Clase 1 - Amplificadores en Pequeña Señal PDF

AMPLIFICADORES
DE
PEQUEÑA SEÑAL
Fuentes y Amplificadores 710199M Ing. Jorge Tenorio

Escuela de Ingeniería Eléctrica y Electrónica Programa Académico Tecnología en Electrónica
INTRODUCCION
• El amplificador es uno de los bloques funcionales más importantes de los

sistemas electrónicos.
• Se diferencia entre gran señal y pequeña señal, en que esta última tiene
valores de tensión de pocos volts a milivolts.
• Estos amplificadores necesitan la polarización en continua del transistor,
definiendo así un punto de trabajo Q, entorno al cual se moverá dependiendo
de la señal de entrada.
• En el estudio de la relación de tensiones y corrientes para pequeños
cambios en torno al punto Q, se hace uso de los circuitos equivalentes en
pequeña señal.
• Sin entrar en el estudio en frecuencia, las características más importantes
en un amplificador son su ganancia, impedancia de entrada e impedancia de
salida.

CONCEPTOS BASICOS SOBRE AMPLIFICADORES
El transistor como red de dos puertas
Desde el punto de vista de los terminales el transistor se modela como una red de dos
puertas o cuadripolo.
El comportamiento de un circuito lineal bi-puerta, tal como se muestra en la figura,

puede ser especificado a través de dos corrientes (I1, I2) y dos tensiones (V1, V2). En
función de las dos posibles variables seleccionadas como independientes, ese
circuito lineal puede ser caracterizado mediante cuatro tipo de parámetros ({Z}, {Y},
{H}, {G}), que en notación matricial, se expresan de la siguiente manera:

Los parámetros {H} o h o híbridos son los que mejor caracterizan el comportamiento
lineal de pequeña señal de un transistor bipolar. Estos parámetros relacionan la V1 e
I2 con la I1 y V2 mediante la siguiente ecuación matricial, se expresan de la siguiente
manera


Modelo híbrido {H} de un transistor bipolar

Modelo del amplificador de tensión

– Resistencia de entrada: Ri = Vi / Ii
– Resistencia de salida: Ro = Vo / Io
– Ganancia de tensión en circuito abierto: Avo = Vo / Vi (si Io = 0 A)
• Ganancia de Potencia, de tensión y corriente

Fuentes de alimentación y rendimiento

Fuentes de alimentación y rendimiento

La fuente de alimentación debe proporcionar las siguientes potencias:
– La potencia de salida menos la potencia de entrada desde la fuente de señal, y las pérdidas
de potencia.
• Rendimiento, eficiencia  = (Po / Pi)

Medidas en decibelios

Modelo del amplificador de corriente
Amplificador de corriente: la propiedad de ganancia se representa por una fuente de

corriente controlada por corriente. En este caso la resistencia de salida está en paralelo.
La ganancia de la fuente se llama de corriente en cortocircuito. Aisc = Iosc / Ii

Modelo del amplificador de transconductancia
Amplificador de transconductancia: se modela con una fuente de corriente controlada

por tensión. La ganancia de transconductancia en cortocircuito es Gmsc = Iosc / Vi

Modelo del amplificador de transresistencia
Amplificador de transresistencia: Se modela con fuente de tensión controlada por

corriente.
La ganancia de transresistencia en circuito abierto es Rmoc = Vooc / Ii

Configuraciones básicas de los transistores bipolares.

Modelo de Ebers-Moll
Modelo Ebers-Moll para transistores PNP Modelo Ebers-Moll para transistores NPN
iC   F iDE  iDC
qVEB qVCB
( ) ( )
I C   F I ES [e KT
 1]  I CS [e KT
 1]
qVEB qVCB
( ) ( )
I E  I ES [e KT
 1]   R I CS [e KT
 1]

Modelo de Ebers-Moll
La ley de reciprocidad establece que:  F I ES   R I CS  I S

Donde F es la alfa directa y R es la alfa inversa.
Sustituyendo en las ecs. anteriores
iC  I S e  v BE VT
1   IS
R
e v BC VT

1
iE 
IS
F
e v BE VT

 1  I S e vBC  VT

1

Modelo de Ebers-Moll (Estado activo )

En el amplificador de emisor común la fuente en el circuito de base polariza
directamente a la unión base-emisor y una fuente de mayor tensión polariza
inversamente la unión base-colector. El voltaje vBE deberá ser mayor que la
tensión de codo y los términos que llevan vBE son mucho mayores que 1. La
tensión vBC es mucho menor que la tensión de codo, las exponenciales que
incluyen vBC son mucho menores que 1. Las ecuaciones de Ebers-Moll quedan
como:
IS IS
iC  I S e v BE VT
 iE  e v BE VT
 IS
R F
iC   F iE
Modelo de Ebers-Moll (Estado activo )
F
De la ley de Kirchhoff de corrientes se llega a: iC  iB
1F
F
Definimos la beta directa del transistor como:  F 
1F
Entonces: iC  β F iB y iE  β F  1iB
Es fácil mostrar que la ecuación de entrada en emisor común

es:
IS
iB  e vBE VT
 F  F  1
CIRCUITO EQUIVALENTE EN PEQUEÑA SEÑAL PARA BJT (R Pi)

CIRCUITO EQUIVALENTE EN PEQUEÑA SEÑAL PARA BJT
El Voltaje térmico VT :
Es aproximadamente 25.85mV
a 300K
Donde k es la constante de
Boltzmann, T es la temperatura
absoluta de la unión pn, y q es
la magnitud de la carga de un
electrón (la carga elemental).

