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TP 701

ELETRÔNICA BÁSICA

RÔMULO MOTA VOLPATO


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Índice:

1 Introdução .......................................................................................................................................... 9
2 Teoremas de circuito básicos:............................................................................................................ 9
2.1 Lei de Kirchoff............................................................................................................................ 9
2.2 Teorema de Thévenin................................................................................................................ 10
2.3 Teorema de Norton ................................................................................................................... 11
3 Diodos e principais aplicações......................................................................................................... 13
3.1 Diodo real.................................................................................................................................. 14
3.2 Modelamento do diodo. ............................................................................................................ 16
3.3 Aplicações com diodo............................................................................................................... 18
3.3.1 Retificador........................................................................................................................... 18
3.3.2 Retificador de onda completa ............................................................................................. 19
3.3.3 Retificador em ponte........................................................................................................... 20
3.3.4 Filtro a capacitor ................................................................................................................. 21
3.3.5 Regulador de tensão ............................................................................................................ 22
3.3.6 Diodos especiais.................................................................................................................. 24
3.3.7 Portas Lógicas com diodos ................................................................................................. 25
3.3.8 Circuitos limitadores ........................................................................................................... 26
3.3.9 Circuitos Grampeadores...................................................................................................... 26
4 Transistores Bipolares de junção ..................................................................................................... 27
4.1 Estrutura e operação do transistor............................................................................................. 27
4.2 Transistor NPN ......................................................................................................................... 28
4.3 Transistor PNP .......................................................................................................................... 29
4.4 Símbolos. Esquemáticos ........................................................................................................... 30
4.5 Curvas características do transistor bipolar .............................................................................. 31
4.6 Retas de carga ........................................................................................................................... 33
4.7 Polarização de base. .................................................................................................................. 34
4.8 Polarização com realimentação de emissor .............................................................................. 34
4.9 Polarização por divisão de tensão ............................................................................................. 35
4.10 Modelamento do transistor bipolar ........................................................................................... 38
4.11 Configuração emissor comum .................................................................................................. 39
4.12 Configuração coletor comum.................................................................................................... 44
4.13 Configuração base comum........................................................................................................ 45
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5 Amplificadores operacionais ........................................................................................................... 47


5.1 Amplificador operacional ideal................................................................................................. 47
5.2 Montagens clássicas com o amplificador operacional .............................................................. 48
5.3 Compradores de nível ............................................................................................................... 53
6 Transistor de efeito de Campo (MOSFET) ..................................................................................... 56
6.1 Estrutura do Transistor.............................................................................................................. 56
6.2 Operação do transistor MOS..................................................................................................... 57
6.3 Polarizando o transistor MOS ................................................................................................... 58
6.4 Equações de controle de corrente.............................................................................................. 60
6.5 Transistores CMOS................................................................................................................... 61
6.6 Curvas características do transistor NMOS tipo enriquecimento ............................................. 62
6.7 Efeito de corpo .......................................................................................................................... 65
6.8 Efeitos da temperatura .............................................................................................................. 65
6.9 Transistor PMOS....................................................................................................................... 65
6.10 Polarização do transistor MOS ................................................................................................. 65
6.11 Polarização com tensão de gate fixa e resistor de fonte............................................................ 67
6.12 Polarização com resistor de realimentação entre dreno e porta ................................................ 69
6.13 Amplificação linear com pequenos sinais................................................................................. 70
6.14 Amplificador Fonte comum ...................................................................................................... 71
6.15 Amplificador fonte comum com resistor de fonte .................................................................... 73
6.16 Amplificador porta comum....................................................................................................... 75
6.17 Amplificador dreno comum ...................................................................................................... 77
6.18 Comparação .............................................................................................................................. 78
7 Tipos de acoplamentos .................................................................................................................... 78
7.1 Acoplamento a capacitor........................................................................................................... 79
7.2 Acoplamento a transformador................................................................................................... 79
8 Amplificadores de potência ............................................................................................................. 80
8.1 Espelhos de corrente ................................................................................................................. 80
8.2 Amplificadores de potência classe AB ..................................................................................... 81
9 Bibliografia ...................................................................................................................................... 83
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Índice de Figuras

Figura 1- Lei de Kirchoff para corrente....................................................................................................... 9


Figura 2 – Lei de Kirchoff para tensão. ....................................................................................................... 9
Figura 3 – Circuito equivalente de Thévenin ............................................................................................. 10
Figura 4 – Exemplo 1.................................................................................................................................. 10
Figura 5 – Tensão de Thévenin................................................................................................................... 11
Figura 6 – Circuito final............................................................................................................................. 11
Figura 7 – Circuito equivalente de Norton................................................................................................. 12
Figura 8 – Calculo da corrente de Norton ................................................................................................. 12
Figura 9 – Circuito final............................................................................................................................. 13
Figura 10 – Diodo ideal funcionando como chave..................................................................................... 13
Figura 11 - Junção PN polarizada diretamente . ....................................................................................... 14
Figura 12 - Junção PN polarizada reversamente ...................................................................................... 14
Figura 13 – Circuito para obter a curva característica do diodo.............................................................. 14
Figura 14 – Curva característica do diodo com polarização direta.......................................................... 15
Figura 15 – Curva característica do diodo com polarização reversa. ...................................................... 15
Figura 16 – Modelo do diodo simplificado. ............................................................................................... 17
Figura 17 – Circuito retificador. ................................................................................................................ 18
Figura 18 – Formas de onda no resistor R................................................................................................. 18
Figura 19 – Retificador de meia onda ........................................................................................................ 19
Figura 20 - Retificador de onda completa.................................................................................................. 19
Figura 21 – Forma de onda no retificador de onda completa. .................................................................. 20
Figura 22 – Retificador em ponte. .............................................................................................................. 20
Figura 23 – Filtro a capacitor.................................................................................................................... 21
Figura 24 – Formas de onda no filtro a capacitor ..................................................................................... 21
Figura 25 – Corrente no diodo D ............................................................................................................... 22
Figura 26 – Característica v-i do diodo zener ........................................................................................... 23
Figura 27 – Regulador paralelo ................................................................................................................. 23
Figura 28 – Espectro visível ....................................................................................................................... 25
Figura 29 – Porta OU................................................................................................................................. 25
Figura 30 – Porta E .................................................................................................................................... 25
Figura 31 – Limitador................................................................................................................................. 26
Figura 32 – Função de transferência do limitador .................................................................................... 26
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Figura 33 – Circuito grampeador .............................................................................................................. 27


Figura 34 – Formas de onda no circuito grampeador ............................................................................... 27
Figura 35 – Estrutura do transistor bipolar............................................................................................... 28
Figura 36 – Polarização do transistor bipolar tipo NPN na região Ativa................................................. 28
Figura 37 – Polarização do transistor bipolar tipo PNP no modo ativo . ................................................ 29
Figura 38 – Símbolos dos transistores NPN e PNP bipolares. .................................................................. 30
Figura 39 – Circuito usado para levantamento das curvas IV................................................................... 31
Figura 40 – Curva característica IV do transistor bipolar. ....................................................................... 31
Figura 41 – Reta de carga .......................................................................................................................... 33
Figura 42 – Circuito de polarização. ......................................................................................................... 34
Figura 43 – Polarização com realimentação do emissor........................................................................... 35
Figura 44 – Polarização por divisão de tensão.......................................................................................... 36
Figura 45 – Circuito equivalente de entrada ............................................................................................ 37
Figura 46 – Modelo Ebers Moll para o transistor Bipolar ........................................................................ 38
Figura 47 – Curva IE VBE . ....................................................................................................................... 38
Figura 48 – Amplificador na configuração emissor comun. ...................................................................... 39
Figura 49 – Equivalente CA para a configuração emissor comum. .......................................................... 40
Figura 50 – Modelo CA Ebers Moll. .......................................................................................................... 40
Figura 51 – Impedância de entrada. .......................................................................................................... 42
Figura 52 – Impedâncias de entrada e saída. ............................................................................................ 42
Figura 53 – Circuito equivalente com resistor de emissor......................................................................... 43
Figura 54 – Modelo Ebers Moll equivalente com resistor de emissor....................................................... 43
Figura 55 – Modelo Ebers Moll equivalente com resistor de emissor....................................................... 44
Figura 56 – Modelo Ebers Moll. ................................................................................................................ 45
Figura 57 – Configuração base comum ..................................................................................................... 46
Figura 58 – Equivalente CC ....................................................................................................................... 46
Figura 59 – Equivalente CA ....................................................................................................................... 47
Figura 60 – Modelo para o amplificador operacional............................................................................... 48
Figura 61 – Amplificador inversor ............................................................................................................. 49
Figura 62 – Circuito equivalente do Amplificador inversor ...................................................................... 49
Figura 63 – Circuito equivalente do Amplificador inversor com o curto virtual e resistência de saída nula
..................................................................................................................................................................... 50
Figura 64 – Amplificador não inversor ...................................................................................................... 51
Figura 65 – Amplificador bufferr ............................................................................................................... 52
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Figura 66 – Amplificador somador inversor .............................................................................................. 52


Figura 67 – Amplificador subtrator............................................................................................................ 53
Figura 68 – Amplificador subtrator............................................................................................................ 53
Figura 69 – Comprador de nível ................................................................................................................ 54
Figura 70 – Comprador de nível ................................................................................................................ 54
Figura 71 – Comprador de nível com Histerese......................................................................................... 55
Figura 72 – Exemplo de Comprador de nível com Histerese..................................................................... 55
Figura 73 – Estrutura do transistor NMOS tipo enriquecimento............................................................... 56
Figura 74 – Formação do canal ................................................................................................................ 57
Figura 75 – Polarização do transistor MOS 1 ........................................................................................... 58
Figura 76 – Polarização do transistor MOS 2 ........................................................................................... 59
Figura 77 – Curva do transistor MOS....................................................................................................... 60
Figura 78 – Tecnologia CMOS.................................................................................................................. 61
Figura 79 – Símbolo do transistor NMOS .................................................................................................. 62
Figura 80 – Circuito de teste ...................................................................................................................... 62
Figura 81 – Curvas ID x VDS para VGS constante .................................................................................. 63
Figura 82 – Níveis de tensão nos terminais do transistor MOS................................................................ 64
Figura 83 – Modelo para o transistor MOS na saturação ......................................................................... 64
Figura 84 – Símbolo do transistor PMOS .................................................................................................. 65
Figura 85 – Estrutura básica do amplificador MOS.................................................................................. 66
Figura 86 – Curva de transferência do amplificador MOS........................................................................ 66
Figura 87 – Polarização de tensão VG fixa e resistência de fonte............................................................. 67
Figura 88 – Polarização de tensão VG fixa e resistência de fonte............................................................. 69
Figura 89 – Polarização com resistor de realimentação entre dreno e porta ........................................... 70
Figura 90 – Sinal composto aplicado ao transistor ................................................................................... 70
Figura 91 – Modelo do transistor MOS para pequenos sinais................................................................... 71
Figura 92 – Amplificador Fonte comum..................................................................................................... 72
Figura 93 – Equivalente AC ....................................................................................................................... 72
Figura 94 – Amplificador fonte comum com resistor de fonte ................................................................... 73
Figura 95 – Equivalente AC ....................................................................................................................... 74
Figura 96 – Amplificador gate comum ....................................................................................................... 76
Figura 97 – Equivalente AC ....................................................................................................................... 76
Figura 98 – Amplificador dreno comum..................................................................................................... 77
Figura 99 – Equivalente AC ....................................................................................................................... 77
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Figura 100 – Acoplamento a capacitor ...................................................................................................... 79


Figura 101 – Acoplamento a transformador .............................................................................................. 79
Figura 102 – Espelho de corrente BJT ....................................................................................................... 80
Figura 103 – variação de características noEspelho de corrente BJT ...................................................... 81
Figura 104 – Espelho de corrente MOS ..................................................................................................... 81
Figura 105 – Configuração par complementar .......................................................................................... 82
Figura 106 – Amplificador com par complementar ................................................................................... 83
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Índice de Tabelas
Tabela 1 – Modos de operação ................................................................................................................... 28
Tabela 2 – Dados do transistor bipolar. ..................................................................................................... 32
Tabela 3 – Características do amplificador operacional ideal ................................................................. 47
Tabela 4 – Regiões de operação do transistor MOS .................................................................................. 66
Tabela 5 – Comparação entre as configurações ........................................................................................ 78
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1 Introdução

Este estudo tem a finalidade de revisar os conceitos básicos de eletrônica. Neste sentido, inicialmente será
visto uma revisão de teorias de circuitos. Na seqüência, será visto a conceituação básica de
semicondutores e finalmente será visto conceitos básicos de amplificadores operacionais e suas
configurações típicas.

2 Teoremas de circuito básicos:

2.1 Lei de Kirchoff


A lei de Kirchoff para corrente estabelece que a soma de todas as correntes em um nó (elemento de
circuito) é igual a zero.

∑I j =0 (1)
J

A figura1 ilustra a lei de Kirchoff para corrente.

I1

I4 I2

I3
Figura 1- Lei de Kirchoff para corrente

A lei de Kirchoff para tensão estabelece que a queda de tensão em qualquer laço fechado de
circuito é igual a zero.

∑V j =0 (2)
J

A figura 2 ilustra alei de Kirchoff para tensão

Figura 2 – Lei de Kirchoff para tensão.


