UNMSM - FIEE LABORATORIO CIRCUITOS ELECTRÓNICOS II

RESPUESTA EN ALTA FRECUENCIA DE UN AMPLIFICADOR DE UNA SOLA

ETAPA

Amplificador en frecuencias altas

La Respuesta en alta frecuencia de circuitos con transistores está fijada por los
condensadores internos y las constantes de tiempo asociadas.

En general, se hará la suposición de que la respuesta en frecuencia viene fijada por un

POLO DOMINANTE. De esta manera, el análisis en alta frecuencia se reduce al cálculo
de la frecuencia de corte superior asociada a este polo dominante. 9

El cálculo del polo dominante se realizará aplicando el MÉTODO DE LAS

CONSTANTES DE TIEMPO EN CIRCUITO ABIERTO.

Método de las Constantes de Tiempo en Circuito Abierto.

Dónde:

Ci son cada uno de los condensadores que actúan en alta frecuencia: Condensadores
intrínsecos a los dispositivos (circuito equivalente), o condensadores pequeños de
característica paso-bajo introducidos para controlar la respuesta en frecuencia del
circuito.

R0i es la impedancia que ve cada uno de los condensadores con el resto EN CIRCUITO
ABIERTO

Para reproducir el ancho de banda audible se debe utilizar tres parlantes ya que un
solo parlante no puede emitir las frecuencias todo el ancho de banda audible. Para
esto se suele utilizar divisores de frecuencias o crossover

Muchos fabricantes, en lugar de usar sólo las audiofrecuencias, para proteger a los
amplificadores de perturbaciones supra sónicas o subsónicas, lo que hacen es medir
la respuesta en frecuencia para una banda de frecuencias superior (generalmente de
12 a 40.000 Hz). En este caso una respuesta en frecuencia óptima debe estar en torno
a 3 dB por encima (+ 3 dB) o por abajo (- 3 dB).
Consideramos a los condensadores de acoplamiento, C1 y C2, y desacoplo CE en
cortocircuito.
UNMSM - FIEE LABORATORIO CIRCUITOS ELECTRÓNICOS II

I. INFORME PREVIO

1. Definir: rbb’, rb’e, rb’c, cb’e, cb’c , fβ y ft

rbb´: La resistencia distribuida de la base, se relaciona con el parámetro

h, hie, que es la resistencia con la salida en corto. En el momento hibrido
π, esta se denomina a menudo como rπ si se aplica un corto circuito entre
el emisor y colector, se obtiene:

ℎ𝑖𝑒 = 𝑟𝜋 = 𝑟𝑏𝑏´ + 𝑟𝑏´𝑒//𝑟𝑏´𝑐

rb´e: La resistencia de entrada (rπ en el modelo hibrido) se aproxima por

Vb´e
medio de la razón: rπ = Ib

rb´c: Resistencia de retroalimentación, rce ; resistencia de salida del

transistor.

cb´e y cb´c; son las capacitancias parasitas del transistor. cb´c es la

capacitancia de la unión colector-base a pesar de que es una capacitancia
variable, suele considerarse constante en una región de operación
particular del transistor. La capacitancia cb´e, la cual es capacitor base-
emisor. El valor de este capacitor aparece en las hojas de datos como
Cib´. Esta capacitancia es la suma de la capacitancia de difusión del
emisor y la capacitancia de la unión del emisor. Debido a que el primer
capacitor es el más grande de los dos, cb´e es aproximadamente iguala la
capacitancia de difusión (conocida también como capacitancia de carga
de la base).

fβ y ft : son frecuencias características, f B es la frecuencia para cuando

el factor de ganancia del transistor empieza a variar. Ft es la frecuencia
máxima de operación del transistor se da cuando la ganancia es igual a
cero.
 UNMSM - FIEE LABORATORIO CIRCUITOS ELECTRÓNICOS II

2. En el circuito del experimento (fig 5) de cuerdo al modelo pi del transistor

en altas frecuencias , encontrar la expresión fβ / ft

56kΩ 1.5kΩ

C4

22µF
R4 C3
V1
1kΩ 12 V
22µF

XFG1 C1
100µF 10kΩ
12kΩ 0.68kΩ

Modelo Hibrido

rb´b Cb´c

gmVb´e
rce
rb´e Cb´e

Del circuito mostrado

𝐼𝑐 −ℎ𝑓𝑒𝐼𝑏´𝑒
𝐴𝑖 = =
𝐼𝑏 𝐼𝑏´𝑒(1 + 𝑗𝑤𝑟𝑏´𝑒(𝐶𝑏´𝑒 + 𝐶𝑏´𝑐)
 UNMSM - FIEE LABORATORIO CIRCUITOS ELECTRÓNICOS II

−ℎ𝑓𝑒
𝐴𝑖(𝑗𝑤) =
(1 + 𝑗𝑤𝑟𝑏´𝑒(𝐶𝑏´𝑒 + 𝐶𝑏´𝑐))

1
→ Frecuencia de corte: 𝑊𝐵 = 𝑟𝑏´𝑒(𝐶𝑏´𝑒+𝐶𝑏´𝑐)

Calculo de ft: (frecuencia máxima de operación del transistor)

ℎ𝑓𝑒
|𝐴𝑖| =
(1 + 𝑤 2 (𝑟𝑏´𝑒(𝐶𝑏´𝑒 + 𝐶𝑏´𝑐)2 )

ℎ𝑓𝑒
→ |𝐴𝑖| =
𝑤 2
√(1+ 𝑇 2 )
𝑤𝐵

Por tanto:

√ℎ𝑓𝑒 − 1
𝑤𝑇 =
(𝑟𝑏´𝑒(𝐶𝑏´𝑒 + 𝐶𝑏´𝑐) )

√ℎ𝑓𝑒−1
→ 𝑓𝑇 = 2𝜋(𝑟𝑏´𝑒(𝐶𝑏´𝑒+𝐶𝑏´𝑐) )

Pero hfe2>>1

ℎ𝑓𝑒
𝑓𝑇 =
2𝜋(𝑟𝑏´𝑒(𝐶𝑏´𝑒 + 𝐶𝑏´𝑐) )
 UNMSM - FIEE LABORATORIO CIRCUITOS ELECTRÓNICOS II

De esta ecuación y también de:

1
𝑊𝐵 =
𝑟𝑏´𝑒(𝐶𝑏´𝑒 + 𝐶𝑏´𝑐)

Tenemos:

𝑓𝐵 1
=
𝑓𝑇 ℎ𝑓𝑒

3. Considerando que cb´c <0.1-50p F>, cb´e<100-1000p F> rb´e=VThfe/IEQ,

encontrar el punto de corte superior aproximado en nuestro circuito.

Consideremos un B=100, RB=56kΩ//12kΩ, Ri=1kΩ, RL=10KΩ. La

corriente de polarización del transistor IQ=1.99m A.

26mB
rb´e = = 1306.53Ω
1.99m A

Rin = RB//rb´e = 1153.96Ω

Ri//Rin = 535.7

RL//RC 1304.34
Av = = = 99.87
rb´e/B 13.06

1
f=
2π(Ri//Rin)cb´c(1 + 99.87)
UNMSM - FIEE LABORATORIO CIRCUITOS ELECTRÓNICOS II

4. En altas frecuencias ¿Cuál de las configuraciones de transistor será más

conveniente? ¿por qué?
La configuración hibrida π, es la más conveniente para altas frecuencias
ya que cuenta con los parámetros que salen a relucir para altas
frecuencias como las capacitancias parasitas.

rb ´b Cb ´c

g mVb ´e
rce
rb ´e Cb ´e