ELECTRONICA: TEorIA DE Circurros Sexta edicién Robert L. Boylestad Louis Nashelsky TRADUCCION: Juan Purén Mier y Terén Profesor de asignatura en el Depto. de Matemiticas, Universidad Ioeroumericana, Profesionista en Sistemas CAD, GIS Sergio Luis Maria Ruiz Faudén Analista de Sistemas ‘Traductor Profesional REVISION TECNICA: M.en C. Agustin Suarez Fernandez Departamento de Ingenieria Bisetrica Universidad Auténoma Metropolitans-Iztapalapa MEXICO = ARGENTINA « BRASH. » COLOMBIA » COSTA RICA + CHILE. "ESPANA » GUATEMALA PERU » PUERTO RICO « VENEZUELA,EDICION EN INGLES Editor: Dave Garza Developmental Editor: Carol Hinklin Robison Production Editor: Rex Davidson Cover Designer: Brian Deep Production Manager: Laura Messerly Marketing Manager: Debbie Yarnell Ilustrations: Network Graphics BOYLESTAD / ELECTRONICA: TEORIA DE CIRCUITOS, 6a. Ed. “Traducido del inglés de la obra: ELECTRONIC DEVICES AND CIRCUIT THEORY, SIXTH EDITION, All rights reserved. Authorized translation from English language edition published by Prentice-Hall, Inc. [ASimon & Schuster Company. Todos los derechos reservados. Traduccién autorizada de la edici A Simon & Schuster Company, ‘en inglés publicada por Prentince-Hall, Inc. All rights reserved. No part of this book may be reproduced or transmitted in any form or by any means, electronic or mechanical, including photocopying, recording or by any information storage and retrieval system, ‘without permission in writing from the publisher. Prohibida la reproduccién total o parcial de esta obra, por cualquier medio 0 método sin autorizacién por escrito del editor, Derechos reservados © 1997 respecto a la cuarta edicién en espatiol publicada por Prentice Hall Hispanoamericana, S.A. Calle 4NF25.28 piso Frace- Ind, Alce Blanco, Naucalpan de Juarez, Edo. de México, cP. 53370 ISBN 968.880-805.9 ‘Miembro de la Cémara Nacional de la Industria Editorial, Reg. Nim. 1524. Original English Language Edition Published by Prentice-Hall, Inc. A Simon & Schuster Company. Copyright © MCMXCV1 ‘Somat All rights reserved Setarevrmactenomanoon ISBN 0-13-375734-X Sree IMPRESO EN MEXICO/PRINTED IN MEXICOContenido 12 13 14 15 16 17 13 19 1.10 11 112 43 Lad sas 116 Aa7 PREFACIO AGRADECIMIENTOS, DIODOS SEMICONDUCTORES Introduecién 1 El diodo ideal 1 Materiales semiconductores 3 Niveles de energla 6 ‘Materiales extrinsecos: tipo n y tipo p 7 Diodo semiconductor 10 Niveles de resistencia. 17 Cizcuitos equivalentes para diodos 24 ‘Hoja de especificaciones de diodos 27 ‘Capacitancia de transicién y difusién 31 ‘Tiempo de recuperacién inverso 32 Notacin de diodos semiconductores 32 Prueba de diodos 33 Diodos Zener 35 Diodos emisores de luz 38 Arreglos de diodos: circuits integrados 42 Andlisis por compotadora 4434 32 34 35 36 37 38 39 3.10 3a 342 4a 42 43 44 4s 46 47 48 49 410 4a 412 433 APLICACIONES DE DIODOS 53 Invoduccién 53 ‘Antlisis mediante la recta de carga $4 ‘Aproximaciones de diodos 59 CConfiguraciones de diodos en serie con entradas dc 61 Configuraciones en paralelo y en serie-paralelo 66 Compuertas ANDIOR. 69 Entradas senoidales; rectifleaciGn de media onda 71 Rectificacién de onda completa 74 Recortadores 78 Cambiadores de nivel 85 Diodos Zener 89 Circnitos multiplicadores de voltaje 96 Analisis por eomputadora 99 ‘TRANSISTORES BIPOLARES DE UNION 114 Introduccion 114 Construccién de transistores 115 Operacién del transistor 115 Configuracién de base comin 117 Accién amplificadora del transistor 121 Configuracién de emisor comin 122 CConfiguracion de colector comin 129 Limites de operacién. 130 Hoja de especificaciones de wansistores. 132 Prueba de transistores 136 Encapsulado de transistores e identificacign de terminales. 138 Anlisis por compuradora 140 POLARIZACION DE DC-BJT 144 Introduccién 144 Punto de operacién 145 Circuito de polarizacién fija 147 Circuito de polarizacién estabilizado en emisor 154 Polarizacién por divisor de voltaje 158 Polarizacién de de por reroalimentacién de voltaje 166 Diversas configuraciones de polarizacién 169 Operaciones de disefio 175 Redes de conmutacién con transistores 181 ‘Téenicas para Ia localizacién de fallas 186 Transistores pnp 189 Estabilizacién de la polarizacién 191 Andlisis por computadora 200 ContenidoSa. 52 83 Sa 3S 56 87 58 59 540 sa. 512 53 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6.10 6 6.12 613 7A 72 73 14 1s 16 17 18 19 TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO 215 Introduccién 215 Construccién y caracteristcas de los JFET 216 Caracteristicas de transferencia 223 Hiojes de especificaciones UFET) 227 Instrumentacién 230 Relaciones importantes 231 MOSFET de tipo decremental 238 MOSFET de tipo incremental 238 Manejo del MOSFET 246 MOS 247 CMOS 248 Tabla resumen 250 Anilisis por computadora 251 POLARIZACION DEL FET 256 Introduccién 256 Configuracién de potarizacion fija 257 Configuracién de autopolarizacion 261 Polarizacién mediante divisor de voltaje 267 ‘MOSFET de tipo decremental 273 MOSFET de tipo incremental 277 Tabla resumen 283 Redes combinadas 285 Disefio 288 Localizacién de fallas 290 FET de canal-p 291 Curva universal de polarizaci6n para JFET 294 Analisis por computadora 297 MODELAJE DE TRANSISTORES BIPOLARES 311 Introduceién. 311 Amplificacién en el dominio de ac 311 Modelaje de transistores BIT 312 Los parimetros importantes: Z,,Z,.A,.8, 314 El modelo de transistor r, 320 E] modelo hfbrido equivalente 327 Determinacién gréfica de los pardmetros fk 333, ‘Variaciones de los pardmetros de transistores 337 Andlisis por computadora 339 Contenido94 92 93 94 95 96 97 98 99 9.10 ou 932 943 944 945 10 101 102 103 304 105 106 107 308 109 10.10 10.1 30.12 Contenido ANALISIS A PEQUENA SENAL DEL TRANSISTOR BIPOLAR 346 Introduccion 346 ‘Configuraciéi de emisor comin con polarizacién fija 346 Polarizaci6n mediante divisor de voltaje 350 ‘Configuracién de E-C con polarizacin en emisor” 353 rracién emisor-seguidor 360 Configuracién de base comtin 366 ‘Configuracién con setroalimentaciGn en colector 368 Configuracin con retroalimentacién de de en colector 374 Circuito equivalente hibrido aproximado 377 Modelo equivalente hibrido completo 383, ‘Tabla resumen 390 Solucin de problemas 390 ‘Andlisis por computadora. 393 ANALISIS A PEQUENA SENAL DEL FET 415 Inwroduccién 415 Modelo de pequetia sel del FET 416 Configuracién de polarizacién fija para el JFET 424 CConfiguracion de autopotarizacin para el JFET 426 Configurecién de divisor de voltje para el JFET 432 Configurecién fuente-seguidor (drenaje comin) para el JFET 433 Configuracién de compuerta comin para el JFET 436 MOSFET de tipo decremental 440 MOSFET de tipo incremental 442 Configuracin de retroalimentacidn en drenaje para el EMOSFET 443 CConfiguracién de divisor de voltaje para el EMOSFET 446 Cémo diseia redes de amplificador FET 447 Tabla resumen 450 Solucién de problemas 453 ‘Anélisis por compotadora 453 APROXIMACION A LOS SISTEMAS: EFECTOS DE R, Y R, 468 Inroduccién 468 Sistemas de dos puertos 468 Efecto de la impedancia de carga (R,) 470 Efecto de la impedancia de la fuente (R,) 475 Efecto combinado de R, y R, 477 Redes BIT de CE 479 Redes emisor-seguidor 484 Redes CB 487 Redes FET 489 Tabla resumen 492 Sistemas en cascada 496 Anélisis por computadora 49711 ma U2 13 ua us 6 Ww us ug 11.10 ma 12 1113 12 a 22 B3 24 Rs 126 127 2s 29 12.10 at 13 Ba B2 133 BA BS 136 137 138 139 RESPUESTA EN FRECUENCIA DE TRANSISTORES BJT Y JFET 509 Introduccién $09 Logaritmos 509 Decibeles 513 Consideraciones generales sobre la frecuencia 516 Andlisis a baja frecuencia, gréfica de Bode 519 Respuesta a baja frecuencia, amplificador a BJT 524 Respuesta a baja frecuencia, amplificadar FET 533 Capacitancia de efecto Miller $36 Respuesta a alta frecuencia, amplificador BIT $39 Respuesta a alta frecuencia, amplificador FET $46 Efectos de frecuencia en multietapas 550 Prueba de onda cuadrada $52 Andlisis por computadora $54 CONFIGURACIONES COMPUESTAS 560 Introduccién $60 Conexién en cascada 560 Conexion cascode 565 Conexién Darlington 566 Par retroalimentado $71 Cireuito CMOS 575 Circuitos de fuente de corriente 577 Espejo de corriente 579 Circuito de amplificador diferencial $82 Circuitos de amplificador diferencial BiFET, BIMOS y CMOS $90 Andlisis por computadora 591 TECNICAS DE FABRICACION DE CIRCUITOS DISCRETOS EINTEGRADOS —-607 Introduecién 607 ‘Materiales semiconductores, Si,Ge y GaAs 607 Diodos discretos 609 Fabricacién de transistores 611 Circuits imtegrados 612 Circuitos integrados monoliticas 614 El ciclo de produccién 617 Circuitos integradas de pelicula delgada y pelicula gruesa 626 Circuitos integrados hibridos 627 xili14 144 142 143 44 145 146 147 148 15 15 152 153 184 185 15.6 157 16 164 162 163 164 165 166 167 168 169 17 aa 172 173 74 17s 176 177 178 1 18.4 382 AMPLIFICADORES OPERACIONALES 628 Introduceién 628 Operacién en modo diferencial y en modo comin 630 Amplificador operacional bisico 634 Cireuitos précticos con amplificadores operacionales 638 Especificaciones, parimetros de desvio de de 644 Especificaciones de parmetros de frecuencia 647 Especificaciones para una unidad de amplificador operacional 651 Anélisis por computadora 657 APLICACIONES DEL AMPLIFICADOR OPERACIONAL 669 ‘Multiplicador de ganancia constante 669 Suma de voltajes. 673 Acoplador de voltaje 676 Fuentes controladas 677 Circuitos de instrumentacion 679 Filtros activos 683 Andlisis por computadora 687 AMPLIFICADORES DE POTENCIA, 701 Introdueci6n: definiciones y tipos de amplificadores 701 Amplificador clase A alimentado en serie 703, Amplificadar acoplado con transformador clase A 708 Operacién del amplificador clase B 715 Cireuitos de amplificador clase B 719 Distorsién del amplificador 726 Disipacién de calor del transistor de potencia 730 Amplificadores clase C y clase D 734 Anilisis por computadora 736 CI LINEALES/DIGITALES 741 Introduccion 741 Operacién del comparador 741 Convertidores analégicos-digitales 748 Operacin del CI temporizador 752 Oscilador controlado por votaje 755 Lazo de seguimiento de fase 758 Circuitos de interfaz. 762 Andlisis por computadora 765 CIRCUITOS CON RETROALIMENTACION Y OSCILADORES 773 Conceptos de retroalimentacién 773 Tipos de conexién de retroslimentacién 774183 184 185 186 187 188 18.9 18.10 19 94 192 193, 194 195 19.6 197 20 20.4 20.2 204 205 206 207 209 20.10 2041 ma 212 213 na 215 216 217 218 ng 21.10 a1 paz 2143 ada 21.18 21.16 Circuitos précticos con retroalimentacién 780 Amplificador retroalimentado: consideraciones de fase y frecuencia 787 Operacién del oscilador 789 Oscilador de corrimiento de fase 79) Oscilador de puente Wien 794 Cirevito de oscilador sintonizado 795 Oscilador a eristal 798 Oscilador monounién 802 FUENTES DE ALIMENTACION (REGULADORES DE VOLTAJE) 805 Introducci6n 805 Consideraciones generales de filtros 805, Filtro capacitor 808, Filtro RC 811 Regulacién de voltaje con transistores discretos 814 Reguladores de voltaje de Cl. 821 Analisis por computadora $26 OTROS DISPOSITIVOS DE DOS TERMINALES 832 Introduccion 832 Diodos de barrera Schottky (“portadores calientes”) 832 Diodos varactores (varicap) 836 Diodos de potencia 840 Diodos tinel $41 Fotodiodos 846 Celdas fotoconductoras 849 Emisores de IR 851 Pantallas de cristal guido 853 Celdas solares 855 ‘Termistores 859 DISPOSITIVOS pnpn 864 Introduccion 864 Rectificador controlado de silico. 