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CMOS

INDICE

- FENOMENOS DE LAS DESCARGAS ELECTROMAGNETICAS


DE LOS CMOS
- INDICE SEGUN LAS CARACTERISTICAS DE LOS CMOS
LA FAMILIA LOGICA CMOS

La familia lógica CMOS es, junto con la TTL, una de las familias lógicas más
populares. Utiliza transistores MOSFET complementarios (canal N y canal P)
como elementos básicos de conmutación. CMOS es una abreviación de
Complementary Metal Oxide Semiconductors (semiconductores
complementarios de óxido metálico). Los circuitos integrados digitales fabricado
mediante tecnología CMOS se pueden agrupar en las siguientes categorías o
subfamilias básicas:

CMOS ESTANDART
CMOS DE ALTA VELOCIDAD (HC)
CMOS COMPATIBLE CON TTL (HCL)
CMOS EQUIVALENTE A TTL c

Familia CMOS
estándar
La familia CMOS estándar comprende principalmente los dispositivos que se
designan como 40XX (4012, 4019), etc.) Y 45XX (4528, 4553, etc.). Existen dos
series generales de dispositivos CMOS designadas “A” y “B”.
Los dispositivos de la serie “A” se designan con el sufijo A (por ejemplo 4011A)
o simplemente no lo traen (4011 = 4011A). Todos los dispositivos de la serie “B”
llevan el sufijo B (por ejemplo 4029B).
La principal diferencia entre los dispositivos de las series A y B está en que los
CMOS “B” contienen una circuitería interna de protección que reduce el riesgo
de daño del dispositivo por el fenómeno de descarga electrostática .
De otro lado, los dispositivos CMOS “B” tienen frecuencia de operación más
altas, tiempos de propagación más cortos y mayor capacidad de salida (fan-out)
que los dispositivos de la serie “A”. En este curso se trabaja con dispositivos de
ambas series (40XX, 40XXB, 45XX y 45XXB) pero preferiblemente con los e la
serie B
(74C14, 74C164, rtc.). Son pin por pin y función por
Características de los circuitos función equivalentes a los dispositivos TTL
integrados correspondientes (especialmente a los de la serie
74L)
CM
OS Conservan todas las características comunes a
los dispositivos CMOS estándares: baja
Las características más sobresalientes de las disipación de potencia, buena velocidad de
familias CMOS estándares 40 y 45 son, a grandes operación, amplios
rasgos, las siguientes:

Es la ventaja márgenes de oltaje, alta inmunidad al ruido, etc.


Baja disipación de más Se espera que la 74C sea la serie CMOS estándar
potencia. del
sobresaliente. En estado de reposo, una compuerta
CMOS típica consume alrededor de 10 nanovatios. futuro. Es un 50% más rápida que las series 40 y
Este bajo consumo de potencia simplifica el diseño 45, pero consume un 50% más de potencia.
y el costo de la fuente de alimentación.
Por esta razón, los circuitos integrados CMOS se CMOS de alta velocidad. Comprende los
utilizan extensamente en equipos operados por dispositivos designados como 74HCXX y
pilas o baterías. 74HCXXX (74HC85,
74HC373, etc.). Tienen las mismas características
Buena verdad de operación. Los circuitos de entrada y de alimentación de los dispositivos
integrados CMOS son típicamente más lentos que CMOS estándares y son pin por pin compatibles
los TTL pero suficientemente rápidos para la con los dispositivos TTL. LS correspondientes
mayoría de las aplicaciones. Pueden operar a (74LS85,
frecuencias hasta de 10 Mhz y tienen tiempos de 74LS373, etc.).
propagación del orden de 10 a 50 nanosegundos La serie 74HC ofrece velocidades de operación
por compuerta. comparables a los de la serie 74LS TTL Schottky
de baja potencia y superiores a las de las series
Amplios márgenes de tensión 40, 45 y
de alimentación 74C. En los demás aspectos, sus características
Los dispositivos de la serie 40XXA pueden operar son similares a las de estas últimas. Siguen
con tensiones entre + 3 y + 15 voltios y los de la siendo sensibles al daño por electricidad
serie estática.
40XXB con tensiones entre + 3 y + 18 voltios. La
tensión de alimentación se designa como VDD. CMOS de alta velocidad con entradas TTL
Algunos valores típicos para VDD son +5V y +
10V. Este, amplio rango de alimentación Comprende los dispositivos designados como
permite utilizar fuentes de voltajes no 74HCTXX y 74HCTXXX (74HC74, 74HC190, etc.).
reguladas. Poseen las mismas características de los
Cuando se emplean circuitos TTL y CMOS en el dispositivos HC, excepto que sus entradas son
mismo sistema, se utiliza generalmente una tensión compatibles con los niveles lógicos de TTL. Tienen
de alimentación de + 5V. la misma configuración de pines de los dispositivos
Cuando hay circuitos TTL y CMOS trabajando a TTL Schottky de baja potencia o LS.
tensiones diferentes deben hacerse compatibles Los dispositivos HCT constituyen la mejor
los niveles lógicos de ambas familias mediante alternativa de que se dispone actualmente para
circuitos apropiados de interfase. convertir total o parcialmente sistemas basados
en lógica CMOS.
Los niveles de voltaje de 0 a 0.3 VDD, para
estado bajo y de 0.7 VDD para el estado alto. COMPARACION DE LAS FAMILIAS
Por ejemplo, si se utiliza una tensión de LOGICAS
alimentación VDD de 10V.
Los dispositivos CMOS interpretarán un voltaje Una tecnología ideal debería producir dispositivos
entre 0 y3 voltios como un estado lógico bajo ó 0 y con una velocidad de operación muy alta y un
un voltaje entre 7 y 10 voltios con un estado lógico consumo de potencia muy bajo. Como hemos
alto ó 1. visto. Ninguna de las tecnologías antes analizadas
satisface al mismo tiempo ambas condiciones
porque las rápidas consumen más potencia y
viceversa.