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Observe que foi usado o sentido da corrente do terminal positivo para o terminal negativo, sendo este
sentido conhecido como convencional. Na verdade os elétrons é que se movimentam (sentido eletrônico)
do terminal negativo para o terminal positivo. Observe que a corrente deve circular do terminal positivo
da fonte, passar pelos resistores R1, R2 e R3 e retornar a fonte pelo terminal negativo.

2.2 Teorema de Thévenin


‘Qualquer rede de dois terminais contendo fontes de tensão e/ou corrente pode ser representada por um
circuito equivalente, consistindo em uma tensão igual à tensão de circuito aberto do circuito original em
série com uma resistência medida dentro do circuito original’.
Assim qualquer dispositivo de dois terminais poderá ser representado conforme mostra a figura 3.

Rth

DC
Vth

Figura 3 – Circuito equivalente de Thévenin

Os passos a serem tomados na utilização do teorema são:


1. A porção original da rede considerada como carga é removida ou imaginada como removida. Os
terminais são então identificados pela ultima polaridade determinada.
2. A tensão de circuito aberto é calculada
3. A resistência de Thévenin é calculada como vista para dentro da rede. As fontes são removidas,
mas suas resistências internas são mantidas.
4. O circuito equivalente é desenhado, a carga, reconectada e a corrente de carga é determinada.
Por exemplo, seja o circuito mostrado na figura 4
a

20 Ω 20 Ω

DC
40 V 20 Ω Rl

b
Figura 4 – Exemplo 1
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O circuito equivalente visto entre os pontos a e b, retirando-se a carga Rl e removendo a fonte de tensão
(Fonte de tensão colocada em curto e fonte de corrente aberta) será de 30 Ω. A tensão equivalente de
Thévenin será a tensão desenvolvida no resistor de 20 Ω, mostrada na figura 5.

I=0
a

20 Ω 20 Ω

DC
40 V 20 Ω Vth Rl

b
Figura 5 – Tensão de Thévenin
Assim o circuito final é mostrado na figura 6.

30 Ω

DC 20V
Rl

b
Figura 6 – Circuito final

2.3 Teorema de Norton


‘Qualquer rede de dois terminais contendo fontes de tensão e/ou corrente pode ser representada por um
circuito equivalente, consistindo em uma fonte de corrente igual a corrente de curto circuito da rede
original em paralelo com uma resistência medida dentro do circuito original’
Assim qualquer dispositivo de dois terminais poderá ser representado conforme mostra a figura 7.
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Rn
In

b
Figura 7 – Circuito equivalente de Norton

Os passos usados no teorema de Norton são parecidos com os passos do teorema de Thévenin,assim:

1. A porção original da rede considerada como carga é removida ou imaginada como removida.
Os terminais são então identificados pela ultima polaridade determinada.
2. A corrente de curto circuito é calculada
3. A resistência de Norton é calculada como vista para dentro da rede. As fontes são removidas,
mas suas resistências internas são mantidas.
4. O circuito equivalente é desenhado, a carga, reconectada e a corrente de carga é determinada.

Usando o mesmo exemplo da figura 5 pode-se resolver para o equivalente Norton. Desta forma para
calcular a corrente de curto circuito a carga deverá ser colocada em curto e o circuito é mostrado na figura
8.

It 20 Ω
20 Ω

DC
40 V 20 Ω In

b
Figura 8 – Calculo da corrente de Norton

Resolvendo a correte total fica:

40 4
It = = [A] (3)
20 + (20 20) 3

Conhecendo a corrente total a corrente de Norton ou corrente de curto circuito fica:


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20 2
In = It = [A] (4)
40 3
A resistência equivalente de Norton é determinada removendo as fontes (abrindo as fontes de corrente e
colocando em curto as fontes de tensão). Desta forma o circuito equivalente de Norton será:

30 Ω
In Rl

b
Figura 9 – Circuito final

3 Diodos e principais aplicações

O diodo ideal é um elemento de dois terminais que apresenta as seguintes características:


• Se for aplicado uma tensão positiva em relação do Anodo ao Catodo o diodo funcionará como uma
chave fechada;
• Se for aplicada uma tensão negativa em relação do Anodo ao Catodo, o diodo funcionará como uma
chave aberta.

Na figura 10 são mostrados o símbolo do diodo e a representação de polarização direta e reversa.

Figura 10 – Diodo ideal funcionando como chave.

Desta forma o diodo D1 esta com polarização reversa e apresenta uma alta resistência, enquanto
que o diodo D2 esta polarizado diretamente e apresenta uma baixa resistência (caso ideal um curto
circuito). Assim a corrente que circula no diodo D2 será:

10
ID 2 = = 10mA (5)
1k
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Para melhor entender como funciona um diodo, pode-se começar com o estudo de cristais
semicondutores dopados com impurezas. Estes cristais recebem a denominação de cristais do tipo N e
cristais do tipo P. Nos cristais do tipo N são difundidas impurezas que apresentam muitos elétrons livres,
enquanto que nos cristais do tipo P, são difundidas impurezas que contem muitas lacunas livres. Quando
estes dois cristais são colocados em contado é formada uma junção do Tipo PN, conforme a figura 11.

Figura 11 - Junção PN polarizada diretamente .

Observe que na junção aparece uma barreira de junção, esta barreira tende a reduzir quando existe a
polarização direta (Junção P positiva em relação a junção N). Com a redução da barreira de junção os
elétrons livres da junção N são recombinados com as lacunas livres da junção P. Para a polarização
reversa, ocorreu um aumento da região de barreira de junção e os elétrons do cristal do tipo N não
conseguem atravessar para a junção do tipo P, conforme mostra a figura 12. Assim, o diodo apresenta
comportamentos diferentes para a cada polarização.

Figura 12 - Junção PN polarizada reversamente .

3.1 Diodo real

Conforme mostrado, a polarização direta pode produzir um grande fluxo de elétrons de corrente
direta do cristal tipo N para o cristal do tipo P. Se observarmos o símbolo do diodo é uma seta indicando
o sentido de corrente convencional. Para a melhor compressão do funcionamento do diodo pode-se
levantar a curva característica, ou seja, a curva da relação de tensão e corrente.

Figura 13 – Circuito para obter a curva característica do diodo.


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Com a polaridade da fonte conforme mostra a figura 13, o diodo está polarizado diretamente. Quanto
maior a tensão da fonte, maior será a corrente do diodo. Assim, para levantar a curva característica do
diodo é necessário variar a tensão da fonte e medir a tensão no diodo e corrente do circuito. Para verificar
o funcionamento do diodo na polarização reversa basta inverter a fonte de alimentação e repetir o
procedimento. Terminado esta etapa, obtém-se os gráficos mostrados nas figuras 14 e 15.

Figura 14 – Curva característica do diodo com polarização direta.

Observe que na polarização direta existe um valor de tensão pelo qual o diodo começa a conduzir,
ou seja, é necessário que a tensão direta seja maior que a tensão de barreira de junção. Assim o
comportamento do diodo antes da tensão da fonte atingir a tensão de joelho é que a corrente no circuito
aumenta lentamente, porém quando a tensão de joelho é atingida, a corrente direta será aproximadamente
dependente do resistor de limitação de 1 kΩ. Veja ainda que quando o diodo está polarizado diretamente
a tensão sobre o diodo será de aproximadamente 0,7 V (tensão de joelho) para os diodos de silício.
Quando o diodo é polarizado reversamente, existira uma pequena corrente de fuga até que se atinja a
ruptura do diodo, ou seja, a tensão de barreira cresce tanto que consegue arrancar elétrons do cristal N
para o cristal P, conforme mostrado na figura 15. Quando a tensão de ruptura ocorrer à resistência
apresentada pelo diodo diminuirá rapidamente e a corrente pode atingir valores elevados assim esta região
e deverá ser evitada.

Figura 15 – Curva característica do diodo com polarização reversa.


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3.2 Modelamento do diodo.


Na região de operação direta, ou seja, quando o diodo esta diretamente polarizado a relação i-v pode ser
aproximada por:

i = I s (e nVT
−1) (6)

Onde: Is é a corrente de saturação do diodo para determinada temperatura.


Vt é a tensão térmica
n é uma constante e dependerá do processo de produtivo, podendo variar entre 1 e 2.
v- é tensão aplicada ao diodo

A tensão térmica pode ser calculada por (7).

kT
VT = (7)
q

Onde: K- é a contante de Boltzmann e vale 1,38 x10-23


T - é a temperatura absoluta em Kelvin e valem 273 + a temperatura em °C
q- é a carga do elétron e vale 1,6 x10-19

Na temperatura ambiente de 20°C a tensão térmica vale aproximadamente 25 mV. Como o valor da
corrente de saturação é da ordem de 10-15 A para diodos de pequenos sinais, pode-se aproximar a corrente
na polarização direta quando i>>Is:

i ≈ I se nVT (8)

Usando a equação (8) e resolvendo para a tensão v, tem-se:

i
v = nVT ln (9)
Is
Assim se for levantado os pares de tensão e corrente da equação (9), verifica-se que para uma grande
variação de corrente a tensão irá variar muito pouco. Por exemplo, para a corrente de saturação de um
diodo de sinal de 1pA e n de 1 na temperatura ambiente. Se a correntes variarem de 1 mA para 100 mA, a
tensão V do diodo irá variar:

i 1e − 3
V1 = nVT ln = 25e − 3 ln( ) = 0,518V (10)
Is 1e − 12
Para a corrente de 100 mA, tem-se:

i 1e − 2
V2 = nVT ln = 25e − 3 ln( ) = 0,633V (11)
Is 1e − 12
Desta forma a variação da corrente no diodo de um fator de 100 a tensão variou 115mV. Este
comportamento explica o formato da curva do diodo mostrado na figura 14. Assim na prática a tensão
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sobre o diodo irá variar muito pouco com a variação da corrente desta forma, estipula-se que a queda de
tensão no diodo polarizado diretamente vale 0,7 V.

Se a tensão aplicada ao diodo for negativa, a corrente da equação (7) torna-se aproximadamente igual a
corrente de saturação Is.

−v

i = I s (e nVT
−1) ≈ I s (12)

Desta forma a corrente circulante no diodo na polarização inversa é a corrente de saturação, como este
valor é extremamente pequeno a resistência apresentada é muito alta. No caso de diodos discretos a
corrente no sentido inverso é muito maior que a corrente de saturação, devido a efeitos de fugas no
processo de construção. A Corrente inversa também sofre um aumento com a tensão reversa no diodo.
Este fato pode ser observado na figura 15.

A temperatura de operação do diodo tem influência no seu comportamento. No sentido direto o aumento
de temperatura reduz a queda de tensão no diodo. No sentido inverso, o aumento de temperatura dobra a
corrente inversa a cada aumento 10 °C, para o silício.

A terceira região de operação do diodo é região de ruptura. Esta região é atingida quando a tensão inversa
atinge a tensão de ruptura do diodo. Observe na figura 15 que existe um joelho na curva de tensão sobre o
diodo e a corrente aumenta rapidamente para um pequeno aumento de tensão. A ruptura não é um efeito
destrutivo, desde que a potência dissipada no diodo mantenha-se dentro dos limites máximos estabelecido
pelo fabricante. Desta forma o efeito da variação grande de corrente para uma pequena variação de tensão
permite o uso do efeito de joelho (ou efeito zener) com circuito regulador de tensão.

Para o uso do diodo em uma análise inicial, pode-se usar o modelo aproximado de uma bateria em série
com um diodo ideal, conforme mostra a figura 16.

DC

Figura 16 – Modelo do diodo simplificado.


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3.3 Aplicações com diodo

3.3.1 Retificador
Uma aplicação fundamental do diodo é como retificador para gerar uma tensão contínua através
da tensão elétrica alternada disponível na distribuição elétrica comercial. Na figura 17 é mostrado um
circuito retificador.

Figura 17 – Circuito retificador.

O circuito consiste de um diodo D e um resistor R conectado em série. Suponha uma tensão de


entrada senoidal, conforme mostra a figura 18 e o diodo ideal. Durante os semiciclos positivos de entrada
o diodo estará polarizado diretamente e nos semiciclos negativos estará polarizado reversamente, assim
na sobre o resistor R somente ter-se a tensão no semiciclo positivo.

Figura 18 – Formas de onda no resistor R..

A aplicação do diodo como retificador na prática é geralmente em fontes de alimentação.


A fonte de alimentação normalmente tem como energia primária a tensão da rede elétrica de distribuição
em 127 ou 220 V e freqüência de 60 Hz. Assim uma fonte terá um transformador de tensão para adequar
os níveis de tensão exigidos nos circuitos eletrônicos de 5 a 20 V por exemplo.
Assim o retificador de meia onda ficará conforme mostrado na figura 19.
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Figura 19 – Retificador de meia onda

A tensão do secundário do transformador é normalmente menor que a tensão da rede pública,


assim as condições de projeto são que o diodo deverá suportar a tensão reversa de pico do sinal da rede e
a corrente de pico do circuito. A tensão sobre a carga será, portanto o valor médio da tensão alternada
retificada em meia onda, ou seja:

Eˆ s − vd
V0 = (13)
π

3.3.2 Retificador de onda completa

O retificador de onda completa usa os dois semiciclos da senóide de entrada. Para conseguir uma
saída unipolar é necessário inverter o semiciclo negativo da senóide de entrada. Assim o uso de um
transformador com dois enrolamentos com tape central pode provocar a inversão necessária para o uso de
dois diodos, conforme mostra a figura 20.

