Informe Previo Laboratorio N°1

Circuitos Sintonizados y Transformadores de

Redes Selectivas
Abraham Alvarado Huamani, Luighi A. Vitón Zorrilla, Piero A. Soto Meléndez
Universidad Nacional de Ingeniería
Facultad de Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Laboratorio de Circuitos Electrónicos III

Abstract – El presente documento es el estudio previo que se configuración del amplificador en base común, el cual se desea
realizará a los circuitos sintonizados y Transformadores de redes verificar a través de esta experiencia.
selectivas, para tener una buena realización de la experiencia de
laboratorio. Se hará un desarrollo analítico de los circuitos usando II. OBJETIVOS
los modelos equivalentes del transistor bipolar, incluyendo el
Como objetivo principal se busca el entendimiento de la
análisis de la variación de algunos parámetros para cumplir las
importancia y funcionamiento de los circuitos sintonizados. La
condiciones de diseño. Por último describiremos los procesos a envergadura del uso de estos circuitos es grande, debido a sus
seguir para obtener de forma experimental los valores interesantes características, por lo tanto es prioridad también
característicos del circuito y las consideraciones para elegir los conocer estas características.
transistores a usar.
Además siempre es importante en una experiencia de
laboratorio la familiarización con diversos componentes, que
Keywords – Circuito sintonizado, resonador, amplificador en base
harán de nuestra formación profesional más sólida.
común.
III. DESARROLLO DE LA EXPERIENCIA
I. INTRODUCCIÓN A. Materiales:

Los amplificadores son indispensables en cualquier sistema de  Transformadores de frecuencia intermedia (455
KHz).
comunicaciones, al igual que los filtros, los osciladores, los
mezcladores, etc. Como sabemos, las señales de radiofrecuencia  Transistores bipolares 2n2222A.
generalmente son de muy baja amplitud, desde algunos uV a  Resistencias y capacitancias.
algunos mV, es evidente que la señal tiene que amplificarse hasta
 Fuentes de voltaje DC.
conseguir el nivel de potencia de salida requerido, para, por
ejemplo, excitar un altavoz. Los amplificadores sintonizados  Generador de onda.
contienen circuitos resonantes en el circuito de entrada, en el  Potenciómetro.
circuito de salida, o en ambos. Se usan para amplificar estas
pequeñas señales en banda estrecha (es decir, señales cuyas
componentes pertenecen a una estrecha banda de frecuencias), B. Procedimiento:
mientras que rechazan las señales de las bandas de frecuencia  1ra parte:
adyacentes. Por ejemplo, los receptores de radio y televisión Variando la sintonización del tanque obtendremos la amplitud
utilizan amplificadores sintonizados para seleccionar una señal del voltaje al momento de resonancia.
de entre las varias que llegan al receptor a través de la antena.
Ajustaremos R3 para obtener un voltaje de resonancia de
100mVpp
Como una continuación a la introducción a circuitos
sintonizados vistos en el curso previo de Circuitos Electrónicos Variando la frecuencia del generador mediremos la frecuencia
II, en esta experiencia se pretende hacer una experiencia práctica de resonancia máxima y mínima, para cada tipo de bobina.
en el cual se pueda evidenciar la sintonización de la frecuencia
de resonancia que estaría determinada por el llamado circuito  2da parte:
tanque en el colector del amplificador. También se tiene como Cambiar la posición del colector al terminal intermedio de la
antecedente teórico el rendimiento en alta frecuencia de la bobina y seguir los pasos de la parte 1.
 3ra parte:
I1 1 1
Hallar Lin y Cin, para eso colocar condensadores a cada una Y11   hie (1  h fe )  hoe  hie hre
de las bobinas. V1 V2  0
 4ta parte:
I2 1
Con el generador con 200mVpp y el tanque sintonizado, Y21   hoe  hie hre
ajustar R3 hasta obtener Vo2=100mVpp y anotar el valor DC del V1 V2  0
punto A respecto a tierra.   
I 1
 5ta parte: Y22  2  hoe  hie hre h fe
V2 V1  0
Colocar un potenciómetro de 100kΩ entre los terminales a y
c del tanque y ajustar hasta obtener Vo2=50mVpp. Anotar el I1 1
valor de Rp. Y12   hoe  2hie hre h fe
V2
 6ta parte: V1  0

Con la bobina sintonizada y desconectada del circuito medir Después el modelo queda expresado de la siguiente manera,
la resistencia que existe entre sus terminales a y c (que es la en el cual los voltajes V  V y V  V .
1 eb 2 cb
resistencia de pérdidas).

