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Facultad de Ingeniería
Escuela Profesional de Ingeniería Mecatrónica
TRABAJO DE ELECTRONICA DE
POTENCIA
AUTOR(es) :
MIRANDA CABANILLAS; Jherson Aaron
DOCENTE :
MANZANO RAMOS; Edgar Andre
CICLO :
VIII
Trujillo, Perú
UNIVERSIDAD NACIONAL DE TRUJILLO
3.1 Un rectificador de puente monofásico tiene una carga puramente resistiva R = 15, la tensión pico
de suministro Vm = 180 V y la frecuencia de suministro f = 60 Hz. Determine el voltaje de salida
promedio del rectificador si la inductancia de la fuente es despreciable.
2 𝑇/2
𝑉𝐶𝐷 = ∫ 𝑉𝑚 sin(𝜔𝑡) 𝑑𝑡
𝑇 0
1 1
𝑇= =
𝑓 60
Reemplazando en la formula
1/120
2
𝑉𝐶𝐷 = ∫ 180 sin(120𝜋𝑡) 𝑑𝑡
1/60 0
1
𝑉𝐶𝐷 = 21600 ∗ (− cos(120𝜋𝑡))|1/120
0
120𝜋
180 360
𝑉𝐶𝐷 = ∗ (1 + 1) =
𝜋 𝜋
𝑉𝐶𝐷 = 114.59 𝑉
3.3 Un rectificador de estrella de seis fases tiene una carga puramente resistiva de R = 15 Ω, la tensión
pico de suministro Vm = 180 V y la frecuencia de suministro f = 60 Hz. Determine el voltaje de salida
promedio del rectificador si la inductancia de la fuente es despreciable.
𝜋
2 𝑞
𝑉𝐶𝐷 = ∫ 𝑉𝑚 cos(𝜔𝑡) 𝑑(𝜔𝑡) 𝑑𝑜𝑛𝑑𝑒 𝑞 = 𝑛𝑢𝑚𝑒𝑟𝑜 𝑑𝑒 𝑑𝑖𝑜𝑑𝑜𝑠
2𝜋 0
𝑞
𝜋
2 6
𝑉𝐶𝐷 = ∫ 180 cos(𝜔𝑡) 𝑑(𝜔𝑡)
2𝜋 0
6
6 ∗ 180 𝜋/6
𝑉𝐶𝐷 = ∫ cos(𝜔𝑡) 𝑑(𝜔𝑡)
𝜋 0
6 ∗ 180
𝑉𝐶𝐷 = (sin(𝜔𝑡))|𝜋/6
0
𝜋
6 ∗ 180 1 540
𝑉𝐶𝐷 = ∗( )=
𝜋 2 𝜋
𝑉𝐶𝐷 = 171.887 𝑉
3.5 Un puente rectificador trifásico de la Figura 3.11 tiene una carga puramente resistiva de R = 40 Ω
y se suministra desde una fuente de 280 V, 60 Hz. El primario y secundario del transformador de
entrada. están conectados en Y. Determine el voltaje de salida promedio del rectificador si las
inductancias de la fuente son despreciables.
2 𝜋/6
𝑉𝐶𝐷 = ∫ √3𝑉𝑚 cos(𝜔𝑡) 𝑑(𝜔𝑡)
2𝜋 0
6
√2
𝑉𝑚 = ∗ 280
√3
Reemplazando en la formula
6√2 ∗ 280
𝑉𝐶𝐷 = (sin(𝜔𝑡))|𝜋/6
0
𝜋
3.17 El rectificador de media onda monofásico en la figura P3.16 tiene una carga puramente resistiva
de R. Determine (a) la eficiencia, (b) el FF, (c) el RF, (d) el TUF, (e) el PIV del diodo (f) el CF de la
corriente de entrada, y (g) la entrada PF. Supongamos que Vm = 100 V.