Figura 20 - Retificador de onda completa


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Observe que o secundário do transformador tem dois enrolamentos e um ponto central (tap) ligado a
referência do circuito. Assim, quando a tensão no primário estiver com a parte superior positiva em
relação a parte inferior, no secundário o diodo D1 estará positivo em relação a referência ( terra) enquanto
que o diodo D2 estará negativo em relação a referência . Ou seja, D1 irá conduzir no semiciclo positivo
do sinal de rede enquanto que D2 estará polarizado inversamente. No semiciclo negativo do sinal de rede
AC, o diodo D1 estará negativo em relação a referência e D2 está positivo em relação a referência. Desta
forma a tensão no resistor R terá os dois semiciclos , conforme mostra a figura 21.

Figura 21 – Forma de onda no retificador de onda completa.

Observe que quando D1 estiver conduzindo e D2 cortado (polarizado inversamente), D2 estará submetido
a tensão de aproximadamente a toda a tensão do secundário ( Vs1 + Vs2) e este diodo deverá suportar
esta tensão reversa . Veja ainda que a tensão de saída é de Vs de pico . Desta forma a tensão de saída será
maior que no caso da retificação de meia onda e é dado por:

2( Eˆ s − vd )
V0 = (14)
π

3.3.3 Retificador em ponte

Uma forma diferente de implementar o retificador de onda completa é usar a configuração em ponte. O
nome ponte é uma similaridade com a conexão de ponte de Wheatstone e a vantagem desta configuração
está no fato de não ser necessário usar um transformador com dois enrolamentos. A desvantagem está na
necessidade de uso de quatro diodos nesta configuração, conforme mostra a figura 22.

Figura 22 – Retificador em ponte.


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O retificador em ponte funciona da seguinte forma:

• Durante o semiciclo positivo da tensão de entrada os diodos D1 e D4 entram em condução enquanto


que os diodos D2 e D3 estão cortados.
• No semiciclo negativo do sinal de entrada os diodos D2 e D3 estão em condução enquanto que os
diodos D1 e D4 estão cortados, veja que nos dois casos a tensão na carga R está sempre com a mesma
polaridade.

Observe que existem dois diodos em série com a carga R, este fato, ocasiona uma redução na tensão de
saída, pois a queda de tensão em cada diodo será de aproximadamente 0,7 V. A tensão reversa máxima
nos diodos será de aproximadamente a tensão do secundário do transformador. Assim, a tensão de saída
será:
2( Eˆ s − 2vd )
V0 = (15)
π

3.3.4 Filtro a capacitor

A tensão de saída dos retificadores apresenta a característica pulsante, assim existira uma variação do
valor instantâneo com o tempo, conforme mostram as figuras 18 e 21. Uma forma simples de reduzir a
variação da tensão de saída é conectar um capacitor em paralelo com o resistor de carga. Seja o circuito
da figura 23, quando a tensão do secundário Vs for positiva, o diodo D irá conduzir e o capacitor C irá se
carregar até a tensão de pico Vp. Quando a tensão Vs reduzir o seu valor abaixo de Vp o diodo D estará
polarizado reversamente e a tensão Vp carregada no capacitor irá se descarregar pela carga R.

Figura 23 – Filtro a capacitor.

Figura 24 – Formas de onda no filtro a capacitor


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Observe que a descarga do capacitor ocorrerá até que a tensão Vs atinja um valor maior que Vo e o diodo
volte a conduzir., conforme mostra a figura 24. Para que a tensão Vo não diminua. Significativamente a
escolha do valor do capacitor C deve ser feita de forma a garantir que a constante de tempo CR seja muito
maior que o intervalo de tempo de descarga. A tensão Vr é conhecida como tensão de ripple (ondulação)
e será tanto menor quanto maior for a constante CR em relação a T, assim, pode-se expressar a tensão de
ripple em função da freqüência:

1
Vr = Vp (16)
2 fCR

Pode-se ainda calcular a corrente máxima no diodo em relação à tensão de ripple:

Vp
iD max = Il (1 + 2 PI ) (17)
2Vr

A corrente no diodo somente ocorrerá no intervalo de tempo que a tensão do Vs for maior que a tensão
Vo. Esta corrente tem um valor de pico alto para conseguir carregar o capacitor C com carga suficiente
para manter a tensão Vo com pequena variação. A figura 25 mostra a corrente no diodo D.

Figura 25 – Corrente no diodo D

3.3.5 Regulador de tensão


Observando a figura 26, tem-se que para correntes acima de Izmin a tensão no diodo permanece
aproximadamente constante. Assim este comportamento é usado como regulador de tensão série. Desta
forma os fabricantes de componentes define a tensão zener para uma dada corrente de teste. Neste ponto
pode-se definir a resistência dinâmica do zener definida como:
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∆v z
rD = (18)
∆I z
Onde :
- ∆v é a variação da tensão zener
- ∆I é a variação da corrente zener

Vzmax Vzmin

Izmin
V

Izmax

Figura 26 – Característica v-i do diodo zener

Desta forma o valor da resistência dinâmica indica a inclinação da curva característica v-i na região zener.
Assim quanto menor for o valor de rd melhor será a regulação (menor será a variação da tensão zener). O
projeto do regulador neste caso deverá levar em consideração a variação da corrente de carga, ou seja, a
tensão no regulador permanecerá aproximadamente constante dentro de uma variação de corrente
conhecida. Para melhor explicar este conceito seja o circuito mostrado na figura 27.

Figura 27 – Regulador paralelo

Equacionando o circuito acima se tem:


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V − Vz
It = (19)
Rz

Ora a tensão na carga é mantida no valor de Vz a corrente na carga será:

Vz
Il = (20)
RL

Portanto se a corrente na carga variar a corrente no diodo zener também irá variar, ou seja, existem varias
condições de funcionamento e o circuito regulador deverá ser capaz de manter a tensão independente
destas condições. Para uma avaliação mais minuciosa, duas condições são necessárias, se a tensão da
fonte V variar a tensão do regulador deverá manter-se. A outra condição importante é quando a corrente
de carga variar a tensão do regulador também deverá se manter constante. Assim acontecerão as seguintes
situações:
1. Aumento da tensão de fonte e redução de corrente de carga
2. Aumento de tensão da fonte e aumento da corrente de carga
3. Redução da tensão de fonte e redução da tensão de carga
4. Redução da tensão de fonte e aumento da corrente de carga

Se a corrente no zener reduzir abaixo do valor mínimo especificado pelo fabricante de componentes este
sairá da região de regulação. Se a corrente no diodo zener aumentar acima do valor máximo, que provoca
uma potência dissipada maior que a potência especificada pelo fabricante o regulador ira se danificar.
Assim o projeto do regulador deverá manter a corrente no diodo zener acima da corrente mínima e abaixo
da corrente máxima em qualquer condição de carga e variação da tensão de fonte. Seguindo este
raciocínio, o projeto do regulador começa com as condições de variação de fonte e variação de carga.

Pz
I z max = (21)
Vz
Izmin é dado de manual para uma dada tensão zener.

Vmax − Vz
Rz min = (22)
I z max + Ilmin

Vmin − Vz
Rz max = (23)
I z min + Ilmax

O efeito da resistência dinâmica na variação da tensão zener é desprezado nesta avaliação. A equação (22)
indica o menor valor possível para o resistor do regulador que mantém a corrente no zener menor que a
máxima permitida. A equação (23) indica o maior valor possível para o resistor do regulador que mantém
o diodo zener na região de regulação. Na prática usa-se a média geométrica entre os valores calculados
para a regulação.

3.3.6 Diodos especiais


O diodo emissor de luz (LED light emitting diode) converte a corrente direta em luz. Esta conversão
ocorre devido aos diferentes níveis de energia entre os elétrons, assim na recombinação a energia dos
elétrons é convertida em luz ou calor. Para o caso dos LEd´s a escolha do material adequado, tais como
arsenieto de gálio ou fosfeto de gálio aumentam a quantidade de recombinação que emitem fotos na faixa
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visível nas cores vermelha e amarela. O processo de emissão de luz pela aplicação de uma fonte elétrica
de énergia chamado eletroluminescência. Outros materiais são usados e podem emitir luz em outras cores
e até mesmo em infravermelho e ultravioleta. Em geral a tensão direta dos LED é superior a tensão direta
de um diodo comum de silício e a tensão reversa suportada é muito menor. Assim, cuidados especiais em
relação a tensão reversa no LED devem ser tomados. Para o uso de LED´s a corrente típica é de 20 mA e
a tensão para a cor vermelha é de 1,5 V no sentido direto. Os tempos de vida útil dos LED de 100.000
horas e a sua alta eficiência estão colocando este componente como o substituto natural das lâmpadas
comuns.

Figura 28 – Espectro visível

3.3.7 Portas Lógicas com diodos


Outra aplicação dos diodos semicondutores é implementar portas lógicas. Assim a associação de
resistores e diodos resulta em funções lógicas. Por exemplo, seja o circuito da figura 29.

Figura 29 – Porta OU

Considerando o estado lógico 1 como a tensão próxima a +5V e o estado lógico zero próximo a 0V, o
circuito da figura 28 apresenta a função:

Y = V1 + V 2 + V 3 (24)

Figura 30 – Porta E
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S = V 1.V 2.V 3 (25)

Conforme mostrado com o uso de diodos e resistores foi implantado as funções lógicas OU e E
respectivamente.

3.3.8 Circuitos limitadores

Os circuitos limitadores têm uma importante função principalmente na proteção de outros circuitos. De
uma forma geral o limitador age como um ceifador, ou seja, se a tensão ultrapassar certo valor
estabelecido esta será cortada. Um exemplo de circuito limitador é apresentado na figura 31. Observe que
para tensões de entrada menores que 0,7 V não existe influência dos diodos D1 e D2, porém, quando a
tensão de entrada ultrapassar o limiar de 0,7 V haverá a condução de um dos dois diodos e a tensão de
saída não ultrapassará 0,7 V. Este mesmo circuito pode ser usado com diodos zener e assim alterar o valor
da tensão de saída limitada. O gráfico da figura 32 mostra a curva de transferência de um limitador.

Figura 31 – Limitador

Figura 32 – Função de transferência do limitador

3.3.9 Circuitos Grampeadores


Seja o circuito da figura 33, observe que existirá um caminho de carga para o capacitor C, porém, como a
polaridade de carga do capacitor o diodo D é mantido na polarização inversa. Desta forma a tensão sobre
o diodo D aparece deslocada do valor de pico negativo do sinal do gerador. Observa-se na figura 34 que a
linha tracejada representa a tensão na saída do gerador. A linha contínua representa a tensão sobre o diodo
D. Assim a polaridade da tensão sobre o capacitor C, provoca a elevação do potencial da forma de onda
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quadrada de -5 V para 0V, ou seja o circuito grampeador (ou restaurador de nível cc) alterou o valor cc
do sinal quadrado (transformou o sinal bipolar em unipolar). Este circuito pode ainda ser usado em outras
aplicações que envolvem a retirada de nível médio de um sinal qualquer, como por exemplo, sinais PWM.

Figura 33 – Circuito grampeador

Figura 34 – Formas de onda no circuito grampeador

4 Transistores Bipolares de junção

4.1 Estrutura e operação do transistor

O transistor bipolar de junção é um componente de três terminais, a base, o emissor e o coletor.


A base é usada para controlar o fluxo de corrente entre o emissor, que como o próprio nome indica emite
elétrons e o coletor que irá receber estes elétrons. A figura 35 mostra a estrutura do transistor.
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Figura 35 – Estrutura do transistor bipolar.

O material usado para a fabricação do transistor bipolar é um semicondutor de silício que recebe
impurezas, transformado-se em cristal do tipo N ou cristal do tipo P, assim existem duas formas de
construção. A estrutura PNP e a estrutura NPN. Desta forma considerando o transistor NPN tem-se as
duas junções PN, sendo a junção emissor base e a junção coletor base. Dependendo da condição de
polarização (direta ou reversa) de cada uma dessas junções, são obtidos diferentes modos de operação do
transistor bipolar, conforme mostra a tabela 1.

Tabela 1 – Modos de operação

Modo Junção Emissor base Junção Coletor base


Corte Reversa Reversa
Ativo Direta Reversa
Saturação Direta Direta

O modo de operação ativo é usado para a amplificação, enquanto que os modos de corte e saturação são
usados para aplicações de chaveamento.

4.2 Transistor NPN

Na figura 36 é apresentado a transistor do tipo NPN no modo ativo (Condução).

Figura 36 – Polarização do transistor bipolar tipo NPN na região Ativa.


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Para a operação do transistor bipolar na região ativa é necessário o uso de duas fontes externas, uma
aplicada entre base e emissor e outra aplicada entre coletor e base. A tensão VBE produz um potencial
maior de base em relação ao emissor, portanto polarizando esta junção diretamente. A tensão coletor base
VCB produz um potencial de coletor maior que o potencial da base, portanto polarizando a junção coletor
base reversamente. A polarização direta da junção base emissor provoca a circulação de corrente. Esta
corrente é composta de duas componentes, elétrons injetados do emissor a base e lacunas injetadas da
base no emissor. Para o melhor funcionamento do transistor, o fluxo de elétrons deverá ser maior que o
fluxo de lacunas, assim no processo de fabricação a base é feita pouco dopada e o emissor fortemente
dopado.

