Apostila ELC1032 V80

ELC1032
Fundamentos de Eletrônica de Potência
Universidade Federal de Santa Maria
Prof. Humberto Pinheiro, Ph.D.
2014
ELC 1032 – Fundamentos de Eletrônica de Potência_______________________________ 2
Sumário
Sumário..........................................................................................................................................2
Introdução...................................................................................................................................4
Características Estáticas Ideais de Semicondutores de Potência................................................4
Diodo......................................................................................................................................5
SCR........................................................................................................................................5
BJT Bipolar Junction Transistor............................................................................................6
MOSFETS Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors.........................................7
IGBT Insulated Gate Bipolar Transistor................................................................................7
GTO – Gate Turn-off Thyristor..............................................................................................8
Combinação típica de Semicondutores..................................................................................9
Solução de Circuitos Com Semicondutores de Potência Idéias...............................................12
Exemplo 1.............................................................................................................................12
Exemplo2..............................................................................................................................14
Exemplo 3.............................................................................................................................18
Exemplo 4.............................................................................................................................23
Exemplo 5.............................................................................................................................32
Exemplo 6.............................................................................................................................40
Exemplo: Conversor Buck-Boost........................................................................................48
Valor Médio..............................................................................................................................68
Exemplo.: Calculo da tensão média de um retificador de meia onda..................................68
Valor Eficaz..............................................................................................................................69
Exemplo.: Calculo da corrente eficaz em um retificador de entrada meia-onda.................69
Distorção harmônica total........................................................................................................70
Exemplo: Calculo da THD para uma dada forma de onda...................................................71
Fator de Potência......................................................................................................................71
1.2.5. Fator de Deslocamento...................................................................................................72
Fator de Utilização...................................................................................................................72
Rendimento..............................................................................................................................72
Fator de Desequilíbrio..............................................................................................................73
Ondulação ou Ripple................................................................................................................74
Fator de Crista..........................................................................................................................75
Exercício...............................................................................................................................75
Características dos Semicondutores de Potência......................................................................77
Diodos..................................................................................................................................80
MOSFETS............................................................................................................................91
Transistor de Junção Bipolar - BJT......................................................................................99
Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT)..........................................................................103
Tiristores (SCR, GTO, MCT)............................................................................................112
EXEMPLO DE CÁLCULO DE PERDAS........................................................................128
Magnéticos.................................................................................................................................138
Conceitos Básicos...................................................................................................................138
Lei de Faraday....................................................................................................................139
Lei de Lenz.........................................................................................................................140
Lei de Ampère....................................................................................................................141
Materiais Magnéticos.........................................................................................................142
Circuitos Magnéticos..........................................................................................................153
Perdas em Dispositivos Magnéticos.......................................................................................162
Perdas no Ferro...................................................................................................................162
Perdas no Cobre..................................................................................................................165
Projeto de Indutores e Transformadores.................................................................................170
Projeto de Indutores............................................................................................................171
Projeto de Transformadores................................................................................................184
Exemplo - Indutor..................................................................................................................188
Projeto de Indutor - AeAw – Núcleo E-E..............................................................................189
Projeto de Indutor - Al – Núcleo Toroidal...........................................................................192
1.4.5. Referências..................................................................................................................198
Teoria de Circuitos Comutados
Introdução
Eletrônica de Potência trata do processamento de energia. Sendo a eficiência uma das
características importante nesse processamento. A diferença entre a energia que entra no sistema
e a que sai geralmente é transformada em calor. Mesmo que, o custo da energia desperdiçada
gere preocupação, a remoção dessa energia cria transtornos tanto durante o projeto quanto na
sua utilização. Atualmente conversores estáticos utilizados para transformar a energia elétrica de
uma forma para outra, apresentam eficiência entre 85% e 99% dependendo da aplicação da
faixa de potência. Essa eficiência elevada é obtida utilizando semicondutores de potência, que
apresentam uma queda de tensão próxima de zero quando em condução, e uma corrente
praticamente nula quando em bloqueado.
Static Converter Definition by IEEE Std. 100-1996:

A unit that employs static rectifier devices such
semiconductor rectifiers or thyristors, transistors,
electron tubes, or magnetic amplifiers to change ac
power to dc power and vice versa.
Características Estáticas Ideais de Semicondutores de

Potência
Os principais semicondutores de potência utilizados em conversores estáticos com sua
região de operação no plano tensão corrente ( plano v-i ) são apresentados a seguir:
Diodo
O diodo é um semicondutor não controlável, pois o seu estado, conduzido ou bloqueado é
determinado pela tensão ou pela corrente do circuito onde ele esta conectado, e não por qualquer
ação que possamos tomar. O diodo entra em condução quando a tensão vak torna-se positiva. Ele
permanece em condução desde que a corrente iD, que é governada pelo circuito onde o diodo
estiver inserido, for positiva. Quando a corrente torna-se negativa o diodo bloqueia-se
comportando-se como circuito aberto.
iD
+
iD
A K vAK
_ _
+ 0 +
vAK
_
(a) (b)
Figura 0.1 (a) Símbolo e (b) Característica ideal de um Diodo
SCR
O SCR, do inglês Silicon Controlled Rectifier, é um dispositivo semicondutor semi-
controlado. No seu estado bloqueado, ele pode suportar tensões tanto positivas quanto
negativas. O SCR pode mudar de estado de condução com aplicação de um pulso de corrente na
porta (gate) quando a tensão vak for positiva. Uma vez em condução, ele continua em condução
mesmo que corrente de gate seja removida. Neste estado o SCR comporta-se como um diodo.
Somente quando a corrente ia, que é governada pelo circuito externo, torna-se negativa é que o
SCR retorna ao estado bloqueado.
A
iA iA On-state (Pulso em iG )
+ vAK
iG
vAK
G 0
_
K
(a) (b)
Figura 0.2 (a) Símbolo e (b) Característica ideal de um SCR
BJT Bipolar Junction Transistor
Os transistores bipolares foram os primeiros semicondutores de potência totalmente
controlados utilizados comercialmente em conversores estáticos. A característica estática de um
BJT ideal é mostrada na figure abaixo. O BJT pode conduzir corrente somente em uma direção,
e quando em estado bloqueado suporta somente tensões positivas, ou seja, ic>0 e vCE >0. Quando
uma corrente de base é aplicada a base o BJT, este passa a conduzir. Com a remoção da corrente
de base o BJT volta ao estado bloqueado.
C iC
iB iC
+
vCE On
B _
+ Off vCE
vBE _ E 0
(a) (b)
Figura 0.3 (a) Símbolo e (b) Característica ideal de um BJT
MOSFETS Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors
O MOFET, como os BJT, é um semicondutor totalmente controlado. A característica
estática de um MOSFET ideal é mostrada na figura abaixo. O MOSFET pode conduzir corrente
somente em uma direção, e quando em estado bloqueado, suporta somente tensões positivas, ou
seja, id>0 e vDS>0. Quando uma tensão adequada é aplicada entre os termais da porta e fonte,
vGS, o MOSFET entra em condução. Com a remoção da tensão vGS o MOSFET volta ao estado
bloqueado.
iD D
iD
+
vDS On
G _
+ Off vDS
vGS _ S 0
(a) (b)
Figura 0.4 (a) Símbolo e (b) Característica ideal de um MOSFET.
IGBT Insulated Gate Bipolar Transistor
O IGTB é semicondutor que combinas as características desejáveis dos MOFETs e BJTs.
A característica estática ideal de um IGBT é semelhante à de um MOSFET. O IGBT pode
conduzir corrente somente em uma direção, e quando em estado bloqueado, geralmente somente
suporta somente tensões positivas, ou seja id>0 e vce>0. Os RB-IGBT, do inglês Reverse
Blocking, possuem a capacidade de bloquear tensões positivas e negativas mas inda não
atingiram maturidade no mercado. Quando uma tensão adequada é aplicada entre os termais
da porta e fonte, vge, o IGBT entra em condução. Com a remoção da tensão vge o IGBT volta ao
estado bloqueado.
iC C iC
On
+
G vCE Off vCE
+ _
0
vGE
_
E
(a) (b)
Figura 0.5 (a) Símbolo e (b) Característica ideal de um RB-IGBT.
GTO – Gate Turn-off Thyristor
A característica estática do GTO é mostrada na figura abaixo. O GTO pode entrar em

condução por um pulo de corrente no gate, e uma vez em condução não há a necessidade de
manter a corrente de gate para mante-lo conduzindo. O que diferencia o GTO do tiristor é o fato
de uma vez em condução poder retornar para o estado bloqueado pela aplicação de uma tensão
gate-catodo negativa, e como conseqüência resultando em uma corrente de gate elevada.
iA
iA A
On
+ Off vAK
v
G _ AK 0
iG
K
(a) (b)
Figura 0.6 (a) Símbolo e (b) Característica ideal de um IGBT.
Combinação típica de Semicondutores
As combinações típicas de semicondutores encontrados em conversores estáticos são:
Tiristores em antiparalelo
i
+
i
+
v v
_
0 +
_
_
(a) (b)
Tiristores com diodo em Antiparalelo
+
i
+
v v
_
0 +
_
_
(a) (b)
BJT com Diodo em Antiparalelo
i i
+
iB On
v Off v
0
_
(a) (b)
MOSFET com Diodo em Antiparalelo
i i
+
On
v v
Off
_ 0
_ +
(a) (b)
MOSFET com Diodo Serie
i i
+
On
Off v
v 0
(a) (b)
IGBT com Diodo em Antiparalelo

i i
+
On
v Off v
0
_
(a) (b)
IGBT com Diodo Serie
i +
i
On
v
Off v
0
_
(a) (b)
Exercício Proposto: Determine a característica estáticas, planos

v-i, para os arranjos de semicondutores de potência descritos
abaixo:
a) IGBT com Diodo em Antiparalelo em anti-série

b) IGBT em uma ponte de diodos
c) IGBT com Diodo Serie em antiparalelo.
Compare os arranjos dos itens a) , b) e c) e comente sobre as

possíveis vantagens e desvantagens.
Solução de Circuitos Com Semicondutores de Potência

Idéias
Uma vez estabelecida as características estáticas dos principais semicondutores de
potência (interruptores), vamos agora, através de exemplos, investigar o impacto do uso desses
interruptores no operação de circuitos com fontes e elementos passivos como resistores
capacitores indutores.
Exemplo 1 Seja o circuito da Figura 0 .7, determine os etapas de
operação, bem como as principais formas de ondas do circuito. Considere que:

v= 311 sin(t) e R=10  sendo =377 rad/s.
Figura 0.7 Retificador de meia onda não controlado com carga resistiva
O circuito da Figura 0 .7 apresenta duas etapas de operação que são definidas
a partir do estado do diodo, conduzindo e bloqueado. Como a tensão da fonte
é periódica este circuito também deve apresentar um comportamento
periódico. Portanto, a seguir será abalizado o circuito para o primeiro ciclo da
tensão da fonte v..
Etapa 1 . Duração 0 <t< . : Em t=0 a tensão sobre o diodo, vak, torna-se
positiva levando o diodo entrar em condução. O circuito equivalente dessa
etapa da mostrado na Figura 0 .8 (a). As principais equações que descrevem o
comportamento do circuito nessa etapa são:
vak = 0 V
iD = v / R
vR = v
Etapa 2 . Duração  <t< 2 . : Em t =  a corrente no diodo , iD, torna-se
negativa, devido v, levando o diodo entrar em bloqueio. O circuito equivalente
dessa etapa da mostrado na Figura 0 .8 (b). As principais equações que
descrevem o comportamento do circuito nessa etapa são:
vak = v
iD = 0
vR = 0
1... (b)
Figura 0.8 Retificador de meia onda não controlado com carga resistiva
As principais formas de onda do circuito são mostrada na Figura 0.9

Figura 0.9 Formas de onda do retificador da Figura 0 .7
Exemplo2
Seja o circuito da Figura 0 .10, determine os etapas de operação, bem como
as principais formas de ondas do circuito. Considere que os parâmetros da
Tabela II
TABELA II
v= 311 sin(t)
R=10 
=377 rad/s
vB= 100 V
Figura 0.10 Retificador de meia onda não controlado com resistiva e fonte de
tensão
O circuito da Figura 0 .10 apresenta duas etapas de operação que são
definidas a partir do estado do diodo, conduzindo e bloqueado.
Etapa 1 . Duração 1 <t< 2: Em t=1 a tensão sobre o diodo, vak, torna-se
etapa da mostrado na Figura 0 .8 (a). As principais equações que descrevem o
comportamento do circuito nessa etapa são:
TABELA III
vak = 0 V
iD =(v-vB )/ R
vcarga =v
O ângulo 1 pode ser obtido a partir do instante que a tensão sobre o diodo
torna-se zero
dv
v = 311sin(t ) t = = vB = 100 V com >0
1
dt
logo
100
1 = a sin( ) = 19.47o
311
Por outro lado ângulos 2 pode ser obtido do instante que a corrente sobre o
diodo passa por zero, ou seja:
311sin(t ) t = - vB diD
iD = 2
= 0 com <0
R dt
logo
100
1 = a sin( ) = 109.47 o
311
Etapa 2 . Duração 2 <t< 2 +1. : Em t =2 a corrente no diodo , iD,
torna-se negativa, devido a v torna-se menor que vB, levando o diodo entrar em
bloqueio. O circuito equivalente dessa etapa da mostrado na Figura 0 .11 (b).
As principais equações que descrevem o comportamento do circuito nessa
etapa são:
TABELA III
vak = v-vB
iD =0
vcarga = vB
(a) (b)
Figura 0.11 Retificador de meia onda não controlado com carga resistiva e
fonte de tensão
As principais formas de onda do circuito são mostrada na Figura 0. 12
Figura 0.12 Formas de onda do retificador da Figura 0 .7
Exemplo 3
Seja o circuito da Figura 13, determine os etapas de operação, bem como as
principais formas de ondas do circuito.
Figura 0.13 Retificador de meia onda não controlado com carga RL

onde , v = V sin(t )
Vamos assumir inicialmente que o circuito apresente um comportamento
periódico e que a corrente no indutor em t = 0 seja nula. Logo o circuito
apresenta duas etapas de operação dependendo do estado de condução do
diodo.
Etapa 1 . Duração 0 <t< 1: Em t = 0 a tensão sobre o diodo, vak, torna-se
etapa da mostrado na Figura 14 (a). As equações que descrevem o
comportamento do circuito nessa etapa são obtidas da LKT, ou seja:
di
v = V sin(t ) = Ri + L
dt
Solucionando a equação diferencial acima temos
V 1 � �R � 2
L - t �
R
i (t ) = �1 + � � sin( t - arctan( )) + e L �
L 2
�R �� L � R �
1 + � ��
�L �
1... (b)
Figura 0.14 Etapas de operação do retificador de meia onda não controlado
com carga RL . (a) Etapa 1 , (b) Etapa 2
O final dessa etapa ocorre em t= 1 quando a corrente torna-se zero. Logo
1 pode ser obtido da solução da seguinte equação para 1

V 1 � �R � 2
L - t �
R
i (t ) = 0 = �1 + � � sin(  t - arctan( )) + e L �
L 2
�R �� L � R �
1+ � � � �
�L � t =1
� �R � 2
L R
- 1
�
0 = �1 + � �sin(1 - arctan( )) + e L �
� �L � R �
� �
seja
�R �
a=� �
�L �
logo
� 1 �
0 = �1 + ( a ) sin(1 - arctan( )) + e -a1 �
2
� a �
Solucionando numericamente a equação acima temos
320
306
292
278
264
180
1 250

236
222
208
194
180
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5
a
Figura 0.15 Ângulo que corresponde ao final da Etapa 1 em função
�R �
a=� �
do parâmetro �L �
Pode der observado que na medida que a carga torna-se mais indutiva a � 0
a duração da etapa 1 estendem-se no semi-ciclo negativo da rede, por outro

lado quando a carga torna-se mais resistiva a � � a duração da primeira
etapa aproxima-se do final do semi-ciclo positivo da rede.
Etapa 1 . Duração 1 <t< 2pi: Nesta etapa o diodo encontra-se bloqueado, a
corrente no circuito é zero, sendo o circuito equivalente mostrado na figura 14
b.
A seguir são mostrados resultados de simulação para ilustrar o comportamento
do circuito
(a)
(b)
Figura 0.16 Formas de onda do retificador da Figura 0 .13. V=311 V, =377

rad/s; R = 10, L = 100mH. (a) Tensão da rede, v/10, e corrente na carga (A).
(b) Tensão na Carga / 10 , e corrente de carga. (c) Tensão sobre diodo vak /10
e corrente no diodo.
Exemplo 4
as principais formas de ondas do circuito.
Figura 0.17 Gradador com carga RL

No circuito da Figura 0 .17 v = V sin(t ) e os pulsos de corrente de gate para
os SCRs T1 e T2 estão em sincronismos com a rede como mostrado na abaixo
Figura 0.18 Topo: Tensão da Rede; Meio: Pulsos para gerar a corrente de
gate do Tiristor 1. Baixo: Pulsos para gerar a corrente de gate do Tiristor 2.
Vamos assumir inicialmente quer o circuito apresente um comportamento
periódico e que a corrente no indutor em t = a seja nula. Como
possivelmente essa hipótese poderá ser violada, vamos chamar desse modo de
operação de MODO 1. Logo o circuito, no Modo 1, apresenta duas etapas de
operação dependendo do estado de condução dos SCRs.

Etapa 1 . Duração 0 <t< a. Em t = 0 a tensão sobre o SCR T1, vak1, torna-
se positiva. Entretanto como não há pulso de corrente no gate o tiristor opera
com um circuito aberto. O circuito equivalente é mostrado na Figura abaixo.
Figura 0.19 Circuito equivalente para primeira etapa do Modo 1.
Esta etapa finaliza em t=a com a entrada em condução de T1.
Etapa 2 . Duração a <t< 1. Em t = a a tensão sobre o SCR T1, vak1, é
positiva e este recebe um pulos de corrente no gate, entrando assim em
condução. O circuito equivalente é mostrado na Figura abaixo.
Figura 0.20 Circuito equivalente para Etapa 2 do Modo 1.
A equação que rege o comportamento do circuito nessa etapa é

di
v = V sin(t ) = L + Ri
dt
com
i (t ) t =a = 0
Com o intuito de facilitar a solução vamos definir
t �
= t - a .
Portanto a equação do rege o circuito passa a ser

di
v = V sin(t �
+ a) = L + Ri
dt �
com
i (0) = 0
Solucionando a equação diferencial acima temos
V (cos(a) - d sin(a)e -dt �+ (d sin(a) - cos(a)) cos(t �

� )�
)=
i (t � � �
L(d + 1) �
2
+ (sin(a) + d cos(a)) sin(t � ) �
sendo
R
d=
L
O final dessa etapa pode ser obtido solucionando a equação acima para
t �= 1� ) = 0 , ou seja
com i(t �
(cos(a ) - d sin(a )e -d1�+ (d sin(a) - cos(a)) cos( ) + (sin(a ) + d cos(a ))sin( )�

0 = 颢�
�
A solução da equação acima para 0 �a � com diferentes valores do
R
d=
parâmetro L é apresentado na Figura 0 .21.
1�
Figura 0.21 Final dadEtapa
� � 1, , emd � 0 do ângulo de disparo dos tiristores a,
função
R
d=
para o parâmetro L entre zero e infinito. Curva salientada d = 0.562
Note que se 1 for maior que 180º a hipótese inicial que a corrente no indutor
�
é nula em t = a não é mais válida. Neste caso, o circuito passa a operar em
um outro modo de operação, aqui denominado de Modo 2 de operação.

Formas de ondas típicas do circuito da Figura 0 .17 são mostrada a seguir.
Figura 0.22 Formas de onda do gradador da Figura 0 .17. V=311 V, =377

rad/s; R =10 , L = 100mH. (a) Tensão da rede, v/10, e corrente na carga (A).
(b) Tensão na Carga / 10 , e corrente de carga. (c) Tensão sobre diodo vak /10

a= e d = 0.265
e corrente no diodo. 2
Figura 0.23 Formas de onda do gradador da Figura 0 .13. V=311 V, =377

rad/s; R =21.187, L = 100mH. (a) Tensão da rede, v/10, e corrente na carga
(A). (b) Tensão na Carga / 10 , e corrente de carga. (c) Tensão sobre diodo

a = +e com positivo e e �0, d = 0.526
vak /10 e corrente no diodo. 3
Pode-se observar que o circuito está no limiar entre o Modo 1 em Modo 2 de
operação, confirmando as predições do gráfico da Figura 0 .21.
MODO 2. Neste modo existe somente uma etapa de operação. O tiristor T 1
conduz no semiciclo positivo da corrente de carga, enquanto T 2 conduz o
semiciclo negativo. O circuito equivalente é mostrado na figura abaixo.
Figura 0.24 Circuito equivalente para Modo 2.
Em regime permanente a corrente de carga é dada por:
V
i (t ) = sin(t - f)
R + (L) 2
2
sendo
L
f = arctan( )
R
Note que a fronteira entre os Modos 1 e 2 também pode ser obtida a
1
0 < a < arctan( )
partir das equações que do Modo 2. Ou seja, sempre que d
o circuito opera no Modo 2. Explique!
10
9
8
7 Modo 1
6
dc k 5
4
3
2
Modo 2
1
0
0 10 20 30 40 50 60 70 80 90
180
a k

Figura 0.25 Fronteira entre o Modo 1 e 2.

Exemplo 5
as principais formas de ondas do circuito, assumindo que:
(i) A tensão gate-source do MOSFET seja como descrita na Figura
0 .27.
(ii) O circuito opere com freqüência constante.
(iii) A corrente do indutor seja zero no inicio de cada período de
funcionamento do circuito.
(iv) A tensão da fonte de saída seja menor que a da fonte de entrada.
Figura 0.26 Conversor CC/CC

Figura 0.27 Tensão Gate-Source do MOSFET
O objetivo desse exemplo é determinar quais as restrições que devem ser
satisfeitas para o circuito opere como as hipóteses realizadas.
É razoável assumir que o circuito apresente uma freqüência de operação
constante devido a natureza da tensão de gate-source, vgs . Ainda, quando vgs
=10 V, o MOSFET conduz e o diodo é bloqueado, uma vez que vin >0. O
circuito equivalente é o mostrado abaixo, e esta etapa será chamada de Etapa
1.
Figura 0.28 Circuito equivalente para Etapa 1.
Como a tensão da fonte de saída é menor que a tensão da fonte de
entrada, no momento da a tensão gate-source do MOSFET vai a zero a
corrente do indutor é maior do que zero. Assim o diodo entra em condução,
assumindo a corrente do indutor, e o circuito equivalente passa a ser o
mostrado na figura abaixo.

