CAPITULO III

DEFECTOS DE LA RED CRISTALINA

DEFECTOS DE LA RED CRISTALINA

Las estructuras cristalinas perfectamente regulares consideradas hasta ahora, se

denominan cristales perfectos, para distinguir los de los cristales menos perfectos
llamados reales, que componen los metales de ingeniería. El concepto de
estructura cristalina perfecta es adecuado para explicar las propiedades de los
metales no sensibles a la estructura (en el cuadro No 2 se presentan estas
propiedades ligadas a la cristalinidad perfecta y real). Además, la estructura
perfecta es el modelo respecto al cual se definen los diversos tipos de
imperfecciones existentes. Por consiguiente, el conocimiento de las estructuras
cristalinas perfectas, convencionales es un primer paso esencial para comprender
el comportamiento de los metales, sin embargo, un estudio adecuado de las
propiedades sensibles a la estructura exige información complementaria sobre los
cristales reales.

El cristal perfecto existe solamente en el cero absoluto, Y, por lo tanto, en

condiciones reales este cristal presenta imperfecciones o defectos, es decir, no
posee una disposición regular de sus átomos por todo el volumen de la red
cristalina.

DEFECTUS PUNTUALES

Un defecto puntual es una interrupción muy localizada en la regularidad de la red.

Un defecto puntual aparece debido a la ausencia de un átomo de la matriz (que
estaría presente en un cristal perfecto), a la presencia de un átomo de impureza, o
a que un átomo de la matriz esté colocado en una posición incorrecta (sitio no
ocupado en el cristal perfecto). Eh la fig.1 Se ilustran Ios defectos puntuales que se
presentan en un cristal para e iónico.

La ausencia de un átomo de un sitio normalmente ocupado se llama vacancias. Un

átomo extraño que ocupe una posición correspondiente a un átomo de la matriz se
denomina átomo de impureza substitucional, y cualquier otro extraño situado en un
intersticio entre los de la matriz se llama átomo de impureza intersticial. Además,
existen defectos puntuales que son más complejos, por ejemplo, grupo de
vacancias condensadas tales como di- y tri- vacancias. En un cristal, un átomo
puede abandonar su sitio creando una vacancia disolviéndose intersticialmente en
la estructura. La asociación de átomo intersticial y vacancia así creada se llama
defecto Frenkel. vacancia catiónica esté asociada con una aniónica en vez de un
catión intersticial, el par (vacancia catiónica y aniónica asociadas), se llama defecto
de Schottky. En general es más probable que se formen defectos Schottky que
Frenkel, pues son pocas las estructuras que contienen intersticios suficientemente
grandes como para disolver cationes sin que se produzca una deformación
considerable. Sin embargo, en una estructura relativamente abierta como la de la
Fluorita (F2Ca), donde los intersticios son grandes, es muy probable que los
cationes puedan disolverse intersticialmente y producir defecto Frenkel.

Además de las imperfecciones estructurales, se producen otras de naturaleza no

estructural por excitación de los elementos de ciertos átomos hasta los niveles
superiores de energía.
Esto puede lograrse bombardeando el cristal con electrones (con la producción de
rayos X), radiación de microondas (el principio del mase), radiación luminosa
(lasers y materiales fotoeléctricos), y otras formas de radiación de frecuencia
adecuada.

Fig. 1a Defectos puntuales en un cristal puro.

Fig. 1b Defectos puntuales en un cristal iónico.

 CUADRO 𝑁 0 2
PRDPIEDADES DETERMINADAS POR LA ESTRUCTURA CRISTALINA

PROPIEDADES CRISTAL AGITACION CRISTAL REAL

PERFECTO TERMICA

Energía do cohesión Entalpia libre Modifican los

(a 0° K) valores ideales de
Dilatación las propiedades
Distancia termodinámicas
Interatómica . Calor especifico

Termodinámica Densidad (punto de

fusión sublimación)

Entalpias de
transformación.

Potencial
electroquímico.

Modelos elásticos Varían con la Ídem.

Mecánicas temperatura.
Comprensibilidad Limite elástico.
Propiedades
plásticas.

Resistividad eléctrica. Ídem.

Eléctricos
Poder termoeléctrico. Ídem.

Efecto Hall.

Paramagnetismo de Paramagnetismo de
Pauli Curie-Weiss.
Magnéticos
Diamagnetismo Punto de Curie.

Ferromagnetismo.

Poder reflector y
Ópticas polarisante.
DEFECTOS LINEALES

Las imperfecciones lineales tienen magnitudes pequeñas en dos dimensiones y una gran
extensión en la tercera dimensión. Estas imperfecciones se llaman “dislocaciones” las
cuales se pueden definir como: deformaciones o perturbaciones localizadas de la red
cristalina alrededor de una línea de dislocación, motivada por la existencia de un
semiplano atómico “extra” o la ausencia misma de este. En la fig. 2, son representadas las
líneas de las dislocaciones; si desplazamos los átomos situados encima del plano de corte
en una dirección perpendicular a la línea AA creamos una “dislocación de borde” en la red,
si la dirección de desplazamiento es paralela a AA, se produce una “dislocación tornillo”. Si
la dirección no es ni paralela ni perpendicular a AA; se crea en la red una dislocación
anterior, este tercer tipo se llama “dislocación mixta”.
Las dislocaciones son descritas cuantitativamente por el vector de Burger
(magnitud y dirección de deslizamiento resultados del movimiento de una sola
dirección).
El vector de Burger es perpendicular a las dislocaciones de borde, paralela a la
dislocación de tornillo y en el caso de una dislocación mixta, el vector de Burger
hace con la línea de dislocación un ángulo cualquiera.

