Dispositivos semiconductores

Transistor de Unión Bipolar (BJT)

Miguel Sotaquirá, PhD

11 de julio de 2016
Ingenierı́a de Sonido - Universidad de San Buenaventura, Bogotá
Table of contents

1. Importancia en la Ingenierı́a de Sonido

2. Conceptos generales

3. Ejemplos de análisis de circuitos DC con transistores

4. Circuitos de polarización

5. Modelo de pequeña señal del BJT

6. Amplificadores: conceptos generales

7. Amplificadores BJT

8. Referencias
M. Sotaquirá - Dispositivos Semiconductores 1
Importancia en la Ingenierı́a de
Sonido
Algo de historia

Figura 1: Evolución en el tiempo de los dispositivos a base de transistores

M. Sotaquirá - Dispositivos Semiconductores 2

La electrónica analógica y el sonido

Figura 2: Diferentes aplicaciones para el procesamiento analógico de señales de audio

M. Sotaquirá - Dispositivos Semiconductores 3

Conceptos generales
Estructura

Figura 3: Estructura fı́sica (izquierda) y diagrama circuital (derecha) para los BJTs npn y pnp

M. Sotaquirá - Dispositivos Semiconductores 4

BJT npn: principio de funcionamiento (1)

Figura 4: Principio de funcionamiento en región activa

M. Sotaquirá - Dispositivos Semiconductores 5

BJT npn: principio de funcionamiento (2)

Figura 5: Principio de funcionamiento en región activa

M. Sotaquirá - Dispositivos Semiconductores 6

BJT npn: principio de funcionamiento (3)

Figura 6: Principio de funcionamiento en región activa

M. Sotaquirá - Dispositivos Semiconductores 7

BJT npn: principio de funcionamiento (4)

Figura 7: Principio de funcionamiento en región activa

Ecuaciones clave:
VBE
1. IC = Is e VT

M. Sotaquirá - Dispositivos Semiconductores 8

BJT npn: principio de funcionamiento (4)

Figura 7: Principio de funcionamiento en región activa

Ecuaciones clave:
VBE
1. IC = Is e VT

2. IC = βIB

M. Sotaquirá - Dispositivos Semiconductores 8

BJT npn: principio de funcionamiento (4)

Figura 7: Principio de funcionamiento en región activa

Ecuaciones clave:
VBE
1. IC = Is e VT

2. IC = βIB
β+1
3. IE = β

M. Sotaquirá - Dispositivos Semiconductores 8

BJT npn: regiones de operación

Región Diodo BE Diodo CB Caracterı́sticas

Activa En directa (VBE ≈ 0,7V ) En inversa (VCB > −0,4V ) IC = βIB ; IE ≈ IC

Corte En inversa (VBE < 0,7) En inversa (VCB > −0,4V ) IC = 0 e independiente del valor de VCE
Saturación En directa (VBE ≈ 0,7V ) En directa (VCB ≈ −0,4V ) VCE = VBE + VCB ≈ 0,3V ; IC : “baja”

M. Sotaquirá - Dispositivos Semiconductores 9

Curva voltaje-corriente (v-i)

IC!

Activa!

Saturación!

Corte!
VCE!
0.3 V!

Figura 8: Curva v − i y regiones de operación

M. Sotaquirá - Dispositivos Semiconductores 10

Ejemplos de análisis de circuitos
DC con transistores
Análisis de circuitos DC con BJTs (1)

Ejemplo 1
El transistor de la figura tiene un β = 80 y está conectado en la configuración
“base común”. Suponga que la corriente del emisor es constante e igual a 1.2
mA. (a) Determine IB , IC y VC ; (b) Repita la parte (a) suponiendo que
IE = 0,8mA; (c) Repita (a) y (b) asumiendo β = 120.

M. Sotaquirá - Dispositivos Semiconductores 11

Análisis de circuitos DC con BJTs (2)

Ejemplo 2
Todos los transistores de la figura tienen un β = 75 y los resultados de
algunas mediciones se muestran en las figuras. Encuentre los valores de los
otros voltajes, corrientes y/o resistencias indicados en las figuras.

M. Sotaquirá - Dispositivos Semiconductores 12

Análisis de circuitos DC con BJTs (3)

Ejemplo 3
Cada transistor en el circuito de la figura tiene un β = 200. Calcule IE 1 , IE 2 ,
VC 1 y VC 2 .

M. Sotaquirá - Dispositivos Semiconductores 13

Análisis de circuitos DC con BJTs (4)

Ejemplo 4
Para el circuito de la figura: (a) Determine IBQ , ICQ y VCEQ asumiendo
β = 80; (b) Determine el cambio porcentual de los anteriores parámetros si
ahora β = 120.

