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UMSA INGENIERÍA MECÁNICA LABORATORIO ELECTRÓNICA I Ing.

MAURICIO HUBNER

LABORATORIO 7 – TRANSISTOR COMO AMPLIFICADOR

1.- El transistor, como una de sus funciones principales, puede ser utilizado como
amplificador de señales. El presente laboratorio trata del uso del transistor bipolar como
amplificador trabajando en la región lineal.

En referencia al siguiente circuito:

Vcc

RB1 Rc Co
rs Ci

vs RB2 RL
RE CE

Es una configuración en emisor común. Se caracteriza por amplificar la señal tanto en


voltaje como en corriente.

CE evita que Re afecte a la amplificación en alterna. Ci de entrada y Co de salida tienen la


función de desacoplar (eliminar) los componentes DC en el funcionamiento con señal.
Considerar que rs es la resistencia interna de la fuente y es de 50 Ω. RL es la resistencia de
carga, considerar que su valor es 1KΩ.

En DC sólo queda el circuito de polarización del transistor.


Vcc

RB1 Rc

RB2
RE

1) Polarizar el transistor y encontrar el punto Q de reposo. Utilizar las


características del transistor BC 548. Utilizar: Vcc = 12 V, Ib = 100 µA, Vcc/(RC+RE) = 80 mA,
IcQ=27mA

Ic
80mA
ICQ = 27 mA Q
Ib = 100 µA

12V VCE
Aplicando una señal alterna proveniente del generador, de 50 mV de pico, calcular
las ganancias de voltaje y de corriente del amplificador. Considere una frecuencia de 1
kHz. Considere hFE = β = 200 (Ver Data Sheet). Puede considerar VE = VCC/10 y RB = 1/10
βRE. Puede estimar los condensadores en el orden de 1 µF o calcularlos.

El circuito equivalente del transistor para señal alterna en la configuración planteada será
el siguiente:

is r ic
s ib iL
+ + +
vs RB vbe h hfeib vce Rc RL vL
- ie - -

Muestre que la ganancia de voltaje debería ser:

Av = vL/vs = - hfe (Rc//RL /hie) (RB//hie)/(rs+RE//hie)

hie es la resistencia dinámica de la unión diodo base emisor. hie = vbe/ib = hfe VT/ICQ , a la
temperatura ambiente VT ≈ kT/q = 25mV, tendríamos hie = (200) (25mV)/27 mA = 185Ω

(k constante de Boltzmann, T temperatura absoluta en °K, q carga del electrón)

Y la ganancia de corriente:

Ai = iL/is = Rc / (Rc+RL) (-hfe)(RB/RB+hie)

Mida los valores correspondientes y compare con la teoría.

Materiales:

Transistor BC548, resistencias, condensadores.