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Programa CREARRAY

Software para simular la curva


característica I&V de asociaciones de
células y modulos
CIRCUITO EQUIVALENTE COMPLETO
DE UNA CÉLULA FOTOVOLTAICA
I
RS

+
ID IP
IL

RP V

I = IL − ID − IP

  e (V + I RS )  V + I RS
I = I L − I 0 exp   − 1 −
  m k Tcel   RP
CURVA CARACTERÍSTICA I‐V

En oscuridad la célula tiene las mismas características


eléctricas de un diodo rectificador
CURVA CARACTERÍSTICA I‐V

Cuando la célula es iluminada la curva se desplaza para el


cuarto cuadrante
CURVA CARACTERÍSTICA I‐V

Cuanto mas grande la intensidad de radiación mas grande


es el desplazamiento de la curva
CURVA CARACTERÍSTICA I‐V

Por convención la curva es espejada sobre el eje de


voltajes, haciendo que el primer cuadrante sea el
cuadrante de generación
EFECTO DE LA RESISTENCIA SÉRIE SOBRE
LA CURVA CARACTERÍSTICA I‐V
EFECTO DE LA RESISTENCIA PARALELA SOBRE
LA CURVA CARACTERÍSTICA I‐V
EFECTO DE LA IRRADIANCIA SOLAR SOBRE
LA CURVA CARACTERÍSTICA I‐V
EFECTO DE LA TEMPERATURA SOBRE
LA CURVA CARACTERÍSTICA I‐V
Características de Módulos
Fotovoltaicos

M X N células
Asociación de células y módulos

PVCDROM
Asociación de células y módulos
Asociación de células y módulos
Asociación de células y módulos
 e(V + IRS   V + IRS  
−n
 
1−δ a V   + δ I exp e(VB )  −1
I = I SC − I O exp  −1 −   V   DBP  OB    
  mkT    RP Vbr   
   m kT  
  B B

• I é a corrente da célula (ou do módulo). • a e n são constantes da corrente de ruptura da


• ISC é a corrente de curto circuito da célula (ou do célula (ou do módulo).
módulo). • Vbr é a tensão de ruptura da célula (ou do módulo).
• IO é a corrente de saturação reversa no escuro da • δDBP é uma função que vale 1 na presença do diodo
célula (ou do módulo). de bypass e zero caso contrário.
• V é a tensão da célula (ou do módulo). • δV é uma função que vale 1 quando a tensão é
• Rs é a resistência série da célula (ou do módulo). negativa e zero quando a tensão é positiva.

• Rp é a resistência paralela da célula (ou do módulo). • IOB é a corrente de saturação reversa do diodo de
bypass.
• m é o fator de idealidade da célula (ou do módulo).
• VB é a tensão do diodo de bypass.
• k é a constante de Boltzmann.
• mB é o fator de idealidade do diodo de bypass.
• T é a temperatura da célula (ou das células dos
módulos). • TB é a temperatura do diodo de bypass.
Accionar el programa
Ejemplos de
Aplicaciones

(programa CREARRAY)
40 40

30 30
T ens ão ( V )

T e ns ã o ( V )
20 20
Tensão ES1
Tensão ES2
Tensão ES3
Tensão ES4
10
Tensão ES5 10
Tensão ES6
Tensão ES7
Tensão ES8
0
0
7 7.2 7.4 7.6 7.8 8
17 17.2 17.4 17.6 17.8 18
Tempo ( h ) Tempo ( h )
40
Tensão ES1
Tensão ES2
Tensão ES3
Tensão ES4
30
Tensão ES5
Tensão ES6
Tensão ( V )

Tensão ES7
Tensão ES8
20

10

0
17 17.2 17.4 17.6 17.8 18

Tempo ( h )
Antes de limpiar

40

30

Tensão ( V )
20 Tensão ES1
Tensão ES2
Tensão ES3
Tensão ES4
10 Tensão ES5
Tensão ES6
Tensão ES7
Tensão ES8
0
0 200 400 600 800 1000 1200

Irradiância ( W / m² )
Después de limpiar

40

30

Tensão ( V )
20 Tensão ES1
Tensão ES2
Tensão ES3
Tensão ES4
10 Tensão ES5
Tensão ES6
Tensão ES7
Tensão ES8
0
0 200 400 600 800 1000 1200

Irradiância ( W / m² )
300 40

250
Tensão ES (Manhã) 30

Tmod - Tamb ( °C )
Tensão ( V )
200 Tensão ES (Tarde)
Tmód - Tamb (Manhã)
Tmód - Tamb (Tarde)
150 20

100
10
50

0 0
0 200 400 600 800 1000 1200

Irradiância ( W / m² )
26°C
35°C
46°C
48°C
49°C
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