Finalmente, uma vez que a corrente no indutor é zero no início de cada
ciclo de operação, o circuito possui mais uma etapa de operação onde nem o
transistor ou o diodo conduz. Assim o circuito equivalente dessa etapa é
mostrado na figura abaixo.
A seguir serão analisadas quantitativamente as etapas descridas acima.
Etapa 1: Duração 0 < t < dT . O circuito equivalente dessa etapa é mostrado

na Figura 0 .28 e as equações que governam a operação do circuito podem
ser obtidas aplicando a LKT no circuito equivalente, ou seja:
di
vin = L + vout com i (0) = 0
dt .
Assumindo que as tensões de entrada e saída são constantes a solução da
equação acima é:
vin - vout
i (t ) = t válida para 0 �t �dT
L .
No final dessa etapa, em t = dT, a corrente no indutor será
vin - vout
i (dT ) = dT
L .
Etapa 2: Duração dT < t < . O circuito equivalente dessa etapa é mostrado
na Figura 0 .29. Note que essa etapa dura até t =  , que é o instante que a
corrente no diodo zera. As equações que governam a operação do circuito
podem ser obtidas aplicando a LKT no circuito equivalente desta etapa.
di vin - vout
0=L + vout com i ( dT ) = dT
dt L
.
A solução da equação acima é:
vout
i (t ) = - (t - dT ) + i( dT ) válida para dT �t �
L
O instante que a corrente zera pode ser determinado a partir da equação acima
fazendo i =0 e solucionando-a para t=., ou seja:
vout
0=- ( - dT ) + i( dT )
L
que resulta em
vin
= dT
vout .
Etapa 3: Duração  < t < T. O circuito equivalente dessa etapa é mostrado na
Figura 0 .30. Nesta etapa as correntes no circuito são nulas. A tensão sobre o
diodo é igual à tensão de saída, pois a queda de tensão no indutor é nula.
Como conseqüência a tensão no MOSFET é a diferença entre a tensão de
entrada e saída.
Para assegurar que a corrente seja zero no início de cada ciclo, hipótese
inicial, a seguinte desigualdade deve ser satisfeita:
o resulta na seguinte equação para
vin
dT �T ou
vout
v
d � out
vin
As principais formas de onda do circuito são apresentadas a seguir.
Figura 0.31 Formas de ondas do circuito da Figura 0 .26. Topo: vgs , Baixo: vak e
i.
Na Figura 0 .31 é apresendado no topo a tensão vgs, e na parte inferior a
corrente no indutor e a tenão sobre o diodo, para vin=100V, vout=50V e d=0.35,
T=10s.
Figura 0.32 Formas de ondas do circuito da Figura 0 .26. Topo: vgs , Baixo: vds e
id do MOSFET.
Figura 0.33 Formas de ondas do circuito da Figura 0 .26. Topo: vgs , Baixo: vds e
id do MOSFET. Topo: vgs , Baixo: vak e i. d=0.55.
vout
d>
Finalmente a Figura 0 .33 mostra o circuito operanto com vin . Pode-se
observar que a corrente no indutor não é zero no início de cada período, e esta é
crescente. Portanto, se a corrente não for limitada ela danificará os componentes
do circuito, possivelmente o MOSFET!

Exemplo 6
O circuito da Figura 0 .34 é um conversor CC-CC que se caracteriza por
operar com freqüência de comutação variável. Este conversor apresenta como
vantagem a comutação em entrada em condução e bloqueio do IGBT com
corrente nula. Aqui este conversor será utilizado para exemplificar a solução
de circuitos comutados de segunda ordem.
As seguintes hipóteses são assumidas para a análise do circuito:
(v) A tensão gate-emissor do IGBT é descrita na Figura 0 .35.
(vi) O circuito opera com freqüência variável.
(vii) A corrente do indutor e a tensão no capacitor são zero no início
de cada ciclo de funcionamento do circuito.
(viii) A duração do pulso de tensão gate-emissor é tal que no momento
do bloqueio do IGBT a corrente circula pelo diodo em
antiparalelo com este.
(ix) A tensão da fonte de entrada e a corrente da fonte de saída são
constantes em um ciclo de operação.

Figura 0.34 Conversor CC-CC com frequência variável.
Figura 0.35 Tensão gate-emissor para o converosr da Figura 0 .34.
Como é assumido que a corrente no indutor e a tensão no capacitor são nulas no
início de cada ciclo de operação, então, nesse instante a corrente de carga,
representada pela fonte de corrente, circula pelo diodo D. Com a entrada em
condução do IGBT, no instante que a tensão gate–emissor vai para 10V, inicia a
primeira etapa de operação desse conversor.
Etapa 1: Duração 0 < t < 1. O circuito equivalente dessa etapa é mostrado

di
vin = L com i(0) = 0
dt
e
vc = 0
Solucionando a equação acima temos

vin
i(t ) = t para 0 < t < 1
L
e
vc = 0.
Para t=1 a corrente no indutor atinge a corrente de carga, e a corrente no

diodo zera, caracterizando o fim dessa etapa. Portanto, este instante de tempo,
que caracteriza o final dessa etapa, t=1, pode ser obtido da equação da
corrente, ou seja:
vin
I=  1 ou seja
L
L
1 = I
vin
Figura 0.36 Circuito equivalente para a Etapa 1.
Etapa 2: Duração 1< t < 2. O circuito equivalente dessa etapa é mostrado
di
vin = L + vc com i (1 ) = I
dt
e
dvc
C =i-I válidas para 1 �t �2
dt
Com o intuito de facilitar a solução vamos definir
= t - 1
t� =i-I
e i�
Portanto as equações do regem o circuito passam a ser
di�
vin = L + vc (0) = 0
com i �
dt �
e
dvc
C = i� �2 - 1
válidas para 0 �t �
dt �
A solução da equação diferencial acima é:

V
(t ) =
i�� sin(t �
) onde
L
1
=
LC
logo
V
i(t ) = sin((t - 1 )) + I para 1 >t > 2
L para
Esta etapa dura até o instante que a corrente no indutor, depois de se tornar
negativa, vai à zero. Dando início da próxima etapa de operação.
O final desta etapa pode ser obtido a partir da equação acima:
V
0= sin((2 - 1 )) + I
L
1 -LI
2 = (2 + arcsin( )) +1
 V
Onde o ângulo resultante da “função” arcsin deve estar no quarto quadrante
com valores entre 0 e -/2.
A tensão do capacitor para esta etapa pode ser obtida a partir da integração da
corrente no capacitor, o que resulta em:
vc (t ) = vin (1 - cos((t - 1 ))
.
O valor final na tensão no capacitor será:
vc (2 ) = vin (1 - cos((2 - 1 ))
Etapa 3: Duração 2< t < 3. Nesta a corrente de carga descarrega o capacitor
linearmente. O circuito equivalente dessa etapa é mostrado abaixo

A equação que governa o comportamento do circuito é:
I
vc (t ) = - (t - 2 ) + vc ( 2 ) para  2 �t �3
C
Esta etapa termina em t=3 quando a tensão no capacitor passa por zero e
polariza diretamente o diodo, dando início a última etapa de operação.
Etapa 4: Duração 3< t < T. Nesta etapa a tensão sobre o capacitor e a corrente
no indutor são nulas. Esta etapa dura até o intante que a tensão gate-emissor do
IGBT for novamente para nível alto, 10 V, caracterizando assim, o início de uma
etapa identica a etapa 1.
As principais formas de onda do circuito são mostradas na figura abaixo:

Figura 0.39 Formas de onda no circuito da Figura 0 .34 .
Quanto a duração do pulso de tensão entre gate e emissor do IGBT, Ton, este
deve ser tal que garanta que no momento do bloqueio do IGBT a corrente esteja
circulando pelo diodo em antiparalelo com este, ou seja, enquanto a corrente no
indutor for negativa. Portanto, a seguinte restrição deve ser satisfeita.
13 _ max �Ton �2 _ min

onde
1 -LI
2 = (2 + arcsin( )) +1
 vin
e
1 -LI
13 = ( - arcsin( )) + 1
 vin
onde o ângulo resultante da “função arcsin deve estar no quarto quadrante com
valores entre 0 e -/2.

Note que o valor máximo de 3 e o valor de mínimo 2 ocorrem para a máxima
corrente de saída e a mínima tensão da fonte. Assim a duração Ton deve ser
determinada para essa condição de operação.
6.5
6.15
5.8
5.45
5.1
2 k
4.75
13 k
4.4
4.05
3.7
3.35
3
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1
ak
LI
a=
Figura 0.40 .Variação dos 3 e 2 em de vin
Exercício Proposto: Determine a máxima freqüência de operação do conversor
da Figura 0 .34 em função dos parâmetros do circuito.

Exemplo: Conversor Buck-Boost.
 Modos: CCM e DCM

 Formas de onda de tensão e corrente em todos os elementos
Conversor Buck
v0 ≤ vi
v0
=D→ em CCM
vi
Conversor Boost
v0 ≥ vi
v0 1
= → emCCM
v i 1−D
Conversor Buck-boost
Características:
 Permitem que a tensão de saída seja maior ou menor que a tensão de entrada,
dependendo da razão cíclica D.
 Pode operar tanto em modo de condução contínua (CCM) como em modo de condução
descontínua (DCM).
Etapas de operação do conversor Buck-boost em DCM:
Etapa 1: Chave fechada e diodo aberto (0 ≤ t ≤ DT )
Com i L ( 0 )=0 A .
A tensão no indutor é:
d i L (t)
v L ( t )=v i =L∙
dt
Assim a corrente no indutor é:
t
1 vi
i L ( t )= ∙∫ v L dt = ∙t
L 0 L
A corrente máxima ocorre em t=DT s
v i ∙ DT
iL ( t )= →a corrente cresce linearmente
L
A tensão reversa sobre o diodo é:

v d ( t )=−( v i +v o)
A corrente no indutor cresce linearmente e a energia é armazenada no campo magnético.
ETAPA 2: Chave aberta e diodo conduzindo [D ∙ T s ≤ t ≤ ( D+ D1 ) ∙ T ]
A tensão sobre o indutor é:

d i L (t)
v L ( t )=−v 0=L
dt
Porém, o indutor já possui um corrente inicial para esse estágio:
v i ∙ DT
i L ( DT ) =
L
Assim:
v i ∙ DT
−v 0 dt +¿
L
t
1
i L ( t )= ∫ ¿
L DT
−v 0 v ∙ DT
iL ( t )= ( t−DT ) + i
L L
−v 0 v ∙ DT
iL ( t )= ( D1 ∙T ) + i
L L
A corrente no indutor decresce linearmente até zero e a energia se transfere para a carga.
ETAPA 3: Chave e diodo abertos [( D+ D1) T ≤ t ≤ T ]
 Neste estágio a tensão sobre o indutor é nula.

 A tensão de saída polariza reversamente o diodo
v d ( t )=−v 0
Forma de onda nos elementos:

► O que acontece quando D 2 ∙ T =0 ?

 A corrente no indutor não se extingue.
 Ao invés de três etapas de operação, existem somente duas etapas.
 O conversor passa a operar no modo de condução contínuo (CCM).
Determinação do limite para CCM/DCM

A operação em modo CCM ocorre quando:

IL v ∙ DT v 0 (1−Dmin )∙ T
I LB = = i
max
=
2 2L 2 ∙ L min
A corrente média no indutor é a soma das correntes médias da fonte e do diodo

I0
Í L = Í s+ Í D=
1−D
A corrente média de saída no limite de operação CCM/DCM:

Í 0 B= Í LB ∙(1−D min )
2
v 0 ∙(1−D min ) ∙ T
Í 0 B=
2∙ Lmin
A resistência de carga no limite de operação é:

v0 2 ∙ Lmin
R LB= =
Í 0 B (1− Dmin )2 ∙ T
Portanto, a indutância mínima para operação no limite CCM/DCM é:

2
R ∙(1− Dmin ) ∙ T
Lmin = LB
2
A corrente de carga normalizada é:

I 0 B 2 L min
∙ =(1−D min )2
r0 T
A resistência normalizada é:
T 1
R LB ∙ =
2 Lmin (1−D min )2
v i ∙ DT
iL =
max
L
Da equação que descreve a descarga do indutor:
v 0 ∙ D1 ∙ T
iL − =0
max
L
v i ∙ D ∙T v 0 ∙ D1 ∙ T
− =0
L L
v i ∙ D−v 0 ∙ D 1=0
vi ∙ D
D 1=
v0
A corrente média de saída Í 0 é igual a corrente média do diodo Í d .

i L ∙ D1 v i ∙ D∙ T v i ∙ D 1
Í 0= Í d= max
= ∙ ∙
2 L v0 2
2 2
v D ∙T
Í 0= i
2∙L ∙I0
v 0 v i ∙ D2 ∙ T
=
vi 2 L ∙ Í 0
A tensão de saída não depende somente da razão cíclica, mas também do valor do indutor, da
tensão de entrada e da corrente de saída.
Etapas de operação do conversor Buck-boost em CCM
Etapa 1: Chave fechada e diodo aberto (0 ≤ t ≤ DT )
Com i L ( 0 ) ≠ 0 A .
Nesta etapa, a tensão sobre o indutor é:
d i L (t)
v L ( t )=v i =L∙
dt
Então considerando uma corrente inicial no indutor, tem-se que:

t
1 v ∙D∙Ts
i L ( t )= ∙∫ v L dt+i L ( 0 )= i ∙t +i L ( 0 )
L 0 L
A tensão no diodo é:
v d =−(v i+ v 0 )
→ A corrente possui uma valor médio DC e uma parcela que varia em função da razão cíclica,
das tensões de entrada e de saída do indutor.
ETAPA 2: Chave aberta e diodo conduzindo ( D∙ T ≤ t ≤ T )

A tensão do indutor nessa etapa é:

d i L (t)
v L ( t )=−v 0=L
dt
A corrente no indutor, que é igual à corrente do diodo, é:

−v 0 dt +¿ i L (t)
t
1
i L ( t )=i d (t )= ∫¿
L DT
−v 0 v ∙ DT
iL ( t )= ( t−DT ) + i +i L (0)
L L
−v 0 v ∙ DT
iL ( t )= ( D1 ∙T ) + i +i L (0)
L L
A tensão sobre a chave é:

v s=( v i +v 0 )
→No final desse período, a corrente do indutor não se extingue, mas fica com um valor
i L ( t )=i L ( 0 ) (em regime permanente).
Forma de onda nos elementos:

Em regime permanente, a tensão média sobre o indutor é nula, ou seja, a energia

armazenada na etapa 1 é transferida para a carga na etapa 2.
Assim:
−¿
+¿=A ¿
A¿
D∙ T ∙ v i =(1−D) T ∙ v 0
Em um conversor Buck-boost operando em CCM, a relação estática entre a tensão de

saída e a tensão de entrada é:
v0 D
=
v i 1−D
Interpretação da equação do ganho estático:
O ripple de corrente pode ser calculado da seguinte forma:

−¿
+¿= A¿
L∙ ∆ i L= A ¿
L∙ ∆ i L=v i ∙ D∙ T =v 0 ( 1−D ) ∙ T
1 1
∆ i L = v i ∙ D ∙ T = v 0 (1−D ) ∙T
L L
A corrente média no indutor depende da carga, ou seja:

i L ( t )=I L + I L (t )
ripple
Como o Í L ( t )=0
ripple
e a corrente média no indutor é a soma das correntes médias de
entrada e saída,
I L =I i + I 0
como as potências de entrada e saída são iguais.
v0
v i I i =v 0 I 0 , onde I 0=
R
Assim, tem-se que:

v0 v0 v0 D v
I L= ∙ + =
v i R R 1−D
+1 0
R ( )
1 v0
I L= ∙
1−D R
Conclusões:
 O conversor Buck-boost pode elevar ou baixar a tensão de saída;
 Em modo de condução contínua (CCM), a tensão de saída depende somente do fator:
v0 D
=
v i 1−D
e independe da carga;
 Se a carga for reduzida tal que o conversor opere em modo de condução descontínua
(DCM), a relação D/1−D não é mais válida. Se a razão cíclica for mantida
constante, a tensão de saída pode atingir altos valores.
Exercício:
Seja um conversor Buck-Boost, operando em regime permanente, cujos parâmetros são:
L=50μH, Vi=12V, D=0.6, P0=36W, e fs=200KHz. Os elementos são assumidos ideais.
a) Calcule e desenhe as formas de onda de tensão e corrente em cada elemento.

b) Obtenha a tensão e corrente no indutor para uma carga de P 0=18W. Compare o ripple de
corrente com o caso anterior.
c) Calcule o valor crítico de carga P0 abaixo do qual o conversor entrará em modo de condução
descontínuo.
d) Calcule o valor crítico de indutância abaixo do qual o conversor entrará em modo DCM com
potência P0=5W.
e) Seja a tensão de entrada Vi variando de 3V a 15V. Para cada valor de entrada, a razão cíclica
D é ajustada para manter a tensão de saída constante (com
v i=12 V e D=0.6). Calcule o valor mínimo de indutância que manterá o conversor em CCM
para P0=5W para toda a faixa de variação de v i .
Solução:
a) CCM, a tensão de saída é:

D 0.6
1... v 0 =v i ∙ =12 ∙
1−D 1−0.6
v 0 =18V
v 20
P0=
R0
182
R0=
36
R0=9 Ω
A corrente média na carga é:
v 0 18
I 0= =
R0 9
I 0=2 A
A corrente média no indutor é a soma das correntes médias da fonte e do diodo.
A média da parcela com ripple é nula em um período T. A corrente média do indutor é a soma
das correntes médias da entrada e da carga.
I L =I i + I 0
Como as potências de entrada e saída são iguais
v0
v i ∙ I i=v 0 ∙ I 0 , onde I 0=
R
Assim:
v0 v0 v0 D v
I L= ∙ + =
v i R R 1−D (
+1 ∙ 0
R )
1
I L= ∙I
1−D 0
Para o caso do exercício:

1 2
I L= ∙ 2=
1−0.6 0.4
I L =5 A
O ripple de corrente é:
v i ∙ DT 12 ∙ 0.6
∆ i max = = =0.72 A
L 50∙ 10−6 ∙200 ∙ 103
0.72
i L ( t )=5+ =5.36 A
max
2
0.72
i L ( t )=5− =4.64 A
min
2
b) Com uma carga de 18W

182
R0= =18 Ω
18
V 0 18
I 0= = =1 A
R0 18
 A tensão sobre o indutor é a mesma para o caso anterior.
 O ripple de corrente é igual, pois tensão de entrada e a razão cíclica são as mesmas.
 A corrente média no indutor varia, e é dada por:
1 1
I L= ∙ I 0= ∙ 1=2.5 A
1−D 0.4
c) Calcular o valor crítico de carga P 0 quando a corrente média no indutor atingir a metade do
valor de ∆ I L max
, o conversor buck-boost entra em CCM. Sabe-se que P0=V 0 ∙ I 0 .
∆IL v ∙ D ∙T
I L= = i
max
2 2∙ L
Substituindo IL por I0,

I0 v ∙ D ∙T
= i
1−D 2∙ L
P 0 ( 1−D)v i ∙ D∙ T
I 0= =
v0 2∙ L
(1−D) v 0 ∙ v i ∙ D ∙T
P0=
2∙ L
(1−0.6)∙ 18 ∙12 ∙ 0.6
P 0=
2 ∙50 ∙ 10−6 ∙ 200 ∙10 3
P0=2.592 W
v 20 182
R0= =
P0 2.592
R0=125 Ω → Limite CCM/DCM
d) Lmin para que o conversor entre em DCM com potência nominal de 5W (existem 3 formas,
D, L, P0).
2
18
R0= =64.8 Ω
5
(1−D) v 0 ∙ v i ∙ D ∙T
P0=
2∙ Lmin
(1−0.6)∙18 ∙ 12∙ 0.6
Lmin =
2 ∙5 ∙ 200 ∙103
Lmin =25.92 μH
e) 9 V ≤ v i ≤ 15V
Para cada entrada a tensão de saída deve ser de:
v 0 =18V
 Para isso deve-se ajustar a razão cíclica D.
 Calcular o valor de Lmin que manterá o conversor em CCM para P 0=5W mesmo que
v i varie. Lmin é um critério de projeto.
Deve-se calcular inicialmente as razões cíclicas para os dois casos extremos:
Para v i =9 V :
min
v0 D
=
vi
min
1−D
v 0 ( 1−D ) =v i ⋅ D min
v 0 =(v 0+ v i ) ⋅ D min
v
(¿ ¿ 0+ vi ) min
v
D= 0
¿
18
D=
(18+ 9)
D=0.6667 → 240 °
Para v i =15 V
max
18
D=
(18+ 15)
D=0.5454 → 196.36 °
A indutância mínima deve ser calculada para todos os casos, pois quando D diminui, vi
aumenta.
(1−D) v 0 ∙ v i ∙ D∙ T
Lmin =
2 ∙ P0
(1−D) v 20 ⋅ D ⋅T v i (1−D) v 20 ⋅ D ⋅T (1−D)
Lmin = ⋅ = ⋅
2⋅ P0 v0 2 ⋅ P0 D
2 2
(1−D) ⋅ v 0 ⋅T
Lmin =
2⋅ P 0
Para v i=9 V
(1−2/3)2 ⋅18 2
Lmin =
2⋅5 ⋅200 ⋅103
Lmin =18 μH
Para v i=15 V
18 2
(1− ) ⋅182
18+15
Lmin =
2 ⋅5 ⋅200 ⋅103
Lmin =33.471 μH
O pior caso é para D mínimo, ou seja, quando v i=15 V !
1.2. Definições Básicas

Valor Médio
Dada uma função periódica f(t)=f(t+T), onde T é o período em que a função se repete,
(constante), tem-se que seu valor médio é dado por:
t +T
1
f avg =
T �f (t )dt
t 101\* MERGEFORMAT (.)
Para formas de onda senoidais, favg = 0.
Exemplo.: Calculo da tensão média de um retificador de meia onda
Dado o retificador meia onda do Exemplo 1 da Seção 1.1.5, determine o valor médio da
tensão de saída:
�220 2 sin ( 260t ) , 0 �t < 

�
vo (t ) = �
� 0 ,  �t < 2
Figura 0.41
Resolução:
t +T 2
1 1
voavg =
T �
t
f (t )dt =
2 �
0
vo (t ) d t
 2
1 � �
voavg = �
�
2 �
0
220 2 sin( t ) d t + �

0 d t �
�
311 � 
� 311
voavg = - cos ( t ) = ( 1 + 1)
2 �� 0 � 2
�
voavg = 99V
Valor Eficaz
Dada uma função periódica f(t)=f(t+T), onde T é o período em que a função se repete,
(constante), tem-se que seu valor eficaz é dado por:
t +T
1
= �f (t )dt
2
f rms
T t 202\* MERGEFORMAT (.)
fp
f rms =
Para formas de onda senoidais, 2 , onde fp é o valor de pico da senóide.
Para o produto de duas funções vrms e irms, prms = vrms irms
Exemplo.: Calculo da corrente eficaz em um retificador de entrada meia-
onda
Dado o retificador meia onda do Exemplo 1 da Seção 1.1.5, determine o valor médio da
tensão de saída:
� I , 0 �t < 
i (t ) = �
� 0 ,  �t < 2
Figura 0.42
Resolução:
t +T 2
1 1 2
= � f (t )dt =
2 �
i (t )d t
2
f rms
T t 0
 3
1 � 2 �
f rms = �
�
2 �
0
I d t + �
0 d t �
�
1 2  1 2
f rms = I t = I (  - 0)
2 0 2
I
f rms =
2
Distorção harmônica total
É a razão entre o valor rms do conteúdo harmônico pelo rms da quantidade

fundamental, expressada em percentual, ou seja, se refere ao fator de distorção percentual de
uma tensão ou corrente com relação a uma senóide.
Dada uma função periódica f(t)=f(t+T), por:
�
� �k x � �k x �
�
f ( x) = a0 + �� ak cos � �+ bk sin � � �
k =1 � �L � �L � � 303\* MERGEFORMAT
(.)
que também pode ser escrita da seguinte forma:
� x � �2 x � �3 x �
f ( x ) = a0 + a1 cos � �+ a2 cos � �+ a3 cos � �+ K
�L � �L � �L �
� x � �2 x � �3 x �
+ b1 sin � �+ b2 sin � �+ b3 sin � �+ K
�L � �L � �L � , 404\*
MERGEFORMAT (.)
ou ainda:
�
� �k x �
�
f ( x) = a0 + �� ck sin � + f k �
�
k =1 � �L �
�, 505\* MERGEFORMAT (.)
onde
c+2 L
1
a0 =
2L �f ( x)dx
c
c+2 L
1 �k x �
ak =
L �f ( x) cos �
c �L
�dx,
�
k = 1, 2,...
c+2 L
1 �k x �
bk =
L �f ( x)sin �
c �L
�dx,
�
k = 1, 2,...
�a �
fk = arctan � k �
ck = ak + bk 2 2
�bk �.
e
A distorção harmônica desta função pode ser escrita por:
�1 � �
THD f ( % ) = � �c 2
100%
�
�c1 k
�
� k =2 � 606\* MERGEFORMAT (.)
Escrevendo a THD para tensões e correntes, se obtém, respectivamente, as seguintes

equações:
�1 � �
THDV ( % ) = � � V 2
k �100%
�V1 �
�1 � �
THDI ( % ) = � � I 2
100
k �
�I1 �
Exemplo: Calculo da THD para uma dada forma de onda
Dada a seguinte forma de onda,

4 4 4
f ( x) = 4sin( x ) + sin(3x ) + sin(5 x) + sin(7 x)
3 5 7 909\*
MERGEFORMAT (.)
cuja forma de onda é mostrada na figura a seguir, obtenha a THD.
Figura 0.43
Resolução:
c1 = 4
�
�
c3 = 4 / 3
�
f ( x) � � �1 �4 �
�1 � �4 � �4 ��
� 2 2 2
c5 = 4 / 5 THD f ( % ) = �
�
� �c1 � ck
2
100%
�
�
= �
�4 �
�
� � � � ��
+ +
3 � �5 � �7 ��
100%
c7 = 4 / 7
� � k =2 � � �
THD f ( % ) = 41, 41%
Fator de Potência
O fator de potência entre duas função periódicas de mesmo período v(t)=v(t+T) e
i(t)=i(t+T) é definido como a razão entre a potência ativa, dada em W, e a potência aparente,
dada em VA, ou seja
P
FP =
S 10010\* MERGEFORMAT (.)
onde P é a potência ativa, S é a potência parente.
Alternativamente, o fator de potência pode ser calculado com a combinação do fator de
deslocamento e da distorção harmônica total, ou seja,
1
FP = DF
1 + THD 2 11011\* MERGEFORMAT (.)
1.2.5. Fator de Deslocamento

O fator de deslocamento de duas funções periódicas de mesmo período v(t) e i(t), que
representam a tensão e a corrente em dado elemento, respectivamente, é definido como o ângulo
de deslocamento de fase entre a componente fundamental da tensão v(t) e a componente
fundamental de corrente i(t). O fator de deslocamento é dado por
V1 I1 cosθ( 1 -φ )
DF = 1
= cosθ( 1 -φ 1 )
V1 I1 12012\* MERGEFORMAT
(.)
onde
θ1 e φ1 são os ângulos de deslocamento da tensão e da corrente com relação a um dado
ângulo de referência. Essa medida é realizada no lado CA de um conversor e é freqüentemente
confundida com o fator de potência, pois esta se confunde com o fator de potência para funções
senoidais.
Fator de Utilização
É uma medida comumente empregada em transformadores para se obter o índice de
utilização do mesmo. É dado por:
t +T
1
pavg T �v(t )i(t )dt
TUF = = t
vrms irms vrms irms 13013\* MERGEFORMAT (.)
Rendimento
É uma figura de mérito que nos permite comparar a eficiência de conversores estáticos
na conversão de energia elétrica de uma forma para outra. Sua relação é dada por:
pout
h=
pin 14014\* MERGEFORMAT (.)
onde Pin é a potência ativa de entrada e Pout e potência ativa de saída do conversor,
respectivamente. Caso a potência ativa seja periódica com período T, então
1 T
Pin = ∫ p (t )dt
T 0 in
onde
pin (t )=v in(t ).iin (t )

sendo vin(t) a tensão instantânea de entrada e iin(t) é a corrente instantânea de entrada. Para um
conversor trifásico a potência ativa de entrada será a soma da potência ativa de cada uma das
fases. A potência ativa de saída é definida de forma semelhante.
Fator de Desequilíbrio
O fator de desequilíbrio de corrente (ou tensão) pode ser definido, como o máximo desvio
da média das correntes (ou tensões) trifásicas, divididos pela média das tensões ou correntes das
três fases, expressadas em percentual, conforme mostra a seguir:
�i frms - iavg �
Desq ( % ) = � max
�100%
� iavg �
� � 15015\* MERGEFORMAT
(.)
I a _ rms + I b _ rms + I c _ rms

iavg =
onde 3 .
Desequilíbrios de corrente (ou tensão) podem também ser definidos fazendo-se usando
da teoria de componentes simétricos, onde a taxa entre componente de seqüências negativas ou
zero em relação a componente da seqüência positiva pode ser especificada como percentual de
desequilíbrio, conforme mostrado a seguir:
�componente de seq. negativa �
Deseq _N ( % ) = � 100%
�
�componente de seq. positiva � 16016\*
MERGEFORMAT (.)
� componente de seq. zero �
Deseq _0 ( % ) = � 100%
�
�componente de seq. positiva � 17017\*
MERGEFORMAT (.)
É comum a existência de desequilíbrios de percentuais entre 0 e 2% nas tensões da rede.
Desequilíbrios de tensão maiores que 5 % são considerados como desequilíbrios severos.
Um exemplo de desequilíbrio é mostrado na figura a seguir, onde considerou-se que em
um sistema trifásico a tensão nominal rms seja de 127 V por cada fase, porém a fase b apresenta
amplitude de tensão rms de 125 V, logo o desequilíbrio percentual é de 2 %.
200
va(t) vb(t) vc(t)
100
Tensão (V)
-100
-200
0 3,3 6,6 10 13,3 16,6
Tempo (ms)
Figura 0.44. Desequilíbrio de tensão em um sistema trifásico.
Ondulação ou Ripple
Em conversores CC-CC as componentes contínuas das grandezas de saída e entrada são

de interesse, pois estão associadas à potência processada e as especificações da carga. Entretanto
componentes alternadas além da componente contínua geralmente estão presentes, seja devido
às etapas de operação do conversor ou da eventual natureza pulsante da carga ou fonte de

entrada. Para quantificar o ripple, ondulação em inglês, a amplitude da componente alternada
pode ser expressa valores de pico, de pico-a-pico ou mesmo rms. O ripple, é a razão entre a
amplitude da ondulação e a componente contínua da grandeza em questão, corrente ou tensão,
geralmente expresso em percentagem.
~
v peak− peak
Ripple= 100
v̄
18018\* MERGEFORMAT (.)
onde a barra sobre a variável indica valor médio e o til componente alternada. Assim a caria
pode ser expressa por
v =v̄ +~
v
Fator de Crista
É definido como a razão de corrente (ou tensão) máxima ou de pico pela corrente (ou
tensão) eficaz de um dado circuito, como é apresentado na seguinte equação:
Vp
CF =
Vrms 20020\* MERGEFORMAT (.)
Para uma dada senóide a relação entre o valor de pico e rms deve ser 2 . O fator de
crista é usado para redefinir a capacidade de saída de transformadores, fontes ininterruptas de

energia (UPS) e outros equipamentos que alimentem cargas não lineares. Uma vez comparado
com o fator de crista da forma de onda senoidal se obtém o fator de correção da capacidade
(CCF), que é representado por:
�2�
CCF ( % ) = � 100%
�CF �
�
� � 21021\* MERGEFORMAT (.)
A potência corrigida se calcula mediante o produto do fator de correção de capacidade
pela potência nominal do equipamento por:
kVAcorrig = kVAnomCCF
Por exemplo uma carga não linear cujo valor de pico de corrente de fase seja I f= 10 A, e
o valor eficaz desta corrente seja Irms=6,5 A, tem-se que o CF=1,53 e CCF=92,16%. Um
transformador cuja potência nominal é de 10 kVA, considerado pelo fabricante para alimentação
de cargas lineares, só poderia operar com uma potência de 9,216 kVA, devido aos harmônicos
presentes na carga.
Exercício
Obter as todas as medidas de desempenho apresentadas para o seguinte circuito, para

todos os elementos a que se aplicarem.
Figura 0.45
Figura 0.46
Considerar que:
i) corrente na carga em regime permanente, mostrada em detalhe, seja aproximada por uma
constante;
ii) a fonte de tensão é senoidal, dada por v(t ) = 220 2 sin(260t ) ;

iii) o transformador é ideal.
Dispositivos Semicondutores de Potência

Características dos Semicondutores de Potência
Os principais dispositivos empregados em eletrônica de potência têm evoluído
consideravelmente nos últimos anos. Cada vez mais tem se desenvolvido dispositivos para
processar mais potência, como pode se verificar na figura abaixo (extraído de Mohan, 2002).
Figura 0.47 Semicondutores de potencia disponíveis no mercado em função da corrente tensão e
frequência de operação.
Figura 0.48 Características gerais dos Semicondutores de Potência.

O maior desafio no projeto de semicondutores de potência é obter altas tensões de bloqueio com
baixas quedas diretas quanto em condução. Outro desafio é que aqueles dispositivos
semicondutores que apresentam altas tensões de bloqueio com baixas quedas diretas resultam
tempos de comutação significativos. A tensão máxima de bloqueio de uma junção p-n e a sua
região de depleção são uma função do grau de dopagem. Para obter altas tensões de bloqueio é
necessário reduzir a dopagem, e assim aumentar a resistividade. Por outro lado, essa região de
alta resistividade contribui significativamente para resistência de condução do diapositivo.
Assim dispositivos de alta tensão apresentam maiores resistências de condução do que
dispositivos de baixa tensão. Em dispositivos de portadores majoritários, por exemplo, os
MOSFETS e os diodos Schottky, esse efeito é responsável pela dependência da queda direta ou
sua resistência de condução com a tensão máxima de bloqueio. Por outro lado, e dispositivos de
portadores minoritários, diodo de difusão, BJT , IGBT, SCR,GTO e MCT outro fenômeno
chamado de modulação de condutividade ocorre. Quando um dispositivo de portadores
minoritários encontra-se em condução portadores minoritários são injetados na região de baixa
dopagem através da junção que está diretamente polarizada. A elevada concentração de
portadores minoritários na região de alta resistividade reduz a resistência aparente da junção p-n
durante a condução. Devido a esse fenômeno os dispositivos de portadores minoritários
apresentam uma menor resistência se comprado com os dispositivos de portadores majoritários.
Deve ser salientado, que a vantagem dos dispositivos de portadores minoritários de reduzir a
resistência de condução traz junto a desvantagem de aumentar os tempos de comutação. O
estado de condução de qualquer semicondutor é controlado pela presença ou ausência de
algumas cargas dentro do dispositivo, e os tempos de entrada em condução e bloqueio são uma
função do tempo necessário para colocar ou remover essas cargas. A quantidade total de cargas
que controlam o estado de condução de dispositivos de portadores minoritários é muito maior
que as cargas necessárias para controlar um dispositivo equivalente de portadores majoritários.
Apesar dos mecanismos de inserção e remoção das cargas de controle dos diferentes
dispositivos, (BJT, IGBT, MOSFET, DIODO, etc.) serem diferentes, é verdade que, devido à
maior quantidade de carga dos dispositivos de portadores minoritários, esses apresentam tempos
de comutação significativamente maiores que os dispositivos de portadores majoritários. Com
uma consequência dispositivos de portadores majoritários são usualmente utilizados em
aplicações de baixas tensões e alta frequência, dispositivos de portadores minoritários em altas
tensões e alta potência. A figura abaixo descreve as diferentes semicondutores e as suas

aplicações típicas.
Fig. Semicondutores de potencia em diferentes aplicações.
Diodos
Características Principais
 É um dispositivo não-controlado (comuta somente espontaneamente);
 Conduz quando diretamente polarizado (Vak>0) e bloqueia quando i<0;
 Possui uma queda de tensão intrínseca quando em condução (VF ~ 1V);
 Não são facilmente operados em paralelo, devido aos seus coeficientes térmicos de
condução serem negativos. Ou seja, quanto maior temperatura menor a queda direta.
 Pode conduzir reversamente durante um tempo trr, que é especificado pelo fabricante.
Estrutura de um diodo de potência:

Figura 0.49 Estrutura construtiva de um diodo de potência.
 Suas características estáticas ideais e reais são dadas por:
Observa-se que existe uma tensão máxima reversa de bloqueio Vrated, a partir da qual o diodo
entra em avalanche, que leva o componente à sua destruição.
 Suas características dinâmicas são mostradas na figura a seguir:

Figura 0.50 Característica dinâmica de um diodo do potencia.
Verifica-se que quando um diodo de potência é submetido a uma comutação abrupta, ou
seja, quando outro dispositivo desvia de maneira muito rápida a sua corrente, aparecem
significativas perdas durante a comutação. Na figura, se verifica que o tempo de recuperação
reversa (trr) e a carga armazenada na junção (Qrr) estão relacionadas diretamente com as perdas
de comutação. Esse tempos podem ser calculados por:

 As perdas em diodos podem ser obtidas, de forma aproximada, com base na figura do
desempenho dinâmico, obtidas dos fabricantes do semicondutor:
Ptotal = Pon + Prec + Poff
Para um sinal periódico, temos que :
Perdas em condução: Pon = IF_av VF + IF_rms2 Ron
Perdas de recuperação: Prec = 0.5 tb VR IREC f ou se a energia de recuperação está
disponível Prec = Erec f
Perdas em bloqueio: Poff = IR_av VR ,
onde f é a frequência de comutação do diodo, em Hz, e IF, VF, IR, VR, tb, VR, IREC, Erec são obtidos
do data-sheet do fabricante.
Tipos de Diodos de Potênia

Diodos de uso geral
Estes diodos são os mais comuns no mercado, e também são conhecidos com line-frequency
diodes ou standard recovery diodes. São os diodos que foram desenvolvidos para operar em
baixas frequências, geralmente menor que 1kHz. Os diodos de uso geral possuem baixa queda
em condução, desta forma estes diodos estão aptos para operar até vários kV de tensão e kA de
corrente. Como o tempo de recuperação desses dispositivos é elevado (dezenas ou centenas de
micro-segundos), estes dispositivos não são indicados para operarem em altas frequências.
Diodos rápidos (fast recovery diodes)

Diodos rápidos possuem tempos de recuperação trr da ordem de, no máximo, poucos
micro-segundos, enquanto nos diodos normais é de dezenas ou centenas de micro-segundos. O
retorno da corrente a zero, após o bloqueio, d
evido à sua elevada derivada e ao fato de, neste momento, o diodo já estar desligado, é
uma fonte importante de sobretensões produzidas por indutâncias parasitas associadas aos
componentes por onde circula tal corrente. A fim de minimizar este fenômeno foram
desenvolvidos os diodos soft-recovery, nos quais esta variação de corrente é suavizada,
reduzindo os picos de tensão gerados.
Os diodos rápidos são dispositivos projetados para o uso em aplicações envolvendo alta
frequência, onde um pequeno tempo de recuperação é necessário. Em elevados níveis de
potência, os diodos rápidos possuem trr de poucos microssegundos ou até ns, além disso, esta
classe de diodo possui baixa queda em condução direta.
Diodos ultrarrápidos (ultrafast diodes)
Diodos ultrarrápidos resultam de aprimoramentos nos diodos rápidos. São semelhantes aos
diodos rápidos em termos de queda em condução, porém possuem menor tempo de recuperação.
Como recuperação ocorre de forma suave, é possível reduzir ou mesmo eliminar o uso de
snubbers na maioria das aplicações. Sendo um dispositivo de portadores minoritários, sua queda
em condução é pequena, de tal forma que pode ser aplicado em altas tensões de bloqueio. É
muito empregado em fontes chaveadas de alta frequência de alta eficiência, nos quais se
incluem aqueles que operaram com comutação ZVS e ZCS.
Para ilustrar, mostramos os diferentes comportamentos dos diodos durante as
comutações:
Figura 0.51 Corrente de recuperação de diferente diodos
Diodo Schottky
Diodos Schottky de silício são formados através de uma junção metal semicondutor
resultando na condução por portadores majoritários. Diodos Schottky são usados quando é
necessária uma queda de condução direta pequena em circuitos com baixa tensão de saída e
devido a condução por portadores majoritários não há cargas para recuperar durante a transição
de condução para bloqueio resultando em baixos tempos de comutação, podendo assim ser
operado em altas frequências, tipicamente de 200 kHz a 2 MHz, sem comprometer as perdas por
comutação.
Diodos Schottky de baixa tensão, menor que 100V, possuem queda de tensão em
condução muito baixa, tipicamente de 0,3V. Como desvantagens pode-se citar que as correntes
de fuga reversas dos diodos Schottky de silício são altas se comparáveis aos diodos por junção
PN. Note que, diferentemente dos diodos convencionais (mostrado em uma figura anterior),
assim que a corrente se inverte a tensão começa a crescer, o que indica que esse dispositivo não
possui portadores minoritários. No passado as aplicações dos diodos do tipo Schottky eram
principalmente em fontes de baixa tensão, nas quais as quedas sobre os retificadores são
significativas. Em resumo, as duas características do diodo Schottky que fazem ele forte
candidato no mercado se comparado com retificadores de junção PN em aplicações de fontes
chaveadas é a sua queda direta baixa e ausência de recuperação reversa devido a portadores
minoritários. A ausência de portadores minoritários significa uma redução significativa das
perdas de comutação. Talvez não menos importante, são as oscilações de tensão quando do
bloqueio que são menores se comparadas com aquelas dos diodos de junção PN, fazendo com
que os circuitos snubbers sejam menores e menos dissipativos ou mesmo desnecessários. A
queda de tensão menor dos diodos Schottky, se comparadas com as dos diodos de Junção PN,
resultam em um maior rendimento e dissipadores menores.
Recentemente diodos Schottky de carbeto de silício, do inglês Silicone Carbide Schottky
diode ou SiC, começaram as ser disponibilizado no mercado com tensões de bloqueio de 300 V
1700V com corrente de fuga bem inferiores que diodos Schottky de silício e possibilitando
reduzir significativamente a corrente de recuperação se comparado com diodos de junção PN.
Isto faz os diodos Schottky de SiC forte candidatos para aplicações como frontes ininterruptas
de potência, UPS, inversor para sistemas fotovoltaicos PV, e acionamento de máquinas em
baixa tensão.
. Figura 0.52 Corrente de recuperação de diferente diodos

Fonte: www.ixys.com/l499.pdf
Fonte:
Diodo
Schottky
de
Carbeto
de Silício.
(www.cree.c
om)
Aplicações
A tabela a seguir mostra uma comparação das tecnologias de diodos apresentadas.
Observa-se uma grande diferença entre as características dos diodos, principalmente em relação
aos tempos de comutação. Obviamente, dispositivos com características de desempenho melhor
são muito mais caros, e só devem ser considerados em projeto quando estritamente necessários.
Parâmetro Tipo de diodo

Schottky Schottky
(valores
Uso geral Rápido Ultra-rápido
Si SiC
típicos)
IF (Av) 60A 60A 60A 60ª 40
V 1600V 600V 400V 45V 1200
VF 1.3V 1.1V 1.25V 0.69V 2V
trr 400ns 70ns 8,5 ns 20ns 0
TJ -65 – 160oC -40 – 150 -55 - 175 oC -40 – 150 oC -55 - 175
o
C
Irr - 3.4A 8.8 A 2ª 0
Qrr - 0.5 μC 375 nC 800 nC 244nC
Componente 40HF 60HFU- 60EPU04 MBR6045WT C2D20120D
600 2x
Obs.: Os componentes exemplos são todos da International Rectifier (www.irf.com) e (www.cree.com)
MOSFETS
Os MOSFET’s de potência são dispositivos semicondutores que possuem o

comprimento do Gate (porta) de aproximadamente alguns m. O MOSFET é composto de
várias pequenas células de modo ENHANCEMENT conectadas em paralelo sobre uma
superfície de silício (die). A secção transversal de uma célula é ilustrada na Figura 1 abaixo.
Figura 1 - Seção transversal de uma célula MOSFET.
A corrente flui verticalmente através de “silicon wafer”. A conexão do dreno metalizada é feita
na parte de baixo do CI, enquanto a metalização da fonte é o da porta (Gate) é na parte superior.
Em condições normais de operação, com vds0 ambos a junção p_n e p_n- são polarizados
reversamente. Na Figura 2 a tensão dreno para fonte aparece através da região de depleção na
junção p_n-. A região n- é fracamente dopada, com uma espessura tal que a tensão desejada de
bloqueio máxima é alcançada.
Figura 2 – Junção p_n e p_n- polarizadas reversamente.
A Figura 3 abaixo ilustra a operação no estado de condução, com uma tensão de gate-
source suficientemente grande. Um canal se forma no substrato da região do tipo p abaixo do
gate.
canal +
Figura 3 – Canal no substrato tipo p no MOSFET.

