INFORME PREVIO N° 3

Amplificador con transistor FET

Carlos Alberto Huayamares De La Cruz,
Carlos Emanuel Ramirez Baca,
Aldair Carlos Cañari Barreto.
Lima, Perú
Universidad Nacional de Ingeniería
carlos.huayamares.d@uni.pe , carlos.ramirez.b@uni.pe , acanarib@uni.pe
 Resumen- En este
laboratorio, nosotros tenemos
como objetivo analizar un
circuito armado con un
transistor FET que funciona
como un amplificador,
utilizando transistores
2N5485, 2N5486 o MPF102;
además de reforzar nuestros
conocimientos sobre los
transistores.
INTRODUCCIÓN
En este informe previo
del laboratorio N°3 del
curso de código IT144
sección M se detalla el uso
de los transistores FET
como amplificadores;
además se analizara
teóricamente la ganancia de
un circuito armado con este
dispositivo y se simulara en
el programa OrCAD para
así poder visualizar el
comportamiento de estos
con el fin de tener un mejor
desempeño al momento de
realizar el experimento
físicamente con dispositivos
reales.
DESARROLLO DE
CONTENIDOS
Transistor FET(transistor de
efecto de campo)
Los transistores son
útiles en un gran número de
aplicaciones dentro de la
electrónica, sin embargo
estos por lo general tienen
un inconveniente el cual es
la baja impedancia de
entrada. Los transistores
FET o transistores de efecto
de campo, en particular, no
tienen este problema ya que
pertenecen a la familia de
dispositivos en los que
existe un solo tipo de
portador de cargas, es decir
son unipolares.
Dado que hay una
tensión positiva entre el
drenador y el surtidor, la
corriente fluirá de surtidor a
drenador, aunque hay un
corriente despreciable entre
surtidor y la puerta, ya que
el diodo formado por la
unión canal-puerta, esta
polarizado inversamente
donde inicialmente los
huecos fluyen hacia la
terminal negativa de la
batería y los electrones del Tabla 2. Datasheet del transistor
diodo se comporta como un
2N5486.
material N, fluyen hacia el circuito abierto y el voltaje
terminal positivo de la de la carga será calculado
misma. Cuando el VDS por “divisor de voltaje”, se
aumenta, también aumenta MPF102puede apreciar que el voltaje
una región de Temperatura de operación en la carga se mantendrá
empobrecimiento de cargas Voltaje G-S de ruptura igual en la parte negativa se
libres. (V(BR)GSS) la señal sinuidal.
Corriente G en reversa (IGSS)
Voltaje G-S en corto (VGS(off))
Corriente D en voltaje VGS=0
(IDSS)
Conductancia en
transferencia directa
Conductancia de entrada
Conductancia de salida
Capacitancia de entrada
Fig.1. Datasheet del transistor
2N5486. Capacitancia de
transferencia inversa
Los transistores que se Tabla 3. Datasheet del transistor
MPF102.
usaran en esta experiencia
Fig. 2. Grafica del voltaje en la
son los 2N5485, 2N5486 o
carga (R2) para el primer circuito.
el MPF102. Describiendo los Circuitos:
En la guía de laboratorio
2N5485 Para el segundo circuito
nos señala el circuito que
Temperatura de operación vamos a analizar, luego se puede notar que la
corriente no pasara por el
Voltaje G-S de ruptura serán simulados en un
diodo hacia la resistencia
(V(BR)GSS) programa (OrCAD).
hasta que la fuente sinodal
Corriente G en reversa (IGSS)
alcance el valor de 5.7 V;
Voltaje G-S en corto (VGS(off)) antes de eso el diodo se
Corriente D en voltaje VGS=0 comporta como un circuito
(IDSS) abierto y el voltaje entre los
Conductancia en bornes seleccionados será de
transferencia directa 5V. Después de que la
Conductancia de entrada entrada supere dicho valor
Conductancia de salida el diodo dejara pasar la
Transconductancia corriente y el voltaje se
Capacitancia de entrada calcula por “divisor de
Capacitancia de salida voltaje”.
Capacitancia de
transferencia inversa Fig.2. Circuito amplificador con un
Tabla 1. Datasheet del transistor transistor FET.
2N5485
2N5486 En el primer circuito, la
Temperatura de operación fuente de voltaje sinodal
Voltaje G-S de ruptura sirve para analizar cómo
(V(BR)GSS) actúa el diodo en partes
Corriente G en reversa (IGSS) positivas y negativas. Se
Voltaje G-S en corto (VGS(off)) observa que el diodo no
Corriente D en voltaje VGS=0 funciona, hasta que la
(IDSS) diferencia de potencial en la Fig. 3. Segundo circuito.
carga alcance
Conductancia en
aproximadamente los 5.7
transferencia directa
Voltios, en ese momento el
Conductancia de entrada voltaje en la carga será
Conductancia de salida constante e igual a 5.7
Transconductancia voltios (aprox.), esto se
Capacitancia de entrada produce cuando el voltaje de
Capacitancia de salida la onda sinodal es mayor a
Capacitancia de 5.968 voltios.
transferencia inversa Sin embargo, cuando es
menor a dicho valor; el