864 Operacisn bésica del rectficador controlado de silico 864 CCaractristicas y valores nominales del SCR_867 Construccién ¢ identificaciOn de terminales del SCR. 869 Aplicaciones de! SCR &70 Interruptor controlado de silicio 874 Interruptor controlado en compuerta 876 SCR activado por luz 877 Diodo Shockley 880 DIAC 880 TRIAC 882 ‘Transistor monouni6n 883 Fototransistores 893 Optoaislacores 895 ‘Transistor monounién programable $972 OSCILOSCOPIO Y OTROS INSTRUMENTOS DE MEDICION 22.1 Introduccién 906 22.2 Tudo de rayos cat6dicos: teoria y construccién 906 223° Operacién del osciloscopio de rayos catsdicos 907 224 Operacién del barrido de voltaje 908 225 Sincronizaci6n y disparo 911 226 Operacién en multitrazo 915 22.7 MediciGn utilizando las escalas calibradas 915 228 Caracteristcas especiales 920 22.9 Generadores de sefiales 921 APENDICE A: PARAMETROS HIBRIDOS: ECUACIONES PARA CONVERSION (EXACTAS Y APROXIMADAS) APENDICE B: FACTOR DE RIZO Y CALCULOS DE VOLTAJE APENDICE C: GRAFICAS Y TABLAS APENDICE D: PSPICE APENDICE E: SOLUCIONES A LOS PROBLEMAS SELECCIONADOS CON NUMERO NON INDICE Contenido 906 924 926 933 935 937Prefacio Segtin nos acercibamos al XX aniversatio del texto, se hizo verdaderamente claro gue esta sents edicion debia continuar con el importante trabajo de revisién que two la edicién, La reciente milizacién de la compatadora, los circuits integrados y el expancido rango de co- terra necesaria en los cursos bisicos que contribuyeron al refinamiento de lapasadaedicion contindan siendo Jos fatores principals que afectan el contenido ce una nueva versiGn. A través de los afos, hemos aprendido que el mejoramiento de la lectura se puede obtener através de la apariencia general del texto, de tal forma que nos hemos comprommetido al formato que encontrar en la sexta edn de tal manera que el matril del texto parezea més “amistoso” para un amplio sector de estudiantes. De la misma manera que en c] pasado, continuamos empetados en el fuerte sentido pedagégico del texto I exacttud y en un amplio rango de materiales auxiliaes que apoyan el proceso educativo. PEDAGOGIA Sin duda, una de Iss mejoras més importantes que se han retenido de la quinta edicion es la ‘manera en la cual el texto se presta para el compendio ordinario del curso. La nueva secuencia de la presentacién de los conceptos que afect6 la iltims edicién se he conservado en la presen- te, Nuestra experiencia docente con esta presentacicn ha reforzado la creencia de que el mate- rial tiene ehora una pedagogia mejorada para apoyar Ia presentacién del instructor y ayudar al cstudiamte a construir os fundamentos necesarios para sus faturos estudios. Se ha conservado la cantidad de ejemplos, los cuales fueron incrementados de modo considerable desde la. quin- twedicidn, Las decleraciones aisladas en negritas (“balas”)identifican aseveraciones y conclu- siones importantes. Fl formato he sido disefado para establecer un apariencia amistosa para el estudiante y para asegurar que el trabajo artistico se encuentre tan cercano a la referencia, como sea posible. Se han utilizado pantalias para definir caracteristicas importantes 0 para ais- lar cantidades especificas en una red o en ima caracteristica. Los ivonos, desarrollados para cada capitulo del texto, facilitan la referencia de un érea en particular tan répidamente como sea posible. Los problemas, los cuales han sido desarrollados para cada seccién del texto, van ‘en progreso a partir de lo mas simple a lo mas complejo. Asimismo, un asterisco identifice los ejercicios més dffcles. El titulo en cada seccidn también se reproduce en la seccisn de proble ‘mas para identificar con claridad los efercicios de interés para un tema de estudio en particularxvii ENFOQUE DE SISTEMAS Durante varias visitas a otros colegios, institutos técnicos, y juntas de varias sociedades, se mencionaba que deberfa desarrollarse un mayor “enfoque de sistemas” para apoyar la necesi- dad de un estudiante de convertirse en adepto de la aplicacién de paquetes de sistemas. Los capitulos 8, 9 y 10 estén especificamente organizados para desarrollar los cimientos del ar sis de sistemas en el grado posible en este nivel introductorio. Aunque puede resultar més facil cconsiderar los efectos de R, y R, con cada configuracién cuando ésta se presenta por primera vee, los efectos de R, y R; también ofrecen una oportunidad para aplicar algunos de los con- cceptos fundamentales del andlisis de sistemas, Los bltimos capftulos referentes a amplificadores ‘operacionales y circuitos integrados desarrollan ain més los conceptos presentados en los capitulos iniciales. EXACTITUD No hay duda que una de las metas primarias de cualquier publicacién es que ésta se encuentre libre de errores en to posible. Ciertamente, la intencién no es de retar al instructor 0 al estu- dante con inconsistencias planeadas. De hecho, no existe algo més tenso para un autor que el escuchar sobre errores en su libro. Después de una verificaciGn extensiva acerca de Is exacti~ tud en la quinta edici6n, ahora nos sentimos seguros que este texto gozard del nivel més alto de exactitud que se puede obtener para una publicacién de este tipo. MODELAJE DE TRANSISTORES El modelaje del transistor bipolar de unién (BJT) es un érea que se ha enfocado de varias rmaneras. Algunas instituciones utilizan exclusivamente el modelo r, mientras que otras se apoyan en el enfoque hfbrido o en ura combinaciGn de estos dos. La sexta ediciGn destacard el modelo r, con la suficiente cobertura del modelo hibrido como para permitir una comparacién entre los modelos y la apicacién de ambos. Se ha dedicado un capitulo completo (capitulo 7) «la introduccién de los modelos para asegurar un entendimiento claro y comrecto de cada uno y de las relaciones que existen entre los dos. PSpice Y BASIC Los recientes afios han visto un crecimiento continuo del contenido de computacién en los cursos introductorios. No solamente aparece la utilizacin de procesadores de texto en el pri- ‘mer semestre, sino que también se presentan las hojas de céleulo y el empleo de un paquete de andlisis tal como PSpice en numeroses instituciones educativas. Se eligié PSpice como el paquete que apareceré a través de este texto debido a que recientes encuestas sugieren que es el que se emplea con mayor frecuencia. Otros paquetes posibles incluyen Micro-Cap Ul y Breadboard. La zobertura de PSpice oftece suficiente capacidad para permitir la escritura del archivo de captura para la mayoria de las redes analizadas en este texto. No se supone Un conocimiento anterior acerea de paquetes para computadora PSpice cn el ambiente WINDOWS permite entrar al circuito en forma esquemitica, el cual puede ser analizado después con resultados de salida similares a PSpice. Ati se incluyen eneel fexto algunos programas en BASIC para demostrar las ventajas de conocer ua lenguaje dle computacién y de los beneficios adicionales que surgen de su utilizacién,SOLUCION DE PROBLEMAS La solucién de los problemas es indudablemente una de as habilidades mis dificles para presentar, desarrollar y demosirar en un texto. Se tata de un arte que debe ser introducido utlizando una variedad de técnicas, pero Ia experiencia y la exposicién son obviamente los elementos clave en l desarrollo de estas habilidades. El contenido es en forma esencial una revisién de situzciones que ocurren con frecuencia dents del ambiente de laboratoro. Se presentan algunas ideas sobre cémo aislar un drea problemdtica asf como una lista de las cau- sas posibles. Esto no pretende sugerir que un estudiante se convertiré en un experto en la solucidn de las redes presentadas en este texto, pero al menos el lector tendré agin entend- riento de lo que estérelacionado con el proceso de Ia solucin. UTILIZACION DEL TEXTO En general, el texto esti dividido en dos componentes principales: el andlisis en de y en ac 0 respuesta en frecuencia, Para algunos colegies Iz seccién dc es suficiente para un semestre. mientras que para otros el texto completo puede ser cubierto en tn semestre mediante la elec- cin de temas especificas. En cuslquier caso,el presente es un texto que “construve” a partir de los capitulos iniciales. El material superfluo se relega a Ios tltimos capitulos para evitar el contenido excesivo acerca de un tema particular al principio en el nivel de desarrollo. Para cada dispositivo el texto cubre una mayoria de las configuraciones y aplicaciones importantes, Mediante le eleccisn de ejemplos y aplicaciones especificos es posible reducir el contenido de tun curso sin perder las caracteristicas de construccién progresivas del texto. Por tanto, si un instructor siente que un éea especifica es particularmente importante, se ofrece el detalle con el fin de tener una revisiGn mds extensiva, ROBERT BOYLESTAD, LOUIS NASHELSKYAgradecimientos [Nuestros mas sinceros agradecimientos se deben extender aos profesores que han utilizado el texto yhan enviado algunos comentarios, corecciones ysugerencias. También deseamos agrs- Geces 8 Rex Davidson, editor de Prentice-Hall, por mantener unidos los tantos aspectos deta- llados de produccién. Nuestro més sincero agradecimiento a Dave Garza, editor senior. y a Carol Robison, editor senior de desarrollo, de Prentice-Hall, pr sa apoyo editorial en a sexta edicién de este texto. Deseamos agradecer # aquellas personas que han compartido sus sugerencias yevaluacio- nes dol presente texto a través de sus muchas ediciones. Los comentarios de estas personas nos hhan permitido presentar Electronica: Teoria de Circuitos en esta nueva edicin: Ernest Lee Abbott Napa College. Napa, CA Phillip D. Anderson Muskegon Community College, Muskegon, MI AlAnthony — EG&G VACTEC ine. A.Duane Bailey Southern Alberta Institute of Technology, Calgary, Alberta, CANADA Joe Baker University of Southern California, Los Angeles. CA Jerrold Barrosse Penn State-Ogontz ‘Ambrose Barry University of North CarolinaCharlotte ‘Arthur Birch Hartford State Technical College, Hartford, CT Scott Bisland SEMATECH, Austin, TX Edward Bloch The Perkin-Elmer Corporation ‘ Gary C.Bocksch Charles S, Mott Community College, Flint, MI Jeffrey Bowe Bunker Hill Community College, Charlestown, MA Alfred D. Buerosse Waukeshe County Technical College. Pewaukee, WI Lila Caggiano MicroSim Corporation Robert Casiano International Rectifier Corporation Alan H.Czarapata Montgomery College, Rockville, MD Mohammad Dabbas ITT Technical Institute John Darlington Humber College, Ontario, CANADA Lucius B.Day Metropolitan State College, Denver, CO Mike Durren Indiana Vocational Technical College, South Bend, IN Dr. Stephen Evanson Bradford University, UK George Fredericks Northeast State Technical Community College E.D.Fuller Humber College, Ontario, CANADA, Phil Golden DeVry Institute of Technology, Irving, TX Joseph Grabinski Hartford State Technical College, Hartford, CT ‘Thomas K.Grady Western Washington University. Bellingham. WA William Hill ITT Technical InsiteAlbert L. Ickstadt Jeng-Nan Juang Karen Karger Kenneth E. Kent Donald E. King Charles Lewis, Donna Liverman George T. Mason William Maxwell Abraham Michelen John MacDougall Donald E. McMillan ‘Thomas E, Newman Dr. Robert Payne E.F.Rockafellow ‘Saeed A. Shaikh Dr. Noel Shammas Eric Sung Donald P. Szymanski Parker M. Tabor Peter Tampas ‘Chuck Tinney Katherine L. Usik Domingo Uy Richard J. Walters Talian Wilson Syd R. Wilson “Jean Younes Charles E. Yunghans Ulrich E. Zeisler San Diego Mesa College, San Diego, CA Mercer University, Macon, GA ‘Tekteonix Ine DeKalb Technical Institute, Clarkston, GA IIT Technical Institute, Youngstown, OH APPLIED MATERIALS, Inc. ‘Texas Instruments Inc Indiana Vocational Technical College, South Bend, IN Nashville State Technical Instrute Hudson Valley Community College University of Western Ontario, London, Ontario, CANADA Southwest State University, Marshall, MN LH. Bates Vocational-Technical Institute, Tacoma, WA University of Glamorgan, Wales, UK Southem-Alberta Institute of Technology, Calgary, Alberta, CANADA, Miami-Dade Commonity College, Miami, FL School of Engineering, Beaconside, UK ‘Computronics Technology Inc. Owens Technical College, Toledo, OH Greenville Technical College, Greenville, SC Michigan Technological University, Houghton, MI University of Utah Mohawk College of Applied Art & Technology, Hamilton, Ontario, CANADA Hampton University, Hampton, VA DeVry Technical Institute, Woodbridge, NJ Southern College of Technology, Marietta, GA Motorola Ine ITT Technical Institute, Troy, MI Western Washington University, Bellingham, WA Salt Lake Community Coliege, Salt Lake City, UTELECTRONICA: TEORIA DE CIRCUITOSCAPITULO Diodos semiconductores 1.1 INTRODUCCION ‘Unas cuantas décadas que han seguido a2 introduccién del transistor, hacia finales de los aos cuarenta, han sido testigo de un cambio asombroso en la industria de la electrOnica, La ‘miniaturizacion que se ha logrado nos deia sorprendidos de sus alcances. Sistemas completos aparecen ahora sobre una oblea de siicio, miles de veces mas pequefia que un solo elemento de las redes inicales. Las ventajas asociadas con los sisternas actuales, comparados con las redes de bulbos de los afios anteriores, resultan. en su mayor parte, obvias de inmediato: son mas ppequetios y ligeros, no tienen requerimientos de calentamiento 0 disipacidn de calor (como en «1 caso de los bulbos), tienen una construccién més robusta, son més eficientes y no requieren dde-un periodo de calentamiento. La miniaturizacin desarrollada en los aflos recientes ha dado por resultado sistemas tan ppequefios que ahora el propésito basico del encapsulado s6lo es obtener algunos medios para ‘manipular el dispositive y asegurar que las conexiones permanezcan fijas en forma adecuada en la base del semiconductor. Los limites de la miniaturizacién dependen de tres factores: la calidad del material semiconductor, la técnica del diseio de redes y 10s limites de Ia manufac tra y el equipo de procesamiento. 