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Jose Luis Ramirez Bohorquez

Sensor Hall com geometria octogonal e com


cancelamento do offset, preparado para o estudo do
efeito Piezo-Hall

Hall plate with a octagonal geometry and offset


cancellation, designed for Piezo-Hall effect
measurement

Campinas, 2015

i
ii
Universidade Estadual de Campinas
Faculdade de Engenharia Elétrica e de Computação

Jose Luis Ramirez Bohorquez

Sensor Hall com geometria octogonal e com


cancelamento do offset, preparado para o estudo do
efeito Piezo-Hall

Orientador: Prof. Dr. Fabiano Fruett

Dissertação de mestrado apresentada à Faculdade


de Engenharia Elétrica e de Computação como
parte dos requisitos exigidos para a obtenção do
tı́tulo de Mestre em Engenharia Elétrica. Área de
concentração: Eletrônica, Microeletrônica e Op-
toeletrônica.

Orientador: Fabiano Fruett

Este exemplar corresponde à versão final


da Dissertação defendida pelo aluno Jose
Luis Ramirez Bohorquez e orientada pelo
Prof. Dr. Fabiano Fruett

Campinas, 2015

iii
iv
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Resumo

Os transdutores de efeito Hall são os sensores magnéticos mais populares, porém,


a tensão de offset e deriva de suas caracterı́sticas limita o número de aplicações
nas quais são usados. A principal fonte de variação é o estresse mecânico remanes-
cente na estrutura cristalina, relacionado aos piezo-efeitos presentes em materiais
semicondutores, gera tensão de offset e influencia a sensibilidade do dispositivo.
Apresentamos neste trabalho um sensor Hall com oito contatos, fabricado usando
uma tecnologia CMOS comercial (XFABc06), que foi projetado para estudar a in-
fluência dos diferentes efeitos nas direções cristalográficas <100> e <110>. Este
dispositivo foi projetado para ser usado tanto como placa Hall como elemento piezo-
resistivo, já pensando em pesquisas futuras e mais detalhadas sobre a correlação
entre os efeitos Hall e piezo-resistivo, o denominado efeito piezo-Hall.
Finalmente, modelando o dispositivo como uma ponte resistiva, analisamos as
principais técnicas usadas para a redução de ruido e tensão de offset em sensores
Hall. Utilizando este desenvolvimento como base, projetamos um sensor magnético
com redução de tensão de offset, onde a técnica de giro de corrente é implementada
usando a placa Hall octogonal, fontes de corrente e portas de transmissão analógicas.
A placa Hall foi integrada monoliticamente com o circuito eletrônico de condicio-
namento de sinais. Medidas experimentais evidenciam uma redução da tensão de
offset remanescente de 99%, comparado ao observado na placa Hall octogonal.

Palavras-chave: Sensores Integrados, Sensores Magnéticos, Efeito Hall, Cancela-


mento de tensão de offset, Giro de corrente, efeito Piezo-Hall.

vii
viii
Abstract

Hall Effect transducers are the most popular kind of magnetic sensor; however, the
offset voltage and drift of their characteristic have limited their usability. The main
source of variation is the remaining mechanical stress in the crystalline silicon struc-
ture, related to the piezo-effects in the semiconductor materials, it has an important
influence in the offset and the sensitivity of the device.
This work introduced an eight terminal Hall plate fabricated using a commercial
CMOS process (XFABc06), which was used to study the different effects in the main
crystallographic directions, which is suitable to measure the cross side effect between
both Hall and piezo-resistive effects, which is called Piezo-Hall effect.
Finally, we analyzed Hall-plate devices as four-terminal resistance bridges to
determine the main sources of error and explained how current-spinning technique
can be used to effectively reduce offset and noise. Based on this analysis, an improved
magnetic sensor was designed using the eight terminal octagonal Hall plate and a
chopped-based control circuit. We integrated monolithically the sensor, switches,
digital control and bias circuit that are required to implement the current-spinning
technique. Experimental results showed a 99% offset reduction compared with the
original offset level measured at Hall plate.

Key-words: Integrateed sensor, Magnetic sensor, Hall-effect sensor, Offset cancella-


tion, Current-spinning offset reduction, Piezo-Hall effect.

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Sumário

Prefácio 1
Motivação . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
Introdução . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2
Objetivo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
Organização . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3

I Desenvolvimento Teórico 5
1 Sensores Microeletrônicos 6
1.1 Efeitos Transdutores . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6
1.2 Sensores Microeletrônicos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8
1.3 Especificações de sensores . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9

2 Magnetismo 10
2.1 Breve resumo histórico . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10
2.2 Definição de Campo Magnético . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11
2.3 Magnetômetro . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12

3 Eletromagnetismo e o Efeito Hall 14


3.1 Os efeitos Galvanométricos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15
3.1.1 Efeito Hall . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15
3.1.1.1 Efeito Hall em condutores . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16
3.1.1.2 Efeito Hall em semicondutores . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17
3.1.1.3 Mobilidade Hall . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19
3.1.2 Efeito Magneto-resistivo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20

4 O efeito Piezo-resistivo em Silı́cio 21


4.1 Efeito Piezo-resistivo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21
4.1.1 Teoria da Elasticidade . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22
4.1.2 Desenvolvimento analı́tico do efeito piezo-resistivo . . . . . . . . . . . . . 23
4.1.3 Efeito piezo-resistivo em dispositivos de quatro terminais . . . . . . . . . 26
4.2 Efeito Piezo-Hall . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30

xi
II Projeto e Desenvolvimento dos Sensores Hall e Circuitos de
condicionamento e polarização 33
5 Sensor tipo placa Hall Octogonal 34
5.1 Geometria da área ativa de uma placa Hall Integrada . . . . . . . . . . . . . . . 34
5.2 O Fator Geométrico em sensores Hall . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35
5.3 Modo de operação do sensor Hall . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 37
5.3.1 Resistência de entrada e de saı́da . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 37
5.3.2 Tensão Hall . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 38
5.3.3 Desvio de zero ou Tensão de offset . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 38
5.3.4 Ruı́do em placas Hall . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 39
5.3.5 Deriva térmica . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 39
5.4 Tecnologia de Fabricação CMOS XFAB c06 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 41
5.5 Placa Hall com geometria octogonal . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 43
5.6 Projeto da membrana quadrada . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 45
5.7 Chip Fabricado . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 46

6 Técnicas para redução de offset 49


6.1 Dispositivos múltiplos com acoplamento ortogonal . . . . . . . . . . . . . . . . 49
6.2 Comutação de contatos-corrente e contatos-sensor . . . . . . . . . . . . . . . . . 51
6.3 Inversão de corrente . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 52
6.4 Giro de corrente . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 53

7 Projeto e realização dos circuitos de condicionamento e controle do girador


de corrente 55
7.1 Descrição funcional . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 55
7.2 Descrição da arquitetura e topologia . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 56
7.2.1 Circuito de condicionamento . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 56
7.2.2 Sub-blocos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 57
7.2.2.1 Fonte de corrente de referência . . . . . . . . . . . . . . . . . . 58
7.2.2.2 Multiplexador de tensão . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 61
7.2.2.3 Demultiplexador de corrente de polarização . . . . . . . . . . . 63
7.2.2.4 Lógica digital de controle de direção de corrente . . . . . . . . . 65
7.2.2.5 Amplificador Operacional . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 66
7.2.2.6 Circuito e polarização dos contatos-sensor . . . . . . . . . . . . 69
7.3 Integração e implementação do circuito de controle do girador de corrente . . . . 72
7.4 Integração do Chip completo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 76

III Resultados Experimentais 79


8 Aparato para caracterização experimental do sistema 80
8.1 Fontes de campo magnético . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80
8.1.1 Propriedades magnéticas dos materiais . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80
8.1.2 Geradores de Campo magnético . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 83
8.2 Experimento para a validação do funcionamento do dispositivo . . . . . . . . . . 86
8.2.1 Diagrama de solda e empacotamento da placa Hall octogonal . . . . . . 87
8.2.2 Montagem do experimento . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 88

xii
8.2.3 Resultados dos Testes de Validação . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 88
8.3 Aparelho de caracterização do dispositivo sensor placa Hall octogonal . . . . . . 90
8.3.1 Diagrama de solda e empacotamento da placa Hall octogonal diretamente
sobre a placa de circuito impresso . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 90
8.3.2 Suporte mecânico para a montagem experimental . . . . . . . . . . . . . 91
8.4 Caracterização do dispositivo sensor placa Hall com sistema de redução de offset 93
8.4.1 Diagrama de solda e empacotamento para o sistema sensor com redução
de offset . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 94

9 Caracterização experimental 95
9.1 Resultados da placa Hall com geometria octogonal e conclusões parciais . . . . . 95
9.1.1 Tensão de offset . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 95
9.1.2 Sensibilidade da placa Hall . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 97
9.2 Resultados do sensor com redução de offset e conclusões parciais . . . . . . . . . 98
9.2.1 Circuito de polarização e caracterı́sticas estáticas do dispositivo . . . . . 100
9.2.2 Tensão de offset . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 101
9.2.3 Sensibilidade do sistema . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 103
9.2.4 Comparação entre diferentes sequências de comutação . . . . . . . . . . . 104

IV Conclusões 107
10 Conclusões e perspectivas 108
10.1 Conclusões . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 108

Bibliografia 111

xiii
xiv
Para a Thatiane, Por
ser simplesmente Inspi-
radora.

xv
xvi
Agradecimentos

Agradeço principalmente à Thatiane, pelo apoio incondicional e a inesgotável paciência.


Ao Prof. Fabiano Fruett, pela orientação, crı́ticas e apoio.
Aos colegas do LSM, por serem fonte constante de inspiração.
Ao Centro de Tecnologia da Informação Renato Archer - CTI, e o Centro de Componentes
Semicondutores - CCS da UNICAMP, que emprestaram gentilmente os seus recursos para de-
senvolver etapas e processos fundamentais para este projeto.

xvii
xviii
“Não! Tentar não. Faça ou não faça. Tentativa
não há.”
Mestre Yoda1

1
Mestre Jedi, sábio, personagem da ficção cientı́fica

xix
xx
Lista de Figuras

1.1 Conversão de energia e sinais de diversos domı́nios ao elétrico pelos sensores


eletrônicos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7
1.2 Exemplos: a) sensoreamento direto e b) sensoreamento indireto para diferentes
estı́mulos fı́sicos. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8

2.1 Faixa de detecção de diferentes tecnologias de sensores magnéticos . . . . . . . . 12

3.1 Placa Hall Condutora . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16


3.2 Efeito Hall em Semicondutores . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17
3.3 Coeficiente Hall versus Dopagem em Silı́cio . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19
3.4 Fator Hall versus Dopagem em Silı́cio para 77K e 300K . . . . . . . . . . . . . . 20

4.1 Elemento infinitesimal com estresse e tensão em todas as direções. . . . . . . . 23


4.2 Condutor retangular. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24
4.3 Coeficientes de piezo-resistência longitudinal e transversal [10−9 Pa−1 ]: a) Silı́cio
tipo n e b) Silı́cio tipo p. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 26
4.4 Dispositivo de 4 terminais, sendo que os terminais C1 e C2 representam os
contatos-corrente, enquanto S3 e S4 são os contatos-sensor. . . . . . . . . . . . . 27
4.5 a) Circuito elétrico equivalente para a resistência de saı́da; b) Circuito elétrico
equivalente para a resistência de entrada; c) Circuito elétrico equivalente em
Ponte de Wheatstone. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27
4.6 Variação da sensibilidade relativa como função do estresse mecânico, o denomi-
nado efeito piezo-Hall. As graficas correspondem a dispositivos dopados com
fosforo, onde A: ND ≈ 1, 81 × 1014 cm−3 ; B:ND ≈ 1, 5 × 1015 cm−3 ; C: ND ≈
6 × 1015 cm−3 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31
4.7 Coeficientes Piezo-resistivos (π) e Piezo-Hall em semicondutor tipo n. . . . . . 32

5.1 Placas Hall com diferentes topologias . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35


5.2 Resultado de um modelo numérico de uma placa Hall quadrada. Os contatos-
corrente estão hachurados. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35
5.3 Simulação numérica de uma placa Hall retangular detalhando a distorção produ-
zida pelo efeito de curto-circuito em contatos-corrente e contatos-sensor. A figura
ilustra: a) Linhas de fluxo de corrente; b) Equipotenciais de potencial. . . . . . 36

xxi
5.4 Representação esquemática da Resistência de entrada e saı́da . . . . . . . . . . 37
5.5 Densidade de ruı́do espectral em dispositivos Hall. . . . . . . . . . . . . . . . . 39
5.6 Mobilidade de portadores em diferentes temperaturas para vários nı́veis de Do-
pagem de Silı́cio tipo n. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40
5.7 Densidade de Portadores versus Temperatura para diferentes dopagens em Silı́cio 41
5.8 Deriva térmica da sensibilidade à tensão Sv e sensibilidade à corrente SI . . . . . 41
5.9 Vista superior e corte transversal de um placa Hall integrada genérica. . . . . . 42
5.10 Principais orientações cristalográficas no plano de uma lâmina de Si [100] tipo p. 42
5.11 Corte transversal da tecnologia XFABc06. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 43
5.12 Oito possı́veis configurações para polarizar e medir a tensão Hall em uma placa
com oito terminais. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 44
5.13 Detalhe da geometria do sensor, as medidas estão em µm.. . . . . . . . . . . . . 44
5.14 Dimensões em mm da membrana quadrada. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 46
5.15 Dimensões da marca de alinhamento, dimensões em µm. . . . . . . . . . . . . . 46
5.16 Foto do sensor fabricado tomada com um microscópio óptico. . . . . . . . . . . . 47
5.17 Leiaute do Chip, incluindo 4 sensores e PADs de alimentação . . . . . . . . . . . 47
5.18 Foto do sensor fabricado detalhando a posição dos sensores e o espaço demarcado
para a membrana. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 48

6.1 Modelo do componente de quatro terminais como uma ponte resistiva. . . . . . . 50


6.2 Dispositivos ortogonais, representando um giro de 90° no sentido da corrente do
segundo dispositivo em relação à orientação original. . . . . . . . . . . . . . . . 51
6.3 Dispositivos ortogonais ligados em paralelo para cancelar a tensão de offset. . . . 52
6.4 Modelo do componente de quatro terminais com uma ponte resistiva e tensão de
offset entre os contatos sensor. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 53
6.5 Sequência de comutações no sentido da corrente para implementar a técnica de
giro de corrente para um dispositivo de oito terminais. . . . . . . . . . . . . . . 54

7.1 Diagrama de Blocos do sistema sensor com eletrônica integrada. . . . . . . . . 56


7.2 Esquemático da fonte de corrente tipo Widlar. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 58
7.3 Estrutura de teste da fonte de corrente. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 59
7.4 Corrente versus Tensão de Saı́da para várias temperaturas. . . . . . . . . . . . . 59
7.5 Corrente versus Temperatura. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60
7.6 Corrente versus Tensão de alimentação. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60
7.7 Leiaute da Fonte de Corrente. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 61
7.8 Esquemático e sı́mbolo da porta de transmissão. . . . . . . . . . . . . . . . . . 62
7.9 Esquemático do Multiplexador. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 62
7.10 Teste de porta de transmissão usadas no multiplexador analógico. . . . . . . . . 63
7.11 Esquemático do multiplexador incluindo o espelho de corrente. . . . . . . . . . . 64
7.12 Teste das chaves do multiplexador de corrente . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 64
7.13 Unidade de controle digital. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 65
7.14 Implementação Fı́sica do Bloco de controle Digital. . . . . . . . . . . . . . . . . 66
7.15 Esquemático do amplificador operacional. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 66

xxii
7.16 Estrutura de teste do amplificador operacional. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 67
7.17 Diagrama de Bode do amplificador. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 68
7.18 Leiaute do Amplificador em tecnologia CMOS. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 69
7.19 Diagrama de blocos ilustrando o funcionamento do amplificador para polarização
dos contatos sensores. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 70
7.20 Esquemático do circuito usado para ajustar o nı́vel DC nos contatos-sensor. . . 71
7.21 Leiaute do circuito de polarização dos contatos sensores. . . . . . . . . . . . . . 72
7.22 Esquemático do circuito de condicionamento e controle de giro de corrente. . . 73
7.23 Foto da implementação fı́sica do circuito de condicionamento junto ao sensor
fabricado. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 74
7.24 Blocos e leiaute do circuito de condicionamento e controle do girador de corrente. 75
7.25 Esquemático do circuito integrado. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 76
7.26 Fotografia do Chip fabricado, incluindo os sensores, circuitos de condicionamento
e controle do girador de corrente e PADs. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 77

8.1 Campo magnético versus Campo magnetizante para diferentes tipos de materiais:
a linha em vermelho, esta representado o vácuo (µ0 ); a azul ilustra um elemento
paramagnético (µp ); a verde um diamagnético (µd ); e a cinza um ferromagnético
(µf ). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 81
8.2 Ciclo de magnetização de um material ferromagnético que apresenta histereses. 82
8.3 Linhas de campo ao redor de um ı́mã tipo a) barra e b) tipo ferradura. . . . . . 83
8.4 Linhas de campo magnético ao redor de um condutor retilı́neo . . . . . . . . . . 84
8.5 Campo magnético no centro de um laço condutor. . . . . . . . . . . . . . . . . . 84
8.6 Linhas de campo dentro de um solenoide. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 85
8.7 Linhas de campo dentro de um toroide . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 86
8.8 Linhas de campo dentro de um toroide com uma ranhura. . . . . . . . . . . . . 86
8.9 Diagrama de Solda (wiremap) do Chip sensor Hall no empacotamento DIP-40 e
foto do dispositivo encapsulado. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 87
8.10 Diagrama de Pinos do chip sensor Hall no empacotamento DIP-40. . . . . . . . 88
8.11 Montagem experimental para a caracterização do sensor Hall. . . . . . . . . . . 88
8.12 Diagrama de Solda (wiremap) do CHIP sensor Hall no empacotamento DIP-40. 91
8.13 Modelo 3D da montagem experimental.. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 92
8.14 Foto do chip sob a placa usada como base na montagem experimental.. . . . . . 92
8.15 Modelo 3D da montagem experimental.. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 93
8.16 Diagrama de Solda (wiremap) do Chip sensor Hall empacotado diretamente sobre
a placa de circuito impresso e foto do dispositivo encapsulado. . . . . . . . . . . 94

9.1 Medidas de offset em um dispositivo ao comutar a corrente. . . . . . . . . . . . 95


9.2 Medidas da tensão de offset para oito diferentes direções em quatro amostras
distintas. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 96
9.3 Medida da tensão Hall VH versus Campo Magnético. . . . . . . . . . . . . . . . 97
9.4 Medida de Tensão Hall VH para uma tensão de polarização variável entre os
contatos-corrente com um campo magnético de magnitude B = 200mT. . . . . . 98

xxiii
9.5 Montagem experimental para a caracterização do sensor Hall . . . . . . . . . . 99
9.6 Medidas de offset em um dispositivo ao alterar o sentido da corrente. . . . . . . 101
9.7 Medidas da tensão de offset para oito diferentes direções em quatro sensores. . . 102
9.8 Medida da tensão de saı́da Vout versus Campo Magnético. . . . . . . . . . . . . 103
9.9 Direções de corrente em dispositivo de oito terminais. . . . . . . . . . . . . . . . 104

xxiv
Lista de Tabelas

2.1 Unidades Magnéticas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12

4.1 Simplificação dos coeficientes piezo-resistivos de primeira ordem. . . . . . . . . 25


4.2 Coeficientes piezo-resistivos de primeira ordem [10−9 Pa−1 ]. . . . . . . . . . . . . 25

5.1 Direção da corrente entre os diferentes contatos-corrente da placa octogonal . . 45

7.1 Resumo de resultados das simulações da fonte de corrente. . . . . . . . . . . . . 61


7.2 Resultados para a porta de transmissão analógica projetada. . . . . . . . . . . 63
7.3 Resultado do demutiplexador, incluindo os espelhos de corrente . . . . . . . . . 65
7.4 Tabela verdade do bloco digital. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 65
7.5 Resumo dos resultados de simulação do amplificador. . . . . . . . . . . . . . . . 69
7.6 Resultados da simulação do circuito de polarização dos contatos-sensor. . . . . . 71
7.7 Descrição de Sinais de entrada e saı́da do bloco de condicionamento. . . . . . . 72
7.8 Descrição dos sinais de entrada e saı́da. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 77

8.1 Permeabilidade magnética para alguns materiais. . . . . . . . . . . . . . . . . . 82


8.2 Medição da Resistência de entrada para 3 amostras. . . . . . . . . . . . . . . . 89
8.3 Resultados da tensão de offset no empacotamento DIP. . . . . . . . . . . . . . . 89
8.4 Resultados da caracterização do sensor. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 90

9.1 Resultados da tensão de offset no dispositivo empacotado diretamente na PCB. 96


9.2 Resultados da caracterização dos circuitos elétricos do sensor. . . . . . . . . . . 100
9.3 Tensão em Volts para cada contato segundo o valor da entrada Sel . . . . . . . . 101
9.4 Resultados da tensão de offset no dispositivo sensor magnético . . . . . . . . . 102
9.5 Tensão de offset residual para sequências diferentes. . . . . . . . . . . . . . . . . 105

xxv
xxvi
Lista de Sı́mbolos

F (x) Função da variável x


C(x, y) Correlação entre as variáveis x e y
Φ Fluxo Magnético


B Campo Magnético


H Campo Magnetizante


M Magnetização
µ Permeabilidade Magnética
µ0 Permeabilidade Magnética do vácuo
µr Permeabilidade Magnética relativa ao vácuo
U Força Magnetomotiva


E Campo Elétrico
Q Carga elétrica
q Carga elétrica fundamental
n Densidade de portadores negativos - elétrons
p Densidade de portadores positivos - lacunas
ni Portadores intrı́nsecos
ρ Densidade de caga elétrica

−v Velocidade


J Densidade de corrente elétrica
I Corrente elétrica
 Constante dielétrica
0 Constante dielétrica do vácuo
FL Força de Lorentz
A Área
w Largura
l Comprimento
t Espessura
C1 & C2 Contatos-corrente
S1 & S2 Contatos-sensor
VH Tensão Hall
RH Coeficiente Hall
rH Fator Hall
µn & µp Mobilidade de elétrons e lacunas

xxvii
b Relação entre mobilidades de elétrons e lacunas µn/µp
µH Mobilidade Hall
Fn Força mecânica Normal
Ft Força mecânica Tangencial
σ Estresse mecânico Normal
τ Estresse mecânico Tangencial
σkl Matriz de tensores de estresse mecânico
Y Módulo de Young
G Módulo de Rigidez
Cji Matriz de coeficientes de elasticidade
Sij Matriz de coeficientes independentes da elasticidade
πijkl Matriz de coeficientes piezo-resistivos de primeira ordem
π11 Coeficiente piezo-resistivo longitudinal
π12 Coeficiente piezo-resistivo transverso
π44 Coeficiente piezo-resistivo cisalhamento
υ Coeficiente de Poisson
 Deformação nominal do material
γ Deformação transversal do material
ρ0 Resistividade elétrica nominal
R Resistência elétrica
GH Fator geométrico
P11 Coeficiente piezo-Hall longitudinal
P12 Coeficiente piezo-Hall transverso
Vout Tensão de saı́da
Vof f Tensão de desvio de zero ou tensão de offset
Rin Resistência de entrada
Rout Resistência de saı́da
SI Sensibilidade Hall relativa a corrente de polarização
Sv Sensibilidade Hall a tensão de polarização

xxviii
Prefácio

Motivação
Acompanhando a indústria de semicondutores, a tecnologia de manufatura e integração de
sensores também vem evoluindo rapidamente, almejando obter dispositivos mais confiáveis, pre-
cisos e inteligentes. Estos sensores microeletrônicos integrados ganharam destaque nas últimas
décadas, sendo fundamentais para a evolução do mercado automotivo, o controle industrial, a
eletrônica de consumo e dispositivos móveis [1]. Segundo a reportagem da INTECHO CON-
SULTING [1], o crescimento do mercado mundial não militar de sensores entre 2006 e 2011 foi
de 7.9% anual, com uma previsão de crescimento de 9.1% até 2016, número muito superior a
qualquer outro setor da indústria de semicondutores.
Os sensores de campo magnético possuem posição de destaque no mercado, tendo apresen-
tado em 2010 uma demanda de 3.67 bilhões de unidades e uma estimativa de vendas superior
a 7.1 bilhões para 2016, o que representa um crescimento anual de 10.3%, segundo o estudo
publicado por MarketResearch.com [2].
O principal consumidor de sensores magnéticos é o mercado automotivo, representando 40%
da demanda mundial, mas esta posição pode ser alterada em breve, já que os avanços na
precisão destes dispositivos vem promovendo um aumento significativo do uso em outras áreas,
como jogos de vı́deo e tecnologias móveis [2, 3].
Os mesmos estudos publicados pela MarketResearch.com indicam que os sensores de efeito
Hall têm uma fatia do mercado superior a 70%, sendo o tipo de sensor magnético mais vendido e
popular. Apesar de sua posição destacada, os sensores Hall possuem limitações que podem vir a
prejudicar sua aplicação: o desvio de zero (ou tensão de offset) e a deriva de suas caracterı́sticas,
o que limita as aplicações a campos onde a variação da intensidade magnética seja relativamente
grande. A maior parte destes problemas estão associados ao estresse mecânico que é induzido
no semicondutor cristalino, refletindo nas caracterı́sticas dos dispositivos devido ao efeito piezo-
resistivo.
O estudo dos sensores tipo Hall possibilitará encontrar metodologias para reduzir significa-
tivamente o erro na saı́da e a sensibilidade ao estresse mecânico, permitindo a fabricação de
componentes mais precisos, exatos e sensı́veis.

1
Introdução 2

Assim como existe influência do efeito piezo-resistivo no sensor de efeito Hall, há também uma
influência do efeito Hall sobre sensores baseados no efeito piezo-resistivo, já que ambos os efeitos
são dependentes da mesma caracterı́stica fı́sica, a mobilidade de portadores. O denominado
efeito piezo-Hall [4] relaciona ambos os efeitos piezo-resistivo e Hall, sendo, portanto, um campo
fértil para a realização de estudos e pesquisa cientı́fica.

Introdução
É bem conhecida a existência do efeito Hall e o efeito piezo-resistivo nos semicondutores
monocristalinos, assim como o uso de ambos os fenômenos para projetar e fabricar diferentes
tipos de sensores.
Geralmente, os sensores Hall são construı́dos sobre silı́cio dopado tipo n, a fim de aprovei-
tar a maior mobilidade dos portadores neste material. Já os sensores de pressão, que fazem
uso do efeito piezo-resistivo no silı́cio, são fabricados em silı́cio dopado tipo p, aproveitando o
maior coeficiente piezo-resistivo. Excluı́da a diferença de fabricação, ambos os sensores possuem
geometrias similares.
As caracterı́sticas dos sensores tipo Hall, especialmente a sensibilidade e o desvio de zero, são
dependentes do estresse mecânico. Portanto, ao aparecer um estresse mecânico em um sensor
magnético aparece também um erro na medida observada na saı́da [4]. O principal problema é
que o estresse mecânico é inevitável, pois é induzido durante a fabricação e o empacotamento,
variando aleatoriamente entre os dispositivos.
Com o objetivo de melhorar os sensores tipo Hall e diminuir as dificuldades elucidadas acima,
é preciso entender o comportamento destes dispositivos. Estamos propondo neste trabalho
um sensor de oito terminais, diferente do tradicional Hall de 4 terminais, que permita medir
as principais direções cristalinas encontradas na superfı́cie das lâminas usadas em tecnologias
CMOS atuais (<100> e <110>).
Para reduzir a dependência do offset no sensor Hall, aplicamos uma metodologia de cance-
lamento do desvio de zero inspirada nas técnicas de multiplexação de corrente e cancelamento
dinâmico por quadratura. Basicamente, o sentido da corrente dentro do dispositivo é comutado,
permitindo integrar a tensão de saı́da em diferentes direções, reduzindo assim o erro residual na
saı́da.
Existe ainda uma variação na sensibilidade do sensor causada pela deformação mecânica.
Esta relação entre os efeitos piezo-resistivos e o efeito Hall é denominada efeito piezo-Hall
[4], e se fundamenta na influência do estresse mecânico na mobilidade de portadores em um
semicondutor cristalino. As estruturas estudadas neste trabalho foram projetadas de forma
que possam ser submetidas simultaneamente à deformação mecânica e a um campo magnético,
abrindo a possibilidade de se realizar medições e encontrar uma relação entre os efeitos Hall e
piezo-resistivos, possibilitando o estudo mais detalhado sobre a conexão entre ambos.
Introdução 3

Objetivos
Projetar estruturas que permitam realizar medições e caracterizar um dispositivo sensor de
campo magnético, tipo placa Hall, nas principais direções cristalográficas da superfı́cie de uma
placa de silı́cio monocristalino de um processo de fabricação CMOS comercial (XFAB c06).
Após a caraterização da estrutura, projetar um sistema que permita reduzir o erro de offset, a
variação de sensibilidade e o ruı́do.

Objetivos detalhados
• Fabricar uma Placa Hall com geometria octogonal que permita fazer medições nas princi-
pais direções cristalográficas (<100> e <110>).

• Caracterizar o dispositivo, com especial atenção à sensibilidade e ao offset nas diferentes


direções.

• Projetar um circuito de controle de corrente que permita controlar a direção da corrente e


da tensão Hall medida, podendo assim comutar os terminais de entrada e saı́da do dispo-
sitivo, criando um método de redução de offset baseado na técnica de “current sppining”
e multiplexação por quadratura.

• Integrar monoliticamente o sensor projetado com o circuito de redução de offset.

Organização
Esta Dissertação está organizada em três partes, subdivididas em Introdução, nove capı́tulos,
Conclusões e apêndices, sendo que:
Introdução: Onde descrevemos a motivação, objetivos e aplicações deste trabalho, assim
como a organização da tese.
Primeira Parte: Desenvolvimento Teórico
Capı́tulo 1: Apresentamos uma introdução sobre o tema de sensores voltado para a área de
microeletrônica.
Capı́tulo 2: Apresentamos um breve histórico sobre o campo magnético e os padrões de
medida associados a esta grandeza fı́sica. Assim como uma introdução sobre os dispositivos
usados para detectar e medir campos magnéticos, os sensores magnéticos.
Capı́tulo 3: Neste capı́tulo, resumimos os conceitos básicos do eletromagnetismo, incluindo
a força de Lorentz e as equações de Maxell. Através destes conceitos, introduzimos o efeito
Hall, além do desenvolvimento analı́tico das equações que definem este fenômeno em materiais
metálicos e semicondutores.
Capı́tulo 4: Explicamos o efeito piezo-resistivo através da mecânica de materiais, a teoria
da elasticidade (Lei de Hooke) e a fı́sica do estado sólido, relacionando a deformação mecânica
com a mudança na resistência elétrica. Incluı́mos uma revisão sobre o efeito piezo-resistivo para
o silı́cio monocristalino, englobando o coeficientes piezo-resistivos, e como é aproveitado este
efeito para projetar sensores. Apontamos as semelhanças que existem na geometria das placas
Introdução 4

Hall e o sensores de quatro terminais baseados no efeito piezo-resistivo, além da existência de


sensibilidade cruzada entre o efeito Hall e a piezo-resistividade, que se denomina efeito piezo-
Hall.
Segunda Parte: Projeto de Sensores e Circuitos
Capı́tulo 5: Neste capı́tulo, introduzimos alguns conceitos importantes para o projeto ade-
quado de sensores tipo placa Hall, como o posicionamento dos contatos, a geometria do com-
ponente e a tecnologia de fabricação. Na sequência discutimos sobre os modos de operação
e aplicação dos sensores tipo placa Hall, incluindo as principais limitações destes componen-
tes (por exemplo, ruı́do e tensão de offset). Finalmente apresentamos o projeto da placa Hall
octogonal e mostramos o dispositivo fabricado.
Capı́tulo 6: Analisamos as principais fontes de tensão de offset e as principais técnicas
desenvolvidas para reduzir o desvio de zero. Explicamos a técnica de giro de corrente em
dispositivos de quatro terminais, e como adaptamos esta metodologia para um dispositivo de 8
terminais.
Capı́tulo 7: Apresentamos um completo sumário dos circuitos integrados junto ao sensor
octogonal, para implementar um sistema de redução de tensão de offset e condicionamento de
sinal de saı́da.
Terceira Parte: Resultados Experimentais
Capı́tulo 8: Neste capı́tulo, apresentamos as estruturas usadas para caracterizar experi-
mentalmente os dispositivos sensores fabricados. Detalhamos os procedimentos utilizados para
empacotar os componentes, controlar a fonte de campo magnético, projetar as estruturas de sus-
tentação mecânica e conectar os instrumentos para montagem do experimento e as montagens
experimentais para medir a resposta do sensor.
Capı́tulo 9: Apresentamos os resultados da caracterização da placa Hall octogonal e do sensor
magnético com redução de offset. Estimamos as caracterı́sticas relevantes dos dispositivos,
incluindo: sensibilidade média e tensão de offset residual.
Quarta Parte: Conclusões
Capı́tulo 10: Contém os comentarios finais e possı́veis trabalhos que podem ser derivados
deste projeto.
Parte I

Desenvolvimento Teórico

5
Capı́tulo 1
Sensores Microeletrônicos

Sensores são dispositivos que respondem a um estı́mulo fı́sico ou quı́mico de forma facilmente
mensurável e interpretável pelo observador. Sensores projetados para humanos vêm acompa-
nhados de um indicador que permite a sua fácil leitura, por exemplo, um barômetro de mercúrio
permite relacionar a pressão atmosférica com a altura de uma coluna de mercúrio ou um termô-
metro de mercúrio, que permite mensurar a temperatura observando a dilatação do material.
Em ambos os casos, uma escala é colada ao tubo de mercúrio e serve como indicador visual ao
leitor.
Com a rápida adoção de aparelhos elétricos e a disseminação de métodos de controle e
instrumentação eletrônicos na sociedade e na indústria, se tornam cada vez mais práticos e
populares os sensores que entregam um sinal elétrico como saı́da, isto é, transformam o estı́mulo
em um potencial ou uma corrente elétrica, como é retratado na Figura 1.1 [5]. Estes dispositivos
se denominam transdutores, pois convertem um tipo de energia em outra [5].
Na atualidade, os transdutores substituem a grande maioria de sensores convencionais, uma
vez que resultam mais baratos, confiáveis e precisos, podendo ser integrados em um componente
único junto aos circuitos de polarização, condicionamento e processamento de sinal.
Estes dispositivos são blocos fundamentais para o controle e automação, permitindo a me-
dição de múltiplas variáveis e a implementação de sistemas de controle automáticos, em tempo
real e em malha fechada.
A importância dos transdutores e o seu potencial comercial tem impulsionado a pesquisa e
o desenvolvimento de sensores cada vez mais versáteis, confiáveis e inteligentes.

1.1 Efeitos Transdutores


O sensoriamento se fundamenta na capacidade de gerar uma reação mensurável a um deter-
minado estı́mulo fı́sico ou quı́mico. Neste contexto, um efeito transdutor define a capacidade de
um dispositivo transformar um tipo de energia em uma saı́da que pode ser medida. A trans-
dução é modelada matematicamente usando a chamada função de transferência, função que
descreve a relação entre os estı́mulos de entrada e o sinal de saı́da [6], como é ilustrado na
Equação 1.1. Esta função pode ser uma equação não linear, ou ainda uma equação diferencial,
contanto que represente adequadamente o comportamento do dispositivo sensor.

6
Capı́tulo 1. Sensores Microeletrônicos 7

Figura 1.1: Conversão de energia e sinais de diversos domı́nios ao elétrico pelos sensores eletrô-
nicos

out = F (in1 , in2, · · · , inn ) (1.1)


É importante observar que a função de transferência relaciona diversas entradas, portanto
a saı́da tı́pica de um sensor depende de múltiplos estı́mulos diferentes. Caso a resposta a estes
estı́mulos não esteja correlacionada entre si, podemos reescrever a função de transferência como
a superposição das funções correspondentes a cada entrada, como ilustrado na Equação 1.2.
Entretanto, caso exista alguma correlação, é necessário incluir os termos correlacionados dentro
da função de transferência, como é explicitado na Equação 1.3. Esta correlação é conhecida
como sensibilidade cruzada e relaciona o quanto a sensibilidade a uma entrada em particular é
suscetı́vel à presença de outro estı́mulo.

out = F (in1 ) + F2 (in2 ) + · · · Fn (inn ) (1.2)

out = F (in1 ) + F2 (in2 ) + · · · F (inn ) + C(in1 , in2 ) + · · · C(in1 , inn ) (1.3)


Seria ideal que os sensores respondessem a apenas uma única entrada, porém esta condição
almejada dificilmente é encontrada, sendo necessário para o projeto adequado de um disposi-
tivo transdutor maximizar os efeitos do estı́mulo desejado, enquanto se minimiza ou suprime a
Capı́tulo 1. Sensores Microeletrônicos 8

influência de outras possı́veis variáveis.


Resulta desejável, ainda que não seja obrigatório, que o sensor tenha uma resposta linear
ao estı́mulo a ser medido, já que simplifica o processamento e o condicionamento da saı́da. É
comum, portanto, linearizar a função de transferência em torno do ponto de operação, a fim de
facilitar a análise e a caracterização do dispositivo.
Como o presente trabalho se concentra em sensores magnéticos tipo placa Hall, torna-se des-
necessário aprofundar o desenvolvimento de funções de transferência mais complexas, portanto
utilizaremos sensores modelados como sistemas lineares e invariantes no tempo.

1.2 Sensores Microeletrônicos


Os semicondutores são materiais especialmente úteis para a fabricação de sensores, pois suas
caracterı́sticas, como por exemplo a mobilidade e a tensão de junção, apresentam uma forte
dependência às variáveis fı́sicas como temperatura, estresse mecânico e luz [7, 8, 5, 9], efeitos já
amplamente estudados em microeletrônica e fundamentais para o projeto de transdutores. Os
semicondutores apresentam outra caracterı́stica, a tecnologia necessária para a fabricação já foi
maturada pela indústria da microeletrônica.
Uma ampla variedade de estı́mulos fı́sicos podem ser medidos diretamente com transdutores.
Esta técnica é denominada Sensoreamento Direto, por relacionar diretamente a saı́da com a
entrada. Outras magnitudes fı́sicas não podem ser medidas diretamente ou resulta ser mais
prático realizar uma medição indireta. Nestes casos, o processo consiste em coletar informação
de uma outra magnitude fı́sica relacionada e processar os dados para obter a medida desejada.
Esta metodologia é conhecida como Sensoreamento Indireto.
Os sensores de campo magnético são bastante usados para fazer sensoreamento indireto de
outras magnitudes fı́sicas, vez que é possı́vel detectar variações na posição, na velocidade e na
corrente elétrica medindo o campo magnético associado a um objeto em movimento ou a um
condutor elétrico, sem precisar estar em contato ou interferir com o sistema que esta sendo
observado, como ilustrado na Figura 1.2.

Figura 1.2: Exemplos: a) sensoreamento direto e b) sensoreamento indireto para diferentes


estı́mulos fı́sicos.
Capı́tulo 1. Sensores Microeletrônicos 9

1.3 Especificações de sensores


Os critérios de seleção que determinam o uso de sensores são definidos pelas suas especifica-
ções e quase todas estão relacionadas com a função de transferência do sensor.
Definimos a seguir algumas especificações dos sensores que serão citadas ao longo deste
trabalho [6]:

• Sensibilidade: A taxa de variação no sinal de saı́da em relação a variação do sinal de


entrada. A sensibilidade pode ser total, finita ou infinitesimal.

• Faixa de entrada (Span ou Full Scale Input): Definido pela faixa de sinal ou estı́mulo
de entrada perceptı́vel pelo sensor. Também chamada de Span range ou Dynamic range.

• Fundo de escala (Full Scale Output): Definido pela diferença algébrica do máximo e do
mı́nimo valor útil do sinal de saı́da em resposta ao máximo e ao mı́nimo estı́mulo aplicado.

• Desvio de zero (Offset): O sinal de saı́da do sensor quando o sinal de entrada é nulo.

• Histerese: A tendência de um sistema de conservar um nı́vel de sinal na saı́da mesmo


na ausência do estı́mulo de entrada que o gerou.

• Não-linearidade: Máximo desvio medido no sinal de saı́da em relação a uma função


linear ideal.

• Resolução: Refere-se ao menor incremento do sinal de entrada detectável na saı́da. Pode


ser expresso como uma porcentagem em relação ao Faixa de Entrada.

• Precisão: Caracterı́stica de um instrumento de medição determinado através de um


processo estatı́stico de medições revelado pelo desvio padrão entre as diversas medidas
obtidas de uma grandeza sobre mesmas condições. A precisão não relaciona as medidas
obtidas com a medida real.

• Exatidão: Desvio máximo entre os valores do sinal de saı́da e o valor ideal de uma
grandeza fı́sica aplicada a sua entrada. A exatidão não considera a repetição das leituras,
mas seu exato valor. Pode ser representada em porcentagem em relação ao fundo de escala.

• Deriva térmica: Desvio sistemático das caracterı́sticas do dispositivo geradas pela mu-
dança na temperatura.
Capı́tulo 2
Magnetismo

Apresentamos um resumo histórico sobre o Magnetismo, incluindo a tecnologia desenvolvida


para detectar campos magnéticos e os âmbito de aplicação dos sensores magnéticos. Em seguida,
introduzimos os principais conceitos relacionados ao magnetismo, definindo os campos magné-
ticos e forças como campos vetoriais. Concluı́mos o capı́tulo apresentando os magnetômetros
como elementos de sensoreamento magnético e comparando os sensores baseados no efeito Hall
com as outras tecnologias disponı́veis no mercado.

2.1 Breve resumo histórico


Os primeiros registros sobre observações de fenômenos magnéticos datam do século VI a.C.,
quando Tales de Mileto descreveu pequenas pedras, encontradas na provı́ncia grega conhecida
como Magnésia, que tinham a capacidade de atrair objetos de ferro [9]. Os chineses foram os
primeiros a encontrar aplicações práticas para o magnetismo, desenvolvendo ı́mãs e uma espécie
de colher magnética usada como bússola. O interesse pelo estudo e aplicações do magnetismo -
especialmente o geomagnetismo - ganhou relevância apenas em 1600 quando o Inglês William
Gilbert publicou o livro “De Magnete” [10].
Durante os séculos XVII e XVIII os fenômenos elétricos e magnéticos eram considerados
eventos fı́sicos diferentes e não correlacionados, até que avanços no século XIX e os estudos
de notáveis cientistas como Faraday, Ampere, Gauss, Tesla, Weber e Maxwell formalizaram o
conhecimento sobre o eletromagnetismo, matéria de fundamental importância no desenvolvi-
mento de componentes modernos, como geradores, motores, eletroı́mãs e sensores magnéticos
(magnetômetros). Foi o próprio Gauss quem desenvolveu o primeiro magnetômetro e criou uma
unidade para a densidade de fluxo magnético, ainda usada no sistema CGS.
O ano de 1879 contemplou mais uma importante descoberta: Edwin Hall descobriu que
quando um campo magnético é aplicado sobre uma placa retangular induz uma diferença de
tensão proporcional à magnitude do campo, dando o nome de efeito Hall a este fenômeno. O
efeito Hall é um dos princı́pios usados na construção de dispositivos que detectam e quantificam
campos magnéticos, permitindo criar transdutores que relacionam diretamente a magnitude
magnética com uma tensão elétrica.
A detecção de campos magnéticos tem sido fundamental para o desenvolvimento da nave-

10
Capı́tulo 2. Magnetismo 11

gação e da mineração, orientando os exploradores e identificando grandes depósitos de mine-


rais. Entretanto, foram apenas nas últimas décadas que o campo de aplicação dos sensores
magnéticos aumentou significativamente. Na denominada era da informação os dispositivos
de armazenamento de dados passaram a ser construı́dos com materiais magnéticos, levando os
magnetômetros a uma posição de destaque.
Os sensores magnéticos têm ampliado cada vez mais o seu campo de atuação e este cresci-
mento deve-se ao fato de que podem ser usados para medir indiretamente outras magnitudes
fı́sicas, como posição e fluxo elétrico (corrente). A medição indireta faz dos sensores magnéti-
cos dispositivos extremadamente flexı́veis, alavancando o desenvolvimento e respondendo pela
maior parte das vendas e aplicações deste tipo de dispositivos [2].

2.2 Definição de Campo Magnético




Dois sı́mbolos são usados para representar o vetor de campo no magnetismo, H para o campo


magnetizante (intensidade de campo magnético) e B para campo magnético. Historicamente,

− →

o campo H foi descrito primeiro, entretanto, é considerado um campo derivado, enquanto B é

− →−
considerado a quantidade fundamental [9, 8]. Os campos H e B estão relacionados da seguinte
forma :



− B −→
H = −M , (2.1)
µ


sendo que M é a magnetização do material e µ a permeabilidade magnética.
A unidade que representa o campo magnético no SI é o Tesla [T], sendo o Gauss [G] o
equivalente em sistema CGS [9]. Um Tesla é equivalente a:

1T = 10000G = 1V s m−2
.
O fluxo de campo magnético Φ é definido como a quantidade de campo magnético que incide
em certa área, geralmente calculado como:
ˆ
− −
→ →
Φ= B • dA . (2.2)

Weber [W b] é a unidade do SI para fluxo magnético, e Maxwell [M x] a equivalente em sistema


CGS [9]. Um Weber equivale a um campo magnético com intensidade de 1T atravessando um
área de um metro quadrado: 1Wb = 1Vs = 1Tm2 .
Podemos resumir as unidades Magnéticas na Tabela 2.1.
Capı́tulo 2. Magnetismo 12

Tabela 2.1: Unidades Magnéticas


Grandeza Sı́mbolo CGS SI
Fluxo Magnético Φ Maxwell [Mx] Weber [Wb]


Densidade Campo Magnético B Gauss [G] Tesla [T]


Campo Magnetizante H Oersted [Oe] [A/m]
−→
Magnetização M Oersted [Oe] [A/m]
Permeabilidade Magnética µ adimensional adimensional

2.3 Magnetômetro
O magnetômetro, ou sensor magnético, é o elemento usado para medir a intensidade ou
direção do campo magnético. A Figura 2.1 relaciona algumas das tecnologias atuais de sensores
magnéticos com o faixa de campo detectável [11].

Figura 2.1: Faixa de detecção de diferentes tecnologias de sensores magnéticos

Dentre as tecnologias de sensores listadas na Figura 2.1, destacamos os dispositivos sensores


baseados no efeito Hall, por serem facilmente integráveis com a tecnologia de semicondutores,
o que os tornam baratos e populares. Os sensores de efeito Hall se sobressaem, pois mesmo
que o faixa de detecção seja menor do que outras tecnologias, dominam o mercado de sensores
magnéticos, representando mais do 70% das vendas a nı́vel mundial [2].
A fabricação de sensores baseados no efeito Hall pode ser feita com os métodos e materiais
usados no processo de fabricação de componentes microeletrônicos, base para a manufatura de
circuitos integrados, o que permite ainda que seja integrado com circuitos complementares para
polarizar, controlar e processar o sinal de saı́da. Diferentemente do que ocorre, por exemplo,
com os elementos magneto-resistivos, que requerem a deposição de filmes finos de materiais com
caraterı́sticas especiais (comumente Permalloy).
Capı́tulo 2. Magnetismo 13

Apesar de todas as facilidades apresentadas pelos sensores de efeito Hall, ainda persistem
a limitação de sensibilidade e de precisão, o que restringe as possibilidades de aplicação deste
dispositivo. A fim de suprir tais deficiências, pesquisas sobre tecnologias que melhorem as
caracterı́sticas do sensor ou diminuam as fontes de erro são de grande importância na atualidade.
Capı́tulo 3
Eletromagnetismo e o Efeito Hall

A eletricidade e o magnetismo eram considerados campos diferentes da fı́sica até o século


XIX, quando foram publicados diversos trabalhos que demostravam uma forte correlação entre
fenômenos magnéticos e elétricos. Posteriormente, estes estudos foram unificados por James
Clerk Maxwell, que publicou as chamadas equações de Maxwell (representações da lei de Gauss,
lei de Gauss do magnetismo, lei da indução de Faraday e lei de Ampère-Maxwell), que somadas
à Força de Lorentz compõem a teoria do eletromagnetismo clássico [9].
A compreensão sobre o eletromagnetismo clássico é de vital importância tanto para o projeto
de sensores de efeito Hall como para as estruturas de teste e caracterização que são apresentadas
neste trabalho. Por isso, apresentaremos em seguida uma breve revisão desta teoria.

− →

Definindo o campo elétrico como E , o campo magnético como B , a carga como Q, a


densidade de carga como ρ, a densidade de corrente como J , a velocidade da caga como

−v , constante dielétrica e a permeabilidade magnética no vácuo como 0 e µ0 , respetivamente,
podemos resumir as principais leis do eletromagnetismo clássico como:
A Lei de Gauss relaciona o fluxo de campo com a carga contida dentro de um volume
definido. Portanto, o campo elétrico que atravessa uma superfı́cie fechada está relacionado à
carga elétrica contida nesta superfı́cie, o que é representado pela equação:

− ρ
∇• E = (3.1)
0
Os campos magnéticos, diferente dos elétricos, não têm inı́cio ou fim em cargas diferentes,
sendo assim, todas as linhas do campo magnético são fechadas. Por conseguinte, ao construir
qualquer superfı́cie fechada, a quantidade de fluxo que entra e sai será idêntica, fazendo com
que o fluxo total seja igual a zero e a carga magnética total contida nesta superfı́cie também
seja igual a zero [9]. A lei de Gauss para o magnetismo é representada pela seguinte equação
diferencial:


∇• B =0 (3.2)
A Lei de Ampère-Maxwell permite estabelecer a densidade do campo magnético gerado
por um fluxo elétrico [9]. Esta lei é bastante útil para determinar o campo magnético gerado por

14
Capı́tulo 3. Eletromagnetismo e o Efeito Hall 15

uma corrente em um fio, em um solenoide ou em um toroide. Representa-se a lei pela seguinte


equação diferencial:



− →
− ∂E
∇ × B = µ0 J + µ0 0 (3.3)
∂t
A Lei de Faraday-Neumann-Lenz, também conhecida como lei da Indução Magnética,
descreve a produção de uma corrente elétrica devido ao efeito de um campo magnético variável
no tempo [9]. É representada pela equação diferencial:



− ∂B
∇× E =− (3.4)
∂t
A força de Lorentz se configura como a soma de dois vetores: a força magnética sobre
uma carga em movimento e a força elétrica resultado de um campo elétrico [9]. Portanto, é
necessário que a partı́cula tenha carga elétrica não nula e exista tanto um campo elétrico como
um magnético. A Força de Lorentz é descrita pelo produto vetorial:

→ →
− − → −
FL = Q( E + →
v × B) (3.5)
Sendo assim, a força é sempre proporcional à carga elétrica, paralela à direção do campo
elétrico e perpendicular tanto à velocidade da partı́cula como ao campo magnético.
O eletromagnetismo explica dois efeitos que serão fundamentais para o estudo dos sensores
magnéticos integrados, o Efeito Magneto-resistivo e o Efeito Hall.

3.1 Os efeitos Galvanométricos


Os efeitos galvanométricos são as manifestações do transporte de carga elétrica em presença
de um campo magnético. Dentro destes efeitos podemos destacar tanto o efeito Hall como o
efeito Magneto-resistivo. Usando a direção do campo elétrico como referência, o efeito Hall pode
ser definido como o efeito galvanométrico isotérmico transversal, enquanto o magneto-resistivo
corresponde ao isotérmico longitudinal [4].

3.1.1 Efeito Hall


Em 1879, o fı́sico Edwin Hall realizava experimentos com placas de condutores e analisava
a influência dos campos magnéticos sobre as cargas elétricas em movimento. Como resultado
destas experiências, documentou o efeito que foi batizado com seu nome.
Hall esperava que a força induzida pelo campo magnético sobre as cargas gerasse um deslo-
camento da corrente e, por conseguinte, um aumento da resistência do condutor. No entanto,
o pesquisador chegou a um resultado distinto do esperado, pois não encontrou variação sig-
nificativa da resistência ou modificação no caminho da corrente. Hall explicou este resultado
observando que cargas eram acumuladas nas paredes do condutor, estas cargas geravam um
campo elétrico perpendicular à direção da corrente, gerando uma força elétrica de magnitude
igual, porém contrária à força magnética. Em resumo, a força de Lorentz (Equação 3.5) tem
Capı́tulo 3. Eletromagnetismo e o Efeito Hall 16

valor total igual a zero. O resultado do campo elétrico é um potencial elétrico mensurável,
conhecido como tensão Hall, que é proporcional à corrente elétrica e ao campo magnético [9].

3.1.1.1 Efeito Hall em condutores


Nos experimentos conduzidos por Hall fora utilizada uma placa metálica, uma lâmina re-
tangular de largura w, comprimento l e espessura t, como ilustrado na Figura 3.1. Os contatos
C1 e C2 são os contatos-corrente, por onde flui a corrente elétrica, enquanto os S1 e S2 são
contatos-sensor, usados para detectar e medir o potencial elétrico que aparece sobre a placa.

Figura 3.1: Placa Hall Condutora

Sendo que: VH é a tensão Hall; I é a corrente; q é o valor da carga fundamental; n é a


densidade de portadores; e Vs é o potencial elétrico entre os contatos-corrente;
Usando a equação de força de Lorentz descrita anteriormente na Equação 3.5, tem-se que:

− −→ − → −
F = 0 = nq(EH + →
v × B)


Como os vetores → −v e B são perpendiculares, e o produto vetorial fica na mesma direção do
−→
campo elétrico EH , podemos reescrever a equação em função das suas magnitudes v, B e EH
como:

nqEH = −nqvB
Multiplicando pela área transversal, A = wt, temos que:

nqwtEH = −nqvBwt
E, como a corrente elétrica é fluxo vezes área ( I = JA = nqvwt), podemos simplificar a
expressão como:

nqtVH = −IB
Capı́tulo 3. Eletromagnetismo e o Efeito Hall 17

Assim, podemos escrever a magnitude do potencial Hall como:

IB
|V H | = (3.6)
nqt
O coeficiente Hall RH é uma figura de mérito útil para representar a sensibilidade do material
ao campo magnético. A Equação 3.7 representa a relação de proporcionalidade do potencial
Hall e do produto do campo magnético com o fluxo de corrente, o que permite identificar se a
corrente elétrica é composta por portadores positivos ou negativos, assim como a mobilidade
deles dentro do material.

EH
RH = (3.7)
Jy B

3.1.1.2 Efeito Hall em semicondutores


Diferente dos metais, onde as cargas são totalizadas pelos elétrons, em semicondutores temos
dois tipos de portadores, os elétrons com carga negativa, e as lacunas com carga positiva. A
Figura 3.2 apresenta uma placa Hall com geometria idêntica a da apresentada na Figura 3.1,
mas agora considerando a análise sobre os dois tipos de carga.

Figura 3.2: Efeito Hall em Semicondutores

Observe que com duas cargas de naturezas diferentes teremos duas velocidades médias tam-
bém distintas, as quais podem ser descritas como:


− −
→ −→
vp = µp Ey − µp EH


− −
→ −→
vn = −µn Ey − µn EH
Sendo que µn e µp são as mobilidades de elétrons e lacunas no material, enquanto Ey repre-
senta o campo elétrico entre os contatos-corrente da placa. Surge um campo elétrico produto
da carga acumulada pelo efeito Hall, conhecido como campo Hall EH [4],
Capı́tulo 3. Eletromagnetismo e o Efeito Hall 18

O fluxo Jx tem que ser igual a zero, já que não existe fluxo de corrente entre os contatos-
sensor da placa, portanto:

pµp EH = nµn EH
Enquanto, o fluxo elétrico Jy no material na direção y será dividido em fluxo de elétrons e
lacunas como:

− −
→ −
→ −

Jp = qpµp Ey & Jn = −qnµn Ey

−→ −

Jy = |Jp | + |Jn | (3.8)
Sendo que q, n e p correspondem a carga elétrica fundamental, o número de portadores
negativos (elétrons) e positivos (lacunas) respectivamente.

− → − −→
Considerando que Jy , B , e EH são vetores ortogonais, podemos reescrever a equação 3.5
que descreve a força de Lorentz em forma escalar como:

Fp = qEH − qµp Ey B ,

−Fn = qEH + qµn Ey B .


Usando as equações anteriormente descritas, temos o campo elétrico Hall como:

BJy pµ2p − nµ2n
EH = ,
q (pµp + nµn )2

Ey B (pµp + nµn ) pµ2p − nµ2n
EH = , (3.9)
(pµp + nµn )2
I VH
e substituindo Jy = tw
e VH = w
, temos que:

IBz pµ2p − nµ2n
VH = . (3.10)
tq (pµp + nµn )2
Podemos reescrever o coeficiente Hall como:

pµ2p − nµ2n
RH = , (3.11)
q (pµp + nµn )2
µn
sendo a relação entre mobilidades de elétrons e lacunas b = µp
, RH podemos reescrever:

p − nb2
RH = .
q (p + nb)2
Supondo uma relação entre as mobilidades de elétrons e lacunas igual a b ≈ 2, 5 para o
silı́cio [12, 7], é possı́vel esboçar a variação do coeficiente Hall de acordo com a concentração de
dopantes tipo n e os portadores intrı́nsecos ni , ilustrado na Figura 3.3(reimpressa de [4]).
Capı́tulo 3. Eletromagnetismo e o Efeito Hall 19

Figura 3.3: Coeficiente Hall versus Dopagem em Silı́cio

Os valores máximos do coeficiente Hall se encontram quando o nı́vel de dopante tipo n é


1.14 vezes a dopagem intrı́nseca, entretanto, sensores com este nı́vel de dopagem são inviáveis,
por ser industrialmente impraticável atingir tal precisão na dopagem.
Em semicondutores extrı́nsecos, onde a quantidade de dopantes são algumas ordens de gran-
deza superior ao número de portadores intrı́nseco ni , o coeficiente Hall da equação 3.11 pode
ser simplificado da seguinte forma:
1 1
RHn = − para silı́cio tipo n e RHp = para tipo p
qn qp
O coeficiente Hall é útil para determinar a dopagem de uma amostra de semicondutor.
Podemos também reescrever o campo elétrico Hall apresentado na Equação 3.9 como:

EHn = −Ex Bz µn para silicio tipo n e EHp = Ex Bz µp para tipo p


Observamos, portanto, que o efeito Hall em semicondutores depende da mobilidade dos
portadores na amostra. Sendo assim, são preferidos materiais tipo n para a fabricação de
sensores magnéticos, por apresentarem a mobilidade dos elétrons maior que a mobilidade das
lacunas.

3.1.1.3 Mobilidade Hall


A mobilidade de portadores em certos materiais é afetada pela presença de campo magnético,
mudando a velocidade média e a probabilidade de colisão com a rede cristalina.
Para campos magnéticos de baixa intensidade, como os utilizados para este trabalho, pode-
mos relacionar a mobilidade de portadores no material extrı́nseco µ e a mobilidade de portadores
na presença de um campo magnético µH , utilizando uma constante de proporcionalidade, de-
nominada fator Hall rH . Podemos escrever esta relação como:

µH = rH µ (3.12)
O fator Hall depende da dopagem do material e da temperatura de operação [13], como pode
ser observado na Figura 3.4, que apresenta os valores do fator Hall como função da concentração
Capı́tulo 3. Eletromagnetismo e o Efeito Hall 20

de dopantes no silı́cio tipo n, para duas temperaturas distintas.

Figura 3.4: Fator Hall versus Dopagem em Silı́cio para 77K e 300K

3.1.2 Efeito Magneto-resistivo


Chama-se de efeito magneto-resistivo as alterações da resistência elétrica causadas por um
campo magnético, este efeito foi descoberto por Lord Kelvin em 1853. O experimento de Lord
Kelvin era muito similar ao desenvolvido anos mais tarde por Hall, com a diferença que a placa
utilizada por Kelvin não era um material condutor comum, e sim um elemento ferromagnético.
Hoje em dia, existem dois tipos básicos de sensores que utilizam o efeito Magneto-resistivo,
ambos podem ser integrados aos dispositivos semicondutores:

• Os primeiros são baseados nas observações de Lord Kelvin e usam a tecnologia de fil-
mes finos para depositar uma camada de material ferromagnético, comumente Permalloy
(NiFE), sendo que a resistividade do material varia em função da intensidade do campo
magnético.

• Os segundos dependem da geometria do dispositivo, onde é possı́vel mudar o caminho


seguido pela corrente, aumentando assim a resistência. Baseiam-se na Força de Lorentz,
mesmo princı́pio dos sensores Hall, para desviar o caminho da corrente elétrica. Esta
deflexão é maior em materiais com uma alta mobilidade, um exemplo deste tipo de com-
ponentes é o disco de Corbino.

Por não serem dispositivos Hall e, portanto, estarem além do escopo deste trabalho, não será
aprofundado o estudo sobre dispositivos Magneto-resistivos.
Capı́tulo 4
O efeito Piezo-resistivo em Silı́cio

Os piezo-efeitos relacionam a influência da ação mecânica na mudança das propriedades do


material. Materiais que apresentam alguns destes efeitos resultam ideais para projetar sensores
sensı́veis a estı́mulos como deformação, pressão e força mecânica.
O silı́cio apresenta boas propriedades elétricas, quı́micas e mecânicas, o que tem levado o
silı́cio a ser o principal material usado na fabricação de circuitos integrados. Também apresenta
vários piezo-efeitos, incluindo: piezo-junção, piezo-resistência , piezo-MOS, piezo-tunelamento e
piezo-Hall [4]. Razões que explicam porque desde a década 60 o silı́cio tem sido explorado para
a produção de transdutores, acompanhando e aproveitando os desenvolvimentos em microelec-
trônica [5, 14, 15, 16, 17, 18].
Neste trabalho, focaremos principalmente no efeito piezo-resistivo, que é a variação da resis-
tividade em função do estresse mecânico, e a relação deste com os sensores de efeito Hall.

4.1 Efeito Piezo-resistivo


O efeito piezo-resistivo descreve como a resistividade de um material é influenciada pelo
estresse mecânico [19, 20, 17]. Este efeito foi documentado inicialmente por Lord Kelvin em
1856, quando o fı́sico percebeu que a resistência de uma placa metálica muda ao se aplicar uma
carga mecânica. Em 1954, Smith documentou que o efeito piezo-resistivo é muito maior em
semicondutores cristalinos [21, 22], chegando a ser duas ordens de grandeza superior compa-
rado com condutores metálicos, observando que mobilidade de portadores em semicondutores é
influenciada pela deformação da rede cristalina.
Este piezo-efeito tem sido a técnica de transdução mecânica mais utilizada em sensores de
pressão de silı́cio [6]. A maioria destes sensores consistem em resistores difundidos na forma de
uma ponte de Wheatstone, sobre uma membrana que permite concentrar a deformação mecânica
[23, 24, 25, 26]. Sensores baseados no efeito piezo-resistivo apresentam boa sensibilidade e
linearidade, por outro lado, apresentam um alto consumo de potência estática e ocupam grande
área, sendo muito sensı́veis ao descasamento entre os componentes[20, 26]. Para minimizar o
descasamento, uma nova topologia baseada em piezo-resistores de 4-terminais, similares a uma
cruz grega, vem sendo empregada no projeto de sensores de pressão [27, 26]. Curiosamente,
geometria similar a usada na placa Hall.

21
Capı́tulo 4. O efeito Piezo-resistivo em Silı́cio 22

4.1.1 Teoria da Elasticidade


A teoria da elasticidade explica a deformação não permanente de um material submetido
à ação de forças. Este comportamento é chamado de resposta elástica do material, na qual o
estresse gera uma deformação na vizinhança de onde é aplicado [17].
Definamos estresse mecânico como a força total aplicada sobre uma superfı́cie de área A.
Como a Força é um vetor, podemos dividir os componentes da força em normal à superfı́cie, ou
Fn , e tangencial à superfı́cie, ou Ft , assim podemos dividir os estresses como estresse normal e
tangencial como:

Fn Ft
lim = σ & lim =τ (4.1)
A→0 A A→0 A

Sendo que σ representa o estresse normal à superfı́cie, e τ o estresse tangencial, também


conhecida como tensão de cisalhamento.
Introduzida no século XVII por Robert Hooke, a lei de Hooke relaciona linearmente o estresse
aplicado com a deformação do material. Podendo ser escrita como:

σ =Y (4.2)

τ = Gγ (4.3)
Sendo que  e γ correspondem respectivamente às deformações normais e tangenciais à
superfı́cie, Y é conhecido como módulo de Young e G como módulo de rigidez. Ambos os
módulos podem ser relacionados com o coeficiente de Poisson υ como:

Y = 2G(1 + υ) (4.4)
Um material tridimensional terá estresse normal e tangencial em todas as dimensões, como
ilustrado na Figura 4.1, sendo assim, teremos três componentes de estresse normal e três de
cisalhamento. Para estender as análises a um elemento tridimensional, reescreveremos o estresse
de forma vetorial como:
 
σx
 σy 
 
 σz 
σij = 
 
 τ xy


 τxz 
τyz
Agora podemos generalizar a lei de Hooke em forma matricial como:

σij = Cij ij


Sendo que Cji é a matriz de coeficientes de elasticidade, equivalentes ao módulo de Young e
ao módulo de rigidez.
A deformação também pode ser representada em função do estresse, como a inversa da
matriz Cij , a matriz de coeficientes independentes da elasticidade Sij .
Capı́tulo 4. O efeito Piezo-resistivo em Silı́cio 23

Figura 4.1: Elemento infinitesimal com estresse e tensão em todas as direções.

ij = Sij σij


Podemos reescrever os coeficientes Sij em função do módulo de Young Y , os módulos de
rigidez G e os coeficientes de Poisson υ para cada uma das direções como [17, 26, 28]:
1
− υYxyy − υYxzz 0 0 0
    
x Yx σx
 y   − υExyx 1
Ey
− υYyzz 0 0 0 
σy 
  
− υYxzx − υYyzy 1
 
 z  
= Yz
0 0 0 
σz 
(4.5)
  
1
γxy   0 0 0 0 0 τxy
  
  2Gyz
  
γxz   1 τxz

  0 0 0 0 2Gxz
0  
γyz 0 0 0 0 0 1 τyz
2Gxy

Muitos materiais monocristalinos, incluindo o silı́cio usado em microeletrônica, apresentam


coeficientes de Poisson, módulos de elasticidade e rigidez diferentes em cada direção cristalográ-
ficas, sendo assim caracterizados como materiais com um comportamento anisotrópico.

4.1.2 Desenvolvimento analı́tico do efeito piezo-resistivo


Para explicar o efeito piezo-resistivo consideremos um condutor retangular de comprimento
l, largura w e espessura t (portanto área transversal wt), como mostrado na Figura 4.2, sendo
que o material tem uma resistividade elétrica ρ0 .
Podemos escrever a resistência elétrica entre os contatos 1 e 2 como:

l
R = ρ0
wt
Sendo que a resistividade ρ0 pode ser representada como:
1
ρ0 = (4.6)
(nµn + pµp )q
Capı́tulo 4. O efeito Piezo-resistivo em Silı́cio 24

Figura 4.2: Condutor retangular.

Assim, podemos escrever a variação relativa da resistência como:

∆R ∆ρ0 ∆l ∆w ∆t
= + − −
R ρ0 l w t
Já definido a deformação do material como  = ∆l/l e o coeficiente de Poisson, podemos
reescrever a equação anterior como:

∆R ∆ρ0
= + (1 + 2υ) (4.7)
R ρ0
Podemos agora definir o Fator Gauge FG , que é a relação entre a variação da resistência
elétrica e a deformação, como:

∆R/R ∆ρ0 /ρ0


FG = = + (1 + 2υ) (4.8)
 
Para elementos metálicos, a variação da resistividade ρ0 é desprezı́vel [14], logo o Fator FG
pode ser escrito como

∆R/R
FG = = (1 + 2υ) (4.9)

O módulo de Poisson está restrito a valores entre 0, 2 e 0, 4, portanto a variação da resistência
é limitada a uma pequena variação geométrica.
Já para elementos semicondutores, a resistividade ρ0 muda significativamente com a defor-
mação do material, sendo dezenas de vezes maior esta variação do que o módulo de Poisson.
Desta forma, o fator FG para semicondutores pode ser aproximado como:

∆R/R ∆ρ0 /ρ0


FG = = (4.10)
 
Assim como a deformação do material cristalino é anisotrópica, analogamente, o efeito piezo-
resistivo resulta ser anisotrópico. A variação relativa da resistividade do silı́cio monocristalino
será diferente em cada direção, podendo ser calculada através dos coeficientes piezo-resistivos e
do estresse mecânico aplicado a ele. Estes coeficientes piezo-resistivos descrevem a mudança da
resistividade relativa com relação à direção cristalográfica pelo estresse induzido, como segue:
Capı́tulo 4. O efeito Piezo-resistivo em Silı́cio 25

∆ρij
= πijkl σkl + πijklmn σkl σmn (4.11)
ρ0
Na equação, σkl e σmn são as matrizes de tensores de estresse de primeira e segunda ordem,
πijkl e πijklmn são as matrizes de coeficientes piezo-resistivos de primeira e segunda ordem,
respectivamente. Dado que para nı́veis de estresse de até 200 MPa, os coeficientes de segunda
ordem podem ser desconsiderados [29] a equação 4.11 pode ser simplificada a:

∆ρij
= πijkl σkl (4.12)
ρ0
A estrutura cristalográfica do silı́cio possui planos de simetria, fato que permite que os coe-
ficientes piezo-resistivos de primeira ordem (CP RP ) da equação 4.12 possam ser simplificados,
como resumido na Tabela 4.1.

Tabela 4.1: Simplificação dos coeficientes piezo-resistivos de primeira ordem.


CPRP [πijkl ]
π1111 = π1111 = π2222 = π11
π1122 = π2211 = π2233 = π1133 = π3311 = π3322 = π12
π4444 = π5555 = π6666 = π44

Sendo que a Matriz de coeficientes πijkl é simplificada como:


 
π11 π12 π12 0 0 0
 π12 π11 π12 0 0 0 
 
 π12 π12 π11 0 0 0 
πijkl = 
 0
 (4.13)
 0 0 π 44 0 0 

 0 0 0 0 π44 0 
0 0 0 0 0 π44
Obtemos esta matriz usando apenas três coeficientes fundamentais de piezo-resistência: π11 é
o chamado coeficiente longitudinal, π12 é o coeficiente transversal e π44 é o coeficiente de
cisalhamento. A Tabela 4.2 apresenta os valores destas constantes medidas por Smith [21] e
Matsuda [29] no silı́cio tipo p e tipo n, na direção [100] sobre o plano (100). Apesar dos valores
dos coeficientes serem dependentes da temperatura e da concentração de dopantes - fato já
estudado sistematicamente [30] - para a finalidades deste trabalho, consideramos os coeficientes
peizo-resistivos como constantes.

Tabela 4.2: Coeficientes piezo-resistivos de primeira ordem [10−9 Pa−1 ].


Tipo-p Tipo-n
CPRP [πijkl ] Smith Matsuda Smith Matsuda
π11 7 -0,6 -102 -77
π12 -1 0.1 53 39
π44 138 112 -14 -14
Capı́tulo 4. O efeito Piezo-resistivo em Silı́cio 26

Note que o silı́cio tipo p apresenta os coeficientes longitudinais e transversais, π11 e π12
menores que o coeficiente de cisalhamento π44 , portanto, este material é pouco sensı́vel ao
esforço longitudinal na direção [100] e muito mais sensı́vel a estresse aplicado na direção [110].
Para estender a análise aos componentes que não estão alinhados longitudinalmente na dire-
ção [100], pode ser feita uma rotação dos coeficientes de piezo-resistência para qualquer sistema
de coordenada arbitrária através dos ângulos de Euler, procedimento descrito em detalhes em
trabalhos anteriores [28, 26, 17]. A Figura 4.3 ilustra a rotação dos coeficientes transversal π12
e longitudinal π11 para uma lâmina sobre o plano (100).

Figura 4.3: Coeficientes de piezo-resistência longitudinal e transversal [10−9 Pa−1 ]: a) Silı́cio


tipo n e b) Silı́cio tipo p.

A orientação dos componentes pode ser usada para maximizar ou minimizar a sensibilidade
ao estresse. Observamos na Figura 4.3 e na Tabela 4.2, que para o silı́cio tipo p, orientando
o dispositivo na direção [100] se constrói dispositivos com sensibilidade reduzida aos efeitos de
estresse mecânico, já que os coeficientes piezo-resistivos são mı́nimos nesta orientação. Efeito
contrário se verifica no silı́cio tipo n, que resulta bem mais sensı́vel na direção [100] e ainda
apresenta um considerável valor dos coeficientes piezo-resistivos em todas as outras orientações
cristalográficas.

4.1.3 Efeito piezo-resistivo em dispositivos de quatro terminais


Uma geometria comum no projeto em sensores tipo Hall e sensores piezo-resistivos são os
dispositivos de 4 terminais [19, 20, 17, 4]. A geometria destes dispositivos é composta por
quatro terminais ôhmicos, dispostos em torno de uma região ativa com comprimento l, largura
w e espessura t , como ilustrado na Figura 4.4.
Na direção y é aplicado o campo elétrico Ey para polarizar o dispositivo, aparece como
consequência um fluxo elétrico constante entre os contatos C1 e C2 , os denominados contatos-
corrente. Já na direção x não existe fluxo de corrente, mas aparece uma tensão entre os contatos
Capı́tulo 4. O efeito Piezo-resistivo em Silı́cio 27

Figura 4.4: Dispositivo de 4 terminais, sendo que os terminais C1 e C2 representam os contatos-


corrente, enquanto S3 e S4 são os contatos-sensor.

S3 e S4 que é função do estresse mecânico, e que pode ser medida, razão pela qual os terminais
S3 e S4 são denominados contatos-sensor.
A resistência entre contatos-corrente é denominada de Resistência de entrada Rin , enquanto
entre contatos-sensor é denominada de Resistência de saı́da Rout . E a área ativa do sensor
de quatro terminais pode ser modelada eletricamente como ponte de resistores ou Ponte de
Wheatstone [4]. A Figura 4.5 ilustra uma representação gráfica de estes resistores.

Figura 4.5: a) Circuito elétrico equivalente para a resistência de saı́da; b) Circuito elétrico equi-
valente para a resistência de entrada; c) Circuito elétrico equivalente em Ponte de Wheatstone.

Idealmente, a resistência entre cada contato-corrente e cada contato-sensor será idêntica se


não existir um estı́mulo que desequilibre a ponte, portanto, a tensão em ambos os contatos-sensor
também será idêntica. Agora, sob efeito de estresse mecânico, a resistividade varia significativa-
mente, levando ao desequilı́brio da ponte resistiva e gerando uma diferença de potencial elétrico
nos contatos-sensor.
Em silı́cio cristalino o efeito piezo-resistivo é anisotrópico, variando a condutividade em
proporções diferentes para diferentes direções do estresse, deste modo, um bom sensor deve ser
posicionado para aproveitar a direção na qual a variação seja máxima, otimizando a sensibilidade
do dispositivo.
Podemos usar a teoria da elasticidade e o efeito piezo-resistivo no desenvolvimento de uma
expressão para a tensão entre os contatos-sensor em função da corrente ou tensão de polarização.
Note que as direções usadas nestas análises representam um sistema de coordenadas arbitrárias,
Capı́tulo 4. O efeito Piezo-resistivo em Silı́cio 28

que não precisam necessariamente estar alinhadas com uma direção cristalina.
~ em função da densidade de corrente J~ e da matriz resistividade
Definimos o campo elétrico E
[ρ] como:
    
Ex ρxx ρxy ρxz Jx
E~ =  Ey  =  ρxy ρyy ρyz   Jy  = [ρ]J~ (4.14)
Ez ρxz ρyz ρzz Jz
Sendo que a matriz de resistividade pode ser reescrita como:
   
1 0 0 ∆ρxx ∆ρxy ∆ρxz
[ρ] = ρ0  0 1 0  +  ∆ρxy ∆ρyy ∆ρyz  (4.15)
0 0 1 ∆ρxz ∆ρyz ∆ρzz
Já que os contatos-corrente estão na direção y e os contatos sensor na direção x, podemos
limitar nossas análises a estas duas dimensões, assumindo que o fluxo e o campo elétrico da dire-
ção z são nulos. Entre os contatos-sensor não existe fluxo de portadores, portanto, a componente
Jx é também nula.
Dividindo a Equação 4.14 pela resistividade ρ0 obtemos:
       
1 Ex 1 0 1 ∆ρxx ∆ρxy 0
= + (4.16)
ρ0 Ey 0 1 ρ0 ∆ρxy ∆ρyy Jy
Reescrevendo de forma explı́cita para ambas as direções teremos:

Ex ∆ρxy
= Jy
ρ0 ρ0
  (4.17)
Ey ∆ρyy
= 1+ Jy
ρ0 ρ0
Relacionando os componentes do campo elétrico Ex e Ey , simplificamos o fluxo Jy e obtemos:
 
∆ρxy
Ex ρ0
=  (4.18)
Ey 1 + ∆ρyy ρ0

O próximo passo consiste em encontrar uma relação entre os campos elétricos e o estresse
mecânico. Podemos usar o conceito de coeficientes piezo-resistivos, descrita na Equação 4.11,
que relaciona a mudança da resistência relativa com o estresse. Assim reescrever a mudança da
resistência em função do estresse mecânico:

∆ρxy
= πxy,xx σx + πxy,yy σy + πxy,xy τ xy
ρ0
(4.19)
∆ρxx
= πyy,xx σx + πyy,yy σy + πyy,xy τ xy
ρ0
A rotação dos coeficientes de piezo-resistência é feita através dos ângulos de Euler [26, 17, 28].
Usando ϕ como o ângulo entre o dispositivo e a direção cristalina [100], obtemos as seguintes
expressões para a mudança relativa da resistividade:
Capı́tulo 4. O efeito Piezo-resistivo em Silı́cio 29

 
∆ρxy σy − σx
= −π44 τxy cos (2ϕ) − (π11 − π12 ) sin (2ϕ) (4.20)
ρ0 2

∆ρyy σy σx
= (π11 + π12 + (π11 − π12 ) cos (2ϕ)) + (π11 + π12 − (π11 − π12 ) cos (2ϕ))
ρ0 2 2 (4.21)
−π44 τxy sin(2ϕ)

Analisando a Tabela 4.2, observamos que para o silı́cio tipo p, o coeficiente de piezo-
resistência π44 é dominante e maior que os coeficientes π 12 e π11 , enquanto os coeficientes π11
e π12 são maiores que o π44 no silı́cio tipo n. Podemos então simplificar as expressões para as
mudanças relativas das resistências dependendo do tipo de silı́cio, desconsiderando o efeito dos
coeficientes não dominantes. Assim as expressões simplificadas para o tipo p são

∆ρxy
= −π44 τxy cos (2ϕ)
ρ0 tipo p
(4.22)
∆ρxx
= −π44 τxy sin(2ϕ)
ρ0 tipo p

e para o tipo n:

 
∆ρxy σy − σx
= − (π11 − π12 ) sin (2ϕ)
ρ0 tipo n 2
∆ρyy σ
y σx  (4.23)
= − (π11 − π12 ) − cos (2ϕ)
ρ0 tipo n 2 2
σ σx 
y
+ (π11 + π12 ) +
2 2
Substituindo estas simplificações na Equação 4.18, obtemos a relação de campos elétricos

Ex −π44 τxy cos (2ϕ)


= (4.24)
Ey tipo p (1 + π44 τxy sin (2ϕ))

− (π11 − π12 ) σy −σ x

Ex 2
sin (2ϕ)
= (4.25)
1 + (π11 + π12 ) 2 + 2 − (π11 − π12 ) σ2y −
σy σx σx
  
Ey tipo n 2
cos (2ϕ)
Um ângulo ϕ de 45o em silı́cio tipo p, ou de 0o /90o para tipo n é selecionado para maximizar
a relação entre os campos Ex e Ey . Em outras palavras, sensores fabricados em silı́cio tipo p
devem ser alinhados com as direções cristalográficas <100>, e sensores fabricados em material
tipo n devem estar alinhados com as direções <110>, para maximização de suas sensibilidades
[20].
Para obter a tensão de saı́da, podemos integrar o campo elétrico ao comprimento do sensor.

ˆL
Vs = Ey dy = Ey L (4.26)
0
Capı́tulo 4. O efeito Piezo-resistivo em Silı́cio 30

ˆW
Vout = Ex dx = Ex W (4.27)
0

Manipulando estas equações, podemos escrever a tensão diferencial entre contatos-sensor em


função dos coeficientes piezo-resistivos, dos parâmetros geométricos da área ativa e da tensão
de entrada como:

w −π44 τxy cos (2ϕ)


Vouttipo−p = Vs (4.28)
l (1 + π44 τxy sin (2ϕ))

− (π11 − π12 ) σy −σx



w 2
sin (2ϕ)
Vouttipo−n =  Vs (4.29)
l 1 + (π11 + π12 ) 2 + 2 − (π11 − π12 ) σ2y −
σy σx σx
 
2
cos (2ϕ)

4.2 Efeito Piezo-Hall


A mesma geometria do dispositivo de quatro terminais pode ser usada para observar o efeito
Hall e o efeito piezo-resistivo. Deste modo, é natural concluir que um sensor Hall seja sensı́vel à
presença de estresse mecânico, do mesmo modo que um sensor de pressão ao campo magnético.
Podemos encontrar na mobilidade de portadores um fator comum entre o efeito piezo-
resisitivo e o efeito Hall que pode vir a explicar esta correlação. Considerando que a densidade
de portadores é constante, a Equação 4.6 denota que a variação da resitividade ρ0 evidencia
uma mudança na mobilidade de portadores µ. Como foi estudado no Capı́tulo 3, a sensibilidade
de uma placa Hall é proporcional a mobilidade de portadores. Portanto, um estresse mecânico
tem impacto sobre a sensibilidade da placa Hall ao influenciar a mobilidade µ.
Para descrever matematicamente o comportamento de um dispositivo sensı́vel tanto ao
campo magnético B como ao estresse mecânico σ, podemos escrever a função de transferên-
cia:

Vout= H (B) + F (σ) + G (B, σ) (4.30)


| {z } | {z } | {z }
Hall piezo−resistivo P iezo−Hall

Observamos na Equação 4.30 uma superposição dos três efeitos, sendo que H(B) representa
a resposta ao campo magnético (resultante do efeito Hall), F (σ) a resposta ao estresse mecânico
(resultante do efeito piezo-resistivo), e G(B, σ) a função correlacionando o campo magnético e
o estresse mecânico ( relação entre os efeitos piezo-resistivo e Hall denominada como efeito
Piezo-Hall [4]).
Nos sensores tipo placa Hall, podemos relacionar F (σ) como a tensão de offset Vof f induzida
pelo estresse mecânico remanescente, H(B) a resposta linear ao campo magnético, e G(B, σ) a
variação da sensibilidade resultante da aplicação de um estresse mecânico. Para as placas Hall
podemos linearizar a função de transferência, e reescrever a equação 4.30, como:

Vout= SI B + SG (σ) B + Vof f (σ)


|{z} | {z } | {z }
Hall P iezo−Hall piezo−resistivo
Capı́tulo 4. O efeito Piezo-resistivo em Silı́cio 31

Vout= B (SI + SG (σ)) + Vof f (σ) . (4.31)


| {z } | {z }
Sensibilidade of f set

A sensibilidade total do sensor Hall é S = SI +SG (σ), onde SI é a sensibilidade independente


da ação mecânica, SG é a sensibilidade cruzada ao estresse mecânico.
Podemos escrever a expressão para a variação da sensibilidade relativa em função do estresse
como:

∆S SG (σ)
=
S SI
Se os efeitos Hall e piezo-resistivos fossem independentes, SG seria nulo é não existiria va-
riação da sensibilidade dos sensores Hall, porém, na prática este fato não se verifica, já que a
sensibilidade da placa Hall apresenta uma deriva ao ser aplicado um esforço mecânico, como
pode ser observado na Figura 4.6 (Reimpressa de [31, 4]). Estudos indicam que este efeito é
mais pronunciado em semicondutores anisotrópicos como o silı́cio e decresce com o incremento
de temperatura e concentração de dopantes [4].

Figura 4.6: Variação da sensibilidade relativa como função do estresse mecânico, o denominado
efeito piezo-Hall. As graficas correspondem a dispositivos dopados com fosforo, onde A: ND ≈
1, 81 × 1014 cm−3 ; B:ND ≈ 1, 5 × 1015 cm−3 ; C: ND ≈ 6 × 1015 cm−3 .

Análogo ao efeito piezo-resistivo, o efeito piezo-Hall é modelado usados os denominados coe-


ficientes piezo-Hall, coeficientes proporcionais que relacionam a mudança relativa do coeficiente
Hall RH ao estresse mecânico como [4]:

∆RH
= P11 σ11 + P12 σ12 (4.32)
RH
Capı́tulo 4. O efeito Piezo-resistivo em Silı́cio 32

Sendo P11 o coeficiente piezo-Hall longitudinal e P12 coeficiente longitudinal. Similar aos
coeficientes piezo-resistivos, os coeficientes piezo-Hall foram medidos empiricamente por Halg
[31], os resultados para P11 e P12 para uma amostra de silı́cio tipo n são ilustrados na Figura
4.7 (Reimpressa de [31]).

Figura 4.7: Coeficientes Piezo-resistivos (π) e Piezo-Hall em semicondutor tipo n.


Parte II

Projeto e Desenvolvimento dos


Sensores Hall e Circuitos de
condicionamento e polarização

33
Capı́tulo 5
Sensor tipo placa Hall Octogonal

Desde o descobrimento do efeito Hall até meados do século XX, placas Hall foram utilizadas
exclusivamente para identificar o tipo de portadores e medir sua mobilidade em diferentes mate-
riais. Na segunda metade do século XX, com o amadurecimento da indústria de semicondutores
e a relativa simplicidade da geometria das placas Hall, estes dispositivos foram rapidamente
integrados, já que são plenamente compatı́veis com os processos de fabricação microeletrônica
comercial.
No projeto de sensores Hall são considerados diversos fatores, como a tecnologia e a geome-
tria, procurando maximizar a sensibilidade ou reduzir efeitos não desejados que influenciam no
desempenho do dispositivo, minimizando a influência da tensão de offset e do ruı́do [32, 33].
Neste capı́tulo, serão descritos os fatores determinantes do projeto da placa Hall octogonal,
assim como a tecnologia e a geometria selecionadas para o projeto do sensor e dos circuitos
integrados apresentados nesta dissertação.

5.1 Geometria da área ativa de uma placa Hall Integrada


A primeira estrutura estudada por Hall era uma simples placa retangular metálica. No
desenvolvimento da tecnologia, outras geometrias foram apresentadas e aperfeiçoadas [26, 4], a
fim de aprimorar a sensibilidade do dispositivo, dado que a geometria do sensor e a disposição
dos contatos influencia significativamente neste quesito. Na figura 5.1 são representadas algumas
topologias, sendo que (a) e (b) são sensores retangulares, (c) e (d) são as cruzes gregas, (e) e (f)
são as octogonais, (g) e (h) são quadradas e (i) é a circular.
Todas as topologias possuem 4 contatos ôhmicos, dos quais 2 são usados para polarizar o
circuito (denominados como contatos-corrente) e os outros são usados para medir a tensão Hall
(denominados como contatos-sensor). Algumas estruturas são simétricas e permitem que os
contatos ôhmicos tenham a dupla função de contato-corrente e contato-sensor.

34
Capı́tulo 5. Sensor tipo placa Hall Octogonal 35

Figura 5.1: Placas Hall com diferentes topologias

5.2 O Fator Geométrico em sensores Hall


O campo magnético distorce as linhas equipotenciais dentro da área ativa, como mostrado
na Figura 5.2 (reimpressa de[4]), na qual as linhas verticais são linhas de fluxo de portadores
elétricos e as linhas horizontais (paralelas aos contatos) são as equipotenciais. Observe que
as equipotenciais estão mais inclinadas no centro da área ativa e a medida que se aproximam
dos contatos metálicos tendem a se alinhar a estes eletrodos, reduzindo assim a tensão Hall.
Este efeito é devido a geometria da placa, pois os eletrodos que formam os contatos metálicos
possuem uma condutividade maior que a área ativa, produzindo assim um curto-circuito das
equipotenciais e consequentemente reduzindo a tensão Hall.

Figura 5.2: Resultado de um modelo numérico de uma placa Hall quadrada. Os contatos-
corrente estão hachurados.

Podemos concluir que em uma placa curta, onde W  L, as equipotenciais se alinham


Capı́tulo 5. Sensor tipo placa Hall Octogonal 36

com os contatos-corrente, reduzindo a diferença de tensão que poderia ser observada entre os
contatos-sensor. Este efeito reduzirá, portanto, a sensibilidade da placa Hall. Já nas placas
longas, nas quais L  W , as linhas equipotenciais terão uma inclinação maior no meio da área
ativa, onde não se percebe o efeito de distorção dos contatos-corrente, aumentado a diferença
de tensão entre os contatos-sensor e, consequentemente, aumentando a sensibilidade.
Os contatos-corrente não são os únicos que geram distorção. Contatos-sensor apresentam
uma resistência elétrica muito menor que a área ativa, representando também um curto-circuito,
diminuindo a sensibilidade do dispositivo. Uma simulação numérica detalhando os efeitos dos
contatos-sensor não pontuais é ilustrada na Figura 5.3 (reimpressa de [26]), na qual é possı́-
vel observar a distorção dos equipotenciais e o efeito de curto-circuito no material de maior
condutividade.

Figura 5.3: Simulação numérica de uma placa Hall retangular detalhando a distorção produzida
pelo efeito de curto-circuito em contatos-corrente e contatos-sensor. A figura ilustra: a) Linhas
de fluxo de corrente; b) Equipotenciais de potencial.

Modelos simplistas com elementos resistivos, cálculos baseados na Lei de Ohm e na Força
de Lorentz, já não são suficientes para descrever o comportamento do dispositivo [25], sendo
necessário usar simulações numéricas para obter um resultado preciso.
Com o objetivo de simplificar os cálculos e continuar utilizando as expressões algébricas já
desenvolvidas, se adiciona à equação um fator proporcional de correção, chamado de Fator de
Correção Geométrico (GH ), descrito como a relação entre o sinal de saı́da obtido, incluindo os
efeitos de contorno e o valor de um sensor ideal, como representado na equação 5.1. Este fator
tem um valor máximo de 1 para dispositivos longos.

VHreal
GH = (5.1)
VHideal
Substituindo na equação a tensão Hall ideal VHideal , obtemos a Equação 5.2, que relaciona os
efeitos geométricos e de fabricação com a tensão de saı́da medida.

IBz pµ2p − nµ2n
VHreal = GH (5.2)
tq (pµp + nµn )2
Para reduzir o efeito induzido pelos contatos metálicos e aumentar a sensibilidade, o sensor
deveria possuir uma área ativa longa e fina, a fim de se obter a máxima inclinação das linhas
equipotenciais no centro do dispositivo. Ao mesmo tempo, seria necessário manter a maior
separação possı́vel entre os contatos-sensor, permitindo um desenvolvimento uniforme das linhas
Capı́tulo 5. Sensor tipo placa Hall Octogonal 37

de fluxo elétrico. Por este motivo, geometrias identificadas como ”Cruzes Gregas” são recorrentes
na fabricação de placas Hall, pois diminuem os efeitos dos contatos ôhmicos [27, 34, 35, 33].
Ao aumentar a relação entre o perı́metro e a área ativa, também conhecido como Relação de
Aspecto, maximiza-se o fator geométrico GH [27].
A partir do exposto, podemos afirmar que os sensores de 4 terminais são dependentes da ge-
ometria de seus contatos. Portanto, uma análise completa do sensor deve levar em consideração,
como condições de contorno, os efeitos dos contatos não ideais.

5.3 Modo de operação do sensor Hall


Esta sessão detalha algumas caracterı́sticas importantes da placa Hall como a sensibilidade,
o ruı́do, a resistência elétrica e o desvio de zero.

5.3.1 Resistência de entrada e de saı́da


A área ativa do sensor é fabricada usando um material com condutividade finita, portanto
aparece uma resistência entre os contatos, como é ilustrado na Figura 5.4. A resistência entre
os contatos-corrente é denominada resistência de entrada Rin , enquanto a resistência entre os
contatos-sensor é denominada resistência de saı́da Rout . Dado que a resistividade em materiais
semicondutores dopados é muito maior que em metais, será desconsiderado o valor da resistência
dos contatos metálicos.

Figura 5.4: Representação esquemática da Resistência de entrada e saı́da

Para uma placa retangular, como a ilustrada na Figura 3.1, podemos escrever Rin e Rout
como:

l l
Rin = ρ0 = (5.3)
wt qnµH wt
Capı́tulo 5. Sensor tipo placa Hall Octogonal 38

w w
Rout = ρ0 = (5.4)
lt qnµH lt
Sendo que: w é a largura, l é o comprimento e espessura é t; assim como q é o valor da carga
fundamental; n é a densidade de portadores; e µH a mobilidade de portadores nas placas Hall.

5.3.2 Tensão Hall


No Capı́tulo 3 foi descrita a tensão Hall em semicondutores. Adicionando o Fator GH descrito
na equação 5.1, podemos reescrever a tensão Hall como:

RH IB IB
VH = GH = GH (5.5)
t qnt
Sendo que RH é o coeficiente Hall, I a corrente e B o campo magnético normal à superfı́cie
e t a espessura da placa.
A equação pode ser reescrita em termos da resistência de entrada Rin como:

µH Rin w
VH = GH IB (5.6)
l
Podemos observar que a tensão Hall depende de parâmetros do projeto e do material, sendo
proporcional ao produto corrente I vezes intensidade de campo Magnético B. Observamos a
influência do GH e a importância da mobilidade de portadores no material (representado pelo
coeficiente µH ), em um projeto que maximiza a tensão Hall.
Relacionando as Equações 5.5 e 5.6, podemos resumir a sensibilidade ao campo magnético
relativa a corrente de polarização SI como:

VH w 1
SI = = GH µH Rin = GH (5.7)
IB l qnt
Sendo a resistência de entrada Rin = Vin/I , podemos escrever uma relação da tensão Hall com
a tensão de polarização entre os contatos-corrente, denominada sensibilidade relativa a tensão
de polarização SV como:

SI VH w
SV = = = GH µH (5.8)
Rin Vin B l

5.3.3 Desvio de zero ou Tensão de offset


A tensão de offset é a tensão que aparece nos contatos-sensor sem a exposição a um campo
magnético. Esta tensão é indesejável e inevitável, limitando a precisão a sinais de pequena
magnitude.
Existem três fontes principais de tensão de offset que serão mencionadas neste trabalho:
• Processo de fabricação, produzidas por deformação geométrica da área ativa, desalinha-
mento entre os contatos-sensor ou não uniformidade do processo;

• Descasamento das propriedades da região ativa, como a mudança da mobilidade associada


ao estresse mecânico e ao efeito piezo-resistivo apresentado no Capı́tulo 4.
Capı́tulo 5. Sensor tipo placa Hall Octogonal 39

• O efeito Seebeck, que gera uma diferença de potencial associado à temperatura.

5.3.4 Ruı́do em placas Hall


O nı́vel de ruı́do em placas Hall limita a precisão que pode ser atingida por um dispositivo,
visto que estes efeitos estocásticos mascaram baixos nı́veis de tensão de saı́da.
Existem duas fontes principais de ruı́do: o ruı́do térmico, que se caracteriza por ser um ruı́do
branco constante em frequência que é explicada pelas variações aleatórias no movimento dos
portadores; e o ruı́do flicker (ou ruı́do 1/f ), de baixa frequência, causado principalmente pelo
efeito das cargas nas interfaces e defeitos do poço que constitui a placa Hall, especialmente se
existir uma interface óxido-semicondutor.
A densidade espectral do ruı́do é ilustrada na Figura 5.5 (reeditado de [4]), e descrita na
seguinte equação:

SNV (f ) = SVα (f ) + SVT (5.9)

Figura 5.5: Densidade de ruı́do espectral em dispositivos Hall.

Onde SNV (f ) representa a densidade de ruido em função da frequência, SVα (f ) a densidade


de ruido flicker que aparece em baixa frequência e SVT o ruido térmico, contribuição constate em
todo o espectro. A frequência fc que aparece na Figura 5.5 corresponde ao ponto de intercepção
das contribuições do ruido flicker e térmico.

5.3.5 Deriva térmica


Podemos observar nas Equações 5.3 e 5.6, a dependência da resistência e da tensão de saı́da
com relação a densidade de portadores e a mobilidade de portadores, propriedades que dependem
da temperatura de operação.
No intervalo de temperatura relevante para este trabalho (entre −40o C e 100o C), podemos
relacionar as mudanças das caracterı́sticas do sensor, principalmente a dependência da mobili-
Capı́tulo 5. Sensor tipo placa Hall Octogonal 40

dade com a temperatura para diferentes nı́veis de dopagem, cuja variação é ilustrada na Figura
5.6 [36].

Figura 5.6: Mobilidade de portadores em diferentes temperaturas para vários nı́veis de Dopagem
de Silı́cio tipo n.

Menos representativo, ao ponto de poder ser considerado praticamente constante na tem-


peratura, é o efeito da variação na densidade de portadores. Entre 250K e 400K podemos
considerar que todos os dopantes se encontram ativos e o número de portadores intrı́nsecos ni
não é significativo, mantendo constante a concentração de cargas, como pode ser observado na
Figura 5.7 [37].
Dado que a sensibilidade à tensão e à corrente depende diretamente da mobilidade e da
concentração de portadores é esperada uma variação ao se alterar a temperatura. Esta variação
é denominada deriva térmica da sensibilidade. A Figura 5.8 mostra esta variação tanto para a
sensibilidade à tensão com à corrente para um sensor Hall comercial[38].
Este efeito pode ser mais crı́tico em sensores empacotados usando encapsulamentos plásticos,
Capı́tulo 5. Sensor tipo placa Hall Octogonal 41

Figura 5.7: Densidade de Portadores versus Temperatura para diferentes dopagens em Silı́cio

Figura 5.8: Deriva térmica da sensibilidade à tensão Sv e sensibilidade à corrente SI .

vez que podem sofrer deformações com a temperatura e a umidade, o que acarretaria mudanças
maiores na mobilidade, induzidas agora pelo efeito piezo-resistivo.

5.4 Tecnologia de Fabricação CMOS XFAB c06


A construção de uma placa Hall usando a tecnologia disponı́vel para a microeletrônica é
relativamente simples. Basicamente, a área ativa da placa é definida por um semicondutor
dopado com a geometria desejada (um poço semicondutor preferencialmente tipo n, já que
os elétrons apresentam uma maior mobilidade quando comparados com as lacunas) e quatro
terminais ôhmicos dispostos na periferia, os denominados contatos-corrente e contatos-sensor,
como é ilustrado na Figura 5.9.
O fato das camadas necessárias estarem disponı́veis no processo de fabricação de dispositivos
semicondutores, possibilita ao sensor tipo Hall e aos circuitos de controle e condicionamento de
Capı́tulo 5. Sensor tipo placa Hall Octogonal 42

Figura 5.9: Vista superior e corte transversal de um placa Hall integrada genérica.

sinais serem fabricados monoliticamente usando uma tecnologia CMOS comercial. A tecnolo-
gia XAFBc06 [39] foi escolhida por permitir uma prototipagem rápida, atendendo a todas as
necessidades básicas do projeto.
O substrato da lâmina de silı́cio desta tecnologia é tipo p e possui orientação cristalográfica
[100] normal à superfı́cie, como ilustrado na Figura 5.10. Podemos, portanto, aproveitar a
orientação cristalina da placa para construir dispositivos com orientações cristalográficas [100]
e [110].

Figura 5.10: Principais orientações cristalográficas no plano de uma lâmina de Si [100] tipo p.

Na fabricação do dispositivo, utilizado no presente trabalho, foi empregado um processo que


permite a criação de poços tipo n, com três nı́veis de metal para as interconexões, dois nı́veis
de poli-silı́cio e tensão de polarização de 5V. Um corte transversal do processo é mostrado na
Capı́tulo 5. Sensor tipo placa Hall Octogonal 43

Figura 5.11, na qual podem ser observados os poços n e p, assim como os contatos e o metal.
Camadas suficientes para produzir a placa ilustrada na Figura 5.9.

Figura 5.11: Corte transversal da tecnologia XFABc06.

Por ser uma tecnologia CMOS comercial que permite a fabricação de poços n e p, os sensores
tipo placa Hall podem ser projetados sem a necessidade de camadas ou pós-processos adicionais.

5.5 Placa Hall com geometria octogonal


O nosso principal interesse é estudar o efeito Hall nas principais direções cristalinas do silı́cio,
para tanto seria necessário criar diversos dispositivos, a fim de analisar o máximo de direções
possı́veis. Este projeto, por outro lado, busca uma forma diferenciada de análise, baseando-se
na fabricação de um único dispositivo com oito terminais distribuı́dos uniformemente, tendo
como resultado uma geometria octogonal. Deste modo, ao polarizar o dispositivo entre contatos
diferentes, como ilustrado na Figura 5.12, podemos obter medições para diferentes e múltiplas
direções.
Sendo o sensor uma placa superficial, podemos observar o efeito Hall nas principais famı́lias
de orientações cristalográficas na superfı́cie da lâmina. Para a tecnologia em questão, utilizamos
as orientações [100] e [110], segundo mostrado na figura 5.10.
Como já foi ressaltado anteriormente, o dispositivo foi fabricado utilizando unicamente os
elementos disponı́veis numa tecnologia comercial CMOS, a XFAB 0,6µm, utilizando um poço
tipo n sobre um substrato tipo p. Seria ideal a existência de um poço profundo para minimizar o
ruı́do 1/f (induzido principalmente pela interface Oxido-Silı́cio [40]), porém, dadas as limitações
de custo e de processo, esta ação não foi realizada, logo podemos esperar uma quantidade
significativa de ruı́do de baixa frequência, cuja presença não interfere em outras caracterı́sticas
do sensor, como a sensibilidade e a tensão de offset.
Com o intuito de diminuir a influência da distorção induzida pelos terminais ôhmicos, o
efeito de curto circuito em contatos-corrente e contatos-sensor apontado na Seção 5.2 deste
Capı́tulo 5. Sensor tipo placa Hall Octogonal 44

Figura 5.12: Oito possı́veis configurações para polarizar e medir a tensão Hall em uma placa
com oito terminais.

capı́tulo, aumentamos a relação de aspecto na placa Hall, ocasionando o aumento do fator


geométrico GH . Consequentemente, o sensor de oito terminais foi projetado com geometria
similar a uma estrela de oito pontas. Algumas modificações menores foram agregadas para
evitar ângulos agudos que violariam as regras do projeto para esta tecnologia. O leiaute do
dispositivo, seguindo às determinações expostas nos parágrafos anteriores, é ilustrado na Figura
5.13.

Figura 5.13: Detalhe da geometria do sensor, as medidas estão em µm..

Com o objetivo de estabelecer uma convenção para as futuras medições com este dispositivo,
foram nomeados os contatos do sensor como C0, C1, C2, C3, C4, C5, C6, C7, conforme é
mostrado na Figura 5.13. Assim, as medições na direção [110] são feitas usando os contatos
Capı́tulo 5. Sensor tipo placa Hall Octogonal 45

pares (C0, C2, C4 e C6) e para a direção cristalográfica [100] os ı́mpares (C1, C3, C5, C7).
O ângulo β da corrente de polarização é zero quando o fluxo de portadores entre os terminais
C1 e C5, alinhado com a direção [100]. A Tabela 5.1 resume as possibilidades, especificando os
contatos-corrente e contatos-sensor a serem utilizados em cada medida, conforme o ângulo do
fluxo majoritário de portadores em relação a direção [110].

Tabela 5.1: Direção da corrente entre os diferentes contatos-corrente da placa octogonal


Direção de alinhamento dos: Ângulo Direção
contatos-corrente contatos-sensor β cristalográfica
O
I(C1, C5) V(C3, C7) 0 [100]
O
I(C2, C6) V(C4, C0) 45 [110]
O
I(C3, C7) V(C5, C1) 90 [100]
I(C4, C0) V(C6, C2) 135 [110]
O
I(C5, C1) V(C7, C3) 180 [100]
O
I(C6, C2) V(C0, C4) 225 [110]
O
I(C7, C3) V(C1, C5) 270 [100]
O
I(C0, C4) V(C2, C6) 315 [110]

5.6 Projeto da membrana quadrada


Os dispositivos fabricados neste trabalho foram projetados de modo que o sensor pudesse ser
submetido ao campo magnético e também ao estresse mecânico. Portanto, foram distribuı́dos
de tal forma sobre o die de silı́cio que permitissem uma futura fabricação de uma membrana
quadrada, que atuasse como concentradora de esforço mecânico, tecnologia similar à empregada
na fabricação de um sensor de pressão microelectro-mecânico.
A fabricação da membrana em silı́cio é normalmente realizada por um processo quı́mico
chamado de corrosão alcalina. Este processo usa normalmente o hidróxido de potássio (KOH).
A solução deste produto é aplicada na parte posterior (back-side) da lâmina de silı́cio, sendo,
portanto, um processo chamado de back-side micromachining.
A corrosão alcalina é anisotrópica, atacando preferencialmente a orientação cristalina [100]
do silı́cio monocristalino, permitindo a criação de geometrias como membranas, canaletas e
vigas suspensas. O processo não é complicado, mas exige um cuidado especial na fabricação da
máscara de proteção, já que qualquer superfı́cie exposta do silı́cio vai ser atacada pelo hidróxido.
Também é preciso estar atento à concentração e temperatura da mistura, uma vez que estas
determinam a velocidade da corrosão.
Na tecnologia usada, a direção [100] é normal à superfı́cie da lâmina, definindo ângulos
α =54,77° no local corroı́do, como é ilustrado na Figura 5.14. As especificações do projeto para
a fabricação da membrana são baseadas na área do die, área da membrana, espessura da lâmina
e espessura da membrana. Sendo o ângulo bem conhecido, podemos calcular as dimensões da
máscara do processo de corrosão em função das dimensões desejadas para a membrana, da
seguinte forma:
Capı́tulo 5. Sensor tipo placa Hall Octogonal 46

tw − tm
wc = wm + 2 , (5.10)
tan α
Sendo que wc e wm são os lados da máscara e da membrana respectivamente, e tw a espessura
da lâmina de silı́cio e tm a espessura desejada para a membrana.
O dispositivo fabricado foi projetado sobre um die de 4mm × 4mm sobre lâminas de 640µm
de espessura. Decidimos usar uma membrana com a metade da dimensão total 2mm × 2mm.
Usando a equação para a largura da máscara e imaginando uma espessura de membrana de
20µm, terı́amos um dispositivo com as geometrias da figura 5.14. Para conseguir a referida
geometria será necessária uma máscara com dimensões de 2, 806mm × 2,806mm.

Figura 5.14: Dimensões em mm da membrana quadrada.

Dado que esta membrana será obtida através de um pós-processamento, foram adicionadas
algumas marcas de alinhamento, mostradas em detalhe na Figura 5.15, facilitando o posiciona-
mento das máscaras e camadas na parte de trás do die com os dispositivos sensores localizados
na sua frente.

Figura 5.15: Dimensões da marca de alinhamento, dimensões em µm.

5.7 Chip Fabricado


A Figura 5.16 mostra uma foto do sensor fabricado, detalhando a zona ativa, delimitada em
verde escuro, e os contatos metálicos em cor dourada.
Capı́tulo 5. Sensor tipo placa Hall Octogonal 47

Figura 5.16: Foto do sensor fabricado tomada com um microscópio óptico.

Os dispositivos foram posicionados nas bordas de um quadrado de 2mm × 2mm, assim,


quando for realizada a corrosão para obter a membrana, os dispositivos estarão na área de
maior concentração de estresse. As Figuras 5.17 e 5.18 ilustram respectivamente o leiaute do
chip sensor e a foto do dispositivo fabricado.

Figura 5.17: Leiaute do Chip, incluindo 4 sensores e PADs de alimentação .

Foi incluı́do na Figura 5.17 a identificação de cada PAD (contatos do Chip fabricado a serem
ligados com os bond-wires), incluindo os pinos de alimentação e os sinais de entrada/saı́da do
sensor. No projeto, usando os PADs analógicos de menor resistência, conseguimos diminuir a
influência de elementos parasitas não desejados.
Capı́tulo 5. Sensor tipo placa Hall Octogonal 48

Na Figura 5.18 se observa que a área destinada à membrana tem uma cor bem mais clara
que o resto do dispositivo. Intencionalmente esta área foi deixada sem a camada de óxido
de passivação para eliminar possı́veis efeitos sobre a membrana, resultando também numa cor
diferenciada.

Figura 5.18: Foto do sensor fabricado detalhando a posição dos sensores e o espaço demarcado
para a membrana.
Capı́tulo 6
Técnicas para redução de offset

Uma das principais limitações dos sensores magnéticos tipo Hall é a tensão do desvio de
zero, conhecido também como tensão de offset, que aparece nos contatos-sensor na ausência de
um campo magnético. A tensão de offset é influenciada principalmente pelo estresse mecânico
sobre o material, que devido ao efeito piezo-resistivo induz a um desbalanceamento na placa
semicondutora [20, 19, 17, 4].
O principal problema são as diversas origens do estresse mecânico, que pode ser induzido
sobre o componente no momento da fabricação, no momento do empacotamento ou até pelas
condições ambientais nas quais o dispositivo é usado[40]. Para ilustrar as diversas origens
de estresse mecânico podemos citar três exemplos: as camadas dos diferentes materiais que
compõem um circuito integrado têm coeficientes de expansão térmica distintos, gerando um
estresse residual ao expandir-se em proporções diferentes; os produtos usados no empacotamento
do sensor tendem a comprimir o dispositivo; a umidade e a temperatura afetam os materiais
plásticos comumente usados nos empacotamentos, o que pode gerar deformações e induzir o
estresse mecânico no die encapsulado[40].
As diversas causas do estresse mecânico tornam pouco práticos métodos como o ajuste por
trimming ou a calibração individual de cada circuito após ser testado, vez que cada componente
pode apresentar estresse mecânico distinto, induzido pela condição de operação. Portanto,
torna-se necessário outras medidas que permitam a compensação de offset.
Este projeto partiu da observação de que o offset não é um processo aleatório em sensores
de quatro terminais, como a placa Hall, e sim um erro sistêmico. O offset varia muito pouco
no tempo, podendo ser considerado constante, dessa forma depende apenas das condições de
fabricação e operação em cada dispositivo.

6.1 Dispositivos múltiplos com acoplamento ortogonal


Representaremos a placa Hall como um componente de quatro terminais, modelado como
uma ponte de resistores, conforme ilustrado na Figura 6.1. Entre os terminais 1 e 2 existe
um fluxo I, portanto, estes serão os contatos-corrente, enquanto os terminais 3 e 4 serão os
contatos-sensor. Cada uma das resistências R entre os contatos é igual a resistência de entrada
do dispositivo, e ∆R representa as variações na ponte geradas por efeitos não relacionados com

49
Capı́tulo 6. Técnicas para redução de offset 50

Figura 6.1: Modelo do componente de quatro terminais como uma ponte resistiva.

o campo magnético, como desalinhamento geométrico ou estresse mecânico. Em uma ponte


ideal (sem tensão de offset), ∆R seria zero.
O descasamento da ponte resistiva resulta inevitável em dispositivos fabricados, produzindo
um desvio ou offset na tensão de saı́da medida nos contatos-sensor. Podemos escrever a tensão
de saı́da como a soma da tensão Hall VH (descrita na Equação 5.6) e a tensão de offset Vof f set
como:

IB
Vout = VH + Vof f set = GH + Vof f set (6.1)
nqt
Usando o modelo de ponte de resistências da Figura 6.1, podemos escrever a tensão de offset
entre os terminais 3 e 4 como:

Vof f set(3,4) = ∆R I (6.2)


Agora, consideremos um segundo dispositivo, fabricado muito próximo da primeira placa,
sofrendo com o mesmo estresse mecânico e distorções geométricas, portanto, apresentando o
mesmo desequilı́brio ∆R nas resistências da ponte. Diferentemente do que ocorre na primeira
placa, na segunda placa a corrente existe entre os contatos 3 e 4, representando um giro no
sentido da corrente de 90° (um quarto de cı́rculo), conforme ilustrado na Figura 6.2.
Podemos observar que a tensão Hall VH entre os terminais 2 e 1, quando o dispositivo é
girado, continua sendo GH IB/nqt, enquanto a tensão de offset é:

Vof f set(2,1) = −∆R I (6.3)


Portanto, a tensão de saı́da, quando os terminais 3 e 4 são usados como contatos-sensor,
resulta diferente da tensão de saı́da quando 2 e 1 são utilizados. Podemos escrever cada uma
das tensões separadamente como:
Capı́tulo 6. Técnicas para redução de offset 51

Figura 6.2: Dispositivos ortogonais, representando um giro de 90° no sentido da corrente do


segundo dispositivo em relação à orientação original.

IB
Vout(3,4) = GH + ∆R I
nqt
IB
Vout(2,1) = GH − ∆R I
nqt
Se conectarmos os dispositivos em paralelo, induzindo em ambos uma corrente I e interli-
gando os contatos-sensor em série, como é mostrado na Figura 6.3 , somaremos ambas as tensões
de saı́da, anulando a tensão de offset. C onsequentemente, teremos como resultado uma tensão
total que duplica a sensibilidade e que não apresenta offset, como pode ser observado na seguinte
expressão:

IB
Vout = Vout(3,4) + Vout(2,1) = 2GH = 2VH (6.4)
nqt
O resultado teórico é uma tensão de saı́da total livre da influência do descascamento na ponte
resistiva. Esta configuração duplica a área e a corrente necessárias para construir e polarizar
ambas as placas, mas não garante a eliminação total da tensão de offset, já que a deformação
mecânica de ambas as placas pode ser levemente diferente.

6.2 Comutação de contatos-corrente e contatos-sensor


Ainda que dispositivos geometricamente iguais sejam construı́dos próximos e estejam casa-
dos, dificilmente serão idênticos, portanto o ideal seria utilizar a mesma placa, girando ortogonal-
mente a corrente no mesmo dispositivo. Este método é conhecido como comutação de contatos,
já que alterna as funções dos contatos entre contatos-corrente e contatos-sensor, permitindo a
diminuição significativa da tensão de offset e implementando um acoplamento ortogonal de uma
única placa Hall [41, 42, 43].
Capı́tulo 6. Técnicas para redução de offset 52

Figura 6.3: Dispositivos ortogonais ligados em paralelo para cancelar a tensão de offset.

O método de comutação de contatos se fundamenta em girar o sentido da corrente em


um quarto de circulo [41]. Podemos explicar a redução de offset usando um desenvolvimento
análogo ao apresentado na seção anterior. Retomando o modelo de ponte de resistências no
dispositivo de 4 terminais, ilustrado na Figura 6.2, usamos os contatos 1 e 2 como contatos-
corrente, medindo a tensão Hall nos contatos 3 e 4, para depois comutar os contatos, induzindo
um fluxo de portadores entre os terminais 3 e 4 e usando os terminais 2 e 1 como contatos-sensor.
Como o descasamento na ponte resistiva não muda ao girar o sentido da corrente, a tensão
de saı́da medida nos terminais 3 e 4 resulta diferente da medida quando utilizados 2 e 1 como
contatos-sensor. Podemos escrever cada uma destas tensões separadamente como:

IB
Vout(3,4) = GH + ∆R I (6.5)
nqt
IB
Vout(2,1) = GH − ∆R I (6.6)
nqt
Ao calcular o valor médio das tensões de saı́da, teremos:

Vout(3,4) + Vout(2,1) IB
Vout = = GH = VH (6.7)
2 nqt
O resultado teórico é uma tensão de saı́da livre de offset.

6.3 Inversão de corrente


A comutação de contatos seria suficiente para eliminar o offset quando a rede é simétrica.
Entretanto, certos efeitos podem gerar uma tensão de offset que não pode ser eliminada apenas
com a comutação.
Capı́tulo 6. Técnicas para redução de offset 53

Imagine que entre os contatos-sensor apareça uma fonte constante de tensão de valor Vof f ,
como ilustrado na Figura 6.4

Figura 6.4: Modelo do componente de quatro terminais com uma ponte resistiva e tensão de
offset entre os contatos sensor.

Esta tensão pode aparecer, por exemplo, pelo efeito termoelétrico (efeito Seebeck ), quando
as junções metal-semicondutor produzem uma pequena diferença de potencial quando estão
em temperaturas diferentes. Assim, um gradiente térmico no dispositivo geraria uma pequena
diferença de tensão, que podemos modelar por uma fonte de tensão.
Assim, com uma corrente elétrica entre os terminas 1 e 2, a tensão de saı́da será

IB
Vout = V(3,4) = VH + Vof f = GH + Vof f (6.8)
nqt
Invertendo a polaridade, estimulando o fluxo de corrente entre os terminal 2 ao 1 e comutando
os terminais sensores, teremos:

IB
Vout = V(4,3) = VH − Vof f = GH − Vof f (6.9)
nqt
Note que o valor de tensão Hall VH permanece constante, uma vez que depende da intensidade
do campo e da corrente, no entanto, o valor de tensão de offset Vof f alterna em sinal.
Ao calcular o valor médio na saı́da, podemos teoricamente eliminar esta tensão de offset
Vof f , como:

Vout(3,4) + Vout(4,3) IB
Vout = = GH = VH (6.10)
2 nqt

6.4 Giro de corrente


Ilustramos dois métodos de eliminação de tensão de offset que, embora distintos, possuem
o mesmo princı́pio como base, tomar medidas em direções diferentes e calcular a média. Como
Capı́tulo 6. Técnicas para redução de offset 54

cada um destes métodos elimina efeitos diferentes, seria natural encontrar uma forma de com-
binar estas metodologias para usar um método aprimorado e robusto.
É possı́vel aumentar o número de comutações, girando a corrente em um cı́rculo completo
e utilizando todas as direções disponı́veis. Esta técnica foi denominada de girador de corrente
(current-spinning) e tem sido difundida como metodologia para reduzir efetivamente o offset
residual[44, 42, 43].
Dado que neste projeto temos a disposição um sensor de oito terminais, podemos expandir
a medição e tomar amostras de 45o em 45o graus, como é ilustrado na Figura 6.5.

Figura 6.5: Sequência de comutações no sentido da corrente para implementar a técnica de giro
de corrente para um dispositivo de oito terminais.
Capı́tulo 7
Projeto e realização dos circuitos de
condicionamento e controle do girador de
corrente

Para implementar a arquitetura usada para a redução de desvio de zero (tensão de offset)
pelo método de giro de corrente (current-spinning), são necessários diversos blocos como: mul-
tiplexadores analógicos, geradores de corrente de referência e circuito de controle de comutação.
Estes circuitos foram projetados e integrados monoliticamente com o sensor Hall octogonal.
Este capı́tulo apresenta o projeto detalhado dos circuitos de polarização e controle do girador
de corrente, incluindo:
• Descrição funcional de cada Bloco e Sub-bloco;

• Descrição da arquitetura/topologia de cada circuito;

• Resultado da simulação;

• Leiaute dos circuitos integrados.


Cada etapa do projeto, desde o dimensionamento dos componentes até a geração do leiaute,
foi validada usando simuladores de circuitos e ferramentas EDA para o design de circuitos
integrados. Estas simulações consideram os efeitos dos componentes parasitas, aproximando o
comportamento do circuito modelado ao que será obtido com o circuito fabricado.

7.1 Descrição funcional


Dado que o sensor Hall octogonal foi fabricado usando uma tecnologia CMOS comercial,
podemos aproveitar o espaço disponı́vel no die de silı́cio para integrar circuitos que permitam
polarizar, controlar e realizar o tratamento de sinal.
A eletrônica integrada com o sensor realiza as seguintes funções: polarizar o sensor com
nı́veis adequados de tensão e corrente; controlar a operação do circuito de giro de corrente e
condicionar o sinal de saı́da.
O dispositivo tem as seguintes caracterı́sticas de operação:

55
Capı́tulo 7. Projeto e realização dos circuitos de condicionamento e controle do girador de
corrente 56

• Tensão de alimentação Vdd de 5V ± 0.5V;

• Corrente de polarização do sensor de 1mA;

• Temperatura de operação de −40o C a 100o C

7.2 Descrição da arquitetura e topologia


Apresentamos nesta seção a arquitetura completa do sistema, incluindo os diagramas dos
circuitos eletrônicos e do elemento sensor usados na implementação de um sensor magnético
com redução de offset. Também são descritos cada um dos sub-blocos e circuitos, incluindo
caracterı́sticas elétricas e detalhes da implementação fı́sica.

7.2.1 Circuito de condicionamento


O diagrama de Blocos do sistema é ilustrado na Figura 7.1.

Figura 7.1: Diagrama de Blocos do sistema sensor com eletrônica integrada.

Circuito de Polarização
Representado no diagrama de blocos pela fonte de corrente de referência e o espelho de cor-
rente, o circuito de polarização tem como principal função polarizar a eletrônica e o sensor.
Para desenvolver esta função foi projetada uma fonte de corrente resistente às mudanças de
temperatura, tensão de alimentação e também à tensão de saı́da. A técnica usada no projeto
destes circuitos é descrita na seção 7.2.2.1.
Capı́tulo 7. Projeto e realização dos circuitos de condicionamento e controle do girador de
corrente 57

Circuito de multiplexação de corrente


O circuito que controla a direção da corrente, permitindo selecionar os contatos-corrente e
contatos-sensor para sentidos de corrente diferentes, é composto por uma unidade de controle
digital, demultiplexador de corrente e multiplexador de tensão. A função de cada bloco é descrita
a seguir:

• Unidade de Controle digital: decodificador digital que usa um sinal de entrada de três
bits, representando qualquer das oito direções possı́veis. O controle digital envia os sinais
dos quatro multiplexadores analógicos, selecionando adequadamente os contatos-corrente
e contatos-sensor para cada direção, conforme descrito na seção 7.2.2.4.

• Demultiplexador de corrente: representado no diagrama de blocos pelos DEMUX-A, são


constituı́dos por uma série de transistores ligados com os espelhos de corrente através de
chaves analógicas. Espelha e multiplica a corrente de referência a nı́veis adequados para
o sensor (1 mA para este projeto), direcionando-a ao contato-corrente desejado, conforme
descrito na seção 7.2.2.3.

• Multiplexador de tensão: representado no diagrama pelos MUX-A, permite a seleção dos


contatos-sensor. Portas de transmissão são utilizadas para acessar a tensão Hall, conforme
descrito na seção 7.2.2.2.

Circuito de condicionamento de sinal


O circuito garante um sinal de saı́da no nı́vel de tensão desejado, sendo composto por um
circuito de polarização dos contatos sensores e um amplificador com ganho unitário. A função
dos dois sub-circuitos é descrita a seguir:

• Circuito de polarização dos contatos sensores: representado no diagrama de blocos pelo


bloco DC Bias. Responsável por controlar o ponto DC da tensão de saı́da, este circuito
implementa uma técnica de realimentação de modo comum, a fim de ajustar o nı́vel de
saı́da a um nı́vel desejado. O projeto deste bloco está descrito na seção 7.2.2.6.

• Amplificador Operacional: o amplificador X1 foi usado na configuração seguidor, man-


tendo um ganho unitário, mas isolando a placa Hall dos instrumentos de medição. Este
isolamento bloqueia surtos de tensão, corrente ou condições de baixas impedâncias, prote-
gendo assim o dispositivo. A descrição do projeto do amplificador operacional se encontra
na seção 7.2.2.5.

7.2.2 Sub-blocos
Na continuação deste trabalho vamos detalhar a implementação e o funcionamento de cada
um dos circuitos, assim como os testes que foram realizados para validá-los e os resultados
obtidos ao simulá-los.
Capı́tulo 7. Projeto e realização dos circuitos de condicionamento e controle do girador de
corrente 58

7.2.2.1 Fonte de corrente de referência


A tensão Hall depende da corrente que polariza a placa, por isso foi preciso procurar por
uma fonte de corrente de referência independente da tensão de alimentação e da temperatura.
Uma topologia baseada na fonte de corrente tipo Widlar foi selecionada por ser simples e bas-
tante robusta às mudanças das condições de operação [45, 46, 12]. O esquemático desta fonte,
que foi especialmente projetada para a aplicação neste sistema, pode ser observado na Figura 7.2.

Topologia

Figura 7.2: Esquemático da fonte de corrente tipo Widlar.

A fonte de corrente é implementada usando três blocos básicos: o núcleo da fonte de cor-
rente, que usa resistores com coeficientes térmicos complementares para compensar as variações
com a temperatura; um circuito de startup, que é necessário para garantir o funcionamento no
ponto de operação adequado; e um espelho de corrente, necessário para multiplicar a corrente
de referência gerada pelo núcleo, entregando na saı́da a corrente desejada, enquanto mantêm
baixo o consumo da fonte.

Estrutura de Teste
A estrutura de teste usada para simular o comportamento do circuito é mostrada na Figura
7.3. Esta estrutura funciona da seguinte forma:
Capı́tulo 7. Projeto e realização dos circuitos de condicionamento e controle do girador de
corrente 59

• Mantendo uma temperatura e tensão de alimentação constante, a tensão de saı́da é variada


desde gnd até Vdd , sendo possı́vel identificar a tensão de saturação e a resistência de saı́da
do espelho.

• Mantendo a tensão de alimentação e a tensão de saı́da constantes, a temperatura varia, a


fim de se obter a curva de corrente como função da temperatura.

• Mantendo a temperatura e a tensão de saı́da constantes, a tensão de alimentação é alterada


para obter a sensibilidade da curva de corrente à tensão de Vdd .

Figura 7.3: Estrutura de teste da fonte de corrente.

Resultados da simulação
A Figura 7.4 mostra o resultado da simulação da corrente quando a tensão de saı́da varia
entre 0 e 5V, nas diferentes temperaturas. Podemos observar que a corrente mantém o valor
constante em torno de 250µA quando a tensão de saı́da supera 1V, ponto em que o transistor
NMOS do espelho opera na saturação. Também é possı́vel identificar uma variação pequena da
corrente com a temperatura.

Figura 7.4: Corrente versus Tensão de Saı́da para várias temperaturas.


Capı́tulo 7. Projeto e realização dos circuitos de condicionamento e controle do girador de
corrente 60

A Figura 7.5 mostra a variação da corrente de saı́da ao variar a temperatura entre −40o C e
100o C.

Figura 7.5: Corrente versus Temperatura.

Finalmente a figura 7.6 ilustra a variação da corrente de saı́da quando a tensão de polarização
está entre 4V e 6V.

Figura 7.6: Corrente versus Tensão de alimentação.

Alguns parâmetros, obtidos através das simulações, resumem o comportamento do circuito


e são mostrados na Tabela 7.1.
Capı́tulo 7. Projeto e realização dos circuitos de condicionamento e controle do girador de
corrente 61

Tabela 7.1: Resumo de resultados das simulações da fonte de corrente.


Parâmetro Descrição Min Tip Max Unidade
Iout Corrente de saı́da 235 250 255 µA
Von Tensão de saturação do espelho 0,75 0,85 1 V
Rout Resistência de saı́da 1.2 1.5 2 MΩ
Iout
ST emp Estabilidade Térmica 150 nA
K
Iout µA
SV DD Sensibilidade à Tensão de alimentação 12 V

Leiaute da fonte de corrente


A Figura 7.7 mostra o leiaute da fonte de corrente completa. A área ocupada pela fonte é
de 160µm × 200µm.

Figura 7.7: Leiaute da Fonte de Corrente.

7.2.2.2 Multiplexador de tensão


Um multiplexador é um dispositivo que combina ou codifica sinais de múltiplas entradas
elétricas, transferindo este resultado para um único canal de saı́da. Neste projeto, a informação
está contida num sinal de tensão analógico, portanto o multiplexador deve permitir a seleção
do contato sobre o qual será feita a leitura de tensão.
Capı́tulo 7. Projeto e realização dos circuitos de condicionamento e controle do girador de
corrente 62

Topologia
Para implementar o multiplexador analógico foram usadas portas de transmissão CMOS
(Transmission Gates), como as mostradas na Figura 7.8.

Figura 7.8: Esquemático e sı́mbolo da porta de transmissão.

Oito portas de transmissão foram conectadas conforme o esquemático mostrado na Figura


7.9, esta topologia permite que seja ligada uma porta por vez, possibilitando a habilitação de um
único canal de forma independente. Idealmente, as portas devem se comportar como circuitos
abertos (alta impedância) quando inativas e como um resistor de valor muito baixo quando
ligadas.
A área total de ambos os multiplexadores usados neste projeto é de 65µm × 55µm.

Figura 7.9: Esquemático do Multiplexador.

O controle e decodificação é feito por um bloco digital descrito na seção 7.2.2.4. Este bloco
digital controla todos os multiplexadores e demultiplexadores que possibilitam o giro da corrente.

Estrutura de Teste
Para verificar o comportamento deste circuito consideramos suficiente testar um único par de
portas de transmissão, já que o multiplexador é projetado com oito portas idênticas. Deste modo,
foi simulado o circuito representado na Figura 7.10, com o objetivo de modelar a resistência das
portas quando estão ligadas ou desligadas.
Capı́tulo 7. Projeto e realização dos circuitos de condicionamento e controle do girador de
corrente 63

Figura 7.10: Teste de porta de transmissão usadas no multiplexador analógico.

A tensão de entrada da chave variou entre 2V e 4V para este teste, uma vez que o sensor
está projetado para que os contatos-sensor, que estão ligados neste multiplexador, tenham uma
saı́da neste intervalo.

Resultados da simulação
Os resultados da simulação para a chave analógica estão resumidos na Tabela 7.2. A partir
destes resultados foi possı́vel observar o alto valor da resistência quando a chave está desligada,
caracterizando um circuito aberto e, por outro lado, uma resistência baixa quando a chave se
encontra ligada.

Tabela 7.2: Resultados para a porta de transmissão analógica projetada.


Parâmetro Descrição Min Tip Max Unidade
Ron Resistência da chave ligada 350 700 1100 Ω
Rof f Resistência da chave aberta 450 500 1000 MΩ

7.2.2.3 Demultiplexador de corrente de polarização


Um demultiplexador é um dispositivo que distribui informação de uma única entrada para
diversas saı́das que são habilitadas individualmente. Neste caso, a corrente de referência gerada
pela fonte é distribuı́da nos possı́veis contatos corrente.

Topologia
O demultiplexador foi construı́do como uma série de transistores configurados como chaves
analógicas, precedidas por um espelho de corrente, conforme ilustrado na Figura 7.11. Depois
da implementação do dispositivo, a área total ocupada foi de 70µm × 105µm.
Dado que o fluxo de corrente dentro da chave está sempre na mesma direção, não é necessário
usar portas de transmissão, como no multiplexador de tensão, sendo suficiente usar uma chave
composta por um único transistor.
Capı́tulo 7. Projeto e realização dos circuitos de condicionamento e controle do girador de
corrente 64

Figura 7.11: Esquemático do multiplexador incluindo o espelho de corrente.

Estrutura de Teste
Para verificar o comportamento deste circuito consideramos suficiente testar um único par
de chaves analógicas, a fim de observar as caracterı́sticas quando estão conduzindo ou cortando
o fluxo de corrente.
A estrutura de teste ilustrada na Figura 7.12 foi utilizada para modelar estas chaves, sendo
analisados os seguintes parâmetros:

• Corrente de saı́da quando o circuito está ligado;

• Corrente de fuga quando o circuito esteja desligado;

• Resistência de saı́da quando a fonte e a chave estão ligadas;

• Tensão mı́nima para que o circuito funcione como fonte de corrente.

Figura 7.12: Teste das chaves do multiplexador de corrente


Capı́tulo 7. Projeto e realização dos circuitos de condicionamento e controle do girador de
corrente 65

Resultados da simulação
A Tabela 7.3 resume os resultados obtidos da simulação do circuito extraı́do do demultiple-
xador de corrente.

Tabela 7.3: Resultado do demutiplexador, incluindo os espelhos de corrente


Parâmetro Descrição Min Tip Max Unidade
Iout Corrente de saı́da 0.9 1 1.05 mA
Iref Corrente de referência 235 250 255 µA
Vonp Tensão de saturação do espelho PMOS 0.5 V
Rout Resistência de saı́da 1.2 1.5 2 MΩ
Ron Resistência da chave ligada 100 200 215 Ω
Rof f Resistência da chave aberta 450 500 1000 MΩ

7.2.2.4 Lógica digital de controle de direção de corrente


O bloco de controle digital é um dispositivo relativamente simples, que consiste basicamente
em um demultiplexador digital com um sinal de habilitação (en). Possibilita desabilitar todas as
chaves ou abrir uma por vez, permitindo o giro de corrente. As entradas e saı́das deste circuito
estão resumidas na Tabela 7.4.

Figura 7.13: Unidade de controle digital.

Tabela 7.4: Tabela verdade do bloco digital.


en in<2:0> out<7:0> nout<7:0>
0 XXX 0000 0000 1111 1111
000 0000 0001 1111 1110
001 0000 010 1111 1101
010 0000 0100 1111 1011
011 0000 1000 1111 0111
1
100 0001 0000 1110 1111
101 0010 0000 1101 1111
110 0100 0000 1011 1111
111 1000 0000 0111 1111

Resultados das sı́nteses Lógica e Fı́sica


O bloco foi projetado e sintetizado usando técnicas de projeto digital. O código compor-
tamental do bloco foi escrito em Verilog e verificado, enquanto as sı́nteses e a implementação
Capı́tulo 7. Projeto e realização dos circuitos de condicionamento e controle do girador de
corrente 66

fı́sica foram feitas usando ferramentas digitais. Com os resultados das sı́nteses lógicas obtemos
um circuito com 21 portas lógicas, que foram dispostas e conectadas na etapa de implementação
fı́sica mostrada na Figura 7.14. O circuito total tem um área de 380µm × 70µm

Figura 7.14: Implementação Fı́sica do Bloco de controle Digital.

7.2.2.5 Amplificador Operacional


Optamos por um amplificador operacional de dois estágios para construir um seguidor de
tensão do circuito de condicionamento de sinal do sensor.

Topologia
Foi usado um amplificador de dois estágios com compensação tipo Miller, mostrado na
Figura 7.15 [12, 46], por ser um circuito bem conhecido e que pode ser projetado rapidamente.
A corrente de referência foi criada pelo circuito gerador de corrente de referência 7.2.2.1.

Figura 7.15: Esquemático do amplificador operacional.


Capı́tulo 7. Projeto e realização dos circuitos de condicionamento e controle do girador de
corrente 67

Este amplificador operacional e o circuito de polarização dos contatos sensores foram proje-
tados juntos, já que ambos fazem parte do condicionamento de sinal de saı́da. Os dois foram
projetados para funcionar a uma faixa de entrada de 0,5V até 3,0V.
Como o sinal esperado da medição do campo magnético é de baixa frequência e de baixa
amplitude, e como o amplificador será usado em configuração seguidor ( retroalimentado e com
ganho unitário em malha fechada), é desejado que se priorize as caraterı́sticas como ganho,
corrente de saı́da e estabilidade.
O primeiro estágio foi construı́do com um par diferencial feito com transistores tipo p, po-
dendo operar portanto em nı́veis de tensão comum perto de gnd, sendo compensando por um
capacitor e um resistor no segundo estágio, através do efeito Miller.

Estrutura de Teste
Foi criada uma estrutura de teste, ilustrada na Figura 7.16, para poder simular a resposta do
amplificador em malha aberta e malha fechada, tanto para ganho comum como ganho diferencial.

Figura 7.16: Estrutura de teste do amplificador operacional.

Foram feitos testes para simular o amplificador, com o objetivo de avaliar os seguintes pa-
râmetros:

• Estabilidade;

• Consumo de potência estática;

• Tensão de Modo Comum (Faixa de entrada);


Capı́tulo 7. Projeto e realização dos circuitos de condicionamento e controle do girador de
corrente 68

• Tensão de offset;

• Ganho diferencial, resposta em frequência;

• Razão de Rejeição de Ganho de Modo Comum (CMRR);

• Razão de Rejeição ao Ruı́do de Fonte (PSRR).

Resultados da simulação

A Figura 7.17 mostra a resposta em frequência do amplificador (diagrama de Bode). A fase


para ganho unitário (0dB) representa a margem da fase do sistema retroalimentado. Nesta
simulação, pode ser observada uma margem de fase 73,65o (≥ 60o ), o que indicando uma boa
estabilidade do circuito.

Figura 7.17: Diagrama de Bode do amplificador.

Os resultados obtidos dos testes de simulação do amplificador operacional estão resumidos


na Tabela 7.5.
Capı́tulo 7. Projeto e realização dos circuitos de condicionamento e controle do girador de
corrente 69

Tabela 7.5: Resumo dos resultados de simulação do amplificador.


Parâmetro Descrição Min Tip Max Unidade
P Consumo de potência 500 µW
Vof f set Desvio de zero em malha aberta 0 50 mV
Av/v Ganho 70 90 95 dB
Av/v BW Produto ganho vezes largura de 21 45 55 MHz
banda
Vout Tensão de saı́da 0,5 Vdd -0,7 V
Vin Tensão de entrada DC 0,3 Vdd -1,6 V
Rout Resistência de saı́da 200 KΩ
CM RR Rejeição em modo comum a baixa 80 90 100 dB
frequência
P SRR Rejeição ao ruı́do de fonte a baixa 20 26 dB
frequência
PM Margem de Fase 54 70 75 deg
GM Margem de ganho 16 22 24 dB

Leiaute
A Figura 7.18 mostra o leiaute do amplificador operacional projetado, usando tecnologia
XFAB CMOS 0, 6µm. A área total do dispositivo é 60µm × 45µm

Figura 7.18: Leiaute do Amplificador em tecnologia CMOS.

7.2.2.6 Circuito e polarização dos contatos-sensor


Os contatos-sensor da placa Hall octogonal devem ser polarizados convenientemente. Para
isto, projetamos um amplificador operacional em que a sua entrada inversora é conectada a
uma tensão de referência e a entrada não-inversora é conectada a um dos contatos-sensor. A
saı́da do amplificador fornece um caminho de baixa impedância para o contato de corrente,
Capı́tulo 7. Projeto e realização dos circuitos de condicionamento e controle do girador de
corrente 70

controlando a esta impedância fixamos a tensão nos contatos-sensor no valor desejador. Como
o sistema é retroalimentado, ao fornecer uma tensão de referência na entrada, o amplificador
modificara a impedância de saı́da para que não exista diferencia de tensão nas entradas do par
diferencial, fixando virtualmente a tensão no primeiro contato-sensor ao mesmo nı́vel da tensão
de refêrencia.
A tensão no outro contato-sensor, localizado no lado oposto da placa, sera o resultado da
soma da tensão de referência com a tensão Hall obtida ao longo da região ativa do sensor
Hall. O diagrama de blocos ilustrando o uso do amplificador para estabelecer a tensão nos
contatos-sensor é mostrado na Figura 7.19.

Figura 7.19: Diagrama de blocos ilustrando o funcionamento do amplificador para polarização


dos contatos sensores.

O amplificador usado neste circuito de polarização tem caraterı́sticas similares ao amplifica-


dor operacional já descrito na Seção 7.2.2.5.

Topologia
Foi usado um amplificador tipo Miller de dois estágios como o mostrado na Figura 7.20,
muito similar ao amplificador usado para isolar o sinal de saı́da, descrito na Seção 7.2.2.5. A
corrente de referência foi criada pelo circuito gerador de corrente de referência 7.2.2.1. O sensor
é conectado ao segundo estágio, entre o dreno do transistor de saı́da e o espelho de corrente que
polariza o dispositivo, descrito na seção 7.2.2.3.
O primeiro estágio foi construı́do com um par diferencial feito com transistores tipo p. Este
amplificador foi compensado em frequência, usando um capacitor em série com um resistor
envolvendo o segundo estágio, aplicando assim o efeito Miller para manter a estabilidade do
sistema.

Estrutura de Teste
O circuito de teste reaproveitou a estrutura já criada para o amplificador operacional, ilus-
trada na Figura 7.16, a fim de focar nas análises das seguintes especificações:
Capı́tulo 7. Projeto e realização dos circuitos de condicionamento e controle do girador de
corrente 71

Figura 7.20: Esquemático do circuito usado para ajustar o nı́vel DC nos contatos-sensor.

• Estabilidade;

• Consumo de potência estática;

• Tensão de operação comum na entrada;

• Ganho diferencial, resposta em frequência;

• Ganho comum e rejeição a ruı́do comum (CMRR);

• Razão de Rejeição ao Ruı́do de Fonte (PSRR);

Resultados de simulação
A Tabela 7.6 resume os resultados das simulações. A Rejeição de ruido de fonte (PSRR) foi
medida diretamente na saı́da do sensor.

Tabela 7.6: Resultados da simulação do circuito de polarização dos contatos-sensor.


Parâmetro Descrição Min Tip Max Unidade
P Consumo de potência 110 µW
Vin Tensão de entrada DC 0,4 Vdd/2 Vdd -1,4 V
Av/v BW Produto ganho vezes largura 20 35 45 MHz
de banda
P SRR Razão de Rejeição ao Ruı́do 80 dB
de Fonte
PM Margem de Fase 45 60 70 deg
GM Margem de Ganho 10 14 19 dB
Capı́tulo 7. Projeto e realização dos circuitos de condicionamento e controle do girador de
corrente 72

Leiaute
A Figura 7.21 mostra o leiaute do amplificador operacional projetado, usando tecnologia
XFAB CMOS 0, 6µm. A área do dispositivo é 90µm × 60µm .

Figura 7.21: Leiaute do circuito de polarização dos contatos sensores.

7.3 Integração e implementação do circuito de controle


do girador de corrente
O esquemático detalhado do circuito completo de controle do girador de corrente pode ser
observado na Figura 7.22. Este esquemático integra todos os circuitos descritos anteriormente
numa única unidade de controle, os pinos de entrada do circuito estão descritos na Tabela 7.7.

Tabela 7.7: Descrição de Sinais de entrada e saı́da do bloco de condicionamento.


Analógico
Nome Tipo Descrição
/ Digital
As entradas I0, I1, I2, I3, I4, I5, I6, I7,
IX Bidirecional Analógico representam as oito direções da corrente,
estão conectadas aos eletrodos do sensor.
en Entrada Digital Habilitação do circuito lógico, ativo em alto.
Pinos de seleção de direção de corrente, 3
Sel Entrada Digital
bits representando 8 direções.
Vref Entrada Analógico Tensão de modo comum.
out Saı́da Analógico Tensão de saı́da do circuito.
Capı́tulo 7. Projeto e realização dos circuitos de condicionamento e controle do girador de
corrente 73

Figura 7.22: Esquemático do circuito de condicionamento e controle de giro de corrente.


Capı́tulo 7. Projeto e realização dos circuitos de condicionamento e controle do girador de
corrente 74

Leiaute de topo
Dentro de cada dispositivo fabricado serão integrados quatro destes circuitos de controle do
girador de corrente e condicionamento de sinal de saı́da. O leiaute de cada um destes circuitos
é mostrada na Figura 7.24, onde cada sub-circuito é identificado.
Por fim, a Figura 7.23 mostra uma foto em detalhe do circuito fabricado, onde pode ser iden-
tificado claramente o dispositivo sensor tipo placa Hall octogonal junto ao circuito de controle
de giro de corrente e condicionamento de sinal. Pode ser observado também o preenchimento
das camadas superiores de metal (a série de retângulos que formam uma espécie de malha),
preenchimento necessário para manter a proporção entre metal e óxido e facilitar os processos
de planarização e polimento.

Figura 7.23: Foto da implementação fı́sica do circuito de condicionamento junto ao sensor


fabricado.
Capı́tulo 7. Projeto e realização dos circuitos de condicionamento e controle do girador de
corrente 75

Figura 7.24: Blocos e leiaute do circuito de condicionamento e controle do girador de corrente.


Capı́tulo 7. Projeto e realização dos circuitos de condicionamento e controle do girador de
corrente 76

7.4 Integração do Chip completo


Em cada die projetado foram embarcados 4 sensores octogonais, com seus respectivos cir-
cuitos de condicionamento de sinal e controle do girador de corrente. Esta estrutura somada
aos PADs e os elementos de proteção contra descarga eletrostática (proteção ESD na sigla em
Inglês) formam o circuito integrado.
Um esquemático detalhado pode ser observado na Figura 7.25. A Tabela 7.8, por sua vez,
resume os sinais de entrada e saı́da presentes no dispositivo que integram o sensor e o circuito
eletrônico de condicionamento e controle.

Figura 7.25: Esquemático do circuito integrado.


Capı́tulo 7. Projeto e realização dos circuitos de condicionamento e controle do girador de
corrente 77

Tabela 7.8: Descrição dos sinais de entrada e saı́da.


Tensão(V) Analógico
Nome Tipo Descrição
Min Tip Max / Digital
Vdd Alimentação 4.5 5 5.5 Analógico Tensão de alimentação
gnd Alimentação 0 Analógico Tensão de referência ou terra
C0, C1, C2, C3, C4, C5, C6,
C7, representam os oito
N1 Cx Bidirecional 0 5.5 Analógico
eletro-dos do sensor hall
octogonal
Habilitação do circuito, ativo
Enable Entrada 0 5.5 Digital
em alto
Sel 0 Entrada 0 5.5 Digital Pinos de seleção de direção de
Sel 1 Entrada 0 5.5 Digital corrente, 3 bits representando 8
Sel 2 Entrada 0 5.5 Digital direções
Vref Entrada 0.5 2.5 3.5 Analógico Tensão de modo Comum
Nx out Saı́da 0 Vref 5.5 Analógico Tensão de saı́da do circuito

Por fim, a Figura 7.26 mostra a foto do circuito fabricado. O quadrado da área central é
destinado à membrana microfabricada. Os sensores e os respectivos circuitos de condicionamento
de sinal estão posicionados no centro de cada lado deste quadrado. A dimensão do circuito
integrado completo é de 4mm × 4mm.

Figura 7.26: Fotografia do Chip fabricado, incluindo os sensores, circuitos de condicionamento


e controle do girador de corrente e PADs.
Capı́tulo 7. Projeto e realização dos circuitos de condicionamento e controle do girador de
corrente 78
Parte III

Resultados Experimentais

79
Capı́tulo 8
Aparato para caracterização experimental do
sistema

Neste capı́tulo apresentamos o aparato projetado para caracterizar os sensores magnéticos.


Incluı́mos uma descrição dos mecanismos para gerar e controlar o campo magnético, empaco-
tamento dos dies de silı́cio, a estrutura mecânica e os diagramas elétricos das montagens para
adquisição de dados usados nos testes.

8.1 Fontes de campo magnético


Foram estudados os métodos para gerar, condensar e guiar o campo magnético (para projetar
um dispositivo que permita controlar um campo perpendicular à placa Hall integrada no silı́cio).
Apresentamos as propriedades eletromagnéticas desejadas nos materiais e as possı́veis fontes de
campo magnético que foram consideradas para os experimentos.

8.1.1 Propriedades magnéticas dos materiais




A permeabilidade magnética µ é a relação da intensidade de um campo magnético B dentro


de um material, a partir da influência de um campo magnetizante H [9]:

∆B
µ= ∆H

A permeabilidade magnética do vácuo µ0 relaciona a intensidade de campo na ausência de


material. Também denominada de constante magnética (µ0 = 400π nN A−2 ), serve como valor
de referência para definir a permeabilidade relativa µr para cada material como:
µ
µr = (8.1)
µ0
A permeabilidade é a propriedade magnética de maior relevância, tanto que os materiais são
classificados segundo a permeabilidade relativa como:

80
Capı́tulo 8. Aparato para caracterização experimental do sistema 81

• Indiferente quado µr =1, sendo a permeabilidade igual ao vácuo, o material não exerce
ação alguma sobre o fluxo magnético, pois a sua capacidade de guiar o campo magnético
é igual ao espaço livre.

• Diamagnético se µr <1, o material terá menor capacidade que o espaço livre para guiar
o campo, o que diminui o fluxo magnético que o intercepta, sendo repelido pela fonte
magnética.

• Paramagnético seµr >1, o material será melhor condutor de campo magnético do que o
vácuo, concentrando o fluxo, sendo atraı́do pela fonte magnética.

• Ferromagnético se µr ≫ 1, o material sofrerá uma atração muito intensa da fonte, já que
concentra fortemente o fluxo magnético que o circunda. Porém, dado que os materiais
ferromagnéticos podem concentrar um altı́ssimo fluxo magnético, tendem a alcançar um


ponto de saturação, ou seja, um nı́vel no qual ao aumentar o campo magnetizante H , não


aumenta a intensidade do campo B .

Na Figura 8.1 pode ser observado o comportamento do campo magnético para os vários tipos
de materiais. A Tabela 8.1 resume a permeabilidade relativa de alguns materiais comuns.

Figura 8.1: Campo magnético versus Campo magnetizante para diferentes tipos de materiais:
a linha em vermelho, esta representado o vácuo (µ0 ); a azul ilustra um elemento paramagnético
(µp ); a verde um diamagnético (µd ); e a cinza um ferromagnético (µf ).

Por apresentar uma permeabilidade magnética muito alta, os matérias ferromagnéticos são
indicados para concentrar o campo magnético, caracterı́stica desejada para este projeto. Os
ferromagnéticos apresentam outra propriedade interessante, a histereses magnética. Se a inten-


sidade do campo magnético B for aumentada até a saturação, o material ficará magnetizado.
Quando é retirado o campo magnetizante H ~ , ainda existe uma densidade de fluxo remanescente
Capı́tulo 8. Aparato para caracterização experimental do sistema 82

Tabela 8.1: Permeabilidade magnética para alguns materiais.


Material Permeabilidade relativa µr máxima Classificação magnética
Água 0,999991 Diamagnética
Cobre 0,999995 Diamagnética
Ar 1,000000 Paramagnética
Alumı́nio 1,000021 Paramagnética
Aço inox (AISI 310) 1,002000 Paramagnética
Cobalto 170 Ferromagnética
Nı́quel 1.000 Ferromagnética
Ferro de fundição 7.000 Ferromagnética
Aço Silı́cio (3,1%) 60.000 Ferromagnética
Permalloy
100.000 Ferromagnética
Fe (17%) Mo (4%) Ni(79%)
Ferro Puro 180.000 Ferromagnética


− →
− → −
B , gerando um atraso entre B e H . Na Figura 8.2 é ilustrado o ciclo traçado pela curva de
magnetização, chamado de ciclo de histerese.

Figura 8.2: Ciclo de magnetização de um material ferromagnético que apresenta histereses.

A histerese é útil para fabricar ı́mãs permanentes, pois ao se magnetizar uma peça de material
aparecerá um campo magnético remanescente constante. Porém, se a intenção é alternar o
campo magnético (como em um transformador elétrico), a histerese resulta indesejável, por
gerar atrasos, perdas significativas de potência e limitar a frequência de comutação.
Capı́tulo 8. Aparato para caracterização experimental do sistema 83

8.1.2 Geradores de Campo magnético


Duas fontes de campo magnético foram consideradas para este projeto: ı́mãs permanentes e
eletroı́mãs. Não cabe ao escopo deste projeto detalhar a fabricação destes tipos de elementos,
por isso, nos limitamos a apresentar como deve ser a utilização adequada destas fontes para
caracterizar os sensores magnéticos experimentalmente.

Campo magnético gerado por ı́mãs permanentes


Um ı́mã permanente é um objeto sólido, feito de um material ferromagnético, que tem a
capacidade de produzir um campo magnético constante e persistente a sua volta, como ilustrado
na Figura 8.3. A intensidade do campo magnético e a capacidade para reter o magnetismo
depende diretamente do processo e dos materiais usados na fabricação do ı́mã.

Figura 8.3: Linhas de campo ao redor de um ı́mã tipo a) barra e b) tipo ferradura.

Estes dispositivos retêm o seu magnetismo por longos perı́odos de tempo, sem precisar de
qualquer fonte de energia externa. No entanto, a intensidade do campo depende da distância ao
ı́mã, assim também o fluxo não fica condensado por fora do núcleo, tornando difı́cil controlar a
intensidade do campo magnético ou criar um fluxo magnético uniforme e perpendicular a uma
área especı́fica (como a placa Hall). Uma desvantagem significativa é que a intensidade deste
campo retido é constante e dificilmente pode ser alterada ou controlada.

Campo magnético gerado por eletroı́mãs


A Lei de Biot-Savart e a Lei de Ampère, apresentadas no Capı́tulo 3, explicam e
descrevem como todas as cargas em movimento produzem campos magnéticos. A corrente I em


um condutor linear produz um campo magnético B , formando cı́rculos concêntricos em torno
do condutor, conforme mostrado na Figura 8.4. A intensidade do campo magnético depende
proporcionalmente da corrente I e diminui com a distância do condutor y, como descrita pela
equação:
Capı́tulo 8. Aparato para caracterização experimental do sistema 84

µr µ0 I
B= (8.2)
2πy

Figura 8.4: Linhas de campo magnético ao redor de um condutor retilı́neo

Perceba que a intensidade do campo também pode depender das propriedades do material
em volta do fio, podendo, portanto, ser controlada tanto pela distância y como pela corrente I.
Todavia, o fluxo magnético não é paralelo nem constante sobre uma determinada área.
Agora, se o condutor receber a forma de um laço, o campo magnético será concentrado
dentro do laço, como ilustrado na Figura 8.5. A intensidade do campo magnético dentro do laço
depende da corrente I e do Raio do laço r, podendo ser descrita pela equação:

µr µ0 I
B=
2r

Figura 8.5: Campo magnético no centro de um laço condutor.

O fluxo localizado no meio do laço será uniforme e paralelo, podendo ser controlado ao se
aumentar a corrente, caracterı́sticas que condizem com os objetivos deste projeto.
Capı́tulo 8. Aparato para caracterização experimental do sistema 85

Podem ser utilizados múltiplos laços, aumentando com cada espiral o valor do campo confi-
nado no interior do enrolamento, conhecido como solenoide, ilustrado na Figura 8.6. Para um
solenoide com N laços e largura L, a intensidade do campo magnético é calculada como:

µr µ0 N I
B= (8.3)
L

Figura 8.6: Linhas de campo dentro de um solenoide.

O solenoide produz um campo magnético muito similar ao de um ı́mã permanente da mesma


geometria, sendo que a intensidade e a polaridade são controladas pela corrente, motivo pelo
qual estes dispositivos são também chamados de eletroı́mãs.
As linhas de campo são uniformes e paralelas apenas no interior do eletroı́mã, apresentando
dispersão no exterior, problema similar ao já mencionados nos ı́mãs permanentes
Um solenoide infinitamente longo possui um campo magnético uniforme e totalmente confi-
nado no interior, não apresentando campo magnético do lado de fora. Porém, por não ser prático
construir solenoides infinitamente longos, podemos fabricar solenoides onde o núcleo representa
uma malha fechada, confinando todo o campo no interior do solenoide, como demonstrado na
Figura 8.7. Se o núcleo for redondo, o solenoide e chamado de toroide, a largura total é L = 2πr
e a intensidade de campo magnético será calculada como:

µr µ0 N I
B= (8.4)
2πr
Podemos aumentar significativamente o valor e a intensidade do campo magnético aumen-
tando o número de laços N e selecionando adequadamente o material do núcleo. É desejado
que um material ferromagnético com uma alta permeabilidade magnética seja utilizado.
Mesmo que a Equação 8.4 mostre uma relação proporcional entre a intensidade campo
B e a corrente elétrica I, na realidade não se observa uma função linear entre o campo e a
corrente elétrica. Este fato ocorre basicamente porque os materiais ferromagnéticos apresentam
saturação, variando o valor de permeabilidade magnética ao incrementar a intensidade do campo,
portanto o valor de B não pode ser considerado como proporcional à corrente elétrica.
Já que todo o fluxo está confinado dentro do núcleo sólido, uma ranhura precisa ser aberta
a fim de deixar espaço para alocar o sensor magnético. A fenda traz uma série de problemas, já
que o campo não fica confinado no núcleo sólido e aparece uma dispersão bem no local em que
Capı́tulo 8. Aparato para caracterização experimental do sistema 86

Figura 8.7: Linhas de campo dentro de um toroide

a ranhura foi feita, conforme ilustrado na Figura 8.8. Estes problemas podem ser amenizados
usando uma fenda de menor tamanho possı́vel e posicionando o sensor exatamente no meio da
ranhura, onde o fluxo é paralelo e apresenta pouca distorção.

Figura 8.8: Linhas de campo dentro de um toroide com uma ranhura.

8.2 Experimento para a validação do funcionamento do


dispositivo
Este primeiro estágio de teste foi utilizado para validar o funcionamento do sensor tipo placa
Hall com geometria octogonal.
Para poder validar o chip do sensor octogonal foram necessárias as seguintes etapas:

• Empacotamento do sensor no invólucro DIP-40;

• Montagem e polarização do dispositivo;


Capı́tulo 8. Aparato para caracterização experimental do sistema 87

• Teste para a validação de funcionamento, que incluem:

– A medida de resistência entre os diversos terminais;


– A polarização do circuito usando tensão nominal;
– A medida da tensão em todos os terminais, incluindo a tensão de offset (desvio de
zero) nos terminais usados como contatos sensores;
– A observação qualitativa da tensão Hall diferencial em função da exposição do sensor
a um campo magnético gerado por um ı́mã.

8.2.1 Diagrama de solda e empacotamento da placa Hall octogonal


Para obter as caracterı́sticas gerais do circuito, amostras foram empacotadas numa cápsula
DIP-40 (cápsula de 40 pinos Dual in-line package, segundo a sigla em Inglês), conforme os
diagramas de solda mostrados na Figura 8.16, resultando no diagrama de pinos da Figura 8.10.

Figura 8.9: Diagrama de Solda (wiremap) do Chip sensor Hall no empacotamento DIP-40 e foto
do dispositivo encapsulado.

Cada chip montado permite estudar até quatro sensores Hall octogonais usando o mesmo
encapsulamento, identificados nos pinos de saı́da pelos prefixos P1, P2, N1 e N2.
Capı́tulo 8. Aparato para caracterização experimental do sistema 88

Figura 8.10: Diagrama de Pinos do chip sensor Hall no empacotamento DIP-40.

8.2.2 Montagem do experimento


Neste experimento foram medidos os seguintes parâmetros: resistência entre os terminais, o
valor da tensão de offset e a aparição da tensão Hall entre os contatos-sensor (usando um ı́mã
permanente como fonte magnética).
Todos os testes foram feitos à temperatura ambiente (não controlada ou caracterizada)
usando principalmente a placa de aquisição de dados NI USB-6008, um ı́mã de neodı́mio e
a montagem experimental ilustrada na Figura 8.11. Uma corrente Is = 1, 6 mA, produzida por
uma fonte de corrente controlada externa, polariza o dispositivo, enquanto 7 canais da placa de
aquisição são usados para medir a tensão em cada um dos terminais.

Figura 8.11: Montagem experimental para a caracterização do sensor Hall.

8.2.3 Resultados dos Testes de Validação


Detalhamos a continuação os resultados medidos para três dispositivos.
Capı́tulo 8. Aparato para caracterização experimental do sistema 89

A Tabela 8.2 contém os valores medidos de resistência elétrica Rin para cada possı́vel sentido
de corrente. A referência selecionada encontra-se entre os contatos C1 e C5, sentido alinhado
com a direção cristalográfica [100] sobre o plano (010). O ângulo representa um giro em relação
a direção de referência.

Tabela 8.2: Medição da Resistência de entrada para 3 amostras.


Resistência Rin [KΩ]
Ângulo Sentido da Corrente
amostra 1 amostra 2 amostra 3
o
0 I(C1, C5) 2,97 2,95 2,99
o
45 I(C2, C6) 2,91 2,93 2,95
90o I(C3, C7) 2,97 2,96 3,00
o
135 I(C4, C0) 2,91 2,94 2,96
o
180 I(C5, C1) 2,96 2,95 2,99
225o I(C6, C2) 2,91 2,93 2,95
o
270 I(C7, C3) 2,98 2,95 3,00
o
315 I(C0, C4) 2,92 2,93 2,95
Média 2,943 2,941 2,97

Procedimento similar foi usado para obter e ordenar as medidas de tensão de offset, resultado
mostrado na Tabela 8.3.

Tabela 8.3: Resultados da tensão de offset no empacotamento DIP.


Tensão de offset [mV]
Ângulo Direção da Corrente
amostra 1 amostra 2 amostra 3
o
0 I(C1, C5) -0,83 -3,54 1,37
45o I(C2, C6) 10,06 2,77 2,93
o
90 I(C3, C7) 0,93 4,91 -1,17
o
135 I(C4, C0) -10,07 -6,85 -5,98
180o I(C5, C1) -0,84 -4,05 1,39
o
225 I(C6, C2) 9,07 4,71 4,42
o
270 I(C7, C3) 0,93 4,42 -1,16
o
315 I(C0, C4) -10,06 -4,80 -4,41
Média -0,101 -0,304 -0,328

Ao se aproximar o ı́mã do dispositivo observamos uma variação significativa na tensão


VCh1 (tensão entre contatos sensores, portanto, relacionada com a tensão Hall VH ). Estes dados
não foram tabelados por não ser fruto de uma análise qualitativa, mas a comprovação de uma
reação no dispositivo indica que ele funciona como sensor magnético.
Resumimos os resultados na Tabela 8.4. Sendo que: Rin é a resistência de entrada calculada
como VCh8/Is ; Vof f set a tensão de offset medida no canal VCh1 .
Baseados nestes resultados, concluı́mos que:
• Os dispositivos sensores tipo placa Hall (construı́dos num poço tipo n) funcionaram como
sensores magnéticos, evidenciando um variação de alguns milivolts ao aproximá-los do
campo gerado pelo ı́mã. Resultado qualitativo que vai ao encontro do esperado.
Capı́tulo 8. Aparato para caracterização experimental do sistema 90

Tabela 8.4: Resultados da caracterização do sensor.


Especificação Comentário Min Typ Max Unidade
Rin Resistência de entrada 2,91 2,94 3,00 KΩ
Vof f Tensão do offset -10 -0,1 10 mV

• A tensão de offset é considerável em todas as direções, para todas as amostras.

• Não existe uma diferença significativa da resistência medida em diferentes direções.

• É possı́vel realizar medições em todas as direções da placa Hall.

• O ı́mã mostrou-se pouco útil para uma medição sistemática, não foi possı́vel controlar a
intensidade e a direção do campo que atravessa a área ativa do dispositivo sensor de forma
fácil e adequada.

• O empacotamento tipo DIP é inadequado para uma montagem experimental destinada


para a medição precisa do campo magnético, já que é muito grosso para ser alocado numa
ranhura do núcleo de um eletroı́mã.

8.3 Aparelho de caracterização do dispositivo sensor placa


Hall octogonal
Validado o dispositivo, procedemos ao levantamento cuidadoso das caracterı́sticas do sensor.
Para realizar uma caracterização apropriada do chip do sensor octogonal foram necessárias
as seguintes etapas:

• Empacotamento do sensor diretamente sobre uma placa de circuito impresso;

• Projeto e construção da montagem experimental, que inclui:

– Projeto da placa de circuito impresso;


– Construção do gerador de campo magnético;
– Projeto do suporte mecânico e conexões elétricas;
– Montagem dos equipamentos e instrumentos necessários.

• Caracterização do dispositivo, quantificando a sensibilidade ao campo magnético.

8.3.1 Diagrama de solda e empacotamento da placa Hall octogonal


diretamente sobre a placa de circuito impresso
Para obter as caracterı́sticas do sensor, amostras foram coladas e empacotadas direitamente
sobre o circuito impresso (COB – Chip On Board, conforme a sigla em inglês) conforme os
diagramas de solda ilustrados na Figura 8.12. A alumina foi usada como substrato para o
Capı́tulo 8. Aparato para caracterização experimental do sistema 91

Figura 8.12: Diagrama de Solda (wiremap) do CHIP sensor Hall no empacotamento DIP-40.

circuito impresso, já que oferece uma superfı́cie fina e com boas propriedades de sustentação
mecânica, sem influenciar o campo magnético.
Como a placa de alumina tem um número menor de pinos que o DIP-40, só dois sensores
por die podem ser ligados neste empacotamento.

8.3.2 Suporte mecânico para a montagem experimental


Foi projetada uma montagem experimental para facilitar a medição sistemática de diferentes
amostras, que permite um controle mais preciso do fluxo magnético, fixar as amostras sempre
na mesma posição é um acesso rápido aos terminais do dispositivo.
Para obter campo magnético controlável, constante e condensado, foram fabricados sole-
noides com núcleos de aço-silı́cio e enrolamento de cobre. O núcleo ferromagnético tem uma
ranhura de 2 mm de largura, o que permite posicionar o sensor no meio, garantindo um fluxo
magnético condensado, laminar e normal à superfı́cie da placa Hall.
Algumas considerações adicionais foram analisadas, como:

• O sensor projetado foi colado sobre um substrato fino para ser inserido na ranhura.

• A intensidade do campo magnético está relacionada com a corrente que passa pelo enro-
lamento de cobre, porém a relação pode não ser linear (dada a saturação do material).
Para estimar a intensidade do campo foi colado na placa de alumina um dispositivo co-
mercial bem caracterizado e calibrado, o sensor magnético A1321ELHLT, desenvolvido
pela empresa Allegro Microsystems.

• Enrolamento de cobre com um diâmetro adequado foi selecionado para manter a resistência
do enrolamento baixa e evitar aquecimento.
Capı́tulo 8. Aparato para caracterização experimental do sistema 92

• Um suporte foi projetado especialmente para garantir que as amostras fiquem na mesma
posição dentro do aparato, permitindo que a experiência seja repetida em condições simi-
lares para diferentes amostras.

As Figuras 8.13, 8.15 ilustram a montagem experimental. Em cor verde pode ser observada a
placa que oferece suporte ao sensor fabricado, em cinza está representado o núcleo do embobi-
nado, que é usado para concentrar o campo magnético. A Figura 8.14 é uma foto do suporte
mecânico e elétrico construı́do para o experimento.

Figura 8.13: Modelo 3D da montagem experimental..

Figura 8.14: Foto do chip sob a placa usada como base na montagem experimental..

A montagem ilustrada na Figura 8.15 foi implementada utilizando-se uma Placa de aquisição
Capı́tulo 8. Aparato para caracterização experimental do sistema 93

de dados, a fim de medir a tensão de offset, a sensibilidade e a resistência entre os terminais de


corrente do dispositivo, em todas as direções possı́veis (a famı́lia <100> e <110>).

Figura 8.15: Modelo 3D da montagem experimental..

8.4 Caracterização do dispositivo sensor placa Hall com


sistema de redução de offset
Após caracterizar a placa Hall com geometria octogonal, o dispositivo sensor magnético
com redução de tensão de offsett (usando técnica de giro corrente) foi testado e caracterizado
experimentalmente, sendo utilizada a mesma estrutura mecânica apresentada na Secção 8.3.2.
Foram testados os circuitos de polarização monoliticamente integrados e caracterizadas ex-
perimentalmente: a sensibilidade ao campo magnético e a tensão de offset residual do circuito
completo. Finalmente, os resultados foram comparados com as medidas obtidas durante a
caracterização da placa Hall octogonal.
Como o sentido de corrente elétrica pode ser controlada, foram realizadas várias experiências
diferentes com a técnica de giro de corrente, aplicando distintas sequências de comutação de
corrente, com o objetivo de observar se a direção cristalográfica ou a ordem de comutação tem
alguma influência sobre o offset residual.
Capı́tulo 8. Aparato para caracterização experimental do sistema 94

8.4.1 Diagrama de solda e empacotamento para o sistema sensor


com redução de offset
Diferente do primeiro experimento, onde a alumina foi utilizada como substrato, uma placa
de circuito impresso foi projetada e fabricada num substrato de fenolite convencional. O circuito
integrado foi colado e empacotado diretamente sobre a superfı́cie. A alumina foi abandonada
como substrato por ser mais custosa e mais difı́cil de manipular do que a resina. O tamanho e a
distância entre os contatos foi mantida, para reaproveitar toda a estrutura mecânica e elétrica
já construı́da para caracterizar a placa Hall octogonal.
As amostras foram empacotadas conforme os diagramas de solda mostrados na Figura 8.16.

Figura 8.16: Diagrama de Solda (wiremap) do Chip sensor Hall empacotado diretamente sobre
a placa de circuito impresso e foto do dispositivo encapsulado.

Cada um destes dispositivos encapsulados permite estudar dois sensores magnéticos, contro-
lar conjuntamente o sentido de corrente e medir a tensão de saı́da para ambos os dispositivos.
Além disso, permite realizar leituras de cada um dos oito contatos da placa Hall octogonal.
Capı́tulo 9
Caracterização experimental

Este capı́tulo apresenta a caracterização experimental da placa Hall octogonal e o sistema


sensor com redução de offset, descritos no Capı́tulo 5, usando as montagens experimentais
descritas no Capitulo 8.

9.1 Resultados da placa Hall com geometria octogonal e


conclusões parciais
Os testes foram conduzidos com a finalidade de obtermos as caracterı́sticas mais relevantes
para o projeto, a saber: sensibilidade, tensão de offset (desvio de zero) e não-linearidade.

9.1.1 Tensão de offset


As medidas de tensão de offset foram feitas polarizando a placa Hall com uma corrente
Is =1,6 mA, condições idênticas às usadas na validação do dispositivo empacotado no involucro
DIP-40, apresentadas na Seção 8.2.

Figure 9.1: Medidas de offset em um dispositivo ao comutar a corrente.