A corrente de dreno circula através do canal n-, pela região n, e sai pelo contato do
source.
A resistência Ron que caracteriza o MOSFET em condução é a soma da resistência da
região n-, do canal, e dos contatos de dreno e source. Na medida em que a tensão de bloqueio
do MOSFET aumenta a resistência RON do canal n- se torna dominante. Como não existem
portadores minoritários para causar a “modulação de condutividade” a resistência Ron aumenta
significativamente na medida em que a tensão de bloqueio atinge algumas centenas de volts.
A junção p_n- é chamada de “body diode”, essa junção forma um diodo em paralelo com
o MOSFET. Esse diodo é polarizado diretamente quando a tensão vds se torna negativa. Esse
diodo é capaz de conduzir a corrente nominal do MOSFET. Entretanto geralmente o MOSFET
não é otimizado com relação os tempos de recuperação desse diodo. As grandes correntes que
fluem durante a recuperação do diodo podem causar danos no componente. Deve ser ressaltado
que alguns fabricantes produzem MOSFET com “Body diode” com baixos tempos de
recuperação.
A característica estática típica de um MOSFET é mostrada abaixo.
Figura 4 – Característica estática típica de um MOSFET.

Quando a tensão vgs é menor que uma tensão de threshold Vth, o dispositivo opera no
estado bloqueado. Um valor típico de Vth é 3V. Quando a tensão vgs é maior que 6 a 7 volts o
dispositivo opera no estado de condução. Valores típicos da tensão de gate são 12 a 15 V para
minimizar as perdas de condução.
Em condução a tensão do MOSFET, vds é proporcional a corrente de dreno. O MOSFET
é capaz de conduzir corrente de pico que excedem o valor médio da corrente e a natureza da
característica estática é modificada em altos níveis de corrente.
MOSFET de potência que operam com tensão gate-source de 5V também são
disponíveis. Alguns MOSFET de potência do tipo P também são disponíveis, mas eles são
pouco usados devido a sua performance inferior se comparados com os do tipo N.
A resistência de condução Ron e a queda de tensão de condução possuem coeficientes de
temperatura positivos. Devido a essa propriedade é relativamente fácil colocar dispositivos
MOSFET em paralelo.Os MOSFETs de alta corrente são dispositivos disponíveis contendo
vários CI’s conectados em paralelo.
As principais capacitâncias do MOSFET são ilustradas na Figura 5 abaixo. Esse modelo
é suficiente para um estudo qualitativo do comportamento como interruptor.
Figura 5 – Principais capacitâncias do MOSFET.

Os tempos de comutação são determinados pelo tempo necessário para carregar e descarregar
essas capacitâncias. Uma vez que a corrente de dreno é função da tensão gate-source, então a
taxa de variação da corrente de dreno é dependente da taxa de variação que a tensão gate-source
que é definida pelo circuito de comando (driver).
A capacitância dreno-source leva a perdas de comutação uma vez que a energia

armazenada nessa capacitância é geralmente perdida durante a entrada em condução do
MOSFET. A capacitância gate-source é essencialmente linear. Entretanto a capacitância
dreno-source e gate para dreno são fortemente não lineares.
Co
Cds (vds ) =
vds (0)
1+
Vo
.
Onde os parâmetros Co e Vo são dependentes da geometria do componente. Um outro parâmetro
que geralmente é fornecido pelos fabricantes é a carga de gate (Qg). Qg é a carga total que o
circuito de comando deve fornecer para elevar a tensão de gate source de zero até tipicamente
10 V, com uma tensão dreno-source pré-definida.
MOSFETS são dispositivos usualmente utilizados para tensões menores ou iguais a
400V. Nessas tensões, a queda de tensão direta é igual ou superior a dos dispositivos de
condução por portadores minoritários. Os tempos de comutação são de 50n a 200 ns. Em
tensões superiores a 400 e 500V, os dispositivos formados por portadores minoritários (IGBT
por exemplo) possuem uma queda direta menor. A única exceção é em aplicações onde a
velocidade de comutação é mais importante do que o custo do semicondutor para obter queda
em condução aceitável.
Assim como nos diodos os transistores MOSFET de Carbeto de Silício também apresentam
características promissoras
http://rohmfs.rohm.com/en/products/databook/datasheet/discrete/sic/power_module/bsm180d12
p2c101.pdf
Microsemi Corp. has introduced a family of SiC MOSFETs. The 1,200-V APT40SM120B (80 mΩ, 40
A), APT40SM120J (80 mΩ, 40 A), APT50SM120B (50 mΩ, 50 A), and APT50SM120J (50 mΩ, 50
A) SiC MOSFETs have been made available in TO-247 and SOT-227 packages.
Transistor de Junção Bipolar - BJT
A seção transversal de um BJT de potência npn é mostrada na Figura 1 abaixo.
Figura 1 - Seção transversal de um célula BJT.

Como em outros dispositivos de potência, a corrente flui verticalmente através do
semicondutor “wafer”. A região fracamente dopada n- é inserida no coletor para obter a tensão
de avalanche requerida. O transistor opera no estado bloqueado quando as junções pn- e pn estão
reversamente polarizadas. A tensão coletor-emissor aparece essencialmente sobre a região de
depleção da junção pn-. Por outro lado, o transistor opera no estado saturado quando ambos as
junções são diretamente polarizadas. No estado saturado, um número substancial de cargas
minoritárias estão presentes na região p e n-. Essas cargas minoritárias fazem com que região
n- ,que normalmente apresenta uma resistividade elevada, reduza a sua baixa resistência devido
ao efeito modulação de condutividade “condutivity modulation”. Entre a região de bloqueio e
condução existe a região ativa, onde a junção p-n é diretamente polarizada e a junção pn- é
reversamente polarizada.
Conductivity Modulation An increase in the conductivity of a semiconductor which

results during high-level carrier injection when the concentration of major carriers
exceeds the background, thermal equilibrium value due to high density effects.
Conductivity Modulation: The variation of the conductivity of a semiconductor through
variation of the charge carrier density.
Quando o BJT opera na região ativa, a corrente de coletor é proporcional aos portadores
minoritários na base, a qual é proporcional (em equilíbrio) a corrente de base. Existe uma quarta
região conhecida como quase-saturação, ocorrendo entre a região ativa e de saturação.
A quase-saturação ocorre quando a corrente base é insuficientemente colocar o BJT na

saturação. As cargas minoritárias presentes na região n- são insuficientes para reduzir a região de
resistência n-, e uma maior resistência do transistor é observada se comparado com a saturação.
Considere um exemplo simples dado na Figura 2.
Figura 2 – Etapas de operação do circuito com BJT.

O transistor opera bloqueado no intervalo 1 com a junção base emissor reversamente polarizada
. A entrada em condução inicia no intervalo 2, quando a tensão da fonte comuta para um valor
positivo, ou seja vs(t)=Vs2. Uma corrente positiva é suprida pela fonte vs para a base do BJT. Essa
corrente primeiro carrega as capacitâncias associadas a região de depleção das junções pn e pn-
que estão reversamente polarizadas. No final do intervalo 2 a tensão base-emissor excede zero
suficientemente para a junção base-emissor se tornar diretamente polarizada. A duração do
intervalo 2 é chamado de “turn-on delay time”. Durante o intervalo 3 os portadores minoritários
são injetados através da junção base-emissor do emissor para a região da base. A corrente de
coletor é proporcional a carga na região base. Então durante o intervalo 3 a corrente de coletor
aumenta. Uma vez que o transistor esta acionando uma carga resistiva, a tensão de coletor
decresce nesse intervalo. Isso reduz a tensão através da junção base-coletor e também reduz a
região de depleção. Aumentando Ib1 (pela redução RB ou incrementando Vs2) é possível aumentar
ambos as variações de portadores minoritários da base e a carga da capacitância da região de
depleção. Assim, aumentando Ib1 é possível reduzir os tempos de entrada em condução. Próximo
do fim do intervalo 3, a junção pn- se torna diretamente polarizada. Os portadores minoritários
são então injetados na região n-, reduzindo efetivamente a resistividade. Dependendo da
geometria e da magnitude da corrente de base, a tensão de “calda” pode ser observada na
medida em que a resistência aparente da região n- é reduzida pelo efeito de modulação da
condutividade. O BJT atinge o equilíbrio no começo do intervalo 5, com “resistência ON”
baixa, e com uma substancial quantidade de portadores minoritários nas regiões n- e p. Nesse
intervalo as cargas minoritárias excedem a quantidade necessária para suportar a condução na
região ativa da corrente de coletor.
O bloqueio é iniciado no intervalo 6, quando a tensão da fonte retorna para –Vs1. A
tensão base-emissor permanece diretamente polarizada uma vez que os portadores minoritários
estão na sua vizinhança. A corrente de coletor circulará enquanto existir portadores minoritários
em excesso para suportar a condução na região ativa. A corrente de base –I b2. negativa remove
os portadores minoritários armazenados na junção. Esse intervalo termina quando o excesso de
portadores minoritários são removidos. A duração desse intervalo é chamado de tempo de
estocagem ou “Storage Time”. Durante o intervalo 7 o BJT opera na região ativa. A corrente de
coletor é proporcional a carga armazenada. A recombinação e a corrente de base negativa
continuam a reduzir os portadores minoritários da base, e a corrente de coletor diminui. No final
do intervalo 7 os portadores minoritários armazenados são nulos. A junção base-emissor torna-

se reversamente polarizada. A duração do intervalo 7 é chamada de tempo de descida. Durante
o intervalo 8 o capacitor associado da junção base-emissor é descarregado até –vs1. No intervalo
9 o transistor opera em equilíbrio no estado bloqueado.
Figura 3 – Corrente de base ideal do BJT.
A corrente acima é uma corrente de base ideal. A corrente I b1 é alta, tal que a carga é inserida
rapidamente na base, e assim há uma redução dos tempos de entrada em condução. Existe um
compromisso existe entre a amplitude corrente de equilíbrio de condução IBon e Storage Time. A
fim de que a queda de condução seja pequena IBon deve ser grande mas assim há um aumento
excessivamente o excesso de portadores minoritários o que aumenta tempo de estocagem.
A corrente Ib2 é grande em magnitude tal que as cargas armazenadas possam ser
removidas rapidamente e os tempos de estocagem e desligamento sejam minimizados. Ainda,
os valores de Ib1 e Ib2 devem ser limitados para evitar falha no componente.
Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT)
O IGBT é um semicondutor de potência moderno de quanto camadas p n p n. A seção

transversal de um IGBT é mostrada abaixo.
Figura 1 - Seção transversal de um célula IGBT.
O IGBT é um dispositivo semicondutor moderno de quatro camadas de gate isolado.

Pode-se notar que o IGBT é muito parecido com o MOSFET com relação as características
construtivas. A diferença fundamental é a região p conectada ao coletor do IGBT. A função da
camada p é de injetar portadores minoritários na região n- quando o dispositivo opera na região

de condução.
Quando o IGBT conduz a junção pn- é polarizada diretamente e portadores minoritários
são injetados na região n- e a resistência é reduzida pelo efeito de modulação de condutividade.
Isto reduz a resistência ON da região n-, que permite a construção de IGBTs de alta tensão de
bloqueio apresentar queda de tensão direta aceitáveis. Em 1999 IGBTs de 600 V a 3300V eram
disponíveis com quedas diretas entre 2 a 4 V, que são muito menor do que as de MOSFETs com
a mesma área do semicondutor.
Figura 2 – Simbologia e circuito equivalente do IGBT.
O IGBT funciona como um MOSFET de canal n conectado a um transistor pnp. As

características físicas desse componente são ilustradas abaixo.
emissor
coletor
Figura 3 – Aspectos físicos do IGBT.
Existem 2 correntes, a corrente do MOSFET i1 e a corrente do pnp i2.
Figura 3 – IGBT em condução.
Vamos considerar que a tensão vce é positiva e a tensão entre gate de emissor é nula, assim não
circula corrente do emissor para o coletor (desprezando-se a corrente de fuga). Quando a tensão
entre gate e emissor é feita positiva, elétrons são atraídos para a região abaixo do oxido silício
(isolante) até o momento que ocorre a inversão a polaridade de p para n deste região. Esta
inversão estabelece um canal um n da camada n+ para a n-. Os elétrons injetados a partir do
emissor pela camada n+ para n- baixam o potencial desta região e polarizam diretamente a
junção p+ n- do lado do coletor. Assim buracos são injetados na camada n- reduzindo a
resistência aparente desta camada ( conductivity modulation ) e como consequência queda direta
do IGBT em condução. Está é a razão que faz com que os IGBTs possuam quedas diretas
menores que os MOSFETs.
O preço pago por reduzir a tensão do IGBT é o aumento dos tempos de comutação,
especialmente os tempos de desligamentos. O IGBT no desligamento apresenta uma corrente de
calda “current tailing”.
O MOSFET pode ser desligado rapidamente, removendo as cargas do gate. Isto faz com
que a corrente i1 vá para zero.
Entretanto a corrente i2 continua a circular até que os portadores minoritários presentes
na região n- sejam removidos. Uma vez que não existe maneira de remover esses portadores,
eles decaem lentamente por recombinação. Então i2 decai com a recombinação dos portadores
minoritários o que resulta em uma corrente de calda pode ser observada. A duração da corrente
de calda pode ser reduzida pela introdução de centros de recombinação na região n- com o preço
pago de aumentar a resistência ON. O ganho de corrente pnp pode também ser minimizado
causando i1 ser maior que i2. Mesmo assim os tempos de comutação do IGBT são
significativamente maiores que os dos MOSFET, com tempos de bloqueio da ordem de 0,5 s a
5 s. Hoje as frequências típicas de conversores com IGBT são de 1 a 30 kHz. A remoção de
cargas armazenadas pode ser melhorada pela adição de uma camada n+, Buffer layer na Figura
14, que atua como uma fonte para o excesso de buracos, portadores minoritários. Esta camada
n+ possui um tempo de vida dos portadores em excesso muito menor o que resulta maior taxa
de recombinação. Assim, o resultante gradiente da densidade de buracos na região de difusão
causa uma maior fluxo de buracos na direção da camada n+ , e como consequência uma redução
no tempo de remoção dos buracos e da corrente de calda do IGBT. Os IGBTs com esta camada
n+ são denominados de Punch-Through, PT-IGBT, enquanto os sem esta camada n+ de Non
Punch-Through ,NPT- IGBT como ilustrado na Fig. 14 e 15.
Figura 14. (a) Non Punch Through (NPT) IGBT (b) Punch Through (PT) IGBT
Figura 15. (a) Non Punch Through (NPT) IGBT (b) Punch Through (PT) IGBT
A fabricação do NPT IGBT começa com uma lâmina uniformemente dopada de

silício n-. Então o emissor e o MOSFET são formados por na face de superior da lâmina
e a camada p+ é formada for implantação no face inferior. Existe disponível no mercado
NPT IGBT com tensões de bloqueio direto, vce>0, de 4,5kV. A tensão máxima de
bloqueio reverso, vce<0, é caracterizada pela capacidade de tensão da junção p n+ em um

PT IGBT e a da junção n- P em um NPT IGBT. O valor típico desta tensão é de 10 V.
Note que isto não é uma limitação uma vez que os fabricantes de IGBT forcem o IGBT
com um diodo em antiparalelo o que limita a tensão reversa do IGBT a que direta do
diodo.
Finalmente, em condução o IGBT pode ser modelado por um circuito com mostrado na
Fig.4, onde os valores de R e V são obtidos a partir do catalogo do fabricante, veja Fig. 13
abaixo.
Figura 13 – Modelo do IGBT em condição de condução.

Tiristores (SCR, GTO, MCT)
Segundo a IEEE Std. 100 o tiristor é um semicondutor biestável composto de três ou

mais junções pode ser comutado do estado de não condução para o de condução pela aplicação
de um pequeno sinal elétrico. Os tiristores são considerados um conjunto de dispositivos que
incluem dispositivos como o SCR, GTO, MCT.
De todos os semicondutores de potência o SCR ( Silicon-Controlled Rectifier ) é o mais
antigo, possui o menor custo por kVA, e é capaz de controlar a maior quantidade de potência.
Dispositivos de 5000 a 7000 V que suportam milhares de ampares são disponíveis no mercado.
Em aplicações de sistemas de potência, especificamente em link transmissão CC, SCRs
comandados por luz ( light-triggered SCR - US Patent 5148253) conectados em série são
empregados em retificadores e inversores comutados pela rede que operam com correntes de
alguns kA e tensões de até 1 MV. Um SCR de potência ocupa um wafer de semicondutor de
alguns centímetros de diâmetros e são montados em diferentes encapsulamentos, dentre eles

destaca-se os do tipo discos, como ilustrado na figura abaixo.
Figura: SCR de grande potência encaspulamento (press pack type).

O símbolo do SCR e um circuito equivalente contendo transistores NPN e PNP do tipo BJT são
ilustrados na figura abaixo.
Figura 1 - Simbologia e circuito equivalente para o SCR.
A seção transversal de um SCR é mostrada na figura 2 abaixo.

Figura 2 – Seção transversal para uma célula do SCR.

O transistor Q1 é composto pelas regiões n, p, n-, e o transistor Q2 pelas regiões p, n-, p.
O SCR é capaz de bloquear tensões positivas e negativas. Dependendo da polarização da
tensão aplicada a uma das junções p n- é polarizada reversamente. Em qualquer caso a região de
depleção se estende na região n- fracamente dopada. Como em outros dispositivos a tensão de
bloqueio é obtida pela própria espessura da região n- e da concentração de portadores nessa
região.
O SCR pode entrar em condução quando a tensão aplica vAK for positiva. Uma corrente
de gate positiva iG faz com que o transistor Q1 entre em condução, isso supre corrente para o
transistor Q2 que entre em condução. A conexão da base e do coletor dos transistores Q1 e Q2
constituem um laço de realimentação positiva. Desde que o produto dos ganhos dos dois
transistores seja maior que um, 1, então, a corrente dos transistores irá aumentar
regenerativamente. Em condução, a corrente do anodo é limitada pelo circuito externo e ambos
os transistores operam saturados. Portadores minoritários são injetados nas quatro regiões, e
como resultado do efeito da modulação por condutividade leva a quedas diretas muito baixas.
Em condução o SCR pode ser modelado como uma fonte de tensão série com uma resistência
RON. Independentemente da corrente de gate, o SCR se mantém em condução. Ele não pode se
bloquear a menos que uma corrente negativa de anodo seja aplicada.
No caso de conversores comutados pela rede, o bloqueio do SCR é feito pela tensão de
entrada. Em conversores com comutação forçada um circuito de comutação externo força a
inversão de corrente no SCR.
A característica estática do SCR é mostrada abaixo.
Figura 3 – Curva da característica estática do SCR.

Durante a entrada em bloqueio ( turn-off ), a taxa na qual a tensão anodo para catodo é
reaplicada deve ser limitada para evitar que o SCR volte a entrar em condução. O tempo tq é o
tempo para que os portadores minoritários armazenados nas regiões p e n- sejam ativamente
removidos através de uma corrente de anodo negativa. Durante o bloqueio, a corrente negativa
remove ativamente os portadores minoritários, com uma comutação semelhante a de um diodo.
Assim, após do primeiro cruzamento por zero da corrente de anodo é necessário esperar um
tempo tq antes de reaplicar uma tensão positiva entre anodo e catodo. A figura abaixo ilustra a
variação da carga armazenada com a derivada da corrente.
Os SCRs usualmente apresentam uma área relativamente grande, sem uma inter-
digitação do gate e do catodo. Elementos parasitas surgem da grande área do SCR e levam a
algumas limitações. Durante a entrada em condução a taxa de crescimento da corrente de anodo
deve ser limitada em um valor seguro, caso contrário focos de corrente podem ocorrer que
levam a formação de pontos quentes, hot spots, os quais podem levar a queima do dispositivo. A
forma rudimentar na qual a estrutura do gate e do catodo são arranjados no SCR impede que
seja possível levar o SCR ao bloqueio através de uma corrente de gate negativa.
O GTO, Gate Turn-Off Thyristors, é um dispositivo moderno que pode ser desligado
pelo gate. O gate e do catodo são amplamente interdigitados, de forma que toda a junção gate-
catodo pode ser reversamente polarizada durante a transição de bloqueio.
O ganho de desligamento do GTO é a razão entre a corrente negativa de gate para catado
e a corrente necessária para levar o dispositivo ao bloqueio. Valores típicos de ganho são de 2 a
5. Isto significa que várias centenas de ampares de corrente de gate negativa são necessários
para bloquear um GTO de 1000 A.
Também é importante a máxima corrente controlável de condução. O GTO é capaz de

conduzir picos de corrente bastante significativos. Entretanto, só é possível levar ao estado de
bloqueio através do gate com valores de corrente de anodo inferiores a um valor limite
especificado pele fabricante.
Quanto à capacidade de bloqueio de tensão reversa os GTO podem ser classificados
como simétricos ou assimétricos. GTO assimétricos, A-GTO, possuem uma capacidade de
bloqueio reverso de tensão, vak<0, de apenas algumas dezenas de volts, e geralmente são
utilizados com um diodo em anti-paralelo, em um arranjo geralmente encontrado em
conversores alimentados em tensão. Por outro lado, GTO simétricos, S-GTO, possuem a
capacidade de bloqueio de tensões diretas e reversas da mesma ordem de grandeza e são
geralmente utilizados em conversores alimentados em corrente.
A figura abaixo mostra formas de onda típicas de um GTO.

Outro dispositivo moderno da família dos tiristores é o MCT, MOS Controlled Thyristor.
Este é um dispositivo recente, onde MOSFETs são integrados formando um SCR altamente
interdigitados, permitindo controlar a entrada em condução e o bloqueio. Da mesma forma que
o MOSFET e o IGBT, o MCT é um dispositivo de um único quadrante no plano vak x ia. No
MCT a entrada em condução e o bloqueio são controlados pela tensão entre gate e anodo, não
pela corrente entre gate e catodo como no SCR e GTO. A seção transversal de um MCT contém
MOSFET é mostrado na figura abaixo.
Figura 4 – Seção transversal para uma célula do MCT.
O circuito equivalente do MCT é mostrado abaixo.

