ESPECIALIZACION EN

SISTEMAS ELECTRICOS
2.2 MAQUINAS (TRANSFORMADORES)
Raúl Roberto Villar
INDICE DE CONTENIDOS
a) MÉTODO DE REPRESENTACIÓN EN POR UNIDAD
Introducción
Caso de bases coincidentes
Caso de bases no coincidentes
Naturaleza monofásica de las bases y su equivalencia para valores trifásicos
b) TRANSFORMADOR MONOFASICO DE DOS ARROLLAMIENTOS
Fundamentos y circuito equivalente
Impedancia de cortocircuito “Zcc”
Inserción de un TR en un SEP
a) Bases no coincidentes, con cambio a coincidentes las bases del circuito
b) Bases no coincidentes, sin cambio de bases del circuito
Tratamiento del cambiador de tomas
c) TRANSFORMADOR TRIFASICO DE DOS ARROLLAMIENTOS
Generalidades
Sistema físico real (SFR) de un banco trifásico de transformadores monofásicos (BTTM) de
13.2/0.4-0.231 kV, GC: Dyn11
Especificación básica de una unidad monofásica
INDICE DE CONTENIDOS
Grupo de conexión (GC) y cifra horaria (ch)
Especificación básica de una unidad trifásica
Problema a efecto de la RPF
Concepto de componentes simétricas (CS)
Sistema físico real (SFR) en variables de fase y componentes simétricas (CS)
Equivalente trifásico simple (ETS) y su representación por fase (RPF)
1) Carga equilibrada, red de secuencia directa
ETS para secuencia directa
RPF para secuencia directa
2) Carga equilibrada, red de secuencia inversa
ETS para secuencia inversa
RPF para secuencia inversa
3) Carga desequilibrada (o asimetría puntual), red de secuencia homopolar
ETS para secuencia homopolar
RPF para secuencia homopolar
Representación de equivalentes de secuencia en por unidad
Generalización a transformador tipo núcleo de tres columnas
a) MÉTODO DE REPRESENTACIÓN
EN POR UNIDAD
 Introducción
• Los diferentes niveles de tensión necesarios para economizar en los sistemas
de transmisión y distribución en CA, se logran con el uso de transformadores
que obligan, para la resolución de los circuitos, a escribir las ecuaciones
considerando sus acoplamientos magnéticos.
• De no ser por el “método en por unidad” (MPU), las ecuaciones que
modelan el sistema, serían tanto más numerosas como niveles de tensión
diferentes tenga el circuito.
• Por lo tanto se estudiará aquí la representación en por unidad (RPU) que
adecuadamente aplicado, permite la eliminación matemática de los
acoplamientos magnéticos.
• Este método junto con la representación por fase (RPF) y la representación
en redes de secuencia (RRS), se constituyen en importantes complementos
para la simplificación del cálculo en el análisis de los circuitos.
• El tratamiento de circuitos trifásicos en condición de operación normal
(CON), con independencia de su complejidad, siempre pueden ser abordado
a través de su equivalente monofásico.
• De este modo el método en por unidad, es aplicado básicamente a circuitos
monofásicos y en consecuencia desarrollado para estos circuitos. También es
aplicable a las redes de secuencia que corresponden a la representación por
fase de circuitos trifásicos simétricos con alguna asimetría localizada en un
punto.
• Cuando en un circuito con diferentes niveles de tensión se trabaja en valores
físicos (voltios, amperios y ohmios), habida cuenta que las tensiones de los
arrollamientos varían en relación directa a la relación de espiras y las
corrientes, en relación inversa, su análisis resulta complicada.
• Un ejemplo sencillo de lo expuesto, con transformador ideal, se muestra en
el circuito de la figura 2.1.
 TI

F I1 Z1 P
nP : nS
S Z2 I2 L VP VS  nP nS (2.1)
VL

Vf V1 V2 ZL
I P I S  nS nP (2.2)

F P S L
S P S S  VP I P VS I S  1 (2.3)
Figura 2.1
• Donde: “VP”, “VS”, “IP”, “IS”, “nP”, “nS”, “SP” y “SS”, son valores nominales del
equipo.
• Como se observa de (2.1/2/3) hay dos niveles de tensión y de corriente pero
una única potencia transferida. El cambio de las tensiones y corrientes, como
se deduce de (2.3), es necesario para que “S=cte”.
• Las ecuaciones de Kirchhoff aplicadas a los circuitos primario y secundario
del transformador, en su forma fasorial son:
Vf = I1 . Z1 + V1 para el primario (2.4)
V2 = I2 . Z2 + I2 . ZL para el secundario (2.5)
• Multiplicando m.a.m. a (2.5) por (nP/nS) se tiene:
(nP/nS)V2 = (nP/nS)Z2I2 + (nP/nS)ZLI2 (2.6)
• Como de acuerdo con (2.1) “V1=(nP/nS)V2” y debido a (2.2) “I2=(nP/nS)I1”,
reemplazando en (2.4).
Vf = I1 [Z1 + (nP/nS)2Z2 + (nP/nS) 2 ZL] (referido a primario) (2.7)
• La (2.7) puede representarse por el circuito simplemente conexo (SC).
F I1 Z1 P
(nP/nS)2Z2 (n /n )I LP
SP S P 2

Modelo SC
Vf V1 (nP/nS)V2 (nP/nS)VL (nP/nS)2ZL Transferido a Primario
Figura 2.2
F P SP LP
• Por un proceso similar, el modelo “SC”, transferido a secundario, será:
FS (nP/nS)I1 (nS/nP)2Z1 PS S Z2 I2 L

Modelo SC
(nS/nP)V1 V2 VL
(nS/nP)Vf ZL Transferido a Secundario
Figura 2.3
FS PS S L

• Cuya ecuación es:
(nS/nP)Vf = I2 [(nS/nP) 2Z1 + Z2 + ZL]= 0 (referido a primario) (2.8)
• Para los equivalentes obtenidos, si bien se ha eliminado el transformador,
para la solución completa es necesario resolver dos circuitos, uno referido
primario y el otro a secundario. O resolver uno y completarlo, mediante las
relaciones (2.1/2).
• Aprovechando la relación de transformación, el MPU permite hacer de (2.7)
y (2.8) una única ecuación, en la que los parámetros de tensión y corriente,
expresados en PU, valen en cualquier parte del sistema.
• Para tal fin, si las variables de tensión y corriente, son dividas y multiplicadas
por sus respectivos valores de referencia (bases), “VB1, IB1, VB2 e IB2”, como
se muestra a continuación las expresiones (2.7/8), no variarán.
Vf I1   nP 
2
 nP 
2

VB1  I B1  Z 1    Z 2    Z L  (2.9)
VB1 I B1   nS   nS  
  nS nP V f V  I 2 I  nS  Z  Z  Z 
 2

B2 B2   1 2 L (2.10)
VB 2 IB2  nP  
• Las “Vf /VB1”, “I1/IB1”, “(nS/nP)Vf /VB2” y “I2/VB2”, son valores en (pu), es decir,
no tienen unidad física. Si a efecto de expresar (2.9/10) en “pu”, se trasponen
las bases:
Vf I 1 I B1   nP 
2
 nP 
2

 Z 1    Z 2    Z L  (2.11)
VB1 I B1 VB1   nS   nS  


 nS nP  V f I 2 IB2  n  2 
  S  Z 1  Z 2  Z L  (2.12)
VB 2 I B 2 VB 2  nP  
• Considerando que “VB1/IB1=ZB1” y “VB2/IB2=ZB2”, las anteriores quedan:
 I1  Z1  nP  Z 2  nP  Z L 
2 2
Vf
       (2.13)
VB1 I B1  Z B1  nS  Z B1  nS  Z B1 


 nS nP V f  I 2  nS  Z 1  Z 2  Z L 
 2

  (2.14)
VB 2 I B 2  nP  Z B 2 Z B 2 Z B 2 
 
Parámetro de relación de bases
• A efecto de obtener un único circuito SC, se introduce ahora el parámetro “t”
dado por el cociente entre: las tensiones nominales del transformador y el
cocientes de las bases elegidas para los correspondientes niveles de tensión.

VP VS “t =1”: caso de bases coincidentes

“t =1”: caso de bases coincidentes
t Donde:
Donde: “t 1”: caso de bases no coincidentes (2.15)
VB1 VB 2 “t 1”: caso de bases no coincidentes
 Caso de bases coincidentes
• Considerando que “ZB1(nS/nP)2=ZB2”, “ZB2(nP/nS)2=ZB1” y que
“VB2(nP/nS)=VB1”, entonces las (2.13/14) quedan:
Vf I1  Z1 Z 2 Z L 
 I  Z 1  Z 2  Z L 

