Você está na página 1de 22
Universidade Federal da Bahia Escola Politécnica Departamento de Engenharia Elétrica Disciplina Eletrônica de Potência

Universidade Federal da Bahia Escola Politécnica Departamento de Engenharia Elétrica

Disciplina Eletrônica de Potência (ENGC48)

Tema: Comutação e Perdas Térmicas

Eduardo Simas

( eduardo.simas@ufba.br )

Sumário

Introdução

Circuitos Amaciadores (Snubbers)

Perdas Térmicas

Exercícios de Fixação

 Introdução  Circuitos Amaciadores ( Snubbers )  Perdas Térmicas  Exercícios de Fixação D

DEE

2/22

1. Introdução

1. Introdução D E E 3/22

DEE

3/22

Introdução

Na montagem de conversores eletrônicos de potência é necessário considerar aspectos práticos como:

A necessidade de circuitos de proteção para as chaves semicondutoras (conhecidos como circuitos amaciadores ou snubbers).

As perdas térmicas associadas à dissipação de potência nos dispositivos semicondutores e utilização de sistemas dissipadores de calor.

Estes aspectos serão abordados a seguir.

e utilização de sistemas dissipadores de calor.  Estes aspectos serão abordados a seguir. D E

DEE

4/22

2. Circuitos Amaciadores

2. Circuitos Amaciadores D E E 5/22

DEE

5/22

Circuitos Amaciadores

A função de um circuito amaciador é reduzir o “esforço elétrico” sobre o dispositivo durante o chaveamento para níveis dentro dos limites suportados.

Os circuitos amaciadores podem ser projetados para:

Limitar o pico de tensão no transitório de desligamento

Limitar a taxa de crescimento da tensão (dv/dt) , lembrando que os tiristores podem ser disparados de modo forçado se a taxa de variação da tensão for

alta.

Controlar as características de chaveamento de transistores.

Etc.

variação da tensão for alta.  Controlar as características de chaveamento de transistores.  Etc. D

DEE

6/22

Amaciadores para limitar dV/dt

Um circuito RC conectado em paralelo com o dispositivo semicondutor (diodo, tiristor, TRIAC, GTO, etc) é capaz de:

Reduzir a taxa de crescimento da tensão (reversa ou

direta).

Limitar os picos de tensão sobre o dispositivo.

A tensão no dispositivo segue a dinâmica imposta pela rede RC.

Quando o SCR é ligado o capacitor C se descarrega,

ocasionando um pico de corrente no dispositivo semicondutor que é limitado pelo resistor R.

ocasionando um pico de corrente no dispositivo semicondutor que é limitado pelo resistor R. D E

DEE

Circuito Tipo 1

ocasionando um pico de corrente no dispositivo semicondutor que é limitado pelo resistor R. D E

7/22

Amaciadores para limitar dV/dt

Neste caso o pico de corrente produzido pela descarga do capacitor pode ser minimizado pela escolha adequada dos resistores R1 e R2.

Com R1 << R2:

Enquanto a tensão direta sobre o tiristor aumenta é criado um caminho de baixa resistência para a carga

do capacitor (Req ≈ R1//R2);

Quando o tiristor é disparado a descarga do capacitor ocorre apenas através de R2, limitando a corrente enviada para o dispositivo semicondutor.

ocorre apenas através de R2, limitando a corrente enviada para o dispositivo semicondutor. D E E

DEE

Circuito Tipo 2

ocorre apenas através de R2, limitando a corrente enviada para o dispositivo semicondutor. D E E

8/22

Amaciadores para limitar dV/dt

De modo semelhante ao circuito 2, o diodo cria um caminho preferencial para a corrente de carga do capacitor enquanto o tiristor está em bloqueio direto.

Com o acionamento do dispositivo semicondutor, a

energia armazenada no capacitor é descarregada através de R e L.

