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DEPARTAMENTO DE ELECTRICIDAD
LABORATORIO Nº 1
En bajas frecuencias existe una caída en la ganancia Av, debido a que los capacitores C2 y Cs
incrementa su reactancia ( ) con la frecuencia, cuanto más disminuye la frecuencia menor será
la ganancia, es por eso que cuanto más bajo es la frecuencia más pequeña es la ganancia y
cuanto más crece la frecuencia también crece la ganancia Av , por que disminuye la reactancia
de los capacitores C2 y Cs. La frecuencia de corte está determinado por el capacitor Cs ya que
esta trabaja a una frecuencia mayor que C1 y C2.
En frecuencia medias los capacitores C1 , C2 y Cs se comportan como corto circuitos por que
tienen muy baja impedancia casi cero, entonces quiere decir que no afectarían a la señal de
entrada y permitirían que el transistor FET trabaje amplificando la señal de entrada casi en
forma constante, hasta que llegue la frecuencia de corte en altas frecuencias.
En altas frecuencias los capacitores C1, C2 y Cs siguen funcionando como corto circuitos, pero
aparecen en el transistor capacitancias Cgs, Cgd y Cds. Para determinar la frecuencia de corte
en altas frecuencias se encuentra un capacitor equivalente Cx, mediante el teorema de Miller y
una frecuencia a la que queremos cortar a un ancho de banda dado.
También del programa tendremos los parámetros los parámetros VGS y VDS que nos ayudara a
calcular las resistencias RG,RD y RS. Una vez definida la fuente de tensión DC a utilizar se calcula:
𝑉𝑅𝑆
𝑅𝑠 = − = [342.37Ω] ≅ [360Ω]
𝐼𝐷
𝑉𝑅𝐷
𝑅𝑑 = = [1.54KΩ] ≅ [1.5𝐾Ω]
𝐼𝐷
𝑉2
𝑅2 = = [5.6KΩ] ≅ [5.6𝐾Ω]
𝑖
𝑉1
𝑅1 = = [90.4KΩ] ≅ [100𝐾Ω]
𝑖
Recta de carga en DC
Entrada:
Salida:
I3. Mostrar el diseño y cálculos realizados para hallar la ganancia y las frecuencias de
corte en bajas y altas correspondiente a P4.
2(𝑋 + 𝑌)
ΔVdB = 10 + = 13.2 ± 1[𝑑𝐵]
5
13.2
Si: ΔVdB = 20 log ΔV ⇒ ΔV = 10( 20 ) = 4.57[𝐿]
𝑔𝑚 = 5.35 ∗ 10−3
𝑉𝑜 𝑉𝑔𝑠 (𝑅𝑖 +𝑅𝑔 )
∆𝑉 = ; 𝑉𝑜 = −𝑔𝑚 𝑉𝑔𝑠 (𝑟𝑑𝑠 /⁄𝑅𝑑 /⁄𝑅𝐿 ) ; 𝑉𝑖 =
𝑉𝑖 𝑅𝑔
Despejando 𝑅𝐿 :
𝑅𝐿 = 1984.08[Ω] ≅ 2[𝐾Ω]
Impedancia de Entrada:
𝑍𝑖 = (𝑅1 ∥ 𝑅2 ∥ 𝑅𝑉𝑔𝑠 )
𝑍𝑖 = 1296.50[Ω]
𝑉𝐷𝑆
𝑅𝑉𝑔𝑠 = = 1.4[KΩ]
𝐼𝐷
Impedancia de salida:
𝑍𝑜 = (𝑟𝑑𝑠 ∥ 𝑅𝐷 ∥ 𝑅𝐿 ) ≅ 𝑍𝑖 = (𝑅𝐷 ∥ 𝑅𝐿 )
𝑍𝑜 = 857.14[Ω]
Despejando 𝐶𝑥 :
1
𝑓𝑐𝑥 =
2𝜋(𝑅𝑖 /⁄𝑅1 //𝑅2 )[𝐶𝐺𝑆 + (𝐶𝑋 + 𝐶𝐺𝐷 )(1 − Δ𝑉) + 𝐶𝐺𝑆 ]
1
𝐶𝑥 = ≅ 81.64[𝑛𝐹]
2𝜋𝑓𝑐𝑥 (𝑅𝑖 )(1 − Δ𝑉)
1
𝑓𝑥´ =
1
2𝜋(𝑟𝑑𝑠 /⁄𝑅𝐷 /⁄𝑅𝐿 ) [(𝐶´𝑋 + 𝐶𝐺𝐷 ) (1 − Δ𝑉 ) + 𝐶𝐷𝑆 ]
1
𝐶´𝑥 = ≅ 435.27[𝑝𝐹]
1
2𝜋𝑓´𝑐𝑥 (𝑅𝐷 /⁄𝑅𝐿 )(1 − Δ𝑉 )
Promediando:
(𝐶𝑥 + 𝐶´𝑥 )
̅̅̅
𝐶𝑥 =
2
̅̅̅
𝐶𝑥 = 41.036[𝑝𝐹
I4. Mostrar los resultados obtenidos, tanto teóricos, en simulación, como prácticos,
debido a la variación de Cx, según L3.
Ganancia [dB]
Ganancia [dB]
Ganancia BW [KHz]
Teo [dB]
13. 35
ría
Simulació 2
13. 0
36
nPráctica 7
13. 9
33
9 3
• El uso de Software de simulación como Pspice fue muy útil para lograr, de manera óptima, los
cálculos de polarización. Siendo posible también la visualización del ancho de banda y ganancia de
voltaje.