Os elétrons são portadores majoritários de corrente no cristal do tipo N na região do emissor e quando
atingem a região da base são submetidos a duas forças de atração. Uma delas é o terminal da fonte
emissor base e a outra o terminal positivo da fonte coletor base. Os elétrons que a tingem a região da base
se deslocam em alta velocidade e a sua grande maioria é atraída pelo potencial mais alto do coletor e
atravessam a região de base no sentido do coletor. Como o cristal da base é extremamente fino, os
elétrons que saem do emissor têm facilidade de passar através dele, para o coletor. Alguns elétrons,
contudo, penetram na base e são atraídos pelo terminal positivo da fonte emissor base, formando a
corrente de base. Os elétrons que passam através do coletor e entram na fonte coletor base produzem a
corrente de coletor. Cada elétron que deixa o coletor deve ser substituído por um elétron no emissor para
produzir um fluxo contínuo de corrente. A fonte emissor base irá controlar a quantidade de elétrons que
entram no emissor e conseqüentemente a corrente que sai no coletor.

4.3 Transistor PNP


Na figura 37 é apresentado a transistor do tipo PNP no modo ativo (Condução).

Figura 37 – Polarização do transistor bipolar tipo PNP no modo ativo .

No transistor PNP, o emissor e o coletor são materiais do tipo P e a base é material do tipo N. durante o
funcionamento, a junção emissor base é polarizada diretamente e a junção coletor base é polarizada
reversamente, da mesma forma que ocorre com o transistor do tipo NPN, porém com as polaridades das
fontes invertidas. Os portadores majoritários no cristal do tipo P são lacunas. A polarização direta na
junção emissor base faz com que as lacunas sejam aceleradas para a base. A maioria das lacunas penetra
na fina base do cristal e entra no coletor. As lacunas que chegam ao coletor são preenchidas por elétrons
provenientes do terminal negativo da fonte de coletor. Esses elétrons se deslocam através da fina camada
de base em direção do emissor. Alem disto, uns poucos elétrons entram na base, provenientes da fonte
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emissor base e combina-se com as lacunas que não penetram em direção ao coletor. Todos os elétrons que
chegam ao emissor são atraídos para o terminal positivo da fonte emissor base. Cada elétron que passa do
emissor para a fonte emissor base, deixa uma lacuna em seu lugar. AS lacunas movimentam-se através da
base em direção ao coletor onde se recombinam com os elétrons que entram no coletor.

Comparando os transistores NPN e PNP, pode-se afirmar:


• NPN, o funcionamento depende do fluxo de elétrons através do material cristalino e, daí, através
do circuito externo para fora do material cristalino. Os elétrons entram no emissor e são forçados
em direção a base e entram no coletor. Uns poucos elétrons não conseguem atravessar a região de
base e formam uma pequena corrente de base. A maioria dos elétrons atinge o coletor e daí para o
circuito externo.
• PNP, o funcionamento também depende de elétrons que passam através do material semicondutor
e do circuito externo. Como as seções cristalinas do transistor são invertidas, o fluxo de elétrons é
provocado pelo movimento de lacunas, que também é invertido. Os elétrons entram no coletor,
passam através do transistor e deixam o emissor para o circuito externo.

4.4 Símbolos. Esquemáticos

Na figura 38 é mostrado o símbolo esquemático para os transistores NPN e PNP.

Figura 38 – Símbolos dos transistores NPN e PNP bipolares.

Observe que o emissor é marcado com uma seta e indica o sentido convencional de corrente no transistor.
Desta forma a equação de corrente no transistor será:

Ie = Ib + Ic (26)

A corrente de coletor é relacionada com a corrente de base através do βcc beta ):

Ic
β= (27)
Ib
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4.5 Curvas características do transistor bipolar

Para conseguir as curvas I-V dos transistores bipolares é necessário usar o circuito da figura 39. Assim, é
possível encontrar a corrente de coletor pela tensão de VCE em função da corrente de base.

Figura 39 – Circuito usado para levantamento das curvas IV.

Com o circuito da figura 39 a tensão V1 controla a corrente de base e a tensão V2 irá controlar a
tensão VCE (tensão entre o coletor e emissor) do transistor Q1.

Figura 40 – Curva característica IV do transistor bipolar.

Se as tensões V1 e V2 forem variadas para criar diferentes correntes e tensões no transistor, pode-se
conseguir o gráfico da figura 40. Neste caso a tensão V1 foi aumentada de zero até conseguir uma
corrente de base estável. Depois a tensão V2 foi variada de zero até 32 Volts. Assim o gráfico mostrado
na figura 40 tem dois valores de corrente de base, 10 e 20uA respectivamente. Observe quando VCE é
igual a zero, o diodo coletor não esta polarizada reversamente, o que produz uma corrente de coletor
muito pequena. Para VCE entre zero e 1 Volt, a corrente aumenta rapidamente e atinge um valor
praticamente estável. Assim, quando a tensão VCE mantiver o diodo coletor polarizado reversamente e a
partir deste valor todos os elétrons na região do coletor são atraídos para o potencial V2. Este ponto de
inflexão é conhecido como joelho da curva. Veja que o aumento da tensão VCE acima do joelho terá
pequena influencia na corrente de coletor. Porém, se a tensão de VCE continuar a aumentar, existirá um
ponto que provocará o rompimento do diodo coletor e a corrente irá cresces muito rapidamente. E nesta
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situação o transistor não funcionará como fonte de corrente. Portanto, este valor de tensão VCE deverá
ser evitado, ou seja, em caso de projeto não usar o transistor na região próximo a tensão de ruptura,
conhecida como VCEO, (a tensão na qual o transistor atinge a ruptura estando com a base aberta).
Avaliando a curva do coletor, podem-se destacar três regiões de funcionamento:

• Região de saturação, quando o valor de VCE ainda não polarizou adequadamente a junção coletor
base
• Região ativa, quando o valor de VCE consegue polarizar a junção coletor base reversamente e o
transistor funciona como fonte de corrente
• Região de ruptura, quando VCE atinge altos valores e ocorre a emissão de elétrons de emissor
para coletor independente da corrente de base.

Na região de saturação, o diodo coletor está polarizado diretamente. Por isso, perde-se o
funcionamento normal do transistor e este funciona como uma pequena resistência Ôhmica e não como
uma fonte de corrente. Para que o transistor funcione na região ativa, é preciso que o diodo coletor base
esteja polarizado reversamente e isto requer um valor de VCE maior que um volt ou dessa ordem.

Especificações do transistor bipolar

A tabela 2 mostra os dados do transistor 2N2222.

Tabela 2 – Dados do transistor bipolar.

As especificações mostradas na folha de dados usam o índice o este significa que existe um terminal
aberto (open). O terminal que está aberto será o terminal que não está mostrado, por exemplo, a tensão de
VCEO de 30 V foi medida com a base aberta. A potência total Ptot é conseguida com a seguinte equação:
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Ptot = VCExIc (28)

Esta equação mostra que a potência dissipada no transistor será a tensão VCE pela corrente de coletor.
Para aplicações práticas a potência dissipada no componente deverá estar abaixo da potência especificada
na folha de dados e caso seja necessário usar um dissipador de calor.

4.6 Retas de carga

A reta de carga definirá as condições de trabalho do transistor bipolar. Assim, para definir uma reta
são necessários dois pontos e estes pontos são considerados os estados de corte e saturação do transistor.
O ponto de corte ocorre quando a corrente de base é igual a zero, ou seja, VCE será igual a VCC ( fonte
de alimentação do circuito). A saturação do transistor ocorre quando corrente de coletor atinge o seu valor
máximo (VCE atinge o seu valor mínimo). Para entender melhor esta situação pode-se usar as curvas
características do transistor bipolar e plotar as condições de projeto, conforme mostra a figura 41.

Figura 41 – Reta de carga

As condições para traçar a reta de carga são:

VCE = VCC (29)

VCC
Ic = (30)
R2

O circuito referência para esta reta de carga é mostrado na figura 41.


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Figura 42 – Circuito de polarização.

Observe que a corrente de base estiver ajustada para 10 uA a tensão VCE será de 3 V e conseqüentemente
a corrente de coletor será de 3 mA. Se a corrente de base subir para 20 uA a tensão VCE cairá para 0,7 V
aproximadamente e a corrente de coletor subirá para 6 mA. Com este valor da corrente de base o
transistor atingiu a região de saturação. Veja ainda que só é possível ajustar os valores de tensão e
corrente que estão sobre a reta de carga, ou seja com o circuito dado não é possível circular a corrente de
base de 30 e 40 uA.

Os pontos de corte e saturação do transistor são os estados que o componente funciona como uma
chave.
Quando está na região de corte é considerado um aberto e no ponto e saturação é considerada uma chave
fechada. Assim no circuito da figura 42 se a saída for tomada sobre o terminal de coletor e não for
aplicado nenhum potencial na base o transistor estará no corte e a tensão no coletor será a tensão da fonte
VCC. Se for aplicado um potencial alto na base, com, por exemplo, 5 V via resistor R1 de valor adequado
a tensão apresentada no coletor será aproximadamente zero ( VCE de saturação).

4.7 Polarização de base.

O circuito apresentado na figura 41 recebe o nome de polarização de base e neste caso as tensões de
base e coletor são dispostas em uma única fonte VCC. Assim equacionando a malha de coletor tem-se:
VCC = IcR 2 + VCE (31)

Na malha de base:
VCC = IbRb + VBE (32)

Como: Ic≈Bcc Ib, tem-se:

VCC = BccIbR 2 + VCE (33)

Logo com a reta de carga traçada é possível determinar o ponto de operação, conhecendo o valor de
Ic e de VCC, donde se tira o valor de Ib necessário e o valor de VCE para o ponto de estabilização na
reta de carga.

4.8 Polarização com realimentação de emissor


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No circuito anterior um aumento no βcc, provoca um aumento na corrente de coletor, assim, se for
colocado um resistor em série com o emissor do transistor, este problema poderá ser minimizado. Este
resistor em série com o emissor funcionará como uma realimentação negativa e se a corrente de base
aumentar a corrente de coletor aumenta proporcionalmente e com isto a corrente de emissor, se existe
uma queda de tensão no resistor de emissor, esta valor irá aumentar. O aumento da queda de tensão no
emissor provoca uma redução da corrente de base, que compensa parcialmente um aumento no βcc. O
circuito da figura 43 mostra a configuração da polarização com realimentação de emissor.

Figura 43 – Polarização com realimentação do emissor.

As equações dos circuitos são:

• Malha do coletor

VCC = IcR2 + VCE + IeR3 (34)

• Malha da base

VCC = IbR1 + VBE + IeR3 (35)

4.9 Polarização por divisão de tensão


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Seja o circuito mostrado na figura 44. Observe que existe um divisor de tensão na base gerando uma
tensão de polarização dada por:

R1
VB = VCC (36)
R1 + R 4

Se a corrente de base for muito pequena em relação às correntes que circulam em R1 e R4, pode-
se desprezar o seu efeito, assim a corrente de emissor será:

VB − VBE
Ie = (37)
R3

Figura 44 – Polarização por divisão de tensão.

Como neste calculo de corrente de emissor não aparece o fator βCC, este tipo de polarização imune as
variações deste fator e por esta razão é a polarização mais usada em circuitos eletrônicos.

Para que esta linearização tenha o efeito desejado, será necessário retornar ao circuito equivalente
e verificar o efeito da corrente de base no divisor de tensão da base. Assim na figura 45 é mostrado o
circuito equivalente da polarização por divisor de tensão.
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Figura 45 – Circuito equivalente de entrada .

Equacionando a malha de base, tem-se:


VB = IbRB + VBE + IeR3 (38)

Mas,
Ie ≅ β ccIb (39)

Logo,
VB − VBE
Ie ≅
RB (40)
R3 +
βCC

Desta forma, o resistor de base foi refletido no emissor dividido pelo fator βCC.
Assim é recomendado estimar o efeito do resistor RB. Como o valor do resistor de RB é a associação em
paralelo dos resistores R1 e R4, usa-se a estimativa de :

R 4 ≤ 0,1β CCR3 (41)

Para o projeto da polarização de amplificadores de pequeno sinal existem varias formas de se estabelecer
condições iniciais de projeto. Nesta linha pode-se supor que a tensão de alimentação VCC seja dividida
na malha de emissor e coletor com a seguinte distribuição:
1. Tensão VCE a metade de VCC;
2. Tensão em Rc de 0,4 do VCC
3. tensão sobre Re de 0,1 de VCC

Com estas tensões estabelecidas pode-se escolher a corrente de coletor e conseqüentemente a corrente de
base com o dado hFE ou βCC do transistor escolhido no projeto.
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4.10 Modelamento do transistor bipolar

Para facilitar o projeto de amplificadores pode-se usar um modelo matemático que represente o
funcionamento do transistor. Assim, na análise de amplificadores usa-se o teorema da superposição. Uma
análise usada é para definir a polarização do transistor e já foi apresentada, a outra avaliação é o
comportamento quando o transistor é submetido a um sinal alternado na entrada que provoque a variação
da tensão VCE. Um dos modelos usado na análise de sinais alternados é o Ebers Moll. Na figura 46 são
mostrados os modelos para a análise CC e CA.

Figura 46 – Modelo Ebers Moll para o transistor Bipolar


Este modelo é baseado na curva de IE em função de VBE para VCE constante. Esta curva é mostrada na
figura 47.

Figura 47 – Curva IE VBE .