B1 B1 B1 B2 B2
     ó V f 1 (2.16)
VB1 I B1  Z B1 Z B 2 Z B 2   

Vf I2  Z1 Z 2 Z L 
ó V f  I 2  Z 1  Z 2  Z L 

B1 B2 B1 B2 B2
     (2.17)
VB1 I B 2  Z B1 Z B 2 Z B 2   
• Con lo que se concluye que, si los primeros miembros de (2.16) y (2.17), son
iguales, y si las impedancia entre corchete también lo son  que “I1B1=I2B2”,
en consecuencia las ecuaciones son idénticas y bastará resolver una de ellas.
• Con lo cual el circuito con el transformador, modelado en “pu”, adopta
cualquiera de las representaciones circuitales que se muestran a
continuación:
 F I1
B1 Z B1
1 P SP Z2B2 LP • Las bases “VB1”, “VB2”, “IB1” e
ZLB2
“VB2”, usados como referencia
Vf B1 V1B1 V2B2 VLB2
para la representación en “pu”.
Figura 2.4
F P SP LP
siempre que se respete la
relación de transformación
FS Z1B1 PS S Z2B2 I2B2 L
“nP/nS”, pueden adoptar cualquier
VfB1 V1B1 V2B2 VLB2 ZLB2
valor, es decir:
Figura 2.5
nP nS VP VS
FS PS
TI
S L
 1 (2.18)
VB1 VB 2 VB1 VB 2
B1 1: 1 Z2B2 I2B2 L
F I1B1 Z1 P S

nS nP IP IS
VfB1 V1B1 V2B2 VL B2 ZLB2  1 (2.19)
Figura 2.6 I B1 I B 2 I B1 I B 2
F P S L
• El cociente de (2.18) y (2.19) origina la relación de las impedancias bases:
2
VB1 I B1 Z B1 VP I P  nP 
    (2.20)
VB 2 I B 2 Z B 2 VS I S  nS 
• Es interesante notar que el producto de (2.18) y (2.19), muestra que la base
de potencia, puede ser única.
VB1 I B1 nP nS
 1  S B1  VB1 I B1  VB 2 I B 2  S B 2  S B (2.21)
VB 2 I B 2 nS nP
• De (2.18/19) se deduce que siempre que se respete la relación “nP/nS”, las
bases pueden adoptar cualquier valor, lo que significa que la base de
potencia “SB”, también podrá ser de cualquier valor.
• Como lo que interesa es mantener la relación de transformación, esta
potencia puede ser la misma, única para todo el circuito, con independencia
de los niveles de tensión que haya.
• Lo que sugiere elegir tantas bases de tensión como niveles haya en el sistema
y una única base de potencia, a través de cuyos valores se obtienen las
correspondientes bases de corriente e impedancia.
IB1 = SB / VB1 e IB2 = SB / VB2 (2.22)
ZB1 = VB12 / SB e ZB2 = VB22 / SB (2.23)
• Recordar que por lo hasta aquí dicho deberá cumplirse que
I B1 S B VB1 VB 2 nS
   (2.24)
I B 2 S B VB 2 VB1 nP
• Cabe aclarar que podría hacerse al revés, es decir, elegir una base de
corriente por cada nivel de transformación y una única base de potencia. Sin
embargo esto sería lo correcto en caso de sistemas con fuentes de corriente
constante, que no existen en el caso de los SEP, razón por las que las
tensiones nominales (a las que se aproximan las reales), son las que se
de v alores aproximados a la

asocian a las bases.

 Caso de bases no coincidentes
• Sin embargo, en la práctica por conveniencia se acostumbra a tomar como
bases de tensión, los valores nominales del sistema.
• Dado que al especificar un transformador, a efecto de compensar en parte la
dispersión magnética, como valor nominal de tensión secundaria se adopta
la nominal del sistema incrementada en un 5%, en consecuencia por lo
general la relación indicada por (2.18/19), no resultan iguales a la unidad. En
tal sentido su relación corresponde al caso de bases no coincidentes “t1”.
VP VS nP  VB1  nS 1  I B1 
t 1  t  (2.25) y    (2.26)
VB1 VB 2 nS  VB 2  nP t  I B 2 
• Dividiendo m.a.m. (2.25) y (2.26) se obtiene la relación
2
 nP  2 VB1 I B1 2 Z B1
  t t (2.27)
 nS  VB 2 I B 2 ZB2
• Reemplazando (2.27) en las ecuaciones (2.13/14) :
Vf I1  Z1 2 Z B1 Z 2 2 Z B1 Z L

  t t  (2.28)
VB1 I B1  Z B1 Z B 2 Z B1 Z B 2 Z B1 

 nS nP  V f

I2  1 ZB2 Z 1

Z2 ZL 
 (2.29)
 2 
VB 2 I B2  t Z B1 Z B2 Z B2 Z B2 

• Simplificando:
Vf I1  Z1 2 Z2 2 ZL

  t t  (2.30)
VB1 I B1  Z B1 Z B2 ZB2 
V f t I2  1 Z1 Z 2 Z L 
  2    (2.31)
VB1 IB2  t Z B1 Z B 2 Z B 2 
• Pueden escribirse:

V
B1
f
B1
1
 B1 2 B2 2 B2 
 I Z1  t Z 2  t Z L  (2.32)
 
B1
V f  1 B1
B2 B2 B2 
 I  2 Z1  Z 2  Z L 
2 (2.33)
t t 
• Y los circuitos que las representan, como las expresiones, son distintos:
F I1B1 Z1B1 P SP t2Z2B2 LP

Vf B1 V1B1 tV2B2 tVLB2 t2ZLB2 Figura 2.7

F P SP LP

FS (1/t)2Z1B1 PS S Z2B2 I2B2 L

(1/t)VfB1 (1/t)V1B1 V2B2 VLB2 ZLB2 Figura 2.8

FS PS S L
• Resulta evidente que los circuitos de las figuras 2.7 y 2.8, en por unidad,
consecuencia del parámetro “t” introducido, no son iguales, y por lo tanto la
representación circuital no es única.
• Para que sea única, como se muestra en figura 2.9, hay que incluir un
transformador de relación “t:1”, y el acoplamiento magnético que es lo que
se quería eliminar, seguirá presente.
TI

F I1B1 Z1B1 P
t: 1 S Z2B2 I2B2 L

VfB1 V1B1 V2B2 VLB2 ZLB2 Figura 2.9

F P S L
• Como fue dicho, en caso de “t1”, para encontrar “I1B1” e “I2B2”, hay que
resolver dos circuitos, figura (2.7/8), o el de la figura (2.9), con acoplamiento
magnético, que es lo que se quería eliminar.
• Ahora bien, los sectores de circuito entre los terminales “F–F ” y “S–S ” ó el . .

comprendido entre “P–P ” y “L–L ” de la figura 2.9, resultan ser cuadripolos

. .

pasivos, los que de acuerdo con la teoría de circuitos pueden ser

representados por “pi” equivalentes, figuras 2.10 y 2.11 respectivamente:
F I1B1 ZFSB1 I2B2 S Z2B2 L

VfB1 ZF0B1 ZS0B1 V2B2 VLB2 ZLB2 Figura 2.10

F S L
B1
F Z1B1 P I1 ZPLB2 I2B2 L

VfB1 V1B1 ZP0B2 ZL0B2 VLB2 ZLB2 Figura 2.11

F P L
• De acuerdo con la teoría de cuadripolos[1], las expresiones que permiten
obtener las impedancias de los cuadripolos son:
Entre “F–F ” y “S–S ”
. . Entre “P–P ” y “L–L ”
. .

B1
B1 Z 1 B2 B2
Z FS  (2.34) Z PL  tZ 2 (2.37)
t
B1 2 B2
B1 Z 1 B2 t Z 2
Z F0  (2.35) Z P0  (2.38)
1  t  1  t 
B1 B2
B1 Z 1 B2 tZ 2
Z S0  (2.36) Z L0  (2.39)
t  t  1  t  1
 Naturaleza monofásica de las bases y su
equivalencia para valores trifásicos
• Se vio como el MPU simplifica la resolución de circuitos cuya RPF contiene
diferentes niveles de tensión, separados por transformadores. También fue
visto que el MPU, se basa en la elección de valores de referencia
denominados bases, que por aplicarse a la RPF, deben ser de naturaleza
monofásica.
• En la práctica, cuando se modelan sistemas trifásicos, en los que se
acostumbra a hablar en valores de línea y potencias trifásica y como se
demuestra, es habitual usar estos como bases, lo cual resulta equivalente a
usar las bases monofásicas.
• Como para aplicar el MPU, hay que usar valores monofásicos, si los datos del
sistema están dados en valores trifásicos, sus equivalentes monofásicos
serán: “SB=S/3” (“S” potencia trifásica), “VB1=Vn1/3”, “VB2=Vn2/3”,
…,“VBk=Vnk/3”, donde “Vn” (tensión de línea), que como se demuestra a
continuación resulta equivalente a tomar directamente los trifásicos.
 S 3 S S B
I Bk    (2.40)
Vnk 3 3Vnk 3VBk
VBk 3 VBk 3 VBk 2
Z Bk    (2.41)
I Bk S B  3VBk  S B
• Lo que permite visualizar que si se hubieran elegido como bases los valores
trifásicos de potencia “SB=S” y las tensiones compuestas “VB1=Vn1”,
“VB2=Vn2”, …,“VBk=Vnk”, se consiguen los mismos valores de corriente base
e impedancia base, que con los valores monofásicos.
• Queda demostrado que, aún cuando por definición los valores bases son de
naturaleza monofásica, si se utilizan valores trifásicos, los resultados son
equivalentes.
• La importancia de tener presente este aspecto, es no equivocar la
transformación de los valores al pasar del “MPU” a la RPF en valores físicos.
b) TRANSFORMADOR MONOFASICO
DE DOS ARROLLAMIENTOS
 Fundamentos y circuito equivalente
21 • Para representar el comportamiento de un
1P  
12
transformador (TR) monofásico de 2 arrollamientos,
2P

1i
n   n
i con núcleo de hierro, considere el diagrama
2

esquemático de la figura 2.12.