Fig.2 (a) Dislocación mixta. (b) Dislocación de borde. (c) Dislocación de tornillo.
 FIG. 3 Circuito de Vector de Burgers (𝑏̅)

(a) En una dislocación de borde el vector 𝑏̅ es perpendicular al plano de dislocación.

(b) En una dislocación de tornillo el vector 𝑏̅ es paralelo al plano de dislocación.
DEFECTOS SUPERFICIALES

Los defectos superficiales de naturaleza estructural se deben a las alteraciones en

el apilamiento de los planos atómicos a través de un límite. Dicha alteración puede
ser tanto en la orientación como en la secuencia de apilamiento de los planos.

Se llama límites de granos aquellas imperfecciones superficiales que separan

cristales de diferente orientación dentro de un agregado gado poli cristalino. Es
justamente la naturaleza imperfecta de los límites de grano lo que permite su
identificación mediante la técnica de microscopía pues, en un material cristalino
transparente, pueden dispersar la luz y en un material opaco pueden ser atacados
químicamente.

Se llama límites de macla a las imperfecciones superficiales que separan dos

porciones de un cristal, cuyas orientaciones son imágenes especulares una de la
otra. Se denomina macla a la porción del cristal cuya orientación es imagen
especular de la orientación de la matriz. Las maclas pueden originarse durante el
crecimiento cristalino o son producidas por deformación del cristal. Una
deformación de corte paralela al límite de macla puede producir maclado,
particularmente cuando es difícil iniciar o propagar el deslizamiento en esa
dirección. La deformación de corte producida en el enrejado es uniforme, es decir,
el desplazamiento de un punto reticular en la región maclada, es directamente
proporcional a la distancia de ese punto hasta el límite y es paralela al límite de
macla. Si con cada punto reticular estén asociados más de un átomo como en los
metales HC, después del maclado por deformación deben producirse pequeños
reajustes atómicos para que queden maclados la red cristalina y también la
estructura cristalina.

Un error de apilamiento es un defecto superficial resultante del. apilamiento de un

plano atómico fuera de la secuencia, mientras que a cada lado de la Falla la red es
perfecta. Por ejemplo, pueden describirse la secuencia de apilamiento de un cristal
CCC ideal como ABCABCABC... pero puede cambiar la secuencia a
ABCABABCA.... En este caso el error es debido al plano "A" después del segundo
"B" y puede ser descrito como una región muy delgada de apilamiento HC en un
cristal CCC. 'Tales errores se originan durante el crecimiento cristalino o en la
separación de dos dislocaciones parciales. En ambos casos, el material cristalino a
ambos lados de la imperfección tiene la misma orientación, pero existe un
desplazamiento relativo cuya magnitud es igual a una fracción de un vector del
enrejado.
Otro defecto superficial a considerar, es el del límite de grano cuando su
orientación angular es de unos pocos grados. En general los límites de ángulo
pequeño pueden ser descritos mediante ordenaciones de dislocaciones. Un límite
de flexión esté formado por dislocaciones de borde yacentes una sobre la otra a lo
largo del límite de pequeño ángulo. El ángulo de flexión será.
𝑏
𝜃=−
ℎ
donde b es la magnitud del vector de Burgers y h es la distancia vertical promedio
entre las dislocaciones, Un límite de torsión, puede ser descrito en función de dos
conjuntos de dislocaciones tornillo paralelas por lo menos, yacentes en el límite.
En este caso el ángulo de torsión es
𝑏
𝛼=−
ℎ

donde b y h son, respectivamente la magnitud del vector de Burger y la separación promedio en ambas

Existen también muchos defectos superficiales no estructurales. Por ejemplo, el límite entre dos region

Fig.4. Formación de una macla en un cristal tetragonal, por deformación de corte

uniforme de los átomos paralelos al límite de macla. Las líneas punteadas
representan la red antes del maclado, las líneas representan la red después del
maclado.
Fig.5. Error de apilamiento entre las líneas AB y CD sobré un plano atómico, en un
cristal CCC o HC

Fig.6. Límite de flexión en una red cubica simple formado par dislocaciones de
borde separadas entre sí una distancia h.
CUESTIONARIO

1. Defina: Defecto Frenkel, defecto Schotky, vector de Burges límite de flexión

y límite de torsión.

2. Describe como podría efectuarse él movimiento de átomos en un cristal

mediante el de vacancias.

3. Explique por qué una dislocación de tornillo pura, no salta, sino que se
mueve siempre por deslizamiento.

4. Señale tres diferencias entre dislocaciones en una red cubica simple y una
cúbica de caras centradas.

5. Haga un esquema aproximado de la distorsión de la red en torno de una

dislocación de borde e indique las regiones preferenciales para los átomos
substitucionales grandes o pequeños y los átomos intersticiales.