Observe que uma pequena variação na tensão VBE, ocasiona uma pequena variação de IE. Por convenção
é usado letras minúsculas para sinais CC e letras minúsculas para sinais CA. Desta forma no modelo
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Ebers Moll o diodo mostrado na figura 46 representa o modelo CC e para o modelo CA, o diodo é
substituído por sua resistência dinâmica dada por:

∆VBE vbe
rè = = (42)
∆IE ie

Veja que o formato da curva IE VBE tem o comportamento aproximadamente exponencial, assim para
grandes variações de vbe, a variação de saída não será linear, assim este modelo só é válido para
pequenos sinais. A resistência dinâmica rè depende do valor da tensão VBE, assim para pequenas
variações a aproximação é usada:

25mV
rè = (43)
IE

Já foi mostrado que o fator entre a corrente de coletor IC e a corrente de base IB é chamado de βCC.
Porém, para a variação da corrente de coletor pela variação da corrente de base é conhecida como βCA.

4.11 Configuração emissor comum

Na figura 48 é mostrado um amplificador com transistor bipolar na configuração emissor comum.

Figura 48 – Amplificador na configuração emissor comun.

Observe que existem capacitores de acoplamento Cin e Cout e capacitor de desacoplamento. A função do
capacitor de acoplamento é evitar que a tensão CC presente no amplificador atinja outros circuitos, assim
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a impedância apresentada neste caso deverá ser desprezível. Desta forma a reatância capacitiva deverá ser
muito menor que a impedância a ser acoplada na menor freqüência de trabalho. Uma regra prática é usar a
reatância capacitiva até 10% do valor da impedância a ser acoplada na menor freqüência de trabalho, ou
seja:
1
Xc = = 0,1Z (44)
2πF min C

A função do capacitor de desacoplamento é apresentar uma baixa impedância em relação ao resistor que
esteja conectado. A mesma regra é válida, ou seja, 0,1 RE na menor freqüência de trabalho. Na análise do
amplificador são usados dois modelos equivalentes, um modelo CC e outro modelo CA. No modelo CC
os capacitores são considerados circuitos abertos, e na análise CA os capacitores são considerados curto
circuito e as fontes CC como circuito aberto. Assim na análise da polarização CC as equações
apresentadas em (31) a (41) são usadas para o cálculo da polarização. Para a análise CA é mostrado o
circuito equivalente da figura 49. Note que o resistor de emissor foi desacoplado.

Figura 49 – Equivalente CA para a configuração emissor comum.

Se o transistor bipolar for substituído pelo modelo Ebers Moll, tem-se :

Figura 50 – Modelo CA Ebers Moll.


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A tensão de entrada vent provocará uma corrente:


vent
ie = (45)

Mas se ic é aproximadamente igual a ie, tem-se que a corrente de saída circulando pela carga RC
provocará uma tensão de saída :
vs = −icRC (46)

Note que o sinal negativo indica que a fase do sinal de saída é invertida do sinal de entrada.
Se substituir a equação (45) na equação (46), tem-se:
− ventRc
vs = (47)

O que nos leva ao ganho de tensão do amplificador:

vs − RC
A= ≅ (48)
vent rè

Como os estágios de amplificação são ligados em cascata é necessário conhecer as impedâncias de


entrada e saída do estágio amplificador, desta forma pode-se voltar a figura 50 e observar que a
impedância vista na base será:

vent
Zent = (49)
ib

Mas na equação (37) pode-se encontrar:

Vent = ierè (50)

Substituindo (42) em (41) tem-se:

ierè
Zent = (51)
ib

Ma ie é aproximadamente igual a ic, logo:

β ibrè
Zent = = β rè (52)
ib

Finalmente o circuito equivalente ficará:


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Figura 51 – Impedância de entrada.

Observe que o valor da resistência dinâmica rè aparece multiplicado por β na entrada da base, mas a
impedância vista pelo gerador será a associação em paralelo de Zent, R1 e R2. Assim é possível usar uma
configuração alternativa que representa o efeito da impedância refletida na base, conforme mostra a figura
52.

Figura 52 – Impedâncias de entrada e saída.

A impedância de saída é a impedância vista pelos terminais de saída. Assim analisando o circuito da
figura 52, tem-se uma fonte de corrente com impedância infinita em paralelo com a carga RC. O que nos
leva a conclusão que a impedância de saída será RC.
Esta configuração apresenta alto ganho, porém, o valor de r’e varia com a temperatura. Assim para
aplicações onde é necessário valores de ganho estável, não é recomendado o uso de capacitor de
desacoplamento no emissor. Assim, o circuito equivalente mudará, conforme mostrado na figura 53.
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Figura 53 – Circuito equivalente com resistor de emissor.

Com o resistor RE em série com o transistor, o modelo Ebers Moll será modificado para:

Figura 54 – Modelo Ebers Moll equivalente com resistor de emissor.


Observe que o resistor RE entrará em série com r’e e neste caso a corrente ie será:

vent
ie = (53)
RE + r ' e

Desta forma se o valor de RE for maior que r’e o ganho ficará praticamente dependente de RE. O que se
paga para uma maior estabilidade de ganho é a sua redução.

O ganho nesta configuração será:

− RC
Av = (54)
Re+ r ' e

Analisando a figura 54 a impedância de saída será a resistência total do emissor multiplicada por β, sendo
mostrado em (47).
Zent = R1 // R 2 // β ( RE + r ' e) (55)

A impedância de saída não se altera em relação ao caso do emissor desacoplado.


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Zout = RC (56)

4.12 Configuração coletor comum

A configuração coletor comum é mostrada na figura 55. Note que o resistor de coletor não existe e neste
caso o equivalente CA estará com o coletor aterrado.

Figura 55 – Modelo Ebers Moll equivalente com resistor de emissor.

Veja que o cálculo da polarização continua o mesmo usado na configuração emissor comum,
assim, considerando IE aproximadamente igual à IC, escreve-se:

VCC − VCE
IC = (57)
RC

A polarização na base seguirá o mesmo critério usado na configuração emissor comum. Analisando o
circuito da figura 56, pode-se determinar o ganho de tensão.
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Figura 56 – Modelo Ebers Moll.

vs = ieRE (58)

E
vent = β ib( RE + r ' e) (59)

Logo:
vs βibRE RE
Av = = ≅ (60)
vent ie(Re + r ' e) ( RE + r ' e)

Como Re é muito maior que r’e, o ganho da configuração coletor comum será de aproximadamente 1.

A impedância de entrada do amplificador coletor comum, será :

Zent = β ( RE + r ' e) // R1 // R 2 (61)

A impedância de saída vista nos terminais de emissor e terra será da impedância refletida da base no
emissor mais a resistência dinâmica de emissor em série com o resistor RE ou seja:

R1 // R 2
Zs = RE //(r ' e + ) (62)
β

Desta forma a impedância de saída na configuração coletor comum será bastante baixa.

4.13 Configuração base comum

Seja o circuito mostrado na figura 57. Este amplificador na configuração base comum apresenta a
entrada no emissor e a saída no coletor. Note que o equivalente CC do circuito é exatamente igual ao
circuito CC da configuração emissor comum.
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Figura 57 – Configuração base comum

Figura 58 – Equivalente CC

Desta forma o calculo da polarização será igual à configuração emissor comum. No equivalente CA, a
base é aterrada via capacitor de passagem C1. Para o circuito equivalente CA mostrado na figura 59 tem-
se:
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Figura 59 – Equivalente CA

Observe que a impedância de entrada para a configuração base comum será de aproximadamente r’e, ou
seja
Zent ≅ r ' e (63)

Logo esta impedância será extremamente baixa, o que confere a esta configuração uma característica
especial. Em aplicação que exijam baixa impedância de entrada esta será a escolha ideal.

Analisando a figura 59, tem-s e que a tensão de entrada será:

vent = ier ' e (64)

E que a tensão de saída será:


vs = icRc (65)

Logo o ganho da configuração base comum será:


vs icRc Rc
Av = = ≅ (66)
vent ier ' e ré

E a impedância de saída será de aproximadamente Rc.

5 Amplificadores operacionais

Este componente recebe o nome de amplificador operacional, pois foi projetado originalmente para
trabalhar em computadores analógicos e tinha a função de fazer operações matemáticas, tais como, soma,
multiplicação, integração e diferenciação. Porém o seu uso foi muito alem, pois apresentou características
que podem ser aplicada a outros campos da eletrônica e principalmente em automação.

5.1 Amplificador operacional ideal

O amplificador operacional é um amplificador de tensão controlado que apresenta as seguintes


características:

Tabela 3 – Características do amplificador operacional ideal


Características Valor apresentado
Impednacia de entrada infinita
Impedância de saída Zero
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Ganho de tensão infinito


Resposta de freqüência infinita
Tensão de offset Nula
Correntes de polarização Nula

O modelo matemático para o amplificador operacional é mostrado na figura 60. Note que o ganho de
tensão AV0 é aplicado sobre a diferença da tensão nas entradas V2 e V1 e se estes tensões forem
exatamente iguais a tensão de saída deverá ser nula. Neste ponto aparece o conceito de tensão de offset,
esta tensão é apresentada com uma diferença entre as tensões de entrada, pois em aplicações práticas é
necessário colocar uma pequena diferença entre as tensões nas entradas V2 e V1 para que a tensão de
saída seja nula.

Figura 60 – Modelo para o amplificador operacional

Como a tensão de saída será proveniente de uma diferença de tensão a entrada é conhecida como entrada
diferencial e apresenta a entrada inversora e entrada não inversora. Os amplificadores operacionais
geralmente são alimentados por tensões simétricas, mas existem componentes que podem ser alimentados
por tensões assimétricas. Como a impedância de entrada é infinita, resulta em uma corrente de entrada
nula, esta corrente é conhecida com corrente de polarização. A resposta em freqüência infinita indica todo
sinal de entrada será amplificado independente da freqüência. O atraso entre a entrada e saída é conhecida
como slew rate e para o caso ideal este valor é nulo. O ganho de tensão infinito é considerado em malha
aberta, ou seja, não existe realimentação aplicada ao amplificador operacional.

5.2 Montagens clássicas com o amplificador operacional

Amplificador inversor é mostrado na figura 61. Neste ponto aparece o conceito de terra virtual.
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Figura 61 – Amplificador inversor

Considerando o modelo do amplificador operacional ideal, a resistência de entrada é infinita, o que resulta
em correntes de polarização Ip+ e Ip- nulas. Usando o circuito equivalente do amplificador operacional
mostrado na figura 62, tem-se:

Figura 62 – Circuito equivalente do Amplificador inversor

Como o ganho de tensão AV é infinito, e a tensão de saída EO=AV( e2-e1) (110), a tensão diferencial
será –e1, pois e2 está aterrada, logo:

Eo
− e1 = =0 (67)

Ou seja, a tensão diferencial será nula, ora se a tensão diferencial for nula o resistor R1 estará no mesmo
potencial do terra. Mas a corrente que circula do resistor R1 para terra será nula. Observe que, se a tensão
é nula e a corrente é nula este ponto esta em curto com o terra, mas não existirá corrente, assim esta
situação é conhecida como curto virtual. Usando este conceito o resistor R1 esta com o lado do curto
virtual aterrado, mas a corrente que circula no curto é nula, assim, a corrente devido a fonte de tensão ein
será:
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ein
Iin = (68)
R1

Porém, se a corrente não passa pelo curto virtual, só poderá fluir pelo resistor Rf. Mas como a resistência
de saída do amplificador operacional é nula o lado da saída eo estará aterrado, assim aplicando o circuito
equivalente, tem-se:
eo = − IinRf (69)

Substituindo (68) em (69), tem-se:


− einRf
eo = (70)
R1

Logo o ganho de tensão será:


eo − Rf
Gv = = (71)
ein R1

O sinal negativo aparece, pois, a corrente entra no resistor Rf e no sentido convencional a corrente entra
no potencial mais positivo.

Figura 63 – Circuito equivalente do Amplificador inversor com o curto virtual e resistência de saída nula

A impedância de entrada para o amplificador inversor será o valor do resistor R1 e a impedância de saída
é considerada nula. Outra montagem clássica para o amplificador operacional é o amplificador não
inversor, conforme mostra a figura 64.
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Figura 64 – Amplificador não inversor

Nesta configuração a entrada de sinal ocorrerá no terminal não inversor (entrada positiva +) e o resistor
R1. Como as correntes de polarização Ip+ e Ip- são nulas a impedância vista pelo gerador de sinais ein
será infinita. O conceito de curto virtual continua, ou seja, a tensão ein será aplicada via curto virtual no
resistor R1 . Neste caso a corrente no resistor R1 será:

ein
In = (72)
R1

A tensão de saída será:


eo = In( Rf + R1) (73)

Logo o ganho será:


eo ( Rf + R1)
AV = = (74)
ein R1

Analisando a equação (74), observa-se que o ganho na configuração não inversor pode ser escrita da
forma:
Rf
AV = 1 + (75)
R1

Neste caso se Rf for feito igual a zero, tem-se a configuração Buffer ou isolador. Na figura 65 é mostrado
o amplificador buffer.
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Figura 65 – Amplificador bufferr

Observe que a impedância de entrada será alta e a impedância de saída baixa. O ganho de tensão será
unitário, assim este circuito é usado como adaptador de impedância.

Existe ainda a configuração amplificador somador inversor, onde várias entradas podem ser ligadas juntas
sem que exista interferência entre elas. Isto ocorre, pois o curto virtual consegue isolar os efeitos de uma
entrada na outra, conforme mostra a figura 66.