P d1 d2 S

• En dicha figura se muestran todos los flujos

Figura 2.12 concatenados (FC) “ij” que pueden coexistir.
• Donde: “i” bobina que concatena el flujo y “j” bobina en la que se encuentra
la corriente que lo origina.
1P = d1 + 21 FC propio arrollamiento primario (2.42)
2P = d2 + 12 FC propio arrollamiento secundario (2.43)
12 y 21 : FC´s mutuos o de acoplamiento (2.44)
d1 y d2 : FC´s de dispersos de cada arrollamiento (2.45)
• Los FC´s compuestos (FCC) de sendas bobinas
1 = 1P – 12 = d1 + 21 – 12 = d1 +  de primario (2.46)
2 = 2P – 21 = d2 + 12 – 21 = d2 + (–) de secundario (2.47)
• Los flujos totales concatenados (FTC) “”
1 = nP1 = nP d1 + nP  = Ld1 i1+ nP  de primario (2.48)
2 = nS2 = nS d2 + nS (–) = Ld2 i2+ nS (–) de secundario (2.49)
• Las tensiones inducidas en sendos arrollamientos, tomándose como caída
“v1” la de primario y como fem “v2” la de secundario:
d 1 di1 d
v1   Ld 1  nP (2.50)
dt dt dt
d 2 di1 d   
v2     Ld 2  nS (2.51)
dt dt dt
• Los primeros términos del segundo miembro de (2.50/51), caída de tensión
interna originada por la dispersión magnética, pone en evidencia el único
defecto atribuible, en forma exclusiva, al acoplamiento magnético.
• Expresando en forma fasorial:
V 1  j Ld 1 I 1  j nP   X P I 1  E1 (2.52)
 
V 2   j Ld 2 I 2  j nS    X S I 2  E 2
• El cociente de “E1/E2”, conocido como relación de transformación:
(2.53)

E1 j nP  nP E1e j e1 EP
    (2.54)
 
E 2  j nS  nS E2e j e 2
ES
• Como lo indica la (2.54) la relación de transformación, resulta en un número
real dado por “nP/nS”. Para que el cociente de dos complejos “E1/E2” resulte
real “nP/nS”, existen dos posibilidades que “e2=e1”, o que “e2=e1180”, en
cuyo caso la relación de transformación será “–nP/nS”, es decir los
arrollamientos tendrán polaridad opuesta.
• Los transformadores adolecen de otros defectos, no exclusivos del
acoplamiento magnético, como lo es la resistencia de los alambres con que
se hacen las bobinas que, sumadas a las respectivas reactancias de
dispersión, constituyen las impedancias de dispersión:
ZP=RP+jXP=ZPej p . (2.55)
ZS=RS+jXS=ZSej s
. (2.56)
• También como defectos no exclusivos del acoplamiento magnético, se
pueden mencionar, la alinealidad, pérdidas de los núcleos ferromagnéticos y
la reluctancia que, aunque mínima requiere de corriente de magnetización
para completar el flujo necesario para verificar la segunda ley de Kirchhoff.
• El sistema físico real (SFR) de un transformadores monofásico (TRM) de dos
arrollamientos, en régimen estacionario, puede ser adecuadamente
representado con un transformador ideal, la dispersión magnética por
sendas impedancias de dispersión y una rama de excitación, tal como se
muestra en figura 2.13:
 Transformador Ideal

P I1  ZP I1 nP : nS ZS I2 S
Io

V1
RFe Xm
E1 E2 V2 Figura 2.13

P S

• El transformador ideal del modelo no tiene dispersión y no requiere de

“FMM” para magnetizar el núcleo, es decir “=0”. Razón por la que:
I 1 nS I P
nPI1 – nSI2=0   (2.57)
I 2 nP I S
Modelo simplificado a usar en sistemas eléctricos de potencia (SEP)
• Cuando un TR se incluye en un SEP, salvo excepción, se especifica para que
esté normalmente cargado a la potencia nominal. En tal condición se cumple
que “Io<<I1”, por lo que la rama de excitación puede ser despreciada y en
consecuencia se puede considerar “I1 I1.”, lo que justifica (2.57) que
equivale a obviar la representación de la rama de excitación. El circuito
equivalente queda así:
 Transformador
Ideal

P I1 ZP nP : nS ZS I2 S

V1 E1 E2 V2

P S
Figura 2.14

• De lo expuesto se deduce, que la relación de transformación de un TR

monofásico, se da por “VP/VS”, medidas en el ensayo de vacío y/o por la
inversa de la relación de “IS/IP”, medidas en el ensayo de cortocircuito.
• En consecuencia la representación física real de un transformador cargado,
en un SEP, es de suficiente exactitud, aún que no se considere la rama de
excitación.
 Impedancia de cortocircuito “Zcc”
• Las impedancias de dispersión “ZP” y “ZS”, separadas en el modelo, son
dadas por el fabricante con un valor único, denominado impedancia de
cortocircuito, debido a que es obtenida por un ensayo de cortocircuito.
• Si en base a la segunda ley de Kirchhoff se escriben las ecuaciones que
determinan el funcionamiento del modelo propuesto de la figura 2.14,
funcionando en cualquier SEP.
• Y se procede en forma similar a como se hizo para las expresiones (2.4/5), se
obtiene:
V1 = I1.[ZP + (nP/nS)2ZS] + (nP/nS)V2 (2.58)
(nS/nP)V1 = I2.[(nS/nP)2 ZP + ZS] + V2 (2.59)
• Expresiones que se representan respectivamente, por los siguientes circuitos
equivalentes de las figuras siguientes:
 TI
ZccP
I1 ZP (nP/nS)2ZS (nS/nP)I2 nP : nS I2 S
P SP

V1 E1 (nP/nS)V2 V2

P SP S

Figura 2.15

TI
ZccS
P I1 nP : nS (nP/nS)I1 (nS/nP)2ZP ZS I2
PS S

V1 (nS/nP)V1 E2 V2

P PS S
Figura 2.16
• Las expresiones (2.58) y (2.59) y sus respectivos circuitos equivalentes
sugieren el método que se usa para la determinación de las impedancias de
dispersión, que consiste en:
1) Para “ZccP” se hace “V2=0” con un cortocircuito en el secundario alimentando el
transformador desde el primario con una fuente ajustable y
V1 V1
Z ccP      donde V1<<VP (2.60)
I1 VI 2 I0 I P
2 S
I1  I P
2) Para “ZccS” se hace “V1=0” con un cortocircuito en el primario y la fuente ajustable
ubicada en el secundario.
V2 V2
Z ccS      donde V2<<VS (2.61)
I2 V1  0
I1  I P
IS
I2  IS
• Conocidos los módulos de las impedancias y midiendo las resistencias de
ambos arrollamientos y combinándolas de manera de representarlas
referidas a primario o secundario:
 RccP     RP   nP nS  RS
2
(2.62)

RccS      nS nP  RP  RS
2
(2.63)
• Pueden ahora calcularse las reactancias de dispersión
X ccP     Z ccP
2
 RccP
2
(2.64)
X ccS     Z ccS
2
 RccS
2
(2.65)
• Con lo cual:
Z ccP     RccP  jX ccP (2.66)
Z ccS     RccS  jX ccS (2.67)
• Las “ZccP” y “ZccS” por la forma en que se obtienen se las denomina
impedancias de cortocircuito y por convención, tomando de bases los valores
nominales del transformador en cuestión, son dadas en por unidad.
 BP Z ccP V1 I P jccP V1 jccP BP jccP (2.68)
Z 
ccP  e  e  Z ccP e
VP I P VP I P VP
BS Z ccS V2 I S jccS V2 jccS BS jccS (2.69)
Z ccS   e  e  Z ccS e
VS I S VS I S VS
• Como se muestra en (2.68/69), en “pu”, puede también hacerse referencia a
estas impedancias, como tensión de cortocircuito. Como resulta obvio, de
haber elegido como bases “VP y VS”, entonces “VPBP=VSBS=Vcc”. También
“ZccPBP=ZccSBS=Zcc”.
• En resumen se puede concluir que, el fabricante del transformador da como
posible representación directa en por unidad, los equivalentes de las figuras
2.17(a),(b) y (c).
• Los modelos (b) y (c), pueden usarse en caso que se quiera evidenciar el
acoplamiento magnético.
 ZccBT BP 1 |: 1 ZccSBS I2BS
I1BP ZccP
BP
P I1BP=I2BS S P 1: 1 I2BS S P I1 S

V1BP V2BS V1BP V2BS V1BP V2BS

P S P S P S
Figura 2.17(a) Figura 2.17(b) Figura 2.17(c)
Ejercicio 2.1 (de apoyo a teoría)
• Las impedancias “ZccP” y “ZccS” calculadas a partir de un ensayo de
cortocircuito, realizados sobre un TR monofásico hipotético, cuyos valores
nominales son: “VP=6.35kV”, “VS=80.02kV” y “S = 33.33MVA”, fueron:
ZccP=0.13 y ZccS=21.13 (2.70)
• ¿Qué valor de “Zcc” especificará el fabricante del transformador?
ZccPBP=ZccP/(VP2/S)= 0.11 pu (2.71)
ZccSBS=ZccS/(VS2/S)= 0.11 pu (2.72)
ZccPBP=ZccSBS=Zcc= 0.11 pu (2.73)
 Inserción de un TR en un SEP
• Cuando un TR es insertado en un circuito cualquiera, para analizar su
comportamiento, habitualmente se procede a su representación en “pu”.
• Por diferentes causas las bases del circuito pueden no resultar coincidentes,
con los valores nominales del TR, por lo que se puede proceder:
1) Redefiniendo las bases de tensión del circuito para que coincidan con la relación de las
tensiones nominales del transformador, parámetro “t=1” o
2) Recurriendo a la representación por un cuadripolo equivalente que corresponda al
caso de bases no coincidentes, es decir, parámetro “t1”.
• La opción (1) implica cambio de bases del circuito.
a) Bases no coincidentes, con cambio a coincidentes las bases del circuito
1) Se llevan los parámetros del circuito en “pu” de bases “VBk y SB”, a valores físicos reales
(VFR) “voltios, amperios y ohmios”.
2) Luego se pasan a “pu” de las nuevas bases “VB’ y SB’” que resulten de:
  VBk
V k ( pu )  V k  pu  (2.74)
VBk
 S Bk VBk
I k ( pu )  I k  pu  (2.75)
 VBk
S Bk
2
 VBk S Bk
Z k ( pu )  Z k  pu  2 (2.76)
VBk S Bk