M. Sotaquirá - Dispositivos Semiconductores 14

Circuitos de polarización
Polarización por divisor de voltaje (1)

Ecuaciones caracterı́sticas:

Figura 9: Circuito de polarización por

divisor de voltaje

M. Sotaquirá - Dispositivos Semiconductores 15

Polarización por divisor de voltaje (1)

Ecuaciones caracterı́sticas:
R2
1. VBB = R1 +R2 VCC

Figura 9: Circuito de polarización por

divisor de voltaje

M. Sotaquirá - Dispositivos Semiconductores 15

Polarización por divisor de voltaje (1)

Ecuaciones caracterı́sticas:
R2
1. VBB = R1 +R2 VCC
2. RB = R1 ||R2

Figura 9: Circuito de polarización por

divisor de voltaje

M. Sotaquirá - Dispositivos Semiconductores 15

Polarización por divisor de voltaje (1)

Ecuaciones caracterı́sticas:
R2
1. VBB = R1 +R2 VCC
2. RB = R1 ||R2
VBB −VBE
3. IE ≈ RB
RE + β+1

Figura 9: Circuito de polarización por

divisor de voltaje

M. Sotaquirá - Dispositivos Semiconductores 15

Polarización por divisor de voltaje (1)

Ecuaciones caracterı́sticas:
R2
1. VBB = R1 +R2 VCC
2. RB = R1 ||R2
VBB −VBE
3. IE ≈ RB
RE + β+1

Condiciones para garantizar estabilidad

frente a variaciones de temperatura y de β:

Figura 9: Circuito de polarización por

divisor de voltaje

M. Sotaquirá - Dispositivos Semiconductores 15

Polarización por divisor de voltaje (1)

Ecuaciones caracterı́sticas:
R2
1. VBB = R1 +R2 VCC
2. RB = R1 ||R2
VBB −VBE
3. IE ≈ RB
RE + β+1

Condiciones para garantizar estabilidad

frente a variaciones de temperatura y de β:
1. VBB >> VBE

Figura 9: Circuito de polarización por

divisor de voltaje

M. Sotaquirá - Dispositivos Semiconductores 15

Polarización por divisor de voltaje (1)

Ecuaciones caracterı́sticas:
R2
1. VBB = R1 +R2 VCC
2. RB = R1 ||R2
VBB −VBE
3. IE ≈ RB
RE + β+1

Condiciones para garantizar estabilidad

frente a variaciones de temperatura y de β:
1. VBB >> VBE
RB
2. RE >> β+1

Figura 9: Circuito de polarización por

divisor de voltaje

M. Sotaquirá - Dispositivos Semiconductores 15

Polarización por divisor de voltaje (2)

Ejemplo 5
Diseñe el circuito de polarización del transistor 2N3904 de forma tal
que la corriente de colector sea de 1 mA. Asuma un voltaje de
polarización igual a 12 V . Calcule el ı́ndice de variación del punto Q
frente a cambios de VBE (debidos a la temperatura) y de β. Por último,
determine todas las corrientes y voltajes en cada uno de los terminales
del transistor.

M. Sotaquirá - Dispositivos Semiconductores 16

Polarización por espejo de corriente (1)

Ecuaciones caracterı́sticas:

Figura 10: Diagrama circuital de un

espejo de corriente

M. Sotaquirá - Dispositivos Semiconductores 17

Polarización por espejo de corriente (1)

Ecuaciones caracterı́sticas:
VCC −(−VEE )−VBE
1. IREF = R

Figura 10: Diagrama circuital de un

espejo de corriente

M. Sotaquirá - Dispositivos Semiconductores 17

Polarización por espejo de corriente (1)

Ecuaciones caracterı́sticas:
VCC −(−VEE )−VBE
1. IREF = R
2. I = IREF

Figura 10: Diagrama circuital de un

espejo de corriente

M. Sotaquirá - Dispositivos Semiconductores 17

Polarización por espejo de corriente (1)

Ecuaciones caracterı́sticas:
VCC −(−VEE )−VBE
1. IREF = R
2. I = IREF
Condiciones y caracterı́sticas principales:

Figura 10: Diagrama circuital de un

espejo de corriente

M. Sotaquirá - Dispositivos Semiconductores 17

Polarización por espejo de corriente (1)

Ecuaciones caracterı́sticas:
VCC −(−VEE )−VBE
1. IREF = R
2. I = IREF
Condiciones y caracterı́sticas principales:
1. V − (−VEE ) > 0,3V