95
Capı́tulo 9. Caracterização experimental 96

As amostras foram fixadas sobre uma placa de circuito impresso (PCB) e possuem estresse
mecânico associado, principal fonte de tensão de offset neste tipo de sensor magnético.
Durante o processo, detectamos um significativo componente de ruı́do, como pode ser ob-
servado na Figura 9.1. Para filtrar a influência do ruı́do foram tomadas múltiplas medidas em
cada sentido de corrente, a fim de encontrar o valor médio. Os resultados para quatro amostras
diferentes são mostrados na Tabela 9.1.

Tabela 9.1: Resultados da tensão de offset no dispositivo empacotado diretamente na PCB.


Direção Sentido de Tensão de offset [mV]
Ângulo β
cristalina corrente amostra 1 amostra 2 amostra 3 amostra 4
0o [100] I(C1, C5) -0,83 -3,54 1,37 0,19
o
45 [110] I(C2, C6) 10,06 2,77 2,93 -4,24
o
90 [100] I(C3, C7) 0,93 4,913 -1,17 -0,10
135o [110] I(C4, C0) -10,07 -6,85 -5,98 4,20
o
180 [100] I(C5, C1) -0,84 -4,05 1,39 0,16
o
225 [110] I(C6, C2) 9,07 4,71 4,42 -3,74
270o [100] I(C7, C3) 0,93 4,42 -1,17 -0,10
o
315 [110] I(C0, C4) -10,06 -4,80 -4,41 2,006
Média em todas as -0,101 -0,303 -0,328 -0,203
direções
Média na direção [110] -0,247 -1,041 -0,760 0,444
Média na direção [100] 0,045 0,434 0,105 0,038

A partir dos dados acima, desenvolvemos o seguinte gráfico, representado na Figura 9.2.

Figura 9.2: Medidas da tensão de offset para oito diferentes direções em quatro amostras dis-
tintas.

Com base nestes resultados, podemos concluir que:


Capı́tulo 9. Caracterização experimental 97

• Existem diferentes valores para a tensão de offset em diferentes direções e para todos os
dispositivos. E, não existe uma clara correlação entre os diferentes valores de tensão de
offset achados para os diferentes componentes.

• Verificamos também, sendo este o ponto mais relevante para o presente projeto, que o
valor médio de offset em todas as 8 direções está perto de zero, em todos os dispositivos.
Portanto, validamos a nossa hipótese inicial de que o erro de offset para um dispositivo
em particular é sistemático e pode ser reduzido usando a técnica de giro de corrente.

• Em geral, o valor da tensão de offset é menor na famı́lia de direções [100]. E, como foi
estudado anteriormente, o efeito piezo-resistivo é anisotrópico, o que demostra que este
efeito está maximizado na famı́lia de direções [110]. Este resultado confirma que a maior
causa de offset nestes dispositivos é o efeito piezo-resistivo.

9.1.2 Sensibilidade da placa Hall


Mantendo a corrente de polarização Is constante em 1,6 mA, variamos o campo magnético
através do controle da corrente do enrolamento do toroide. A intensidade do campo magnético
à placa Hall foi medido com o sensor da Allegro Microsystem. O resultado da tensão Hall, para
uma única direção cristalográfica, em função do campo magnético, é apresentado na Figura 9.3.

Figura 9.3: Medida da tensão Hall VH versus Campo Magnético.

A sensibilidade pode ser encontrada através da regressão linear dos resultados obtidos expe-
rimentalmente, obtendo um valor SI = 129ΩT −1 . Esta sensibilidade pode ser ajustada através
da corrente de polarização, como indicado na equação 5.7.
Na sequência repetimos o experimento, mantendo agora o campo magnético constante em
200 mT e trocando a fonte de corrente de polarização Is por uma fonte de tensão Vs . Neste
caso, a sensibilidade relativa à tensão de entrada é fornecida pela equação 5.8. O resultado das
Capı́tulo 9. Caracterização experimental 98

medidas de tensão Hall em função da tensão de polarização (ou de entrada) para 4 direções
cristalográficas é mostrado na Figura 9.4.

Figura 9.4: Medida de Tensão Hall VH para uma tensão de polarização variável entre os contatos-
corrente com um campo magnético de magnitude B = 200mT.

Usando uma regressão linear encontramos a sensibilidade, que para estes dispositivos foi de
SV = 0.0448 T−1 . Este resultado vai ao encontro dos resultados obtido para a resistência de
entrada (Rin ≈ 2, 94 KΩ) e para a sensibilidade à corrente, já que SV = SI/Rin .
É importante observar que a sensibilidade apresenta uma pequena variação nas diferentes
direções do sensor. Este resultado pode ser considerado como a primeira evidência do efeito
piezo-Hall, apresentado na Seção 4.2. Neste estágio da pesquisa tal variação será desconsiderada
e a sensibilidade será assumida como constante, já que a divergência está dentro da margem
de erro do experimento. Entretanto, como a variação mencionada pode indicar dependência
da sensibilidade à direção ou alguma relação com efeitos provocados pelo estresse mecânico,
aparece a oportunidade de desenvolver uma pesquisa mais apurada sobre o efeito piezo-Hall em
um trabalho futuro.

9.2 Resultados do sensor com redução de offset e con-


clusões parciais
Para verificar o funcionamento do circuito eletrônico foram realizados os seguintes procedi-
mentos: teste de enable, teste e validação do circuito de corrente de referência, teste de tensão
de referência, teste de giro do sentido da corrente, medida de tensão de offset para os vários
sentidos de corrente, teste de sensibilidade e comparação entre diferentes sequências de giro de
corrente. Cada procedimento será descrito e resumido a seguir:
• Teste do enable: O circuito foi projetado com um sinal de Habilitação (Enable), como
descrito no Capı́tulo 7. Quando o circuito não está habilitado, não pode existir corrente
elétrica significativa sobre a placa Hall e todos os terminais precisam estar ligados a um
Capı́tulo 9. Caracterização experimental 99

nó de alta impedância. Quando habilitado, uma corrente elétrica polariza o circuito e,
em ambos os contatos-sensor pode ser observada uma tensão igual a tensão de referência
Vref . O correto funcionamento pode ser verificado medindo a resistência entre o nó gnd
e um dos terminais da placa e alternando o Enable entre ”alto” e ”baixo” lógico. Quando
desabilitado, a resistência medida será muito alta, quando habilitado, a resistência será
de alguns KΩ.

• Teste e validação do circuito de corrente de referência: Com o circuito habilitado


(Enable em ”alto” lógico), um voltı́metro foi posicionado entre os contatos-corrente. Uma
tensão Vin foi observada e a corrente foi estimada como Is = Vin/Rin , usando a resistência
de Rin podemos estimar a corrente de polarização sobre a placa Hall.

• Teste de tensão de referência: Com o circuito habilitado, variamos a tensão Vref entre
0 V e VDD, medindo a tensão de saı́da. O circuito de bias e os espelhos de corrente fixam
a tensão de saı́da igual à tensão de referência.

• Teste de giro do sentido da corrente: Com o circuito habilitado, todos os terminais


da placa Hall foram ligados às entradas de uma placa de adquisição, como ilustrado na
Figura 9.5. A tensão de referência Vref foi definida como VDD /2, a metade da tensão de
polarização. Os valores da entrada digital Sel foram modificados para mudar o sentido da
corrente, deste modo os valores medidos nos canais da placa de adquisição serão alterados,
representando o giro no sentido da corrente.

Figura 9.5: Montagem experimental para a caracterização do sensor Hall

O conjunto de procedimentos citados acima permitem verificar que os circuitos integrados


funcionaram segundo o esperado, o que nos habilita a prosseguir com o processo, a fim de
caracterizar o sistema sensor.
Capı́tulo 9. Caracterização experimental 100

• Leitura do offset para várias direções de corrente: fixamos a tensão Vref no valor
de VDD/2, e com o Enable desabilitando o circuito, medimos a tensão da saı́da, que será a
soma da referência com a tensão do offset do amplificador operacional. Tendo mensurado
a tensão de referência na saı́da, habilitamos o sistema e, em seguida, mudamos os valores
da entrada digital Sel, com o propósito de comutar a corrente e medir a tensão na saı́da. A
tensão de offset foi calculada como a tensão de saı́da menos a tensão de referência medida
previamente. O offset residual foi calculado como a média de todas as amostras de tensão
de offset.

• Teste de sensibilidade: geramos e variamos a intensidade do campo magnético através


do controle da corrente no enrolamento do toroide, enquanto foi observada a tensão de
saı́da do sensor. Colocamos o valor de ”alto” lógico na entrada Enable, habilitando o
sistema. O valor de tensão Hall VH medida foi calculada como a média das 400 amostras
produzidas ao se mudar a sequência nas possı́veis direções.

• Comparação para diferentes sequências: Utilizamos o controle de direção de cor-


rente a fim de verificar se existe alguma diferença ao trocar a ordem da sequência da
comutação de corrente ou ao implementar o sistema de giro de corrente para uma direção
cristalográfica especı́fica.

9.2.1 Circuito de polarização e caracterı́sticas estáticas do disposi-


tivo
Os dispositivos foram alimentados com uma tensão VDD = 5 V ± 0.5 V (os circuitos foram
projetados para tolerar uma variação de 10% na tensão nominal), sendo realizados os proce-
dimentos de teste de enable, teste e validação do circuito de corrente de referência e teste de
tensão de referência, descritos anteriormente.
As medidas e estimativas de consumo de potência, corrente de polarização e tensões de
operação estão resumidas na Tabela 9.2.

Tabela 9.2: Resultados da caracterização dos circuitos elétricos do sensor.


Parâmetro Descrição Min Typ Max Unidade
Pin Potência consumida 36 40 50 [mW]
Ibias Corrente de polarização sobre o 0,95 1 1,03 [mA]
sensor
Vonn Tensão mı́nima nos transistores 0,7 [V]
tipo n-mos usados no
Multiplexador analógico
Vonp Tensão máxima nos transistores VDD-0,85 [V]
tipo p-mos usados no
Multiplexador analógico
Vref Tensão comum que é 2,15 VDD/2 VDD-1,2 [V]
acompanhada pelo circuito de
polarização
Capı́tulo 9. Caracterização experimental 101

O teste de giro do sentido da corrente foi aplicado a todas as amostras, observando que
existe a comutação dos terminais segundo o projetado. A Tabela 9.3 mostra os valores obtidos
em uma única amostra e a tensão em cada um dos terminais ao se trocar o valor do controle
digital Sel. Podemos observar como os valores da tensão em cada terminal muda, indicando
que o circuito está fazendo a comutação dos terminais segundo o esperado e existe mudança no
sentido da corrente.

Tabela 9.3: Tensão em Volts para cada contato segundo o valor da entrada Sel .
Contatos- Contatos- Vch1 Vch2 Vch3 Vch4 Vch5 Vch6 Vch7 Vch8
Sel
corrente sensor V (C1) V (C2) V (C3) V (C4) V (C5) V (C6) V (C7) V (C0)
001 I(C1, C5) VH (C7, C3) 4,00 2,20 2,52 2,83 1,04 2,20 2,52 2,84
010 I(C2, C6) VH (C0, C4) 2,84 3,99 2,19 2,51 2,84 1,05 2,18 2,52
011 I(C3, C7) VH (C1, C5) 2,52 2,84 4,02 2,20 2,52 2,84 1,04 2,20
100 I(C4, C0) VH (C2, C6) 2,19 2,52 2,84 3,99 2,19 2,52 2,84 1,06
101 I(C5, C1) VH (C3, C7) 1,04 2,20 2,52 2,83 4,00 2,20 2,52 2,84
110 I(C6, C2) VH (C4, C0) 2,84 1,06 2,18 2,52 2,84 3,99 2,18 2,51
111 I(C7, C3) VH (C5, C1) 2,52 2,84 1,03 2,20 2,52 2,84 4,01 2,20
000 I(C0, C4) VH (C6, C2) 2,19 2,52 2,84 1,06 2,19 2,52 2,84 4,00

O circuito elétrico apresentou valores similares aos simulados e mostrados no Capı́tulo 7,


funcionando segundo o esperado.

9.2.2 Tensão de offset


Na Figura 9.6 pode ser observada a medida de tensão de offset enquanto o sentido de corrente
é alterada. Demonstrando que a tensão medida varia e que existe um sinal aleatório, que é a
contribuição do ruı́do.

Figure 9.6: Medidas de offset em um dispositivo ao alterar o sentido da corrente.

Para filtrar a influência do ruı́do, foram feitas múltiplas medições em cada sentido de cor-
rente. Os resultados das tensões de offset médias, em cada possı́vel direção das quatro amostras,
Capı́tulo 9. Caracterização experimental 102

encontram-se resumidos na Tabela 9.4. A Figura 9.7 mostra os resultados da Tabela 9.4, rela-
cionando a tensão de offset com o ângulo da corrente para quatro amostras distintas.

Tabela 9.4: Resultados da tensão de offset no dispositivo sensor magnético


Direção Sentido de Tensão de offset [mV]
Ângulo β Sel
cristalina corrente amostra 1 amostra 2 amostra 3 amostra 4
0o 001 [100] I(C1, C5) -2,68 -0,35 -0,64 0,19
45o 010 [110] I(C2, C6) 1,29 6,05 3,08 -4,24
90o 011 [100] I(C3, C7) 3,11 0,33 0,37 -0,10
135o 100 [110] I(C4, C0) -1,46 -7,09 -3,36 4,20
180o 101 [100] I(C5, C1) -2,73 0,35 -0,60 0,16
225o 110 [110] I(C6, C2) 1,30 7,65 3,72 -3,74
270o 111 [100] I(C7, C3) 3,04 -0,37 0,33 -0,10
315o 000 [110] I(C0, C4) -1,44 -6,98 -3,32 2,01
Média em todas as 0,054 -0,054 -0,053 -0,192
direções
Média na direção [110] -0,075 -0,098 0,030 -0,444
Média na direção [100] 0,185 -0,011 -0,135 0,038

Figure 9.7: Medidas da tensão de offset para oito diferentes direções em quatro sensores.

Com base nestes resultados, concluı́mos que :

• A média da tensão de offset medida em todos os dispositivos, somando a contribuição das


múltiplas direções, está perto de zero. Evidenciando que a técnica de giro de corrente é
válida para reduzir a tensão de offset residual neste tipo de sensor magnético.
Capı́tulo 9. Caracterização experimental 103

• As medidas da tensão de offset foram menores do que as encontradas na Seção 9.1, na


caracterização da placa Hall. Lembrando que o circuito de polarização gera uma corrente
em torno de 1 mA, enquanto uma corrente de 1,6 mA foi utilizada para caracterizar a
placa Hall de geometria octogonal. Portanto, o resultado vai ao encontro do esperado,
visto que a tensão de offset e a sensibilidade estão relacionadas à corrente que polariza a
placa.

• Foram observadas tensões de offset maiores na direção cristalográfica [110]. Este fato
confirma o esperado para o silı́cio tipo-n, que apresenta uma sensibilidade maior ao estresse
nesta direção, já que os coeficientes piezo-resistivos π11 e π12 são dominantes.

9.2.3 Sensibilidade do sistema


Definimos a sensibilidade ao campo magnético como a variação do sinal de saı́da em relação
à intensidade do campo perpendicular ao dispositivo. Verificado que a corrente de polarização
Is é constante (foi estimada em 1 mA) e usando a Equação 5.7, podemos esperar uma relação
linear entre a tensão medida e a intensidade campo magnético. Portanto, podemos estimar a
sensibilidade S como:
∆Vout
S=
∆B
A tensão Vout é a soma da tensão Hall VH e da tensão de referência Vref . E o estimador
Vout é a tensão de saı́da média para todos os sentidos de corrente e B é a intensidade do campo
magnético perpendicular à placa.
Controlamos a intensidade do campo magnético com a corrente no enrolamento do toroide
e estimamos o valor de B através das medidas do sensor da Allegro Microsystems, acoplado ao
aparato de experimentação.
Para filtrar a influência do ruı́do e de outros sinais aleatórios, o valor Vout foi estimado como
a média de 400 medidas. Após tabular e processar os resultados, desenvolvemos a curva de
Tensão de saı́da em função da intensidade de campo magnético, mostrada na Figura 9.8.

Figure 9.8: Medida da tensão de saı́da Vout versus Campo Magnético.


Capı́tulo 9. Caracterização experimental 104

Esta função linear vem ao encontro do esperado. Estimamos a sensibilidade S = 130 mV T −1


fazendo uma regressão linear da curva da Figura 9.8.

9.2.4 Comparação entre diferentes sequências de comutação


Implementamos diferentes sequências de direções de corrente, a fim de observar se existe
alguma vantagem associada à ordem da sequência, ao número de contatos ou à direção crista-
lográfica.
Seguindo as direções mostradas na Figura 9.9, foram implementadas quatro (4) diferentes
sequências:

• Seq. A: Usando as oito possı́veis direções de corrente, com passos de 45o , seguindo a
sequência 0-1-2-3-4-5-6-7 (valores de entrada Sel 000-001-010-011-100-101-110-111).

• Seq. B: Usando as oito possı́veis direções de corrente, porém, em vez de respeitar a


sequência de giro, a corrente será invertida antes de girar a direção. A sequência usada
foi 0-4-2-6-1-5-3-7 (o que corresponde a entrada Sel 000-100-010-110-001-101-011-111).

• Seq. C: São utilizados apenas quatro terminais e as direções alinhadas com o plano
cristalográfico <110>. A sequência implementada foi 0-2-4-6-0-2-4-6 (entrada Sel 000-
010-100-110-000-010-100-110).

• Seq. D: São utilizados apenas quatro terminais e as direções alinhadas com o plano
cristalográfico <100>. A sequência implementada foi 1-3-5-7-1-3-5-7 (entrada Sel 001-
011-101-111-001-011-101-111).

Figura 9.9: Direções de corrente em dispositivo de oito terminais.

A Tabela 9.5 resume os resultados medidos de tensão de offset residual para quatro diferentes
sequências em quatro diferentes amostras.
Com base nestes resultados observamos que:
Capı́tulo 9. Caracterização experimental 105

Tabela 9.5: Tensão de offset residual para sequências diferentes.


Offset residual
amostra 1 amostra 2 amostra 3 amostra 4
Seq. A 34, 45µV −34, 45µV −33, 41µV −64, 87µV
Seq. B 31, 46µV −52, 39µV 39, 53µV −30, 94µV
Seq. C −47, 58µV −61, 75µV 18, 71µV −214, 9µV
Seq. D 116, 35µV −7, 15µV −85, 55µV 185, 91µV

• Para todas as sequências, a técnica de giro de corrente mostrou-se eficaz para reduzir a
tensão de offset residual, resultando em uma redução superior a 99%, ao se comparar com
o maior offset medido para todas as amostras.

• Não existe uma diferença expressiva entre a Seq. A e a Seq. B, as quais utilizam os
oito terminais disponı́veis do sensor. Portanto, não podemos concluir que exista alguma
vantagem associada à sequência de giro.

• Também não observamos uma diferença significativa entre as Seq. C e a Seq. D, as quais
utilizam apenas 4 terminais, em direções diferentes.

• As sequências que utilizaram as oito direções (Seq. A e Seq. B) apresentaram resultados


mais consistentes e um nı́vel menor de tensão de offset residual do que as sequências que
utilizaram apenas uma famı́lia de direções cristalográficas especı́fica (como as Seq. C e
Seq. D). Portanto, aparece como mais vantajoso utilizar um maior número de terminais
com a técnica de giro de corrente.
Capı́tulo 9. Caracterização experimental 106
Parte IV

Conclusões

107
Capı́tulo 10
Conclusões e perspectivas

Este trabalho apresenta o projeto de um sensor de oito terminais com uma geometria oc-
togonal. Neste estudo, focamos no uso do dispositivo como sensor magnético, observando a
influência do estresse mecânico sobre as caracterı́sticas do sensor, especialmente na tensão de
offset.
Identificamos as principais fontes de tensão de offset que aparecem nas placas Hall e imple-
mentamos um sistema de redução de offset baseado na técnica de giro de corrente. Este sistema
completo foi integrado monoliticamente na placa Hall com geometria octogonal, sendo efetiva
na redução da tensão de offset.
A seguir apresentamos as conclusões das observações, assim como possı́veis trabalhos futuros
e linhas de pesquisas que podem ser exploradas com este tipo de sensor com geometria octogonal.

10.1 Conclusões
O empacotamento tipo DIP, inicialmente sugerido por ser simples de manipular, é inade-
quado para a medição precisa do campo magnético, dificultando a montagem da estrutura de
teste por ser demasiado espesso para ser alocado na ranhura do eletroı́mã. Foram então su-
geridas outras tecnologias de empacotamento e dentre elas, decidimos por colar o dispositivo
diretamente sobre um placa de circuito impresso, obtendo excelentes resultados.
Os dispositivos sensores tipo placa Hall octogonal, que foram construı́dos usando uma área
ativa tipo n, sobre um substrato tipo p, funcionaram adequadamente como sensores magnéticos,
apresentando uma sensibilidade SI = 129ΩT−1 quando polarizado com corrente, resultado que
condiz com o esperado para este tipo de sensor.
Além disto, foi observada uma tensão de offset considerável, da ordem de alguns mV, em
todas as direções e em todas as amostras. Foi identificado que não existe uma correlação entre
os diferentes valores de tensão de offset encontrados para os diferentes componentes, assim
podemos concluir que este é um erro aleatório.
Tomamos medidas em oito direções, todas alinhadas com as famı́lias de direções cristalo-
gráficas [100] e [110], e comparando as diferenças entre os resultados de ambas as direções,
verificamos que a tensão de offset é menor na famı́lia de direções [100]. Esta observação con-
firma o estresse mecânico como principal fonte de offset, já que o efeito piezo-resistivo no silı́cio

108
Capı́tulo 10. Conclusões e perspectivas 109

tipo n é maximizado na famı́lia de direções [110].


Ao encontrar a sensibilidade da placa ao campo magnético, percebemos que sua magnitude
possui certa dependência com a direção da corrente sobre a placa, entretanto, apesar desta
constatação, assumimos para este projeto a sensibilidade como constante, já que a divergência
está dentro da margem de erro do experimento. Por outro lado, é importante ressaltar que a
diferença entre estes valores sugere uma dependência da sensibilidade à direção e ao estresse
mecânico, evidenciando o efeito piezo-Hall, que poderá ser explorado num trabalho futuro.
Ressaltamos que o dispositivo foi realizado focando o estudo do efeito piezo-Hall, deixando
espaço para a microfabricação de uma membrana e posicionando os sensores octogonais no
ponto de maior concentração de esforço. O estudo sistemático do efeito piezo-Hall está além
dos objetivos planejados para este trabalho.
Foram integrados monoliticamente a placa Hall octogonal e todos os circuitos eletrônicos usa-
dos para polarizar o dispositivo e implementar a técnica de redução de offset. Todos os circuitos
eletrônicos funcionaram adequadamente e apresentaram valores consonantes ao projetado. O
sistema funcionou apropriadamente, girando a corrente dentro da placa Hall octogonal.
Para o sensor integrado com os circuitos eletrônicos, os valores obtidos da tensão de offset
em cada uma das direções foi menor do que os encontrados na placa Hall sem circuito de
polarização integrado. Utilizamos uma corrente de 1,6 mA para caracterizar a placa Hall,
enquanto a corrente gerada pela fonte integrada estava em torno de 1 mA, deste modo, sendo
a tensão de offset proporcional à corrente que passa pela placa, o resultado encontrado foi
consistente com a teoria.
Verificamos que a saı́da do sensor, com sistema de redução de offset, tem um comporta-
mento linear ao campo magnético, apresentando uma sensibilidade de S = 130 mVT−1 . Esta
sensibilidade pode ser ampliada com a inclusão de um estágio de amplificação de saı́da.
Um resultado de especial relevância foi a redução superior a 99% da tensão de offset residual
usando a técnica de giro de corrente. Existe, porém, a possibilidade de se reduzir ainda mais o
nı́vel de offset residual, projetando um amplificador com correção de offset no estágio de saı́da.
Ao comparar as diferentes sequências de comutação de corrente, não identificamos uma
diferença expressiva nos resultados de tensão de offset residual. Portanto, não podemos concluir
que exista alguma vantagem associada à sequência de giro. Porém, as sequências que utilizaram
as oito direções apresentaram resultados mais consistentes e um nı́vel menor de tensão de offset
residual do que as sequências que utilizaram apenas quatro terminais. Portanto, concluı́mos ser
vantajoso utilizar um maior número de terminais com a técnica de giro de corrente.
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