INSTITUTO POLITÉCNICO NACIONAL

ESCUELA SUPERIOR DE CÓMPUTO

ELECTRÓNICA ANALÓGICA
PROFESOR: JOSÉ ALFREDO MARTINEZ
GUERRERO

REPORTE Nº 4: PUNTO DE OPERACIÓN DEL BJT

INTEGRANTES:
 DELGADO LUCIANO ABEL
 LÓPEZ FLORES IVAN ERNESTO

GRUPO: 2CV4

PRÁCTICA REALIZADA: 12 – SEPTIEMBRE – 2018

ENTREGA DE REPORTE: 19 – SEPTIEMBRE – 2018
Introducción teórica.
El transistor de emisión bipolar, también llamado BJT, es un dispositivo
semiconductor de tres capas que consta de dos capas de material tipo n
y una de tipo p o de dos capas de material tipo p y una de material tipo
n. El primero se llama transistor npn y el segundo pnp. Ambos se
muestran a continuación:

P á g i n a 1 | 10
 Figura 1: Transistor pnp

Figura 2: Transistor npn

La capa del emisor está muy dopada, la base ligeramente, y el colector

sólo un poco dopado. Con la polarización mostrada en las figuras 1 y 2
se identifican por medio de las letras E para el emisor, C para el colector
y B para la base.
La operación del transistor npn es exactamente la misma con los roles
de los electrones y huecos intercambiados. En la figura 3 se redibuja el
pnp sin polarización entre la base y el emisor:

P á g i n a 2 | 10
 Figura 3: Unión polarizada en directa de un transistor pnp.

Se elimina ahora la polarización de la base al emisor como se muestra

en la figura 4:

Figura 4: Unión polarizada en inversa de un transistor pnp.

En la figura 5 se indica que una gran cantidad de portadores

mayoritarios se difundirá a través de la unión p-n polarizada en directa
hacia el material tipo n. El material tipo n emparedado es muy delgado y
su conductividad es baja, un número muy pequeño de estos portadores
tomarán esta ruta de alta resistencia hacia la base. La magnitud de la
corriente de base es por lo general del orden de microamperes, en
comparación con los miliamperes de las corrientes del emisor y el
colector. El mayor número de estos portadores mayoritarios se difundirá
a través de la unión polarizada en inversa.

P á g i n a 3 | 10
 Figura 5: Flujo de portadores mayoritarios y minoritarios de un transistor pnp.

Aplicando LKC se tiene I E =I C + I B y hallando la corriente del colector se

tiene I C =I C +ICO
mayoritarios minoritarios
.

La ganancia de corriente de CD de un transistor es el cociente de la

corriente de CD del colector entre la corriente CD de la base y se
expresa como β :
IC
β=
IB

Los valores típicos de β van desde 20 hasta 200 o más, normalmente

se expresa como un parámetro híbrido h equivalente h FE .
El cociente de la corriente de CD del colector entre la corriente de CD del
emisor es el alfa de CD, el cual es un parámetro menos utilizado que la
beta y se expresa la ecuación así:
IC
α=
IE

El BJT que no está en saturación puede ser considerado un dispositivo

con una corriente en el circuito de entrada y una fuente de corriente
dependiente en el circuito de salida, como ilustra la figura 6 para un
npn.

P á g i n a 4 | 10
 Figura 6: Modelo ideal de CD de un transistor npn.

Objetivos de la práctica.
 Identificar las terminales de un transistor con el multímetro.
 Analizar las principales configuraciones de polarización del BJT.
 Establecer cuál es la configuración más estable con la temperatura.
 Analizar la importancia que tiene β en el circuito de polarización.
 Interpretar los resultados obtenidos en los circuitos empleados.

Material y equipo.
 1 protoboard.  2 resistencias 1.2 K Ω .
 2 transistores 2N2222.  2 resistencias 4.7 K Ω .
 2 transistores BC547C.  1 encendedor.
 2 transistores BC557C.  1 fuente de alimentación.
 3 resistencias 470 Ω .  1 multímetro digital.
 3 resistencias 220 Ω .

P á g i n a 5 | 10
 4 resistencias 560 Ω .