Figura 10: Diagrama circuital de un

espejo de corriente

M. Sotaquirá - Dispositivos Semiconductores 17

Polarización por espejo de corriente (1)

Ecuaciones caracterı́sticas:
VCC −(−VEE )−VBE
1. IREF = R
2. I = IREF
Condiciones y caracterı́sticas principales:
1. V − (−VEE ) > 0,3V
2. I es idéntica a IREF (de ahı́ el nombre:
espejo de corriente)

Figura 10: Diagrama circuital de un

espejo de corriente

M. Sotaquirá - Dispositivos Semiconductores 17

Polarización por espejo de corriente (1)

Ecuaciones caracterı́sticas:
VCC −(−VEE )−VBE
1. IREF = R
2. I = IREF
Condiciones y caracterı́sticas principales:
1. V − (−VEE ) > 0,3V
2. I es idéntica a IREF (de ahı́ el nombre:
espejo de corriente)
3. I es independiente de la carga
conectada al colector de Q2
Figura 10: Diagrama circuital de un
espejo de corriente

M. Sotaquirá - Dispositivos Semiconductores 17

Polarización por espejo de corriente (1)

Ecuaciones caracterı́sticas:
VCC −(−VEE )−VBE
1. IREF = R
2. I = IREF
Condiciones y caracterı́sticas principales:
1. V − (−VEE ) > 0,3V
2. I es idéntica a IREF (de ahı́ el nombre:
espejo de corriente)
3. I es independiente de la carga
conectada al colector de Q2
Figura 10: Diagrama circuital de un
espejo de corriente
4. Por tanto, un espejo de corriente es
una fuente de corriente
independiente

M. Sotaquirá - Dispositivos Semiconductores 17

Polarización por espejo de corriente (2)

Ventajas de esta polarización:

Figura 11: Transistor BJT polarizado

con un espejo de corriente
(representado por I )

M. Sotaquirá - Dispositivos Semiconductores 18

Polarización por espejo de corriente (2)

Ventajas de esta polarización:

1. IE es independiente de las variaciones
de β o de la temperatura

Figura 11: Transistor BJT polarizado

con un espejo de corriente
(representado por I )

M. Sotaquirá - Dispositivos Semiconductores 18

Polarización por espejo de corriente (2)

Ventajas de esta polarización:

1. IE es independiente de las variaciones
de β o de la temperatura
2. IE es independiente del transistor
usado, de RB o de RC

Figura 11: Transistor BJT polarizado

con un espejo de corriente
(representado por I )

M. Sotaquirá - Dispositivos Semiconductores 18

Polarización por espejo de corriente (2)

Ventajas de esta polarización:

1. IE es independiente de las variaciones
de β o de la temperatura
2. IE es independiente del transistor
usado, de RB o de RC
3. El diseño circuital se simplifica

Figura 11: Transistor BJT polarizado

con un espejo de corriente
(representado por I )

M. Sotaquirá - Dispositivos Semiconductores 18

Polarización por espejo de corriente (3)

Ejemplo 6
Diseñe el circuito de polarización por espejo de corriente del transistor
2N3904 de forma tal que la corriente de colector sea de 1 mA. Asuma
VCC = | − VEE | = 12V . El diseño equivale a obtener los valores de R,
RB y RC garantizando que todos los transistores operan en la región
activa. Por último, determine todas las corrientes y voltajes en cada uno
de los terminales del transistor polarizado.

M. Sotaquirá - Dispositivos Semiconductores 19

Modelo de pequeña señal del
BJT
Objetivo de la polarización DC

Fijar el punto de operación Q (VCE Q , ICQ ) (idealmente en la mitad de la

recta de carga):

IC!

Saturación!
IC Activa!

+
VCEQ Q!
IC!
-

VCE!
VCEQ! Corte!

Figura 12: Circuito de polarización (izquierda) y ubicación del punto Q en la recta de carga
(derecha)

M. Sotaquirá - Dispositivos Semiconductores 20

Efecto de añadir una señal AC “pequeña”

Desplaza el punto de operación Q (VCE Q + vce (t), ICQ + ic (t)):

IC!

Saturación!
Activa!

Señal AC! Q!
IC!
“pequeña”!

VCE!
VCEQ! Corte!