1.2. EL DIODO IDEAL EL primer dispositivo elects6nico que se presenta es el que se denomina diodo, et més sencillo t > 5 de Ios dispositivos semiconductores, pero que desempefia un papel muy importante en los, sistemas electrénicos. Con sus caracteristicas, que son muy similares a Jas de un interruptor ty sencillo, aparece en una amplia variedad de aplicaciones, que van desde las més sencillas alas ‘ms complejas. Ademés de los detalles de su construccin y caracteristicas, los datos y gréfi- ® as importantes se encontrarén en las bojas de especificaciones y también se estudiarén con ‘objeto de asegurar una comprensién de Ia terminologéa que se utiliza, aparte de demostrar la riqueze de la informacién que los febricantes suelen proporcionar. ‘Antes de analizar Ia consirucciGn y la caracteristicas de un disposiivo real, primero se ‘considerard el dispositivo ideal para offecer una base de comparacién. El diodo ideal es un 1p (Limitado pore irate) Figura 1.2. 2) Estados de conducci6n yb) no conducelén del dlodo ideal segdn esta determinado por la polarizacion aplicada. Por lo general, resulta sencillo hasta cierto punto determinar si un diodo se encuentra en la regiGn de conduceién 0 de no conduccién, al observar la direccién de la corriente /,, que s© cestablece mediante un voltaje aplicado. Para el flujo convencional (opuesto al flujo de electro- nes), si Ja corriente resultante del diodo tiene la misma direccién que la punta de la flecha del simbolo del diodo, éste esta operando en la region de conducci6n, segiin se describe en la figura 1.3a. Sila corriente resultante tiene la direcci6n opuesta, como se muestra en Ja figura 1.3b, el circuito abierto equivalente es el apropiado. Capftulo 1 Diodos semiconductoresFigura 1.3 a) Estados de conduecién y b) no conduecién del iodo ideal, segtin est determinado porla direccién de ia comrente ‘convencional establecida por la red Como se indicé antes, el prop6sito inicial de esta seccién es presentar las caracteristicas de un dispositive ideal para poder compararlas con las caracteristicas de la variedad comer- cial. Segiin se avance a través de las proximas secciones, se deben considerar las siguientes preguntas: Qué tan cercana seré la resistencia comparado con el nivel 0-2 deseado? recta o de “encendido” de un diodo practico Bs la resistencia inversa parcial lo suficientemente grande como para permitir una ‘aproximacion de circuito abierto? 1.3. MATERIALES SEMICONDUCTORES El término semiconductor revela pot sé mismo una idea de sus caracteristicas. El prefijo semi ssucle aplicarse a un rango de niveles situado a la mitad entre dos limites. Fl término conductor se aplica a cualquier material que soporte un flujo generoso de ‘carga, cuando una fuente de voliaje de magnitud limitada se aplica a través de sus terminales. Un aistante es un material que ofrece un nivel muy bajo de conductividad bajo la resion de una fuente de voltaje aplicada: Un semiconductor, por tanto, es un material que posee un nivel de conductividad sobre algiin punto entre los extremos de un aislante y wn conductor. De manera inversa, y relacionada con Ta conductividad de un material, se encuentra st resistencia al flujo de la carga ocorsiente. Est es, mientras mas alto ese! nivel de conductvidad, menor es el nivel de resistencia. En las tablas el término resistvidad (p, la letra griega rho) se utiliza a menudo para comparar los niveles de resistencia de los materiales. En unidades métri- cas, laresistividad de un material se mide en 9-cm 0 2-m. Las unidades de Q-em se derivan de Ja sustitucién de las unidades para cada cantidad de Ta figura 1.4 en la siguiente ecuacion (derivada de la ecuacién bisice de resistencia R = pI): RA _(QxXom2y 1 em => Q0m ap De hecho, si el drea de la figura 1.4 es de 1 cm? y la Iongitud de 1 cm, la magnitud de la resistencia del cubo de la figura 1.4 es igual ala magnitud de laresistividad del material seguin se demuestra a continuacisn: oe A © (em) p = |plonms Este hecho ser4 de utlidad cuando se comparen los niveles de presentan enseguida, En la abla 1.1 se muestran los valores tipicos de resistividad para tres categorias amplias de materiales. Aunque se pueda estar familiarizado con las propiedades eléctricas del cobre y 1a ‘mica, las caracteristicas de los materiales semiconductores, germanio (Ge) y silicio (Si), pue- istividad en los andlisis que se 1.3. Materiales semiconductores Aw text te ten Figura 1.4 Delinciin de las vunidades métricas de resistividadFigura 18 Estructura de un solo cristal de Gey Si ‘TABLA 1.1 Valores tipicos de resistividad Conductor Semiconductor pal Qem 50 Sr (pean) (cobre) (950 x 10° Q-em (cc) den ser relativamente nuevas. Como se encontraré en los capitulos que siguen, ciertamente no son los tmicos dos materiales semiconductores: sin embargo, son los que mas interesan en el desarrollo de dispositivos semiconductores. En afios recientes el cambio ha sido estable con €l siicio, pero no ast con el germanio, cuya produccidn ain es escasa. Observe en Ia tabla 1.1 el rango tan grande entre los materiales conductores y islantes para Te longitud de 1 em (un érea de I-cm?) de material. Dieciocho lugares separan la colocacién del punto decimal de un niimero a oto. Ge y Si han recibido la atencisn que tienen por varias razo- res. Una consideracin muy importante es el hecho de que pueden ser fabricados con un muy alto nivel de pureza. De hecho, los avances recientes han reducido los niveles de impureza en el material puro a una parte por cada 10 mil millones (1 : 10000 000 000). Es posible que alguien se pregunte si estos niveles de impureza son realmente necesario. En realidad lo son si se consi- dlera que la adicién de una parte de impureza (del tipo adecuado) por millén, en tna oblea de silicio, puede cambiar dicho material de un conductor relativamente pobre a un buen conductor de electricidad. Como es obvio, se estd manejando un espectro completamente nvevo de nive les de comparacién, cuando se trata con el medio de los semiconductores. La capacidad de cam- biar las caracteristicas del material en forma significativa através de este proceso, que se conoce ‘camo “dopado”, es otra razén més por la cual el Ge y el Si han recibido tanta atencién, Otras razones incluyen el hecho de que sus caracteristicas pueden alterarse en forma significativa a través de la aplicaciin de calor o luz, una consideracién importante en el desarrollo de disposti- ‘vos sensibles al calor o ala luz Algunas de las eualidades tnicas del Ge y el Si que se observaron antes se deben a su estructura atémica. Los étomos de ambos materiales forman un patron muy definido que es periddico en naturaleza (esto es que continuamente se repite el mismo). A un patton completo se le lama cristal, yal arreglo periédico de los étomos, red cristatina. Para el Ge y el Si el cristal tiene Ia estructura de diamante de tres dimensiones que se muestra en la figura 1.5 CCualquier material compuesto s6lo de estructuras repetidas de cristal del mismo tipo se deno- rina estructura de cristal anico. Para los materiales semiconductores de aplicacién préctica en el campo de la electrinica, esta caractersstica de cristal tinico existe y, ademés, la periodicidad de laestructura no cambia en forma significativa con la adiciOn de impurezas en el proceso de dopado. ‘Ahora, se examinaré la estructura del étomo en si y se observard cémo se pueden afectar las caracteristicas eléctricas dei material. Como se tiene entendido, el étomo se compone de tres particulas basicas: el eectr6n.el proton y el neutron. En la red atémica, os neutrones y os proiones forman el nicleo, mientras que los electrones se mueven alrededor del nicleo sobre una orbta fija. Los modelos de Bohr de los semiconductores que se usan con mayor frecuen- cia, el germanto y el siticio, se muestran en la figura 1.6 Como se indica en la figura 1.6a, el étomo de germanio tiene 32 electrones en érbita, mientras que el slici tiene 14 electrones en varias 6rbitas. En cada caso, existen cuatro elec- trones en la orbita exterior (valencia). El potencial (potencial de ionizacién) que se requiere pata movilizar cualquiera de estos cuatro electrones de valencia, es menor que el requerido por cualquier otro electrén dentro de 1a estructura. En un cristal puro de germanio 0 de silicio estos cuatro electrones de valencia se encuentran unidos a cuatro étomos adjuntos, como se ‘muestra on la figura 1.7 para el sifcio. Tanto el Ge como el Si son referidos como atomos ‘etravalentes, poraue cada uno tiene cuatro electrones de valencia Una union de atomos fortalecida por el compartimiento de electrones se denomina union covalente, Capitulo 1 Diodos semiconductoresFigura 1.6 Estructura atémica:&) germanio: Figura 7 Union covalente éelétome de by slicio, silico, ‘Si bien la unign covalente generard una unin mis fuerte entre los electrones de valencia y su dtomo, ain es posible para los electrones de valencia absorber suficiente energia cinética ppor causas naturales, para romper la unién covalente y asumir el estado “libre”. El término “iibre” revela que su movimiento es muy sensible a los campos eléctricos aplicados, come los establecidos por las fuentes de voltae o cualquier diferencia de potencial. Estas causas natura- Jes incluyen efectos como la energfa luminica en Ta forma de fotones y ta energfa térmica del ‘medio que lo rodea. A temperatura ambiente existen aproximadamente 1.5 x 10'° portadores libres en un centimetro cdbico de material intrinseco de silico. Los materiales intrinsecos son aquellos semiconductores que han sido ‘culdadosamente refinados para reducir las impurezas a un nivel muy bajo, esencialmente tan puro como se puede obtener a través de la tecnologia moderna. A Ios electrones libres localizados en el material que se deben s6lo a causas naturales, se Jes eonoce como portadores intrinsecos. A ia misma temperatura, el material intrinseco de germanio tendré aproximadamente 2.5 x 10'3 transmisores libres por centimetro ctibico. La relaci6n del némero de portadores en el germanio respecto al silcio es mayor de 10° e indica que el germanio es un mejor conductor a temperatura ambiente. Esto puede ser cierto, aunque en el estado intrinseco ambos atin son considerados conductores pobres. Observe en la tabla 1.1 cémo la resistividad también difiere por una relacién de aproximadamente 1000 : 1 con el silicio,teniendo, por tanto, un mayor