O indutor impede que ocorra um pico de corrente no dispositivo semicondutor devido à descarga do capacitor.

que ocorra um pico de corrente no dispositivo semicondutor devido à descarga do capacitor. D E

DEE

Circuito Tipo 3

que ocorra um pico de corrente no dispositivo semicondutor devido à descarga do capacitor. D E

9/22

Amaciadores para Chaveamento de Transistores

Os transistores de potência (TBJ, MOSFET, IGBT, etc) se comportam de modo

diferente de uma “chave ideal” durante os transitórios de chaveamento:

DEE
DEE

Dependendo das características do circuito podem ocorrer:

Picos de corrente

Corrente de bloqueio

não nula

Tensão no estado

ligado não nula

Chaveamentos não

instantâneos

etc

É interessante a utilização de circuitos auxiliares (amaciadores) que minimizem algumas destas características.

10/22

Amaciadores para Chaveamento de Transistores

O circuito amaciador pode ser utilizado para manter o dispositivo dentro da região de operação segura.

O circuito amaciador pode ser utilizado para manter o dispositivo dentro da região de operação segura.

DEE

O circuito amaciador pode ser utilizado para manter o dispositivo dentro da região de operação segura.

11/22

Amaciadores para Chaveamento de Transistores

Considerando as características dinâmicas, o aumento de Vce é atrasado, evitando o pico de dissipação de potência, e consequentemente protegendo e aumentando a vida útil do dispositivo.

DEE
DEE

12/22

3. Perdas Térmicas

3. Perdas Térmicas D E E 13/22

DEE

13/22

Introdução

A circulação de corrente elétrica provoca dissipação de potência.

A potência dissipada converte-se em calor por efeito Joule.

Relações entre potência e energia:

1 J = 1 W.s

1 cal = 4,187 J

Os semicondutores são projetados para operar dentro de uma certa faixa de temperatura.

Deste modo, é necessário estabelecer critérios para o dimensionamento de sistemas de dissipação de calor para os componentes eletrônicos.

critérios para o dimensionamento de sistemas de dissipação de calor para os componentes eletrônicos. D E

DEE

14/22

Estimativa das Perdas (aprox. linear)

Considerando um dispositivo semicondutor genérico: Desligado Ligado Desligado
Considerando um dispositivo
semicondutor genérico:
Desligado
Ligado
Desligado
Perdas (aprox. linear) Considerando um dispositivo semicondutor genérico: Desligado Ligado Desligado D E E 15/22
Perdas (aprox. linear) Considerando um dispositivo semicondutor genérico: Desligado Ligado Desligado D E E 15/22
Perdas (aprox. linear) Considerando um dispositivo semicondutor genérico: Desligado Ligado Desligado D E E 15/22
Perdas (aprox. linear) Considerando um dispositivo semicondutor genérico: Desligado Ligado Desligado D E E 15/22
Perdas (aprox. linear) Considerando um dispositivo semicondutor genérico: Desligado Ligado Desligado D E E 15/22
Perdas (aprox. linear) Considerando um dispositivo semicondutor genérico: Desligado Ligado Desligado D E E 15/22
Perdas (aprox. linear) Considerando um dispositivo semicondutor genérico: Desligado Ligado Desligado D E E 15/22

DEE

Perdas (aprox. linear) Considerando um dispositivo semicondutor genérico: Desligado Ligado Desligado D E E 15/22
Perdas (aprox. linear) Considerando um dispositivo semicondutor genérico: Desligado Ligado Desligado D E E 15/22
Perdas (aprox. linear) Considerando um dispositivo semicondutor genérico: Desligado Ligado Desligado D E E 15/22
Perdas (aprox. linear) Considerando um dispositivo semicondutor genérico: Desligado Ligado Desligado D E E 15/22
Perdas (aprox. linear) Considerando um dispositivo semicondutor genérico: Desligado Ligado Desligado D E E 15/22
Perdas (aprox. linear) Considerando um dispositivo semicondutor genérico: Desligado Ligado Desligado D E E 15/22
Perdas (aprox. linear) Considerando um dispositivo semicondutor genérico: Desligado Ligado Desligado D E E 15/22

15/22

Comportamento em Regime Permanente

Resistência Térmica:

em Regime Permanente  Resistência Térmica:  Analogia com circuito elétrico: D E E S e

Analogia com circuito elétrico:

Resistência Térmica:  Analogia com circuito elétrico: D E E S e n d o :

DEE

Térmica:  Analogia com circuito elétrico: D E E S e n d o : Tj

Sendo:

Tj Temp. na Junção Tc Temp. na Cápsula

Ta Temp. Ambiente

Td Temp. no Dissipador

d o : Tj – Temp. na Junção Tc – Temp. na Cápsula Ta – Temp.