Desarrollo de la práctica.
En el primer circuito se obtiene la siguiente simulación:

U5 V2 U1
+
-
+
A
14.44 V DC 10MOhm
0.026 -
R1
DC 1e-009Ohm 12V 560Ω

U3
R2 + - Q1 + U4
1.703m A
2N2222 0.084 V DC 10MOhm
+ U2 1kΩ -
-0.027 A DC 1e-009Ohm DC 1e-009Ohm
-

V1 U6
+ -
2.44V
2.44 V

DC 10MOhm

U5 V2 U1
+
-
+
A
14.44 V DC 10MOhm
0.026 -
R1
DC 1e-009Ohm 12V 560Ω

U3
R2 + - Q1 + U4
1.702m A BC547A 0.07 V DC 10MOhm
+ U2 1kΩ -
-0.027 A DC 1e-009Ohm DC 1e-009Ohm
-

V1 U6
+ -
2.44V
2.44 V

DC 10MOhm
 U5 V2
+ - + U1
7.841m A
R1 12.707 V DC 10MOhm
-
DC 1e-009Ohm 12V 560Ω

U3
R2 + - Q1 + U4
0.038m A
2N2222 8.317 V DC 10MOhm
+ U2 1kΩ -
-7.879m A DC 1e-009Ohm DC 1e-009Ohm
-
U6
R3
+ -
V1 220Ω
2.44 V
2.44V
DC 10MOhm

U5 V2
+ -
A + U1
7.92m
R1 12.691 V DC 10MOhm
DC 1e-009Ohm 12V 560Ω -

U3
R2 + - Q1 + U4
0.031m A BC547A 8.256 V DC 10MOhm
+ U2 1kΩ -
-7.952m A DC 1e-009Ohm DC 1e-009Ohm
-

V1 U6 R3
+
0.691 DC 10MOhm 220Ω
2.44V V
-
 U5 V2
+ - + U1
-1.851m A
R1 -2.944 V DC 10MOhm
-
12V 560Ω
R4 DC 1e-009Ohm
4700Ω
U3
R2 + - Q1 + U4
1.597m A
2N2222 -1.908 V DC 10MOhm
1kΩ -

+ U2 DC 1e-009Ohm
0.253m A DC 1e-009Ohm
-
R3
220Ω
R5 + U6
1200Ω 0.36 V DC 10MOhm
-

U5 V2
+ - + U1
-1.86m A
R1 -2.818 V DC 10MOhm
-
12V 560Ω
R4 DC 1e-009Ohm
4700Ω
U3
R2 + - Q1 + U4
1.548m A BC547A -1.777 V DC 10MOhm
1kΩ -

+ U2 DC 1e-009Ohm
0.312m A DC 1e-009Ohm
-
R3
220Ω
R5 + U6
1200Ω 0.443 V DC 10MOhm
-
 U5 V2
+ - + U1
1.952m A
R1 1.473 V DC 10MOhm
-
12V 560Ω
R4 DC 1e-009Ohm
4700Ω
U3
R2 + - Q1 + U4
-1m A BC557A 0.38 V DC 10MOhm
1kΩ -

+ U2 DC 1e-009Ohm
-0.952m A DC 1e-009Ohm
-
R3
220Ω
R5 + U6
1200Ω -1.352 V DC 10MOhm
-

Y comparando los resultados con los medidos en el laboratorio se

obtiene la siguiente tabla:
Valor medido Valor simulado
Transistor 2N2222 BC547 2N2222 BC547
npn
VB
VC
V CE
IB
IC
IE

Cuestionario.
1. ¿Cuál es la razón de polarización del transistor?
Solución.
Preparar el transistor para que trabaje en la región activa dentro de
un circuito en el cual se le quiere utilizar, se busca que a través del
colector circule una cantidad de corriente I C y a su vez se obtenga
una tensión entre el colector y el emisor.
2. ¿Qué nos representa la β del transistor?
Solución.
En corriente directa, es la relación entre IC e I B , variando
50 ≤ β ≤ 400 .
3. ¿Qué nos representa el α del transistor?
Solución.
 En corriente directa, el α son los niveles de I C e I E originados
por los portadores mayoritarios
4. ¿Cuál de los circuitos de polarización anteriores es más estable con la
temperatura?
Solución.

5. Mencione qué es el punto de operación de un transistor.

Solución.
Proporcionar corrientes y tensiones en CD necesarias para que el
transistor opere en la región lineal y suministrar energía al transistor
de la que parte de ella va a ser convertida en potencia.

Conclusiones.
Referencias.
 Dispositivos Electrónicos, Floyd – Pearson 8ª Edición
 Electrónica, Boylestad - Pearson 10ª edición
 www.wikipedia.org