar.
Aplicaciones de transistores
OPERACIÓN DEL TRANSISTOR
A continuación describiremos la
operación básica del transistor
utilizando el transistor pnp de la figura
3.2a. La operación del transistor npn es
exactamente la misma con los roles de
los electrones y huecos intercambiados.
En la figura 3.3 se volvió a dibujar el
transistor pnp sin polarización
entre la base y el emisor. Observe las
semejanzas entre esta situación y la del
diodo polarizado en directa en el
capítulo 1. El ancho de la región de
empobrecimiento se redujo a causa de
la polarización aplicada y el resultado
fue un intenso flujo de portadores
mayoritarios del material tipo p al
material tipo n. Eliminemos ahora la
polarización de la base al emisor del
transistor pnp de la figura 3.2a como se
muestra en la figura 3.4. Considere las
semejanzas entre esta situación y la del
diodo polarizado en inversa de la
sección 1.6. Recuerde que el flujo de
portadores mayoritarios es cero, y el
resultado es sólo un flujo de portadores
minoritarios, como se indica en la
figura 3.4. En suma, por consiguiente:
La unión p-n de un transistor se polariza
en inversa en tanto que la otra se polariza
en directa.
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En la figura 3.5 se aplicaron ambos
potenciales de polarización a un transistor
pnp, con los flujos de portadores
mayoritarios y minoritarios resultantes
indicados. Observe en la figura 3.5 los
anchos de las regiones de empobrecimiento
donde se ve con claridad cuál unión es
polarizada en directa y cual lo está
polarizada en inversa. Como se indica en la
figura 3.5, una gran cantidad de portadores
mayoritarios se difundirá a través de la
unión p–n polarizada en directa hacia el
material tipo n. La pregunta es entonces si
estos portadores contribuirán directamente
con la corriente de base IB o si pasarán
directamente al material tipo p. Como el
material tipo n emparedado es muy delgado
y su conductividad es baja, un número muy
pequeño de estos portadores tomarán esta
ruta de alta resistencia hacia la base. La
magnitud de la corriente de base es por lo
general del orden de microamperes, en
comparación con los miliamperes de las
corrientes del emisor y el colector. El mayor
número de estos portadores mayoritarios se
difundirá a través de la unión polarizada en
inversa hacia el material tipo n conectado al
colector como se indica en la figura 3.5.
Aplicando la ley de las corrientes de
Kirchhoff al transistor de la figura 3.5 como
si fuera un nodo único obtenemos
IE = IC + IB
Y hallamos que la corriente en el emisor es
la suma de las corrientes en el colector y la
base. La corriente del colector, sin embargo,
consta de dos componentes, los portadores
Aplicaciones de transistores
mayoritarios y los minoritarios como se
indica en la figura 3.5.
El componente de corriente de
portadores minoritarios se llama
corriente de fuga y se le da el símbolo
ICO [corriente IC con el emisor abierto
Abierto (Open)].
La corriente del colector, por
consiguiente, está determinada en su
totalidad por
IC = IC mayoritarios + ICO minoritarios
Para transistores de uso general, IC se
mide en miliamperes e ICO en
microamperes o nanoamperes.
ICO, como la Is para un diodo
polarizado en inversa, es sensible a la
temperatura y hay que examinarla con
cuidado cuando se consideren
aplicaciones de amplios intervalos de
temperatura.
Puede afectar severamente la
estabilidad de un sistema a alta
temperatura si no se considera como es
debido. Mejoras en las técnicas de
construcción han reducido
significativamente los niveles de ICO,
al grado en que su efecto a menudo
puede ser ignorado. [3]
CONFIGURACIONES DEL
TRANSISTOR
Configuración de Base Común.
El amplificador de base común tiene ese
nombre porque la base del transistor es
común tanto a la entrada como a la salida.
[3]
Figura 9 Configuración del transistor
Fuente: INACAP (2002)
El amplificador de base común es usado
normalmente como un buffer de corriente o
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amplificador de voltaje. En esta configuración
la entrada se aplica al terminal emisor
del transistor bipolar o BJT y la salida se
obtiene del terminal colector. [3]
Como podemos observar en la figura 11 lo que
se tiene es la curva equivalente a la zona directa
de un diodo, especialmente cuando la salida
esta polarizada muy inversamente, (VCB >
10V).
pequeña, por lo tanto, estos circuitos tienen
una impedancia de entrada muy baja.
Sin embargo, la resistencia del colector es
alta. Como las intensidades de emisor y
colector son prácticamente iguales,
aplicando la ley de Ohm:
V = R.I

Figura 10 Circuito base común
Fuente: Electrónica Unicrom (Febrero 2016)
CONFIGURACIÓN EN EMISOR
COMÚN
Se llama configuración en emisor común
porque el emisor es común o sirve de
referencia para las terminales de entrada y
salida (en este caso es común para las
terminales base y colector). [5]

El conjunto de salida relacionara una corriente

de salida con un voltaje de salida para diversos
niveles de corriente de entrada. Corresponde a
la zona inversa del diodo y por lo tanto
corresponde a una corriente básicamente Figura 12 Configuración en emisor común
Fuente: INACAP (2002)

De nuevo se necesitan dos conjuntos de

Figura 11 Curva característica de entrada
Fuente: INACAP (2002)
constante sin importar el valor del voltaje
inverso. [4]
características para describir en forma
completa el comportamiento de la
configuración de emisor común: una para
la entrada o circuito de la base y una para
la salida o circuito del colector. [4] Ambas
se muestran en la figura 13

La corriente de emisor, que es la corriente de

entrada, está formada por la suma de la
corriente de base y la de colector:

IE = IC + IB
Figura 13 Característica de un transistor de
Esto implica que la corriente de colector, es silicio
Fuente: Electrónica: Teoría de Circuitos
decir, la corriente de salida, sea más pequeña Y Dispositivos Electrónicos (2009)
que la corriente de entrada. Por lo tanto, la
ganancia de corriente que es el cociente entre la
corriente de salida y la de entrada, va a ser
menor que la unidad y no vamos a obtener
ganancia.
La característica principal de estos circuitos es
que tienen mucha ganancia de tensión, es decir,
hay una resistencia de emisor, Re, que suele ser

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III. CONCLUSIONES

 Los transistores son unos elementos que

han facilitado, en gran medida, el diseño
de circuitos electrónicos de reducido
tamaño, gran versatilidad y facilidad de
control.

 Con el desarrollo de este trabajo

además de consolidar el trabajo en
equipo, y consolidar nuestras
capacidades investigativas nos aportó
importantes conocimientos en algunos
casos en forma de cultura general, y
otras ocasiones conocimientos
específicos acerca de los diodos y cada
uno de los tipos más conocidos.

 Podemos decir que el surgimiento de

los Diodos ha proporcionado un gran
avance a la ciencia no solo a la
electrónica sino a la ciencia de forma
general porque casi todos equipos que
tenemos en la actualidad funcionan con
componentes eléctricos y con presencia
de transistores.

IV. Bibliografía

[1] Sofy Orozco, Manual Básico de

Transistores, 2018.

[2] S. Hermosilla, El transitor como

interruptor.

[3] Electrónica Unicrom, Amplificador

de base común, 2016.

[4] INACAP, Configuraciones del

transitor, pp. 1-2.

[5] R. L. L. Nashelsky, Electrónica:

teoría de circuitos y dispositivos
electrònicos, DÉCIMA EDICIÓN
ed., Vols. %1 de %2978-607-442-
292-4, L. M. C. Castillo, Ed.,
Mexico, 2009, p. 138.

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