Figura 13: Señal AC “pequeña” conectada al circuito de polarización (izquierda) y variación del
punto Q en la recta de carga (derecha)

M. Sotaquirá - Dispositivos Semiconductores 21

Modelo diodo BE (1)

Suponiendo región activa1 :

vBE TOTAL = VBE Q + vbe (t) (1)

vBE
TOTAL
iBTOTAL = Is e VT
(2)

Reemplazando (1) en (2) y simplificando:

iBTOTAL = Is e VBE Q /VT e vbe (t)/VT (3)

1 —: DC, —: AC
M. Sotaquirá - Dispositivos Semiconductores 22
Modelo diodo BE (2)

Condición de pequeña señal

vbe (t) << VT (26 mV )

y usando aproximación por series para la exponencial2 :

e vbe (t)/VT ≈ 1 + vbe (t)/VT (4)

Reemplazando (4) en (3) y reorganizando:

 
IB
iBTOTAL = IB + vbe (t) (5)
VT

2 —: DC, —: AC
M. Sotaquirá - Dispositivos Semiconductores 23
Modelo diodo BE (3)

Tomando únicamente la componente AC de la corriente obtenida en (5)3 :

 
IB
ib = vbe (6)
VT

Se encuentra un término de proporcionalidad entre vbe e ib dado por:

Resistencia base-emisor
VT
rπ = [Ω] (7)
IB

El modelo del diodo BE es simplemente una resistencia con valor rπ .

3 —: DC, —: AC
M. Sotaquirá - Dispositivos Semiconductores 24
Modelo diodo CB

En región activa el diodo CB estará polarizado en inversa, y por tanto:

Modelo equivalente
El modelo del diodo CB es simplemente un circuito abierto.

M. Sotaquirá - Dispositivos Semiconductores 25

Modelo entre C y E (1)

Suponiendo región activa4 :

ic = βib (8)

IC = βIB (9)

vbe VT
rπ = = (10)
ib IB

Despejando ib de (8) e IB de (9), reemplazando en (10) y reorganizando:

vbe VT
= (11)
ic IC
4 —: DC, —: AC
M. Sotaquirá - Dispositivos Semiconductores 26
Modelo entre C y E (2)

Despejando ic de (11)5 :

 
IC
ic = vbe (12)
VT

Se encuentra un término de proporcionalidad entre ic y vbe dado por:

Transconductancia
IC −1
gm = [Ω , A/V ] (13)
VT

El modelo entre C y E (según las ecuaciones (12) y (13)) es

simplemente una fuente de corriente controlada por voltaje.

5 —: DC, —: AC
M. Sotaquirá - Dispositivos Semiconductores 27
Modelo completo del BJT: con gm

VT
1. rπ = IB [Ω]
2. gm = VICT [Ω−1 , A/V ]
3. ro : resistencia interna C − E
(fabricante)
Figura 14: Modelo de pequeña señal del BJT
usando gm

M. Sotaquirá - Dispositivos Semiconductores 28

Modelo completo del BJT: con β

βib
VT
1. rπ = IB [Ω]
2. ro : resistencia interna C − E
(fabricante)

Figura 15: Modelo de pequeña señal del BJT

usando β

M. Sotaquirá - Dispositivos Semiconductores 29

Amplificadores: conceptos
generales
Parámetros básicos de cualquier amplificador

Resistencia de salida

Resistencia de Ganancia (de

entrada voltaje, corriente o
potencia)

Figura 16: Ganancias, resistencias de entrada y de salida de un amplificador

M. Sotaquirá - Dispositivos Semiconductores 30

Acople señal de entrada - amplificador

Figura 17: Acoplamiento entre la señal de entrada y el amplificador

M. Sotaquirá - Dispositivos Semiconductores 31

Acople señal de entrada - amplificador

Figura 17: Acoplamiento entre la señal de entrada y el amplificador

Rin >> Rsig (resistencia de entrada alta) garantiza un adecuado

acoplamiento.
M. Sotaquirá - Dispositivos Semiconductores 31
Acople amplificador - carga

Figura 18: Acoplamiento entre el amplificador y la carga

M. Sotaquirá - Dispositivos Semiconductores 32

Acople amplificador - carga

Figura 18: Acoplamiento entre el amplificador y la carga

Ro << RL (resistencia de salida baja) garantiza un adecuado

acoplamiento.

M. Sotaquirá - Dispositivos Semiconductores 32

Caracterı́sticas ideales de un amplificador

1. Rin (resistencia de entrada):

ALTA (comparada con Rsig )
2. Ro (resistencia de salida):
BAJA (comparada con RL )
3. Avo (ganancia de voltaje):
depende de la aplicación
(puede ser alta o baja, o puede
no ser necesaria la
Figura 19: Parámetros caracterı́sticos de un amplificación)
amplificador

M. Sotaquirá - Dispositivos Semiconductores 33

Amplificadores BJT
Con divisor de voltaje, resistencia de emisor y salida por colector