Figura 66 – Amplificador somador inversor

Como as entradas estão isoladas pelo curto virtual pode-se aplicar o teorema da superposição, assim este
amplificador terá três entradas e a tensão de saída será a soma individual de cada ganho pela tensão de
entrada correspondente, ou seja:
Rf Rf Rf
eot = ein1 + ein2 + ein3 (76)
R1 R2 R3

Na configuração amplificador subtrator são usadas as duas entrada, ou seja, é a soma do amplificador
inversor e não inversor, conforme mostra a figura 67.
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Figura 67 – Amplificador subtrator

Assim a equação do ganho será :

Rf + R1 − Rf
eot = eo1 + eo2 = ein1 + ein2 (77)
R1 R1

Como os ganhos das configurações não são iguais, é possível usar um divisor de tensão na entrada não
inversora de forma a ajustar o ganho das configurações. A figura 68 mostra o amplificador subtrator
balanceado.

Figura 68 – Amplificador subtrator

5.3 Compradores de nível


Se o ganho de malha aberta é bastante alto, pode-se usar o amplificador operacional como comprador de
tensão, ou seja, verificar o nível de tensão em um determinado ponto e indicar se este ponto está maior ou
menor que um ponto de referência. Como o ganho é muito alto qualquer pequena variação poderá gerar
grandes excursões no sinal de saída, assim usando esta característica, é mostrado na figura 69 o
comprador de nível em malha aberta. Note que se a tensão na entrada inversora for maior que a tensão na
entrada não inversora a tensão na saída do amplificador operacional será negativa, conforme mostra a
figura 70.
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Figura 69 – Comprador de nível

Este comportamento ocorre pois na equação (78) a polaridade da diferença irá definir a polaridade da
tensão de saída.
eo = AV (ein1 − ein 2) (78)

Como o ganho de malha aberta é bastante alto a tensão de saída terá um limite pratico da fonte de
alimentação, assim a saída será +VCC ou – VCC, conforme mostra afigura 69..

Figura 70 – Comprador de nível

Observe que uma tensão CC de 5 V foi aplicado a entrada não inversora e um pulso de 0 a 6 V foi
aplicado na entrada inversora. Assim enquanto a diferença entre ein 1 – ein 2 for negativa a tensão de
saída assume a tensão da fonte de – 12V. Quando a diferença for positiva a tensão e saída assume o valor
de +12 V. Note ainda que existe uma pequena diferença entre o valor da tensão de +12V, esta diferença é
ocorre pela saturação do amplificador operacional, assim admite-se uma queda de aproximadamente 2 V
em relação a tensão de alimentação. Um grande inconveniente desta configuração acontece quando existir
um ruído no entorno da tensão na entrada ein 1, ou seja se a polaridade da equação (78) ficar alterando em
função de um ruído, a tensão de saída irá acompanhar esta variação.Assim, para garantir que a comutação
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da tensão de saída na fique independente do ruído, pode-se implementar uma pequena histerese na tensão
de comparação da equação (78). Desta forma, existiram dois pontos de gatilho, sendo um ponto de
comutação acima de uma determinada tensão e outro ponto de comutação abaixo desta mesma tensão. A
diferença entre as comutações deverá ser superior ao ruído existente. Na figura 71 é mostrado um
comprador usando esta técnica.

Figura 71 – Comprador de nível com Histerese

Analisando o circuito da figura 70, a tensão de comparação ficará:

R3
eo = AV (± V − V 1) (79)
R3 + R 2
Onde a tensão V é a tensão de saída do amplificador operacional e a tensão de comparação V1 será
somada ou subtraída da tensão realimentada, assim quando ocorrer uma mudança na polaridade da tensão
de saída do comprador a tensão de comparação sofrerá um modificação. Para melhor elucidar este
funcionamento observe a figura 72.

Figura 72 – Exemplo de Comprador de nível com Histerese

A tensão triangular é aplicada a entrada inversora e um divisor de tensão é aplicado à entrada não
inversora variável realimentada da saída do amplificador operacional. Note que quando a tensão de saída
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do amplificador operacional for positiva a tensão de aproximadamente 1,2 V aparece na entrada não
inversora via divisor de tensão conforme mostra a equação (79). Assim enquanto a tensão triangular for
menor que a tensão de 1,2 V da entrada não inversora a tensão de saída do amplificador operacional
permanece positiva, conforme mostra a figura 71. Quando a tensão na entrada for maior que a tensão de
1,2 v da entrada não inversora a tensão de saída do amplificador irá comutar para –V e a tensão de
realimentação mudará para -1,2 V via divisor de tensão. Note que uma vez comutado a tensão de saída
muda-se a tensão na entrada não inversora. Esta mudança altera a tensão de comparação. Assim uma nova
comutação só irá ocorrer se a tensão triangular na entrada inversora ficar menor que a tensão na entrada
não inversora. Quando esta nova comutação ocorrer, a tensão na saída do amplificador operacional será
positiva e a tensão de realimentação voltará a ser de 1,2 V para a entrada não inversora.

6 Transistor de efeito de Campo (MOSFET)


Já foi apresentado no capítulo 4 os transistores bipolares de junção ou BJT. Conforme apresentado estes
dispositivos podem controlar uma corrente através da variação de uma tensão de controle. Porem existe
ainda outros dispositivos de três terminais que desempenham a mesma função. Os Transistores de efeito
de campo metal-óxido-semicondutor (MOSFET) apresentam o funcionamento bastante similar ao BJT.

6.1 Estrutura do Transistor


O transistor MOSFET do tipo enriquecimento é mostrado na figura 73.

Figura 73 – Estrutura do transistor NMOS tipo enriquecimento

Observe na figura 73 que o substrato é do tipo P (chamado de corpo do componente) e sobre este são
difundidos dois poços do tipo N. Na região entre os poços é aplicada uma fina camada de oxido isolante
de espessura tox de 2 a 50 mm tipicamente. Sobre estas regiões são depositados um camada de metal,
conforme mostra a figura 73. Nesta camada de metal são colocados os terminais do dispositivo, sendo o
terminal de dreno, fonte gate e corpo. Observe que entre os terminais de dreno e fonte existe uma
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distância L, conhecida como comprimento do canal e a largura W, estes parâmetros tem grande influência
no funcionamento do dispositivo. A denominação MOS foi escolhida em função da estrutura do
dispositivo, entretanto outras denominações podem ser encontradas como, por exemplo, transistor de
efeito de campo de porta isolada (IGFET). Na estrutura da figura 73, tem-se duas junções PN, sendo uma
entre o dreno e canal e outra entre a fonte e o canal. O gate é isolado pelo óxido de silício e por esta razão
a corrente de dreno é extremamente baixa ( da ordem de 10-15 A).

6.2 Operação do transistor MOS


Aplicando uma tensão no gate e aterrando os terminais de dreno, fonte e substrato (corpo), existira
concentração de cargas abaixo da região de gate em todo o comprimento L, conforme mostra a figura 74.
G
Metal
VGS
S D

Oxido de silício
N N
L

Canal
Induzido
Substrato tipo P

Figura 74 – Formação do canal

A tensão positiva aplicada no gate ira induzir um campo elétrico na região do substrato. Este campo
elétrico no canal irá repelir as lacunas e do substrato e atrair os elétrons das regiões de dreno e fonte.
Quando estes elétrons acumulados na região próxima a superfície do substrato uma região n é formada
entre os poços de dreno e fonte. Esta camada N irá conectar as regiões de poços dreno e fonte conforme
mostra a figura 74, desta forma um canal é induzindo na região do substrato. Assim, se for aplicado uma
tensão entre dreno e fonte irá existir a circulação de corrente pelo canal induzido. Note que o substrato do
tipo P se transformou em tipo N, ou seja, existiu uma inversão de canal. Para a formação do canal é
necessário um valor mínimo da tensão entre gate e fonte (VDS), esta tensão capaz de formal um canla é
conhecida como tensão de limiar. (Threshold voltage) sendo representado por Vt. O valor de Vt. é
definido na fabricação e varia tipicamente entre 0,5 a 1 ,0 Volt. Note ainda que a placa de gate funciona
como um capacitor, pois o óxido de silício é o isolante e a região de canal a outra placa. Aplicando uma
tensão positiva no gate a tensão, a placa de metal terá acumulado cargas positivas e o canal acumulará
cargas negativas (formando o canal do tipo N no substrato).
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6.3 Polarizando o transistor MOS


Para o funcionamento do transistor é necessário que exista um grandeza a ser controlada, assim se for
aplicado uma tensão entre o dreno e fonte e outra tensão entre gate e fonte, pode-se controlar a corrente
circulante no canal. Inicialmente a corrente no canal dependerá da tensão VGS. Se a tensão VGS é igual a
tensão de limiar Vt existira a circulação de corrente, porém o canal induzido terá poucos elétrons
resultado em uma baixa corrente. Se VDS aumentar acima de Vt a corrente de dreno irá aumentar, pois
mais elétrons são atraídos para o canal. Note que o sentido adotado de corrente é o sentido convencional,
pois a corrente no canal circula e dreno para fonte. Na figura 75 ilustra este comportamento. Note que a
representação do aumento de portadores no canal é representada pelo aumento da profundidade e
conseqüentemente pelo aumento da condutância.

Metal
VDS
VGS D
S

Oxido de silício
N N
L

Canal
Induzido
Substrato tipo P

Figura 75 – Polarização do transistor MOS 1

Assim, quanto maior for a diferença entre VDS e Vt maior será a condutância do canal (menor a
resistência). Esta diferença é conhecida como tensão efetiva ou sobre tensão de condução. Assim quanto
maior for a tensão efetiva maior será a corrente de dreno. Porem, à medida que VDS a tensão ao longo do
canal sofrerá um estrangulamento em função da diferença VGS- VDS, conforme mostra a figura 75.
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Metal
VDS
VGS D
S

Oxido de silício
N N
L

Canal
Induzido
Substrato tipo P

Figura 76 – Polarização do transistor MOS 2

Esta redução do canal irá aumentar a resistência do canal. Se a tensão VDS continuar a aumentar existirá
um ponto onde a tensão no final do canal (próximo a região de dreno) que o canal será estrangulado, ou
seja:
VGS − VDS = Vt (80)

Se VDS aumentado acima deste valor a corrente de dreno praticamente não sofrerá variação, conforme
mostra a figura 77. Este valor é conhecido como VDS de saturação.
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Figura 77 – Curva do transistor MOS

Desta forma, podem-se definir duas regiões de operação. Quando a tensão VDS for menor que VGS- Vt a
corrente de dreno será proporcional a tensão VGS e esta região é conhecida como região triodo (ou região
Ôhmica). Quando a tensão VDS for maior que VGS- Vt a corrente de dreno esta praticamente saturada,
portanto esta região é conhecida como região de saturação.

6.4 Equações de controle de corrente


A variação da tensão de gate (VGS) altera a condução do canal e conseqüentemente a corrente entre
dreno e fonte. Porém existe uma relação entre a variação da tensão VGS e a corrente ID. Esta relação
dependerá da região de operação do transistor MOS. Um conceito importante no funcionamento do
transistor MOS é a existência de um capacitor entre o gate e o substrato, pois existe um metal isolado pelo
óxido de silício do substrato elementos estes básicos para a formação de um capacitor de placas paralelas.
Assim a capacitância por unidade de área do transistor MOS será:

ε OX
C OX = (81)
t OX
Onde: COX é a capacitância por unidade de área
-11
ε OX é a permissividade do óxido de silício e vale 3,9 ε O =3,45X10 F/m
tOX é a espessura do óxido de silício e depende da tecnologia do processo de fabricação

Na região de saturação, a corrente ID é dada por:


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1 W
ID = ( µnCOX )( )(VGS − Vt ) 2 (82)
2 L
Onde: µ n é a mobilidade dos elétrons no canal é depende da tecnologia do processo.

Na região triodo, a corrente ID é dada por:

W 1
ID = ( µ n COX )( )[(VGS − Vt )VDS − VDS 2 ] (83)
L 2
Nas equações (82) e (83) o termo µ nCOX é conhecido como parâmetro de transcondutância do processo é
pode ser relacionado como:

K ' n = µ N COX (84)

A relação entre a largura e comprimento do canal é conhecida como relação de aspecto. Esta relação é
usada pelos projetistas de circuitos integrados para alterar a relação entre a corrente e tensão nos projetos
de circuitos dedicados. Porém existe a limitação da tecnologia em relação às dimensões mínimas que
estão ligadas a tecnologia da fabricação. Por exemplo, a tecnologia de 0,13µm determina o comprimento
mínimo do canal.

6.5 Transistores CMOS


O transistor MOS de canal P opera de modo simular ao transistor MOS canal N, porem as tensões
aplicadas com VGS, VDS e VT tem a polaridade negativa e a corrente de ID entra pela fonte e sai pelo
dreno. Na figura 78 é mostrado a tecnologia CMOS ( MOS complementar), onde vê-se transistores de
canal N e canal P.

Figura 78 – Tecnologia CMOS


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Observe que no transistor PMOS existe um poço N e são difundidos dois poços P sobre um substrato do
tipo P.Veja ainda que existe uma separação de oxido de silício espessa entre os dois transistores,
funcionando como um isolante.

6.6 Curvas características do transistor NMOS tipo enriquecimento


O símbolo do transistor NMOS é mostrado na figura 79. Note que o terminal de substrato pode ser ligado
internamente ao terminal de fonte o símbolo pode ser simplificado.