• Como apoyo a teoría resolver, la parte de bases coincidentes, ejercicio 11.2[2]
b) Bases no coincidentes, sin cambio de bases del circuito
B1
F I1B1 Z1 =j0.557 P ZccPB1 t: 1 S I2B2

VfB1=1.048e j0 V1B1 V2B2 Z2B2 =1.469

Vf
B1 B1
 B1 B1 2 B2 
 I 1  Z 1  Z ccP  t Z L 
P S
 
F

Figura 2.18 (2.77)

 Z B1 =j0|.557
F I1B1 1 P
t: 1 ZccSB2 S I2
B2
B1
Vf 
B2 Z 1
B1
B2 B2 
 I 2  2  Z ccS  Z L 
VfB1 =1.048e j0
t 
 t 
V1B1 V2B2 Z2B2 =1.469

F P S
(2.78)
Figura 2.19
• Los circuitos mostrados en figuras 2.18/19 son iguales, aun cuando la “Zcc”,
haya sido referida a primario “ZccP” o secundario “ZccS”.
• Estos circuitos, figuras 2.18/19, cuyas tensiones nominales del sistema son:
lado primario “Vn1=6.67kV” y secundario “Vn2=76.21kV”, en conjunto con la
potencia “SB=50MVA”, constituyen las bases de los datos en “pu”, que a
título de referencia se dan para dichos circuitos.
• Con el objeto de aplicar la opción (b) anterior, se quiere comprobar si el TR
averiado de dichos circuitos, con bases “VP’ y VS’”, puede ser reemplazado
por el del ejercicio 2.1, para el que: “VP VP’” y “VS VS’ ”.
• En tal caso las expresiones (2.77/78) que en “pu” son idénticas, deben ser
reemplazadas según los conceptos de (2.29/30).

Vf I 1  Z 1 Z ccP 2 Z L 
   t  (2.79)
VB1 I B1  Z B1 Z B1 ZB2 

V f t I2  1 Z 1 Z ccS Z L 
  2    (2.80)
VB1 IB2  t Z B1 Z B2 Z B2 

• De acuerdo con la teoría de cuadripolos[1], aplicada para figura 2.18 con la

“ZccP” del nuevo TR referida a primario y para figura 2.19 con “ZccS” del
nuevo TR, referida a secundario, las expresiones que permiten obtener las
impedancias de los cuadripolos son:
• De acuerdo con la teoría de cuadripolos[1], las expresiones que permiten
obtener las impedancias de los cuadripolos son:

Para “ZccP” referida a primario Para “ZccS” referida a secundario

B1
B1 Z ccP B2 B2
Z PS  (2.81) Z PS  tZ ccS (2.84)
t
B1 2 B2
B1 Z ccP B2 t Z ccS
Z P0  (2.82) Z P0  (2.85)
1  t  1  t 
B1 B2
B1 Z ccP B2 tZ ccS
Z S0 (2.83) Z S0  (2.86)
t  t  1  t  1
• Como apoyo a teoría resolver, la parte de bases no coincidentes, ejercicio
11.2[2]
 Tratamiento del cambiador de tomas
• Como recurso para el control de tensión, los TR se fabrican con relación de
espiras ajustables, que se logra de extraer desde el extremo de una bobina,
derivaciones (tomas o tap´s), que se especifican en porcientos de las espiras
del arrollamiento del que se toman, o en porciento del valor de su tensión
nominal.
• Este arreglo se logra con dispositivos denominados cambiadores de tomas
(CT). La posición correspondiente a la derivación (o tap) que adopte el CT,
puede ser ajustada en forma manual (sin tensión), o bajo carga (con tensión).
Este último conocido como cambiador de tomas bajo carga (CBC), en cuyo
caso el control puede ser automático.
• Hay casos en que puede resultar necesario definir más de un arrollamiento
con derivaciones (tap’s). En tal circunstancia sólo uno de los arrollamientos
debe tener control automático, los demás deben ser del tipo manual (sin
tensión). De no ser así se corre el riesgo de que los dispositivos oscilen.
• En los TR con relación de espiras ajustables, la impedancia de dispersión (o
de cortocitcuito), dada por el fabricante corresponde, junto con los valores
nominales de tensión y potencia, para su posición neutral.
• Para la representación de estos TR con cambiadores de tomas, hay un
problema adicional respecto al parámetro “t”, expresión (2.25) relacionado
con la no coincidencia de la relación de bases antes tratada, que es:
¿qué consideración hacer para contemplar el cambio de toma del CT?
• Como se demuestra a continuación, si previo a la representación por
cuadripolo, la impedancia de cortocircuito es referida al lado opuesto al que
se encuentre el “CT”, ésta resultará aproximadamente independiente de la
variación de espiras que origine el cambio de posición.
Invariabilidad de la reactancia de dispersión
• Considerando los FC esquemáticamente representados en la figura 2.12, se
muestra que los flujo de dispersión se encuentran implícitos en las
expresiones (2.42/43), desde donde pueden ser despejados.
 d1 = 1P – 21 FC disperso del arrollamiento primario (2.87)
d2 = 2P – 12 FC disperso del arrollamiento secundario (2.88)
• Considerando el coeficiente de acoplamiento:
k=21/1P=12/2P (2.89)
• De donde se despejan los flujos mutuos “21=k1P” y “12=k2P”” que se
reemplazan en (2.88/89) y se obtienen:
d1=(1– k)1P (2.90)
d2=(1– k)2P (2.91)
• Por ley de F – L
vd1=nPdd1/dt=nP(1– k) d1P/dt (2.92)
vd2=nSdd2/dt=nS(1– k)d2S/dt (2.93)
• Por ley de Hopkinson
1P=nPi1/ y 2P=nSi2 / (2.94)
• Reemplazando (2.94) en (2.93/92)
LdP LdS
2 1  k  di1 2 1  k  di2
vd 1  nP (2.95) vd 2  nS (2.96)
 dt  dt
• Las reactancias correspondientes podrían escribirse

XP  n
1  k    Kn 2 1  k    Kn 2
2
P P (2.97) y XS  n 2
S S (2.98)
 
• Dado que la reluctancia “” resulta igual para primario y secundario, la
“K=cte” para ambos arrollamientos es la misma y las reactancias de
dispersión, expresiones (2.97/98), pueden generalizarse como “Xj=Knj2”.
Reemplazando (2.97/98) en (2.58/59) (considerando sólo la reactancia de
dichas expresiones), la dispersión magnética representada por sendas
reactancias combinadas, referidas a primario y secundario, serán:
XccP=XP + (nP/nS)2XS (2.99) XccS=(nS/nP)2XP + XS (2.100)
• Reemplazando (2.98) en (2.99) y (2.97) en (2.100)
2 2
n n
X ccP  KnP2  P2 KnS2  2 KnP2 (2.101) X ccS  S2 KnP2  KnS2  2 KnS2 (2.102)
nS nP
• Ambas expresiones demuestran que las reactancias de dispersión sólo
dependen del número de espiras del arrollamiento del lado al que fueron
referidas. Esto significa que para un transformador con cambiador de tomas
bajo carga, si la reactancia de cortocircuito dada en “pu” de las bases del TR,
es representada en el lado opuesto al que se encuentra el arrollamiento
ajustable, su valor no será afectado por la posición eventual que adopte el
cambio de toma.
• En resumen el cambio de tomas, equivale a que hubiera variado el valor
nominal de tensión del arrollamiento y podrá tratarse con cuadripolos que
consideran el parámetro “t”.
• Como apoyo a teoría resolver, el ejercicio 11.4[3].
c) TRANSFORMADOR TRIFASICO DE
DOS ARROLLAMIENTOS
 Generalidades
• Esta temática incluye transformadores trifásicos (TRT), tipo: acorazado y
núcleo de 5 columnas que, desde el punto de vista magnético, se comportan
idénticamente a un banco trifásico de transformadores monofásicos (BTTM),
utilizado para este desarrollo. Al final, a través de una consideración, se
incluirá también el transformador tipo núcleo de tres columnas.
• Por sus dimensiones físicas que a frecuencia industrial “50 Hz” es muy
inferior “=6000 km” (longitud de onda electromagnética que maneja),
puede ser representado directamente por parámetros concentrados.
• Por su simetría constructiva, su sistema físico real (SFR) resulta su
equivalente trifásico simple (ETS) y a la vez un sistema perfectamente
simétrico (SPS). Es decir, en condición de operación normal (CON), a efectos
de efectuar cálculos, puede utilizarse la representación por fase (RPF).
• Como lo muestra la figura 2.25 un TRT (cualquiera que se trate), como el
BTTM para este desarrollo, se conforma de 3 unidades monofásicas.
SFR de BTTM 13.2/0.4-0.231 kV, GC: Dyn11
A B C
nP : nS S
x a
Px
Va Vab
VAB

P x
S x
nP : nS Sy b
Py Circuito troncal
Vb Vbc
de distribución
VBC
tensión de utilización.
Py
Sy
nP : nS Sz Vca c
Pz Vc
VCA

Pz
Sz nS n
Circuito troncal
13.2 kV, (3f –3h)
Scc3 = 500 MVA

Figura 2.25
Especificación básica de una unidad monofásica
VP= 13200 V (2.103)
VS= 220 V x 1.05 = 231 V (nota 1) (2.104)
ST1 = (1/3)SD (nota 2) (2.105)
ZCC= 5% (nota 3) (2.106)
Notas:
1) La tensión nominal secundaria de la unidad monofásica se aumenta “5%”
respecto de la nominal del sistema en donde se instale, a efectos de
contrarrestar, por lo menos en parte, la caída interna producida por la
impedancia de cortocircuito “ZCC=5%”.
2) La potencia nominal del transformador debe ser mayor o igual que un
tercio de la potencia de demanda “SD”, de la instalación que alimenta.
3) La impedancia de cortocircuito “ZCC”, generalmente comprendida entre
“4% y 10%”, representa la dispersión magnética del transformador.
A
Grupo de conexión (GC) y cifra horaria (ch)
x a
z x j v AB
 13200[V ]  e
2

V
2 2
Va2
2
VAB2
AB
Vb2
np2 x b
B VCA2 j v BC
2
z
s
x
z y y
2
2
V BC  13200[V ]  e
C
2 y y
2 VBC2
Vc2 j vCA
z c
V C A  13200[V ]  e
2

2 2
ns2 n
Figura 2.26 s 2
j v a
gs2
s
T2
V a  231[V ]  e
j  vb
V b  231[V ]  e
30 30
VAB Va Va VA j  vc
V2A 2
Vb
2 2 V c  231[V ]  e
Figura 2.27 2
Vnp=0 Vns=0
VCA 2

VBC
(2.107)
2

2 Vc

primario secundario =va–vA

2
• La interconexión de las unidades monofásicas para el caso en cuestión, en
que el primario puede dibujarse como un triángulo y el secundario como una
estrella, figura 2.26, se denomina conexión triángulo–estrella o grupo de
conexión “Dyn”.
• Los fasores de tensión simple “VA, VB y VC” de primario, no son mostrados
en la figura 2.26 porque están referidos a un punto de potencial común “np”
que galvánicamente no existe en el circuito.
• Como se aprecia, entre estos fasores de tensión simple secundarios y sus
homólogos primarios, hay un desfasaje de “30°”.
• El desfasaje “=va–vA=30 ” se corresponde con:
a) la forma de conectar los arrollamientos (grupo de conexión “GC”),
b) la polaridad marcada con un () y
c) cual de los 3 arrollamientos: “x-x’”, “y-y’” o “z-z’” se elija como fase “a”
del secundario, de los transformadores constitutivos del banco trifásico.
• Para el caso de la figura 2.26/27, dado que la conexión de arrollamientos de
primario es triángulo y de secundario es estrella, se dice que el primario del
transformador está conectado en triángulo, en delta o simplemente “D” y en
estrella, en “te” o en ”y”, el secundario. Esto se conoce como “Grupo de
Conexión” del transformador y que en forma abreviada se indica “Dyn11”.
• La letra mayúscula “D”, indica la conexión del primario, la letra minúscula
“y”, la del secundario, la “n” al lado de “y” indica que, a efecto de su
conexión a tierra y/o la necesidad de conductor común de retorno, el
secundario tiene neutro accesible. Si el primario es “YN”, significa conectado
en estrella con acceso al centro de estrella.
• El número “11”, se denomina cifra horaria (ch), porque se vale de la esfera
del reloj, para indicar el desfasaje “=va–vA”, entre el fasor de tensión de
fase “a” del secundario, respecto de la tensión de la fase “A” del primario, de
“=30” para el caso de las figuras 2.26/27.
• El desfasaje “=va–vA”, aunque se refiere a las fases “a y A”, aplica a
cualquier par de fasores de cualquiera de las fases.
 Especificación básica de una unidad trifásica
• La diferencia entre un banco trifásico de transformadores monofásicos
(BTTM) y un transformador trifásico (TRT), radica en que en el primero, cada
unidad de fase, tiene su propio núcleo ferromagnético independiente y en el
segundo los tres pares de arrollamientos comparten el mismo núcleo.
• En tal sentido para el caso de tres unidades monofásicas, queda garantizado
que el circuito magnético de cada unidad se encuentre cerrado bajo
cualquier condición de funcionamiento. Sin embargo para el caso de
unidades trifásicas las configuraciones que pueden adoptar su núcleo
pueden ser:
1) Tipo acorazado.
2) Tipo núcleo de 5 columnas.
3) Tipo núcleo de 3 columnas.
• Los dos primeros, para cualquier condición de funcionamiento, se comportan
igual que el BTTM. Para el caso tipo núcleo de tres columnas, no tiene el
mismo comportamiento, en caso de fallas a tierra.
• En el TRT tipo núcleo de 3 columnas, el valor compuesto de la impedancia de
cortocircuito adopta un valor menor, que para el cálculo de fallas a tierra
conviene tomar en cuenta. Más adelante, se analiza el porqué.
• La diferencia fundamental de la especificación básica del TRT, con relación a
la unidad monofásica para BTTM, es que debe hacerse referencia a valores
de línea y potencia trifásica, además es imprescindible agregar el “Grupo de
Conexión”. En caso de sistemas con régimen de neutro a tierra, debe
indicarse la necesidad de acceso a centros de estrella. Y debe ser señalada la
cifra horaria. La especificación de una unidad trifásica será:
VP= 13200 V (2.108)
VS= 400–231 V (2.109)
GC: Dyn11 (corresponde al caso desarrollado anteriormente) (2.110)
ST =SD [VA] (2.111)
Zcc=5% (también “Ucc”) (2.112)
Problema a efecto de la RPF
• Los TRT y/o bancos trifásicos de TRM, introducen una complicación adicional
debido a los distintos tipos de interconexión que pueden adoptar sus
arrollamientos que, en conjunto con las dos posibilidades de polaridad,
permiten diferentes grupos de conexión (GC) y cifra horaria (CH).
• A efectos de simplificar la comprensión se aclara que, como la polaridad
entre parámetros de entrada y salida, modifica el ángulo de fase de la misma
manera, tanto para tensión como que para corriente, no aporta al desarrollo,
por lo que no es tomada en cuenta.
• En consecuencia, los TRT se tratarán sólo desde el punto de vista del grupo
de conexión, entre los que se pueden distinguir: “Yy”, “Dy”, “Yd” y “Dd”.
• Con el objeto de generalizar se elige el grupo “Dy”, ya que además de ser
muy utilizado, permite tener en cuenta los dos tipos de conexión que
intervienen. Este análisis, con las consideraciones particulares de cada caso
puede hacerse extensivo a los demás grupos.
• Para el desarrollo se consideran las siguientes premisas:
1)Todo transformador trifásico podrá ser representado por un banco de transformadores
monofásicos.
2)Los parámetros cuyos subíndices sean “P” y “S” deben entenderse como valores
nominales de cada unidad monofásica que componen el banco.
3)Los parámetros cuyos subíndices sean “a”, “b” y “c” identifican las fases y los subíndices
“1” y “2”, los valores reales de primario y secundario respectivamente.
4)Los nodos indicados con “n” y “g” identifican neutro y tierra.

• De acuerdo con lo dicho cualquier TRT, terminara siendo modelado por

modelos monofásicos correspondientes a su RPF por simetría.
• Cuando ocurre una asimetría puntual, como por ejemplo, el caso de una falla
asimétrica, la RPF se hace en redes de secuencia, correspondiente a
componentes simétricas.
 Concepto de componentes simétricas (CS)
• El comportamiento de un sistema trifásico, es tanto mejor, cuanto mayor sea
su simetría (fuentes que aportan conjunto variables de fase, conformado por
3 fasores de igual módulo, desfasados 120 entre sí), y del equilibrio de su
carga (igual impedancia compleja vista por cada fase). En tal caso las
variables que se activan en régimen permanente (corrientes, tensiones,
caídas de potencial y potenciales de nodos, etc.), son simétricas.
• Cualquier circuito trifásico lineal, simétrico y equilibrado que por alguna
causa fortuita es asiento de una asimetría puntual, sus variables de fase se
hacen asimétricas y pueden ser expresadas por tres conjunto de variables
distintas a las de fase (denominadas componentes simétricas), que se
obtienen mediante una conversión matemática conocida como
transformación por semejanza o similitud.
• En tal caso se aceptará sin demostración que para cada fase, se da la
transformación que, como ejemplo se propone con el circuito de la figura
2.28 dada por:
 Va=Ea–Va
a Zs a

Ea Zm Va V a   Z s Z m Z m  I a 
     
b Zs b V b   Z m Z s Z m    I b  (2.113)
Eb Zm Vb V c  Z m Z m Z s   I c 
     
c Zs c

o Vabc= Zabc-g.Iabc (notaciòn compacta)(2.114)

Ec Vc

Figura 2.28

• La relación entre variables de fase y de componentes simétricas, es dada por:

Vabc= Ts.V012 y Iabc= Ts. I012 (2.115)
• Donde “Ts” matriz de transformación a componentes simétricas, es:
1 1 1
Ts  1 a 2 a  y (a=ej120) (2.116)
1 a a 2 
• Reemplazando (2.115) en (2.114)
Ts V012= Zabc-g . Ts.I012 (2.117)
• Considerando que la inversa de “Ts”, viene dada por:
1 1 1
Ts adj 1 
1
Ts   1 a a 2  (2.118)
Ts 3
1 a 2 a 
• Pre multiplicando m.a.m. la (2.117), por “Ts–1” se obtiene:
V012=Ts–1.Zabc-g.Ts.I012=Z012.I012 (2.119)
• Expandiendo el resultado queda:
V 0   Z s  2Z m 0 0  I 0 
      (2.120)
 1  
V 0 Zs Zm 0   I1 
V 2   0 0 Z s  Z m   I 2 
• La (2.120), se corresponde con un sistema no acoplado que, desagregado en
3 ecuaciones separadas:
V 0  Z s  2Z m   I 0  Z 0  I 0 (2.121)
 
V 1  Z s  Z m  I 1  Z 1  I 1 (2.122)
 
V 2  Z s  Z m  I 2  Z 2  I 2 (2.123)
• Que pueden representarse por 3 circuitos monofásicos independientes,
como se muestran en las siguientes figuras. Circuitos que son la
transformada
V
en redes de secuencia,Vdel circuito trifásico original.
V
1 2 0

a I1 Z1=Zs–Zm a a I2 Z2=Zs–Zm a a I0 Z0=Zs+2Zm a

E1 V1 E2 V2 E0 V0

“V3=Z1.I1” “V2=Z2.I2” “V0=Z0.I0”

Secuencia Directa Secuencia Inversa Secuencia Homopolar
Figura 2.29 Figura 2.30 Figura 2.31
• Notar que las variables de fase en función de sus componentes simétricas,
siempre adoptan la misma forma matemática, dada para “Iabc”, por (2.115).
Ia = I 0 + I1 + I 2 (2.124)
Ib = I0 + a2I1 + aI2 (2.125)
Ic = I0 + aI1 + a2I2 (2.126)
• También para las caídas de tensión de (2.115):
Va = V0 + V1 + V2 (2.127)
Vb = V0 + a2V1 + aV2 (2.128)
Vc = V0 + aV1 + a2V2 (2.129)
• Se concluye así que cualquiera sea la variable de fase que se trate, con
independencia de su localización en el circuito, como se muestra en la figura
2.32, siempre podrá ser vista, por la misma conformación matemática de sus
componentes de simétricas (CS).
Sistema físico real (SFR) en variables de fase y CS
ZP nP : nS ZS ZLa
Pa Sa
Va1 I0p=0 V0p I0p E0p| E0s I0s V0s
Ia2= I1s
Ia1= I1p Vab1= V1p Iab1= I1p Eab1= E1p Ea2= E1s Va2= V1s
I2p V2p I2p E2p E2s I2s V2s
P a Sa

Pb ZP nP : nS ZS Sb ZLb
Vb1 I0p=0 V0p I0p E0p E0s I0s V0s
a2I
Ib1= a2 I 1p  Vbc1 = a2 V I
1p bc1 =a2I
1p Ebc1=a2E1p 2 I
Eb2= a E1s b2 = 1s Vb2= a2V1s
aI2p aV2p aI2p aE2p aE2s aI2s aV2s
nP 
Pb Sb

Pc ZP nP : nS ZS Sc ZLc
Vc1 I0p=0 V0p I0p E0p E0s I0s V0s
I
Ic1=aI1p Vca1= aV1p ca1 = aI 1p Eca1=aE1p Ec2=aE1s I c2 = aI 1s Vc2= aV1s
a2I a2I
a I2p
2 2
a V2p 2p a2E2p 2
a E2s 2s a2V2s In=3I0s
Pc  Sc  nS
Zns
If=3I0s If=3I0s
gP
gS

Figura 2.32
• La figura (2.32), muestra el SFR del banco trifásico de TRM, en el que tanto
en primario como secundario, se explicitan ambos tipos de variables de fase,
subíndices “abc” y en componentes simétricas, subíndices “012”.
• Si considerando las variables de fase, se escriben las ecuaciones de equilibrio
para la fase “a”, es decir, se aplican las leyes de Kirchhoff, en variables de
fase:
Va1 – Iab1. ZP – Eab1 – Vb1 = 0 (2.130)
Ea2 – Ia2 . ZS – VLa – In2 . Zn2 = 0 (2.131)
• Como “Va1 – Vb1 = Vab1” y “Va2 = VLa + In2 . Zn2” se tiene:
Vab1 – Iab1 . ZP – Eab1 = 0 (2.132)
Ea2 – Ia2 . ZS – Va2 = 0 (2.133)
• Idénticas ecuaciones pueden ser escritas para las fases “b” y “c”.
 Equivalente trifásico simple (ETS) y su
representación por fase (RPF)
• Como se aprecia en la ecuación (2.132) la tensión primaria “Vab1”, por el tipo
de conexión “D”, depende simultáneamente de los potenciales de las fases
“a” y “b”. Lo mismo ocurre con las tensiones primarias de las otras unidades
monofásicas del banco.
• Esta doble dependencia atenta directamente contra el concepto de RPF,
razón por la que se debe encontrar un circuito equivalente tal que cada
tensión de fase, sea independiente de las otras dos.
• Con el objeto de obtener este equivalente, considerando la transformación
de variables “Iabc” a “I012” y el principio de superposición, se acomete la
transformación a componentes simétricas, en pasos independientes:
1) Carga equilibrada, red de secuencia directa
2) Carga equilibrada, red de secuencia inversa
3) Carga desequilibrada (o asimetría puntual), red homopolar
1) Carga equilibrada, red de secuencia directa
ZP nP : nS ZS ZLa
Ia1=I1p Pa Sa
Iab1=I1p Ia2=I1s
Va1=V1p Vab1=V1p Eab1=E1p Ea2=E1s Va2=V1s

P a Sa

Ib1=a2I1p Pb ZP nP : nS ZS Sb ZLb
Ibc1=a2I1p Ib2=a2I1s
Vb1=a2V1p Vbc1=a2V1p Ebc1=a2E1p Eb2=a2E1s Vb2=a2V1s

nP
P b Sb

Ic1=aI1p Pc ZP nP : nS ZS Sc ZLc
 Ica1=aI1p Ic2=aI1s
Vc1=aV1p Vca1=aV1p Eca1=aE1p Vc2=aV1s
Ec2=aE1s
nS
Pc  
Sc In=0
Zns
If=0
gP
gS

Figura 2.33
• Reordenando y con procedimientos similares al de las expresiones (2.58/59),
introducido con las (2.4/5), aplicados a (2.132/133), se obtienen las
ecuaciones de funcionamiento de la fase “a” referidas a primario y
secundario:
Vab1 = Iab1.[ZP + (nP/nS)2ZS] + (nP/nS)Va2 (2.134)
(nS/nP)Vab1 = Ia2.[(nS/nP)2 ZP + ZS] + Va2 (2.135)
• Si la carga es equilibrada, dada la simetría que representa el transformador,
como lo muestra la figura 2.33, se puede asegurar que las componentes de
fase, sólo estarán conformadas por componentes de secuencia directa.
V ab1  V a1  V b1  V 1 p 1  a 2  V 1 p 3e j 30
  (2.136)
I a1  I ab1  I ca1  I 1 p  I 1 p 1  a   I 1 p 3e j 30  I ab1 3e  j 30 (2.137)
• Despejando
I 1 p
I ab1   j 30 (2.138)
3e
• Considerando que “Va1=V1p” e “Ia1=I1p” y reemplazando (2.136/138) en
(2.134/135)  2
 n 
j 30 I a1  nP 
V a1 3e   j 30
 Z P   Z S    V a 2
P
(2.139)
3e  n
 S  n
  S
 nS    nS 
2

j 30
  V a1 3e  I a 2   Z P  Z S   V a 2 (2.140)
 nP   nP  
• Dividiendo m.a.m. (2.139) por “3.e j30°” y haciendo un cambio formal en la
(2.140), se obtiene:
ZP  n 3 
2
 n 3   j 30
V a1  I a1    P
 Z S   
P
 e V a2 (2.141)
 3  nS    nS 
 
 nS    n 
2
Z P

  V a1e j 30
 I a 2  S
  Z S   V a2 (2.142)
n
 P 3   n 3 3 
 P  
• Donde:  2

 Z P  nP 3 
Z ccP      Z S  (2.143)
 3  nS  
 
 n  2 Z P 

Z ccS   S
 ZS 
 (2.144)
 nP 3  3 
 
• Es decir: “ZccP” y “ZccS”, son las impedancia de cortocircuito de la unidad
monofásica equivalente, con primario en estrella, referida respectivamente a
primario y secundario, en valores físicos, es decir [].
• Las (2.141/142) están dadas en valores de la fase “a”, donde “Va1” es el valor
de tensión de fase, referido a un nodo galvánico que no existe designado con
“nP”. La corriente “Ia1” es un valor real medible, es decir, la corriente de línea
del primarios del banco, para el caso de la fase “a”. Los parámetros “Va2” e
“Ia2” en el secundario tienen vigencia real, son directamente medibles.
ETS para secuencia directa
a : a+30
Ia1=I1p ZP/3 ZS ZLa
Pa nP /3 : nS Sa

Ia2=I1s
Va1=V1p Va1=V1p Ea1=E1p Ea2=E1s Va2=V1s

P a Sa
b : b+30
Ib1=a2I1p ZP/3 nP /3 : nS ZS Sb ZLb
Pb
Ib2=a2I1s
Vb1=a2V1p Vb1=a2V1p Eb1=a2E1p
Eb2=a2E1s Vb2=a2V1s

nP
P b Sb
c : c+30
Ic1=aI1p ZP/3 nP /3 : nS ZS ZLc
Pc Sc
 Ic2=aI1s
Vc1=aV1p Vc1=aV1p Ec1=aE1p Ec2=aE1s Vc2=aV1s
nS
Pc  
Sc In=0
Zns
If=0
gP
gS

Figura 2.34
• Las expresiones (2.141/142) y sus similares para las fases “b” y “c”
corresponden al circuito equivalente trifásico simple del transformador de la
figura 2.34.
• Como puede comprobarse escribiendo las ecuaciones de primario y
secundario del ETS, de la figura 2.34, las corrientes y tensiones sólo son
función de una fase e independientes de las otras dos, por lo que
corresponden al equivalente trifásico simple (ETS) buscado:
a) Para el primario b) Para el secundario
Va1 = Ia1 . (ZP / 3) + Ea1 Ea2 = Ia2 . ZS + Va2
Vb1 = Ib1 . (ZP / 3) + Eb1 (2.145) Eb2 = Ib2 . ZS + Vb2 (2.146)
Vc1 = Ic1 . (ZP / 3) + Ec1 Ec2 = Ic2 . ZS + Vc2
• Notar que las “(ZP / 3) y ZS“ en cada fase, por su propia naturaleza no están
acopladas, razón por la que no aparecen términos mutuos de inductancias
de dispersión. Con lo que en forma matricial, se tiene:
 V a1   Z P 3 0 0   I a1   E a1 
       
V b1    ZP 3 0    I b1    E b1  primario (2.147)
       
V c1   Z P 3  I c1   E c1 
E a2  Z S 0 0   I a 2  V a 2 
       
 Eb2    Z S 0    I b 2   V b 2  secundario (2.148)
       
 E c 2   Z S   I c 2  V c 2 
• Que, expresadas en forma compacta, en variables de fase:
Vabc1 = ZPabc . Iabc1 + Eabc1 (2.149)
Eabc2 = ZSabc . Iabc2 + Vabc2 (2.150)
• Si como se expresa en (2.115) la relación entre variables de fase y
componentes simétricas, es dada por: “Vabc= Ts.V012” e “Iabc= Ts. I012”,
entonces las (2.149/150), podrán escribirse:
Ts . V012p = ZPabc . Ts . I012p + Ts . E012p (2.151)
Ts . E012s = ZSabc . Ts . I012s + Ts . V012s (2.152)
• Premultiplicando m.a.m., por la inversa de “Ts”
ZP012
V012p = Ts-1 . ZPabc . Ts . I012p + E012p (2.153)
ZS012
E012s = Ts-1 . ZSabc . Ts . I012s + V012s (2.154)
• Cuando se trabaja con notación de componentes simétricas, a efecto de
evitar confusión, los subíndices “p” y “s” en minúsculas, que indican primario
y secundario, se usarán en lugar de los subíndices “1” y “2” antes definidos.
• Dada la particular característica de sistemas desacoplados, que resultan de
las matrices de las ecuaciones (2.155) y (2.156), se obtiene la RPF que, sólo
corresponde a la red de secuencia directa:
 0  Z P 3 0 0  0  0 
       
V a1    ZP 3 0    I a1    E a1  primario (2.155)
 0    0  0 
Z P 3    
  
 0  Z S 0 0  0   0 
       
E a2    Z S 0    I a 2   V a 2  secundario (2.156)
 0     0   0 
Z S    
   
• Es decir quedan:
V a1  Z P 3  I a1  E a1 primario (2.157)
E a2  Z S  I a2  V a2 secundario (2.158)
RPF para secuencia directa
a : a+30
Pa Ia1=I1p ZP/3 nP /3 : nS ZS Ia2=I1s Sa

Va1=V1p Ea1=E1p Ea2=E1s Va2=V1s

Pa Sa 

Figura 2.35
a : a+30 Sa
Pa ZccP1 Ia2=I1s
nP /3 : nS
Ia1=I1p

Va1=V1p Va2=V1s

P a | Sa

Secuencia “1” , referida a primario

Figura 2.36
 a : a+30
Pa Ia1=I1p nP /3 : nS ZccS1 Sa
Ia2=I1s

Va1=V1p Va2=V1s

|
P a Sa 

Secuencia “1” , referida a secundario

Figura 2.37

2) Carga equilibrada, red de secuencia inversa

• El ETS, que se espera que lo demuestre el lector, se obtiene idénticamente
que para secuencia directa, pero considerando sólo componentes inversas.
• Las ecuaciones que representan la fase “a”, idénticas a (2.134/135), que se
repiten a continuación:
Vab1 = Iab1.[ZP + (nP/nS)2ZS] + (nP/nS)Va2 (2.159)
(nS/nP)Vab1 = Ia2.[(nS/nP)2 ZP + ZS] + Va2 (2.160)
• Si la carga es equilibrada, dada la simetría que representa el transformador,
como lo muestra la figura 2.38, se puede asegurar que las componentes de
fase, sólo estarán conformadas por componentes de secuencia inversa.
V ab1  V a1  V b1  V 2 p 1  a   V 2 p 3e  j 30 (2.161)
I a1  I ab1  I ca1  I 2 p  I 2 p 1  a 2  I 2 p 3e j 30  I ab1 3e j 30
  (2.162)
• Despejando I ab1  I 2 p 3e j 30 (2.163)
• Esto sólo implica un cambio en el desfasamiento entre primario y secundario
que se muestra a continuación:
ZP  n 3 
2
 n 3  j 30
V a1  I a1    P
 Z S   
P
 e V a 2 (2.164)
 3  nS    nS 
 
 nS    nS  Z P
2

  V a1e
 j 30
 I a 2    Z S   V a2 (2.165)
 nP 3   nP 3  3 
 
ETS para secuencia inversa
a : a–30
Ia1=I2p Pa
ZP/3 nP /3 : nS ZS Sa ZLa
Ia2=I2s
Va1=V2p Va1=V2p Ea1=E2p Ea2=E2s Va2=V2s

P a Sa
b : b–30
Ib1=aI2p Pb
ZP/3 nP /3 : nS ZS Sb ZLb
Ib2=aI2s
Vb1=aV2p Vb1=aV2p Eb1=aE2p
Eb2=aE2s Vb2=aV2s

nP
P b Sb
c : c–30
Ic1=a2I2p ZP/3 nP /3 : nS ZS ZLc
Pc Sc
Ic2=a2I2s
Vc1=a2V2p Vc1=a2V2p Ec1 =a2E 2p Ec2=a2E2s Vc2=a2V2s
nS
Pc  
Sc In=0
Zns
If=0
gP
gS

Figura 2.38
• En consecuencia la RPF en componente inversa también es:
V a1  Z P 3  I a1  E a1 primario (2.166)
E a2  Z S  I a2  V a2 secundario (2.167)
• Sólo que tal como se muestra en la RPF, ahora el desfasaje entre primario y
secundario es el mismo ángulo en sentido opuesto.
RPF para secuencia inversa
a : a –30 Sa
Pa Ia1=I2p ZP/3 nP /3 : nS ZS Ia2=I2s

Va1=V2p Ea1=E2p Ea2=E2s Va2=V2s

P a Sa 

Figura 2.39
RPF para secuencia inversa
a : a–30
Pa ZccP2 Ia2=I2s Sa
nP /3 : nS
Ia1=I2p

Va1=V2p Va2=V2s

|
P a Sa

Secuencia “2” , referida a primario

Figura 2.40
a : a–30
Pa Ia1=I2p nP /3 : nS ZccS2 Sa
Ia2=I2s

Va1=V2p Va2=V2s
|

P a Sa

Secuencia “2” , referida a secundario

Figura 2.41
3) Carga desequilibrada (o asimetría puntual), red de secuencia homopolar
ZP nP : nS ZS ZLa
Ia1=I0p=0 Pa Sa
Iab1=I0p Ia2=I0s
Va1=V0p Vab1=V0p=0 Eab1=E0p Ea2=E0s Va2=V0s

P a Sa

Ib1=I0p=0 Pb ZP nP : nS ZS Sb ZLb
Ibc1=I0p Ib2=I0s
Vb1=V0p Vbc1=V0p=0 Ebc1=E0p Eb2=E0s Vb2=V0s

nP
P b Sb

Ic1=I0p =0 Pc ZP nP : nS ZS Sc ZLc
Ica1=I0p Ic2=I0s
Vc1=V0p Vca1=V0p=0 Eca1=E0p Vc2=V0s
Ec2=E0s
nS Ins=3I0s
Pc  
Sc
Zns
Ifs=3I0s Ifs=3I0s
gP gS