Figura 5 – Circuito Equivalente de um MCT.
Na entrada em condução do MCT, a tensão gate para anodo é levada para um valor negativo.
Isto polariza diretamente o canal p do MOSFET Q3, polarizando diretamente a junção base-
emissor de Q1.
O transistor Q1 polariza diretamente o Q2 que se mantém em condução. Para levar o
MCT ao bloqueio, a tensão gate para anodo deve ser levada para um valor positivo. Isto polariza
diretamente o MOSFET de canal n, Q4, que por sua vez polariza reversamente a junção base-
emissor do BJT Q2 levando ao estado bloqueado. É importante que a resistência do MOSFET
seja pequena o suficiente de forma a influenciar a corrente de catodo. Isto estabelece a máxima
corrente controlável de condução, ou seja, a máxima corrente que pode ser bloqueada pelo gate.
Um MCT de tensão elevada apresenta tensão direta inferior e maior densidade de
corrente que o IGBT para mesma tensão e área de semicondutor. Entretanto, os tempos de
comutação são maiores. Como o GTO, o MCT pode conduzir correntes elevadas, mas a máxima
corrente que pode ser interrompida pelo gate é limitada. Para obter transições ao bloqueio
confiáveis, circuitos de proteção (snubbers) devem ser utilizados. O MCT ainda é um
dispositivo semicondutor emergente, sendo que gerações futuras de MCT poderão apresentar
características mais satisfatórias.
EXEMPLO DE CÁLCULO DE PERDAS
Projeto térmico é necessário para garantir o desempenho e a confiabilidade dos

conversores. Por exemplo a temperatura dos semicondutores devem ser mantidas dentro dos
limites especificados pelos fabricantes. Deve ser ressaltado que geralmente não é possível medir
diretamente a temperatura das junções. Então, é importante, a utilização de modelos térmicos
que possibilitem a estimativa da temperatura dos componentes nos diferentes pontos de
operação do conversor e também que possibilitem o dimensionamento dos elementos de
dissipação de calor.
Um cuidado especial deve ser tomado se a temperatura de operação oscilar. Este
fenómeno é conhecido por ciclos térmicos. Por exemplo os gradientes de temperatura podem
causar estresses mecânico adicional nas conexões de solda dentro de um módulo de
semicondutores, assim, o número de ciclos térmicos deve ser levado em consideração na
terminação da vida útil de um conversor. A figura abaixo ilustra a secção transversal de um
IGBT com diodo em anti-paralelo.
Fig. Secção transversal de um IGBT com diodo em anti-paralelo.

Com o objetivo de exemplificar o cálculo das perdas nos semicondutores de potência de

conversores vamos considerar um conversor CC-CC abaixador, buck, de 10kW operando em
CCM, mostrado abaixo:
Como o conversor opera em CCM, em regime permanente, temos a razão cíclica será:
E2 400
d= = =0,5
E1 800
e a corrente média de saída será:
T
1
iL =
AV
∫ i (t )dt= 10
T 0 L
kW
400V
=25 A
Vamos também definir a ondulação de corrente no indutor de 30%, ou seja:
Δ I =25 ∙ 0,3=7,5 A
e as corrente mínimas de máximas são:
7,5
I m=25− =21,25 A
2
7,5
I M =25+ =28,75 A
2
A figura baixo ilustra as corrente e a tensão no indutor.
1
Neste caso a frequência de operação é constante, ou seja f = , então como
T
di
v L =L
dt
ou ainda
ΔI
400=L
ΔT
7,5
400=L
d ∙T
L 200
=L ∙ f = =26,667
T 7,5
Para ilustrar o impacto da frequência de comutação no valor da indutância e nas perdas

de comutação vamos considerar duas frequências de operação, que são f =10 kHz e
f =2 kHz . Para estas frequências os valores para as indutâncias serão:
26,67
L= =2,67 mH
10 k
26,67
L= =13,33 mH
2k
Nota-se, então, que com o aumento da frequência, há uma diminuição no valor da

indutância, entretanto as perdas de comutação serão maiores como será demostrado abaixo. A
estimativa das perdas nos semicondutores de potência será dividida em duas parcelas, que são as
perdas de condução e as de comutação.
PERDAS DE CONDUÇÃO NO IGBT

O cálculo das perdas de condução no IGBT dá-se pela seguinte forma:
2
Pcond =r CO ∙ I C IGBT RMS
+V ¿ ∙ I C IGBT AV
onde r CO e V ¿ podem ser obtidos do catálogo do IGBT selecionado. Se interruptor for um

MOSFET, não há a necessidade do cálculo da corrente média, pois V ¿ =0 .
Para obter a corrente eficaz, rms, e média no IGBT vamos partir da forma de onda da
corrente no IGBT.
Pode-se observar que a corrente no IGBT é periódica, ou seja

i C (t)=i C ( t +T )
e esta pode ser expressa por
{
E 1−E 2
i C ( t ) = I m+ ∙ t , para 0<t <dT
L
0, para dT <t <T
Com a expressão da corrente podemos calcular o valor médio da mesma.

T
1
IC IGBT AV
= ∫ i ( t ) dt
T 0 C
I
2 dT
(¿ ¿ m∙ t|t=0 +
dT E 1−E 2 ∙ t
L 2 |
t =0
)=21,25 ∙0,5+
7,5 ∙0,5
2
=12,5 A
1
IC = ¿
IGBT AV
T
E também a corrente eficaz no IGBT
√
T
1 2
IC IGBT RMS
= ∫
T 0
i C ( t ) dt
dT
2 I ∆ I ∙t ∆ I 2 ∙ t 2
IC IGBT RMS
2 1
= ∫ I 2m + m
T 0 dT ( +
( dT )
2
dt
)
2
2 2 ∆I ∙d
IC =I ∙d + I m ∆ I ∙ d +
m
IGBT RMS
3
IC IGBT RMS
=17,74 A
Do catálogo do semicondutor selecionando obtemos os valores de V¿ e r CO . Vamos

considerar que o IGBT selecionado é o SKM100GAR123D, que possui os seguintes parâmetros
que caracterizam a sua queda direta, V ¿ =0,85 V e r CO =15 m Ω .
A partir dos dados calculados e do catálogo podemos estimar as perdas de condução no IGBT.
2
Pcond=15 m ∙17,74 + 0,85∙ 12,5=15,34 W .
De forma semelhante a perda de condução no diodo pode ser estimada por

2
Pcond =I DIODO RMS
∙ r F + I DIDO ∙V FO
AV
Neste caso onde d=0,5 as correntes média e eficaz no diodo são idênticas as do IGBT, ou
seja, I DIODO =12,5 A ;
AV
I DIODO =17,74 A .
RMS
Do catálogo do fabricante temos que
V FO =1,2V e r F=11m Ω , então as perdas de condução no diodo são:
2
Pcond =I DIODO RMS
∙ r F + I DIDO ∙V FO
AV
Pcond =17,74 2 ∙ 11 m+12,5∙ 1,2=18,46 W
PERDAS DE COMUTAÇÃO
Neste caso a razão cíclica é constante e as correntes nas comutações de entrada em

condução e bloqueio são também constantes, então, as perdas de comutação no IGBT podem ser
expressas como:
Pcomut =f ∙ ( E on + Eoff ) .
Os valores das energias associadas as comutações podem ser obtidas experimentalmente

ou dos catálogo do fabricante do IGBT. Abaixo segue um ábaco da energia dissipada nas
comutações em função da corrente para IGBT em questão ( IBGT SKM100GAR123D )
A partir do gráfico acima é possível encontrar Eon para I m=21,25 A com sendo
aproximadamente 6mJ para 600V, e o Eoff com I M =28,75 A é aproximadamente 6 mJ.
Então, assumindo que as energias dissipadas nas comutações aumentam linearmente com a
tensão do barramento CC, tem-se
6 ∙800
Eon|I ≈ =8 mJ
m
=21,25
600
6 ∙800
Eoff |I ≈ =8 mJ
m
=28,75
600
Então para as frequências de 10kHz e 2kHz, as perdas de comutação no IGBT são

respectivamente:
Pcomut =10 kHz ∙ ( 8 mJ + 8 mJ )=160 W
Pcomut =2 kHz ∙ ( 8 mJ +8 mJ )=32W .

Para as perdas de comutação no diodo, devemos considerar a energia dissipada no diodo

devido a sua recuperação, ou seja Err =6 mJ . Assim para frequências de 10kHz e 2kHz,
temos:
{
Pcomut =f ∙ E rr = 10 kHz .6 mJ=60 W
2 kHz ∙ 6 mJ=12 W
Podemos então calcular as perdas totais no IGBT e no diodo para frequências de 10kHz
e 2kHz, isto é
PTOTAL=Pcond + P comut
PTOTAL = IGBT
{
f =10 kHz , P TOTAL=160+15,34=175,34 W
f =2 kHz , PTOTAL=32+15,34=47,34 W
PTOTAL DIODO
{
= f =10 kHz , PTOTAL=60+18,46=78,46 W
f =2 kHz , PTOTAL=12+18,46=30,46 W
CIRCUITO TÉRMICO EQUIVALENTE
Utilizando as potências dissipadas no IGBT e no diodo podemos estimar a temperatura

de junção utilizando as resistências térmicas entre as junções e a carcaça do módulo em questão
obtidas do catálogo do fabricante. Para tanto, pode-se usar um circuito equivalente elétrico-
térmico mostrado abaixo.
47,34 oC
175,34 W
78,46W 37,66 oC
Figura: Equivalente elétrico-térmico. Frequência de operação de 10 kHz.
Neste circuito equivalente elétrico-térmico temos que:
(i) A potência dissipada nos semicondutores é representada por uma fonte

de corrente;
(ii) As temperaturas nas junções e no encapsulamento (case)

correspondem às tensões dos nós em relação ao terra.
(iii) A temperatura ambiente é representada como uma fonte de tensão

constante.
Através da análise do circuito equivalente elétrico-térmico podemos calcular a

resistência térmica do dissipador para garantir que as temperaturas das junções do IGBT e do
diodo não ultrapassem os limites definidos pelo fabricante.
Seja a temperatura da junção do IGBT de T IGBT =120℃ , então, a temperatura no
case será T CASE =120−47,34=72,66 ℃ . Por outro lado a temperatura da junção do diodo
será 72,66+37,66=110,32oC. Para uma temperatura ambiente máxima de 40 oC a resistência
térmica entre case e o ambiente, que está diretamente associada a resistência térmica do
dissipador e da pasta térmica utilizada deverá ser:
72,66 ℃−40 ℃
RCA ≤ ≤ 0,13 ℃/W
73,46 W + 175,34 W
Assim pode-se selecionar um dissipador com resistência térmica que satisfaça a

desigualdade acima. Por exemplo, o dissipador FNT-020 da marca Fenite possui resistência
térmica como mostrado na figura abaixo.
Figura: Perfil e Resistencia Térmica do Dissipador FNT-020 da Fenite.

http://www.fenitedissipadores.com.br/home0.asp
Para uma ventilação forçada de 6m/s, a resistência térmica por comprimento do perfil
FNT-020 é de aproximadamente 0.26 oC/W/4’’. Assim um dissipador FNT-020 de 21 cm e
ventilação forçada de 6 m/s manterá as temperaturas de junções próxima dos limites definidos.
Vamos agora fazer o cálculo térmico para a frequência de operação de 2kHz. Seja a
temperatura do diodo T IGBT =90 ℃ , logo a temperatura no case será
T CASE =90−0,27.47,3=77,29 ℃ . Por outro lado, a temperatura na junção do diodo será
77,29+0,48.30,46=91,85oC. Para uma temperatura de ambiente máxima de 40 oC a resistência
térmica entre case e o ambiente, que está diretamente associada a resistência térmica do
dissipador deverá ser:
77,29 ℃−40 ℃
RCA ≤ ≤ 0,479 ℃/W
47,3 W +30,46 W
Figura: Equivalente elétrico-térmico. Frequência de operação de 2 kHz.
Vamos novamente considerar a resistência térmica por comprimento de 0,26 oC/W/4’’.

Assim um dissipador FNT-020 de apenas 5 cm com ventilação forçada de 6 m/s manterá as
temperaturas de junções próxima dos limites definidos. Note, entretanto, que o valor da
indutância é maior, o que levará um aumento do custo e volume do indutor.
Oscilações Térmicas
A confiabilidade pode ser definida como a capacidade de um dispositivo ou sistema

executar uma dada função sob condições estabelecidas para um determinado período de tempo,
o que é frequentemente medido pela probabilidade de falha, pela frequência de falha, ou em
termos de disponibilidade. Ou seja a confiabilidade é a probabilidade de que um componente
executar satisfatoriamente sua função sob dadas condições de funcionamento. O tempo médio
de operação satisfatória de um sistema é definido como tempo médio entre falhas (MTBF) e um
valor mais elevado de MTBF refere-se a um sistema de maior confiabilidade.
Como exemplo a figura acima mostra a contribuição dos subsistemas para a falhas de
turbinas eólica. Pode-se notar que os conversores estáticos contribuem com uma parcela
significativa neste levantamento realizado pelo NREL. Como resultado, visando reduzir os
custos de operação e manutenção, os projetistas devem buscar alcançar um MTBF dos
dispositivos e módulos de eletrônicos de potência que atendam as expectativas do projeto em
questão. O tempo de vida de um semicondutor de potência é calculado considerando-se a

temperatura da junção. Quando a temperatura de junção oscila a fadiga dos materiais devem ser
levadas em consideração uma vez que coeficientes de expansão dos diferentes materiais que
constituem os módulos de eletrônica de potência são diferentes, veja a tabela baixo:
Tabela: Coeficiente de Expansão de Diferente Materiais encontrados em módulos de

potência
Material Coeficiente de Expansão (10-6/K)
Silício 4.1
Cobre 17
Alumínio 24
Molybdenum 5
Solda 15-30
Cerâmica 5-9
Oscilações de temperatura da carcaça do módulo ou semicondutor discreto são

denominadas de Ciclos Térmicos. Geralmente existe uma área de solda grande entre a cerâmica
isoladora e a carcaça o que resulta em uma baixa resistência térmica. Os coeficientes de
expansão do cobre e da solda são próximos entretanto o coeficiente de expansão da cerâmica
difere de um fator de dois ou mais. Assim, é de esperar um esforço mecânico entre e cerâmica e
junção de solta que pode levar a um envelhecimento acelerado. Ainda este envelhecimento pode
elevar há um aumento da resistência térmica que por consequência leva uma aumento das
oscilações de temperatura que pode levar o dispositivo à falha.
Por outro lado as oscilações de temperatura dos chips de silício são denominadas de
Ciclos de Potência. Os coeficientes de expansão dos fios conexões de alumínio e o
semicondutor de potência diferem de um fator 6. Como resultado, quando a temperatura oscilar
existirá um esforço mecânico na soda que conecta dos fios de conexão de alumínio e do chip
semicondutor. Isto pode levar a desconexão de alguns dos fios o que aumentará da queda direta
e como consequência o aumento das perdas.
Com o objetivo de possibilitar uma estimativa da vida dos módulos de eletrônica de
potência ou semicondutores discretos, fabricantes realizam testes de confiabilidade acelerados e
fornecem gráficos que mostram, por exemplo, o número de ciclos para a falha em função da
amplitude das oscilações de temperatura como o mostrado baixo. Desta forma, utilizando um
perfil da missão associado à aplicação em questão pode-se obter os ciclos de potência e então
uma estimativa da vida útil de um determinado dispositivo semicondutor de potência [4,5] .O
modelo de falha de Coffin-Manson juntamente método de contagem de ciclos Rain_Flow
Algoritm podem ser usados para estimar a vida útil dada um perfil de missão.
Fig. Número de ciclos para a falha em função da amplitude de variação de temperatura.
[1] H. Wang, M. Liserre, F. Blaabjerg, P. de Place Rimmen, J. B. Jacobsen, T.

Kvisgaard, and J. Landkildehus, “Transitioning to physics-of-failure as a
reliability driver in power electronics,” IEEE J. Emerg. Sel. Topics Power
Electron., vol. 2, no. 1, pp. 97–114, Mar. 2014.
[2] H. Wang, M. Liserre, and F. Blaabjerg, “Toward reliable power electronics:
Challenges, design tools, and opportunities,” IEEE Ind. Electron. Mag.,
vol. 7, no. 2, pp. 17–26, Jun. 2013.
[3] R. Burgos, C. Gang, F. Wang, D. Boroyevich, W. G. Odendaal, and J. D.
V. Wyk, “Reliability-oriented design of three-phase power converters for
aircraft applications,” IEEE Trans. Aerosp. Electron. Syst., vol. 48, no. 2,
pp. 1249–1263, Apr. 2012.
[4] U. Scheuermann and R. Schmidt, “A new lifetime model for advanced power
modules with sintered chips and optimized Al wire bonds,” in Proc. PCIM Eur., May
2013, pp. 810–817.
[5] K. Ma, M. Liserre, F. Blaabjerg, and T. Kerekes, “Thermal loading and lifetime
estimation for power device considering mission profiles in wind power converter,”
IEEE Trans. Power Electron., vol. 30, no. 2, pp. 590–602, Feb. 2015.
Magnéticos
Os elementos magnéticos são uma parte integrante de todos os conversores estáticos.

Frequentemente, o projeto de dispositivos magnéticos não pode ser feito de uma forma isolada.
O engenheiro de Eletrônica de Potência deve não apenas projetar o conversor, mas também
projetar os elementos magnéticos e conhecer as questões práticas a eles relacionadas.
Neste capítulo serão apresentados subsídios para contextualizar e auxiliar no projeto
desses elementos magnéticos, indutores e transformadores para alta frequência encontrados em
conversores estáticos. Inicialmente, alguns conceitos básicos do eletromagnetismo são revistos,
incluindo as principais leis empregadas na metodologia de projeto, circuitos magnéticos,
circuito equivalente de indutores e transformadores, e finalmente, materiais magnéticos com
foco na Eletrônica de Potência. Em seguida, os mecanismos de perdas em dispositivos
magnéticos são descritos e formulados. Uma vez estabelecido os conhecimentos básicos,
metodologias de projeto de elementos magnéticos (indutor e transformador) pelo produto das
áreas AeAw é apresentada.
Conceitos Básicos
Algumas das principais grandezas elétricas e magnéticas com suas respectivas unidades
são apresentadas na tabela abaixo. Estas grandezas vetoriais ou escalares serão utilizadas ao
longo deste capítulo e são fundamentais para a compreensão dos fenômenos e para o projeto dos
magnéticos. Quanto as grandezas estas serão expressas segundo o Sistema Internacional de
unidades - SI. Quando uma grandeza for expressa no sistema CGS, a unidade correspondente
será mencionada no texto.
Tabela 4.1 - Grandezas

Grandezas Elétricas e Magnéticas
I Corrente Elétrica A
V Potencial V
J Densidade de Corrente A/m²
H Intensidade de Campo Magnético A/m
B Densidade de Fluxo Magnético T ou Wb/m²
µ Permeabilidade Absoluta H/m
Â Relutância A/Wb
Á Força Magnetomotriz A
De forma geral, as relações entre grandezas escalares e vetoriais no eletromagnético

sejam estas variantes ou invariantes no tempo, podem ser descritas pelas equações de Maxwell e
suas equações auxiliares. Estas equações expressam as leis fundamentais do eletromagnetismo,
lei de Gauss para o magnetismo, lei de Faraday e lei de Ampère, na forma diferencial
(“microscópica” ou pontual) ou integral (“macroscópica”). Com base nessas equações é possível
determinar e estabelecer algumas relações básicas tais como: a força magnetomotriz, densidade
fluxo magnético.
A força magnetomotriz Á é uma grandeza escalar que é proporcional a integral do campo
magnético entre dois pontos, ou seja,
b
�= �
H�dL ,
234Equation Section 4 a
onde dL é um vetor infinitesimal na direção do caminho l.

O produto escalar indica que a componente do campo ao longo do caminho é a que
contribui para a força magnetomotriz. Se o campo magnético for uniforme ao longo do
caminho, tem-se,
�= H l
,
onde H é a intensidade do vetor H e l é o comprimento do caminho em questão.
Por outro lado o fluxo magnético  passando pela superfície S com área A é obtido por:
= � B �dA ,
superfície S
onde dA é um vetor com direção normal a superfície. Para uma densidade de fluxo magnético
uniforme têm-se:
 = B Ac .
onde B é a intensidade do vetor densidade de fluxo magnético B.
Lei de Faraday
A lei de Faraday relaciona a tensão induzida (força eletromotriz) em uma espira com a
variação de fluxo passando no interior dessa espira, isto é,
d
v( t) = .
dt
Para uma bobina com N espiras,
d
v( t) = N .
dt
Figura 4.1 – Representação da lei de Faraday.
Para uma densidade de fluxo magnético uniforme sobre a espira, tem-se:

dB
v ( t ) = Ac .
dt
Assim a tensão induzida v(t) em uma espira está relacionada com a variação temporal da
densidade de fluxo magnético no interior da espira. A Figura 4.1 mostra a polaridade da tensão
induzida nos terminais de uma espira quando esta é submetida a um fluxo magnético (t).
Lei de Lenz
A tensão induzida pela variação de fluxo (t) possui uma polaridade que tende a gerar
uma corrente elétrica que produzirá um fluxo magnético ’(t) que se opõem a variação do fluxo
(t). A Figura 4.2 mostra uma espira em curto submetida a uma variação de fluxo magnético
(t).
Lei de Ampère
A Lei de Ampère afirma que a integral de linha de um campo magnético em qualquer

caminho fechado é exatamente igual à corrente elétrica envolvida pelo caminho. Assim,
∮ H⋅dL=I
Esta lei relaciona a corrente em um enrolamento com a força magnetomotriz e o campo
magnético H. A força magnetomotriz em um caminho fechado é igual à corrente que passa no
interior desse caminho. Seja como exemplo o núcleo magnético de caminho magnético fechado
lm e com uma espira conduzindo uma corrente i(t) através do centro da janela, como ilustrado
na Figura 4.3.
Figura 4.2 – Ilustração da lei de Lenz.