R
D

G F
Normal
D

F
Simplificado
Figura 79 – Símbolo do transistor NMOS

Para determinar a relação entre a corrente de dreno e a tensão de gate, pode-se usar o modelo da figura
80.

Figura 80 – Circuito de teste

Desta forma se a tensão VGS variar pode-se medir a corrente de dreno e assim, levantar esta relação.
Variando a tensão VGS de 2,9 a 4 V tem-se a resposta na figura 81. Observe que existem claramente três
regiões de operação, para tensão abaixo de VT praticamente não existe corrente de dreno. Esta região é
conhecida como região de corte e a resistência apresentada pelo transistor NMOS é muito alta. Para
valores de VGS maiores que Vt mas atendendo a condição da região triodo.

VDS ≤ VGS − Vt (85)


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A resistência apresentada pelo transistor NMOS se aproxima a um reta para pequenos valores de VDS,
esta região é também conhecida como região ôhmica. Para valores de VDS maiores que a diferença
VGS − Vt tem-se a região de saturação e a corrente de dreno fica praticamente independente da tensão
VDS, conforme mostra a figura 81. Assim o transistor MOS poderá operar nas três regiões e dependerá da
tensão de polarização VGS.
Assim na região triodo a corrente ID será:

W 1
ID = ( µ n COX )( )[(VGS − Vt )VDS − VDS 2 ] (86)
L 2
Porem para pequenos valores de VDS a pode-se aproximar a equação (78) para:

W
ID = ( K 'n )( )[(VGS − Vt )VDS ] (87)
L
Esta relação linear representa o funcionamento na região triodo de uma resistência rds controlada por
VGS ou seja:
VDS 1
rds = =
ID W (88)
K 'n (VGS − Vt )
L
A equação (87) somente é valida para VDS pequeno. Quando a tensão VDS for igual a VGS – Vt o
transistor está no limite entre as regiões de triodo e saturação, assim se esta condição for substituída na
equação (78) a corrente ID na saturação será:

1 W
ID = K 'n (VGS − Vt ) 2 (89)
2 L

Figura 81 – Curvas ID x VDS para VGS constante

Desta forma a corrente de dreno na saturação depende somente da tensão VGS e se comporta como um
gerador de corrente controlado por VGS. Para melhor entendimento os limites e pontos importante de
funcionamento do transistor MOS enriquecimento são mostrados na figura 82.
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Tensão

G
Vt

D Triodo

Limiar
Vt

Figura 82 – Níveis de tensão nos terminais do transistor MOS

Até o momento a corrente de dreno não depende da tensão VDS. Porem, a partir do inicio da saturação
onde:
VDS = VGS − Vt = VDS sat (90)

Ocorrera o estrangulamento do canal, mas se a tensão VDS continuar a aumentar acima deste limite o
canal será estrangulado a partir de dreno em direção a fonte. Este aumento no estrangulamento do canal
reduz o comprimento do canal e conseqüentemente aumentará a corrente de dreno. Assim, este efeito
indica que existe uma dependência da corrente de dreno com a tensão VDS. Este fenômeno é
contabilizado na equação (83) e conhecido como modulação do comprimento do canal.

1 W
ID = K 'n (VGS − Vt ) 2 (1 + λVDS ) (91)
2 L
Onde o parâmetro λ depende da tecnologia e é representado por:

1
VA = (92)
λ
Assim a tensão VA, representa a tensão de Early e indica a dependência da corrente de dreno na tensão
VDS. Desta forma pode-se montar um modelo para o transistor MOS na região de saturação, conforme
mostra a figura 83.
G D

ID ro

Figura 83 – Modelo para o transistor MOS na saturação

Onde
VA
ro = (93)
ID
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6.7 Efeito de corpo


O substrato (ou corpo) pode ser conectado ao terminal de fonte e neste caso, não tem efeito na polarização
reversa da junção PN entre o substrato e o canal induzido. Mas se for aplicado uma tensão entre o
terminal de fonte e substrato, conhecido como VSB, o comportamento do canal é afetado. Se for aplicado
uma tensão negativa no substrato em relação ao terminal de fonte a região de deflexão no entorno dos
poços e canal será aumentado reduzindo a profundidade do canal. Esta modificação no canal é
equivalente a modificação na tensão de limiar VT, conforme mostra a equação (94)

Vt = Vt0 + γ [ 2φ f + VSB − 2φ f (94)

Onde : φ f é um parâmetro físico


γ é um parâmetro de processo.
Desta forma uma variação na tensão VSB irá resultar em uma variação de VT e conseqüentemente na
variação de ID. Este fenômeno é conhecido como efeito de corpo e pode ser usado como outra porta no
transistor MOS.

6.8 Efeitos da temperatura


O valor da tensão de limiar e o parâmetro de transcondutância do processo são sensíveis a variação de
temperatura. O módulo de VT diminui cerca de 2mV para cada aumento na temperatura de 1°C. Com a
redução do módulo da tensão de limiar a corrente de dreno aumentará. Porem, o aumento de temperatura
ocasiona a redução de K’,desta forma, o efeito final será a redução da corrente de dreno com o aumento
da temperatura.

6.9 Transistor PMOS


O comportamento do transistor PMOS é muito semelhante ao transistor NMOS a diferença ficará por
conta da polaridade das tensões de limiar, tensão de gate e tensão de fonte. As regiões de operação
também são idênticas. A figura 84 mostra o símbolo do transistor PMOS.

G F
Normal
D

F
Simplificado
Figura 84 – Símbolo do transistor PMOS

6.10 Polarização do transistor MOS


Para que o transistor MOS funcione como amplificador é necessário que o sinal de saída seja
proporcional ao sinal de entrada. Mas conforme mostrado a operação do transistor MOS na saturação é
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regida por uma lei quadrática mostrada na equação (82). Assim para a correta operação como
amplificador é necessário aplicar valores de tensões e correntes de polarização e definir a excursão
máxima permitida na entrada capaz de manter a linearidade na saída. Com um exemplo pode-se aplicar
uma tensão de polarização entre porta e fonte e outra tensão de polarização no dreno conforme mostra a
figura 85.

Figura 85 – Estrutura básica do amplificador MOS


V0 Corte Saturação Triodo

VDD O A

VDSQ Q

B
C

Vt VDD
VI
Figura 86 – Curva de transferência do amplificador MOS

Observe que o ponto Q será o ponto de polarização do transistor MOS capaz de funcionar como
amplificador para sinais pequenos. Veja ainda que se o transistor MOS receber na entrada VI um sinal
maior que VDS + Vt o ponto B é atingido e o transistor entra na região triodo. Para sinais menores que Vt
o transistor permanece no corte, representado pelo ponto A. Neste ponto é importante que se tenha a clara
noção de que quando o transistor está na região de saturação existirá uma fonte de corrente, mostrada no
modelo da figura 83. Para melhor compreensão da curva de transferência da figura 86, os segmentos de
retas são divididos e mostrados na tabela 4. Observe que a tensão de entrada representada por Vi é na
verdade a tensão VGS. A tensão de saída Vo representa a tensão VDS.

Tabela 4 – Regiões de operação do transistor MOS


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Região de corte Região de saturação Região triodo


Tensão de entrada Vi VGS ≤ Vt VDS + Vt ≥ VGS ≥ Vt VGS > Vt + VDS
Tensão de saída Vo VDS = VDD VDD ≥ VDS ≥ VGS − Vt VDS < VGS − Vt

6.11 Polarização com tensão de gate fixa e resistor de fonte


Seja o circuito da figura 87. Observe que o divisor RG1 e RG2 formam um divisor de tensão e provê a
tensão de polarização VGS. Note que a tensão de gate será:

VG = VGS + I D Rs (95)

Desta forma se VG for muito maior que VGS, a corrente de dreno será determinada em grande parte pelos
valores de VG e RS, sofrendo menor influência de VGS. Observe ainda que RS comporta-se como uma
realimentação negativa, ou seja, se a corrente de dreno aumentar por efeito da temperatura a queda de
tensão no resistor RS irá aumentar, mas a tensão de gate não se alterou, o que provoca a redução da
tensão VGS. A redução da tensão VGS provoca uma redução na corrente de dreno, assim a resposta do
circuito a um aumento na corrente de dreno foi uma redução na tensão de polarização VGS. Um grande
problema do uso de transistores MOS, está no fato de que existe uma grande dispersão de parâmetros na
fabricação, desta forma se a tensão de limiar mudar o ponto de polarização também muda. Assim este tipo
de polarização apresenta uma boa tolerância a variação dos parâmetros do componente.

Figura 87 – Polarização de tensão VG fixa e resistência de fonte

Para o projeto do circuito de polarização, observe que a corrente de gate é nula. Logo a tensão de gate
será a tensão desenvolvida no resistor RG2. Este fato permite ao projetista escolher da melhor forma o
valor da impedância de entrada do amplificador.

Calcular os componentes de polarização da figura 87, com os seguintes dados:


1. ID=0,5mA
2. K’nW/L=1mA/V2
3. Vt= 1V
4. λ=0
5. VDD=15V
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Não existe uma regra para determinar a tensão sobre os resistores RD, RS e VDS, mas um caso típico é
dividir a tensão de alimentação igualmente. Assim a tensão VD será 60% da tensão VDD. Logo:
VDD = IDRD + VDS + IDRS (96)

VDD − VDS − IDRS


RD = (97)
ID
Mas
IDRS + VDS = VD = 10V (98)

Logo,
VDD − VD 15 − 10
RD = = = 10kΩ
ID 0,5 (99)

Para o uso como amplificador é escolhido a região de saturação. Um bom artifício é considerar a tensão
Vov = (VGS − Vt ) e assim evitar o cálculo do quadrado da diferença no cálculo da corrente de dreno, esta
tensão é chamada de sobre condução e indica quanto a tensão entre gate e fonte supera a formação do
canal. Logo:

2 ID
Vov = = 1V (100)
K ' nW / L
Mas
VGS = Vov + Vt = 2V (101)

Assim VG será:
VG = VS + VGS = 7V (102)

Uma vez conhecido o valor da tensão VG, basta agora definir os resistores RG1 E RG2. Assim se a
corrente na malha RG1 e RG2 for definida como 1uA, logo :

7
RG 2 = = 7 MΩ (103)
1µA

8
RG1 = = 8MΩ (104)
1µA
O circuito final é mostrado na figura 88.
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Figura 88 – Polarização de tensão VG fixa e resistência de fonte

6.12 Polarização com resistor de realimentação entre dreno e porta

Seja o circuito mostrado na figura 89. Observe que a corrente no resistor RG é nula, uma vez que a
corrente de gate é zero, desta forma, a tensão VGS passa a ser igual a VDS e pode ser indicado como:

VGS = VDS = VDD − IDRD (105)

Equacionando o circuito da figura 88 a equação de polarização será:

VDD = VGS + IDRD (106)


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Figura 89 – Polarização com resistor de realimentação entre dreno e porta


Note que a realimentação negativa do resistor RG, tem o seu funcionamento similar ao resistor de fonte
para a polarização de VG Fixo. Veja que se a corrente de dreno aumentar, a queda de tensão no resistor
RD aumentará e conseqüentemente reduz a tensão VGS. Com a redução da tensão VGS a corrente de
dreno diminui.

6.13 Amplificação linear com pequenos sinais


Uma vez polarizado o transistor MOS deverá prover na saída um sinal proporcional ao sinal de entrada.
Para esta avaliação pode-se supor que o sinal aplicado ao transistor tenha duas componentes, uma
componente de polarização CC e outra componente de variação alternada. Partindo deste pressuposto,
pode-se usar o esquema mostrado na figura 90.