 I1   Yi Yr  V1 
IV. ANÁLISIS TEÓRICO   I   Y Yo  V2 
 
El modelo que usualmente se emplea para representar a un  2  f
transistor es el de red bipuerto híbrido. No obstante para nuestro  
caso resulta más práctico emplear el modelo de red bipuerto
admitancia. Luego se pueden obtener algunas equivalencias entre Con esto se puede realizar el análisis en AC para encontrar el
ambos tal como se muestra a continuación: valor del voltaje de salida en función del de entrada.

V1   hie hre   I1  En este caso el circuito que interviene en la amplificación

  I   h hoe  V2 
  sólo es el configurado en base común para el cual se debe
 2   fe desarrollar su modelo para pequeña señal.
 
Si consideramos las bobinas con una impedancia de entrada Yin y
Se debe transformar a una red impedancia a través de los de salida Yout se tendría una impedancia total resultado de la
siguientes cálculos: suma de la primera y la reflexión de la segunda.

Fig.1 Modelo de admitancias a)

 V. ANÁLISIS EN DC

Del análisis en DC tenemos:

0−(V+0.7)
R
=I (8)

V−(−12)
470
= 2I (9)
 
b) Para tener una corriente en el intervalo de 0.1mA y 1.2mA.
Calculamos la resistencia R cuando I=0.1mA

De la ecuación (9)

V+12
470
= 0.2mA (10)

V = -11.906v (11)

De la ecuación (8)
c)
0−(−11.906+0.7)
Fig.2. a) Esquema general del circuito en Ac. b) Representación de la bobina. = 0.1mA (12)
R
c) Impedancia de salida equivalente

Luego se obtiene de la relación del transformador: R = 112.06 K (13)

n(Vo1  V )  Vo 2   Ahora calculamos la resistencia R cuando I=1.2mA:

De la ecuación (9)
Además se sabe que la impedancia reflejada en el primario lo
hace en un factor Yout '  n Yout
2
V+12
= 2.4mA (14)
470
Se asocian las resistencias resultantes y se reemplaza el
transistor por el modelo de impedancia. V=-10.872v (15)

Vi (Yc1 )  V A (Yc1  Yi )  Vo1 (Yr )

  
0  V A (Y f )  Vo1 (Yo  YT )

Resolviendo el sistema se obtiene:

Vo1 (Y  Yi )(Yo  YT )
   c1  Yr  
Vi Yf

Finalmente de acuerdo a la ecuación (4) se puede obtener el

voltaje a la salida del transformador.

Vo 2  (Yc1  Yi )(Yo  YT )  YT 
   Yr   (7)
Vi  Yf  Yin  Yout 

Adicionalmente el voltaje en la toma central del transformador

estará determinado por el factor de escala del mismo.
Fig. 3. Circuito para el análisis en DC
 De la ecuación (1) consideramos la juntura base-emisor. En este caso, cuando pasan
huecos desde el emisor hacia el colector por difusión a través de
0−(−10.872+0.7)
R
= 1.2mA (16) la base y cuando el hueco se mueve a través de la base, por efecto
de la tensión de señal aplicada Vi, si se invierte la polaridad de
R=8.74 K (17) esta tensión antes de que el hueco llegue al colector, el hueco
tenderá a regresar al emisor y el colector no registrará esta
De los resultados (13) y (17) hallamos que el rango del corriente de señal. Esto último significa que si la frecuencia de Vi
potenciómetro es aumenta la corriente de colector disminuirá debido a que algunas
cargas son atrapadas en la base.
R= [8.47K, 112.06K]
Este efecto es el mismo que produciría un capacitor ubicado
VI. PROCEDIMIENTO PARA HALLAR PARAMETROS
EXPERIMENTALMENTE entre base y emisor (Cb’e). Esta capacidad al depender del
número de cargas en la región, aumenta casi linealmente con la
 Frecuencia de resonancia mínima: corriente estática de emisor (Ieq). Esta capacidad Cb`e es mucho
mayor que Cb’c y sus valores varían entre unos 100 pF y unos
Con el generador de frecuencias variar la sintonización del 5000 pF. Por esto los transistores de alta frecuencia se construyen
tanque hasta obtener la máxima salida (Vo2max) cuando la perilla para trabajar con una base lo más delgada posible.
de la bobina este en la parte más alta.