Cálculos previos
1 𝑇/2
𝑉𝐶𝐷 = ∫ 𝑉𝑚 sin(𝜔𝑡) 𝑑𝑡
𝑇 0
1 𝑇/2 2𝜋
𝑉𝐶𝐷 = ∫ 100 sin ( 𝑡) 𝑑𝑡
𝑇 0 𝑇
𝑇/2
100 𝑇 2𝜋
𝑉𝐶𝐷 = ∗ (− cos ( 𝑡))|
𝑇 2𝜋 𝑇 0
100 100
𝑉𝐶𝐷 = ∗ (1 + 1) =
2𝜋 𝜋
𝑉𝐶𝐷 = 31.831 𝑉
1 𝑇/2 2
𝑉𝑟𝑚𝑠 = √ ∫ (𝑉𝑚 sin(𝜔𝑡)) 𝑑𝑡
𝑇 0
2
1 𝑇/2 2𝜋
𝑉𝑟𝑚𝑠 = √ ∫ (100 sin ( 𝑡)) 𝑑𝑡
𝑇 0 𝑇
𝑇/2
1002 𝑇/2 𝑇 4𝜋
𝑉𝑟𝑚𝑠 = √ [(𝑡)0 − (sin ( 𝑡)) ]
𝑇 4𝜋 𝑇 0
1002 𝑇
𝑉𝑟𝑚𝑠 = √ [ ]
2∗𝑇 2
100
𝑉𝑟𝑚𝑠 =
2
𝑉𝑟𝑚𝑠 = 50 𝑉
a) Eficiencia
𝑉𝐶𝐷 𝑉𝐶𝐷
𝑃𝐶𝐷 𝑉𝐶𝐷 𝐼𝐶𝐷 𝑅 𝑉𝐶𝐷 2
𝜂= = = =( )
𝑃𝐶𝐴 𝑉𝑟𝑚𝑠 𝐼𝑟𝑚𝑠 𝑉𝑟𝑚𝑠 𝑉𝑟𝑚𝑠 𝑉𝑟𝑚𝑠
𝑅
100 2
𝜂 = ( 𝜋 ) = 0.4053 = 40.53%
50
b) FF
𝑉𝑟𝑚𝑠 50
𝜂= = = 1.5708 = 157.08%
𝑉𝐶𝐷 100
𝜋
c) RF
1 𝑇 2
𝑉𝑠 = √ ∫ (𝑉𝑚 sin(𝜔𝑡)) 𝑑𝑡
𝑇 0
2
1 𝑇 2𝜋
𝑉𝑠 = √ ∫ (100 sin ( 𝑡)) 𝑑𝑡
𝑇 0 𝑇
1002 𝑇 𝑇/2
2𝜋
𝑉𝑠 = √ [∫ 1 𝑑𝑡 − ∫ cos (2 ∗ 𝑡) 𝑑𝑡 ]
2∗𝑇 0 0 𝑇
𝑇/2
1002 𝑇 4𝜋
𝑉𝑠 = √ [(𝑡)𝑇0 − (sin ( 𝑡)) ]
𝑇 4𝜋 𝑇 0
1002
𝑉𝑠 = √ [𝑇]
2∗𝑇
100
𝑉𝑠 = = 70.711
√2
100 2
( 𝜋 )
𝑇𝑈𝐹 = = 0.2866
100
∗ 50
√2
e) Voltaje de bloqueo inverso pico (PIV) del diodo
𝑃𝐼𝑉 = 𝑉𝑚 = 100𝑉
f) CF de la corriente de entrada
𝐼𝑠(𝑝𝑖𝑐𝑜)
𝐶𝐹 =
𝐼𝑠
g) PF
𝑉𝑟𝑚𝑠 𝑉𝑟𝑚𝑠
𝑃𝐶𝐴 𝑉𝑟𝑚𝑠 𝐼𝑟𝑚𝑠 𝑅 𝑉𝑟𝑚𝑠
𝑃𝐹 = = = =
𝑉𝑠 𝐼𝑠 𝑉𝑠 𝐼𝑠 𝑉𝑠 ∗ 𝑉𝑟𝑚𝑠 𝑉𝑠
𝑅
50
𝑃𝐹 = = 0.7071
100
√2