Figura 4.3 – Representação da lei de Ampère.
Se o campo for uniforme então,

�(t ) = H (t ) lm = i(t ) .
Materiais Magnéticos
Alguns materiais apresentam a capacidade de possuir ou adquirir um momento

magnético não nulo. Especificamente, o momento dipolo magnético quantifica a contribuição
do magnetismo interno do material ao campo magnético externo produzido pelo sistema. Este
momento magnético está relacionado diretamente com a natureza física do material, ou seja, a
combinação de vários momentos a nível atômico (núcleo e elétrons) determina as características
magnéticas do material e possibilita uma classificação.
Os materiais podem ser classificados quanto ao (i) alinhamento magnético ou quanto à
(ii) permeabilidade e susceptibilidade magnética.
Alinhamento magnético:
- Materiais magnéticos moles (soft): são materiais com baixo magnetismo remanente e
possuem a curva de magnetização estreita (aço silício, ferrites);
- Materiais magnéticos duros (hard): possuem um alto magnetismo remanente e a curva
de magnetização larga (imãs).
Permeabilidade e susceptibilidade: A susceptibilidade magnética indica a capacidade de um

material em magnetizar-se sob a ação campo magnético, ou seja, indica o comportamento do
material com a ação de campo magnético externo.
B=B0 +B M =μ 0 H (1+ χ m )=μ0 μr H

A densidade de fluxo magnético B e a intensidade de campo magnético H são relacionadas por:
B=μH=μ 0 μ r H
sendo  a permeabilidade magnética absoluta, r a permeabilidade relativa do meio em questão.
Para o espaço livre a permeabilidade  = 0 é 4x10-7 em H/m.
Os matérias podem ser classificados quantos seu comportamento magnético como:
- Diamagnético onde a permeabilidade relativa µr < 1 (água, madeira, gases inertes, cobre,
ouro, silício,);
- Paramagnético onde a permeabilidade relativa µr > 1 (platina, alumínio, oxigênio,
sódio);
- Ferromagnético onde a permeabilidade relativa µr >> 1 (ferro, cobalto, níquel, ligas);
- Ferrimagnético onde a permeabilidade relativa µr >> 1 (ferrites);
- Antiferromagnético onde a permeabilidade relativa µr = µ0 (cromo, magnésio);
- Superparamagnético onde a permeabilidade relativa µr > 1 (fitas de gravação).
A Figura 4.4 ilustra a curva BxH ou curva de magnetização típica de uma liga de aço-silício
quando sujeita a uma excitação senoidal em regime permanente.
Figura 4.4 – Curvas de magnetização.
A curva de magnetização dos materiais magnéticos é não-linear, pois exibe histerese,

saturação e varia com a temperatura.
O fato do momento magnético de um material ser diferente após a remoção do campo
magnético ou o estado magnético do material ser função da sua história magnética, é chamado
de histerese.
Para o propósito do projeto de indutores e transformadores usados em eletrônica de
potencia a curva de magnetização do material pode ser modelada como sendo uma curva linear
por partes com o objetivo de simplificação, como mostrado na figura abaixo. Desta forma, a
relação entre a densidade de fluxo magnético e a intensidade campo magnético pode ser
expressa por:
�Bsat H > Bsat 
�
B = � H - Bsat  < H < Bsat  .
�B H < - Bsat 
� sat
Figura 4.5 – Aproximação da curva de magnetização.

A permeabilidade magnética absoluta de um material magnético, , pode ser expressa

pelo produto da permeabilidade relativa com a permeabilidade do espaço livre (=ro).
Materiais com laço quadrado exibem um tipo de característica de saturação abrupta. Por
outro lado, materiais “soft” exibem uma característica de saturação menos abrupta, onde  reduz
gradualmente com o aumento do campo magnético.
Os elementos magnéticos devem ser projetados levando em consideração a frequência de
operação, uma vez que os conversores estáticos operam com comutação em alta frequência.
Além disso, a relação direta entre frequência de excitação e perdas, bem como requisitos como
custo, desempenho, tamanho e formato são fatores importantes para o projeto de um elemento
magnético.
O projetista de indutores ou transformadores tem ao seu dispor uma ampla gama de
materiais, tais como:
- Aço silício;
- Ligas de Ferro - Permalloy, Supermalloy (Ni-Fe-Mo), High Flux (Ni-Fe);
- Materiais Amorfos (Fe-Si-Co, Fe-Cu-Si);
- Pó de Ferro
- Ferrites (Ni-Zn, Mn-Zn).
Tabela 4.2 – Característica de Materiais Magnéticos
Material Bsat [T] µr

Aço silício 1–2 700 - 23K
Permalloy, Supermalloy 0.65 – 0.82 10K - 100K
Materiais Amorfos 0.5 – 1.6 0.8K - 2K
Powder Cores 0.5 – 1.5 14 – 550
Ferrites 0.25 – 0.5 750 - 15K
OBS: Os valores podem variar entre os fabricantes.
A tabela acima mostra um comparativo entre os níveis de saturação e de permeabilidade

relativa entre alguns materiais utilizados na fabricação de núcleos.
Aço Silício
Aço silício é o material mais utilizando em núcleos de transformadores e máquinas

elétricas, pois além de robustez mecânica, esta liga agrega uma resistividade relativamente
elétrica alta devido à adição de silício. Esse material é geralmente usado em baixas frequências
(< 2000 Hz). Aço silício é geralmente usado em lâminas isoladas entre si para reduzir as perdas
por correntes induzidas. Estas lâminas podem ser encontradas com a liga orientada ou não
orientada. A principal diferença é a permeabilidade magnética relativa do material que é maior
na liga orientada do que a liga não orientada . A figura abaixo mostra algumas lâminas do tipo
E-I usadas para a fabricação de transformadores.
Figura 4.6 – Lâminas de Aço-Silício. (Fonte: www.tessin.com.br)
Materiais Amorfos
Os materiais amorfos são constituídos pela combinação entre os elementos: Fe, Si, Co,
Cu. O ferro é geralmente o material predominante. Material amorfo é a designação dada à
materiais que não possuem ordenação espacial a longa distância (em termos atómicos), como os
sólidos regulares. É geralmente aceito como o oposto de estrutura cristalina. Logo, estes
materiais não podem ser considerados sólidos. Estes podem ser rígidos, no entanto, não
possuem estrutura de uma substância sólida. Geralmente, materiais amorfos apresentam uma
alta resistividade com altos níveis de saturação, o que justifica o seu uso em aplicações de
alta frequência com núcleos reduzidos. No entanto, materiais amorfos têm um custo elevado
devido ao seu processo de fabricação. Metais amorfos são produzidos utilizando uma tecnologia
de solidificação rápida, onde o metal fundido é vazado em tiras finas sólidas por arrefecimento a
uma taxa elevada de temperatura tipicamente da ordem de um milhão ° C / segundo.
Figura 4.7 – Núcleo de material amorfo.
Núcleos de Pó (Powder Cores)
Núcleos de pó (Powder cores) ou popularmente conhecidos e generalizados como Iron

Powder Cores (núcleos de pó de ferro), são núcleos com boa relação custo e benefício e são
muito usados na Eletrônica de Potência.
A fabricação dos núcleos baseia-se na compactação de pó de ferro com materiais
cerâmicos e/ou cola sob alta pressão. Desta forma, a estrutura resultante possui entreferros
distribuídos, o que aumenta a resistividade elétrica e reduz a permeabilidade magnética
relativa. Sendo bastante usados em aplicações de alta frequência.
O entreferro distribuído é uma das principais vantagens deste material, pois um
entreferro concentrado pode apresenta o efeito de espraiamento do fluxo, o que aumenta as
perdas no cobre e no núcleo bem como a EMI. Além disso, núcleos de pó apresentam uma
variação suave da permeabilidade magnética com relação ao campo magnético, ao contrário dos
núcleos com entreferro concentrado.
Figura 4.8 – Núcleo de Iron Powder. (Fonte: www.magmattec.com.br e

www.micrometals.com/appnotes_index.html )
Ferrites
Ferrites são materiais cerâmicos compostos por óxidos de ferro misturados com outros
materiais (níquel, zinco, magnésio). Devido a sua estrutura atômica, estes materiais possuem
uma alta resistividade e permeabilidade. Contudo, operam com baixos níveis de saturação
aumentando o tamanho do núcleo necessário quando comparados com os núcleos de pó de
ferro. Apesar disso, são materiais de baixo custo e de amplo uso para altas frequências
(>10kHz).
Figura 4.9 – Núcleo de ferrite. (Fonte: www.thornton.com.br)
Comparação entre Powder Cores e Ferrite

As figuras mostradas abaixo descrevem uma comparação entre os núcleos de pó de ferro

e de ferrite do ponto de vista de um fabricante Magnetics (www.mag-inc.com).
Figura 4.10 – Utilização de materiais magnéticos em função da frequência. (Fonte: www.mag-inc.com)
Os materiais MPP (Molypermalloy Powder), Kool M® (mesma composição do Sendust

[1]), High Flux, XFlux, Iron Powder são núcleos de pó compactados.
A Figura 4.10 mostra as típicas frequências de operação para os diversos materiais.
Os níveis de saturação típicos dos materiais são mostrados na Figura 4.11. Nota-se que o
ferrite é o material com o menor nível de saturação. Os demais materiais variam entre 750 mT e
1.6T.
[1] Sendust é um pó de metal magnético, que foi inventado por Hakaru Masumoto na Universidade Imperial de Tohoku, em Sendai,
no Japão, em 1936, como uma alternativa para o permalloy em aplicações indutor para redes de telefonia. Composição tipicamente Sendust é o
85% de ferro, 9% de alumínio, e 6%, de silício. O pó é sinterizado para formar núcleos para fabricar indutores. Os núcleos Sendust
têm uma permeabilidade magnética elevada (até 140 000), de baixa perda, baixa coercividade (5 A / m), a estabilidade de
temperatura e de boa densidade de fluxo de saturação até 1 T. A sinterização é um processo no qual pós com preparação cristalina ou não, uma
vez compactados, recebem tratamento térmico, no qual a temperatura de processamento é sempre menor que a sua temperatura de fusão. Este
processo cria uma alteração na estrutura microscópica do elemento base. Isto ocorre devido a um ou mais métodos chamados "mecanismos de
transporte": estes podem ser consecutivos ou concorrentes.
Figura 4.11 – Níveis de saturação magnética. (Fonte: www.mag-inc.com)
A variação da permeabilidade com relação a uma corrente CC é apresentada na Figura

4.12. Para um indutor esta alteração é indesejada uma vez isso provoca a variação da indutância.
O ferrite apresenta uma variação significativa da permeabilidade. Para contornar o problema, é
usado um entreferro como forma de evitar a dependência da indutância com a permeabilidade
do núcleo.
Figura 4.12 – Variação da permeabilidade magnética com relação a uma corrente CC. (Fonte: www.mag-inc.com)
Figura 4.13 – Redução abrupta da permeabilidade magnética de um núcleo de ferrite com entreferro.
(Fonte: www.mag-inc.com)
O uso do entreferro reduz significativamente a dependência de um elemento magnético
com a permeabilidade do núcleo, como mostra a Figura 4.13. Contudo, nota-se uma queda
abrupta da permeabilidade em uma região com pequena variação da intensidade de campo
magnético (de corrente). Esta característica é indesejável, pois pode comprometer a operação do
sistema que contém este elemento, por exemplo, um conversor estático durante regimes
transitórios.
Figura 4.14 – Perdas no núcleo. (Fonte: www.mag-inc.com)

O custo relativo de cada material é mostrado na Figura 4.15. Observa-se que o núcleo de
pó de ferro “puro” apresenta o menor custo, seguido pelo ferrite. O material com o melhor custo
versus beneficio versus perdas é o Kool Mµ. Salienta-se que os dados comparativos são da
Magnetics. O quadro completo comparativo entre os núcleos de pó comercializados pela
Magnetics é apresentado na Figura 4.16.
Figura 4.15 – Custo relativo. (Fonte: www.mag-inc.com)
Figura 4.16 – Quadro comparativo. (Fonte: www.mag-inc.com)

(b)
Figura 4.16. Comparação de matérias magnéticos. Microlite é um material amorfo. Fonte: www.hilltech.com
Circuitos Magnéticos
Para a solução de circuito com elementos magnéticos mais complexos é útil obter um
circuito magnético a parâmetros concentrados, pois este circuito equivalente pode ser
solucionado por analogia com circuitos elétricos. Vamos considerar o elemento magnético
mostrado abaixo:
Figura 4.17 – Circuito magnético.
A força magnetomotriz deste elemento magnético de permeabilidade magnética absoluta

 e área de seção transversal Ac, pode ser determinada por:
�= H l .
Substituindo a relação entre densidade de fluxo magnético e intensidade de campo
magnético na equação acima, a força magnetomotriz pode ser expressa por:
B
�= l.

Considerando a relação entre densidade de fluxo magnético e o fluxo magnético, a força
magnetomotriz pode ser expressa como uma função do fluxo magnético,
 l
�= l= .
Ac  Ac 
Analisando a equação acima é possível definir a grandeza escalar Relutância Â, como
mostrada na figura acima. Portanto, a equação resultante é expressa por,
�= �  .
A equação anterior é análoga a lei de Ohm e estabelece que o fluxo magnético através de
um elemento é proporcional a força magnetomotriz. A constante de proporcionalidade é a
relutância e a simbologia usual está ilustrada na figura abaixo.
Figura 4.18 – Simbologia da relutância.
Tabela 4.3 – Analogia entre circuitos magnéticos e elétricos.

Circuito Magnético Circuito Elétrico
Á - FMM E - FEM
Â - Relutância R - Resistência
 - Fluxo Magnético I - Corrente Elétrica
Estruturas magnéticas complexas contendo entreferro podem ser representas por

circuitos magnéticos equivalentes. Esses circuitos magnéticos podem ser solucionados de forma
análoga aos circuitos elétricos. A analogia entre as grandezas é mostrada na Tabela 4.3. A Lei de
Kirchoff das correntes pode ser aplicada uma vez que das Leis de Maxwell tem-se que o
divergente da densidade de fluxo magnético é zero, ou seja, não existe fonte ou sorvedouro de
campo magnético. Assim os somatórios dos fluxos entrando e saindo de um nó em um circuito

magnético é nulo, como ilustrado na Figura 4.19.
Figura 4.19 – Circuito magnético com somatório de fluxos.

Por outro lado, análogo a Lei de Kirchoff das tensões em um circuito elétrico é a Lei de
Ampère em um circuito magnético.
∮ H⋅dL=Corrrete que passa através do caminho

O lado esquerdo da equação representa as quedas de FMM sobre as relutâncias e o lado
direito as fontes de FMM, sendo que o somatório é nulo em um caminho fechado.
Exemplo 1 - Vamos considerar um indutor com um entreferro conforme mostrado abaixo:

Circuito Magnético Circuito Elétrico
Á - FMM E - FEM
Â - Relutância R - Resistência
 - Fluxo Magnético I - Corrente Elétrica
Figura 4.20 – Indutor com entreferro e seu circuito magnético equivalente.
Considerando o circuito equivalente do indutor com entreferro mostrado na figura acima.

A força magnetomotriz ni pode ser determinada por (lei de Kirchoff das tensões),
ni = (�c + �g ).
A tensão induzida nos terminais do indutor pode ser determinada pela lei de Faraday, ou
seja:
d  (t )
v(t ) = n ,
dt
ou,
n2 di(t )
v (t ) = ,
(�c + �g ) dt
Definindo a indutância como,

2
n
L=
( ℜc +ℜg )
a tensão nos terminais da indutância é determinada por,

di (t )
v (t ) = L .
dt
O entreferro é utilizado em indutores pelas seguintes razões:

(i) Sem o entreferro a indutância é proporcional a permeabilidade do material magnético
do núcleo que depende da temperatura e do ponto de operação, ou seja da corrente;
(ii) Como a relutância do entreferro geralmente é maior que a do núcleo, é possível obter
valores de indutância que são pouco dependentes da permeabilidade do núcleo, mas são
dependentes da permeabilidade do ar que pode ser considerada constante;
(iii) Ainda, com a introdução do entreferro a corrente de saturação é bem superior, como
pode ser observado na figura abaixo.
Figura 4.21 – Efeito do uso do entreferro na saturação do indutor.
Logo, a corrente de saturação com o entreferro será:

Bsat Ac
I sat = (�c + �q ).
n
Portanto, a corrente de saturação é maior com o entreferro, mas o valor da indutância é menor.
Exemplo 2 - Vamos considerar o caso de um transformador com dois enrolamentos como o

mostrado na figura abaixo, onde também é apresentado o seu circuito magnético equivalente.
Figura 4.22 – Transformador e o seu circuito magnético equivalente.
Considerando que o núcleo possui uma seção transversal Ac, um comprimento

magnético médio lm e uma permeabilidade , então a relutância do núcleo pode ser determinada
por:
lm
�c = .
 Ac
Assim, da lei de Ampère temos:
�c = n1i1 + n2i2
�c  = n1i1 + n2i2 .
E em um transformador ideal a relutância é zero então,
0 = n1i1 + n2i2 .
A tensão induzida nos enrolamentos pode ser obtida pela Lei de Faraday, ou seja,
d
v1 = n1 ,
dt
d
v2 = n2 ,
dt
como neste caso o fluxo é o mesmo nos dois enrolamentos temos:
v1 v2
= .
n1 n2
Figura 4.23 – Transformador ideal.
Para um transformador real a relutância do núcleo é diferente de zero, então a tensão induzida
no enrolamento primário pode ser relacionada com corrente pela seguinte forma:
n2
2
d (i1 + i2 )
n n1
v1 = 1
.
� dt
Definindo a indutância de magnetização,
n 21
LM =
ℜ ,
e a corrente de magnetização,
n1
i M =i1 + i2
n2
tem-se,
diM
v1 = LM .
dt
Figura 4.24 – Transformador considerando a relutância do núcleo.
No circuito mostrado na Figura 4.24 a indutância de magnetização está referida para o

primário, ou seja, no lado do enrolamento n1. A indutância de magnetização modela a
magnetização do núcleo, e essa exibe tanto histerese quanto saturação. Note que a presença da
indutância de magnetização faz com que a relação entre a corrente primária e secundária seja
diferente da relação de espiras. O transformador satura quando a densidade de fluxo magnético
é maior do que o nível de saturação, e na região de saturação a corrente de magnetização
aumenta significativamente. É importante salientar que a saturação de um transformador é uma
função do produto tensão-tempo, ou seja,
1
LM �
iM = v1dt ,
ou em termos de densidade de fluxo magnético, a partir da lei de Faraday,

1
n1 Ac �
B(t ) = v1 (t )dt.
Assim aumentado o número de espiras ou a seção transversal do núcleo pode-se reduzir a

densidade de fluxo e evitar a saturação do transformador.
Na prática nem todo do fluxo que cruza, que se concatena com o enrolamento n1 cruza o
enrolamento n2, parte do fluxo é disperso no ar ou em parte do núcleo. Esse fluxo disperso pode
ser representado por uma indutância em série com os enrolamentos como ilustrado na Figura
4.25, onde o circuito equivalente também é apresentado.
Note que a indutância de dispersão faz com que a relação entre a tensão v1 e v2 seja
diferente do número de espiras. A equação do transformador é frequentemente escrita na
seguinte forma,
�di1 �
v1 � �
� L L12 ��dt �
� �= �11 � �,
v2 � �
� L12 L22 �
��di2 �
�
�dt ��
onde L12 é chamada de indutância mútua e é dada por,

n1n2 n2
L12 = = LM ,
� n1
e as quantidades L11 e L22 são conhecidas como auto-indutâncias, ou indutâncias próprias:

L11 = Ll1 + LM
2
�n �
L22 = Ll 2 + � 2 �LM .
�n1 �
Figura 4.25 – Transformador com as indutâncias de dispersão.
Observe que,
�di1 �
v1 � �
� L L12 ��dt �
� �= �11 � � ,
v2 � �
� L12 L22 �
��di2 �
�
�dt ��
não apresenta a relação de espira de uma forma explicita mas expressa uma função de grandezas
elétricas. Essa equação pode ser usada para obter a relação de espiras efetiva, determinada por:
L22
ne = ,
L11
e o coeficiente de acoplamento
L12
k= .
L11 L22
O coeficiente de acoplamento possui um valor de 0<k<1 e corresponde a uma medida do

grau de acoplamento entre o enrolamento primário e secundário. Em um transformador ideal
k=1. Ainda, a construção de transformadores de baixa tensão com coeficiente de acoplamento
próximo de um, por exemplo, k=0.99 é usual. Com coeficiente de acoplamento k próximo de
um a relação de espira efetiva é converge para a n1/n2.
Perdas em Dispositivos Magnéticos
Perdas no Ferro
Energia é necessária para efetuar uma mudança na magnetização de um núcleo

magnético. Nem toda a energia é removida na forma elétrica, uma fração é “perdida” na forma
de calor. Essas perdas magnéticas são observadas através da histerese presente na curva B-H.
Considere um indutor submetido a uma tensão v(t), com uma corrente i(t) tendo uma
frequência de excitação f. A energia líquida no indutor sobre um ciclo é:
W= �v ( t ) i ( t ) dt.
one ciclo
Vamos agora expressar essa energia em função da característica B-H. Substituindo B(t) por v(t)
usando a lei de Faraday, e substituindo a intensidade de campo magnético H(t) usando a lei de
Ampère, obtendo-se:
� dB ( t ) �
�H ( t ) lm �
W= � c dt ��
�
one ciclo �
nA �
� n �
�dt
W = Ac lm �HdB.
one ciclo
Note que o termo Aclm é o volume do núcleo, enquanto a integral é a área no interior do laço B-
H. Portanto, a energia dissipada em calor é igual ao produto do volume do núcleo com a área do
laço da curva B-H.
Para uma operação cíclica, as perdas por histerese PH podem ser obtidas da energia
perdida por ciclo multiplicada pela frequência f, ou seja.
PH = f Ac lm �HdB.
one ciclo
Observa-se na equação anterior que as perdas por histerese são diretamente proporcionais a
frequência de excitação.
Como discutindo na seção anterior, os núcleos magnéticos são ligas ferro que
infelizmente são bons condutores elétricos. Como resultado campos magnéticos variantes no
tempo causam uma circulação de corrente no núcleo. Como no exemplo ilustrado na figura
abaixo.
Figura 4.26 – Eddy currents ou correntes de Foucault induzidas no núcleo.
Considere um fluxo magnético variante no tempo com direção perpendicular a superfície

do núcleo e sentindo conforme ilustrado na Figura 4.26. De acordo com a lei de Lenz, uma
corrente será induzida com o sentido indicado na figura. Esta corrente induzida produz um
fluxo magnético que se opõe a variação do fluxo magnético incidente. Além disso, essas
correntes induzidas causam perdas por efeito Joule (i2R) e são especialmente significativas em
altas frequências.
De acordo com a Lei da Faraday a variação do fluxo magnético (t) induz uma tensão,
que produz uma corrente conforme a Figura 4.26. Como a tensão é proporcional a derivada do
fluxo, a magnitude aumenta de forma diretamente proporcional com a frequência de excitação.
Se a impedância do núcleo é puramente resistiva e independente da frequência, então a
magnitude da tensão induzida que resultam nas correntes induzidas também aumenta
diretamente proporcional com a frequência. Isto implica que as perdas i2R associadas as
correntes induzidas são proporcionais ao quadrado da frequência de excitação. Em ferrites,
a impedância na realidade diminui com a frequência f [4]. Existe um compromisso entre
densidade de saturação e as perdas no núcleo. O uso de altas densidades de fluxo reduz o

tamanho, peso e custo. O aço silício apresenta uma densidade de fluxo de saturação entre 1.5 e
2.0 T. Mesmo que núcleos de aço silício são produzidos com finas lâminas isoladas para reduzir
a magnitude dessas correntes esse eles podem apresentar altas perdas devido em particular sua
baixa resistividade se comparado com Ferrite por exemplo. Assim, as correntes induzidas são de
grande magnitude.
Outras ligas de ferro podem conter molibdênio, cobalto ou outros elementos que
apresentam menores perdas no ferro, mas este processo leva a redução da densidade do fluxo de
saturação bem como o custo final do material.
Ligas de ferro são também utilizadas em núcleos porosos, contento partículas de
materiais magnéticos com diâmetro suficientemente pequeno, tal que geram correntes induzidas
de baixa magnitude. Essas partículas são geralmente unidas usando um material isolante.
Ligas de materiais amorfos exibem uma baixa perda por histerese. A condutividade do
núcleo é menor que das ligas de material ferroso, mas é maior que a dos ferrites.
A resistividade dos ferrites é muito maior que a de outros materiais, então as correntes
induzidas são bem menores. Os fabricantes de materiais magnéticos geralmente fornecem
informações sobre as perdas. A figura abaixo mostra uma curva típica de densidade de perdas no
ferrite.
Figura 4.27 – Curvas de densidades de perda no ferrite.
Perdas no Cobre
Uma perda significativa ocorre na resistência dos enrolamentos de indutores e

transformadores. As perdas no cobre é um fator determinante no tamanho do núcleo magnético
no qual os enrolamentos serão montados. Se as perdas no cobre dos enrolamentos fossem
desprezíveis então o indutor ou transformador poderiam ser menores pelo uso de um fio com
uma seção menor (quanto menor a seção maior a resistência). As perdas no cobre para uma
corrente constante podem ser determinadas por:
Pc = I rms
2
RCC
,
resistência CC do enrolamento é dada por:

onde
lb
RCC = r ,
A
onde A é a área da seção transversal do fio, lb o comprimento total do condutor e r a

resistividade do material, esta última é igual a 1,724x10-6 -cm para fios de cobre na
temperatura ambiente.
Perdas no Cobre para Alta Frequência
Correntes induzidas que produzem perdas no núcleo também produzem perdas no cobre
devido a correntes induzidas nos enrolamentos. Estas correntes podem resultar em um aumento
significativo das perdas nos enrolamentos levando a valores bem superiores ao previsto com a
resistência CC. Os mecanismos de perdas por correntes induzidas no cobre de indutores e
transformadores são chamados de Efeito Pelicular (Skin effect) e Efeito de Proximidade
(Proximity effect). Esses fenômenos são mais predominantes em transformadores e indutores
com enrolamentos de múltiplos condutores e múltiplas camadas encontrados em conversores
estáticos que operam em alta frequência.
Efeito Pelicular
A Figura 4.28 ilustra a corrente alternada i(t) fluindo através de um condutor arbitrário.
Essa corrente induz um fluxo magnético (t), cujas linhas de fluxo passam por um caminho
circular como mostrado na figura. De acordo com a lei de Lenz o fluxo CA induz uma corrente
que flui de maneira a se opor ao fluxo CA. É possível observar na figura que as correntes
induzidas reduzem a densidade da corrente no centro do condutor e aumentam próximo da
superfície. A distribuição de corrente no condutor pode ser encontrada pela solução das
equações de Maxwell. Para uma corrente senoidal de frequência f, o resultado é que a densidade
de corrente decai exponencialmente na direção interna do condutor, como é ilustrado na figura
abaixo.
Figura 4.28 –Efeito pelicular.
A profundidade de penetração da corrente, d, é usada para caracterizar este efeito. A equação

que determina a profundidade de penetração é dada por:
ρ
δ= ,
πμf
onde  é a permeabilidade do material e r a resistividade do material. Para o cobre a 100oC :
7, 5
δ= cm
f
sendo a frequência de excitação f expressa em Hz.

O efeito pelicular faz com que as perdas de condutor de grandes diâmetros aumentem
com a frequência. As altas frequências não penetram no interior do condutor e se concentram
próximo da superfície. Desta forma a seção transversal efetiva é reduzida. Além disso, o efeito
pelicular faz com que as perdas no condutor de espessura h, seja igual à de um condutor de
espessura d com uma densidade de corrente uniforme, evidentemente, quando h for maior que d.
Assim a resistência CA equivalente pode ser obtida por:
h
RCA = RCC .
δ
E as perdas no cobre são dadas por:
P = i 2 RCA .
Figura 4.29 – Profundidade de penetração de corrente em função da frequência de da bitola do fio.
Em transformadores de múltiplas camadas outro fenômeno leva também ao aumento da

resistividade equivalente dos condutores, o efeito de proximidade, e este efeito será abordado a
seguir.
Efeito de Proximidade
Um condutor que pelo qual circula uma corrente alternada i(t) induz perdas nos
condutores adjacentes por um fenômeno chamado de Efeito de Proximidade. A Figura 4.30
ilustra este fenômeno.
Vamos considerar uma espira, condutor 1, por onde circula uma corrente senoidal de
alta frequência que resulta em uma profundidade de penetração, d, de corrente muito menor que
a espessura h do condutor. Ainda, vamos considerar uma outra espira paralela a primeira,
condutor 2, encontre-se aberta, de forma que a corrente líquida sobre ela é nula. Note que
mesmo que a corrente total no condutor 2 seja zero é possível que a corrente i(t) induza corrente
no condutor 2. Na Figura 4.30 a corrente i(t) circulando no condutor 1 gera um fluxo
magnético (t) no espaço entre os condutores. De acordo com a lei de Lenz
uma corrente é induzida no condutor adjacente que tende a se opor ao fluxo CA.
A Figura 4.31 ilustra o efeito de proximidade em um transformador. O enrolamento
primário consiste da conexão em série de camadas de cobre possuído uma espessura h muito
maior que a profundidade de penetração, d, por onde circula uma corrente i(t). O enrolamento
secundário é idêntico ao primário, e se considerarmos que a corrente de magnetização é pequena

a corrente no enrolamento secundário será -i(t).
Figura 4.30 – Efeito de proximidade entre condutores adjacentes.
A corrente de alta frequência i(t) circula no lado direito da superfície da primeira

camada. Isso induz perdas no cobre na primeira camada que pode ser calculada por:
h
RCA = RCC
δ ,
P1 = i 2
RCA .
Por outro lado o efeito de proximidade induz uma corrente na superfície da segunda
camada do enrolamento primário, a qual gera um fluxo magnético que se opõe ao gerado pela
corrente da primeira camada. Se os condutores são próximos, e se h >> d, a corrente induzida
será igual e oposta a corrente i(t), como ilustrado na Figura 4.31. Então uma corrente –i(t)
circula no lado esquerdo da superfície da segunda camada. Uma vez que as camadas 1 e 2 estão
conectadas em série elas devem conduzir a mesma corrente total i(t). Como resultado uma
corrente 2i(t) deve circular no lado direito da superfície. A corrente fluindo na superfície
esquerda da segunda camada possui a mesma magnitude da corrente da primeira camada, então
resulta nas mesmas perdas no cobre, ou seja, P1. A corrente na superfície direita da segunda
camada possui uma magnitude 2i(t). Então as perdas no cobre no lado direito da segunda
camada serão 4P1. Logo, as perdas totais na segunda camada serão de 5P1. De forma análoga
pode-se concluir que as perdas totais na terceira camada serão 13 vezes superiores do que as da
primeira camada.
Figura 4.31 - Ilustração do efeito de proximidade em um transformador de dois enrolamentos.
Para um enrolamento múltiplas camadas a perdas no cobre na camada m será:

h
Pm = I 2 �
(
� m - 1) 2
+ m 2
�
� RCC .
d
Assim, as perdas totais no cobre em um enrolamento de m camadas serão:
M
h h M
Pm = I 2 RCC �� (m - 1) 2 + m 2 �
� �= I 2 RCC (2M 2 + 1).
d m =1 d 3
Se uma corrente contínua com o mesmo valor RMS, I, circulasse pelo enrolamento de M
camadas, as perdas no cobre seriam dadas por:
Pm = I 2 MRCC .
Assim, o efeito de proximidade aumenta as perdas no cobre por um fator de
P 1h
FR = = (2 M 2 + 1).
PCC 3d
Note que esta expressão é válida sobre a hipótese que h >> d.

Projeto de Indutores e Transformadores
Os magnéticos de conversores estáticos são usualmente projetados para atender alguns

requisitos tais como perdas, volume, custo e disponibilidade do material. Os núcleos magnéticos
usados em indutores e transformadores estão disponíveis no mercado em uma variedade de
tamanhos e formas, veja Figura 4.32, bem como em diferentes tipos de materiais. Os fabricantes
geralmente fornecem tanto as características físicas do material magnético assim como as
dimensões dos núcleos. A escolha do material magnético como visto nas seções anteriores tem
um impacto direto nas características operacionais do magnético, indutor ou transformador, e
consequentemente no conversor.
Com base nos conceitos abordados anteriormente, a metodologia clássica de projeto pelo
produto das áreas AeAw será formulada e discutida com um objetivo, o projeto de indutores e
transformadores de alta frequência para conversores estáticos. Além disso, um método de
projeto de indutores toroidais utilizando o Al também será apresentado.
Figura 4.32 – Núcleos de ferrite (Thornton – www.thornton.com.br).
Projeto de Indutores
Inicialmente considera-se que os parâmetros mostrados na tabela abaixo sejam

conhecidos. Esses parâmetros são oriundos da análise e projeto inicial do conversor estático.
Tabela 4.4 – Especificações de Projeto do Indutor

Parâmetros de Projeto do Indutor
Indutância H
Corrente de pico A
Corrente eficaz (rms) A
Frequência Hz
Ondulação da corrente A
Figura 4.33 – Operação do conversor relativa a curva de magnetização.
Geralmente os indutores são projetados para evitar a saturação. Desta forma, o projeto
deve restringir a operação do mesmo na porção linear da curva no plano B-H. Desta forma
podemos afirmar que:
DH DI DB
= = .
H max I p Bmax
Primeiramente, é necessária a escolha do material magnético e o conhecimento da sua

respectiva curva de magnetização, ou seja, curva B-H. Conhecendo o nível de saturação do
material é possível escolher uma densidade de fluxo magnético máxima de operação. O modo
de operação do conversor altera significativamente o tamanho e a posição do laço na curva B-H,
como pode ser observado na Figura 4.33, onde mostra a curva B-H quando o conversor opera
em CCM e DCM.
Uma vez que a frequência da ondulação de corrente é conhecida, a escolha de densidade
de fluxo máxima deve ser menor que a densidade de fluxo de saturação do material considerado.
Assim, uma estimativa para a amplitude da ondulação na densidade de fluxo pode ser
determinada por:
DI �Bmax
DB = .
Ip
Conhecendo-se ∆B e a e freqüência de excitação, as perdas no ferro podem ser

obtidas das curvas ou polinômios fornecidos pelo fabricante do núcleo. Se a perdas forem muito
altas pode-se selecionar um material com menores perdas. Se a perdas forem muito baixas pode-
se selecionar um material com uma densidade de fluxo maior.
Projeto de Indutor - Método AeAw
Um método utilizado para a estimava do tamanho do núcleo é o método AeAw. Este

método leva em consideração fatores magnéticos e elétricos, os quais determinam o produto da
área da seção transversal do núcleo, Ae, com a área de janela disponível para o enrolamento, Aw.
O método do produto das áreas AeAw é determinado com base: (i) na lei de Ampère; (ii) na lei de
Faraday; (iii) na relação entre densidade de fluxo magnético, intensidade de fluxo magnético; e
na (iv) densidade máxima de corrente no enrolamento levando em consideração restrições
construtivas.
Vamos tomar como exemplo o indutor do tipo E-E mostrado na Figura 4.33 que possui
as áreas Ae e Aw destacadas na Figura 4.34.
Figura 4.33 – Indutor, núcleo e carretel.
Os enrolamentos são geralmente produzidos com condutores de cobre que possuem

seção transversal circular. Logo, pode-se concluir que ao bobinar um enrolamento existirão
pequenos espaços entre cada condutor devido a sua seção circular. Portanto, é possível
determinar um fator de utilização da janela ou fator de ocupação da janela, o qual pode ser
determinado por:
Atc
kw = ,
Aw
onde, kw é o fator de utilização da janela com valores típicos entre 0.4 a 0.7, Atc é a área efetiva
da seção transversal dos condutores e Aw é a área da janela disponível no carretel.
Figura 4.34 – Área Ae e Aw do indutor do tipo E-E.
A lei de Ampère aplicada no indutor mostrado na Figura 4.33 pode ser expressa por:
∮ H⋅dL= NI =Hl=ℑ ,
e a tensão nos terminais do indutor pode ser determinada por
d D di Di
v( t) = N �N v( t) = L �L
dt Dt , ou dt Dt .
Igualando as duas equações acima e substituindo a relação entre fluxo magnético e
densidade de fluxo magnético,

D = DB �Ae . A equação resultante pode ser expressa como,
L . ΔI
N=
ΔB. Ae ,
onde, N é o número de espiras, L é a indutância do indutor, DI é a ondulação de corrente no

indutor, DB é a variação da densidade de fluxo magnético e Ae é a área efetiva da seção
transversal do núcleo.
Quando a corrente no indutor é a máxima, Ipico , tem-se a maior densidade de fluxo
magnético, Bmax. Logo a equação acima pode ser rescrita como,
L�
I pico
N=
Bmax �
Ae .
Por outro lado, a máxima densidade de corrente nos condutores é determinada por:
N�
I eficaz
J max =
AW
Considerando o fator de utilização da janela na equação acima, e substituindo a equação
resultante na equação anterior do número de espiras, obtém-se:
J max � AW � kw L� I pico
=
I eficaz Bmax � Ae
Simplificando a equação acima, encontra-se a equação AeAw, dada por:

L�
I pico �
I eficaz
Ae AW =
Bmax �
J max �
kw
Valores típicos de densidade de corrente para indutores e transformadores de conversores
estáticos estão entre 200 e 450 A/cm², inserindo esse valor em A/cm², a equação para o produto
das áreas resulta em:
L�
I pico �
I eficaz
Ae AW = 104 [cm 4 ]
Bmax �
J max �
kw ,
onde a densidade de corrente Jmax é expressa em A/cm².
Uma vez determinado o produto das áreas, deve-se procurar um núcleo compatível nos
fabricantes. Alguns fabricantes fornecem este produto de áreas nos catálogos ou sites. Apesar
disto, o projetista pode calcular este valor visto que todos os fabricantes disponibilizam as
dimensões básicas do núcleo. A Figura 4.35 mostra um catálogo da Magnetics para núcleo do
tipo E onde a seta indica o produto das áreas.
Figura 4.35 – Catálogo parcial de núcleos do tipo E da Magnetics. (Fonte: www.mag-inc.com/)
Uma vez escolhido o núcleo, por exemplo, da Figura 4.36, utiliza-se a área efetiva da seção
transversal do núcleo na equação anterior,
L�
I pico
N=
Bmax �
Ae ,
para determinar o número de espiras do indutor.

Figura 4.36 – Núcleos do tipo E da Magnetics. (Fonte: www.mag-inc.com/)
Usualmente os indutores utilizam entreferro para evitar a dependência da indutância com

a permeabilidade magnética do material. Assim considerando que a relutância do entreferro é
predominante no indutor, a indutância pode ser representada por:
0 �
N2 N2 � Ae
L= = .
�g lg
Da equação anterior, o entreferro pode ser determinado por:
0 �Ae
N2 �
lg = .
L
Indutores do tipo E-E o entreferro podem ser distribuídos de duas formas como mostra a
Figura 4.37.
Figura 4.37 – Distribuição do entreferro, Núcleo E-E.
Magnéticos que possuem entreferros concentrados podem apresentar uma distorção do

fluxo ou espraiamento do fluxo, ou seja, as linhas de fluxo no entreferro sofrem distorções. Para
considerar o espraiamento do fluxo no entreferro, é necessário fazer uma aproximação de uma
área equivalente. Uma aproximação utilizada na literatura é apresentada na Figura 4.38. A
equação que leva em consideração o efeito de espraiamento do fluxo pode ser expressa como,
0 �
N2 � Ae Ag
lg = � .
L Ae
Figura 4.38 – Espraiamento (Fringing) do fluxo magnético no entreferro.
Os elementos magnéticos nos conversores estáticos operam em altas frequências. Assim,

o efeito pelicular deve ser levado em consideração para a escolha da bitola do condutor. Um
condutor utilizado não deve ter um diâmetro maior que duas vezes o valor da profundidade de
penetração:
fcond �2d .
A profundidade de penetração é calculada levando em consideração as equações
apresentadas na seção anterior.
A bitola do condutor depende da relação entre a corrente eficaz conduzida e da máxima

densidade de corrente estipulada:
I eficaz
Acond = [cm 2 ].
J max
Para reduzir o efeito pelicular, os fios condutores podem ser associados em paralelo.
Desta forma, o número de condutores em paralelo pode ser determinado por:
Acond
ncond = .
 ( 0,5 �
fcond )
2
Existe disponível no mercado o fio Litz, do alemão Litzendraht , o qual consiste de

condutores entrelaçados e paralelos. Este tipo de cabo facilita a fabricação de elementos
magnéticos e ainda é possível obter um alto fator de utilização da janela. O fio Litz é mostrado
na figura abaixo.
Figura 4.39 – Fio Litz.
Projeto de Indutor pelo Al – Núcleo Toroidal com Entreferro Distribuído
Os fabricantes disponibilizam em seus catálogos o fator de indutância ou indutância

específica Al. A indutância específica é a indutância por unidade de espira (nH/espira) ou
(nH/espira²). A indutância pode ser determinada pela relação entre o quadrado do número de
espiras e a relutância total do circuito magnético equivalente. Logo, a indutância pode ser
expressa por:
N2 N2
L= = .
� le
0 r Ae
Analisando a equação anterior é possível definir Al :
μ0 μr A e
Al=
le .
Consequentemente, a indutância pode ser determinada por,
L = Al N 2 .
Ao observarmos a equação acima, fica claro que uma vez estabelecido a indutância e dado um
Al , o número de espiras necessário é imediato e direto. Idealmente e em muitas referências, um
indutor é projetado utilizando a equação acima. No entanto, na prática a indutância irá alterar
devido à variação da permeabilidade magnética em função da corrente de excitação e da
temperatura de operação. Além disso, que critério utilizar para escolher o melhor Al ? Em que
ponto da curva B-H o indutor irá operar? Através do método visto anteriormente é possível
responder estas perguntas.
Alguns núcleos possuem intrinsecamente entreferros distribuídos, por exemplo. Iron
Powder. Assim, a indutância específica fornecida pelo fabricante leva em consideração esses
entreferros e pode ser uma alternativa para projetar um indutor. Em seguida, serão mostradas
duas abordagens. A primeira utiliza a energia armazenada no indutor para determinar o Al
necessário para o projeto do indutor. A outra é a metodologia recomendada pelo fabricante de
núcleos Magnetics.
A máxima energia no indutor pode ser quantificada por:
1
W= I pico 2 ,
L�
2
E das leis de Maxwell temos que em um meio linear,
1 B 2�v
W= � B�Hdv = max e .
2v 0 �
2� e
Assim,igualando as duas equações acima, têm-se

1 B 2� v
L� I pico 2 = max e .
2 2�0 �
e
Sabendo-se que o volume efetivo é dado pelo produto da área efetiva da seção
transversal com o comprimento magnético efetivo (percurso que o fluxo magnético realiza
através do núcleo), expresso como,
ve = Ae �
le .
Substituindo o volume efetivo na equação igualada anteriormente, dividindo e

multiplicando pela área efetiva, encontra-se,
1 B 2� Ae l A
I pico 2 = max
L� � e �e ,
2 2 0 �e Ae
observando a equação é possível substituir determinados termos por Al (definido anteriormente).
Assim a estimativa do Al pode ser determinada por:
Bmax 2 � Ae 2
Al = .
L� I pico 2
Para determinar a melhor indutância específica são necessárias algumas interações, ou

seja, escolhe-se um núcleo (área específica – Ae), calcula-se Al e finalmente verifica-se se o
núcleo escolhido é compatível. O fabricante fornece o Al inicial, assim o projetiva deve prever
que este valor reduz quando a corrente é maior que zero. Logo, o valor estimado deve ser
inferior a indutância específica inicial.
Calcula-se o número de espiras com o Al inicial fornecido pelo fabricante com a
equação:
L
N= .
Al
O fabricante fornece um gráfico da variação do Al como sendo função do produto

Ampère-Espira, como mostra a figura abaixo. Então, o próximo passo é determinar qual a
máxima redução de Al baseando-se no produto NIpico (onde N é o número de espiras calculado
acima e Ipico é a corrente de pico no indutor). Dado o Al mínimo, recalcula-se o número de
espiras com a equação anterior. Desta forma, a indutância de projeto é garantida quando o
conversor opera na corrente de pico.
Figura 4.40 – Variação da indutância específica. (Fonte: www.mag-inc.com/)