 Frecuencia de resonancia máxima:  Circuito en emisor común:

Con el generador de frecuencias variar la sintonización del Este circuito equivalente es de mucha utilidad para analizar al
tanque hasta obtener la máxima salida (Vo2max) cuando la perilla transistor en alta frecuencia. Como se ve en la Fig.4, B es el
de la bobina este en la parte más baja. terminal de base y B’ es la unión de base, entre estos puntos
aparece la resistencia rbb’ de base (directamente proporcional al
 Lin y Cin de la bobina: ancho de la base) y que varía entre 10 y 50. Los transistores en
Colocamos un capacitor C conocido entre los terminales a y b alta frecuencia presentan menores anchos de base por lo que la
del tanque, disminuirá la frecuencia de resonancia, por lo que se rbb’ resulta ser más pequeña. La resistencia rb’e (resistencia de la
tendrá que disminuir la frecuencia del generador y observar cual unión base-emisor) presenta un valor de aproximadamente 0,025
es la nueva frecuencia con la que resuena. hfe/Ieq a temperatura ambiente y generalmente es mucho mayor
que la rbb. La hie resulta ser la suma de las dos resistencias, esto
Entonces tendríamos dos ecuaciones y dos incógnitas siendo es:
posible el cálculo de Lin y Cin.
hie = rbb’ + rb’e (18)
 Rp (Resistencia de pérdidas de la bobina)
Como rb’e >> rbb´ se podría considerar:
Teniendo un Vo2 = 100mVpp en resonancia a 455Khz colocar
un potenciómetro entre los terminales a y c del tanque y ajustar hie = rb’e (19)
hasta obtener Vo2 = 50mVpp. Anotar el valor de R, luego
desconectar la bobina del circuito y medir la resistencia que existe
La Impedancia de salida 1/hoe generalmente es mucho mayor
entre sus terminales a y c, además es conocida la relación que
que RL por lo que se suele despreciar en alta frecuencia.
existe entre Vo2 y la resistencia de sintonización. Con estas
ecuaciones será posible el cálculo de Rp.

VII. CONSIDERACIONES PARA LA ELECCIÓN DE TRANSISTORES

 Limitación de los dispositivos en alta frecuencia:

En alta frecuencia el límite superior del dispositivo activo

(transistor) depende o está limitado por la capacidad interna del Fig 4. Circuito híbrido π (emisor común)
mismo. La capacidad de difusión, esta surge cuando
 La forma más sencilla de obtener un amplificador sintonizado En resumen, los elementos que debemos tener en cuenta son:
es utilizando en la entrada y en la salida un circuito sintonizado.
Idealmente y trabajando con este circuito se obtienen las 10 Ω ≤ rb´b≤ 50Ω (21)
ecuaciones de trabajo para el amplificador sintonizado. Las
dificultades pueden surgir al aumentar la frecuencia de trabajo. El rb’e =hfe / 40IEQ (22)
más común de los amplificadores sintonizados lo constituye un
amplificador trabajando en emisor común, en este el circuito gm= 40IEQ (23)
sintonizado se coloca en el circuito de colector. Se deberá tener en
cuenta la necesidad o no de efectuar una adaptación de hoe α IEQ (24)
impedancias entre el colector y el sintonizado. En este último
caso de podrá utilizar una inductancia con una derivación y Cbe = gm/ωT (25)
además como ya se vio se podrá también adaptar la impedancia a
la etapa siguiente. Si se incrementa la frecuencia de operación el Cob α Vbc-p p = ½ o 1/3 (26)
valor de L y C del circuito resonante disminuirán, pudiendo llegar
a tener valores pequeños, comparables con las capacidades
parásitas, esto último es una limitación.

Con la adaptación de impedancia se asegura además obtener la

máxima transferencia de energía y un mínimo efecto de las
capacidades parásitas, en este caso se puede hacer trabajar al
circuito a frecuencias mayores. Por ejemplo una inductancia que
permita trabajar al circuito con una frecuencia de 10 a 20 Mhz, al
minimizar el efecto de las capacidades parásitas por la adaptación,
podrá trabajar quizás hasta frecuencias de 30 Mhz o 40 Mhz.

 Circuito en base común:

Para este caso la ganancia de corriente del circuito, para una

tensión colector-base
igual a cero ( Vcb = 0 ) es:

(20)

La frecuencia de transición tiene importancia porque determina

cuando la frecuencia ha crecido lo suficiente como para hacer que
la ganancia empiece a disminuir. Es en este punto donde el
elemento activo empieza a presentar problemas de operación,
debido a las capacidades internas. En baja frecuencia esto no
sucede, ya que son las capacidades asociadas con el elemento
activo las que tienen importancias y no las intrínsecas del mismo.

Fig.5. Circuito hibrido equivalente en emisor común