Figura 90 – Sinal composto aplicado ao transistor


Note ainda que para o nível cc foi usado a notação maiúsculo e para o sinal alternado foi usado a notação
minúsculo. Desta forma o sinal aplicado no gate será, considerando a modulação de comprimento de
canal nula:
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VG = VGS + vgs (107)

Assim a corrente de dreno para a região de saturação será:

1 W
ID = K ' n (VGS + vgs − Vt ) 2 (109)
2 L
Resolvendo a equação (109),tem-se:

1 W W 1 W
ID = K ' n (VGS − Vt ) 2 + K ' n (VGS − Vt )vgs + K ' n vgs 2 (110)
2 L L 2 L
Analisando a equação (110), tem-se que o primeiro termo é a componente cc da corrente de dreno, o
segundo termo representa a componente alternada proporcional ao sinal de entrada vgs. O terceiro termo
indica uma distorção proporcional ao quadrado do sinal de entrada. Desta forma para o uso do transistor
MOS como amplificador linear é necessário que esta distorção seja mantida pequena, ou seja:

W 1 W
K'n (VGS − Vt )vgs. >> K ' n vgs 2 (111)
L 2 L
Resultado em:
2Vov = 2(VGS − Vt ) >> vgs (112)

Assim a componente alternada do sinal de entrada deve ser muito menor que a sobre tensão de condução
Vov para evitar a distorção quadrática do transistor MOS. No projeto de amplificadores discretos o
fabricante não fornece as dados referentes as dimensões do canal e o parâmetro de transcondutância do
processo, mas fornece a transcondutância do componente, assim pode-se fazer uso da seguinte relação:

W
gm = K ' n (VGS − Vt ) (113)
L
Baseado nesta relação o modelo equivalente para pequenos sinais será:
G

vgs
gmvgs ro

F
Figura 91 – Modelo do transistor MOS para pequenos sinais

6.14 Amplificador Fonte comum


Seja o circuito da figura 92. Considerando que na faixa de freqüência de operação do amplificador a
impedância dos capacitores C1, C2 e CS desprezíveis e a fonte de tensão com impedância interna nula o
circuito equivalente é apresentado na figura 92. Note que os resistores de gate aparecem no equivalente
AC em paralelo com a fonte de entrada e o resistor RD entra em paralelo com a carga RL. Note que a
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fonte de tensão de entrada apresenta uma impedância de entrada Ri, ou seja, existira uma divisão de
tensão na entrada do amplificador dado por:
RG
vgs = ein (114)
Ri + RG

VDD

RG1 RD

C2
C1 Vo

RL

Ein

AC
RG2 RS CS

Figura 92 – Amplificador Fonte comum

Ri D
G
Vo

vgs gmvds
AC RG ro RD RL
F

Figura 93 – Equivalente AC

Na prática o valor de RG é muito maior que Ri, assim a tensão de entrada pode ser aproximada para:
vgs = ein (114)

A impedância de entrada do amplificador fonte comum é o próprio valor de RG, visto que a corrente de
gate IG é nula. A tensão será:

eo = − gmvgs (ro // RD // RL) (115)

Substituindo a equação (114) em (115) tem-se:


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eo
Gv = = − gm(ro // RD // RL) (116)
ein
A impedância de saída vista pela carga RL será:
Rout = RD // ro (117)

6.15 Amplificador fonte comum com resistor de fonte


O resistor de fonte conforme já apresentado resulta em uma realimentação e tem influência na redução de
ganho do amplificador. A figura 94 mostra o amplificador fonte comum com resistor de fonte.
VDD

RG1 RD

C2
C1 Vo

RL

Ein

AC
RG2 RS

Figura 94 – Amplificador fonte comum com resistor de fonte

O modelo equivalente para o amplificador fonte comum com resistor de fonte é mostrado na figura 95.
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RD RL

Ri
G

1/gm

AC RG F

RS

Figura 95 – Equivalente AC

Para maior simplificação de circuito o modelo T é usado onde a corrente de gate continua nula e entre
gate e fonte é colocado uma resistência de valor 1/gm. O efeito da modulação de canal não é considerado
nesta avaliação. A impedância de entrada vista pelos terminais de gate e fonte continua com o valor RG.
Porém a tensão de entrada ein é dividida pelos resistores Ri e RG.
RG
ei = ein (118)
RG + Ri
Onde ei é a tensão na entrada do gate. Note agora que ei não é a tensão vgs, pois existira um divisão dada
por:
1
gm ei
vgs = ei = (119)
RS +
1 1 + gmRS
gm
Observe que a introdução de RS reduz o sinal a ser amplificado. A corrente da fonte de corrente id no
equivalente ac será:
ei eigm
id = =
RS +
1 1 + gmRS (120)
gm
Logo a tensão de saída vo será:
vo = −id ( RL // RD) (121)

Substituindo (111) em (112) tem-se:


eigm
vo = − ( RL // RD) (122)
1 + gmRS
Assim o ganho do amplificador será:
vo gm
=− ( RL // RD) (123)
ei 1 + gmRS
Finalmente a relação entre o sinal de entrada ein e o sinal de saída eo será o ganho de tensão total é será:
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vo gm RG
=− ( RL // RD) (124)
ein 1 + gmRS RG + Ri
Note que o uso do resistor de fonte também reduziu o ganho de tensão do amplificador fonte comum, no
fator de (1+gm RS).
A impedância de saída será o RD, pois foi desprezado o efeito da modulação de corpo.

6.16 Amplificador porta comum


Neste caso a fonte de tensão AC é aplicada entre fonte e gate e a saída é entre o dreno e gate, conforme
mostra a figura 96. Observe que com o gate ligado ao terra a tensão vgs ficou negativa (vsg).
A impedância vista na entrada do amplificador será:

1 RS
Rin = RS // = (125)
gm 1 + gmRS
Mas a tensão na entrada do amplificador será:
Rin
ei = ein (126)
Rin + Ri
Então,
eo = −id ( RD // RL) (127)

id = −vgsgm (128)

Substituindo (127) em (128) tem-se:


eo = vgsgm( RD // RL) (129)
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VDD

RD

C2
Vo

RL

C1

Ein
RS

VSS
AC

Figura 96 – Amplificador gate comum

Ri F
D
1/gm Vo

RS RD RL
AC

Figura 97 – Equivalente AC

Logo o ganho de tensão será.


eo
= gm( RD // RL) (130)
vgs
O ganho total será:
Rin
Gv = gm( RD // RL) (131)
Rin + Ri
Se a impedância interna da fonte AC for relativamente pequena pode-se supor que :
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Rs
Rin ≈ (132)
1 + gmRS
A impedância de saída do amplificador gate comum será de RD.

6.17 Amplificador dreno comum


No amplificador dreno comum a entrada é feita no gate e a saída na fonte, conforme mostra a figura 98.
VDD

RG1

C1

C2
Ein

RL
AC
RG2 RS

Figura 98 – Amplificador dreno comum

Ri G

AC RG 1/gm

RS RL
ro

Figura 99 – Equivalente AC
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Na figura 99 é mostrado o circuito equivalente AC. Veja que a impedância de entrada é da pelo resistor
RG. A impedância de saída será:
1
Zout = RS // ro // (133)
gm
Considerando que RG muito maior que Ri a tensão na entrada do amplificador dreno comum será
aproximadamente ein. Ora, analisando a figura 99, tem-se que a tensão de saída eo é a tensão sobre a
carga RL dada por:
RL // RS // ro
eo = ein
1
RL // RS // ro + (134)
gm
Logo o ganho de tensão total será:
eo RL // RS // ro
GV = =
ein RL // RS // ro + 1 (135)
gm

Observe que o ganho será menor que um. Ora qual é a vantagem de se usar um ganho de tensão menor
que um? Para entender o porquê do uso desta configuração, deve-se observar a impedância de entrada e a
impedância de saída. Na impedância de entrada é definida pelo o valor de RG e normalmente pode-se
usar valores bastante elevados. A impedância de saída é definida pelos valores de RS e 1/Gm que
normalmente são menores. Desta forma, este circuito é usado como adaptador de impedâncias, pois pode-
se ajustar uma alta impedância de entrada e uma baixa impedância de saída com o ganho
aproximadamente unitário.

6.18 Comparação
Para finalizar o estudo dos transistores de efeito de campo do tipo MOS a tabela 5 mostra uma
comparação das principais características das configurações apresentadas.
Tabela 5 – Comparação entre as configurações
Configuração Zin Zout Ganho
Fonte comum RG RD // ro gm( RD // RL // ro)
Fonte comum com RG RD gm( RD // RL)
resistor de fonte 1 + gmRS
Gate comum 1 RD gm( RD // RL)
gm
Dreno comum RG
RS // ro //
1 RL // RS // ro
gm 1
RL // RS // ro +
gm

7 Tipos de acoplamentos
Nas discussões de BJT ou MOS feitas até aqui, não foi mencionado como os amplificadores são ligados.
Existem várias forma de acoplar a saída de um estágio amplificador a entrada de outro estágio. Pode-se
usar capacitores, transformadores, acoplamento direto ou outras métodos. Desta forma uma visão geral de
como se liga os amplificadores é dada neste tópico
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7.1 Acoplamento a capacitor


Neste método usa-se um capacitor de valor tal que a sua impedância em relação as impedâncias
envolvidas é desprezível. Assim o acoplamento a capacitor bloqueia o nível contínuo (Sinal cc) e
apresenta baixa impedância para o sinal alternado (considerado um curto). Por exemplo, a figura 100
onde os estágios são conectados via capacitor de acoplamento.

Figura 100 – Acoplamento a capacitor

7.2 Acoplamento a transformador.


No acoplamento a transformador existe uma ligação magnética entre os circuitos e uma alta isolação
contínua, entretanto o alto custo deste componente e as suas grande dimensões reduzam muito a sua
aplicação em baixa freqüência.

Figura 101 – Acoplamento a transformador

O uso de transformadores ainda é muito freqüente em aplicações de RF onde o custo é relativamente


baixo e podem ser usados como adaptadores de impedância.
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8 Amplificadores de potência
O projeto de amplificadores de potência não usa modelos lineares, pois a grande excursão do sinal de
saída não permite o modelamento matemático. Desta forma o projeto aqui apresentado calcula a
polarização dos componentes em função da potência de projeto, escolhendo as condições para a menor
distorção possível.

8.1 Espelhos de corrente


A técnica de espelhos de corrente é amplamente usada em projetos de circuitos. Esta técnica estabelece a
corrente de coletor, estabelecendo um valor de tensão de base para os transistores BJT. Seja a figura 102.

Figura 102 – Espelho de corrente BJT


A corrente no diodo D1 é aproximadamente:

V − 0,7
Id = = 11,3mA (136)
R
Esta aproximação é válida, pois a corrente de base é desprezível, assim se as características do material do
transistor forem semelhantes ao material do diodo, a variação em função da temperatura é compensada.
Se a tensão VBE for igual a tensão VD a corrente Id será igual a corrente de emissor de Q1. Por esta
razão este circuito recebe o nome de espelho de corrente, pois a corrente de coletor será aproximadamente
igual a corrente no diodo. Porem se as características do diodo não forem bastante aproximadas à
característica do transistor existirá uma diferença entre a corrente no diodo e a corrente de coletor do
transistor. A figura 103 mostra a simulação da configuração apresentada na figura 102 variando a tensão
de fonte de 1 a 12 Volts. Observe que a corrente no resistor e diodo aumenta linearmente e quanto que a
corrente de coletor apresenta uma variação exponencial. Assim a curva VBE do transistor não é
exatamente igual a curva VD do diodo e esta diferença provoca a variação entre as correntes no diodo e
transistor.
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Figura 103 – variação de características noEspelho de corrente BJT

Esta técnica pode ser aplicada ao transistor MOS se o diodo for substituído por um transistor conforme
mostra a figura 103. Observe que a corrente no transistor M2 será:

V − VGS
ID = (137)
R
Quando o dreno é colocado em curto com o gate o transistor é forçado a trabalhar na região de saturação.
Desta forma a tensão VGS do transistor M2 é aplicado ao transistor M1 e se as dimensões W e L forem
iguais e as características do material construtivos iguais a corrente de dreno de M1 será igual a corrente
de dreno de M2. Esta afirmação somente é válida se o transistor M1 estiver na região de saturação. Esta
técnica é muito empregada na fabricação de circuitos integrados e pode gerar uma corrente de referência
que é replicada para fornecer correntes de polarização para diversos estágios amplificadores.

Figura 104 – Espelho de corrente MOS

8.2 Amplificadores de potência classe AB


Conforme já mencionado para a amplificação de grandes sinais não se usa modelos aproximados. Desta
forma os amplificadores de grande sinal são feitos projetados para a melhor eficiência de energia. Nesta
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linha a configuração Push-Pull ou par complementar é a preferida na escolha de amplificadores de


potência. A figura 105 mostra o princípio de funcionamento da saída complementar.

Figura 105 – Configuração par complementar

Esta configuração recebe este nome em função do uso de transistores com características de tensões e
correntes máximas iguais em módulos, mas de polaridade diferentes. Assim nesta configuração os
resistores de polarização colocam os transistores Q1 e Q2 na eminência de conduzir. Qualquer sinal
aplicado irá fazê-los conduzir, sendo que para o semi ciclo positivo o transistor Q1 conduz e para o semi
ciclo negativo a transistor Q2 irá conduzir. Como a carga esta colocada entre os emissores e terra esta
configuração é do tipo coletor comum (ou seguidor de emissor). A configuração mostrada na figura 105
apresenta um grave inconveniente. O ajuste correto da eminência de condução não é fácil, pois qualquer
variação na tensão VBE de Q1 ou Q2 irá mudar o ponto de polarização e introduzir distorções, alem disto
como a potência é alta existira o aquecimento dos transistores e o aumento da temperatura causa a
redução do VBE. Desta forma a aplicação da técnica de espelho de corrente é mais indicada neste caso.
Observando a figura 104, a máxima tensão positiva ocorre na saturação de Q1 e corte de Q2. A máxima
tensão negativa ocorre com a saturação de Q2 e o corte de Q1, logo pode-se equacionar:

Vef 2 1
PL = = ( 2Vp − Vsat ) 2 (138)
RL RL
Onde: Rl é a resistência de carga
Vp é a tensão de pico na carga
Vsat é a tensão de saturação

Conhecendo a máxima tensão na carga e considerando o ganho da configuração coletor comum unitária o
ganho dos estágios anteriores devem ser capaz de receber o nível a amplificado e prover o ganho de
tensão necessário até atingir o valor de Vp. Normalmente são usados vários estágios de amplificação e o
ultimo estágio antes da etapa de potência recebe o nome de exitador ou driver. A figura 106 mostra a
configuração de um amplificador com par complementar e um estágio exitador.
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Figura 106 – Amplificador com par complementar

9 Bibliografia

1 -Elertrônica Volume 2, Malvino Abert Paul


2 -Microeletrônica, Adel S. Sedra, Kenneth C. Smith
3- Amplificadores operacionais, Arthur F. de Gruiter
4 -Amplificador operacional, Roberto Antonio Lando
5 -Circuitos eletricos, Robert A. Bartkowiak
6 -Eletrônica Volume 1, Malvino Albert Paul