16/22

Comportamento em Regime Permanente

Utilizando o dissipador de calor:

Comportamento em Regime Permanente  Utilizando o dissipador de calor: D E E 17/22
Comportamento em Regime Permanente  Utilizando o dissipador de calor: D E E 17/22
Comportamento em Regime Permanente  Utilizando o dissipador de calor: D E E 17/22
Comportamento em Regime Permanente  Utilizando o dissipador de calor: D E E 17/22
Comportamento em Regime Permanente  Utilizando o dissipador de calor: D E E 17/22

DEE

17/22

Comportamento com Ventilação Forçada

O valor de Rtda é inversamente proporcional à velocidade do ar em ventilação forçada

Forçada  O valor de Rtda é inversamente proporcional à velocidade do ar em ventilação forçada

DEE

Forçada  O valor de Rtda é inversamente proporcional à velocidade do ar em ventilação forçada

18/22

Exemplos de Dissipadores de Calor

 DEE
DEE
Exemplos de Dissipadores de Calor  DEE 19/22
Exemplos de Dissipadores de Calor  DEE 19/22

19/22

4. Exercícios de Fixação

4. Exercícios de Fixação D E E 20/22

DEE

20/22

Exercícios de Fixação

1)

Um MOSFET utilizado num conversor DC-DC abaixador tem perda no estado ligado igual a 50 W, ciclo de trabalho 50 % e perda de chaveamento dada por: 10 -3 fs (em watts), sendo fs a frequência de chaveamento em Hz. A resistência térmica da junção para a cápsula é Rtjc = 1 o C/W e máxima temperatura na junção igual a 150 o C. Assumindo que os tempos de comutação do dispositivo são desprezíveis e que a temperatura na capusula é 50 o C, calcule a máxima frequência de chaveamento que pode ser utilizada no dispositivo.

2)

O MOSFET da Questão 01 é montado juntamente com um dissipador de calor. Sabendo que a temperatura ambiente é de 35 o C e que a Resistência Térmica entre a cápsula e o ambiente é da ordem 0,5 o C/W, encontre a resistência térmica necessária para o dissipador de calor de modo que o dispositivo possa operar com uma margem de segurança de 20 % em relação à máxima temperatura na junção.

3)

Para o diodo BYC8-600 encontre a frequência máxima de chaveamento que garante que a máxima temperatura de operação no dispositivo seja menor que 70 % da temperatura máxima permitida.

4)

Um certo dispositivo semicondutor dissipa 10 w durante o ciclo de operação. Considerando que Rtjc = 4 o C/W e Rtca = 60 o C/W, verifique a necessidade de utilização de dissipador de calor se a temperatura máxima da junção é 150 o C. Caso seja necessário utilizar um dissipador, encontre o valor da Rtda.

5)

Para o problema da Questão 05, considerando que está disponível apenas um dissipador de calor com Rtda = 20 o C/W, o que pode ser feito para garantir a operação segura do dispositivo semicondutor ?

Rtda = 20 o C/W, o que pode ser feito para garantir a operação segura do

DEE

21/22

Referências

Mohan, Undeland & Robbins. Power Electronics Converters, Applications and Design, Wiley, 1995.

Rashid, Muhammad H. Power Electronics Handbook, Devices, Circuits and Applications, Segunda Edição, Elsevier, 2007.

Ahmed, Ashfak. Eletrônica de Potência, Wiley,

Pomilio, José Antenor. Eletrônica de Potência , Faculdade de Engenharia Elétrica e de Computação, UNICAMP, 1998, Revisado em 2002.

Algumas figuras utilizadas neste documento foram retiradas das referências listadas acima.

em 2002. Algumas figuras utilizadas neste documento foram retiradas das referências listadas acima. D E E

DEE

22/22