valor. Por supuesto,éste debe ser el caso, debido a que Iz resistividad y Ia conductividad son inversamente proporcionales. Un incremento en la temperatura de un semiconductor puede generar un incremento sustancial en el niumero de electrones libres en el material. Segin aumenta la temperatura desde el cero absoluto (0 K), un niimero mayor de lectrones de valencia absorben suficiente energia térmica como para romper ta unin covalente y contribuir asi al nimero de portadores libres, segtin se describi6 antes. Este mayor nimero de portadores eumentard el indice de conductividad y generaré un menor nivel de resistencia Se dice que los materiales semiconductores como et Ge y el Si, que muestran una reduceion en resistencia con el incremento en la temperatura, tienen un coeficiente de temperatura negative. Quizé el iector recuerde que La resistencia de casi todos los conductores se inerementard ‘con [a temperatura, Esto se debe al hecho de que el nimero de portadores en un conductor no 1.3. Materiales semiconductoresFigura L8_Niveles de energia: a) lveles discretos en estructuras atéinicas aisladas: b) bandas de ‘conduccién y valencia de un aislador, semiconductor y conductor, se incrementaré significativamente con la temperatura, pero su patron de vibracién con respec- to a una localizacién relativamente fija aumentaré la dificultad para que los electrones pasen a través de ella. Un ineremento en la temperatura, por tanto, genera un aumento del nivel de resistencia y un coeficiente positivo de temperatura 1.4. NIVELES DE ENERGIA En laestructura at6mica aislada existen niveles de energia discretos (individuales) asociados con ‘cada electrén en una Grbita segtn se muestraen Ia figura | $a. Cada material tendrd, de hecho, su propio conjunto de niveles de energia permisibles para los electrones en su estructura atomica. Mientras més distante se encuentre el electron del nlicleo, mayor es el estado de ‘energia, y cualquier electr6n que haya dejado a su dtomo, tiene un estado de energia ‘mayor que cualquier electron en la estructura atomica: [Nivel de valencia capa mis exes) Bans decries Sand nivel (gin cp ite eer prs nee Btecones | Breit ana cecomactin | TEP a cre | nt cents | THe ee | tanbcee seule ee BI | teaeees——fe 6 concn fe 8 ee] umidosa te ‘Besa de valencia | panda devatescia.| nce Sones E, = ev@ EL 2 067 eV Ge) EL = Al eV GaAs) Aislamte Semiconductor Conductor Entre los niveles de energia discretos existen bandas vaciasen las cuales no pueden apa- recer electrones dentro de Ie estructura atémica aislada. Cuando los dtomos de un material se ‘nen para formar Ia estructura dela red crstalina, existe una interaccién entre los &tomos que ccasiona que los electraes dentro de una érbita ea particular de un étomo tengan ligeras diferencias en sus niveles de energta, respecto a los electrones en la misma érbita de un tomo Adjunto, EI resultado neto es una expansidn de Ia bands de los niveles discretos de estados de ‘energia posibles para los electrones de valencia, como se muestra en la figura 1.8b. Observe {que existen niveles y estados de energia méximos en los cuales se puede encontrar cualquier electron, y una region prohibida entre la banda de valencia y el nivel de ionizacién. Recuerde ue Ia ionizacién es el mecanismo mediante el cual un electrén puede absorber suficiente Capitulo 1 Diodes semiconductoresenerga pasa separarse de su estructura atGmica y entrar en la banda de conduccisn. Se obser- ‘vari que la energia asociada con cada electrén se mide en electrén volts (eW). La unidad de medida es edecuada, porque w=oVv ev 2) segiin se deriv6 de la ecuacitn definida parael voltgje V= W/Q. Qes la carga asociada con un Uinico electr6n. Sustimuyendo la carga de un electréin y una diferencia de potencial de | volten la ecuacién (1.2) se tiene un nivel de energia referido como un electrén volt. Debido a que la energia también se mide en joules y que la carga de un electr6n = 1.6% 10-° coulomb, We V = (1.6 10-9 CLV) y LeV= 16x10") a3) A.0 K 0 cero absoluto (-273.15 °C), todos los electrones de valencia de los materiales semiconductores se encuentran en la capa exterior de! étomo con niveles de energia asociados con Ia banda de valencia de la figura 8b. Sin embargo, a temperatura ambiente (300 K, 25 °C) tun gran nimero de electrones de valencia han adquirido suficiente energia para dejar Ta banda de valencia, y han atravesago Ta banda de energia vacia definida por E, en la igure 1.8 y entrado a la banda de conduccién. Para el silicio E, es de 1.1 eV, para él germanio 0.67 eV y para el arseniuro de galio 141 eV. Para el germanio, E, obviamente es menor, y se debe al ‘gran nimero de portadores en dicho material, comparado al silcio expuesto a temperatura ambiente. Observe que part c! aislante la banda de energfa es con frecuencia de 5 eV mas. o ‘cual limita drésticamente el ndmero de electrones que pueden entrar a le banda de conduecién a temperanira ambiente. El conductor iene electrones en ta banda de conduccién aun a0 K. Por tanto, es bastanie obvio que a temperarura ambiente existan portadores libres més que suficientes para soportar un gran flujo de carga 0 comrente En Ia secci6n 1.5 encontraré que si ciertas impurezas se afiaden a los materiales semiconductores intrinsecos, ocurrirén estados de energia en las bandas prohibidas, lo que ‘czusard una reduccin neta cn E, para ambos materiales semiconductores y, por consecuen- cia, también una mayor densidad de portadores en la banda de conducciGn a temperstura ambiente. 1.5 MATERIALES EXTRINSECOS: TIPO n Y TIPO p Las caracteristicas de los materiales semiconductores pueden ser alteradas significativamente ppor la adicién de ciertos stomos de impureza a un material semiconductor relativamente puro. Estas impurezas, aunque sélo haya sido afiadida 1 parte en 10 millones, pueden alterar en forma suficiente la estructura de la banda y cambiar totalmente las propiedades eléctricas del material. Un material semiconductor que haya sido sujeto al proceso de dopado se denomina un material extrinseco. Existen dos materiales extrinsecos de gran importancia para la fabricacién de dispositivos ssemiconductores:¢] tipo m y el tipo p. Cada uno se describird con detalle més adelante. Material tipo n ‘Tanto el material tipo n como et tipo p se forman mediante la adici6n de un nimero predetermi- nado de étomos de impureza al germanio o al silicio. El tipo n se ereaa través de la introduccién de elementos de impureza que poseen cinco clectrones de valencia (pentavalentes). como el antimonio, arsénico y fésforo. El efecto de estos elementos impuros se indica en la figara 1.9 1.5. Materiales extrinsecos: tipo n y tipo p‘Quino lecese Vie Figura 1.9. Impureza de antimonio cenel material tipon {(utilizando el antimonio como impurezaen el silico). Observe que las cuatro uniones covalentes atin se encuentran presentes, Existe, sin embargo. un quinto electrén adicional debido al étomo de impureza, mismo quc se encuentra desasociado de cualquier unién covalente en particular. Este electron restante, unido débilmente a su étomo (antimonio), se encuentra relativamente libre para moverse dentro del recién formado material tipo n. Debido a que el tomo de impu- reza insertado ha donado un electrén relativamente “libre” a la estructura: A las impurezas difundidas con cinco electrones de valencia se les lama iatomos donores. Es importante comprender que, aunque un niimero importante de portadores “libres” se han creado en el material tipo n, és ain es eléetricamente neutral, debido a que de manera ideale] nero de protones cargados positivamente en los nicleos es todavia igual al némero de electrones “libres” cargados negativamente y en érbita en la estructura. El efecto de este proveso de dopado sobre la conductividad relativa se describe mejor a través del diagrama de bandas de energia de la figura 1.10. Observe que un nivel de energia 0V)y polarizacion inversa (V,, <0V).Cada una es una condicién que dard un resultado {ue el usuario deberd comprender con claridad para que el dispositivo se aplique en forma efeetiva, Capitulo 1 Diodos semiconductores7 erate 4 a h — ou (sin polarizacién) Sin polarizacion aplicada (V, = 0 V) Bajo condiciones sin polarizacién, cualquiera de los portadores minoritarios (huecos) en el material tipo m que se encuentren dentro de la regién de agotamiento, pasarén directamente al material tipo p. Mientras mas cercano se encuentree] portador minoritario ala unién, mayor sera Ia atraccion de la capa de iones negativos y menor la oposicisn de los iones positivos en la regién de agotamiento del material tipo Con la idea de que surjan andlisis futuros, se supone que todos los portadores minoritarios del material tipo n que se focalizan en la regién de agota- miento debido a su movimiento alettorio pasardn directamente al material tipo p. Se puede considerar que algo similar pasa con los portadores minoritarios (electrones) del material tipo »p-Este flujo de portadores se indica en la figura 1.14 para los portadores minoritarios de cada material Los portadores mayoritarios (electrones) del material tipo n deben sobreponerse alas fuer= ‘zas de atracci6n de la capa de iones positivos del material tipo n, y la capa de iones negativos ‘en el material tipo p, con el fin de migrar hacia el érea localizada més allé del érea de agota- ‘miento del material tipo p. Sin embargo, en el material tipo m el nimero de portadores mayori- tarios es tan grande que invariablemente habra un pequeiio nimero de portadores mayoritarios con suficiente enengia cingtca para pasar através de la regin de agotamiento hacia el material tipo p. Una ver més, la misma consideracion se puede aplicar a los portadores mayoritarios ‘huecos) del material tipo p. El flujo esultante debido 2 los portadores mayoritarios también se describe en la figura 1.14, Si se examina con cuidado la figura 1.14, se observaré que las magnitudes relativas de los vectores de flujo son tales que el flujo neto en cualquier direccién es igual a cero. Esta cance- laci6n de los vectores se indice por medio de las ineas eruzadas, La longitud del vector que representa el flujo de huecos se dibujé en una eseala mayor que el flujo de os eleetrones con objeto de demostrar que la magnitud de cada uno no necesariamente debe ser la misma para la cancelacién del flujo, y que ios niveles de dopado para cada material pueden dar como resulta- do un flujo de portadores desigual de electrones y huecos. En resumen: En ausencia de un voltaje de polarizacién aplicado, el flujo neto de la carga en cualquier direccion para un diodo semiconductor es cero. 1.6 Diodo semiconductor Figura Lid Union pa sin iacion externaFigura 1.15. Condiciones paraun iodo semiconductor sin polarizacion. comes) Figura L17 Condiciones de polarizacién inversa para un ‘odo semiconductor 2 El simbolo para el diodo se repite en la figura 1.15 con las regiones tipo y tipo p asocia das. Observe que la flecha esté asociada con el componente tipo p y la barra con la regidn de ‘tipo n. Como se indies, para V, =0 V, la corriente en cualquier direceién es 0 mA. Condicion de polarizacién inversa (V, < 0 V) Si un potencial externo de V volts se aplica # través de Ia unin p-n de tal forma que la terminal positiva se encuentre conectada con el material tipo m y la terminal negative esté conectada con e] material tipo p como se muestra en la figura 1.16, el ndmero de tones positivos en la regién de agotamiento del material tipo n se incrementard debido al gran riimero de electtones “libres” atraidos por el potencial positivo del voltaje aplicado. Por razones similares, cl mimero de iones negativos se incrementaré en el material tipo p. El efecto neto, por tanto, es una ampliacién de la regién de agotamiento. Dicha ampliacién cestablecera una barrera de potencial demasiado grande para ser superada por los portadores mayoritarios, ademés de una reduccién