En la figura siguiente se comparan cualitativa y


Alta inmunidad al Los circuitos CMOS gráficamente las familias TTL 74, 74L, 74H, 74S,
ruido. son
74LS,
esencialmente inmunes al ruido electromagnético 74ALS, 74AS y las familias CMOS 40, 45, 74C,
(EMI) externo generado por aparatos eléctricos, 74HC
líneas de transmisión, descargas atmosféricas, y 74HCT, desde los puntos de vista de
etc. velocidad y consumo de potencia.
Esta característica los hace excelentes en Como puede verse, los dispositivos fabricados
aplicaciones industriales y automotrices, donde son con tecnología CMOS de alta velocidad (HC)
comunes los altos niveles de ruido. son lo más próximo al ideal de familia lógica.
La tecnología HC proporciona el mejor
Otros circuitos integrados CMOS compromiso entre velocidad de operación y
consumo de potencia de todas las tecnologías de
Además de las series CMOS estándares 40 y 45
existen varias subfamilias CMOS cada vez más fabricación de citcuitos integrados digitales.
importantes. Las más conocidas son:
Comprende los
CMOS equivalente a
TTL.

dispositivos designados como 74CXX y 74CXXX


Entre los dispositivos TTL, excluyendo los de las estáticos excesivos entre ellos.
familias avanzadas, sobresalen por sus
características de velocidad y consumo los Otros métodos son puro sentido común: un
fabricados con tecnología Schottky de baja dispositivo CMOS no debe manipularse más de lo
potencia (LS). necesario. Esto es aplicable también a dispositivos
TTL Schottky y en general a cualquier circuito
En el momento actual, la 74LS es la serie integrado.
más importante de la familia TTL y la más
utilizada. Los dispositivos CMOS vienen generalmente
empacados en contenedores que sirven para
EL FENOMENO DE LAS reducir el riesgo de daño por descarga
DESCARGAS ELECTROSTATICAS electrostática y mantienen todos los pines al
mismo potencial. Los contenedores más comunes
DE LOS CMOS (espumas y fundas) antiestáticas) se ilustran en
la figura siguiente.
Todos los dispositivos CMOS son particularmente
susceptibles al daño por descarga electrostática Es prudente conservar los dispositivos CMOS en
(ESD) entre cualquier par de pines. sus contenedores originales hasta que sea
tiempo de utilizarlos en el circuito de aplicación.
La electrostática o electricidad estática consiste Cuando se manipulan dispositivos CMOS puede
en la creación, conciente o inconsciente, de los ser necesario adoptar precauciones extras para
altos voltajes en la superficie de un material prevenir descargas estáticas. Se recomienda, por
aislante por efecto de fricción o frotamiento. ejemplo, que el usuario y la superficie de trabajo
estén puestos a tierra, esta última a través de una
Esta sensibilidad a la carga estática se debe alta resistencia (2 a
a la extremadamente alta impedancia de 10 M).
entrada que caracteriza a los transistores
MOS. Otro método es incrementar la humedad
relativa del sitio de trabajo. Las herramientas
Esta alta impedancia permiten que se desarrollen también deberán estar preferiblemente puestas
fácilmente voltaje prohibitivos, capaces de a tierra.
destruir la delgada capa de óxido aislante que
separa la compuerta del canal en estos Las tarjetas de circuito impreso y en general los
dispositivos. productos terminados que contienen dispositivos
CMOS deberán ser manipulados de la misma
La electricidad estática está siempre presente forma que los circuitos integrados individuales y
en cualquier ambiente de trabajo. Se genera almacenarse en espumas o bolsas antiestáticas.
cada vez que se frotan dos materiales
diferentes. En resumen, existen tres reglas básicas para
utilizar circuitos integrados CMOS y prevenir su
Cuando usted camina a través de una alfombra daño por electricidad estática:
en un día seco, usted genera un voltaje estático
(créalo) de 1.- Conserve el circuito integrado en su
35000 V (35 KV) y manipulando una bolsa contenedor original hasta que sea insertado en
plástica usted genera 20000 (20 KV). el circuito de utilización.
Un circuito integrado CMOS se destruye con 2.- Conecte todas las entradas no utilizadas a un
voltajes estáticos entre 250 y 3000 V y cuando nivel estable; esto es, envíelas al positivo o al
usted lo manipula inadecuadamente puede negativo de la fuente, dependiendo del circuito. No
aplicarle hasta las deje flotantes.
6000 voltios de electricidad estática.
3.- Revise cuidadosamente la polaridad de la
El efecto inmediato de una descarga fuente de alimentación. El positivo debe ir al
electroestática de alto voltaje de un circuito terminal identificado como VDD o VCC y el negativo
integrado CMOS es la destrucción definitiva o el o tierra al terminal identificado como VSS o GND en
deterioro a corto o largo el manual del fabricante o en las especificaciones.
plazo de la capa de óxido aislante que separa la
compuerta del canal en sus transistores MOSFET
de entrada.

El daño por descarga electrostática de los


dispositivos CMOS puede ser controlado o incluso
eliminarse el uso de una estrategia apropiada de
prevención.

La idea básica detrás de la mayoría de técnicas


es mantener todos los pines del dispositivo al
mismo potencial, para evitar que se desarrollen
voltajes