Figura 2.42
• Por observación del SFR, hacia el primario conectado en triángulo, debido a
que no hay conexión a tierra, no hay retorno común a las tres fases (el
circuito se encuentra abierto), implica que las componentes de secuencia
cero de línea “I0p=0”.
• No obstante no puede afirmarse que en los arrollamientos de fase, no pueda
haber corrientes de secuencia “0”, es decir “I0p”. La hace posible el hecho
que los arrollamientos primarios, estén en triángulo, lo que implica que
ofrece un circuito cerrado para esta secuencia, que podría existir, si “por
alguna causa” apareciera.
• Por otro lado, también el SFR muestra que en el secundario, hay un retorno
común por neutro “Ins”, o por tierra “Ifs”, para el caso a través de “Zns”, por
lo que existe la posibilidad de que haya “I0s”, donde “Ia2+Ib2+Ic2=3I0s”, cuyo
valor dependerá de que la conexión del primario sea tal, que cierre el circuito
de las “I0s” de secundario, camino de baja impedancia.
• Todo lo cual se da para el primario en triángulo, o en estrella con neutro,
vinculado a tierra.
• Si existe “Ins” o “Ifs”, ambas igual a “3I0s”, al pasar por el nodo “ns”, se divide
en una “I0s”, por cada unidad monofásica, que al recorrer su secundario,
origina un flujo que, salvo por la dispersión, será totalmente cancelado por
los establecidos en los primarios, dado por “I0p=f[ (nS/nP)I0s]” existente para
cualquiera de las fases del triángulo.
• La diferencia entre “I0p ” e “I0p”, es que la primera, es la que podría ser
aportada por el generador si el circuito primario se encuentra cerrado, y la
segunda, es la que realmente existe en los arrollamientos primarios,
inducidas por las “I0s” que pueden aparecer, si existe cualquiera de los 2
posibles caminos de retorno antes mencionados (el neutro y la conexión a
tierra del centro estrella del secundario).
• En consecuencia si con base en el principio de superposición se consideran
ahora, sólo las componentes de secuencia “I0s” e “I0p”, se tendrá el
comportamiento del TR frente a las componentes de secuencia homopolar.
Escribiendo entonces por Kirchhoff las ecuaciones que lo representan en
estas condiciones, se tiene:
 Para los secundarios
E0s - I0s . ZS - VL0 - 3 I0s . Zns = 0 (fase “a”)
E0s - I0s . ZS - VL0 - 3 I0s . Zns = 0 (fase “b”) (2.168)
E0s - I0s . ZS - VL0 - 3 I0s . Zns = 0 (fase “c”)
Para los primarios
• Considerando que las tensiones “E0p” inducidas en cada primario, por estar
en cortocircuito, se compondrán de manera de producir una “I0p”, que en
cada secundario, origina flujos cancelatorios, se tiene que:
3E0p + 3I0p.ZP = 3V0p = 0 simplificando (2.169)
E0p + I0p.ZP = V0p = 0 (2.170)
• Multiplicando m.a.m. por “nS/nP” y considerando que “I0p=(nS/nP)I0s”
E0s
(nS/nP)E0p + I0s.(nS / nP)2ZP = 0 (2.171)
• Despejando “E0s” y reemplazando en (2.168)
– I0s.[(nS/nP)2ZP + ZS] – VL0 – 3I0s.Zns = 0 (fase “a”)
– I0s.[(nS/nP)2ZP + ZS] – VL0 – 3I0s.Zns = 0 (fase “b”) (2.172)
– I0s.[(nS/nP)2ZP + ZS] – VL0 – 3I0s.Zns = 0 (fase “c”)
ETS para secuencia homopolar
ap : as
Ia1=I0p=0 Iab1=I0p Pa ZP nP : nS ZS Sa
ZLa
Ia2=I0s
Va1=V0p Vab1=V0p=0 Eab1=E0p Ea2=E0s Va2=V0s

P a Sa
bp : bs
Ib1 =I0p=0 Ibc1=I0p Pb ZP nP : nS ZS Sb ZLb
Ib2=I0s
Vb1=V0p Vbc1=V0p=0 Ebc1=E0p Eb2=E0s Vb2=V0s

P b Sb
bp : bs
Ic1=I0p=0 Ica1=I0p Pc ZP nP : nS ZS Sc ZLc
Ic2=I0s
Vc1=V0p Vca1=V0p=0 Eca1=E0p Ec2=E0s Vc2=V0s
nS Ins=3I0s
 
nP Pc Sc
Zns
Ifs=3I0s Ifs=3I0s
gP
gS

Figura 2.43
 RPF para secuencia inversa
• Como se deduce de la figura 2.43, con componente de secuencia “0” las tres
unidades monofásicas se comportan igual y cada una independiente de las
otras dos fases, por lo que cualquiera de ellas reúne los requisitos para ser la
representación por fase para secuencia “0”. En resumen como red
homopolar, se tiene:  : aP aS
Pa Iab1=I0p ZP nP : nS ZS Ia2=I0s Sa

Vab1=V0p=0
Va1=V0p Eab1=E0p Ea2=E0s Va2=V0s
3Zns

gP nP nS gS
Figura 2.44
• En forma similar a como se encuentran incluidas en (2.58/59), transfiriendo a
primario y secundario, se obtienen:
2 2
 nP   nS 
Z ccP 0  Z P    Z S (2.173) Z ccS 0    Z P  Z S (2.174)
 nS   nP 
 aP : aS
Pa ZccP0 nP : nS Sa
Iab1=I0p Ia2=I0s

Va1=V0p Eab1=E0p Ea2=E0s Va2=V0s

3Zns
gP nP nS gS

Secuencia “0” , referida a primario

Figura 2.45

aP : aS
Pa nP : nS ZccS0 Sa
Iab1=I0p Ia2=I0s

Va1=V0p Eab1=E0p Ea2=E0s Va2=V0s

3Zns
gP nP nS gS

Secuencia “0” , referida a secundario

Figura 2.46
 Representación de equivalentes de
secuencia en por unidad
• Tal como fue estudiado, las bases a elegir para la RPU deben corresponder a
los valores nominales, que para el caso de los equivalentes en valores físicos
(V, A, ), se corresponden con los de figuras: 2.35/37 (sec.1), 39/41 (sec.2) y
44/46 (sec.0). Es decir, para secuencia directa e inversa:
V1p =V2p=VP=VP/3, V2p=V2s=VS =VS y S =S (2.175)
• Con lo que las bases para secuencia “1” y “2” deberán ser:
VB1=VP=VP/3, VB2=VS=VS y SB=S=S (2.176)
• Y las impedancias en por unidad “ZP ” y “ZS ”
BP Z P ZP 3 ZP BP
ZP    2  ZP (2.177)
V
P
 2
 2

S V P 3 S V P S
Z Z
BS BS
S S (2.178)
• Entonces
BP  BP  BP BS  BP BS BP BS
Z ccP1  Z ccP 2  Z P  Z S  Z P  Z S  Z ccP  Z ccS (2.179)
• Como las bases en valores físicos nominales, de la red de secuencia
homopolar, figuras 2.44/46. se corresponden con las de las unidades
monofásicas del banco, las “ZccPBP = ZccSBS”, entonces en “PU”, resultarán ser
iguales a las de (2.179), de secuencia directa e inversa que se corresponde
con la “Zcc” de las dada por el fabricante para las unidades monofásicas que
conforman el banco.
Generalización a transformador tipo núcleo
de tres columnas
• Como se ve en figura 2.47, el flujo homopolar
“0” en un TR tipo núcleo de tres columnas se
ve obligado a retornar cerrando el circuito a
través del aire y/o el tanque (o carcaza). Esto
implica reluctancia bastante alta y para crear el
0 0 0 3
0
flujo “0” requerido por las tensiones
homopolares de las bobinas, mayor corriente
de magnetización.
• En resumen, esto significa una reactancia de
Figura 2.47 magnetización “Xm0” (de secuencia “0”)
bastante menor que las correspondientes a
secuencia directa e inversa.
 • Como idea de magnitud para la corriente de magnetización “Im”, de flujos
totalmente confinados a núcleos ferromagnéticos, por lo general son
“Im5%In” (donde, In: corriente nominal del TR). En tal caso considerando
una “ZccBT=10%”, la reactancia de magnetización será:
XmBT= (1 / 0.05) . 100 = 2000 % (2.180)
Xm BT = 200 ZccBT (2.171)
• Es decir las red de secuencia directa e inversa serán:
• En el circuito de la figura 2.48, la
reactancia de magnetización puede ser
BT
Z /2 BT Z /2
P
a cc cc a S

despreciada, con error despreciable.

BT
200Z
• Un transformador tipo núcleo de tres
cc

columnas, para secuencia homopolar,

tiene una reactancia de magnetización
Figura 2.48
comprendido entre “5” y “10” veces la
“ZccBT=10%”.
• Eligiendo el caso considerado más desfavorable:
Xm BT = 5 ZccBT (2.182)
• Es decir, el modelo de base para determinar la impedancia de secuencia
homopolar a determinar según sea el circuito que se trate, será:
Pa ZccBT/2 ZccBT/2 Sa

5ZccBT

gP nP nS gS

Figura 2.49
• Como se infiere de la figura 2.42, el valor que adopte la impedancia de la red
homopolar, resultará función, también del grupo de conexión:
• Por ejemplo si el grupo es “Yyn”, de acuerdo con la figura 2.50, la
impedancia de cortocircuito de la red homopolar, será:
 Pa ZccBT/2 ZccBT/2 Sa

5ZccBT Zcc0BT=5ZccBT+ZccBT/2=5.5ZccBT (2.183)

gP nP nS gS
Figura 2.50
• En cambio si el grupo es “Dyn”, de acuerdo con la figura 2.51, la impedancia
de cortocircuito de la red homopolar , será:
Pa ZccBT/2 ZccBT/2 Sa

5ZccBT

gP nP nS gS

 Z 2   5Z
Figura 2.51
BT BT
BT
cc cc
BT Z 21 BT
cc BT
Z    Z cc  0.95Z cc (2.184)
 Z 2   5Z
cc 0
BT BT
cc cc
2 22
• Si el grupo es “YNyn”, de acuerdo con la figura 2.52, la impedancia de
cortocircuito de la red homopolar , dependerá del resto del circuito:
Pa ZccBT/2 ZccBT/2 Sa

5ZccBT

3ZnpBT 3ZnsBT
gP nP nS gS

Figura 2.52
Nota importante:
1) En la representación propuesta, para la red de secuencia homopolar, no se deben
vincular las tierras de distinto nivel de tensión, “gP” con “gS”, tampoco las separadas
por acoplamiento magnético, en caso que éste sea mostrado.
2) De hacerlo, se estará cortocircuitando, las “3ZnpBT” y “3ZnsBT” de puesta a tierra de
los neutros del sistema. En consecuencia para esta forma de representación las
tierras deben mantenerse independiente, para cada nivel de tensión.
Referencias
[1] Sistemas de Potencia, RR Villar 2017, pag. 295 a 298.
[2] Sistemas de Potencia, RR Villar 2017, pag. 320.
[3] Sistemas de Potencia, RR Villar 2017, pag. 327.