efectiva del flujo de los portadores mayoritarios a cero, como se muestra en la figura 1.16. <1 Flao oe poadones inaction Fi + ¢S2canaEEy IS BSR 16+ Seog 2,6 ee +? O Seca > Regge agoumiens = Figura L1G Unién pon con potarizacion Sin embargo, el némero de portadores minoritarios que estin entrando a la region de agotamiento no cambiarén, y dan como resultado vectores de flujo de portadores minoritarios de la misma magnitud que sin voltaje aplicado, como lo indice le figura 1.14 A la corriente que existe bajo las condiciones de polarizacién inversa se le Wama corriente de saturacion inversa, y se representa mediante I, La corriente de saturaciGn inverse rara ver es meyor que unos cuantos microamperes. con excepcién de los dispositivos de alta potencia, De hecho, en afios recientes se encontr6 que si nivel esté casi siempre en el rango de nanoamperes para dispositivos de silico, y ene] rango de ‘microamperes para el gerraanio. El trmino saturacion proviene del hecho de que alcanza su méximo nivel con rapidez y no cambia de manera significativa con el incrementa de! potencial de polarizacién inversa, como se muestra en las caracteristicas de los diodos de la figura 1.19 para V;, <0 V, Las condiciones de polarizacién inversa se describen en la figura 1.17 para el simbolo de diodo y 1 unidn p-n. Observe, en particular, que la direccién de J, es contra la flecha del simboto. A su vez, que el potencial negativo estd conectado al material tipo p y el potencial positivo al material tipo n, y que la diferencia en las literales subrayadas para cada regiGn revela una condicién de polarizacién inversa Condicién de polarizacién directa (V, > 0 V) ‘Una condicién de polarizacion directa o “encendido” se establece al aplicar el potencial posi- tivo al material tipo p y el potencial negativo al material tipo n, como lo muestra la figura 1.18. Por tanto, para mayor referencia: Un diodo semiconductor tiene polartzacibn directa cuando se ha establecido la asociacién tipo p y positive y tipo n y negativo. Capitulo 1 Diodos semiconductoresFigura 1.18 Union pn con polarzaciéa recta La aplicacion de un potencial de polarizacién directa V, "presionara” los electrones en el ‘material tipo y los huecos en el material tipo p para que se recombinen con los jones cercanos ala union y redueird el ancho de la regin de agotamiento como se indica en la figura 1.18. El flujo de electrones, portadores minoritarios, del material tipo p ll material tipo n (y de Tos huecos del material tipo n al matcrial tipo p) no ha cambiade en magnitnd (debido a que el nivel de conduccidn se encuentra controlado bisicamente por el nimero limitado de impurezas en e! ‘material), pero la reduccién en el ancho de la regin de agotamiento ha generado un gran flujo de portadores mayoritarios a través de la unin. Ahora, un electrén de material tipo n “obscrva" una barrera muy reducida en la uniGn. debido a la pequefia regin de agotamiento y @ una fuerte atraccién del potencial positive aplicado al material tipo p. Mientras se incremente en magnitud {a polarizacién aplicada, laregiin de agotamiento continvaré disminuyendo su anchura hasta que un flujo de electrones pueda pasar a través de Ia unin, o que da como resultado un incremento exponencial en la corriente, como se muestra en la regién de polarizacién directa de las earacte- Uniac ea disponible enelmenodo 7 Sern pe pe — Rerisn de glesiansién dec, (ipo 0 Ip>0mA) eqion de polaron ers Wo 20 Vily=t) 1.6 Diodo semiconductor Figura 1.19 Caracteristicas del diodo semiconductor de slic. 13“ie Figura 1.20. Grafica de Figura 1.21 Condiciones de polariescion directa para un diodo (Siritees) Semicondvctor. “4 risticas de Ia figura 1.19. Observe que la escala vertical de la figura 1.19 estd en miliamperes (aunque algunos diodos semiconductores tendrén una escala vertical en amperes), y la escala horizontal en Ia regiGn de polarizacisin directa tiene un méximo de I V. Por tanto, en general, el voltae a través de un diodo de polarizacién directa ser de menos de 1 V. Observe también la rapidez con que se incrementa la corriente después del punto de inflexiGn de la curva de respuesta. A través del empleo de la fisica del estado sélido se puede demostrar que las caracteristi- cas generales de un diodo semiconductor se pueden definir mediante la ecuacién siguiente para las regiones de polarizacién directa e inversa: |, Ip = Hfetlo™ ~1) aay coment de saturacién inversa 11,600 7 con 71 = I pata Gey 7 = 2 para Sien niveles rlativamente bajos de corriene de! diodo (en o abajo de] punto de inflexin de la curva) y 7) = 1 para Ge y Si en mayores niveles de comiente del diodo (en la seccién de crecimiento ‘pido de Ia curva) Ty = T+ 27 Enla figura 1.19 se ofrece una grifica de la ecuacién (14) Si se expande la ecuacién (1) cn Ia forma siguiente, se puede describir con favilidad el componente de contribucién para cada regién de la figura 1.19: Ip = LetoT = t, aca valores positives de Vp, el primer término de Ia ecuaciGn anterior creceré con mayor rapidez, y superard el efecto del segundo término. El resultado serd positivo para los valores positives de Vp € fp. ereverd de la misms manera que la funcidn y = ela cual aparece en la figura 1.20. En V, =0 V, la ecuacién (1.4) se convierteen /, = [(€~ 1) =/,(1~ 1)=0mA, como parece en a figura 1.19, Para valores negativos de Vel primer término disminuiré répidamen- te debajo de J,,dando como resultado /, =I, que esa linea horizontal de a figura 1.19. Lareptura de las caracteristices en V,,=0 V se debe sdio al cambio drstico en la scala de mA.& HA, ‘Observe en la figura 1.19 que la unidad comercial disponible tiene caracteristicas que se ‘encuentran desplazadas a la derecha por unas cuantas décimas de un volt. Esto se debe 2 la resistencia intema del “cuerpo" y a la resistencia extema de “contacto” de un diodo. Cada una contribuye a un voltaje adicional sobre el mismo nivel de corriente, como lo determina la ley de Ohm (V = 2). Con el tiempo, mientras se mejoran los métodos de produceién, esta diferes- cia disminuiedy las caracteristcas reales se aproximarén a aquellas de la seccién (14). Es importante observar el cambio en Ta escala para los ejes vertical y horizontal. Para los valores positives de /p, la escala se encuentra en miliamperes y le escala de la comriente abajo del eje se calcula en microamperes (0 posiblemente nanoamperes). Para Vip. la escala para los valores positivos esté en décimas de volts y para los valores negativos la escala es en decenas de volts. En tin principio, la ecuacién (1.4) parece algo compleja y es susceptible de generar un temor injustficado de que ésta se someterd a todas las aplicaciones subsecuentes de diodos. ‘Sin embargo, afortunadamente en una seccién posterior se hard un nimero de aproximaciones ‘que eliminard la necesidad de aplicar la ecuacién (1.4) y ofrecerd uma solucién con un minimo de Gificultad matematica ‘Antes de dejar el tema del estado de polarizacion directa, las condiciones para la conduecién {el estado “encendido”) se repiten en Ia figura 1.21 con los requerimientos de potaridad y la direccién resultane del flujo de portadores mayoritaros. Observe en particular emo la direc- cidn de la conduecién concuerda com la flecha en el simbolo (segin se revel6 para el diodo idea) Regién Zener ‘Aunque la escala de la figura 1.19 se encuentra en miiltiplos de diez volts en la regién negativa, existe un punto en el cual la aplicacion de un voliaje demasiado negativo dard por resultado un agudo cambio en las caracteristicas, como lo muestra la figura 1 22. La corriente se incrementa Capitulo 1 Diodos semiconductoresFigura 1.22 Region Zener. ‘una velocidad muy ripida en una direccién opuesta a aquella de la regién de voltaje positive. EI potencial de polarizacién inversa que da camo resultado este cambio muy dréstico de las ccaracteristicas se le llama potencial Zener y se le da el simbolo V,, Mientras el voltaje através del diodo se incrementa en la regién de polarizacisn inversa,1a velocidad de los portadores minoritaros responsables de la corriente de saturacién inversa J, también se incrementarin, Eventualmente, su velocidad y energia cinética asociada (W, mv?) serd suficiente para liberar portadores adicionales por medio de colisiones con otras estructuras atémicas estables, Esto es, se generard un proceso de ionizacién por medio del cuat los electrones de valencia absorben suficiente energia para dejar su somo, Dichos portadores adicionales pueden luego ayudar al proceso de ionizacién, hasta el punto en el cual se estable cc una gran corriente de avalancha que determina la regidn de ruptura de avalancha, La tegi6n de avalancha (V;) se puede acercar al eje vertical al inerementar Ios niveles de Z,en la seccién de pendiente vertical de las caracteristicas y diy ok wv, OM ‘Sustituyendo 1) = 1 para Ge y Si en la seceién de crecimiento vertical de las caracteristicas, se ‘obtiene 11600 __11600 a —— = 11.600 ” 1 ya temperatura ambiente 11,600 de tal forma que y Invirtendo el resultado para definir una proporcién de resistencia (R = Vi), se obtiene Vy _ 0.026 an loess LT Niveles de resistencia 222 El significado de la ecuacién (1.7) debe comprenderse con claridad, Este implica que la resis- tencia dinémica se puede encontrar mediante la sustituci6n del valor de la corriente en el punto de operacién del diodo en la ecuacién. No hay necesidad de tener las caracteristicas disponi- bles 0 de preocuparse por trazar lineas tangenciales camo se definié en la ecuacién (1.6). Sin ‘embargo, es importante considerar que la ecuacién (1.7) es exacta sdlo para valores de 1, en la seccién de crecimiento vertical de la curva, Para valores menotes de I. n= 2 (silici) y el valor abtenide de r, se debe multiplicar por un factor de 2. Para los valores pequefios de /, por abajo del punto de inflexign de la curva, la ecuacién (1.7) resulta inadecuada, ‘Todos los niveles de resistencia que se han determinado hasta ahora han sido definidos para le uni6n p-n y no incluyen la resistencia del material semiconductor en s{ (llamada resis- tencia del cuerpo), la resistencia que presentan fa conexién entre el material del semiconductor yel conductor metilico exterior llamada resistencia del contacto). Estos niveles de resistencia Adicionales pueden incluirse en la ecuaci6n (1.7) al afiadir la resistencia denotada por r como aparece en la ecuacién (1.8). Por tanto, la resistencia rj incluye la resistencia dindmica defini- dda por la ecuacién 1.7 y la resistencia r, que recién se present. 