Fig. 4. Grafica del voltaje (entre
los bornes resaltados en Fig. 3) para
el segundo circuito.
Para el tercer circuito, se
observa que el capacitor
almacenara energía
exponencialmente en forma
de voltaje, que consumirá la
carga (R5), hasta que en el
ánodo del diodo tenga un
potencial menor que 5.7 V.
Luego de esto, el diodo se
comportará como un
circuito cerrado y la carga
consumirá
aproximadamente 5.7
Voltios, esto sucederá
cuando el pulso sea positivo.
Cuando el pulso sea
negativo, el condensador se
“descargara” pero como el
pulso es de 10 voltios, en la
parte negativa se sumara
con la fuente continua de 5
voltios, es por eso que la
diferencia de potencial es
aproximadamente 15 voltios
negativos, que se irán
descargando
progresivamente (como en
la parte positiva del pulso)
hasta que termine el
periodo, luego se repetirá
este proceso.
Fig. 5. Tercer circuito.
Fig. 6. Grafica del voltaje en la
carga (R5) para el tercer circuito.
Para el cuarto
circuito se puede notar
que la corriente no
pasará por el diodo hacia
la resistencia si el pulso
es negativo, pero como
el pulso inicia
positivamente, el valor
del voltaje será desde un
inicio 10V, teniendo en
cuenta que el diodo
consume 0.7V,
aproximadamente
9.3Voltios serán
consumidos por la carga
(R6).
http://pdf.datasheetcatalog.com/
datasheet/motorola/MPF102.pd
f
[4]
http://mrelbernitutoriales.com/a
mplificacion-con-el-transistor-
jfet/
[5]
Fig. 7. Cuarto circuito.
Fig. 8. Grafica del voltaje en la
carga (R6) para el cuarto circuito.
En la Fig. 7 se tomó la
referencia al revés, es por eso que en
la Fig. 8 los valores de los voltajes
picos son -9.3 V y 0V, en el caso de
que se haya tomado la referencia
correctamente (negativo a tierra), los
valores picos de la onda resultante
serian: 0V y +9.3V.
CONCLUSIONES
Este informe sirvió para
analizar teóricamente el
funcionamiento de los
circuitos, y para observar la
variación de las ondas a
través de la simulación. El
informe previo nos da a
conocer aplicaciones de los
diodos, en circuitos
limitadores y enclavadores.
REFERENCIAS
[1]
http://pdf.datasheetcatalog.com/
datasheets/320/72258_DS.pdf
[2]
http://pdf.datasheetcatalog.com/
datasheet/nationalsemiconducto
r/DS013065.PDF
[3]