1.

Definir rbb’, rb’e, rb’c, rce, Cb’e, Cb’c, gm, fβ y fT

 rbb’: La resistencia distribuida de la base, se relaciona con el parámetro

h, hie, que es la resistencia con la salida en corto. En el momento hibrido
π, esta se denomina a menudo como rπ si se aplica un corto circuito entre
el emisor y colector, se obtiene:

ℎ𝑖𝑒 = 𝑟𝜋 = 𝑟𝑏𝑏´ + 𝑟𝑏´𝑒//𝑟𝑏´𝑐

 rb’e: La resistencia de entrada (rπ en el modelo hibrido) se aproxima

por medio de la razón:
Vb´e
rπ =
Ib

 rbc: Resistencia de retroalimentación

 rce ; resistencia de salida del transistor

 Cb’c: es la capacitancia de la unión colector-base a pesar de que es una

capacitancia variable, suele considerarse constante en una región de
operación particular del transistor.

 Cb’e: la cual es capacitor base- emisor. El valor de este capacitor

aparece en las hojas de datos como Cib´. Esta capacitancia es la suma de
la capacitancia de difusión del emisor y la capacitancia de la unión del
emisor. Debido a que el primer capacitor es el más grande de los dos,
cb´e es aproximadamente iguala la capacitancia de difusión (conocida
también como capacitancia de carga de la base)

 Gm: Conductancia dinámica

 fβ: es la frecuencia para cuando el factor de ganancia del transistor

empieza a variar

 fT: es la frecuencia máxima de operación del transistor se da cuando la

ganancia es igual a cero.
 2. En el circuito de la figura 5.1, de acuerdo al modelo del
transistor en altas frecuencias, encontrar una expresión
para fβ/fT.

Modelo Hibrido

rb´b Cb´c

gmVb´e
rce
rb´e Cb´e

Del circuito mostrado

𝐼𝑐 −ℎ𝑓𝑒𝐼𝑏´𝑒
𝐴𝑖 = =
𝐼𝑏 𝐼𝑏´𝑒(1 + 𝑗𝑤𝑟𝑏´𝑒(𝐶𝑏´𝑒 + 𝐶𝑏´𝑐)

−ℎ𝑓𝑒
𝐴𝑖(𝑗𝑤) =
(1 + 𝑗𝑤𝑟𝑏´𝑒(𝐶𝑏´𝑒 + 𝐶𝑏´𝑐))

1
Frecuencia de corte: 𝑊𝐵 = 𝑟𝑏´𝑒(𝐶𝑏´𝑒+𝐶𝑏´𝑐)

Calculo de ft: (frecuencia máxima de operación del transistor)

ℎ𝑓𝑒
|𝐴𝑖| =
(1 + 𝑤 2 (𝑟𝑏´𝑒(𝐶𝑏´𝑒 + 𝐶𝑏´𝑐)2 )
 ℎ𝑓𝑒
|𝐴𝑖| =
𝑤𝑇 2
√(1 + )
𝑤𝐵 2

Por tanto:

√ℎ𝑓𝑒 − 1
𝑤𝑇 =
(𝑟𝑏´𝑒(𝐶𝑏´𝑒 + 𝐶𝑏´𝑐 ) )

√ℎ𝑓𝑒 − 1
𝑓𝑇 =
2𝜋(𝑟𝑏´𝑒(𝐶𝑏´𝑒 + 𝐶𝑏´𝑐) )

Pero hfe2>>1

ℎ𝑓𝑒
𝑓𝑇 =
2𝜋(𝑟𝑏´𝑒(𝐶𝑏´𝑒 + 𝐶𝑏´𝑐) )

De esta ecuación y también de:

1
𝑊𝐵 =
𝑟𝑏´𝑒(𝐶𝑏´𝑒 + 𝐶𝑏´𝑐)

Tenemos:

𝑓𝐵 1
=
𝑓𝑇 ℎ𝑓𝑒
3. Encontrar la frecuencia de corte para Ci, Co, Ce,
mostrando los circuitos equivalentes. Determine el ancho
de banda del amplificador.

 Analizamos con el efecto del condensador Ci:

Primero hallamos la resistencia total en los bornes del capacitor Ci

Rin=R1//R2// (hie+ (Re1) (1+hfe))

Rin=9.88K//(1.65K+0.22K*121)=8.8K
Entonces:
fLi=1/2π (Rg+Rin) Ci
fLi=1/2π (1K+7.32K) *22μF
fLi= 0.8695Hz
  Analizamos con el efecto del condensador Co:

Hallamos la resistencia Thevenin para Co

Ro=Rc+RL
Ro=1.5K+10K=11.5K

Entonces la frecuencia de corte es:

fLi=1/2π(Rc+RL)Co
fLi=1/2π(1.5k+10K)*22μF
fLi= 0.629071Hz

 Analizamos con el efecto del condensador de desacoplo Ce:

Calculando la resistencia Thevenin para el capacitor Ce

Re’=[[(Rg//RB+hie)//(β+1)]]//Re2
Re’=[[(1K//9.88K+1.65K)//(120+1)]]//680
Re’=100//680
Re’=87.18Ω
 Entonces la frecuencia de corte debido a Ci es:
fLi=1/2πRe’Ce
fLi=1/2π*87.18*100μF
fLi= 18.256Hz

PROCEDIMIENTO EXPERIMENTAL

FIGURA 5.1

 Realice la simulación del circuito mostrado en la Figura 5.1 con el fin de hallar
el punto de trabajo. Determine la ganancia de tensión que se presenta a
frecuencias medias. Complete los campos correspondientes de la tabla 5.1
 Realice la simulación del circuito mostrado en la Figura 5.1 con el fin de hallar
el punto de trabajo. Determine la ganancia de tensión que se presenta a
frecuencias medias. Complete los campos correspondientes de la tabla 5.1

 Despreciando el efecto de los condensadores (frecuencias medias) determine

experimentalmente la ganancia de tensión y halle el punto de trabajo. Complete
la tabla 5.1

SIMULACIONES: