Dispositivos de Electrónica de Potencia

Los dispositivos de electrónica de potencia se pueden clasificar en tres

grandes grupos de acuerdo a la forma que son controlado:

Diodos de Potencia
➢Los estados de encendido y apagado son controlados por la
inversión del voltaje entre ánodo y cátodo.

Tiristores
➢El instante de encendido puede ser controlado, pero el apagado
se realiza por los valores de potencia presentes en el circuito.
DIODOS DE POTENCIA

Interruptores Controlables
➢Tanto el encendido como el apagado son controlables mediante
señales de control.
- Transistores Bipolares
- Transistores MOSFET
- Tiristores de apagado por puerta (GTOs)
- Transistores bipolares de compuerta aislada (IGBTs)
 El Diodo de Potencia
Uno de los dispositivos mas importantes de los circuitos de
potencia son los diodos, aunque tienen entre otras, las
siguientes limitaciones:
✓ Son dispositivos unidireccionales, no pudiendo circular la
corriente en sentido contrario al de conducción.
✓ El único procedimiento de control es invertir el voltaje
entre ánodo y cátodo.
Los diodos de potencia se caracterizan por:
✓ Porque en estado de conducción, debe ser capaces de
DIODOS DE POTENCIA

soportar una alta corriente con una pequeña caída de

tensión.
✓ En sentido inverso, deben ser capaces de soportar una alta
tensión negativa de ánodo con una pequeña corriente de
fuga.
✓ Deben poseer una recuperación rápida del estado de
conducción al estado de bloqueo.
 Estructura Básica del Diodo de Potencia
DIODOS DE POTENCIA

Debido a la zona epitaxial n- se generan dos efectos:

1. Uno positivo como es el poder soportar grandes tensiones de trabajo en
polarización inversa.
2. Otro negativo como es la necesidad de una mayor tensión en directa para que el
diodo pueda empezar a conducir.
DIODOS DE POTENCIA
Principio de Operación

“Modulación de conductividad” se basa en que al polarizar el diodo en directa estamos

inyectando portadores mayoritarios a la zona n- que por lo tanto harán que aumente la
conductividad de esta zona, disminuyendo de esa manera la resistividad, sin embargo al
polarizar el diodo en inversa conseguimos lo contrario, sustraemos los portadores de esa
zona n-, aumentando de esa manera su resistividad.
 Modelos Estáticos del Diodo
Curva característica
i real

Curva característica
Curva característica
ideal
aproximada.
Pendiente = 1/rd

V
DIODOS DE POTENCIA

0
Modelo real
V
ideal
Modelo aproximado ideal rd
Modelo ideal V V
DIODOS DE POTENCIA Características Estáticas

En estado de bloqueo. Parámetros

✓Voltaje inverso máximo de trabajo (VRWM): Es la tensión inversa máxima que puede soportar el
diodo de forma continuada, sin peligro de entrar en ruptura por avalancha.
✓Voltaje inverso de pico repetitivo (VRRM): Tensión inversa máxima que puede ser soportada en
picos de 1ms repetidos cada 10 ms por tiempo indefinido.

✓Voltaje inverso de pico no repetitiva (VRSM): Tensión inversa máxima que puede ser soportada
por una sola vez cada 10 min o más, con duración de pico de 10ms.
✓Voltaje inverso de ruptura (VR): Si se alcanza, aunque sea una sola vez con duración de 10ms o
menos, el diodo puede destruirse o al menos degradar sus características eléctricas.
 Características Estáticas

En estado de Conducción. Parámetros

✓Corriente media nominal (IF(AV)): Es el valor medio de la máxima corriente

de impulsos sinusoidales de 180º que el diodo puede soportar.

✓Corriente de pico repetitivo (IFRM): Máxima corriente que puede ser

soportada cada 20 ms por tiempo indefinido, con duración de pico de 1 ms a
una determinada temperatura de la cápsula.
DIODOS DE POTENCIA

✓Corriente directa de pico no repetitiva (IFSM): Es el máximo pico de

corriente aplicable por una vez cada 10 minutos o mas, con una duración de
pico de 10 ms.

✓Corriente directa (IF): Es la corriente que circula por el diodo cuando se

encuentra en el estado de conducción.
 NOMENCLATURAS ENPLEADOS POR
FABRICANTES DE SEMICONDUCTORES
DIODOS DE POTENCIA
 Características Dinámicas

Introducción

Las características dinámicas del diodo se centran en estudiar el comportamiento

transitorio provocado por la conmutación, es decir, se tiene en cuenta el tiempo
requerido para pasar de corte a conducción y viceversa.
DIODOS DE POTENCIA

Este tiempo existe

debido a que los
dispositivos no son
ideales.
 Características Dinámicas
Turn-off
Se llama turn-off al tiempo de paso de conducción a corte.
Cuando un diodo se
encuentra conduciendo
una intensidad i(t), la
zona central de la unión
DIODOS DE POTENCIA
P-N se satura de
portadores mayoritarios.
Si el circuito exterior fuerza la
disminución de la corriente con
una cierta velocidad dir/dt,
aplicando una tensión inversa,
resultara que después del paso
por cero de la corriente i(t), hay
un periodo en el cual cierta
cantidad de portadores cambian
su sentido de movimiento y
permiten que el diodo conduzca
en sentido contrario.
 Características Dinámicas
Turn-off • Comportamiento ideal de
un diodo en conmutación
R
i
a b
Transición de “a” a “b”, es
+ decir, de conducción a
V2 V bloqueo (apagado)
V1
-
i
DIODOS DE POTENCIA

V1/R
t

V t

-V2
 Características Dinámicas
• Comportamiento real de un diodo
Turn-off en conmutación

Transición de “a” a “b”, es decir, de conducción a bloqueo (apagado)

R
i i
a b V1/R
+
V2 trr t
V1 V
DIODOS DE POTENCIA

- ts
-V2/R tf (i= -0,1·V2/R)
ts = tiempo de almacenamiento
(storage time )
V
tf = tiempo de caída (fall time ) t
trr = tiempo de recuperación inversa
(reverse recovery time ) -V2
 Características Dinámicas

Turn-off
El tiempo de recuperación inverso trr comprende el intervalo de tiempo
desde que la corriente IF pasa por cero en el cambio on-off hasta que
la corriente vuelve a adquirir el 10% del valor Irr.

Irr = (di/dt)ts
DIODOS DE POTENCIA

El trr esta compuesto por la suma del tiempo de almacenamiento ts, y

el tiempo de caída tf.
 Características Dinámicas

Turn-off

El tiempo de almacenamiento ts, es el tiempo que transcurre desde el

paso por cero de la corriente hasta que se alcanza el pico negativo.
DIODOS DE POTENCIA
 Características Dinámicas

Turn-off

El tiempo de caida tf, es el tiempo que transcurre desde el pico

negativo de corriente hasta que esta se anula.
DIODOS DE POTENCIA
 Características Dinámicas

Turn-off

Otro parámetro importante es

el Qrr, representado por el área
de la función.
La carga de recuperación
inversa Qrr es la cantidad
de carga que fluye a través del
DIODOS DE POTENCIA

diodo en dirección
inversa debido a un cambio de
la conducción directa Qrr = Qs + Qf
a la condición de bloqueo
inverso. Su valor queda
Qrr = ½ IRRM x ts + ½ IRRM x tf
determinado por el área
encerrada por la trayectoria
trr = 2Qrr / IRRM = 2Qrr / (di/dt)ts
de la corriente de recuperación
inversa.
 Características Dinámicas

Turn-off

Asi aparecen estas características en los datasheet del fabricante.

DIODOS DE POTENCIA
 Características Dinámicas

Turn-on

Se llama turn-on al tiempo de paso de corte a conducción.

Es el tiempo que transcurre entre el instante en que la tensión entre ánodo

y cátodo se hace positiva y en el que dicha tensión alcanza el valor normal
DIODOS DE POTENCIA

de conducción.
 Características Dinámicas
• Comportamiento real de un diodo en
Turn on conmutación.

Transición de “b” a “a”, es decir, de bloqueo a conducción (encendido)

R i
i 0,9·V1/R
a b +
V2 V
0,1·V1/R
V1 td
DIODOS DE POTENCIA

- tr
tfr
td = tiempo de retraso (delay time )
tr = tiempo de subida (rise time )
tfr = td + tr = tiempo de recuperación directa (forward recovery time )

El tiempo de recuperación directa genera menos

problemas reales que el de recuperación inversa
 Características Dinámicas
• La información suministrada
por los fabricantes corresponde
a conmutaciones con cargas con
comportamiento inductivo.

IF(AV) = 8A, VRRM = 200V

DIODOS DE POTENCIA
DIODOS DE POTENCIA Características Dinámicas
 CONSIDERACIONES DE LAS
CARACTERISTICAS DINAMICAS DEL DIODO
DE POTENCIA

Los pasos del estado de corte al estado de conducción

y viceversa no se producen en los diodos de forma
instantánea.
Es necesario un tiempo de adaptación de la
distribución de los portadores en las capas
DIODOS DE POTENCIA

semiconductoras de un estado al siguiente.

Esto implica estados intermedios normalmente no
deseables porque en ellos coinciden intensidades y
tensiones elevadas que conllevan puntas elevadas de
potencia disipada, aunque cortas.
 Características fundamentales de cualquier diodo
1ª -Máxima tensión inversa soportada
2ª -Máxima corriente directa conducida
3ª -Caída de tensión en conducción
4ª -Corriente inversa en bloqueo
5ª -Velocidad de conmutación

1ª Máxima tensión inversa soportada

• Corresponde a la tensión de ruptura de la unión inversamente polarizada
DIODOS DE POTENCIA

Baja tensión Media tensión Alta tensión

15 V 100 V 500 V
30 V 150 V 600 V
Ejemplo de
45 V 200 V 800 V
clasificación
55 V 400 V 1000 V
60 V 1200 V
80 V
 1ª Máxima tensión inversa soportada
• El fabricante suministra (a veces) dos valores:
- Tensión inversa máxima de pico repetitivo VRRM
- Tensión inversa máxima de pico no repetitivo VRSM
DIODOS DE POTENCIA

La tensión máxima es crítica. Superarla suele ser

determinante del deterioro irreversible del componente
 2ª Máxima corriente directa conducida
• El fabricante suministra dos (y a veces tres) valores:
- Corriente eficaz máxima IF(RMS)
- Corriente directa máxima de pico repetitivo IFRM
- Corriente directa máxima de pico no repetitivo IFSM
DIODOS DE POTENCIA

Depende de la cápsula
 2ª Máxima corriente directa conducida

Otras Características de la Data del Fabricante

Esta curva muestra la

temperatura permitida en
el encapsulado en función
de la corriente que
maneja el dispositivo.
DIODOS DE POTENCIA

✓Nótese que:
A mayor temperatura
se reduce la capacidad
de corriente que puede
manejar el dispositivo.
 2ª Máxima corriente directa conducida

Otras Características de la Data del Fabricante

Potencia promedio disipada por el dispositivo en función de

la corriente promedio manejada por el mismo.

✓Nótese que:
A mayor corriente,
mayor es la potencia
que debe disipar el
DIODOS DE POTENCIA

dispositivo.
✓A mayor ciclo de
trabajo, mayor es la
corriente que pasa por el
dispositivo y por ende
mayor es la potencia que
debe disipar.
 3ª Caída de tensión en conducción
• La caída de tensión en conducción crece con la corriente directa
conducida.

ideal

rd
V

i
DIODOS DE POTENCIA

ID

5A

V
VD
 3ª Caída de tensión en conducción
• La caída de tensión en conducción crece con la máxima tensión inversa
soportable por el diodo
DIODOS DE POTENCIA
 3ª Caída de tensión en conducción
• Se obtiene tambien directamente de las curvas tensión - corriente

IF(AV) = 4A,
VRRM = 200V

1,25V @ 25A
DIODOS DE POTENCIA

IF(AV) = 5A,
VRRM = 1200V

• En escala lineal no son muy útiles

• Frecuentemente se representan en
escala logarítmica
2,2V @ 25A
 3ª Caída de tensión en conducción
• Curva característica en escala logarítmica

IF(AV) = 25A, IF(AV) = 22A,

VRRM = 200V VRRM = 600V
DIODOS DE POTENCIA

0,84V @ 20A
1,6V @ 20A
 4ª Corriente inversa en bloqueo
• Depende de los valores de IF(AV) y de la temperatura. Muy poco depende
de la tensión inversa VRRM.
Crece con IF(AV)
• Algunos ejemplos de diodos PN
Crece con Tj
IF(AV) = 8A, VRRM = 200V

IF(AV) = 4A, VRRM = 200V

DIODOS DE POTENCIA

IF(AV) = 5A, VRRM = 1200V

 4ª Corriente inversa en bloqueo

Otras Características de la Data del Fabricante

Variación de la corriente inversa del diodo en función de la
temperatura de la juntura.

✓Observe que para un

voltaje inverso de 20V y
una temperatura de
DIODOS DE POTENCIA

juntura de 25°C la
corriente inversa es de
aproximadamente 1µA,
pero para una
temperatura de juntura
de 175°C la corriente ya
es de aproximadamente
50mA.
 TIPOS DE DIODOS DE POTENCIA

Diodo Schottky
Características:
La estructura es una unión metal-semiconductor => Tiene propiedades
rectificadoras (es un diodo).
Al no haber inyección de portadores minoritarios => No hay recuperación
inversa => la conmutación es muy rápida. Son ideales para muy altas
DIODOS DE POTENCIA

frecuencias.
Caídas de tensión reducidas (0,4 a 0,5) => menos pérdidas.
A menor caída de tensión las corrientes inversas son mayores.
Debido a la forma de construcción no se pueden tener diodos schottky de
altas tensiones.
La tensión de ruptura < 100V ó < 200V a lo maximo.
 TIPOS DE DIODOS DE POTENCIA
Diodo Shottky
Características del diodo schottky 100BGQ100J de International Rectifier
DIODOS DE POTENCIA

• Este diodo soporta una corriente promedio máxima de 100A, un voltaje

inverso de 100V y tiene un voltaje en conducción de 0.74V para 100A.

• Su rango de temperatura en operación es de –55 a 175°C para la juntura.

 Tipos de Diodos de Potencia
DIODOS DE POTENCIA
 TIPOS DE DIODOS DE POTENCIA

Diodos de recuperación rápida

– Se usan en circuitos de alta frecuencia, tales
como convertidores DC-DC y DC-AC
– Presentan bajos tiempos de recuperación
inversa (unos 5 µs).
DIODOS DE POTENCIA
 Tipos de Diodos de Potencia
DIODOS DE POTENCIA
 TIPOS DE DIODOS DE POTENCIA

Diodos de frecuencia de línea

– Se diseñan para trabajar a 50-60 Hz, por lo que el trr
no es importante.
– El trr es típicamente de 10µs a 25µs.
– Presentan muy buenas capacidades de bloqueo de
tensiones inversas (llegan hasta algunos kilovoltios).
DIODOS DE POTENCIA

– Presentan buenas capacidades de conducción

(llegan hasta algunos kiloamperios)
– Pueden conectarse en paralelo para mejorar aún
más las capacidades de conducción y bloqueo.
 Tipos de Diodos de Potencia
DIODOS DE POTENCIA
GRACIAS