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Concepção de Circuitos Integrados 1

2 Transistor
Conceito de Bohr: Revisão
K - Suporta 2 Elétrons
L - Suporta 8 Elétrons
M - Suporta 18 Elétrons
N - Suporta 32 Elétrons
O – Suporta 32 Elétrons
P - Suporta 18 Elétrons
Q - Suporta 2 Elétrons

Subníveis de energia:
s(2),p(6),d(10),f(14)

Concepção de Circuitos Integrados - 2 Ricardo Reis


Materiais Semicondutores
Átomo de Silício Elétron Neutron
Próton
Grande estabilidade física e
química em temperatura

4 elétrons na órbita externa:


valência 4
Núcleo
Subníveis: 1s22s22p63s23p2

permite uma obtenção “natural”


do SiO2 - óxido de silício

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Materiais Semicondutores
Cristal de Silício

Si Si
Monocristal: Silício Monocristalino
- estrutura regular e homogênea
- ligações covalentes
- material quimicamente estável Si Si

Em estado puro (intrínsico):


- mau condutor a temperatura ambiente
- isolante a baixas temperaturas
Si Si
Aumento da temperatura:
- provoca quebra das ligações
- um elétron livre provoca a formação de um
buraco Si
Si
- ocorre a geração de pares elétrons-buracos

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Materiais Semicondutores
Cristal de Silício

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Materiais Semicondutores

Mobilidade dos elétrons Mobilidade dos buracos


µn [m2/(V·s)] µp [m2/(V·s)]

OBS: Cerca de 3 vezes para o silício e 30 vezes para o AsGa

Resistividade: capacidade de um material veicular corrente (Ωm)

depende: - concentração de portadores (temperatura, dopagem)


- mobilidade dos portadores no material

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Materiais Semicondutores
Dopantes: átomos com excesso de elétrons ou de buracos

Dopantes do tipo N: excesso de elétrons


Exemplo: Fósforo (5 elétrons na camada de valência)
Número Atômico do Fósforo: 15
Camadas: K, L, M
Subníveis: 1s22s22p63s23p3

Dopantes do tipo P: falta de elétrons


Exemplo: Boro (3 elétrons na camada de valência)
Número Atômico do Boro: 5
Camadas: K, L
Subníveis: 1s22s22p1

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Materiais Semicondutores
Condução elétrica

Metais: resistividade baixa, um único tipo de portador


(elétrons de valência)

Isolantes: resistividade muitíssimo alta, não possui


portadores livres

Semicondutores: resistividade muito maior que a dos


metais e muito menor que a dos isolantes, possui dois
tipos de portadores (elétrons e lacunas)

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Materiais Semicondutores
Estrutura:

Monocristalinos: regularidade completa.


Exemplo: substrato.

Policristalinos: regularidade em pequenos volumes.


Exemplo: gates/portas e interconexões.

Amorfos: sem regularidade; desordem na estrutura dos átomos.


Exemplo: efeito fotovoltaico - células solar.

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Diodo: Junção PN

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Transistor MOS
Estruturas MOS
Metal
Óxido de Silício SiO2

Semicondutor Germânio ou
Silício Monocristalino

Silício Policristalino CONDUTOR


Óxido de Silício SiO2 ISOLANTE
Silício Monocristalino SEMICONDUTOR

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Transistor

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Transistor MOS
Silício Policristalino
Óxido de Silício
N N SiO2
corte
Silício Monocristalino
P

“Difusão N” Substrato P

planta baixa
N
Poli

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Transistor MOS
Fonte Grade canal Dreno

“Difusão N”
N N
corte

P
Substrato P

Contato
planta baixa
N

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Transistor MOS

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Transistor MOS
Fonte Grade= 0 V canal “aberto”
Dreno

N N

P “Difusão N”

Fonte Grade = VCC canal “fechado”


Dreno

N N

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Concepção de Circuitos Integrados - 2 Ricardo Reis
Transistor Density Evolution

http://www.computerhistory.org/siliconengine/
Concepção de Circuitos Integrados - 2 Ricardo Reis
Concepção de Circuitos Integrados 1

2 Transistor

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