Ejercicio:
A temperatura ambiente, un transistor tiene a 300K
un valor de =100.
Calcular los valores de gm y de rp para Donde k es la constante de
ICQ=10 mA. Boltzmann, T es la temperatura
Repetir el ejercicio para ICQ=1 mA. la magnitud de la carga de un
Respuesta Para ICQ=10 mA, tenemos un

valor de gm=385 mS, y rp=260Ω.
L. Para ICQ=1 mA, tenemos un valor de
gm=3,85 mS, y rp=2.600Ω.
Ejercicio:
A temperatura ambiente, un transistor tiene a 300K
un valor de =100.
Calcular los valores de gm y de rp para Donde k es la constante de
ICQ=10 mA. Boltzmann, T es la temperatura
Repetir el ejercicio para ICQ=1 mA. la magnitud de la carga de un
Respuesta Para ICQ=10 mA, tenemos un

valor de gm=385 mS, y rp=260Ω.
Para ICQ=1 mA, tenemos un valor de
gm=3,85 mS, y rp=2.600Ω.

Características comunes a todos los transistores

ie is
•La potencia consumida en la + +

entrada es menor que la Ve Vs
controlada en la salida. - -
Entrada Salida
Cuadripolo
•La tensión entre los terminales de entrada determina el comportamiento
eléctrico de la salida.
•La salida se comporta como:
•Fuente de corriente controlada (zona lineal o activa).
•Corto circuito (saturación).
•Circuito abierto (corte).

Características comunes a todos los transistores
is +
Zona Activa is
+ Vs
-
Vs = -
is is
Zona de +
Saturación -
Vs = Vs=0
is is=0
Zona de +
+
Corte
-
Vs = Vs
-
IC IC NPN, IC
NPN, z. NPN,
saturación
activa corte
R R R
+ VCB + VCB +
VCB
N - N N
- -
IB IB IB
P P P
N N N
VBE -IE VEB -IE VBE -IE
V1 V1 V1
VCB > 0
IC  0, IE  0 y VCB < 0 (VCE  0)
IC  ·(-IE)
IB  0 IC  V1/R
IC  ·IB

Circuito de polarización de base fija

La recta de carga del transistor BJT.






Circuito de Polarización de Cuatro Resistencias.



Ejemplo:

Ejemplo:

Ejemplo:

Ejemplo:

Ejemplo:

Ejemplo:

Ejemplo:

Ejercicio:

Ejercicio:

RECTA DE CARGA DINAMICA

La recta de carga del transistor NMOS en fuente común.

AMPLIFICADOR EN EMISOR COMUN

AMPLIFICADOR EN EMISOR COMUN
Para determinar el circuito equivalente en pequeña señal, se realizan los siguientes

pasos:
1. – Determinar el punto Q con la polarización en continua (se abren todos los

condensadores).
2. – Cortocircuitar las fuentes de tensión de continua.
3. – Cortocircuitar los condensadores.
4. – Sustituir el BJT por sus equivalente.
5. – El valor de rp se obtiene a partir del punto Q.
6. – Se aplican las leyes de circuitos.
• El condensador CE se denomina condensador de desacoplo, proporcionando un

camino de baja impedancia para la corriente alterna que va desde el emisor a masa.

AMPLIFICADOR EN EMISOR COMUN, CIRCUITO EQUIVALENTE

EN PEQUEÑA SEÑAL


EN PEQUEÑA SEÑAL


EN PEQUEÑA SEÑAL


EN PEQUEÑA SEÑAL


EN PEQUEÑA SEÑAL


EN PEQUEÑA SEÑAL


EN PEQUEÑA SEÑAL


EN PEQUEÑA SEÑAL


EN PEQUEÑA SEÑAL

Ejercicio:


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• El amplificador es uno de los bloques funcionales más importantes de los

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El transistor como red de dos puertas

El comportamiento de un circuito lineal bi-puerta, tal como se muestra en la figura,

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El transistor como red de dos puertas

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El transistor como red de dos puertas

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Modelo del amplificador de tensión

• Ganancia de Potencia, de tensión y corriente

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Fuentes de alimentación y rendimiento

• Rendimiento, eficiencia  = (Po / Pi)

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Modelo del amplificador de corriente

Amplificador de corriente: la propiedad de ganancia se representa por una fuente de

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Modelo del amplificador de transconductancia

Amplificador de transconductancia: se modela con una fuente de corriente controlada

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Modelo del amplificador de transresistencia

Amplificador de transresistencia: Se modela con fuente de tensión controlada por

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La ley de reciprocidad establece que:  F I ES   R I CS  I S

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Modelo de Ebers-Moll (Estado activo )

Modelo de Ebers-Moll (Estado activo )

Es fácil mostrar que la ecuación de entrada en emisor común

CIRCUITO EQUIVALENTE EN PEQUEÑA SEÑAL PARA BJT (R Pi)

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CIRCUITO EQUIVALENTE EN PEQUEÑA SEÑAL PARA BJT

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CIRCUITO EQUIVALENTE EN PEQUEÑA SEÑAL PARA BJT

Respuesta Para ICQ=10 mA, tenemos un

CIRCUITO EQUIVALENTE EN PEQUEÑA SEÑAL PARA BJT

Respuesta Para ICQ=10 mA, tenemos un

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Características comunes a todos los transistores

•La potencia consumida en la + +

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Características comunes a todos los transistores

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Circuito de polarización de base fija

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La recta de carga del transistor BJT.

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La recta de carga del transistor BJT.

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