26 mV. 1, | ohms as) El factor 7, puede tener un rango tipico desde 0.1 9 para los dispositivos de alta potencia 4 2. para algunos diodos de baja potencia y propdsitos generales. Para el ejemplo 1.2 ta resistencia ac en 25 mA se caleulé como 2 Q, Utilizando la ecuacin (1.7) se obtiene 26mV _ 26mVv Ip 25mA Y, 1.049 La diferencia de aproximadamente 1 ©. se debe tomar como una contribucién de ry ara el ejemplo 1.2 ta resistencia ac en 2 mA se calculé como de 27.5 @. Utilizando la ecuaci6n (1.7), pero multiplicando por un factor de 2 para esta region (en el punto de inflexién delacuvan 26 mV 26 mV r= A =2 Ib 2mA. "\= 2413.0) = 262 La ferencia de 1.5 0 se debe tomar como una contibucién debide ary Enrealidad,ladeterminacin der,con un ako grado de exactitud de una curracaracterstica utilizand la ecuacin (I) es un proceso dificil y en el mejor de los casos los resultados deen ‘manejarse con cuidado. En los niveles bejos de coniente del diodo el factor re lo suficiente- mente bajo comparado con como para permit que se omita su impacto sobre a resistencia ac de diodo. En los niveles altos de coriente,el nivel de r, puede acercare alder, pero debido a {que con frecuencia habra otros elementos de resistencia de mucho mayor magnifud en serie con €! dioco ao largo del libro se supone que la esstencia ac se encuentra determinada so por r, ¥ que el impacto de ry se ignorar a menos que se observe lo contrsro. Las mejorastcnoldgices Ge los aos recientes sugieren que el nivel der, continuard cisminuyendo en magnitad, y en algin momento se convert en un factor que con seguridad nose tomarsen cuenta al comparase con El andlisis anterior se centeé s6lo en Ia regin de polarizacisn directa. En la regién de polaizacién inversa se supondrd que el cambio en la corriente a To largo del linea /, es nulo desde OV asta la egiGn Zener, y que la resistencia ac resultante al utilizar la ecugci6n (1.6) suficentement alts como pars permit la aproximacion dl ciruito abr Resistencia en ac promedio Silla sefial de entrada es lo suficientemente grande para producir una gran excursidn tal como Jo indica la figura 1 30, a Ja resistencia asociat con el dispositivo para esta regidn se le lama resistencia en ac promedio. La resistencia ac promedio es, por definicién, la resistencia deter- Capitulo 1 Diodes semiconductoresHote) aoe Dy 01 02 03 0a o5 bs Op os oD 1 we aM, Figura 1.30. Determinacion de la resistencia en ac promedio entre los lites indieades, ‘minada por una linea recta dibujada entre dos intersecciones establecidas por unos valores ‘mximos y minimos del voltaje de entrada. En forma de ecuacién (obsérvese la figura i 30), as) 81, | pao por pee Para la situacién indicada por fa figura 1.30. Al, = 17mA - 2mA = 15 mA y AV, 20725V - 065y = 0.075V con Av, _ 0075 V nets so Al, mA Sila resistencia ac (r,) estuviera determinada por /, = 2 mA, su valor no serfa mayor a5, y si fuera determinada a 17 mA, seria menor. En medio, la resistencia ac haria la transicién desde un valor alto en 2 mA al valor bajo cn 17 mA. La ecuacién (1.9) definié un valor que se considera el promedio de os valores ac de 7. 17 mA. El hecho de que pueda utilizarse un nivel de resistencia para tan amplio rango de las caracteristicas probard ser bastante wil en la defini- cidn de circuitos equivatentes para un diodo en una secciGn posterior. Tabla resumen La tabla 1.2 se desarroll6 con objeto de reforzar las importantes conclusiones de las diltimas péiginas y de hacer énfasis en las diferencias entre los diversos niveles de resistencia, Como se indicé antes, el contenido de esta seccién es e] fundamento para gran cantidad de céleulos de resistencia que se efectuardn en secciones y capftulos posteriores. 7 Niveles de resistencia aTABLA 1.2 Niveles de resistencia Coracteristicas Determinacién Tipo Eeuacién especiales wrefca pe % Defridacomoun punto * ° y= ‘ents caracteristicas ction to ac Defnka por un ines by \ ° tangencialenel nb b 8, indica 4, Io punto.d ° —— a a ay, Definida por na ines a promedio | recta entre los limites : 1 gona pao ee operciin 1.8 CIRCUITOS EQUIVALENTES PARA DIODOS Un circuito equivalente es una combinacién de elementos que se eligen en forma ‘adecuada para representar, lo mejor posible, las caracteristicas terminales reales de un dispositivo, sistema o similar en una region de operacion en particular. En otras palabras, una vez que se define el circuito equivalent el simboto del dispositive puede eliminarse de un esquema, ¢insertar el circuito equivalente en su luger sin afectar de forma severa el comportamiento real del sistema. E] resultado es a menudo une red que puede resolverse mediante el empleo de técnicas traicionales de andlisis de circuitos. Circuito equivalente de segmentos lineales ‘Una técnica para obtener un circuito equivalente para un diodo consiste en aproximar las caracleristicas del dspositivo mediante segmentos lineales, como se muestra en la figura 1.31. Como es natural al circuito equivalente que resulta se le Nama circuito equivalente de segmen- 10s lineales. Apart e a figura 131 debe resular obvio que los segmentos linedles no resultan ser una duplicacin exscta de as earacteristcas reales, sobre todo en la egién de inflexisn de Ta curva de respuesta, Sin embargo, fos segmentos resultantes son lo suficientemente cercanos 4 Ja curva eal como para establecer un crcuito equivalente,que offecerd una excelente prime- 12 aproximacién al comportamiento real del dispositive. Para la seccién con pendiente del equivalente,e nivel de resistencia ac promedio que se present en la secci6n |.7eslaresisten- «ia que aparece en el cicuito equivalente de la figura 1.32, a continuacidn del dispositive real En esencia, define el nivel de resistencia cuando se encuentra en el estado “encendido”. El iodo ideal se incluye con el fin de establecer que existe una tnica direccién de conduccién a Capitulo 1 Diodos semiconductoresTol) Figura 1.31 Delinicion det circuito fequivalente de segmentos lineales mediante el empleo de seymentos de a Dav OSy Veiyy linea recta para aproximar la curva o cearacteistica. Figura 1.82 Componentes del ciecuto equlvalente de segmentos lineales. través del dispositivo.y se generard una condicién de polarizacién inversa en el estado de circui- to abierto para el dispositive, Debido a que un diodo semiconductor de silicio no aleanza el estado de conduccién hasta que V,alcanza 0.7 V con una polasizacién directa (Seguin se muestra en la figura 1.31), debe aparecer una bateria V, que se opone a la conduccién en el circuita equivalente sexi se muestra en la figura 1.32. La bateria s6lo especifica que el voltae a través {el dispositivo debe ser mayor que el umbral del voltaje dela bateria antes que pueda establecer- se la conduccisn a través del dispositivo en la direccién que dicta el diodo ideal. Cuando se cestablezca la conduccién, la resistencia del diodo seri el valor especificado de r,, ‘Sin embargo, tengs en cuenta que Ven el circuito equivalente no es una fuente de voltaje independiente. Si se coloca un voltimetso através de un diodo aislado encima de una mesa de Jaboratorio, no se obtendr una lectura de 0.7 V. La baterfa s6lo representa el defasamiento horizontal de las caracteristicas que deben excederse pare establecer la conduccién. Por lo regular, el nivel aproximado de r,, puede determinarse a partir de un punto de coperacisn en la hoja de especificaciones (la cual se analizard en la seccién 1.9). Por ejemplo, para un diodo semiconductor de silicio, si J, = 10 mA (una corriente de conduccién directa en eldiodo) a V,= 0.8 V. se sabe que para el silicio se requicre un cambio de 0.7 V antes que haya conduccién y ay, | osv-o7v _ oly fy oer = 102 Uy |pausspusn «WMA OMA 10mA segtin se obtuvo para la figura 1:30. Circuito equivalente simplificado Para la mayor parte de las aplicaciones, la resistencia r,s lo suficientemente pequela como para omitise en comparaci6n con ots elementos en led. LaeliminaciGn der, del eicuito 1.8 Circuitos equivalentes para diodoser n08 e roo tea 0 vn0Iv Vy Figura 1.33 Cireuito equivalente simpiiicado para el diodo semiconductor de sito cequivatente es la misma que aparece en las caractersticas del diodo tal como se muestraen la figura 1.33. Desde luego, esta aproximaci6n se emplea con frecuencia en el andlisis de citcui tos semiconductores segtin se demuestra en el capitulo 2. El circuito equivalente reducido aparece en la misma figura. Este establece que un diodo de silicio con polarizacién directa en tun sistema electrénico bajo condiciones de de tiene una caida de 0.7 V a través de él, en el estado de conduccidn a cualquier nivel de corriente del diodo (desde lego, dentro de los valores nominales). Circuito equivalente ideal “Ahora que r,, s@ elimin6 del circuito equivalente se tomard un paso més, y se establece que un nivel de 0.7-V puede, a menudo, omitirse. en comparacién con el nivel de voltaje aplicado. En este caso, el circuito equivalente se reduciré al de un diodo ideal, tal como lo muestra la figura 1.34 con sus caracteristicas, En el capitulo 2 se verd que esta aproximacién suele hacerse sin perjuicio considerable en cuanto a exactitud En la industria, una sustitucién popular para la frase “circuito equivalente de diodo” es ‘modelo de diodo, un modelo que, por definiciGn, es ls representaciGn de un dispositivo, objeto Yy sistema existente, y asf sucesivamente. De hecho, esta terminologia de sustitucién se em- plearé casi de manera exclusiva en los capitulos subsecuentes. te Dino seat Figura 1.34 Diodo ideal y sus caracteristcas Tabla resumen Por claridad, los modelos de diodos que se utilizan para el rango de pardmetros y aplicaciones de circuito se presentan en la tabla 1.3, con todas sus caracteristicas en segmentos lineales. ‘Cada uno se investigard con mayor detalle en el capitulo 2. Siempre existen excepciones ala regla general, pero es muy cierto que el modelo equivalente simplificado se utilizaré.con mu- cha frecuencia en el anilisis de sistemas eleetrénicos, mientras que el diodo ideal es aplicado ‘con mayor regularidad en el andlisis de los sistemas de fuente de alimentacién donde se loca- lizan los mayores volijes. Capitulo 1 Diodos semiconductoresTABLA 1.3 Circuitos equivalentes para diodos (modelos) To Condiciones Modelo Caracteristicas Mose de segmentos Tineales Modelo Ras 2h Simplicado Dispotitivo Reg ha ‘dea EQS, 3 1.9 HOJAS DE ESPECIFICACIONES DE DIODOS Los datos acerea de los dispositvos semiconductores especifics suele presentarls el fabr- cante de dos maneras. Es comin que consistan slo de una breve descripcidnlimtada,a veces de una pigina. De otra forms, es un extenso examen de las caractristicas con sus grea, trabajo artsticotablas, tc. Sin embargo, en cualguie caso, existen plezasexpecificas de da tos qe deben inclirse para una correcta tlizacion del éispsiivo. Estos ncluyen El voltae directo V, (a una corriente y temperatura especificadas) Lacorriente directa méxima /, (a una temperatura especificada) La corriente de saturacion inversa J, (a una corrente y temperatura especificadas) El valor de voltaje inverso [PIV o PRV o V(BR), donde BR proviene del término “ruptura” (por la inicial en inglés de: breakdown) (a una temperatura especificada)] El nivel maximo de disipacién de potencia a una temperatura en particular Los niveles de capacitancia (segtin se definird en la seceién 1.10) El tiempo de recuperacién inversor,, (como se definiré en la secci6n 1.11) El rango de temperatura de operacién per Dependiendo del tipo de diodo que se considere, también se presentan datos adicionales, ‘como el rango de frecuencia, el nivel de ruido, el tiempo de conmutaciGn, los niveles de resis- tencia térmica y los valores pico repetitivos, Para ia aplicacin considerada, el significado de Jos datos, en general, seré claro por sf mismo, Si se proporciona la méxima potencia oe! valor ‘nominal de disipaciGn, se entiende que éste es igual al producto siguiente: Po, = Volo 10) donde Jy y Vp son la corriente y el voltaje del diodo en un punto de operacin en particular. 