A bitola dos condutores é calculada de forma análoga ao método apresentado

anteriormente, levando em conta o efeito pelicular.
As perdas no cobre são determinadas pelas equações:
Pc = I rms
2
RCC
Nlespira
RCC = r .
ncond Scond
onde, r é a resistividade do cobre, N é o número de espiras, lespira é o comprimento médio de

uma espira, ncond é o número de condutores em paralelo e Scond é a área da seção do condutor.
As perdas no núcleo são determinadas pela densidade de perdas e pelo volume do núcleo
escolhido. A densidade de perdas é fornecida pelo fabricante ou por gráfico ou através de uma
equação. Essas perdas ocorrem apenas na condição de variação de fluxo, ou seja, quando existe
um DB. Para determinar as perdas utiliza-se DB ou o valor médio da variação, dado por:
DB
B pk = .
2
O fabricante informa qual dos dois deve ser utilizado.
Figura 4.41 – Densidade de perdas no núcleo de ferrite. (Fonte: www.mag-inc.com/)
Conforme Magnetics, a elevação de temperatura pode ser determinada por:

0.833
�P �
DT = � totais �
�S �
� superficie �
onde, Ptotais é soma das perdas no núcleo e no cobre em mW, Ssuperficie é a área da superfície do
núcleo em cm².
Método Magnetics
O procedimento de projeto informado pela Magnetics baseia-se na escolha do núcleo
I eficaz 2
L�
através da equação . Por exemplo, o gráfico mostrado na figura abaixo é utilizado para
a estimativa de um núcleo de Kool Mµ. O gráfico foi desenvolvido considerando a variação da
indutância específica em até 50% e um fator de utilização da janela de 40%.
Figura 4.42 – Escolha do núcleo. (Fonte: www.mag-inc.com/)
Procedimento:
I eficaz 2
L�
- Calcular ;
- Escolher o núcleo correspondente no gráfico, Figura 4.42;
- Calcular o número de espiras utilizando o Al mínimo inicial:
L
N= .
Al
- Calcular a intensidade de campo magnético relativo à corrente eficaz:

NI eficaz
H= .
le
- Com base na intensidade de campo, determinar a redução da permeabilidade relativa, de
acordo com a Figura 4.43;
- Corrigir o número de espiras dividindo pela redução percentual da permeabilidade;
- Recalcular a intensidade de campo magnético e verificar a redução da permeabilidade relativa

novamente;
Figura 4.43 – Redução percentual da permeabilidade magnética do núcleo. (Fonte: www.mag-inc.com/)
- Multiplicar o Al inicial mínimo pelo valor percentual da redução da permeabilidade e

recalcular a indutância com base no número de espiras corrigido. Assim, verificar se a
indutância obtida contempla a indutância exigida para operação com a corrente eficaz;
- Determinar a bitola do fio com base na capacidade de condução de corrente, de acordo com a
figura abaixo;
Figura 4.43 – Tabela para escolha da bitola do condutor. (Fonte: www.mag-inc.com/)
- As perdas e a elevação de temperatura podem ser determinadas pelo mesmo método descrito
anteriormente.
Projeto de Transformadores
O projeto de transformadores para a eletrônica de potência é semelhante ao projeto de

um indutor, pois utiliza os mesmo conceitos. A principal diferença é o uso de mais de um
enrolamento no mesmo núcleo. Além disso, a excursão da densidade de fluxo magnético pode
ser diferente, pois dependendo do conversor o elemento magnético pode operar no primeiro e
terceiro quadrante da curva B-H. Por exemplo, o conversor Flyback opera no primeiro
quadrante, enquanto que o conversor ponte completa opera no primeiro e terceiro quadrante.
Na literatura existem conflitos conceituais sobre o elemento magnético do conversor
Flyback. Enquanto uns denominam o elemento como um transformador, outros de indutor
acoplado. Com base na forma de operação, onde é armazenada uma energia no núcleo pelo
enrolamento primário e na próxima etapa ela é liberada através do enrolamento secundário.
Aqui o elemento magnético do conversor Flyback será denominado indutor acoplado. Além
disso, é possível verificar que não há transferência direta de energia do primário para o
secundário, o que fornece base conceitual para a denominação. Salienta-se que devido ao fato
que a energia é armazenada em uma etapa de operação e liberada em uma etapa posterior, existe
a necessidade do uso de um entreferro para evitar a saturação do núcleo.
Analogamente ao projeto do indutor (método AeAw), o projeto de um transformador
requer a especificação inicial de alguns parâmetros, conforme mostrado na Tabela 4.5.
Tabela 4.5 – Especificações de Projeto do Transformador

Parâmetros de Projeto do Transformador
Tensão de Entrada (Vin) V
Tensão de Saída (Vout) V
Razão Cíclica Máxima (Dmax) -
Corrente Eficaz (RMS) no Primário (Ieficaz_p) A
Frequência (f) Hz
Fator de Utilização do Primário (Kp) -
Fator de Utilização da Janela (Kw) -
Excursão da densidade de fluxo magnético
T
(DB)
Densidade de Corrente Máxima (Jmax) A/cm²
A excursão da densidade de fluxo magnético é estabelecida com base na operação do

conversor. Alguns exemplos são mostrados nas Figuras 4.44, 4.45 e 4.46. Note que a excursão
desejada deve ficar na região linear da curva B-H (aproximação da curva).
Figura 4.44 – Excursão da densidade de fluxo magnético em um conversor Flyback MCD.
Figura 4.45 – Excursão da densidade de fluxo magnético em um conversor Forward com enrolamento terciário.
Figura 4.46 – Excursão da densidade de fluxo magnético em um conversor Push-Pull.

Projeto do transformador pelo método AeAw
Em um transformador há mais de um enrolamento no núcleo. Assim é necessário definir

um núcleo capaz de operar com a potência exigida e que permita fisicamente a inserção de todos
os enrolamentos, ou seja, o primário, secundário, terciário, etc. Para isso, é definido um fator de
utilização do enrolamento primário que será introduzido no equacionamento principal (possui
valores entre 0.3 e 0.5). Define-se esse fator como sendo o percentual de área da janela
designada para o enrolamento primário, kp.
E o fator de utilização da janela ou fator de ocupação da janela (valores entre 0.3 e 0.5),
definido como:
Apri
kw = .
Aw �
kp
A equação do produto das áreas Ae e Aw é determinada de forma similar ao projeto do
indutor.
A tensão nos terminais do enrolamento primário do transformador é dada pela lei de
Faraday:
df Df
Vin ‫=׻‬
�
N p Np .
dt Dt
Define-se Dt como sendo o intervalo de tempo em que aplicado tensão ao primário do
transformador. Este intervalo pode ser relacionado com o tempo de condução da chave, o qual
pode ser expresso por:
1
Dt = Dmax �
Ts = Dmax � .
fs
Por outro lado, a variação da densidade de fluxo magnético correspondente é dada por:
Df = Ae �
DB.
Lembrando que o DB depende do conversor. Por exemplo, elemento magnético que opera na
curva B-H no primeiro quadrante, excursiona DB no intervalo de condução, e magnéticos de
conversores que resultam na operação no primeiro e terceiro quadrante do pano B-H,
excursionam DB/2.
Substituindo o Dt e o Df equivalente ao conversor, na equação da tensão do enrolamento

primário, obtém-se:
Vin �
Dmax
Np = .
DB �Ae �f s
A equação acima determina o número de espiras do enrolamento primário.
Considerando os fatores de utilização abordados anteriormente, a densidade de corrente
máxima no primário pode ser determinada por:
Np �
I eficaz _ pri Np �
I eficaz _ pri
J max = = .
Apri Aw �
kw �
kp
Igualando a equação acima e a equação que determina o número de espiras do primário,

determina-se:
Aw �
kw �
kp Vin �
Dmax
Np = = .
I eficaz _ pri DB �Ae �f s
Simplificando a equação acima, encontra-se a equação AeAw, dada por:

Vin �
Dmax �
I eficaz _ pri
Ae Aw = .
DB �
kw �
k p �f s
Para o conversor Forward, usualmente é adicionado um fator de 20% a mais na equação
devido ao fato que na prática a corrente eficaz no primário exigirá uma área superior em virtude
da corrente de magnetização do núcleo.
No equacionamento acima foi considerado uma excursão de densidade de fluxo
magnético de DB. Em outros casos (p. ex. conversores de 1º e 3º quadrantes), o equacionamento
sofre alterações, devido à excursão da densidade de fluxo magnético. Na literatura é possível
encontrar equações similares expressas em termos de potência de entrada ou saída. Para
expressar em termos de potência, deve-se encontrar a relação entre corrente média, corrente
eficaz do conversor estático, razão cíclica e potência de entrada ou saída. As relações variam de
conversor para conversor.
O número de espiras no primário é determinado pela equação anterior,
Vin �
Dmax
Np =
DB �Ae �f s .
O número de espiras dos demais enrolamentos é determinado pela relação de

transformação:
NS = a N p .
A bitola dos condutores e o número de condutores em paralelo são determinados de
forma idêntica ao projeto de indutor, levando em consideração o efeito pelicular. Salienta-se que
para cada enrolamento deve-se utilizar a corrente eficaz respectiva, ou seja, para determinar a
bitola e o número de condutores em paralelo no enrolamento primário utiliza-se a corrente
eficaz do primário.
A determinação das perdas no cobre e no núcleo são também análogas ao projeto do
indutor. A perda no cobre é o somatório das perdas de cada enrolamento.
A elevação de temperatura é determinada por:
DTc = ( Pnúcleo + Pcobre ) �
RTc .
onde RTc é a resistência térmica do núcleo, que pode ser aproximada por determinada por:
RTc = 23 ( Ae Aw )
-0.37
.
Detalhes sobre a determinação da característica térmica do elemento magnético podem

ser vistos em [5].
Exemplo - Indutor
Em seguida serão apresentados dois exemplos para o projeto de um indutor de um

conversor Buck operando em CCM (Continuous Conduction Mode), com as especificações
apresentadas na tabela abaixo. Desprezaram-se os efeito da dispersão de fluxo e o efeito de
proximidade.
Tabela 4.6 – Especificações do Conversor/Indutor.
Especificações
Tensão de Entrada 24V Indutância 150H
Tensão de Saída 12V Frequência 50kHz
48
Potência de Saída Ondulação da Tensão de Saída 0.12V
W
0.8
Ondulação da Corrente Capacitância de Saída 16,67F
A
Corrente Eficaz (RMS) 4A Jmax 400A/cm²
Projeto de Indutor - AeAw – Núcleo E-E
Para o projeto do indutor serão utilizadas as equações da seção 1.4.3.1, as especificações

mostradas na Tabela 4.6 e ainda considerando uma densidade de fluxo magnético máxima de
0,3 T e um fator de utilização de janela de 0,7.
Assim a estimava de núcleo é determinada por:
L�
I pico �
I eficaz
Ae Aw = 104 = 0.314cm 4
�
Bmax �
J max �
kw
Uma vez encontrado o valor do produto das áreas, deve-se determinar um núcleo
compatível com o valor. Usualmente é utilizado um núcleo ligeiramente maior. O catálogo
mostrado na figura abaixo corresponde a núcleos do tipo E, assim é necessário dividir o valor
determinado acima por dois. Portanto, o núcleo escolhido é com part number 2513.
Figura 4.47 – Catálogo de núcleos E da Magnetics. (Fonte: www.mag-inc.com/)

O núcleo escolhido é mostrado na Figura 4.48. Utilizando a área efetiva da seção

transversal, o número de espiras é determinado por:
L�
I pico
N= = 42.471 �43 espiras
Bmax �
Ae
Enquanto que o entreferro pode ser definido como,
0 �
N2 � Ae -2
lg = 10 = 0.08cm.
�
L
Para a determinação da bitola do condutor foi considerado o efeito pelicular. Onde a
profundidade de penetração da corrente no condutor é determinada por:
7.5
d= = 0.034cm
f .
Como o valor recomendado de seção não deve ser superior a duas vezes o valor da
profundidade de penetração da corrente. Definiu-se a seção como:
fcond = 2 �
d = 0.068cm .
O fio escolhido dada a seção calculada acima é o AWG 21.
Com base na corrente eficaz no indutor, a área necessária de cobre é dada por:
I eficaz
Acond = = 0.01cm 2
J max .
Consequentemente, o número de condutores paralelos é determinado por:
Acond
ncond = = 2.754 �3
 ( 0,5 �
fcond )
2
.
Figura 4.48 – Catálogo do núcleo escolhido. (Fonte: www.mag-inc.com/)
Figura 4.49 – Bitola de condutores de cobre.
Projeto de Indutor - Al – Núcleo Toroidal
Para o projeto do indutor toroidal são tomadas como base as equações da seção 1.4.3.1
do método da Magnetics, das especificações mostradas na Tabela 4.6 e ainda definindo o
material magnético como sendo o Kool Mµ.
I pico 2 = 2, 904 mHA².
L�
:
Estimativa do núcleo
O menor núcleo recomendado é o primeiro acima da curva de permeabilidade da Figura

4.50 (linha em preto). Assim sendo, o menor núcleo recomendado é o 77586 de 60. Salienta-se
que o gráfico mostrado leva em consideração uma redução de permeabilidade de até 50% e fator
de utilização de janela de até 40%.
Figura 4.50 – Recomendação de núcleo. (Fonte: www.mag-inc.com/)

Figura 4.51 – Catálogo do núcleo toroidal 77586. (Fonte: www.mag-inc.com/)

1ª Interação
O número de espiras é determinado por:
L
N1 = = 65,503 �66 espiras.
Al min
Dado o número de espiras acima, corrente de pico no indutor e o caminho magnético

médio do núcleo informado pelo catálogo da Figura 4.51, a intensidade de campo magnética é
dada por:
N1 �
I pico A.espiras
H1 = = 32.45 .
le cm
Analisando o gráfico da Figura 4.52, nota-se uma redução na permeabilidade para a
faixa de aproximadamente 78% da permeabilidade inicial. Logo, uma correção do número de
espiras é necessária. Assim, o número de espiras calculado anteriormente é dividido pelo valor
percentual da redução.
N1
N2 = = 84.61 �85 espiras.
0.78
Recalculando a intensidade de campo magnético, obtém-se:
N2 �
I pico A.espiras
H2 = = 41.79 .
le cm
Assim, há uma redução da permeabilidade para 74% do valor inicial. Sabendo-se que Al
é proporcional a permeabilidade magnética, a indutância mínima obtida é
Lmin = N 2 2 Al min 0.74 = 187  H .
Observa-se que o valor da indutância mínima é ligeiramente superior ao valor de projeto.

O método Magnetics recomenda utilizar um único condutor determinado pela tabela da
Figura 4.53 (o conversor operando em MCC). Dada a corrente eficaz de 4A, e considerando uma
densidade máxima de corrente de 400A/cm², o condutor recomendado é o AWG 17.
A intensidade de campo magnético máxima e mínima é dada por:
N 2 I pico A.espiras
H max = = 41.79 .
le cm
N 2 ( 2 I eficaz - I pico ) A.espiras

H min = = 34.19 .
le cm
Figura 4.52 – Variação da permeabilidade magnética no núcleo. (Fonte: www.mag-inc.com/)
Figura 4.53 – Bitola de condutores. (Fonte: www.mag-inc.com/)
Determinada a intensidade de campo magnético máxima e mínima, é possível determinar

a variação de densidade de fluxo através da curva de magnetização mostrada na Figura 4.54.
Figura 4.54 – Curva de Magnetização. (Fonte: www.mag-inc.com/)
A variação média da densidade de fluxo magnético pode ser obtida por:

Bmax - Bmin
B pk = = 0.024 T .
2
Figura 4.55 – Densidade de perdas volumétricas no núcleo de Kool Mµ. (Fonte: www.mag-inc.com/)
A densidade de perda volumétrica do núcleo pode ser determinada graficamente pela
Figura 4.55 ou através da equação mostrada na mesma figura. Lembrando que a densidade de
fluxo magnético é em Tesla e a frequência em kHz. A equação da densidade de perda resulta

em:
W
PL = 193B 2.01F 1.29 = 0.017 .
cm³
Multiplicando a densidade de perda pelo volume efetivo do núcleo determina-se :
Pnúcleo = PL �
ve = 0.069 W .
A resistência elétrica total no cobre é dada por:

N 2lespira
R=r = 0.062 .
Scond
Portanto, as perdas no cobre são obtidas por:
Pcobre = RI eficaz 2 = 0.99 W .
Dada as perdas em mW e a superfície do núcleo em cm², a elevação de temperatura é de
0.833
�P +P �
DT = � núcleo cobre � = 12.45 �
C.
� Se �
Exercício:
Considerando as mesmas especificações do conversor Buck MCC do último exemplo e

uma estimativa inicial de densidade de fluxo magnético máxima de 0.22T. Refaça o projeto do
indutor toroidal usando o primeiro método com o Al. Calcule as perdas e a elevação de
temperatura. (Material magnético – Kool Mµ).
1.4.5. Referências
Eletromagnetismo, Materiais Magnéticos e Circuitos Magnéticos

[1] W. H. Hayt, J. A. Buck, Eletromagnetismo, 6ª edição, 339 p., LTC, 2003.
[2] J. A. Stratton, Electromagnetic Theory, 640 p., Wiley-IEEE Press, 2007.
[3] M. N. O. Sadiku, Elements of Electromagnetics, 5ª edição, 845 p., Oxford Universty Press, 2010.
[4] J. M. D. Coey, Magnetism and Magnetic Materials, 614 p., Cambridge Universty Press, 2010.
Magnéticos para Eletrônica de Potência – Conceitos e Projeto

[4] R. W. Erickson, J. A. Buck, Fundamentals of Power Electronics, 2ª Edição, 912 p., Springer, 2001.
[5] N. Mohan, T. M. Undeland, W. P. Robbins, Power Electronics – Converters, Applications and Design,
3ª Edição, 824 p., Wiley, 2002.
[6] Wm. T. Mclyman, Transformer and Inductor Design Handbook, 3ª Edição, 556 p., 2004.
[7] Magnetics, Catálogo Powder Cores Catalog – 2012 – Disponível em: http://www.mag-
inc.com/design/technical-documents/digital-library/Digital-Library.
Leitura Complementar
[7] P. L. Dowell, “Effects of eddy currents in transformer windings,” Proc.Inst. Elect. Eng., vol. 113, no. 8,
pp. 1387–1394, Aug. 1966.
[8] P. S. Venkatraman, “Winding eddy current losses in switch mode power transformers due to rectangular
wave currents,” in Proceedings of Powercon11. Dallas, TX: Power Concepts, Inc., 1984, pp. 1–11.
[9] B. Carsten, “High frequency conductor losses in switchmode magnetics,” Proc. HPFC, pp. 155–176, May
1986.
[10] William Gerard Hurley, “Optimizing the AC Resistance of Multilayer Transformer Windings with
Arbitrary Current Waveforms” , IEEE Transactions on Power Electronics, vol. 15, No. 2, March 2000.

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Fundamentos de Eletrônica de Potência

Universidade Federal de Santa Maria

Prof. Humberto Pinheiro, Ph.D.

Teoria de Circuitos Comutados

Eletrônica de Potência trata do processamento de energia. Sendo a eficiência uma das

praticamente nula quando em bloqueado.

Static Converter Definition by IEEE Std. 100-1996:

Características Estáticas Ideais de Semicondutores de

Os principais semicondutores de potência utilizados em conversores estáticos com sua

O diodo é um semicondutor não controlável, pois o seu estado, conduzido ou bloqueado é

comportando-se como circuito aberto.

Figura 0.1 (a) Símbolo e (b) Característica ideal de um Diodo

O SCR, do inglês Silicon Controlled Rectifier, é um dispositivo semicondutor semi-

SCR retorna ao estado bloqueado.

Figura 0.2 (a) Símbolo e (b) Característica ideal de um SCR

BJT Bipolar Junction Transistor

Os transistores bipolares foram os primeiros semicondutores de potência totalmente

controlados utilizados comercialmente em conversores estáticos. A característica estática de um

de base o BJT volta ao estado bloqueado.

Figura 0.3 (a) Símbolo e (b) Característica ideal de um BJT

MOSFETS Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors

O MOFET, como os BJT, é um semicondutor totalmente controlado. A característica

Figura 0.4 (a) Símbolo e (b) Característica ideal de um MOSFET.

IGBT Insulated Gate Bipolar Transistor

O IGTB é semicondutor que combinas as características desejáveis dos MOFETs e BJTs.

A característica estática ideal de um IGBT é semelhante à de um MOSFET. O IGBT pode

GTO – Gate Turn-off Thyristor

A característica estática do GTO é mostrada na figura abaixo. O GTO pode entrar em

Combinação típica de Semicondutores

As combinações típicas de semicondutores encontrados em conversores estáticos são:

MOSFET com Diodo em Antiparalelo

MOSFET com Diodo Serie

IGBT com Diodo em Antiparalelo

IGBT com Diodo Serie

Exercício Proposto: Determine a característica estáticas, planos

a) IGBT com Diodo em Antiparalelo em anti-série

c) IGBT com Diodo Serie em antiparalelo.

Compare os arranjos dos itens a) , b) e c) e comente sobre as

Solução de Circuitos Com Semicondutores de Potência

Uma vez estabelecida as características estáticas dos principais semicondutores de

interruptores no operação de circuitos com fontes e elementos passivos como resistores

Exemplo 1 Seja o circuito da Figura 0 .7, determine os etapas de

operação, bem como as principais formas de ondas do circuito. Considere que:

v= 311 sin(t) e R=10  sendo =377 rad/s.

O circuito da Figura 0 .7 apresenta duas etapas de operação que são definidas

a partir do estado do diodo, conduzindo e bloqueado. Como a tensão da fonte

é periódica este circuito também deve apresentar um comportamento

periódico. Portanto, a seguir será abalizado o circuito para o primeiro ciclo da

tensão da fonte v..

Etapa 1 . Duração 0 <t< . : Em t=0 a tensão sobre o diodo, vak, torna-se

positiva levando o diodo entrar em condução. O circuito equivalente dessa

etapa da mostrado na Figura 0 .8 (a). As principais equações que descrevem o

comportamento do circuito nessa etapa são:

Etapa 2 . Duração  <t< 2 . : Em t =  a corrente no diodo , iD, torna-se

negativa, devido v, levando o diodo entrar em bloqueio. O circuito equivalente

dessa etapa da mostrado na Figura 0 .8 (b). As principais equações que

descrevem o comportamento do circuito nessa etapa são:

As principais formas de onda do circuito são mostrada na Figura 0.9

Figura 0.9 Formas de onda do retificador da Figura 0 .7

Seja o circuito da Figura 0 .10, determine os etapas de operação, bem como

as principais formas de ondas do circuito. Considere que os parâmetros da

O circuito da Figura 0 .10 apresenta duas etapas de operação que são