Desacople DC

Figura 20: Diagrama circuital

M. Sotaquirá - Dispositivos Semiconductores 34

Con divisor de voltaje, resistencia de emisor y salida por colector

Desacople DC

βRC
1. Av = vo
vi = − rπ +(β+1)RE
≈ − RRCE
2. Rin = RB ||[rπ + (β + 1)RE ]
3. Ro = RC

Figura 20: Diagrama circuital

M. Sotaquirá - Dispositivos Semiconductores 34

Con divisor de voltaje, resistencia de emisor y salida por colector

Desacople DC

βRC
1. Av = vo
vi = − rπ +(β+1)RE
≈ − RRCE
2. Rin = RB ||[rπ + (β + 1)RE ]
3. Ro = RC

Figura 20: Diagrama circuital

Esta configuración se usa para amplificar señales de voltaje

M. Sotaquirá - Dispositivos Semiconductores 34

Con divisor de voltaje, capacitor de desvı́o y salida por colector

Desacople DC

Capacitor
de desvío

Figura 21: Diagrama circuital

M. Sotaquirá - Dispositivos Semiconductores 35

Con divisor de voltaje, capacitor de desvı́o y salida por colector

Desacople DC

βRC
1. Av = vvoi = − rπ +(β+1)RE
=
−gm RC
2. Rin = RB ||rπ
Capacitor
de desvío 3. Ro = RC

Figura 21: Diagrama circuital

M. Sotaquirá - Dispositivos Semiconductores 35

Con divisor de voltaje, capacitor de desvı́o y salida por colector

Desacople DC

βRC
1. Av = vvoi = − rπ +(β+1)RE
=
−gm RC
2. Rin = RB ||rπ
Capacitor
de desvío 3. Ro = RC

Figura 21: Diagrama circuital

Esta configuración se usa para amplificar señales de voltaje. Comparada

con la configuración sin capacitor de desvı́o: posee una ganancia más
alta y una impedancia de entrada más baja

M. Sotaquirá - Dispositivos Semiconductores 35

Con divisor de voltaje y salida por emisor

Desacople DC

Figura 22: Diagrama circuital

M. Sotaquirá - Dispositivos Semiconductores 36

Con divisor de voltaje y salida por emisor

Desacople DC

vo (β+1)RE
1. Av = vi = rπ +(β+1)RE ≈1
2. Rin = RB ||[rπ + (β + 1)RE ]
 
3. Ro = RE || Rβ+1
B +rπ

Figura 22: Diagrama circuital

M. Sotaquirá - Dispositivos Semiconductores 36

Con divisor de voltaje y salida por emisor

Desacople DC

vo (β+1)RE
1. Av = vi = rπ +(β+1)RE ≈1
2. Rin = RB ||[rπ + (β + 1)RE ]
 
3. Ro = RE || Rβ+1
B +rπ

Figura 22: Diagrama circuital

Esta configuración se usa para acoplar señales de voltaje. Se conoce

como acoplador de impedancias o seguidor de voltaje

M. Sotaquirá - Dispositivos Semiconductores 36

Con divisor de voltaje, ganancia variable y salida por colector

Desacople DC

Ajuste
ganancia

Figura 23: Diagrama circuital

M. Sotaquirá - Dispositivos Semiconductores 37

Con divisor de voltaje, ganancia variable y salida por colector

Desacople DC

vo βRC
1. Av = vi = − rπ +(β+1)RE ||Rpot

2. Rin = RB ||[rπ + (β + 1)RE ||Rpot ]

Ajuste
ganancia 3. Ro = RC

Figura 23: Diagrama circuital

M. Sotaquirá - Dispositivos Semiconductores 37

Con divisor de voltaje, ganancia variable y salida por colector

Desacople DC

vo βRC
1. Av = vi = − rπ +(β+1)RE ||Rpot

2. Rin = RB ||[rπ + (β + 1)RE ||Rpot ]

Ajuste
ganancia 3. Ro = RC

Figura 23: Diagrama circuital

Esta configuración se usa para amplificar señales de voltaje y además

Rpot permite el ajuste de ganancia

M. Sotaquirá - Dispositivos Semiconductores 37

Referencias
Referencias

Algunas imágenes fueron tomadas de:

1. Sedra, Adel S., and Kenneth Carless Smith. Microelectronic circuits.

Vol. 3. New York: Oxford University Press, 2005.
2. Neamen, Donald A. Semiconductor physics and devices.
McGraw-Hill Higher Education, 2003.
3. Malvino, Albert. Electronic principles. McGraw-Hill, 2004.
4. Wikipedia.org (diferentes URLs). Última revisión: Julio 8-2016.

M. Sotaquirá - Dispositivos Semiconductores 38