1.9 Hojas de especificaciones de diodos 27Si se aplica el modelo simplificado para una aplicacién en particular (un caso frecuen le), se puede sustituir V,, = V,= 0.7 V para un diado de silicio en la ecuacién (1.10), y conscto vai a vouice La apatiencia y caracteristicas de una lémpara subminiatura de estado s6lido de gran efi- Ciencia que fabrica Hewlett-Packard aparece en la figura 1.55. Observe, en la figara 1.551). que la comiente pico directa es de 0 ma con 20 mA de corriente directa promedio tipica. Sin embargo. las condiciones de prueba que se enumeran en la figura 1.55(c) corresponden a una corriente directa de 10 mA. EI nivel de V, bajo condiciones de polarizaciGn directa se indica como V; y se extiende de 2.2 a 3 V. En otras palabras, se puede esperar una corriente de operacidn tipica de aproximadamente 10 mA a 2.5 V para una buena emisiéa de luz Aparecen dos cantidades que atin no se han idemtificado bajo el encabezado de caraters- ticas eléctrias /pticas a T, = 25 °C. Estas son la intensidad luminica axial (1) y laeficiencia luminica (7,). La intensidad de la luz se mide en candelas. Una candela emite un flujo de luz 4e 4 Kimenes y establece una iluminaciéa de 1 candela pie en un area de 1 pie cuadrado a } pic de la fuente de Iuz. Aungue esta descripcidn quiza no oftezca una comprensisn cara de la Candela como unidad de medida, su nivel bien puede compararse ente dispositivos similares. El término eficacia es, por definicién, una medida de la eapacidad de un dispositivo para generar un efecto descado, Para el LED, este s el cociente del nimero de kimenes generados or watt aplicado de energia eléetica. Esta eficiencia relativa estédefinida por la intensidad 1.15 Diodos emisores de luz Figura 154 2) Proceso de electroluminiscencia en el LED: ») simbote grafico,luminica por unidad de cortiemte,segin se muestra en la figura 1 55g. La intensidad relativa de cada color contra la Jongitud de onda se muestra en la figura 1 $54 Debido aque el LED es un dispositive de unin pn, tendré una caracteristicaen polarizacion divecta (figuea 1 S5e) similar alas curvas de respuesta del diodo. Observe el incremento casi Tineal en la intensidad lumina relativa con cortiente directa (igura 1.55) La figura 1.35h revela que mientras més larga es la duracién de! pulso a una frecuencia en particular, menor seri la corriente pico permitida (después de pasar el valor de rupuura de ,) La figura 1 SSi ‘muestra que laintensiad es mayor 20° (de cabeza) y la menor a 90° (cuando el dispositivo se observa desde un lado) ‘ators minioos atwolatos aT, = 25°C Peremeres a rides Dispacion de ptenia 10 mw ‘Comene dreca romeo Ea ma Coretta plo % A gtr cpr “Temperatua esoldadar de laconeice ism (0.063 pele el everpo -s59C 100°C 230°C darzme 3 seguros 1) Pedi desde 50°C 202 AMC. Caracteristicaselétrcasoptcas aT, = 25°C ojo de at eiencia ‘0 Smiolo ——_Deserpcom Minimo ‘Tipico Minimo —_Unidades__Condcenes de prea Tne tinea 0 me ‘aia 26, Tnsayendo ei éngulo 0 es Noa ‘nt os 2a de a ‘td de ntenidad Tominca Iw Loni de onda de pico as om Mecida en pico x Longitud de onda docninante oe ao Nota? ‘eloidd ce respuesta 0 ™ é Cepactancia 0 :F Up = OF «Me be eshtenca rica 10 stow Unisaata (79m 031 ple) dexde seep i \ aie are 2230 v p= dma a, hay dersptaraineno 50 v A= 1o0ya my Eficacia uninis| wn raw Sow NOTAS: 1.8 esel nga ue de ej a eve itensidad liao ait tens iia sx 21 olor de ispesino Ta itera alent en waestreadnes, nconrar spar de a cui ‘seas insrcn enemies, eI eeasia mien lsmenesa ud ge onde dominate. se dvivadel iar de eromatcdad CTE y represen Is oni eons Sica que (n, donde ea Figura 1.55 Lampara subminiatura roja de estado sélide de alta eficiencia de Hewett Packard 2) apariencia; b) valores nominales maximos absoluios: ) earactersticas ectricas/6pticas; 4)intensidad relativa contra longtud de onda; ¢) cariente directa contra wltae direct) intensidad Juminica relativa contra corriente directa )eficiencia rlativa contra corrient pico: h}corriente pico mésima contra duracion del puso) intensidad luminica relatva contra desplazemiento angular (Cortesia de Hewiett-Packard Corporation.) Capitulo 1 Diodes semiconductoresoo 0 uo 750 30 Ln coda o TI Tease - Fe | 2 of ° oe o 05 181s p23 30 se ® cw nwo” & ole dso —V Ip Coviene dss fea Comet 0k ® ® eet 101000 Darcie poo us o Figura 185. Continuacién, Too 20° gO" 0" 100" 1.15 Diodos emisores de luz 442 Hoy en dia, las pantallas de visualizaciGn LED se encuentran disponibles en muchos ta- ‘mafios y formas diferentes. La regidn de emisiOn de luz esté disponible en longitudes desde 0.1 2 J pulgada, Los nimeros pueden erearse por segmentos como los que se ejemplifican en la figura 1.56. Al aplicar una polarizacién directa al segmento apropiado de material tipo p, se puede desplegar cualquier nimero del 0 al 9. Law Figura 1.56. Pantalla visual de segmentos Litronix. Lapantala de visualzacién de la figura 1.57 ofrece ocho ditos ys utiliza en calculadors. Existen también limparas LED con dos conexiones que contienen dos LED, de al forma que una inversion en la polarizaci cambiar el color de rojo a verde o vieeversa. Actualmente, os LED se encuentran disponibles en rojo, verde, amarillo, naraaja y blanco; el Blanco con azul staré ) (El resultado es el esperado? ;Por qué? 23. a) Grafigue la funcién y= et para x desde O hasta 5. ) {Cuil esel valor dey = et para x=0? ) Basdndose en los resultados del inciso 2, :por qué es importante el factor! en a ecuacién (1.4)? 24. En la regién de polarizaciOn inversa la corriente de saturacién de un diodo de silicio es de aproximadamente 0.1 4A (T = 20°C). Determine su valor aproximado si la temperatura se incrementa 40 °C, 2 25. Compare las caracterstcas de un diodo de silicio y uno de germanio y determine cusl preferii utilizar para a mayor parte de las aplicaciones prcticas. Proporcione algunos detalles. Refigrase a caracteristicas de fabricante y conspare las caraceristicas de un diodo de germanio y uno de silicio de valores maximos similares. 26. Determine la caida de voliaje directo através del dodo cuyas caractersticas aparecen en la figura [24 a temperaturas de -75 °C, 25 *C, 160 °C y 200 °C y una corriente de 10 mA. Para cada temperatura precise el nivel dela corrente de saturaci6n. Compare los extremos de cada una y rhage un comentario sobre Ia relacin de ambos Capitulo 1 Diodos semiconductores28. 30. 31 32. 3 3. +38, ®. sat. 2. § 1.7 Niveles de resistencia . Determine la resistencia esitica ode del diodo disponible en cl mercago ac figura 1.19.con una corriente directa de 2 mA. Repita el problems 26.con una corionteditecta de 15 ma y compate los resultados. Determine la resistencia estitica 0 de del diodo disponible en el mercado de la figura 1.19 con un voltae inverso de 10 V, ,Como se compara con el valor determinago para un volaje inverso de 07 8) Determine la resistencia dinimiea (ae) del diodo dela figura 1.29 con una comrente directa de 10 mA utlizando la ecuacin (1.6). b) Precise laresistenciadinémica (ac) del diodo de la figura 1.29 con una comrente directa de 10 mA wilizando la ecuacie (1.7). ©) Compate las soluciones de Jos incisos a y . CCaleule las resistencias dey ac para el iodo de la figure 1.29 con uns coriente direct de 10 mA ‘y compare sus magnitudes, Utlizando la ecuscién (1.6), determine la resistencia a¢ con una cortiente de 1 mA y 15 mA para —_@ Ipimay ww ® Figura 21 Configuracion de iodo en sere: circuit: ) caracteristicas. 2.2 ANALISIS MEDIANTE LA RECTA DE CARGA Normalmente, la carga aplicada tendré un impacto importante en el punto o regidn de opera cin del dispositivo, Sil andlisis se debe llevar a cabo de manera grfica, se puede dibujar una linea recta sobre las caracteristicas del dispositivo que represente la carga aplicada. La interseccién de la recta de carga con las caracteristicas determinaré el punto de operacién del sistema. Por razones obvias, a este andlisis se le lama analisis mediante la recta de carga. ‘Aunque la mayor parte de las redes de diodos que se analizan en este capitulo no utilizan el sistema de la recta de carga, la técnica se usa de manera frecuente en los capitulos siguientes, ¥y esta introduccién offece la aplicacién mas simplificada del método. Permite de igual forma ‘una validacién de la aproximacién de la técnica descrita a lo largo del resto del capitulo. ‘Considere la red de la figura 2.1 gue utiliza un diodo, el cual tiene las caracteristicas de la figura 2.1. Obsérvese em la figura 2.12 que la “presién” que proporciona la baterfa tiene como objetivo establecer una corriente a través del circuito en serie, de acuerdo con el sentido de las ‘manecillas det reloj. El hecho de que esta comriente y la direcciGn de conduccién definida del diodo sean “semejantes”, indica que el diodo esta en estado “encendido” y que se establece la conducciGn. La polaridad resultante a través del diodo seré como se sefala, y el primer cua- drante (V; € /, positivos) de la figura 2.1b serd la regién de interés, es decir, la region de polarizacion directa. Alaplicarlaley de voltaje de Kirchhoff a circuto en serie de la figura 21a dard por resultado E-Vp~Vg20 ° E=Vp+hR Qu Las dos variables en la ccuacin (2.1) (V¢ /,) som las mismas que las variables de losejes el diodo de la figura 2.1. Esta similitud permite una graficacién de la eeuacién (2.1) sobre las mismas caracteristicas de la figura 2.1b. Las imterseeciones de la recta de carga sobre las caracteristicas pueden determinarse con facilidad si se considera que en cualquier lugar del eje horizontal =0 Ay que en cualquier lugar del eje vertical Vp =0 V. Si se establece Vz.= 0 V en la ecuacién ( de J, sobre el eje vertical. Por tanto, con V,) )y se resuelve para Jp, s¢ tiene una magnitud V la ecuacién (2.1) se convierte en EA Vp + Ik OV + gk ie y = on Rly v (2.2) ‘como lo indica la figura 2.2. Si se establece Iz, =0 Aen la ecuaciGn (2.1) y se resuelve para V.,, se tiene la magnitud de V, sobre el eje vertical. Por tanto, con /, = 0 A ta ecuacién (2.1) $e convierte en E=Vp+ Ik = 5+ OAR y Vp = Eli =04 (23) como fo sefala Ia figura 2-2. Una linea recta dibujada entre los dos puntos definiré una recta de carga como Ja descrita en la figura 22. Si se cambia el nivel de R (la carga), cambiars la interseccidn sobre el eje vertical. El resultado serd un cambio en la pendiente de Ta recta de carga, y en un punto de intersecciGm diferente entre la recta de carga y las cazacteristicas de] dispositive. Ahora se tiene una recta de carga definida por la ed y una curva de caracteristicas defini- dda por el dispositivo, El punto de intersecciGn entre las dos es el punto de operaciGn para este Capitulo 2 Aplicaciones de diodosConnie gost) Paw @ estado casa re) Figura 2.2. Dibujo dela recta de carga y la selecetén del punto de operacion cireuito. Mediante el sencillo dibujo de una linea recta hacia abajo hasta el eje horizontal puede determinarse el voltaje del diodo Vp, . mientras que una linea horizontal a partir del punto de inter- seccidny hasiaeleje verical daréc vel de Jp. La comriente 1, es en realidad la corrente através de ods ia coafiguracin en seric de Ta figura 21a. En general, al punto de operacién sel lama ‘punto estable (abreviado “Q-pt”, por las palabras en inglés de: Quiescent PoinT) y refleja sus ‘eualidades de “estable y sin movimiento” segin se definis para una red de dc. La solueién que s@ obtiene por la interseccién de las dos curvas es la mistna que posria ‘conseguirse mediante lasolucin matemstica de las ecuaciones simulténeas (2.1) y (14) Up = I,(e#¥o% ~ {)], Puesto que la curva para un diodo tiene caracteristicas no lineales, las matematicas involueradas requerirfan del uso de técnicas no lincales que estén fuera de les necesidades y objetivo de este libro. El andlisis de la recta de carga descrito antes ofrece una solucién con un minimo de esfuerzo, y una descripcién “pietsrica” de la razén por la cual se cobtuvieron los niveles de solucién para V,, € /p,--Los siguientes dos cjemplos demostrarin las téenicas que se presentaron, las cuales oftecen Una facilidad relativa con la que pucde dibujarse Je recta de carga utilizando las ecuaciones (2.2) y (2:3). Determinar para la configuracién de diodos en serie de Ia figura 2.3a usando las caracteristicas de diodo de la figura 2.3: a) Voge I, oe ® oy D) Vp Figura 2.8.2) Cireito:b)caracteristicas. 