INSTITUTO TECNOLOGICO DE

AGUASCALIENTES

Materia: “Sistemas electrónicos”

Profesor: M.C Joel Azpeitia Luevano

Alumnos:

Edgar Iván Villa Godoy

Víctor Hugo Zepeda Gonzales

Gabriel Rodríguez Velasco

Oscar Daniel Flores Márquez

Brandon Andrehy Aguilar Calvillo

Jesús Alejandro Macías Monciváis

Practica N° 2

Grado 4to Grupo: 19:00 a 20:00 hrs

Introducción

Esta práctica se basa en ver como varía el voltaje y la corriente mediante

aumentamos el voltaje con el potenciómetro, se ve como varían
constantemente, así aumentando en intervalos, anotamos todas las medidas
que nos iban dando en cada aumento. Conectando cada elemento en su
lugar correctamente, como el riostato para controlar la resistencia que entra
al transistor, el transistor conectándolo correctamente base, conector,
emisor para no tener problemas o arruinar el circuito. Conectamos los
multímetros correctamente para no tener fallas al momento de medir el
voltaje y corriente y la práctica saliera correctamente. También fue
importante ver el funcionamiento del disipador ya que el transistor se
calienta demasiado, y sin él, se quemaría fácilmente, así como el riostato que
con la resistencia que tiene ayuda a que el transistor no falle, todos estos
elementos del circuito jugaron papel importante para la práctica.

MARCO TEORICO

TRANSISTOR BJT

El transistor de unión bipolar es uno de los dispositivos que son fruto de la

tecnología en semiconductores (basada en uniones PN y dopaje) y es uno de
los tipos de transistores más usados en la actualidad. Un transistor posee tres
terminales (base, colector y emisor) las cuales se muestran en la ilustración
de la representación esquemática de un transistor PNP y NPN
respectivamente.
Un transistor BJT puede eventualmente trabajar en tres regiones, las cuales
son: Región activa, región de saturación y región de ruptura; Cuando un
transistor BJT trabaja en región activa, quiere decir que está trabajando como
amplificador de una señal (Corriente o voltaje), esta región de
funcionamiento se caracteriza porque la corriente de base es muy pequeña
en comparación a la de colector y emisor (que son parecidas), y porque el
voltaje colector base no puede exceder los 0.4 o -0.4V (dependiendo si es
PNP o NPN). Mientras que la región de corte indica que el transistor
prácticamente está apagado, es decir Ib = Ic = Ie =0A. Por último, un
transistor de unión bipolar está saturado cuando Ic=Ie=Imax; En este caso la
magnitud de la corriente depende de la tensión de alimentación del circuito y
de las resistencias conectadas en el colector o el emisor o en ambos.

En particular para un transistor que funcione como amplificador de una señal

-Trabajando en modo activo-, hay ciertas ecuaciones que modelan su
funcionamiento: IC= βiB, Ic= αIE, α =β/ (β+1). Ellas confirman lo dicho
anteriormente, puesto que β en magnitud es relativamente grande y α un
valor cercano a la unidad. Podemos analizar que sucede si introducimos a la
entrada una señal AC, para ello se introduce un parámetro esencial que se
denomina transconductancia (gm) - La cual en esencia es la pendiente de una
aproximación lineal del comportamiento exponencial del transistor

MARCO TEORICO

CURVAS CARACTERISTICAS DEL TRANSISTOR BJT

Al ser el transistor bipolar un dispositivo triterminal son necesarios seis
parámetros para determinar el estado eléctrico del mismo: tres tensiones y
tres corrientes. Aplicando las leyes básicas de resolución de circuitos pueden
presentarse dos ecuaciones:

Por ello, los parámetros independientes se reducen a cuatro. En un circuito

determinado y bajo la acción de unas excitaciones concretas, existirán unos
valores de estos cuatro parámetros que caracterizan por completo el estado
del transistor. Dicho cuarteto se denomina punto de operación (Q).

Las curvas características más empleadas en la práctica son las que

relacionan VBE con IBy VCE con IC e IB. Con frecuencia, estas curvas son
facilitadas por los fabricantes.

Características VBE-IB

Mediante esta curva podemos determinar los efectos que producen las
variaciones de la tensión de polarización VBE sobre la corriente de base IB.
Estas gráficas reciben el nombre de curvas características de transferencia.
Las curvas que se obtienen son muy similares a la de un diodo cuando se
polariza directamente.

Estas tensiones permanecen prácticamente constantes, por lo que serán de

gran ayuda para localizar averías en circuitos con transistores.
La función que liga VBE con IB es la característica de un diodo, y puede
aplicarse dado que la unión base - emisor, es una pn normal, igual que la de
diodo, y al polarizarla, seguirá el mismo comportamiento que aquel.

La curva representada en la figura sigue la expresión:

Características VCE-IC

Estas características también son conocidas como familia de colector, ya que

son las correspondientes a la tensión e intensidad del colector. En la
siguiente figura, se muestran una familia de curvas de colector para
diferentes valores constantes de la corriente base.

Idealmente, en la Región Activa, la corriente de colector depende

exclusivamente de la de base, a través de la relación IC=β+IB. Por lo tanto, en
el plano VCE-IC la representación estará formada por rectas horizontales
(independientes de VCE) para los diversos valores de IB (en este caso se ha
representado el ejemplo para β=100).

Evidentemente, no se dibujan más que unos valores de IB para no

emborronar el gráfico. Para IB=0, la corriente de colector también debe ser
nula. La región de corte está representada por el eje de abscisas. Por contra,
para VCE=0 el transistor entra en saturación, luego esta región queda
representada por el eje de ordenadas.
Hasta aquí se presenta la característica ideal, pero como era de esperar, la
realidad es un poco más compleja, y las curvas quedarán como representa la
siguiente figura:

Las diferencias son claras:

 En la Región Activa la corriente del colector no es totalmente

independiente de la tensión colector-emisor. Para valores altos de la
corriente cobra importancia la resistencia interna del transistor.

 La región de saturación no aparece bruscamente para VCE=0, sino que

hay una transición gradual. Típicamente se suele considerar una
tensión de saturación comprendida entre 0.1V y 0.3V.

Estas curvas representan, en cierto modo, la forma de funcionamiento del

transistor. Se puede comprobar que, para una tensión constante de colector-
emisor, si se producen pequeñas variaciones de la corriente de base (del
orden de µA) esto origina unas variaciones en la corriente de colector mucho
más elevadas (del orden de mA), de lo cual se deduce la capacidad del
transistor para amplificar corrientes.

Observa que, en la mayor parte de las curvas, la tensión VCE afecta muy poco
a la corriente de colector IC. Si se aumenta VCE demasiado (por encima de
VCEO), la unión del colector entra en la región de ruptura y éste puede llegar a
destruirse. Sin embargo, si la tensión VCE es muy pequeña (por debajo de los
0.7V), la corriente de colector será muy débil, obteniéndose una ganancia de
corriente muy baja. En conclusión, para conseguir que el transistor trabaje
como amplificador de corriente, la tensión de polarización inversa VCE debe
mantenerse por encima de 0.7V y por debajo de la tensión de ruptura.

Recta de carga del transistor

Hemos de conocer el comportamiento del transistor trabajando con una

determinada resistencia de carga y averiguar el punto de funcionamiento del
mismo. Para ello, trazamos la recta de carga del transistor en las curvas de
colector para poder determinar los puntos de funcionamiento.

Para determinar la corriente que circula por el colector (emisor común),

podemos aplicar la ley de Ohm entre los extremos de la resistencia de carga
RL. La tensión aplicada a esta resistencia se corresponderá con la tensión
total aplicada por la fuente VCC menos la caída de tensión que se produce
entre el colector y el emisor VCE. De esta forma obtendremos la siguiente
expresión, que se corresponderá con la ecuación de la recta de carga:

Para dibujar esta recta sobre la curva característica, lo primero que hay que
hacer es encontrar sus extremos (IC=0 y VCE=0).

Para VCE=0

Para IC=0

Llevando estos valores a la curva característica de colector, obtendremos la

recta de carga para una determinada resistencia de carga RL y una fuente VCC.

A lo larga de esta recta se pueden distinguir tres partes fundamentales:

puntos de corte, punto de saturación, punto de trabajo.
El punto de corte es donde la línea de carga corta a la curva correspon-
diente a la corriente de base igual a cero (IB=0). Dada la escasa polarización
directa a que queda sometido el diodo de emisor-base, la corriente que
aparece por el colector es prácticamente nula (sólo circula una pequeñísima
corriente de fuga ICEO). Haciendo una aproximación, se puede decir, sin
equivocarse mucho, que el punto de corte se da en la intersección de la recta
de carga con el eje horizontal, es decir cuando VCecorte=VCC.

El punto de saturación aparece donde la línea de carga corta a la intensidad

de base de saturación. En este punto, la corriente de colector es la máxima
que se puede dar para la operación de transistor, dentro de los límites de la
recta de carga. Haciendo una aproximación, se puede decir que el punto de
saturación aparece en la intersección de la recta de carga con el eje vertical,
es decir, cuando:

Para corrientes de base superiores a la de saturación se produce también el

efecto de saturación en el transistor.
El punto de trabajo es aquél donde el transistor trabaja de una forma normal
y que, normalmente, se encuentra entre la zona de corte de saturación. Para
determinar el punto de trabajo (Q) de transistor para una determinada
corriente de base (IB), se busca el punto de intersección de la recta de carga
con la curva correspondiente a dicha corriente de base.

Por último, hay que indicar que, cuando se diseña un circuito para un
transistor, se tiene que procurar que el transistor nunca opere por encima de
la curva de potencia máxima. Esto se consigue eligiendo valores adecuados
de la tensión de fuente VCC y de la resistencia de carga RL, de tal forma que la
recta de carga trazada con dichos valores, esté siempre por debajo de la
curva de potencia máxima. En la figura siguiente, es esquematiza esta
situación:

Obtención de la Ganancia a partir de las curvas características

La ganancia en corriente de un transistor se definía como la relación que se
da entre la variación de la corriente del colector y la variación de corriente de
base. Para determinar dicha ganancia se puede recurrir a las características
del colector.

Como ejemplo, supongamos que las curvas características del transistor

ensayado es la que se muestra en la figura de la izquierda.

Para un punto de funcionamiento situado en VCE=20V, según las curvas de la

figura de la izquierda, la intensidad de colector variará entre IC=28mA e
IC=43mA, mientras que la intensidad de base lo hará entre IB=0.10mA e
IB=0.15mA. La ganancia se calcula así:

Hemos de tener en cuenta que punto de funcionamiento se encuentra

trabajando el transistor, es decir, la tensión que se le está aplicando al
mismo, y con ello, la ganancia calculada, será para esa tensión de trabajo,
siendo para otra, otra ganancia diferente de la calculada en otro punto.
Curva de máxima potencia del transistor

Una de las aplicaciones de las curvas características de un transistor, es que,

a partir de éstas se pueden determinar los límites de funcionamiento del
mismo. Estos límites están determinados por una potencia máxima que
puede desarrollar un transistor sin provocar su destrucción. Veamos en qué
consiste éste fenómeno:

El transistor posee una resistencia entre el colector y el emisor, que varía en

función de la intensidad que se le aplique a su base IB. Por esta resistencia
variable circula una corriente IC, relativamente grande, que provoca en la
misma una potencia calorífica o calentamiento, debido al efecto Joule. Esta
potencia se calcula realizando el producto de la tensión VCE, aplicada entre el
colector y el emisor, por la intensidad de colector IC. (P = VCE·IC).

Como esta potencia se transforma íntegramente en calor, provoca un

aumento de la temperatura en el transistor que, en el caso de salirse de los
límites admisibles, provocará la destrucción del mismo. La potencia máxima
trabajo de un transistor es un dato que proporciona los fabricantes en las
hojas de especificaciones técnicas.

Así, por ejemplo, para el transistor BC107 se indica una potencia máxima de
300mW.Con este dato se puede trazar una curva de potencia máxima sobre
la familia de curvas de colector, para así poder determinar para qué
tensiones de colector-emisor y corrientes de colector es posible trabajar con
el transistor sin que se deteriore.

Por ejemplo, para no superar los

valores límite, en el caso del
transistor BC107 se deberá cumplir
en todo momento la expresión:
Luego la curva de potencia máxima para este transistor será tal que el
producto VCE·IC=0.3W.

En la figura de la derecha, se muestran las curvas correspondientes a la

familia de colector del transistor BC107, y en las que se ha añadido la curva
de potencia máxima. La hipérbola divide a la característica en dos zonas
diferenciadas: la zona prohibida de funcionamiento, que queda por encima
de la misma (sombreado con naranja), en la cual la potencia es mayor de
300mW y, por lo tanto, es donde el transistor corre peligro de destrucción
por la acción del calor; y la zona de trabajo, que queda por debajo de la
hipérbola, y en la cual la potencia es inferior a 300mW.

Influencia de la temperatura ambiente en la potencia máxima de un

transistor

La potencia máxima que puede disipar un transistor, en forma de calor,

depende de la temperatura máxima permitida en la unión colector Tj (max).
Esta temperatura nunca debe ser superada, ya que a partir de ella se puede
destruir el transistor. Este dato aparece en las hojas de características del
componente. Así, por ejemplo, el transistor BC107 posee una Tj (max) de
175ºC.

La potencia máxima a que puede trabajar un transistor también depende de

la temperatura ambiente. Hay que tener en cuenta que el calor producido en
las uniones se conduce a través del encapsulado del transistor y se disipa al
aire que le rodea. Cuanto mayor sea la temperatura de este aire
(temperatura ambiente), peor será la ventilación del transistor, y por lo
tanto, menor la potencia máxima que se le puede exigir al mismo. Por lo
general, en las hojas de características técnicas se indica la potencia máxima
para una temperatura ambiente de 25ºC.

En el caso de que la temperatura ambiente fuese superior habría que

encontrar la potencia máxima de funcionamiento para que el transistor
trabaje dentro de sus límites de temperatura admisibles. En algunas hojas de
especificaciones técnicas aparece la curva de reducción, como la que se
encuentra en la figura de la derecha.

Esta curva, nos indica que para una temperatura ambiente de 25ºC, la
potencia máxima es de 125mW. Sin embargo, para 55ºC, la potencia máxima
disminuye a 50mW.

En el caso de que se desee aumentar la potencia de un transistor, se puede

acoplar un disipador de calor, o aleta de refrigeración en la superficie de la
cápsula del mismo, de esta forma, se consigue que el calor se evacúe con
mayor facilidad hacia el aire exterior.
Desarrollo

Materiales

1-Transistor Bipolar NPN Tip 41.

1-Resistencia de 270 ohms.

1-Potenciometro de 10 k ohms.

1-Disipador de aluminio.

1-Protoboard.

1-Riostato de 8 ohm.

La práctica número 2 del curso consiste en tomar las medidas de la corriente

en dos puntos y el voltaje en un punto, determinados, esto con ayuda de los
multímetros, además de tomar las lecturas que irán variando sus valores de
acuerdo al potenciómetro que se comporta como una resistencia variable. A
continuación la describiremos.

Primeramente tenemos una fuente de voltaje que consta de 24 volts

corriente directa, está la obtuvimos de los talleres de eléctrica, después y
dando seguimiento al circuito que nos brindó el profesor, empezamos a
conectar paso a paso los componentes del circuito, lo primero que
conectamos en el protoboard fue el Riostato de un lado del mismo ,en serie,
y también la resistencia de 270 ohm, por el lado de la resistencia además en
serie y después de saber su configuración, colocaríamos el potenciómetro.
Por el otro lado tendríamos que buscar la configuración del tip 41(transistor)
para saber cómo se conectaría en el circuito, además en el mismo transistor
colocaríamos el disipador de aluminio que su función consiste en enfriar el
transistor de manera que este no se sobrecalentara, ya después de haber
hecho estos pasos procederíamos a montarlo en el protoboard con su base,
colector y emisor en cada una de ellas las salidas correspondientes que están
en el circuito, entonces ya teniendo armado el circuito como se nos requirió
procederíamos a conectar en paralelo y también en los lugares especificados
los multímetros, para tomar las diferentes corrientes que se encontrarían ,
como lo fue para determinar Ic e Ie , estos multímetros los calibramos en
amperes para medir lo ya mencionado y también tendríamos una caída de
tensión (V) que estaríamos también midiendo en la partes del colector y
emisor del transistor , el multímetro estaría calibrado en volts.

Así nomas regulamos el potenciómetro como está indicado en la tabla en

cada uno de los parámetros y tomaríamos las lecturas que a continuación se
presentaran más adelante en nuestro reporte de práctica.
 CONCLUSION

Como conclusión vimos todos los integrantes del equipo que en es como
varía el voltaje y la corriente mediante aumentamos el voltaje con el
potenciómetro, vimos como varían constantemente, así aumentando en
intervalos, entonces cuando armamos el circuito como se nos requirió
procederíamos a conectar en paralelo y también en los lugares especificados
los multímetros, para determinar Ic e Ie, mas adelante en próximas prácticas
de laboratorio observaremos y nos enseñaremos a armar diferentes tipos de
circuitos para determinados problemas o diseños que nos enseñan en esta
materia.

BIBLIOGRAFIAS

http://www2.udec.cl/~gspano/Laboratorio%20de%20Electronica/Laboratori
o%203.pdf

https://books.google.com.mx/books?id=_50ty8YvPHEC&printsec=frontcover
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https://ocw.ehu.eus/pluginfile.php/2728/mod_resource/content/1/electro_
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https://books.google.com.mx/books?id=eXuEBgAAQBAJ&pg=PA53&dq=curv
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