2.2 Andlisis mediante la recta de carga EJEMPLO 2.1 55EJEMPLO 2.2 Soluciéa E a) Laecuacién (2.2): Ip = —| R Laecuacién (23): Vp = Elip=0a = 10V Larecta de carga resultante aparece en la figura 2.4.La interseccién entre la recta de carga y la curva caracteristica define el punto Q como Vp, = 078 1p8 2 925 ms EI nivel de V,, es una estimacién y le exactitud de 1, esté limitada por Ia escala elegida. Un grado mas alto de exactitud requeriria de una grfica mucho més grande. IR = Ip,R = G25 mAY KO) = 9.25V 0 Vp2E- Vp = 0V-078V =92V La diferencia on los resultados se debe a la exactitud con la cual se pueda leer la grifica. Es ideal euando los resultados que se obtienen de una u otra manera son los mismos. Jina 1p, 3925 mA 2 36 7 8 9 W YM omy © Figura 24 Solucién al ejemplo 21 Ropetir el andtisis del ejemplo 2.1 con R= 2k2. Solucién . lov Rlvxov 2kQ Laecuacién (23): Vz = Eli,s04 = 10V ‘La recta de carga resultante aparece en la figura 2.5. Obsérvese la pendiente reducida y los niveles de corriente del diodo para las cargas crecientes. El punto Q resultante est definido por a) Laecuacién (2.2): I D) Va = IR con V, = E~V, = 10V-07V=93V La diferencia en los niveles se debe, una vez mas, a la exactitud con la cual se pueda leer la _fica. Es cierto que los resultados ofrecen una magnitud esperada para el voltaje V,- Capitulo 2 Aplicaciones de diodosFigura 25. Solucién al ejemplo 22. Como se observa en los ejemplos anteriores, la recta de carga esta determinada s6lo por la red aplicada, mientras las caracteristicas estin definidas para el dispositive elegido. Si se recurre al modelo aproximado para el diodo y no se cambia la red, la recta de carga serd exactamente la misma que se obruvo en los ejemplos anteriores. De hecho, tos siguientes dos ejemplos repiten cl andlisis de los ejemplos 2.1 y 2.2 mediante el empleo del modelo aproximado para permitir tuna comparacién de los resultados, Repetir el ejemplo 2.1 usando el modelo equivalente aproximado para el diodo semiconductor de silicio, Solucién ‘Se dibuja de nuevo larecta de carga segtin se muestra en la figura 2.6,con la misma interseccién ‘como se definis en el ejemplo 2.1. Las caracteristicas del circuito equivalente aproximado para cl diode también se han trazado en la misma gréfica. El punto Q resultant: Vp, = OT Jy, = 925m Figura 2.6. Solucién al ejemplo 23 usando el modelo aproximado del diodo. 2.2, Anilisis mediante la recta de carga, EJEMPLO 2.3 37Los resultados que se obtienen en el ejemplo 2.3 son muy interesantes, porque el nivel de Tp, € exactamente el mismo que el del ejemplo 2.1 empleando una curva de caraceristicas «que resulta mucha més fécil dibujar que la que aparece en la figura 2.4. El nivel de V, = 0.7 V conta 0:78 V del ejemplo 2.1 tiene una diferencia en magnitud del orden de las centésimas pero es cierto que estén en la misma vecindad, si se comparan sus magnitudes con las de los ‘otros voltajes en la red EJEMPLO 2.4 Repetirel ejemplo 2.2 usando el modelo equivalente aproximado para el diode semiconductor de silicio, Solucién La recta de carga se dibuja de nuevo como lo indica la figura 2.7, con la misma interseecién definida en el ejemplo 2.2. Las caracteristicas del circuito equivalente aproximado para el diodo también se dibujaron en la misma grafica. El punto Q resultante: Vp, = OTV Tog = 4.6 ma Iyimay Figura 2.7 Solucidn al ejemplo 22 utilizando e! modelo aproximado det iodo. 34s 6 7 8 8 WYN En el ejemplo 2.4 los resultados que se obtienen tanto para Vp), como pata I>, son tos mismos que los que resultaron empleando las caracteristicas compfetas en el ejemplo 2.2 Los ejemplos anteriores demuestran que los niveles de corriente y voltaje que se obtuvieron al utilizar el modelo aproximado, son muy cereanos a Jos que resultaron al utilizar las caracteris- ticas completas. Esto sugiere, como se vera al aplicarlo en las proximas secciones, que el uso de las aproximaciones adecuadas puede dar como resultado Ta obtencidn de soluciones que son ‘muy cercanas @ la respuesta real con un nivel reducido de incertidumbre acerca de la reproduc cin adccuada de las caracteristicas. eligiendo a su vez una escala lo suficiente grande. Los resultados indicardn las condiciones que deben ser satisfechas para poder aplicar el equivalen- te ideal de forma adecuada. EJEMPLO25 Repetir el ejemplo 2.1 usando el modelo del diodo ideal, Solucion En la figura 28 se mostré cémo Ta recta de carga continta siendo la misma, pero ahora las ccaracteristicas ideales se intersecan con la recta de carga en el eje Vertical. Por tanto, el pumio Qesté definido por Vp, = 0¥ Ip, = 10mA Capitulo 2 Aplicaciones de diodesNa ~ v0 Figura 2.8. Solucion al ejemplo 2.1 usando el modelo del diodo ideal, Los resultados son lo suicientemente diferentes para las sofuciones del ejemplo 2.1 como ‘para causar una incertidumbre acerca de sv exactitud. Es cierto que ofrecen alguna indicacién acerca del nivel de voltae y coriente que deben esperarse para otros niveles de voltaje de la red, pero el esfuerzo adicional de incluir el equivalente de 0.7 V, muestra que el método del ejemplo 2.3 es mas apropiado, or tanto,el uso del modelo del diodo ideal debe reservarse para aquellas ocasiones cuando la funcién de un diodo sea més importante, que los niveles de voltaje que pueden varias en décimas de un volt,y ens sitvaciones donde los votajes aplicados son de manera considerable mas grandes que el voltaje de umbral V>. En las siguientes secciones se usar en forma casi exclusiva el modelo aproximado, ya que los niveles de volaje que resultenserdn sensibles las ‘ariaciones que se aproximan a V, También en secciones posteriores se usa el modelo ideal con mayor frecuencia debidoa que los voltajesaplicados sera un poco mas altos que Vy os autores desean asegurarse que le funcién del diodo quede comprendida en forma correcta y clara 2.3. APROXIMACIONES DE DIODOS En laseccign 2.2 se indies que los resultados que se obtuvieron al emplearel modelo equivalente de sezmentos lineales fueron muy cercanos, sino iguales, a la respuesta obtenida al utilizar las caracteristicas de manera completa. De hecho, si se consideran todas las posibles variaciones coths Tne0 Modelos 10 Ges + vpnov = to (ee V,.Rr,) bw f ee eae See ip=0a exclusiva debido a sus caracteristicas de temperatura, todavia se utiliza el diodo de germanio, ¥ por tanto se incluye en la figura 2.1. De la misma manera que el diodo de silcio, un diodo de zgermanio se aproxima mediante un equivalente de cireuito abierto para los voltajes menores ue V,. Entraré al estado “encendido” cuando V,2= ¥,=0.3 V. ‘Tenga en cuenta que el 0.7 V y el 0.3 V en los circuitos equivalentes no son fuentes independientes de energia, pero estin ahi sélo para que recuerde que existe un “precio que debe pagarse” por encender un diodo. Un diodo aislado en la mesa de laboratorio no indicaré 0.7 V003 Vsise coloca un voltimetro en sus terminales. Los fabricantes especifican la caida de voltaje a través de cada uno cuando el dispositivo se encuentra en “encendido”, y detallan «ue el voltae del diodo debe ser por lo menos del nivel que se indica antes que la conduceién pueda establecerse. 60 Capitulo 2 Aplicaciones de diodosEn las siguientes secciones se demostraré el impacto de los modelos de la tabla 2.1 sobre fpf — el anilisis de las configuraciones'de los diodos. Para las situaciones en que se emplee el circui- i {to equivalente aproximado. el simbolo del diodo aparecers como lo sefala la figura 2.9a para ot los diodos de silicio y de germanio. Silas condiciones son las que podrian usarse en el modelo, del diodo ideal, cl simbolo del diodo aparecers como lo indica la figura 2.96, 2.4 CONFIGURACIONES DE DIODOS EN SERIE Figura 292) Notacion del CON ENTRADAS DE DC modelo aproximado: b) notacién del modelo idea. En esta seccin se usard el modelo aproximado para iovestigar una variedad de configuracio- nes de diodos en serie con entrades de de, Dicho contenido establece los undamentos en el analisis de diodos que Se aplicarin en las secciones y capitulos siguientes. El procedimiento escrito pra aplicarse a redes con cualquier mero de diodas y en una variedad de configu raciones, Primero, para ca configuracin debe determinare el estado de cada diodo, ,Cusles dodos se encuentran en “encendido” y cusles en “apagado™? Una vez que esto se hace. se puede sustitirel equivalente adecuado como se defini6en la seein 23 y determinar los parémetros restantes de la red determinada En general, un diodo esta en estado “encendido” si ta corriente establecida por las fuentes aplicadas es tal que su direccion concuerda con la flecha del simbolo del diodo, y Vi, 0.7 V para ef slicio y V, 2 0.3 V para ef germanio. Para cada configuracién,se reemplazarn mentalmente los diodos por ctementosresistivos y se observari la direccisn resultante de la corriente, de acuerdo como se establece debido a los Yoltajes aplicados (“presidn”). Sila direccisn sesultante ¢s “similar” a a flecha det simbolo del diodo. ocurriré la conduccisn a través del diodo y el dispositivo estard en estado “encendido Ladescripcion anterior depende de que Ia fuente suministre un voltaje mayor que el voltaje de ‘encendido” (V;) de cada diodo. Sin diodo esta en estado “encendido”, se puede colocar una caida de 0.7-V a través det elemento, o dibujar de nuevo la red con el circuito equivatente V, como se definié ea la tabla 2.1. Con el tiempo, probablemente se preferrd incluir la caida de 0.7-V a través de cada diodo ten “cneendido” y dibujar una linea a través de cada diodo en estado “apagado™ 0 abierto. Inicialmente el mérodo de sustitucién se utilizaré con el fin de asegurar que se determinen el voltae y los niveles de cortiente adecuados. Er circuito en serie de la figura 2.10, descrito brevemente en la secciGn 2.2. se necesitard para demostrar la aproximacin descrita en los pérrafos anteriores. Primero. el estado del diodo ——-—-—_— se determina de forma mental al reemplazar el diodo con un elemento resistivo, como lo indica Ja figura 2.11. La direccién resultante de / coincide con la flecta en el simbolo del diodo, ¥ Figura 2.11. Determinacion de! dado que E > V, el diodo se encuentra en estaclo“encendido”. Se dibuja de nuevo la red como estado del dodo deta figura 2. lo seBala la figura 2.12 con el modelo equivalente apropiado para el diodo de silicio con polarizacién directa, Obsérvesc para una futura referencia, que la polaridad de V;, es la misma aque Ia que resultaria side hecho el diodo fuera un elemento resistivo. E] voltae resultante y los niveles de comtiente son.los siguientes: Figura 2.10. Configuractin con diodo en serie. se v, a) Figura 2.12. Sustitucion del madelo equtvalente para el diodo ‘en estado "encendido” dela figura 210, 61z ® a % 7: fi 5 = gers 212, lovitiendo el odo Figura 2.14 Determination de Figura 215. Sustcign det modelo (eine 240, (ado del iodo dea figura 21. tenvalente par dodo en estado “apagado" de a figura 2.13, En la figura 2.13 el diodo de la figura 2.10 se invirti6. El reemplazo mental del diodo por tun elemento resistivo segimn la figura 2.14 indicara que la direccién resultamte de la corticme no coineide con la flecha del simbolo del diodo. El diodo esta en estado “apagado”, lo que genera el circuito equivalente de la figura 2.15. Debido al circuito abierto, la cortiente de! iodo es de OA y el voltaje a través de Ia resistencia R es la siguiente: Vp = gk = IR = OAR = OV Elhecho de que V,=0V establecerd E volts a través del circuito abierto, como se definié por la ley de voltaje de Kirchhoff. Siempre se tomaré en cuenta que bajo cualesquiera circunstan- cias, valores instanténeos de de, ac, pulsos, etc., deberd satisfacerse la ley de voltaje de Kirchhoff. EJEMPLO 2.6 Para la configuracién de diodos en serie dela figura 2.16, determinar Vp, V_€ Up Solucién + Yo Debido a que el volta establece una corriente en la direcciGn de las manecillas del reioj para ay ‘coincidir con laflecha del sfmboto y que ¢l diodo estd en estado “encendido” ae y : + + Vp = 07 popes #3 2240 ¥, V,p2 E-Vp = 8V-07V = 73 - V_ _ 73 ve = 332mA R 22kR Figura 216 Circuito paraet ejempio 26. EJEMPLO 27 Repetir cl ejemplo 2.6 con el diodo invertido, i= oa uci fests 3p, Set + Aleliminar el diodo, resulta que la direcci6n de /es opuesta ala flecha en el simbolo del diodo, #22210 ¥,y queel equivalente del diodo es el circuito abierto sin importar qué modelo se utilice. Debido ~ alcircuito abierto,el resultado es la red de la figura 2.17, donde 7,, = 0 A. Esto es porque Vp: TpB, Vp = (OR =0 V. Aplicando la ley de voltaje de Kirchhoff alrededor del Iazo cerrado genera iol E-V,~V,=0 Figura 217 Determinacion de las cantidades desconocidas para e! E-0=E =8V ejemplo 27, 6z Capitulo 2 Aplicaciones de diodos